JPH09152634A - エレクトロクロミック素子及びその製造方法 - Google Patents

エレクトロクロミック素子及びその製造方法

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JPH09152634A
JPH09152634A JP8061619A JP6161996A JPH09152634A JP H09152634 A JPH09152634 A JP H09152634A JP 8061619 A JP8061619 A JP 8061619A JP 6161996 A JP6161996 A JP 6161996A JP H09152634 A JPH09152634 A JP H09152634A
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electrochromic
metal
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metal oxide
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Shigeru Hashimoto
茂 橋本
Junji Terada
順司 寺田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 消色時の光透過率が高く、高コントラスト比
で駆動した場合の応答速度及び繰り返し耐久性が優れた
ＥＣ素子を提供する。 【解決手段】 一対の対向する透明電極２ａ，２ｂと、
透明電極２ａ，２ｂ間に挟持される、酸化発色性エレク
トロクロミック層３、酸化発色性エレクトロクロミック
物質と金属酸化物とからなる混合層１１、透明イオン伝
導層４、還元発色性エレクトロクロミック層とを有する
エレクトロクロミック素子。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子や透過率
可変フィルターなどに用いられるエレクトロクロミック
素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電界を印加することにより着消色するエ
レクトロクロミック素子（ＥＣ素子）は、液晶素子等と
比較して、消色時の光透過率が高い、偏光の影響を受け
ない、メモリー性があるといった特徴があるため、表示
素子や透過率可変フィルターヘの適用が研究されてい
る。
【０００３】このようなＥＣ素子の一例として、図６に
示すような、一対の電極層１０２ａ、１０２ｂ間に、酸
化タングステン、酸化モリブデンまたはこれらの混合物
からなる還元発色性エレクトロクロミック層１０５と、
五酸化タンタルからなる絶縁性薄膜１０４と、実質的に
水酸化イリジウム、水酸化ニッケルまたはこれらの混合
物からなる酸化発色性エレクトロクロミック層１０３
と、を有する５層構造の相補型ＥＣ素子が知られている
（特公昭６０−３１３５５、ＵＳＰ４，３５０，４１４
など）。ここで、１０１は透明基板である。
【０００４】また、上記の酸化発色性エレクトロクロミ
ック層１０３として、イリジウム金属それ自体、または
その酸化物、もしくはその水酸化物からなる分散質と、
透明固体分散媒とで形成される透明分散層を用いた５層
構造の相補型ＥＣ素子が知られている（特公平５−３３
３７３、ＵＳＰ４，６５２，０９０など）。
【０００５】さらに、上記透明分散層を有するＥＣ素子
の製造方法が、特公平５−５８１７１、特開平６−２７
４９９に開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＥＣ素子は、いずれも、コントラスト比（消色時の透過
率／着色時の透過率）が１０以上になるような条件で駆
動した場合、応答速度（着消色の速度）が遅くなるとい
う問題点があった。
【０００７】着色速度を速くするためには、還元発色性
エレクトロクロミック層の厚さ及び酸化発色性エレクト
ロクロミック層の厚さを、厚くする必要がある。しかし
ながら、ＵＳＰ４，３５０，４１４などに記載されたＥ
Ｃ素子では、酸化発色性エレクトロクロミック層の吸光
度が大きいために該層を厚くすると光透過率が低下する
という問題点があった。即ち、酸化発色性エレクトロク
ロミック層の厚さを５０ｎｍ以上とした場合、特に５０
０ｎｍ以下の短波長側の吸光度が大きくなり、４００〜
７００ｎｍの波長域での平均光透過率を７５％以上にす
ることができなかった。一方、光透過率の低下を防ぐた
めに該層を薄くすると、着色速度が低下するだけでな
く、繰り返し耐久性が悪い（着消色を繰り返すうちに電
極が還元されてしまい、吸光度が大きくなる）という問
題点もあった。また、ＵＳＰ４，６５２，０９０などに
記載されたＥＣ素子でも、透明分散層（即ち、酸化発色
性エレクトロクロミック層）の層厚を厚くした場合に吸
光度が大きくなるという問題点があった。加えて、酸化
発色性エレクトロクロミック層として透明分散層を用い
た場合、該厚を厚くしても繰り返し耐久性が十分でない
（電極が還元されることによって吸光度が大きくなる）
という問題点があった。
【０００８】さらに、ＵＳＰ４，６５２，０９０などに
記載されたＥＣ素子では、その製造時に透明分散層を、
反応性イオンプレーティングを用いて成膜することによ
り形成しているため、蒸着速度が安定せず、分散質と透
明固体分散媒との混合比の再現性が悪かった。そのた
め、諸特性の優れたＥＣ素子を安定に製造することがで
きなかった。
【０００９】また、特公平５−５８１７１、特開平６−
２７４９９に開示された方法で形成した透明分散層は、
ＥＣ素子に適用した場合に、光透過率の点等で充分な特
性を有しているとはいえなかった。
【００１０】そこで、本発明は、消色時の光透過率が高
く、高コントラスト比で駆動した場合の、応答速度及び
繰り返し耐久性が優れた、ＥＣ素子及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【００１１】また、本発明は、諸特性の優れたＥＣ素子
を安定に製造する製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、一対の対向する透明電極と、該透明電極
間に挟持される、酸化発色性エレクトロクロミック層、
酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物とか
らなる層、透明イオン伝導層、還元発色性エレクトロク
ロミック層と、を少なくとも有するエレクトロクロミッ
ク素子としているものである。
【００１３】また、本発明は、一対の対向する透明電極
と、酸化発色性エレクトロクロミック層と、酸化発色性
エレクトロクロミック物質と金属酸化物とからなる層
と、透明イオン伝導層と、還元発色性エレクトロクロミ
ック層と、を少なくとも有するエレクトロクロミック素
子であって、前記透明電極間に、前記酸化発色性エレク
トロクロミック層、前記酸化発色性エレクトロクロミッ
ク物質と金属酸化物とからなる層、前記透明イオン伝導
層、前記還元発色性エレクトロクロミック層、が順次積
層されている、エレクトロクロミック素子である。
【００１４】また、本発明は、一対の対向する透明基板
間に、一対の対向する透明電極と、該透明電極間に挟持
される、酸化発色性エレクトロクロミック層、酸化発色
性エレクトロクロミック物質と金属酸化物とからなる
層、透明イオン伝導層、還元発色性エレクトロクロミッ
ク層と、を少なくとも有するエレクトロクロミック素子
であつて、少なくとも、前記酸化発色性エレクトロクロ
ミック層と、前記酸化発色性エレクトロクロミック物質
と金属酸化物とからなる層と、前記透明イオン伝導層
と、前記還元発色性エレクトロクロミック層とが、樹脂
で被覆されている、エレクトロクロミック素子である。
【００１５】また、本発明は、一対の対向する透明基板
と、該基板間に挟持される、一対の対向する透明電極
と、酸化発色性エレクトロクロミック層と、酸化発色性
エレクトロクロミック物質と金属酸化物とからなる層
と、透明イオン伝導層と、還元発色性エレクトロクロミ
ック層と、を少なくとも有するエレクトロクロミック素
子であって、前記透明電極間に、前記酸化発色性エレク
トロクロミック層、前記酸化発色性エレクトロクロミッ
ク物質と金属酸化物とからなる層、前記透明イオン伝導
層、前記還元発色性エレクトロクロミック層、が順次積
層されており、少なくとも、前記酸化発色性エレクトロ
クロミック層と、前記酸化発色性エレクトロクロミック
物質と金属酸化物とからなる層と、前記透明イオン伝導
層と、前記還元発色性エレクトロクロミック層とが、樹
脂で被覆されている、エレクトロクロミック素子であ
る。
【００１６】また、本発明は、インジウム錫酸化物から
なる第１の層と、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃ
ｒ、Ｄｙ、Ｅｒのいずれか１種以上の金属、または該金
属の酸化物、または該金属の水酸化物、または該金属の
酸水酸化物、あるいは、該金属、該金属の酸化物、該金
属の水酸化物、該金属の酸水酸化物のうち、２種以上の
混合物からなる第２の層と、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｚｒ
Ｏ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2か
ら選ばれる少なくとも１種と、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉ
ｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈ
ｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒのいずれか１種以上の金
属、または該金属の酸化物、または該金属の水酸化物、
または該金属の酸水酸化物、あるいは、該金属、該金属
の酸化物、該金属の水酸化物、該金属の酸水酸化物のう
ち、２種以上の混合物と、からなる第３の層と、Ｔａ2
Ｏ5、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2から選ばれる少なくと
も１種からなる第４の層と、ＷＯ3、ＭｏＯ3、Ｎｂ2Ｏ5
から選ばれる少なくとも１種からなる第５の層と、イン
ジウム錫酸化物からなる第６の層と、を少なくとも有す
るエレクトロクロミック素子である。
【００１７】さらに、本発明は、一対の対向する透明電
極と、該透明電極間に挟持される、酸化発色性エレクト
ロクロミック層、酸化発色性エレクトロクロミック物質
と金属酸化物とからなる層、透明イオン伝導層、還元発
色性エレクトロクロミック層と、を少なくとも有するエ
レクトロクロミック素子の製造方法であって、水蒸気、
酸素、水蒸気と酸素との混合ガス、もしくは、水蒸気と
アルゴンとの混合ガス、のいずれかの雰囲気中で、スパ
ッタリングによる成膜を行なうことにより、酸化発色性
エレクトロクロミック物質と金属酸化物とからなる層が
接する層上に、酸化発色性エレクトロクロミック物質と
金属酸化物とからなる層を形成する、エレクトロクロミ
ック素子の製造方法である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面に従って、本発明の好
適な実施の形態について説明する。なお、本発明は、以
下に示す好適な実施の形態及び実施例によって限定され
るものではない。
【００１９】まず、本発明の第１の実施の形態につい
て、図１に従って説明する。
【００２０】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
エレクトロクロミック（ＥＣ）素子１０の層構造を示す
模式的な断面図である。
【００２１】本実施の形態に係るＥＣ素子１０は、透明
基板１上に、透明電極層２ａ、酸化発色性エレクトロク
ロミック層３、酸化発色性エレクトロクロミック物質と
金属酸化物との混合物からなる層（以下、単に混合層と
いう）１１、透明イオン伝導層４、還元発色性エレクト
ロクロミック層５、透明電極層２ｂが、順次積層されて
いる。このＥＣ素子１０は、従来の５層構造のＥＣ素子
と異なり、６層構造のＥＣ素子である。
【００２２】透明基板１としては、ガラス基板が好適に
用いられるが、ＥＣ素子の用途等に応じて、プラスチッ
ク等、種々の透明な材料からなる基板を用いることがで
きる。 また、透明基板１の透明電極層と反対側の表面
には、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＭｇＦ2等の誘電体等からな
る単層膜あるいは該単層膜を複数種積層したものを設け
ることにより、反射防止コーティング（ＡＲＣ）を施す
ことが好ましい。
【００２３】透明電極層２ａ、２ｂとしては、Ｉｎ
2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等を用
いることができるが、光学特性（光透過率）、抵抗値等
の面で、ＩＴＯが好ましく、Ｉｎ2Ｏ3とＳｎＯ2の比
が、９５：５程度のＩＴＯがより好ましい。
【００２４】酸化発色性エレクトロクロミック層３は、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒから選
ばれる少なくとも１種を有することが好ましく、これら
は、金属単体（Ｍ）、あるいはその酸化物（ＭＯx）、
もしくはその水酸化物（Ｍ（ＯＨ）x）、あるいはその
酸水酸化物（ＭＯx（ＯＨ）y）、あるいはそれらの混合
物の状態で存在している。また、酸化発色性エレクトロ
クロミック層３は、光学特性、繰り返し耐久性の面で、
イリジウム、酸化イリジウム、水酸化イリジウム、酸水
酸化イリジウム、コバルト、酸化コバルト、水酸化コバ
ルト、酸水酸化コバルト、ニッケル、酸化ニッケル、水
酸化ニッケル、あるいは酸水酸化ニッケル、もしくはこ
れらのうちから選ばれる２種類以上の物質の混合物、か
らなることが、さらに好ましい。
【００２５】また、酸化発色性エレクトロクロミック層
３の層厚は１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。層厚が１ｎｍ
よりも小さくなると、繰り返し耐久性が悪化し、層厚が
５０ｎｍよりも大きくなると吸光度が大きくなる。
【００２６】透明イオン伝導層４としては、Ｔａ2Ｏ5、
ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、もしくはこれらの混合物
が好ましく、光学特性、繰り返し耐久性の面で、Ｔａ2
Ｏ5が特に好ましい。
【００２７】還元発色性エレクトロクロミック層５とし
ては、ＷＯ3、ＭｏＯ3、Ｎｂ2Ｏ5もしくはこれらの混合
物が好ましく、着色速度の点でＷＯ3が特に好ましい。
また、ＷＯ3とＭｏＯ3の混合物を用いることによって、
着色時に、黒色となるＥＣ素子とすることができる。
【００２８】混合層１１に用いられる酸化発色性エレク
トロクロミック物質は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃ
ｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓ
ｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒから選ばれる少なくとも１種を有
することが好ましく、これらは、金属単体（Ｍ）、ある
いはその酸化物（ＭＯx）、もしくはその水酸化物（Ｍ
（ＯＨ）x）、あるいはその酸水酸化物（ＭＯx（ＯＨ）
y）、あるいはそれらの混合物の状態で存在する。ま
た、上記酸化発色性エレクトロクロミック物質として
は、光学特性、繰り返し耐久性の面で、イリジウム、酸
化イリジウム、水酸化イリジウム、酸水酸化イリジウ
ム、コバルト、酸化コバルト、水酸化コバルト、酸水酸
化コバルト、ニッケル、酸化ニッケル、水酸化ニッケ
ル、あるいは酸水酸化ニッケル、もしくはこれらのうち
から選ばれる２種類以上の物質の混合物が、さらに好ま
しい。
【００２９】混合層１１に用いられる金属酸化物として
は、光透過率の高いものが好ましく用いられる。また、
該金属酸化物は、実用的な電圧印加状態でエレクトロク
ロミズム、特に還元発色性エレクトロクロミズムを示さ
ない物質であることが好ましい。
【００３０】該金属酸化物としては、具体的には、Ｔｉ
Ｏ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ
2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2の中から選ばれる１種類、また
は２種類以上の混合物が好適である。
【００３１】酸化発色性エレクトロクロミック物質と金
属酸化物の重量比は、０．０２≦（酸化発色性エレクト
ロクロミック物質／金属酸化物）≦１であることが好ま
しい。重量比が１よりも大きくなると吸光度が大きくな
り、重量比が０．０２よりも小さくなると着色速度が遅
くなるとともに耐久性が悪くなる。
【００３２】また、混合層１１の層厚としては１０ｎｍ
〜５０００ｎｍが応答速度、光透過率の点から望まし
い。層厚が５０００ｎｍよりも大きくなると吸光度が大
きくなり、層厚が１０ｎｍよりも小さくなると着色速度
（応答速度）が遅くなるとともに耐久性が悪くなる。
【００３３】また、混合層１１を構成する酸化発色性エ
レクトロクロミック物質と金属酸化物との組成比（酸化
発色性エレクトロクロミック物質／金属酸化物）が、透
明イオン伝導層４に近いほど小さいことが、応答速度、
光透過率の点から望ましい。
【００３４】また、酸化発色性エレクトロクロミック層
３、混合層１１以外の各層の層厚は１ｎｍ〜５０００ｎ
ｍが好ましく、要求される光学特性、繰り返し耐久性等
により決定される。
【００３５】本実施の形態に係るＥＣ素子１０は、透明
基板１上に、透明電極層２ａ、酸化発色性エレクトロク
ロミック層３、混合層１１、透明イオン伝導層４、還元
発色性エレクトロクロミック層５、透明電極層２ｂが、
順次積層されているが、逆に、透明基板上に、透明電極
層、還元発色性エレクトロクロミック層、透明イオン伝
導層、混合層、酸化発色性エレクトロクロミック層、透
明電極層、の順に積層されていてもよい。
【００３６】次に、本実施の形態に係るＥＣ素子１０の
製造方法について説明する。
【００３７】まず、透明基板１上に透明電極層２ａを、
例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティ
ング、ＣＶＤ等の公知の成膜法により形成する。
【００３８】次に、透明電極層２ａ上に酸化発色性エレ
クトロクロミック層３を、例えば、真空蒸着、スパッタ
リング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等の公知の成膜
法により形成する。
【００３９】次に、酸化発色性エレクトロクロミック層
３上に混合層１１を形成する。混合層１１は、水蒸気、
酸素、水蒸気と酸素との混合ガス、もしくは、水蒸気と
アルゴンとの混合ガスの雰囲気中で、スパッタリング法
により形成するのが好ましい。上記スパッタリングは、
水蒸気、水蒸気と酸素との混合ガス、もしくは、水蒸気
とアルゴンとの混合ガスの雰囲気中で行なうことが好ま
しい。上記スパッタリングは、水蒸気もしくは水蒸気と
アルゴンの混合ガス（ガス圧１Ｐａ〜２０Ｐａ、（水蒸
気とアルゴンの混合比（流量比）：水蒸気／Ａｒ）≧
０．５）の雰囲気中で行なうことが、さらに好ましい。
ここで、水蒸気雰囲気中、あるいは水蒸気とアルゴンの
混合比（流量比）が２０を越える範囲でスパッタリング
を行なう場合、ガス圧は１０Ｐａ以下であることが好ま
しい。また、水蒸気とアルゴンの混合比（流量比）が
０．５以上２０以下の範囲でスパッタリングを行なう場
合、ガス圧は２０Ｐａ以下であることが好ましい。ガス
圧がこれらの数値よりも大きくなると、成膜速度が遅く
なって生産性が悪くなったり、排気系の真空ポンプ（ク
ライオポンプ、拡散ポンプ等）に悪影響を与えたりす
る。ガス圧が１Ｐａ未満、あるいは、水蒸気とアルゴン
の混合比（流量比）が０．５未満の場合、混合層１１の
吸光度が大きくなる。また、ガス圧が１Ｐａ末満の場
合、放電安定性が悪くなる。さらに好ましくは、０．５
≦（水蒸気／Ａｒ）≦２０、ガス圧１Ｐａ以上１０Ｐａ
以下の条件下でスパッタリングを行なう。
【００４０】続いて、透明イオン伝導層４、還元発色性
エレクトロクロミック層５、透明電極層２ｂを、順に、
前述したような公知の成膜法により形成することによっ
て、ＥＣ素子１０を製造する。
【００４１】次に、本実施の形態に係るＥＣ素子１０の
変形例として、図２に示すようなＥＣ素子２０が挙げら
れる。
【００４２】以下、図２に従って、ＥＣ素子２０につい
て説明する。透明電極層２ａは、他の層の―方の側面
（図２では左側）よりも外側まで形成されている。この
外側の部分は、外部接続用の部分である。他方の透明電
極層２ｂは、各層５、４、１１、３、２ａの側面に沿っ
て、基板１まで延長して形成されており、基板１上に外
部接続用の部分（電極取り出し部分）を有している。な
お、このＥＣ素子２０においては、透明電極層２ｂと、
各層１１、３、２ａと、の間で、電子の移動が起こらな
いようにする必要がある。そのために、例えば、透明イ
オン伝導層４を各層１１、３、２ａの側面に沿って基板
１まで延長して形成する。図２では、還元発色性エレク
トロクロミック層５も基板１まで延長して形成されてい
るが、必ずしもこうする必要はない。
【００４３】このＥＣ素子２０は、透明イオン伝導層
４、還元発色性エレクトロクロミック層５、透明電極層
２ｂを形成する工程で、例えば、スパッタリングの際の
マスクの位置をずらすことによって、上記のような形状
としている。
【００４４】次に、本発明の第２の実施の形態につい
て、図３に従って説明する。なお、図１に示すものと同
一の部分は同一の符号を付して説明を省略する。
【００４５】図３は、本発明の第２の実施の形態に係る
ＥＣ素子３０の層構造を示す模式的な断面図である。
【００４６】本実施の形態に係るＥＣ素子３０は、透明
基板１上に、透明電極層２ａ、酸化発色性エレクトロク
ロミック層３、酸化発色性エレクトロクロミック物質と
金属酸化物との交互層（以下、単に交互層という）３
１、透明イオン伝導層４、還元発色性エレクトロクロミ
ック層５、透明電極層２ｂが、順次積層されている。こ
のＥＣ素子３０は、従来の５層構造のＥＣ素子と異な
り、６層構造のＥＣ素子である。
【００４７】それぞれの層は、上記のＥＣ素子と逆に、
透明基板上に、透明電極層、還元発色性エレクトロクロ
ミック層、透明イオン伝導層、混合層、酸化発色性エレ
クトロクロミック層、透明電極層、の順に積層されてい
てもよい。
【００４８】交互層３１は、酸化発色性エレクトロクロ
ミック物質からなるサブ層（ｓｕｂｌａｙｅｒ）と、金
属酸化物からなるサブ層とが、交互に積層されることに
よって、構成されている。
【００４９】ここで酸化発色性エレクトロクロミック物
質からなるサブ層の層厚は、金属酸化物からなるサブ層
の層厚の０．０１倍以上１倍以下であることが、応答速
度、光透過率の点から望ましい。交互層３１を形成する
それぞれのサブ層の層厚は０．１ｎｍ（単分子層）から
１ｎｍであることが好ましく、交互層全体では１ｎｍか
ら５０００ｎｍが好ましい。これらは、要求される光学
特性、繰り返し耐久性等により決定される。
【００５０】前述のＥＣ素子１０の混合層１１に用いら
れる酸化発色性エレクトロクロミック物質及び金属酸化
物は、交互層３１に用いられる酸化発色性エレクトロク
ロミック物質及び金層酸化物としても好適である。
【００５１】その他の層は、前述のＥＣ素子１０同様で
ある。
【００５２】次に、本実施の形態に係るＥＣ素子３０の
製造方法について説明するが、交互層３１以外の層は前
記ＥＣ素子１０同様、公知の成膜法によって形成するこ
とができるので、ここでは、交互層３１の形成方法につ
いてのみ説明する。
【００５３】交互層３１は、第１の実施の形態同様の雰
囲気中でスパッタリング法により形成することが望まし
い。
【００５４】その際、酸化発色性エレクトロクロミック
物質からなるサブ層を形成するためのターゲットと、金
属酸化物からなるサブ層を形成するためのターゲットの
各々にシャッターを設けて、そのシャッターを交互に開
閉することにより、各々のサブ層の層厚を決定する。
【００５５】本実施の形態に係るＥＣ素子３０に、前述
したＥＣ素子２０同様の変更を加えることももちろん可
能である。
【００５６】なお、上述の各実施の形態において、各層
には、その機能を低下させない程度の不純物が含まれて
いても構わない。
【００５７】上述の各実施の形態に示したＥＣ素子は、
実装した後に使用する。図４は、上記第１の実施の形態
に係るＥＣ素子１０の実装後の状態の一例を示す模式図
である。
【００５８】ＥＣ素子１０の透明電極２ａ、２ｂは、導
線８によって電源９に接続されている。そして、透明電
極２ｂに対向するように、透明基板６が設けられてお
り、透明基板６と透明電極２ｂとの間、及び透明基板１
と透明基板６との間の各層の周囲には、透明な樹脂７が
設けられている。即ち、ＥＣ素子１０は樹脂封止されて
いる。樹脂７は、透明電極２ｂと透明基板６とを接着す
る役割を有するとともに、酸化発色性エレクトロクロミ
ック層３、混合層１１、透明イオン伝導層４、及び還元
発色性エレクトロクロミック層５の各層が外気に触れる
のを防止する役割を有している。この際、透明電極２
ａ、２ｂの外部接続用の部分は、外気に触れていても構
わない。なお、透明基板６は、前記した透明基板１と同
様のものであり、透明基板６の、透明電極２ｂ側の面と
反対側の面にはＡＲＣが施されていることが好ましい。
【００５９】次に、図５は、ＥＣ素子２０の実装後の状
態の一例を示す模式図である。本図では、導線及び電源
は図示していない。
【００６０】図５に示すように、ＥＣ素子２０の各層
は、透明電極２ａ、２ｂの外部接続用の部分を除いて樹
脂封止されている。そして、この外部接続用の部分に、
所望の配線をすることができる。
【００６１】
【実施例】以下、実施例及び比較例を用いて説明する。
【００６２】実施例１ 一方の面に反射防止膜を設けた透明ガラス基板の他方の
面上に、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2 Ｐ
ａの条件で、ＩＴＯを真空蒸着し、第１層として、層厚
１５０ｎｍの透明導電層を形成した。
【００６３】次に、該透明導電層上に、基板温度＝室
温、水蒸気とアルゴンの混合ガス圧＝５Ｐａ、水蒸気と
アルゴンの流量比＝３の条件で、金属コバルトをターゲ
ットとして高周波スパッタリングによる成膜を行ない、
第２層として、層厚５ｎｍの酸化発色性エレクトロクロ
ミック層を形成した。その際、金属コバルトターゲット
ヘの入力パワーは５００Ｗとした。なお、この酸化発色
性エレクトロクロミック層は、コバルト酸化物とコバル
ト水酸化物を主成分としており、他に金属コバルト等を
含んでいる。
【００６４】次に、該酸化発色性エレクトロクロミック
層上に、基板温度＝室温、水蒸気とアルゴンの混合ガス
圧＝５Ｐａ、水蒸気とアルゴンの流量比＝３の条件で、
金属コバルトと金属錫とをターゲットとして２元高周波
スパッタリングによる成膜を行ない、第３層として、層
厚４００ｎｍの酸化発色性エレクトロクロミック物質と
金属酸化物との混合層を形成した。その際、金属コバル
トターゲットヘの入力パワーは５００Ｗ、金属錫ターゲ
ットヘの入力パワーは７００Ｗとした。なお、この混合
層は、コバルト酸化物及びコバルト水酸化物（酸化発色
性エレクトロクロミック物質）と、錫酸化物（金属酸化
物）との混合層になっている。該混合層は、他に金属コ
バルト等を含んでいる。
【００６５】次に、該混合層上に、基板温度＝３００
℃、Ｏ2分圧＝３×１０-2Ｐａの条件で、五酸化タンタ
ルを真空蒸着し、第４層として、層厚３００ｎｍの透明
イオン伝導層を形成した。
【００６６】次に、該透明イオン伝導層上に、基板温度
＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、三酸
化タングステンを真空蒸着し、第５層として、層厚１０
００ｎｍの還元発色性エレクトロクロミック層を形成し
た。
【００６７】最後に、該還元発色性エレクトロクロミッ
ク層上に、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2
Ｐａ、高周波パワー１５０Ｗの条件で、ＩＴＯを高周波
イオンプレーティングにより蒸着し、第６層として、層
厚４５０ｎｍの透明導電層を形成した。
【００６８】以上のようにして、図２に示すような６層
構造のＥＣ素子が得られた。
【００６９】図５のように、このＥＣ素子を樹脂封止し
た後、透明導電層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４
００ｎｍ〜７００ｎｍの平均光透過率のコントラスト比
（消色時／着色時）が１０以上になる応答速度を測定し
たところ１００ｍｓであった。また、消色時の光透過率
は７８％であった。さらに、繰り返し耐久性は５０万回
であった。そして、同様の製造を繰り返し行なったとこ
ろ、毎回同様の特性を示すＥＣ素子が得られた。なお、
応答速度は、電圧を印加することによって一旦消色状態
としたＥＣ素子に逆方向の電圧を印加してからコントラ
スト比が１０以上になるまでの時間を測定することによ
り評価した。また、繰り返し耐久性は、透明導電層間に
±２Ｖの電圧を繰り返し印加し、光透過率が１０％以上
低下するまでの回数、あるいは応答速度が半分以下にな
るまでの回数のいずれか小さい方を測定することにより
評価した。これらの評価方法は、以下の各実施例及び各
比較例に共通の評価方法である。
【００７０】実施例２ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第３層を成膜により形成する際
に、金属コバルトターゲットヘの入力パワーと金属錫タ
ーゲットヘの入力パワーを制御することによって、第３
層中でのコバルトと錫の組成比（Ｃｏ／Ｓｎ）が第４層
に近くなるほど小さくなるようにした。具体的には、成
膜の進行に伴って、金属コバルトターゲットヘの入力パ
ワーを６００Ｗから２００Ｗまで変化させた。但し、金
属錫ターゲットヘの入力パワーは７００Ｗで固定した。
このＥＣ素子を樹脂封止した後、実施例１同様の方法
で、応答速度を測定したところ、８０ｍｓであった。ま
た、消色時の光透過率は８０％であった。さらに、繰り
返し耐久性は５０万回であった。
【００７１】実施例３ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第３層を成膜により形成する際
に、金属錫ターゲットの代わりに、金属タンタルターゲ
ットを用いた。金属コバルトヘの入力パワーは５００
Ｗ、金属タンタルターゲットヘの入力パワーは７００Ｗ
とした。このＥＣ素子を樹脂封止した後、実施例１同様
の方法で、応答速度を測定したところ、９０ｍｓであっ
た。また、消色時の光透過率は８２％であった。さら
に、繰り返し耐久性は４０万回であった。
【００７２】実施例４ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第３層を成膜により形成する際
に、金属コバルトターゲットの代わりに、金属ニッケル
ターゲットを用いた。金属ニッケルターゲットヘの入力
パワーは５００Ｗ、金属錫ターゲットヘの入力パワーは
７００Ｗとした。また、本実施例では、図１に示すよう
な形状のＥＣ素子とした。このＥＣ素子を樹脂封止した
後、実施例１同様の方法で、応答速度を測定したとこ
ろ、１５０ｍｓであった。また、消色時の光透過率は７
６％であった。さらに、繰り返し耐久性は４０万回であ
った。
【００７３】実施例５ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第２層を成膜により形成する際
に、金属コバルトターゲットの代わりに、金属イリジウ
ムターゲットを用いた。金属イリジウムターゲットヘの
入力パワーは１５０Ｗとした。このＥＣ素子を樹脂封止
した後、実施例１同様の方法で、応答速度を測定したと
ころ、５０ｍｓであった。また、消色時の光透過率は７
６％であった。さらに、繰り返し耐久性は７０万回であ
った。
【００７４】実施例６ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第５層を三酸化タングステンでは
なく、三酸化タングステンと三酸化モリブデンの混合物
（重量比＝９：１）で形成した。このＥＣ素子を樹脂封
止した後、実施例１同様の方法で、応答速度を測定した
ところ、１２０ｍｓであった。また、消色時の光透過率
は７８％であった。さらに、繰り返し耐久性は４５万回
であった。このＥＣ素子では、第５層中に三酸化モリブ
デンを含有させることによって、白黒表示が可能となっ
た。
【００７５】実施例７ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第２層及び第３層形成時の成膜を
Ｏ2雰囲気下で行なった。このＥＣ素子を樹脂封止した
後、実施例１同様の方法で、応答速度を測定したとこ
ろ、２５０ｍｓであった。また、消色時の光透過率は７
０％であった。さらに、繰り返し耐久性は４０万回であ
った。
【００７６】比較例１ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第３層を形成しなかった。このＥ
Ｃ素子を樹脂封止した後、実施例１同様の方法で、応答
速度を測定したところ、４００ｍｓであった。また、消
色時の光透過率は８０％であった。さらに、繰り返し耐
久性は１万回であった。
【００７７】比較例２ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第２層を形成しなかった。このＥ
Ｃ素子を樹脂封止した後、実施例１同様の方法で、応答
速度を測定したところ、７００ｍｓであった。また、消
色時の光透過率は８２％であった。さらに、操り返し耐
久性は５０００回であった。
【００７８】実施例８ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第２層及び第３層形成時の成膜の
際、水蒸気とアルゴンとの混合ガス圧を０．８Ｐａとし
た。このＥＣ素子を樹脂封止した後、実施例１同様の方
法で、応答速度を測定したところ、９０ｍｓであった。
また、消色時の光透過率は６０％であった。さらに、繰
り返し耐久性は５０万回であった。
【００７９】実施例９ 以下の点を変更する以外は、実施例１と同様にして、Ｅ
Ｃ素子を得た。即ち、第２層及び第３層形成時の成膜の
際、水蒸気とアルゴンとの混合ガス圧を２５Ｐａとし
た。このＥＣ素子を樹脂封止した後、実施例１同様の方
法で、応答速度を測定したところ、１００ｍｓであっ
た。また、消色時の光透過率は７８％であった。さら
に、繰り返し耐久性は５８万回であった。但し、第２
層、第３層の成膜時間が実施例１の１２倍になった。
【００８０】実施例１０ 透明ガラス基板上に、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝
５×１０-2Ｐａの条件で、ＩＴＯを真空蒸着し、第１層
として、層厚１５０ｎｍの透明導電層を形成した。
【００８１】次に、該透明導電層上に、基板温度＝室
温、Ｏ2分圧＝１Ｐａの条件で、金属イリジウムをター
ゲットとして高周波スパッタリングによる成膜を行な
い、第２層として、層厚５ｎｍの酸化発色性エレクトロ
クロミック層を形成した。その際、金属イリジウムター
ゲットヘの入力パワーは１３０Ｗとした。なお、この酸
化発色性エレクトロクロミック層は、イリジウム酸化物
とイリジウム水酸化物を主成分としており、他に金属イ
リジウム等を含んでいる。
【００８２】次に、該酸化発色性エレクトロクロミック
層上に、基板温度＝室温、水蒸気分圧＝１Ｐａの条件
で、金属イリジウムと金属錫をターゲットとして２元高
周波スパッタリングによる成膜を行ない、第３層とし
て、層厚２５ｎｍの酸化発色性エレクトロクロミック物
質と金属酸化物との混合層を形成した。その際、金属イ
リジウムターゲットヘの入力パワーは１３０Ｗ、金属錫
ターゲットヘの入力パワーは７００Ｗとした。なお、こ
の混合層は、イリジウム酸化物及びイリジウム水酸化物
（酸化発色性エレクトロクロミック物質）と、錫酸化物
（金属酸化物）との混合層になっている。該混合層は、
他に金属イリジウム等を含んでいる。
【００８３】次に、該混合層上に、基板温度＝３００
℃、Ｏ2分圧＝３×１０-2Ｐａの条件で、五酸化タンタ
ルを真空蒸着し、第４層として、層厚３００ｎｍの透明
イオン伝導層を形成した。
【００８４】次に、該透明イオン伝導層上に、基板温度
＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、三酸
化タングステンを真空蒸着し、第５層として、層厚ｌ０
００ｎｍの還元発色性エレクトロクロミック層を形成し
た。
【００８５】最後に、該還元発色性エレクトロクロミッ
ク層上に、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2
Ｐａ、高周波パワー１５０Ｗの条件で、ＩＴＯを高周波
イオンプレーティングにより蒸着し、第６層として、層
厚３００ｎｍの透明導電層を形成した。
【００８６】以上のようにして、図２に示すような６層
構造のＥＣ素子が得られた。
【００８７】図５のようにこのＥＣ素子を樹脂封止した
後、透明導電層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４０
０ｎｍ〜７００ｎｍの平均光透過率のコントラスト比
（消色時／着色時）が１０以上になる応答速度を測定し
たところ２３ｍｓであった。また、消色時の光透過率は
７７％であった。さらに、繰り返し耐久性は８０万回で
あった。
【００８８】実施例１１ 以下の点を変更する以外は、実施例１０と同様にして、
ＥＣ素子を得た。即ち、第３層を成膜により形成する際
に、２元高周波スパッタリングを行なわず、その代わ
り、金属錫ターゲット上に金属イリジウムチップを置い
て、高周波スパッタリングを行なった。このＥＣ素子を
樹脂封止した後、実施例１０同様の方法で、応答速度を
測定したところ、２５ｍｓであった。また、消色時の光
透過率は７５％であっった。さらに、繰り返し耐久性は
８０万回であった。
【００８９】比較例３ 以下の点を変更する以外は、実施例１０と同様にして、
ＥＣ素子を得た。即ち、第３層を形成しなかった。この
ＥＣ素子を樹脂封止した後、実施例１０同様の方法で、
応答速度を測定したところ、１２０ｍｓであった。ま
た、消色時の光透過率は７８％であった。さらに、繰り
返し耐久性は２万回であった。
【００９０】比較例４ 以下の点を変更する以外は、実施例１０と同様にして、
ＥＣ素子を得た。即ち、第２層を形成せず、第３層形成
時の成膜を酸素雰囲気（Ｏ2分圧＝１Ｐａ）で行なっ
た。このＥＣ素子を樹脂封止した後、実施例１０同様の
方法で、応答速度を測定したところ、１５０ｍｓであっ
た。また、消色時の光透過率は７０％であった。さら
に、繰り返し耐久性は１万回であった。
【００９１】実施例１２ 透明ガラス基板上に、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝
５×１０-2Ｐａの条件で、ＩＴＯを真空蒸着し、第１層
として、層厚１５０ｎｍの透明導電層を形成した。
【００９２】次に、該透明導電層上に、基板温度＝室
温、Ｏ2分庄＝１Ｐａの条件で、金属イリジウムをター
ゲットとして高周波スパッタリングによる成膜を行な
い、第２層として、層厚５ｎｍの酸化発色性エレクトロ
クロミック層を形成した。その際、金属イリジウムター
ゲットヘの入力パワーは１３０Ｗとした。なお、この酸
化発色性エレクトロクロミック層は、イリジウム酸化物
とイリジウム水酸化物を主成分としており、他に金属イ
リジウム等を含んでいる。
【００９３】次に、該酸化発色性エレクトロクロミック
層上に、基板温度＝室温、水蒸気とアルゴンの混合ガス
圧＝５Ｐａ、水蒸気とアルゴンの流量比＝３の条件で、
金属イリジウムと金属錫をターゲットとして２元高周波
スパッタリングによる成膜を行ない、第３層として、層
厚４００ｎｍの酸化発色性エレクトロクロミック物質と
金属酸化物との混合層を形成した。その際、金属イリジ
ウムターゲットヘの入力パワーは１３０Ｗ、金属錫ター
ゲットヘの入力パワーは７００Ｗとした。なお、この混
合層は、イリジウム酸化物及びイリジウム水酸化物（酸
化発色性エレクトロクロミック物質）と、錫酸化物（金
属酸化物）との混合層になっている。該混合層は、他に
金属イリジウム等を含んでいる。
【００９４】次に、該混合層上に、基板温度＝３００
℃、Ｏ2分圧＝３×１０-2Ｐａの条件で、五酸化タンタ
ルを真空蒸着し、第４層として、層厚３００ｎｍの透明
イオン伝導層を形成した。
【００９５】次に、該透明イオン伝導層上に、基板温度
＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、三酸
化タングステンを真空蒸着し、第５層として、層厚１０
００ｎｍの還元発色性エレクトロクロミック層を形成し
た。
【００９６】最後に、該還元発色性エレクトロクロミッ
ク層上に、基板温度＝３００℃、Ｏ 2分圧＝５×１０-2
Ｐａ、高周波パワー１５０Ｗの条件で、ＩＴＯを高周波
イオンプレーティングにより蒸着し、第６層として、層
厚４５０ｎｍの透明導電層を形成した。
【００９７】以上のようにして、図２に示すような６層
構造のＥＣ素子が得られた。
【００９８】図５のようにこのＥＣ素子を樹脂封止した
後、透明導電層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４０
０ｎｍ〜７００ｎｍの平均光透過率のコントラスト比
（消色時／着色時）が１０以上になる応答速度を測定し
たところ１０ｍｓであった。また、消色時の光透過率は
８０％であった。さらに、繰り返し耐久性は１００万回
以上であった。
【００９９】実施例１３ 以下の点を変更する以外は、実施例１２と同様にして、
ＥＣ素子を得た。即ち、第３層を成膜により形成する際
に、金属イリジウムターゲットヘの入力パワーと金属錫
ターゲットヘの入力パワーを制御することによって、第
３層中でのイリジウムと錫の組成比（Ｉｒ／Ｓｎ）が第
４層に近くなるほど小さくなるようにした。具体的に
は、成膜の進行に伴って、金属イリジウムターゲットヘ
の入力パワーを１５０Ｗから１００Ｗまで変化させた。
金属錫への入力パワーは７００Ｗに固定した。このＥＣ
素子を樹脂封止した後、実施例１２同様の方法で、応答
速度を測定したところ、８ｍｓであった。また、消色時
の光透過率は８２％であった。さらに、繰り返し耐久性
は１００万回以上であった。
【０１００】実施例１４ 以下の点を変更する以外は、実施例１２と同様にして、
ＥＣ素子を得た。即ち、第３層を成膜により形成する際
に、２元高周波スパッタリングを行なわず、その代わ
り、金属錫ターゲット上に金属イリジウムチップを置い
て、高周波スパッタリングを行なった。このＥＣ素子を
樹脂封止した後、実施例１２同様の方法で、応答速度を
測定したところ、１２ｍｓであった。また、消色時の光
透過率は８０％であった。さらに、繰り返し耐久性は１
００万回以上であった。
【０１０１】実施例１５ 以下の点を変更する以外は、実施例１２と同様にして、
ＥＣ素子を得た。即ち、第３層形成時の成膜を酸素雰囲
気（Ｏ2分圧＝１Ｐａ）で行なった。このＥＣ素子を樹
脂封止した後、実施例１２同様の方法で、応答速度を測
定したところ、５０ｍｓであった。また、消色時の光透
過率は７４％であった。さらに、繰り返し耐久性は７０
万回であった。
【０１０２】実施例１６ 透明ガラス基板上に、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝
５×１０-2Ｐａの条件で、ＩＴＯを真空蒸着し、第１層
として、層厚１５０ｎｍの透明導電層を形成した。
【０１０３】次に、該透明導電層上に、基板温度＝室
温、Ｏ2分圧＝１Ｐａの条件で、金属イリジウムをター
ゲットとして高周波スパッタリングによる成膜を行な
い、第２層として、層厚５ｎｍの酸化発色性エレクトロ
クロミック層を形成した。その際、金属イリジウムター
ゲットヘの入力パワーは１３０Ｗとした。なお、この酸
化発色性エレクトロクロミック層は、イリジウム酸化物
とイリジウム水酸化物を主成分としており、他に金属イ
リジウム等を含んでいる。
【０１０４】次に、該酸化発色性エレクトロクロミック
層上に、基板温度＝室温、Ｏ2分圧＝１Ｐａの条件で、
金属イリジウムと金属錫をターゲットとして高周波スパ
ッタリングによる成膜を行ない、第３層として、層厚
０．１ｎｍの酸化発色性エレクトロクロミック物質から
なるサブ層と層厚０．５ｎｍの金属酸化物からなるサブ
層との交互層を形成した。その際、金属イリジウムター
ゲットヘの入力パワーは１３０Ｗ、金属錫ターゲットヘ
の入力パワーは７００Ｗとした。また、スパッタリング
を行なう際、金属イリジウムターゲットと金属錫ターゲ
ットのそれぞれに、シャッターを設け、該シャッターを
交互に開閉することによって、酸化発色性エレクトロク
ロミック物質からなるサブ層の層厚と金属酸化物からな
るサブ層の層厚とを制御した。なお、この交互層は、イ
リジウム酸化物及びイリジウム水酸化物（酸化発色性エ
レクトロクロミック物質）からなるサブ層と、錫酸化物
（金属酸化物）からなるサブ層との対が５００対の積層
構造となっている。上記、イリジウム酸化物及びイリジ
ウム水酸化物（酸化発色性エレクトロクロミック物質）
からなるサブ層は、他に金属イリジウム等を含んでい
る。
【０１０５】次に、該混合層上に、基板温度＝３００
℃、Ｏ2分圧＝３×１０-2Ｐａの条件で、五酸化タンタ
ルを真空蒸着し、第４層として、層厚３００ｎｍの透明
イオン伝導層を形成した。
【０１０６】次に、該透明イオン伝導層上に、基板温度
＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、三酸
化タングステンを真空蒸着し、第５層として、層厚１０
００ｎｍの還元発色性エレクトロクロミック層を形成し
た。
【０１０７】最後に、該還元発色性エレクトロクロミッ
ク層上に、基板温度＝３００℃、Ｏ2分圧＝５×１０-2
Ｐａ、高周波パワー１５０Ｗの条件で、ＩＴＯを高周波
イオンプレーティングにより蒸着し、第６層として、層
厚３００ｎｍの透明導電層を形成した。
【０１０８】以上のようにして、図３に示すような６層
構造のＥＣ素子が得られた。
【０１０９】このＥＣ素子を樹脂封止した後、透明導電
層間に±２Ｖの電圧を印加して、波長４００ｎｍ〜７０
０ｎｍの平均光透過率のコントラスト比（消色時／着色
時）が１０以上になる応答速度を測定したところ４０ｍ
ｓであった。また、消色時の光透過率は７２％であっ
た。さらに、繰り返し耐久性は７５万回であった。
【０１１０】実施例１７ 以下の点を変更する以外は、実施例１６と同様にして、
ＥＣ素子を得た。即ち、第３層形成時の成膜を酸素と水
蒸気の１：１の混合ガス雰囲気で行なった。このＥＣ素
子を樹脂封止した後、実施例１６同様の方法で、応答速
度を測定したところ、２５ｍｓであった。また、消色時
の光透過率は７５％であった。さらに、繰り返し耐久性
は７５万回であった。
【０１１１】実施例１８ 以下の点を変更する以外は、実施例１６と同様にして、
ＥＣ素子を得た。即ち、第３層形成時の成膜を水蒸気と
アルゴンの混合ガス雰囲気（水蒸気とアルゴンの混合ガ
ス圧＝５Ｐａ、水蒸気とアルゴンの流量比＝３）で行な
った。また、本実施例では、厳密には図３に示すような
ＥＣ素子ではなく、図２に示すようなＥＣ素子（但し、
混合層１１の代わりに交互層３１を形成している）とし
た。このＥＣ素子を樹脂封止した後、実施例１６同様の
方法で、応答速度を測定したところ、１０ｍｓであっ
た。また、消色時の光透過率は８２％であった。さら
に、繰り返し耐久性は１００万回以上であった。
【０１１２】
【発明の効果】本発明によれば、消色時の透過率が高
く、高コントラスト比で駆動した場合の応答速度及び繰
り返し耐久性が優れたエレクトロクロミック素子を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の第１の実施の形態に係るエレクトロ
クロミック素子の層構造を示す模式的な断面図。
【図２】本願発明の第１の実施の形態に係るエレクトロ
クロミック素子の変形例を示す模式的な断面図。
【図３】本願発明の第２の実施の形態に係るエレクトロ
クロミック素子の層構造を示す模式的な断面図。
【図４】本願発明の第１の実施の形態に係るエレクトロ
クロミック素子の実装後の状態の一例を示す模式的な断
面図。
【図５】本願発明の第１の実施の形態に係るエレクトロ
クロミック素子の実装後の状態の変形例を示す模式的な
断面図。
【図６】従来の５層構造のエレクトロクロミック素子の
層構造を示す模式図。
【符号の説明】
１、６ 透明基板 ２ａ、２ｂ 透明電極 ３ 酸化発色性エレクトロクロミック層 ４ 透明イオン伝導層 ５ 還元発色性エレクトロクロミック層 ７ 樹脂 ８ 導線 ９ 電源 １１ 混合層 ３１ 交互層 １０１ 透明基板 １０２ａ、１０２ｂ 透明電極 １０３ 酸化発色性エレクトロクロミック層 １０４ 透明イオン伝導層 １０５ 還元発色性エレクトロクロミック層

Claims (69)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一対の対向する透明電極と、 該透明電極間に挟持される、酸化発色性エレクトロクロ
    ミック層、酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属
    酸化物とからなる層、透明イオン伝導層、還元発色性エ
    レクトロクロミック層と、を少なくとも有するエレクト
    ロクロミック素子。
  2. 【請求項２】 前記酸化発色性エレクトロクロミック物
    質と金属酸化物とからなる層が、前記酸化発色性エレク
    トロクロミック物質と前記金属酸化物との混合物により
    形成されている、請求項１記載のエレクトロクロミック
    素子。
  3. 【請求項３】 前記酸化発色性エレクトロクロミック物
    質と金属酸化物とからなる層が、前記酸化発色性エレク
    トロクロミック物質からなるサブ層と前記金属酸化物か
    らなるサブ層とが交互に積層されて形成されている、請
    求項１記載のエレクトロクロミック素子。
  4. 【請求項４】 一対の対向する透明電極と、酸化発色性
    エレクトロクロミック層と、酸化発色性エレクトロクロ
    ミック物質と金属酸化物とからなる層と、透明イオン伝
    導層と、還元発色性エレクトロクロミック層と、を少な
    くとも有するエレクトロクロミック素子であって、 前記透明電極間に、前記酸化発色性エレクトロクロミッ
    ク層、前記酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属
    酸化物とからなる層、前記透明イオン伝導層、前記還元
    発色性エレクトロクロミック層、が順次積層されてい
    る、エレクトロクロミック素子。
  5. 【請求項５】 前記酸化発色性エレクトロクロミック物
    質と金属酸化物とからなる層が、前記酸化発色性エレク
    トロクロミック物質と前記金属酸化物との混合物により
    形成されている、請求項４記載のエレクトロクロミック
    素子。
  6. 【請求項６】 前記酸化発色性エレクトロクロミック物
    質と金属酸化物とからなる層が、前記酸化発色性エレク
    トロクロミック物質からなるサブ層と前記金属酸化物か
    らなるサブ層とが交互に積層されて形成されている、請
    求項４記載のエレクトロクロミック素子。
  7. 【請求項７】 前記金属酸化物が、ＴｉＯ2、Ｔａ
    2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
    Ｏ2、ＳｎＯ2から選ばれる少なくとも１種であり、 前記酸化発色性エレクトロクロミック物質が、Ｃｏ、Ｎ
    ｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏ
    ｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒから選ばれる
    少なくとも１種を有し、これらは金属単体、金属酸化
    物、金属水酸化物、金属酸水酸化物、もしくはこれらの
    混合物の状態で存在する、 請求項１〜６のいずれか記載のエレクトロクロミック素
    子。
  8. 【請求項８】 前記酸化発色性エレクトロクロミック物
    質が、イリジウム、酸化イリジウム、水酸化イリジウ
    ム、酸水酸化イリジウム、コバルト、酸化コバルト、水
    酸化コバルト、酸水酸化コバルト、ニッケル、酸化ニッ
    ケル、水酸化ニッケル、酸水酸化ニッケルから選ばれる
    少なくとも１種からなる、請求項７記載のエレクトロク
    ロミック素子。
  9. 【請求項９】 前記酸化発色性エレクトロクロミック物
    質が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
    ｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒ
    から選ばれる少なくとも１種の原子、水素原子、及び酸
    素原子からなる、請求項１〜６のいずれか記載のエレク
    トロクロミック素子。
  10. 【請求項１０】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｒから選ばれる少なくとも１種
    の原子、水素原子、及び酸素原子からなる、請求項９記
    載のエレクトロクロミック素子。
  11. 【請求項１１】 前記一対の透明電極の対向面と反対側
    の面の少なくとも一方に隣接する透明基板を有する、請
    求項１〜６のいずれか記載のエレクトロクロミック素
    子。
  12. 【請求項１２】 前記透明基板の、透明電極側の面と反
    対側の面上に、誘電体からなる反射防止層が設けられて
    いる、請求項１１記載のエレクトロクロミック素子。
  13. 【請求項１３】 前記誘電体が、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、
    ＭｇＦ2の少なくとも１種からなる、請求項１２記載の
    エレクトロクロミック素子。
  14. 【請求項１４】 前記透明電極が、インジウム錫酸化物
    からなる請求項１〜６のいずれか記載のエレクトロクロ
    ミック素子。
  15. 【請求項１５】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
    ｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒ
    から選ばれる少なくとも１種を有し、これらは金属単
    体、金属酸化物、金属水酸化物、金属酸水酸化物、もし
    くはこれらの混合物の状態で存在する、請求項１〜６の
    いずれか記載のエレクトロクロミック素子。
  16. 【請求項１６】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層が、イリジウム、酸化イリジウム、水酸化イリジウ
    ム、酸水酸化イリジウム、コバルト、酸化コバルト、水
    酸化コバルト、酸水酸化コバルト、ニッケル、酸化ニッ
    ケル、水酸化ニッケル、酸水酸化ニッケルから選ばれる
    少なくとも１種からなる、請求項１５記載のエレクトロ
    クロミック素子。
  17. 【請求項１７】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
    ｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒ
    から選ばれる少なくとも１種の原子、水素原子、及び酸
    素原子からなる、請求項１〜６のいずれか記載のエレク
    トロクロミック素子。
  18. 【請求項１８】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｒから選ばれる少なくとも１種の
    原子、水素原子、及び酸素原子からなる、請求項１７記
    載のエレクトロクロミック素子。
  19. 【請求項１９】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層の厚さが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１
    〜６のいずれか記載のエレクトロクロミック素子。
  20. 【請求項２０】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と金属酸化物とからなる層の厚さが、１０ｎｍ以上
    ５０００ｎｍ以下である、請求項２、あるいは請求項５
    記載のエレクトロクロミック素子。
  21. 【請求項２１】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質からなるサブ層の厚さが、前記金属酸化物からなる
    サブ層の厚さの０．０１倍以上１倍以下である、請求項
    ３、あるいは請求項６記載のエレクトロクロミック素
    子。
  22. 【請求項２２】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と、前記金属酸化物との重量比（酸化発色性エレク
    トロクロミック物質／金属酸化物）が、０．０２以上１
    以下である、請求項２、あるいは請求項５記載のエレク
    トロクロミック素子。
  23. 【請求項２３】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と金属酸化物とからなる層において、前記酸化発色
    性エレクトロクロミック物質と前記金属酸化物との組成
    比（酸化発色性エレクトロクロミック物質／金属酸化
    物）が、前記透明イオン伝導層に近いほど小さくなって
    いる、請求項５記載のエレクトロクロミック素子。
  24. 【請求項２４】 前記透明イオン伝導層が、Ｔａ2Ｏ5、
    ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2から選ばれる少なくとも１
    種からなる請求項１〜６のいずれか記載のエレクトロク
    ロミック素子。
  25. 【請求項２５】 前記透明イオン伝導層がＴａ2Ｏ5から
    なる請求項２４記載のエレクトロクロミック素子。
  26. 【請求項２６】 前記還元発色性エレクトロクロミック
    層が、ＷＯ3、ＭｏＯ3、Ｎｂ2Ｏ5から選ばれる少なくと
    も１種からなる請求項１〜６のいずれか記載のエレクト
    ロクロミック素子。
  27. 【請求項２７】 前記還元発色性エレクトロクロミック
    層がＷＯ3からなる請求項２６記載のエレクトロクロミ
    ック素子。
  28. 【請求項２８】 前記還元発色性エレクトロクロミック
    層がＷＯ3とＭｏＯ3との混合物からなる請求項２６記載
    のエレクトロクロミック素子。
  29. 【請求項２９】 一対の対向する透明基板間に、 一対の対向する透明電極と、 該透明電極間に挟持される、酸化発色性エレクトロクロ
    ミック層ヽ酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属
    酸化物とからなる層、透明イオン伝導層、還元発色性エ
    レクトロクロミック層と、 を少なくとも有するエレクトロクロミック素子であっ
    て、 少なくとも、前記酸化発色性エレクトロクロミック層
    と、前記酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸
    化物とからなる層と、前記透明イオン伝導層と、前記還
    元発色性エレクトロクロミック層とが、樹脂で被覆され
    ている、エレクトロクロミック素子。
  30. 【請求項３０】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と金属酸化物とからなる層が、前記酸化発色性エレ
    クトロクロミック物質と前記金属酸化物との混合物によ
    り形成されている、請求項２９記載のエレクトロクロミ
    ック素子。
  31. 【請求項３１】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と金属酸化物とからなる層が、前記酸化発色性エレ
    クトロクロミック物質からなるサブ層と前記金属酸化物
    からなるサブ層とが交互に積層されて形成されている、
    請求項２９記載のエレクトロクロミック素子。
  32. 【請求項３２】 一対の対向する透明基板と、 該基板間に挟持される、一対の対向する透明電極と、酸
    化発色性エレクトロクロミック層と、酸化発色性エレク
    トロクロミック物質と金属酸化物とからなる層と、透明
    イオン伝導層と、還元発色性エレクトロクロミック層
    と、を少なくとも有するエレクトロクロミック素子であ
    って、 前記透明電極間に、前記酸化発色性エレクトロクロミッ
    ク層、前記酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属
    酸化物とからなる層、前記透明イオン伝導層、前記還元
    発色性エレクトロクロミック層、が順次積層されてお
    り、 少なくとも、前記酸化発色性エレクトロクロミック層
    と、前記酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸
    化物からなる層と、前記透明イオン伝導層と、前記還元
    発色性エレクトロクロミック層とが、樹脂で被覆されて
    いる、エレクトロクロミック素子。
  33. 【請求項３３】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と金属酸化物とからなる層が、前記酸化発色性エレ
    クトロクロミック物質と前記金属酸化物との混合物によ
    り形成されている、請求項３２記載のエレクトロクロミ
    ック素子。
  34. 【請求項３４】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と金属酸化物とからなる層が、前記酸化発色性エレ
    クトロクロミック物質からなるサブ層と前記金属酸化物
    からなるサブ層とが交互に積層されて形成されている、
    請求項３２記載のエレクトロクロミック素子。
  35. 【請求項３５】 前記金属酸化物が、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ
    5、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓ
    ｎＯ2から選ばれる少なくとも１種であり、 前記酸化発色性エレクトロクロミック物質が、Ｃｏ、Ｎ
    ｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏ
    ｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒから選ばれる
    少なくとも１種を有し、これらは金属単体、金属酸化
    物、金属水酸化物、金属酸水酸化物、もしくはこれらの
    混合物の状態で存在する、 請求項２９〜３４のいずれか記載のエレクトロクロミッ
    ク素子。
  36. 【請求項３６】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質が、イリジウム、酸化イリジウム、水酸化イリジウ
    ム、酸水酸化イリジウム、コバルト、酸化コバルト、水
    酸化コバルト、酸水酸化コバルト、ニッケル、酸化ニッ
    ケル、水酸化ニッケル、酸水酸化ニッケルから選ばれる
    １種、または２種以上の混合物である、請求項３５記載
    のエレクトロクロミック素子。
  37. 【請求項３７】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、
    Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅ
    ｒから選ばれる１種以上の原子、水素原子、及び酸素原
    子からなる、請求項２９〜３４のいずれか記載のエレク
    トロクロミック素子。
  38. 【請求項３８】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｒから選ばれる１種以上の原
    子、水素原子、及び酸素原子からなる、請求項３７記載
    のエレクトロクロミック素子。
  39. 【請求項３９】 前記一対の透明基板の、外表面上に、
    誘電体からなる反射防止層が設けられている、請求項２
    ９〜３４のいずれか記載のエレクトロクロミック素子。
  40. 【請求項４０】 前記誘電体が、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、
    ＭｇＦ2の少なくとも１種からなる、請求項３９記載の
    エレクトロクロミック素子。
  41. 【請求項４１】 前記透明電極が、インジウム錫酸化物
    からなる請求項２９〜３４のいずれか記載のエレクトロ
    クロミック素子。
  42. 【請求項４２】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
    ｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒ
    から選ばれる少なくとも１種を有し、これらは金属単
    体、金属酸化物、金属水酸化物、金属酸水酸化物、もし
    くはこれらの混合物の状態で存在する、請求項２９〜３
    ４のいずれか記載のエレクトロクロミック素子。
  43. 【請求項４３】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層が、イリジウム、酸化イリジウム、水酸化イリジウ
    ム、酸水酸化イリジウム、コバルト、酸化コバルト、水
    酸化コバルト、酸水酸化コバルト、ニッケル、酸化ニッ
    ケル、水酸化ニッケル、酸水酸化ニッケルから選ばれる
    少なくとも１種からなる、請求項４２記載のエレクトロ
    クロミック素子。
  44. 【請求項４４】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
    ｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒ
    から選ばれる少なくとも１種の原子、水素原子、及び酸
    素原子からなる、請求項２９〜３４のいずれか記載のエ
    レクトロクロミック素子。
  45. 【請求項４５】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｒから選ばれる少なくとも１種の
    原子、水素原子、及び酸素原子からなる、請求項４４記
    載のエレクトロクロミック素子。
  46. 【請求項４６】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    層の厚さが、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項２
    ９〜３４のいずれか記載のエレクトロクロミック素子。
  47. 【請求項４７】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と金属酸化物とからなる層の厚さが、１０ｎｍ以上
    ５０００ｎｍ以下である、請求項３０、あるいは請求項
    ３３記載のエレクトロクロミック素子。
  48. 【請求項４８】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質からなるサブ層の厚さが、前記金属酸化物からなる
    サブ層の厚さの０．０１倍以上１倍以下である、請求項
    ３１、あるいは請求項３４記載のエレクトロクロミック
    素子。
  49. 【請求項４９】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と、前記金属酸化物との重量比（酸化発色性エレク
    トロクロミック物質／金属酸化物）が、０．０２以上１
    以下である、請求項３０、あるいは請求項３３記載のエ
    レクトロクロミック素子。
  50. 【請求項５０】 前記酸化発色性エレクトロクロミック
    物質と金属酸化物とからなる層において、前記酸化発色
    性エレクトロクロミック物質と前記金属酸化物との組成
    比（酸化発色性エレクトロクロミック物質／金属酸化
    物）が、前記透明イオン伝導層に近いほど小さくなって
    いる、請求項３３記載のエレクトロクロミック素子。
  51. 【請求項５１】 前記透明イオン伝導層が、Ｔａ2Ｏ5、
    ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2から選ばれる少なくとも１
    種からなる請求項２９〜３４のいずれか記載のエレクト
    ロクロミック素子。
  52. 【請求項５２】 前記透明イオン伝導層がＴａ2Ｏ5から
    なる請求項５１記載のエレクトロクロミック素子。
  53. 【請求項５３】 前記還元発色性エレクトロクロミック
    層が、ＷＯ3、ＭｏＯ3、Ｎｂ2Ｏ5から選ばれる少なくと
    も１種からなる請求項２９〜３４のいずれか記載のエレ
    クトロクロミック素子。
  54. 【請求項５４】 前記還元発色性エレクトロクロミック
    層がＷＯ3からなる請求項５３記載のエレクトロクロミ
    ック素子。
  55. 【請求項５５】 前記還元発色性エレクトロクロミック
    層がＷＯ3とＭｏＯ3との混合物からなる請求項５３記載
    のエレクトロクロミック素子。
  56. 【請求項５６】 前記一対の透明電極の両方が、外部接
    続用の部分を有し、該外部接続用の部分を除いて、前記
    透明電極が前記樹脂で被覆されている、請求項２９〜３
    ４のいずれか記載のエレクトロクロミック素子。
  57. 【請求項５７】 インジウム錫酸化物からなる第１の層
    と、 Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒ
    ｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒのいず
    れか１種以上の金属、または該金属の酸化物、または該
    金属の水酸化物、または該金属の酸水酸化物、あるい
    は、該金属、該金属の酸化物、該金属の水酸化物、該金
    属の酸水酸化物のうち、２種以上の混合物からなる第２
    の層と、 ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2
    Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2から選ばれる少なくとも１種
    と、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
    ｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒ
    のいずれか１種以上の金属、または該金属の酸化物、ま
    たは該金属の水酸化物、または該金属の酸水酸化物、あ
    るいは、該金属、該金属の酸化物、該金属の水酸化物、
    該金属の酸水酸化物のうち、２種以上の混合物と、から
    なる第３の層と、 Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2から選ばれる少
    なくとも１種からなる第４の層と、 ＷＯ3、ＭｏＯ3、Ｎｂ2Ｏ5から選ばれる少なくとも１種
    からなる第５の層と、 インジウム錫酸化物からなる第６の層と、 を少なくとも有するエレクトロクロミック素子。
  58. 【請求項５８】 前記、第１〜第６の層が、順次積層さ
    れている、請求項５７記載のエレクトロクロミック素
    子。
  59. 【請求項５９】 前記第２の層が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｒの
    いずれか１種以上の金属、または該金属の酸化物、また
    は該金属の水酸化物、または該金属の酸水酸化物、ある
    いは、該金属、該金属の酸化物、該金属の水酸化物のう
    ち、２種以上の混合物からなる、請求項５７、あるいは
    請求項５８記載のエレクトロクロミック素子。
  60. 【請求項６０】 前記第３の層が、 ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2
    Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2から選ばれる少なくとも１種
    と、 Ｃｏ、Ｎｉ、Ｉｒのいずれか１種以上の金属、または該
    金属の酸化物、または該金属の水酸化物、または該金属
    の酸水酸化物、あるいは、該金属、該金属の酸化物、該
    金属の水酸化物のうち、２種以上の混合物と、 からなる、請求項５７、あるいは請求項５８記載のエレ
    クトロクロミック素子。
  61. 【請求項６１】 一対の対向する透明電極と、 該透明電極間に挟特される、酸化発色性エレクトロクロ
    ミック層、酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属
    酸化物とからなる層、透明イオン伝導層、還元発色性エ
    レクトロクロミック層と、を少なくとも有するエレクト
    ロクロミック素子の製造方法であって、 水蒸気、酸素、水蒸気と酸素との混合ガス、もしくは、
    水蒸気とアルゴンとの混合ガス、のいずれかの雰囲気中
    で、スパッタリングによる成膜を行なうことにより、 酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物とか
    らなる層が接する層上に、酸化発色性エレクトロクロミ
    ック物質と金属酸化物とからなる層を形成する、エレク
    トロクロミック素子の製造方法。
  62. 【請求項６２】 前記スパッタリングを、水蒸気、もし
    くは、水蒸気とアルゴンとの混合ガスの雰囲気中で行な
    う、請求項６１記載のエレクトロクロミック素子の製造
    方法。
  63. 【請求項６３】 前記スパッタリング時のガス圧が、１
    Ｐａ以上２０Ｐａ以下である請求項６２記載のエレクト
    ロクロミック素子の製造方法。
  64. 【請求項６４】 前記スパッタリングを、水蒸気とアル
    ゴンの混合ガスの雰囲気中で行なう、請求項６１記載の
    エレクトロクロミック素子の製造方法。
  65. 【請求項６５】 前記水蒸気と前記アルゴンとの混合比
    （水蒸気／アルゴン）が、０．５以上２０以下である請
    求項６４記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。
  66. 【請求項６６】 前記スパッタリング時のガス圧が、１
    Ｐａ以上１０Ｐａ以下である請求項６５記載のエレクト
    ロクロミック素子の製造方法。
  67. 【請求項６７】 前記スパッタリングが、第１のターゲ
    ットと第２のターゲットを用いた２元高周波スパッタリ
    ングである、請求項６１〜６６のいずれか記載のエレク
    トロクロミック素子の製造方法。
  68. 【請求項６８】 前記スパッタリング時に、前記第１の
    ターゲット及び／または前記第２のターゲットに入力す
    るパワーを変化させる、請求項６７記載のエレクトロク
    ロミック素子の製造方法。
  69. 【請求項６９】 前記スパッタリング時に、前記第１の
    ターゲット近傍、及び前記第２のターゲット近傍にシャ
    ッターを設け、該シャッターを交互に開閉する、請求項
    ６７記載のエレクトロクロミック素子の製造方法。
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