JP2776276B2 - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイ、イ
メージセンサ等の薄膜集積回路に使用される薄膜トラン
ジスタの製造方法に関し、特に、チャネル層にポリシリ
コン膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年液晶ディスプレイ装置は、情報化社
会においてますます重要な位置を占めるようになってき
ている。同時に液晶ディスプレイ装置の大画面化・高精
細度化への要求も高まってきている。而して、当該分野
において現行で主流となっている技術は、表示部の薄膜
トランジスタをアモルファスシリコンによって形成し、
その駆動回路には単結晶シリコンのＬＳＩを用いこれを
ＴＡＢ方式等により薄膜トランジスタの形成された基板
に接続するものである。

【０００３】しかし、ポリシリコンに比較して移動度の
小さいアモルファスシリコンを用いた薄膜トランジスタ
では、液晶ディスプレイ装置を大画面で高精細度に実現
することが困難であるため、ポリシリコンを活性層とす
る薄膜トランジスタが注目されている。一方で、液晶デ
ィスプレイにおける用途の多様化により、薄型化・小型
化に対する要請も強く、その要求に応えるためアクティ
ブマトリクス基板上に駆動回路をも薄膜トランジスタで
形成しようとする試みなされている。この駆動回路用の
トランジスタをアモルファスシリコンを用いて形成する
ことは、動作速度や駆動能力の面で好ましくなく、ポリ
シリコンで形成することが求められる。

【０００４】ポリシリコンの作製方法としては、減圧化
学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法やプラズマ化学気相成長
（ＰＣＶＤ）法により直接ポリシリコンを成膜する方
法、ＬＰＣＶＤ法あるいはＰＣＶＤ法などによりシリコ
ンを成膜した後に、そのシリコンを良質なポリシリコン
へと改質する間接的な方法がある。

【０００５】間接的な方法で良質なポリシリコンを得る
手法としては、通常の熱処理を用いる固相成長法、レー
ザ光を用いるレーザアニール法などが挙げられる。液晶
ディスプレイへの応用上これらのポリシリコン作製法の
中では、プロセス温度の低温化ならびにスループットの
向上が見込まれるレーザアニール法が有望視されてい
る。

【０００６】レーザアニール法によるポリシリコンを用
いた従来の薄膜トランジスタの構造断面図を図４に示
す。このトランジスタは次のように製作される。まず、
絶縁基板４０１上に例えばＰＣＶＤ法によりアモルファ
スシリコン膜を堆積し、レーザアニールによりポリシリ
コン膜４０２を形成する。ポリシリコン膜４０２をアイ
ランド状にパターニングした後、その上にゲート絶縁膜
４０３とゲート電極形成材料層を堆積し、これらをパタ
ーニングしてゲート電極４０４を形成する。

【０００７】イオン注入法等によりポリシリコン膜４０
２に選択的に不純物を導入してソース・ドレイン領域と
なるドーピング領域４０５を形成する。続いて、層間絶
縁膜４０６を堆積し、ソース・ドレイン領域上を露出さ
せるコンタクトホールを開孔する。最後に、アルミニウ
ム等の金属膜を形成し、これをパターニングしてソース
・ドレイン領域と接触する金属配線４０７を形成し、薄
膜トランジスタの形成工程を完了する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述の製造方法により
形成された薄膜トランジスタでは電気特性のバラツキが
大きいという問題があった。例えばしきい値電圧のバラ
ツキは標準偏差で２０％以上にも達する。このように電
気的特性にバラツキがあると例えばこのトランジスタで
アクティブマトリクスを構成した場合には表示むらが著
しくなり、大画面、高精細のディスプレイの実現は困難
になる。本発明は、この点に鑑みてなされたものであっ
て、その目的とするところは、電気的特性のバラツキの
少ない薄膜トランジスタの製造方法を提供することであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、絶縁性基板上に形成されたチャン
ネル領域およびソース・ドレイン領域を構成するレーザ
光照射されたポリシリコン膜と、該ポリシリコン膜上に
形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成さ
れたゲート電極とを有し、前記ポリシリコン膜と前記ゲ
ート絶縁膜との界面はその垂直方向の凹部と凸部の高度
差の平均が７ｎｍ以下の平坦性を有していることを特徴
とする薄膜トランジスタ、が提供される。

【００１０】また、本発明によれば、 （１）絶縁性基板上にシリコン膜と減圧化学気相成長法
でシリコン酸化膜を堆積する工程と、 （２）前記シリコン酸化膜上からレーザ光を照射して前
記シリコン膜の結晶化を進めてポリシリコン膜を形成す
るとともに該ポリシリコン膜と前記シリコン酸化膜との
界面の垂直方向の凹部と凸部の高度差の平均が７ｎｍ以
下になるように平坦化する工程と、 （３）前記シリコン酸化膜上にゲート絶縁膜を介してス
パッタ法でゲート電極を形成する工程と、 （４）前記ポリシリコン膜中に選択的に不純物をドープ
してソース・ドレイン領域を形成する工程と、を備える
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法、が提供
される。

【００１１】

【作用】チャネル層を構成するポリシリコン膜とゲート
絶縁膜との界面における凹凸が薄膜トランジスタの電気
的特性のバラツキに大きな影響を持っていることが見い
だされた。図１はその結果を示すグラフである。図１に
おいて、横軸にポリシリコン膜表面の凹凸の高度差の平
均値を、また縦軸にしきい値電圧の標準偏差をとってい
る（本明細書においては算出された標準偏差を平均値で
除した値を標準偏差としている）。ここで、界面の凹凸
の高低差の平均は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察
した。同図から明らかなように、凹凸の高度差の平均が
１０ｎｍ以上ではしきい値電圧は大きくばらついている
が、８ｎｍ以下となると急速に改善され、７ｎｍ以下で
は高均一性が実現される。

【００１２】従来の薄膜トランジスタでは、ポリシリコ
ン膜とゲート酸化膜との界面の凹凸については格別の考
慮が払われてこなかったので、図４のポリシリコン膜界
面付近の拡大図に示されるように、高度差が１４ｎｍに
も達する大きな凹凸を有していた。一般にＭＯＳ型電界
効果トランジスタでは、チャネルが形成されるＭＯＳ界
面上に凹凸が存在する場合、この凹凸により電子が散乱
され電気的特性が変動する現象が発生する。特に、薄膜
トランジスタでは、バルク型のトランジスタと異なりシ
リコン成膜時の凹凸が直接チャネル部に現れるため、こ
の電子散乱効果が顕著となる。

【００１３】本発明の薄膜トランジスタでは、成膜され
たシリコン膜に平坦化処理を施すことにより、ポリシリ
コン膜とゲート酸化膜との界面の凹部と凸部との高度差
を７ｎｍ以下と低く抑えている。その結果、チャネル部
での電子散乱効果が抑制され、図１に示されるように、
電気的特性の高い均一性を実現することができる。図１
には示されていないが、ポリシリコン膜表面の凹凸と移
動度についてもしきい値電圧の特性とほぼ同様の結果が
得られている。

【００１４】

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 ［第１の実施例］図２は、本発明の第１の実施例の薄膜
トランジスタの構造を示す断面図である。同図に示され
るように、絶縁性基板１０１上には、活性層となるポリ
シリコン膜１０２が形成されており、その一部の領域は
ソース・ドレイン領域を形成するために不純物が導入さ
れてドーピング領域１０５になされている。

【００１５】ポリシリコン膜１０２上には、ゲート絶縁
膜１０３とゲート電極１０４が積層されている。トラン
ジスタ全体は層間絶縁膜１０６によって覆われており、
層間絶縁膜１０６上には、層間絶縁膜に開孔されたコン
タクトホールを介してドーピング領域１０５と接触する
金属配線１０７が形成されている。このトランジスタの
基本的な構成は図４に示した従来例と変わらないが、本
実施例のトランジスタでは、図２のポリシリコン膜とゲ
ート絶縁膜との界面付近の拡大図に示されるように、界
面の凹凸の高低差の平均は４．５ｎｍになされている。

【００１６】次に、図２に示される薄膜トランジスタの
製造方法について、図３（ａ）〜（ｄ）を参照して説明
する。なお、図３は、各実施例の薄膜トランジスタの製
造方法を説明するための、平坦なポリシリコン膜を形成
するところまでの製造工程を示す工程順断面図である。

【００１７】図３（ａ）に示すように、ガラス等からな
る絶縁性基板３０１上にＬＰＣＶＤ法でＳｉＨ₄ ガスに
よりアモルファスシリコン膜３０２を７５ｎｍの膜厚に
堆積した。堆積条件としては、ＳｉＨ₄ （ＳｉＨ₄ ：Ｈ
₂ ＝１：９の希釈ガス）流量：２００ｓｃｃｍ、圧力：
０．１Ｔｏｒｒ、基板温度：５５０℃であり、この条件
で４２分間堆積を行った。

【００１８】次に、図３（ｂ）に示すように、ＬＰＣＶ
Ｄ法でＳｉＨ₄ ／Ｏ₂ 混合ガス系を用いてアモルファス
シリコン膜上に透光性膜兼ゲート絶縁膜となる酸化シリ
コン膜３０３を１００ｎｍの膜厚に堆積した。堆積条件
としては、ＳｉＨ₄ （９０％のＨ₂ で希釈）流量：３５
ｓｃｃｍ、Ｏ₂ 流量：１４０ｓｃｃｍ、圧力：０．２８
Ｔｏｒｒ、基板温度：４００℃であり、この条件で６０
分間堆積を行った。

【００１９】次に、図３（ｃ）に示すように、レーザア
ニール法によりＸｅＣｌエキシマレーザにて透光性膜で
あるシリコン酸化膜３０３上よりレーザを照射し、アモ
ルファスシリコン膜３０２を多結晶化して、図３（ｄ）
に示した平坦化ポリシリコン膜３０４を形成した。この
とき、アモルファスシリコンはシリコン酸化膜に束縛さ
れた状態でアニールされるため凹凸は縮小されその表面
は平坦化される。レーザ照射条件としては、照射強度：
４２４ｍＪ／ｃｍ² であり、この条件で１０回のレーザ
パルス照射を行った。

【００２０】透明性膜であるシリコン酸化膜膜３０３
は、レーザ照射後はゲート絶縁膜としての役割を果た
す。この条件で作製した平坦化ポリシリコン膜３０４と
ゲート絶縁膜であるシリコン酸化膜３０３との界面の凹
凸の凹部と凸部の高度差の平均は、シリコン酸化膜３０
３を一部除去して行ったＡＦＭ観察の結果、４．５ｎｍ
であった。

【００２１】これに対し、比較例として形成した、シリ
コン酸化膜３０３を形成することなくアモルファスシリ
コン膜３０２上に直接ＸｅＣｌエキシマレーザを照射し
て形成したポリシリコン膜の表面の凹部と凸部の高度差
の平均は、ＡＦＭの観察で、１４ｎｍであった。

【００２２】次に、スパッタ法によりシリコン酸化膜３
０３上にアルミニウム膜を堆積しこれをパターニングし
てゲート電極を形成した。次に、イオン注入法によりポ
リシリコン膜３０４に選択的に燐イオン（Ｐ⁺ ）を導入
してソース・ドレイン領域となるドーピング領域を形成
した。続いて、スパッタ法により層間絶縁膜としてシリ
コン酸化膜を５００ｎｍ堆積し、ソース・ドレイン領域
上にコンタクトホールを開孔した。最後に、スパッタ法
によりＡｌ膜を堆積しこれをパターニングしてソース・
ドレイン領域と接触する金属配線を形成し、図２に示す
薄膜トランジスタを製作した。

【００２３】このようにして形成された薄膜トランジス
タと、比較用に形成された、シリコン酸化膜３０３を用
いずにアモルファスシリコン膜上に直接ＸｅＣｌエキシ
マレーザを照射して形成したポリシリコン膜用いた薄膜
トランジスタとの電気的特性測定の比較では、移動度お
よびしきい値電圧の変動幅は、図１に示したように、本
実施例のものが比較例に対し１／５以下に縮小されてい
た。このことは、シリコン酸化膜上からのレーザアニー
ルによりゲート絶縁膜界面の凹部と凸部の高度差の平均
が１４ｎｍから４．５ｎｍへと減少したためと考えられ
る。

【００２４】なお、第１の実施例では、ゲート絶縁膜と
兼用した透光性膜（シリコン酸化膜）を介してエキシマ
レーザを照射する例について説明したが、ゲート絶縁膜
と兼用することなしに窒化シリコン、アルミナなどの他
の透光性膜を用いてポリシリコン膜を形成し、その後透
光性膜を除去して新たに成膜したゲート絶縁膜上にゲー
ト電極を形成しても同様の効果が得られた。

【００２５】［第２の実施例］次に、図３（ａ）、
（ｅ）〜（ｈ）を参照して本発明の第２の実施例の製造
方法について説明する。図３（ａ）に示すように、絶縁
性基板３０１上にＳｉＨ₄ガスを用いたＬＰＣＶＤ法に
より、アモルファスシリコン膜３０２を７５ｎｍの膜厚
に堆積した。堆積条件は第１の実施例の場合と同様であ
る。

【００２６】次に、図３（ｅ）に示すように、ＸｅＣｌ
エキシマレーザを用いたレーザアニールによりアモルフ
ァスシリコン膜３０２を多結晶化して、図３（ｆ）に示
すように、ポリシリコン膜３０５を形成した。レーザア
ニールは、照射強度：４２４ｍＪ／ｃｍ² の条件で、１
０回のレーザパルス照射により行った。

【００２７】次に、図３（ｇ）に示すように、フッ酸／
過酸化水素水混合液３０６によりポリシリコン膜３０５
のエッチングを行った。フッ酸および過酸化水素水の濃
度はそれぞれ１％および３％であり、混合比は１対１で
ある。この条件で形成した、図３（ｈ）に示される平坦
化ポリシリコン膜３０４の表面の凹部と凸部の高度差の
平均はＡＦＭ観察の結果で４．９ｎｍであった。

【００２８】次に、ＬＰＣＶＤ法によりＳｉＨ₄ ／Ｏ₂
混合ガス系にてポリシリコン膜３０４上にゲート絶縁膜
としてシリコン酸化膜を１００ｎｍ堆積した。堆積条件
としては、ＳｉＨ₄ （９０％のＨ₂ で希釈）流量：３５
ｓｃｃｍ、Ｏ₂ 流量：１４０ｓｃｃｍ、圧力：０．２８
Ｔｏｒｒ、基板温度：４００℃であり、この条件で６０
分間堆積を行った。続いて、第１の実施例の場合と同様
の方法により、ゲート電極、ドーピング領域、層間絶縁
膜、金属配線を形成して第２の実施例による薄膜トラン
ジスタの製作が完了する。

【００２９】本実施例により形成された薄膜トランジス
タと、比較例として形成した、図３（ｇ）に示したフッ
酸／過酸化水素水混合液３０６によるエッチング工程を
行わずに形成した薄膜トランジスタとの電気的特性測定
の比較では、本実施例のものにおいて、移動度およびし
きい値電圧の変動幅は１／５以下に縮小されていた。こ
のことは、表面エッチングにより、ゲート絶縁膜界面の
凹部と凸部の高度差の平均が１４ｎｍから４．９ｎｍへ
と減少したためと考えられる。

【００３０】［第３の実施例］次に、本発明の第３の実
施例の製造方法について説明する。この第３の実施例
は、図３（ａ）、（ｅ）、（ｆ）の工程までは、第２の
実施例の場合と同様の工程を経過し、その後、図３
（ｉ）、（ｊ）の工程を経るものである。図３（ｆ）に
示すように、絶縁性基板３０１上にポリシリコン膜３０
５を形成した後、図３（ｉ）に示すように、硫酸３０７
によりポリシリコン膜３０５の表面酸化を行った。硫酸
の濃度は９６％であった。この処理の結果、図３（ｊ）
に示されるように、表面に表面酸化膜３０８を有する平
坦化ポリシリコン膜３０４が形成される。この条件で形
成された平坦化ポリシリコン膜３０４の表面の凹凸の凹
部と凸部の高度差の平均はＡＦＭ観察の結果で４．８ｎ
ｍであった。

【００３１】その後、第２の実施例の場合と同様の方法
により、ゲート絶縁膜その他を形成して第３の実施例に
よる薄膜トランジスタを製作した。本実施例により形成
された薄膜トランジスタにおいても、移動度およびしき
い値電圧の変動幅は、第２の実施例の場合と同様に、従
来例の１／５以下に縮小されていた。このことは、表面
酸化により、ゲート絶縁膜界面の凹部と凸部の高度差の
平均が１４ｎｍから４．８ｎｍへと減少したためと考え
られる。この第３の実施例は、酸性溶液として硫酸を使
用するものであったが、硝酸、塩酸など他の酸性溶液を
用いても同様の効果が得られた。

【００３２】［第４の実施例］次に、本発明の第４の実
施例の製造方法について説明する。この第４の実施例
は、図３（ａ）、（ｅ）、（ｆ）の工程までは、第２の
実施例の場合と同様の工程を経過し、その後、図３
（ｋ）、（ｌ）の工程を経るものである。図３（ｆ）に
示すように、絶縁性基板３０１上にポリシリコン膜３０
５を形成した後、図３（ｋ）に示すように、メタノール
／硝酸混合液３０９内においてワイヤ３１０を介して電
圧を印加して電界研磨法によりポリシリコン３０５の表
面研磨を行った。電界研磨条件としては、メタノール対
硝酸混合比：９対１、印加電圧：１５Ｖであった。この
条件で作製した図３（ｌ）に示されるポリシリコン膜３
０４の表面の凹部と凸部の高度差の平均はＡＦＭ観察の
結果で４．９ｎｍであった。

【００３３】その後、第２の実施例の場合と同様の方法
により、ゲート絶縁膜その他を形成して第４の実施例に
よる薄膜トランジスタを製作した。本実施例により形成
された薄膜トランジスタにおいても、移動度およびしき
い値電圧の変動幅は、第２の実施例の場合と同様に、従
来例の１／５以下に縮小されていた。このことは、表面
研磨により、ゲート絶縁膜界面の凹部と凸部の高度差の
平均が１４ｎｍから４．９へと減少したためと考えられ
る。なお、この実施例においては電界研磨法を用いて平
坦化を行う方法について説明したが、化学機械研磨（Ｃ
ＭＰ）法を用いても同様の結果が得られた。

【００３４】［第５の実施例］次に、本発明の第５の実
施例の製造方法について説明する。この第５の実施例
は、図３（ａ）、（ｅ）、（ｆ）の工程までは、第２の
実施例の場合と同様の工程を経過し、その後、図３
（ｍ）、（ｎ）の工程を経るものである。

【００３５】図３（ｆ）に示されるポリシリコン膜３０
５に対し、図３（ｍ）に示すように、イオン注入法によ
りＳｉＨ₄ ガスにより生成されたシリコンイオンのドー
ピングを行った。イオンドーピングの条件としては、加
速電圧：２５ｋｅＶ、イオンドーズ量：５×１０¹²個／
ｃｍ² であった。この条件で作製した図３（ｎ）に示さ
れる平坦化ポリシリコン膜３０４の表面の凹凸の凹部と
凸部の高度差の平均はＡＦＭ観察の結果で４．７ｎｍで
あった。

【００３６】その後、第２の実施例の場合と同様の方法
により、ゲート絶縁膜その他を形成して第５の実施例に
よる薄膜トランジスタを製作した。本実施例により形成
された薄膜トランジスタにおいても、移動度およびしき
い値電圧の変動幅は、第２の実施例の場合と同様に、従
来例の１／５以下に縮小されていた。このことは、イオ
ン注入により、ゲート絶縁膜界面の凹部と凸部の高度差
の平均が１４ｎｍから４．７ｎｍへと減少したためと考
えられる。

【００３７】この実施例では、イオン注入のイオン種と
してシリコンイオンを用いる場合について説明したが、
これに代えホウ素、リン、水素などのイオン種を用いて
も同様の効果が得られた。

【００３８】［実施例の変更］以上の実施例では、レー
ザアニールを施す初期材料としてアモルファスシリコン
を用いていたが、初期材料として他に微結晶シリコン、
多結晶シリコンなど他のシリコン膜を用いても同様の効
果が得られた。また、ゲート絶縁膜としてシリコン酸化
膜に代え窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜などの他の
絶縁膜を用いても同様の効果が得られた。

【００３９】また、上記実施例では、チャネル領域を構
成するポリシリコン膜とソース・ドレイン領域を構成す
るポリシリコン膜とを同一工程により形成していたが、
この方法に代え、それぞれを別工程により形成するよう
にすることができる（この場合、チャネル領域用のポ
リシリコン膜を先に形成し、この上にあるいはこれと接
するソース・ドレイン領域用ポリシリコン膜を形成す
る、ソース・ドレイン領域用ポリシリコン膜を先に形
成しておき、これと接するチャネル領域用ポリシリコン
膜を後から形成する、のいずれかの方法が採られる）。
この場合、少なくともチャネル領域となる部分のポリシ
リコン膜のゲート絶縁膜との界面部については本発明に
したがって平坦化処理が施されなければならない。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明による薄膜
トランジスタでは、５５０℃以下のプロセス温度で、ポ
リシリコン膜とゲート絶縁膜界面の凹部と凸部の高度差
の平均が７ｎｍ以下になされているため、スループット
を犠牲にすることなく、チャネル部における電子の散乱
が抑制され、その結果、移動度、しきい値電圧等の電気
的特性の素子間のバラツキは標準偏差で５％以下と小さ
くなる。したがって、本発明による薄膜トランジスタを
液晶ディスプレイ装置に適用した場合には、低コスト
で、表示むらの抑制することができ、また、大画面表示
を高精細度で実現することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の作用を説明するためのポリシリコン膜
表面の凹凸の大きさとしきい値電圧の標準偏差との関係
を示すグラフ。

【図２】本発明の第１の実施例による薄膜トランジスタ
の構造を示す断面図。

【図３】本発明の第１〜第５の実施例の製造方法を説明
するための工程順断面図。

【図４】従来例の薄膜トランジスタの構造を示す断面
図。

【符号の説明】

１０１、４０１ 絶縁性基板 １０２、４０２ ポリシリコン膜 １０３、４０３ ゲート絶縁膜 １０４、４０４ ゲート電極 １０５、４０５ ドーピング領域 １０６、４０６ 層間絶縁膜 １０７、４０７ 金属配線 ３０１ 絶縁性基板 ３０２ アモルファスシリコン膜 ３０３ シリコン酸化膜 ３０４ 平坦化ポリシリコン膜 ３０５ ポリシリコン膜 ３０６ フッ酸／過酸化水素水混合液 ３０７ 硫酸 ３０８ 表面酸化膜 ３０９ メタノール／硝酸混合液 ３１０ ワイヤ

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（１）絶縁基板上にシリコン膜と減圧化学
   気相成長法により透光性絶縁膜を堆積する工程と、 （２）前記透光性絶縁膜上からレーザ光を照射して前記
   シリコン膜の結晶化を進めてポリシリコン膜を形成する
   とともに該ポリシリコン膜と前記透光性絶縁膜との界面
   の凹部と凸部の高度差の平均が７ｎｍ以下になるように
   平坦化する工程と、 （３）形成されたポリシリコン膜上にゲート絶縁膜を介
   してスパッタ法によりゲート電極を形成する工程と、 を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方
   法。
2. 【請求項２】前記シリコン膜が減圧化学気相成長法によ
   り形成されることを特徴とする請求項１記載の薄膜トラ
   ンジスタの製造方法。
3. 【請求項３】（１）絶縁性基板上にシリコン膜を堆積す
   る工程と、 （２）レーザ光を照射することにより前記シリコン膜の
   結晶化を進めてポリシリコン膜を形成する工程と、 （３）前記ポリシリコン膜に、その表面の凹部と凸部の
   高度差の平均が７ｎｍ以下になるようにフッ酸および過
   酸化水素水で構成される溶液で前記ポリシリコンの表面
   をエッチングする平坦化処理を施す工程と、 （４）平坦化された前記ポリシリコン膜上にゲート絶縁
   膜を形成する工程と、 （５）前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程
   と、 を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方
   法。
4. 【請求項４】（１）絶縁性基板上にシリコン膜を堆積す
   る工程と、 （２）レーザ光を照射することにより前記シリコン膜の
   結晶化を進めてポリシリコン膜を形成する工程と、 （３）前記ポリシリコン膜に、その表面の凹部と凸部の
   高度差の平均が７ｎｍ以下になるように酸性溶液に浸す
   ことにより前記ポリシリコン膜の表面に酸化膜を形成す
   る平坦化処理を施す工程と、 （４）平坦化された前記ポリシリコン膜上にゲート絶縁
   膜を形成する工程と、 （５）前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程
   と、 を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方
   法。