JPH10311990A - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
エレクトロクロミック素子Info
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- JPH10311990A JPH10311990A JP9123634A JP12363497A JPH10311990A JP H10311990 A JPH10311990 A JP H10311990A JP 9123634 A JP9123634 A JP 9123634A JP 12363497 A JP12363497 A JP 12363497A JP H10311990 A JPH10311990 A JP H10311990A
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- electrochromic
- color
- oxidative
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーバランスをＮＤ化したエレクトロクロ
ミック素子において、高コントラスト時の応答速度、消
色時の透過率、繰り返し耐久性の向上を図る。 【解決手段】 透明基板１ａ上に、ＩＴＯからなる透明
電極層１ａ、Ｉｒからなる酸化発色性エレクトロクロミ
ック物質単独層２ａ、Ｉｒの酸化物と水酸化物との混合
物とＡｌをドープしたＺｎｏとからなる混合層２ｂ、Ｔ
ａ2 Ｏ5 からなる透明イオン導電層３、ＷＯ3 とＭｏＯ
3 からなる還元発色性エレクトロクロミック層４、ＩＴ
Ｏからなる透明電極層１ｂを形成する。
ミック素子において、高コントラスト時の応答速度、消
色時の透過率、繰り返し耐久性の向上を図る。 【解決手段】 透明基板１ａ上に、ＩＴＯからなる透明
電極層１ａ、Ｉｒからなる酸化発色性エレクトロクロミ
ック物質単独層２ａ、Ｉｒの酸化物と水酸化物との混合
物とＡｌをドープしたＺｎｏとからなる混合層２ｂ、Ｔ
ａ2 Ｏ5 からなる透明イオン導電層３、ＷＯ3 とＭｏＯ
3 からなる還元発色性エレクトロクロミック層４、ＩＴ
Ｏからなる透明電極層１ｂを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透過率可変フィルタ
ー、表示素子等に用いられるエレクトロクロミック素子
に関する。
ー、表示素子等に用いられるエレクトロクロミック素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧を印加することにより着消色するエ
レクトロクロミック素子（以下「ＥＣ素子」と記す）
は、液晶素子等と比較して、消色時の透過率が高い、偏
光の影響を受けない、メモリ性があるといった特徴があ
るため、表示素子や透過率可変フィルターへの適用が研
究されている。
レクトロクロミック素子（以下「ＥＣ素子」と記す）
は、液晶素子等と比較して、消色時の透過率が高い、偏
光の影響を受けない、メモリ性があるといった特徴があ
るため、表示素子や透過率可変フィルターへの適用が研
究されている。
【０００３】その一つとして、透明電極層間にＷＯ3 か
らなる還元発色性エレクトロクロミック層、Ｉｒ又はそ
の酸化物或いは水酸化物からなる酸化発色性エレクトロ
クロミック層を挟持してなる相補型ＥＣ素子が特公昭６
０−３１３５５号公報に提案されている。
らなる還元発色性エレクトロクロミック層、Ｉｒ又はそ
の酸化物或いは水酸化物からなる酸化発色性エレクトロ
クロミック層を挟持してなる相補型ＥＣ素子が特公昭６
０−３１３５５号公報に提案されている。
【０００４】また、酸化発色性エレクトロクロミック層
を酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物と
の混合物で形成したＥＣ素子が特開昭５９−１８０５２
６号公報に提案されている。
を酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物と
の混合物で形成したＥＣ素子が特開昭５９−１８０５２
６号公報に提案されている。
【０００５】またさらに、酸化発色性エレクトロクロミ
ック層を、Ｉｒ又はその酸化物或いは水酸化物からなる
分散質と導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とか
らなる透明分散層としたＥＣ素子が特公平５−３３３７
３号公報に提案されている。
ック層を、Ｉｒ又はその酸化物或いは水酸化物からなる
分散質と導電性無機酸化物からなる透明固体分散媒とか
らなる透明分散層としたＥＣ素子が特公平５−３３３７
３号公報に提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＥＣ素子は、応答速度や耐久性、消色時の透過率が不十
分であった。
ＥＣ素子は、応答速度や耐久性、消色時の透過率が不十
分であった。
【０００７】例えば、前記特公平５−３３３７３号公報
に提案されたＥＣ素子では、コントラスト比（＝消色時
の透過率／着色時の透過率）を１０以上とした場合に応
答速度が遅くなる。また、透明分散層の導電性無機酸化
物がＩｎ2 Ｏ3 やＩＴＯの場合にはその繰り返し耐久性
が著しく低下する。
に提案されたＥＣ素子では、コントラスト比（＝消色時
の透過率／着色時の透過率）を１０以上とした場合に応
答速度が遅くなる。また、透明分散層の導電性無機酸化
物がＩｎ2 Ｏ3 やＩＴＯの場合にはその繰り返し耐久性
が著しく低下する。
【０００８】一方で、小型高画質のデジタルカメラ等の
絞りとして、ＣＣＤを小型化した場合、機械的な絞りで
は回折による解像度低下が生じるため、ＥＣ素子の適用
が検討されてきた。上記透明分散層を用いたＥＣ素子を
この絞りに用いた場合、還元発色性エレクトロクロミッ
ク層の材料を種々変えて着色時のカラーバランスを青色
（ＷＯ3 ）から暗青色又は黒色（ＷＯ3 とＭｏＯ3 の混
合物）に変えると、透明分散層の導電性無機酸化物がＳ
ｎＯ2 やＺｎＯの場合でも、高コントラスト時（絞り４
段相当のコントラスト比１６以上）での応答速度が目立
って遅くなり、また繰り返し耐久性が劣化するという問
題を生じた。
絞りとして、ＣＣＤを小型化した場合、機械的な絞りで
は回折による解像度低下が生じるため、ＥＣ素子の適用
が検討されてきた。上記透明分散層を用いたＥＣ素子を
この絞りに用いた場合、還元発色性エレクトロクロミッ
ク層の材料を種々変えて着色時のカラーバランスを青色
（ＷＯ3 ）から暗青色又は黒色（ＷＯ3 とＭｏＯ3 の混
合物）に変えると、透明分散層の導電性無機酸化物がＳ
ｎＯ2 やＺｎＯの場合でも、高コントラスト時（絞り４
段相当のコントラスト比１６以上）での応答速度が目立
って遅くなり、また繰り返し耐久性が劣化するという問
題を生じた。
【０００９】ＥＣ素子の応答速度を速くするためには、
還元発色性エレクトロクロミック層と酸化発色性エレク
トロクロミック層を厚くする方法がある。しかしなが
ら、提案されている製造方法で得られる酸化発色性エレ
クトロクロミック層と透明分散層ではこれらの層自体の
吸収が大きく、透明分散層の膜厚を５０ｎｍ以上にした
場合、特に５００ｎｍ以下の短波長側での吸収が大き
く、消色時の波長４００〜７００ｎｍの平均透過率を７
５％以上にできなかった。また、高コントラスト時の繰
り返し耐久性も充分ではなかった。
還元発色性エレクトロクロミック層と酸化発色性エレク
トロクロミック層を厚くする方法がある。しかしなが
ら、提案されている製造方法で得られる酸化発色性エレ
クトロクロミック層と透明分散層ではこれらの層自体の
吸収が大きく、透明分散層の膜厚を５０ｎｍ以上にした
場合、特に５００ｎｍ以下の短波長側での吸収が大き
く、消色時の波長４００〜７００ｎｍの平均透過率を７
５％以上にできなかった。また、高コントラスト時の繰
り返し耐久性も充分ではなかった。
【００１０】本発明の目的は、応答速度や耐久性、消色
時の透過率が充分なＥＣ素子を提供することにあり、特
に着色時のカラーバランスを変えた（ＮＤ化された）Ｅ
Ｃ素子の高コントラスト時の応答速度と繰り返し耐久
性、消色時の透過率の改善を図ることにある。
時の透過率が充分なＥＣ素子を提供することにあり、特
に着色時のカラーバランスを変えた（ＮＤ化された）Ｅ
Ｃ素子の高コントラスト時の応答速度と繰り返し耐久
性、消色時の透過率の改善を図ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の透明電
極層間に、還元発色性エレクトロクロミック層と透明イ
オン導電層と酸化発色性エレクトロクロミック層とを挟
持してなるエレクトロクロミック素子において、上記酸
化発色性エレクトロクロミック層の少なくとも一部が、
Ｓｂ、Ｆ、Ａｌの少なくとも一種をドープしたＳｎＯ
2 、ＺｎＯの少なくとも一種からなる酸化物半導体物質
と酸化発色性エレクトロクロミック物質との混合層から
なることを特徴とするエレクトロクロミック素子であ
る。
極層間に、還元発色性エレクトロクロミック層と透明イ
オン導電層と酸化発色性エレクトロクロミック層とを挟
持してなるエレクトロクロミック素子において、上記酸
化発色性エレクトロクロミック層の少なくとも一部が、
Ｓｂ、Ｆ、Ａｌの少なくとも一種をドープしたＳｎＯ
2 、ＺｎＯの少なくとも一種からなる酸化物半導体物質
と酸化発色性エレクトロクロミック物質との混合層から
なることを特徴とするエレクトロクロミック素子であ
る。
【００１２】本発明においては、酸化発色性エレクトロ
クロミック層に、酸化物半導体物質と酸化発色性エレク
トロクロミック層からなる混合層を用いることで、前記
した本発明の目的を達成するが、その理由としては、前
記した導電性無機酸化物を用いた透明分散層に比較し
て、上記混合層を用いることにより、酸化発色性エレク
トロクロミック層の抵抗率と還元発色性エレクトロクロ
ミック層の抵抗率とのバランスがとれ、また化学的にも
安定しているため、と考えられる。
クロミック層に、酸化物半導体物質と酸化発色性エレク
トロクロミック層からなる混合層を用いることで、前記
した本発明の目的を達成するが、その理由としては、前
記した導電性無機酸化物を用いた透明分散層に比較し
て、上記混合層を用いることにより、酸化発色性エレク
トロクロミック層の抵抗率と還元発色性エレクトロクロ
ミック層の抵抗率とのバランスがとれ、また化学的にも
安定しているため、と考えられる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のＥＣ素子の一実施形態の
断面模式図を図１に示す。図中、１ａ，１ｂは透明電極
層、２は酸化発色性エレクトロクロミック層で、酸化発
色性エレクトロクロミック物質単独層２ａと酸化物半導
体物質と酸化発色性エレクトロクロミック物質との混合
層２ｂからなる。３は透明イオン導電層、４は還元発色
性エレクトロクロミック層、５はガラス等の透明基板で
ある。
断面模式図を図１に示す。図中、１ａ，１ｂは透明電極
層、２は酸化発色性エレクトロクロミック層で、酸化発
色性エレクトロクロミック物質単独層２ａと酸化物半導
体物質と酸化発色性エレクトロクロミック物質との混合
層２ｂからなる。３は透明イオン導電層、４は還元発色
性エレクトロクロミック層、５はガラス等の透明基板で
ある。
【００１４】本発明において特徴的な構成である、混合
層２ｂはＳｂ、Ｆ、Ａｌの少なくとも一種をドープした
ＳｎＯ2 、ＺｎＯの少なくとも一種からなる酸化物半導
体物質と酸化発色性エレクトロクロミック物質からなる
が、好ましくは、酸化物半導体物質は、Ｓｂをドープし
たＳｎＯ2 （ＡＴＯ）、ＦをドープしたＳｎＯ2 （ＦＴ
Ｏ）、ＡｌをドープしたＺｎＯ（ＡＺＯ）から１種以上
を選択する。Ｓｂ、Ｆ、Ａｌのドープ量としては１〜１
０重量％が好ましい。また、酸化発色性エレクトロクロ
ミック物質としては、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、
又はこれらの酸化物、或いは水酸化物から１種以上を選
択して用いるのが好ましい。
層２ｂはＳｂ、Ｆ、Ａｌの少なくとも一種をドープした
ＳｎＯ2 、ＺｎＯの少なくとも一種からなる酸化物半導
体物質と酸化発色性エレクトロクロミック物質からなる
が、好ましくは、酸化物半導体物質は、Ｓｂをドープし
たＳｎＯ2 （ＡＴＯ）、ＦをドープしたＳｎＯ2 （ＦＴ
Ｏ）、ＡｌをドープしたＺｎＯ（ＡＺＯ）から１種以上
を選択する。Ｓｂ、Ｆ、Ａｌのドープ量としては１〜１
０重量％が好ましい。また、酸化発色性エレクトロクロ
ミック物質としては、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、
又はこれらの酸化物、或いは水酸化物から１種以上を選
択して用いるのが好ましい。
【００１５】上記混合層２ｂにおける組成比は、重量比
で１／１≧酸化発色性エレクトロクロミック物質／酸化
物半導体物質≧１／５０が好ましく、膜厚としては１０
ｎｍ〜５０００ｎｍが応答速度や透過率の点から望まし
い。上記組成比が１より大きくなると混合層２ｂの吸収
が大きくなり透過率が低下し、また、１／５０より小さ
くなると着色速度が遅くなったり、繰り返し耐久性が悪
くなるため好ましくなり。また、膜厚が５０００ｎｍよ
り厚くなると吸収が大きくなり、１０ｎｍより薄くなる
と着色速度が遅くなったり、繰り返し耐久性が悪くなる
ため好ましくない。
で１／１≧酸化発色性エレクトロクロミック物質／酸化
物半導体物質≧１／５０が好ましく、膜厚としては１０
ｎｍ〜５０００ｎｍが応答速度や透過率の点から望まし
い。上記組成比が１より大きくなると混合層２ｂの吸収
が大きくなり透過率が低下し、また、１／５０より小さ
くなると着色速度が遅くなったり、繰り返し耐久性が悪
くなるため好ましくなり。また、膜厚が５０００ｎｍよ
り厚くなると吸収が大きくなり、１０ｎｍより薄くなる
と着色速度が遅くなったり、繰り返し耐久性が悪くなる
ため好ましくない。
【００１６】本発明において上記混合層２ｂは、Ａｒ、
水蒸気、或いはこれらの混合ガス（流量比：水蒸気／Ａ
ｒ＝２０〜０．５）の２Ｐａ以上の雰囲気中で、金属タ
ーゲットと酸化物半導体ターゲットの２元スパッタ成膜
により形成することが好ましい。特に本発明において
は、金属ターゲットと酸化物半導体ターゲットに投入す
るパワーを各々制御することにより、酸化発色性エレク
トロクロミック物質の含量が透明イオン導電層に向かっ
て漸減するように成膜することが好ましい。このように
混合層内で組成比に傾きを設けることで、応答速度をよ
り速めることができる。
水蒸気、或いはこれらの混合ガス（流量比：水蒸気／Ａ
ｒ＝２０〜０．５）の２Ｐａ以上の雰囲気中で、金属タ
ーゲットと酸化物半導体ターゲットの２元スパッタ成膜
により形成することが好ましい。特に本発明において
は、金属ターゲットと酸化物半導体ターゲットに投入す
るパワーを各々制御することにより、酸化発色性エレク
トロクロミック物質の含量が透明イオン導電層に向かっ
て漸減するように成膜することが好ましい。このように
混合層内で組成比に傾きを設けることで、応答速度をよ
り速めることができる。
【００１７】また、本発明においては、酸化発色性エレ
クトロクロミック物質単独層２ａを透明電極層１ａと混
合層２ｂとの間に設けることで、より繰り返し耐久性が
向上するため好ましい。当該酸化発色性エレクトロクロ
ミック物質としては、混合層２ｂで用いられる酸化発色
性エレクトロクロミック物質が好ましく用いられる。
クトロクロミック物質単独層２ａを透明電極層１ａと混
合層２ｂとの間に設けることで、より繰り返し耐久性が
向上するため好ましい。当該酸化発色性エレクトロクロ
ミック物質としては、混合層２ｂで用いられる酸化発色
性エレクトロクロミック物質が好ましく用いられる。
【００１８】本発明において、透明電極層１ａ，１ｂに
は、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2の混合物）、Ｉｎ2
Ｏ3 、ＳｎＯ2 、還元発色性エレクトロクロミック層４
にはＷＯ3 、ＭｏＯ3 またはこれらの混合物、透明イオ
ン導電性３にはＴａ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、Ｍｇ
Ｆ2 をそれぞれ用いることができ、好ましくは、ＩＴＯ
からなる透明電極層、ＷＯ3 とＭｏＯ3 との混合物から
なる還元発色性エレクトロクロミック層、Ｔａ2 Ｏ5 か
らなる透明イオン導電層の組み合わせを用いる。また、
これらの層の成膜法としては、公知の成膜法として、真
空蒸着、スパッタ、イオンプレーティング、ＣＶＤ等が
好ましく用いられる。また、各層の膜厚としては１ｎｍ
〜５０００ｎｍが望ましく、要求される光学特性、繰り
返し耐久性等により決定される。
は、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2の混合物）、Ｉｎ2
Ｏ3 、ＳｎＯ2 、還元発色性エレクトロクロミック層４
にはＷＯ3 、ＭｏＯ3 またはこれらの混合物、透明イオ
ン導電性３にはＴａ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、Ｍｇ
Ｆ2 をそれぞれ用いることができ、好ましくは、ＩＴＯ
からなる透明電極層、ＷＯ3 とＭｏＯ3 との混合物から
なる還元発色性エレクトロクロミック層、Ｔａ2 Ｏ5 か
らなる透明イオン導電層の組み合わせを用いる。また、
これらの層の成膜法としては、公知の成膜法として、真
空蒸着、スパッタ、イオンプレーティング、ＣＶＤ等が
好ましく用いられる。また、各層の膜厚としては１ｎｍ
〜５０００ｎｍが望ましく、要求される光学特性、繰り
返し耐久性等により決定される。
【００１９】
［実施例１］第１の実施例として、図１に示す断面構造
のＥＣ素子を作製した。
のＥＣ素子を作製した。
【００２０】先ず透明ガラス基板上に透明電極層とし
て、ＩＴＯを基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×１０
-2Ｐａの条件で膜厚が１５０ｎｍになるように真空蒸着
した。
て、ＩＴＯを基板温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×１０
-2Ｐａの条件で膜厚が１５０ｎｍになるように真空蒸着
した。
【００２１】その上に、酸化発色性エレクトロクロミッ
ク物質単独層として、金属Ｉｒをターゲットとして、基
板温度＝室温、水蒸気とＡｒの混合ガス圧＝５Ｐａ（流
量比：水蒸気ガス／Ａｒガス＝３）の条件で膜厚５ｎｍ
になるように高周波スパッタによりＩｒを成膜した。
ク物質単独層として、金属Ｉｒをターゲットとして、基
板温度＝室温、水蒸気とＡｒの混合ガス圧＝５Ｐａ（流
量比：水蒸気ガス／Ａｒガス＝３）の条件で膜厚５ｎｍ
になるように高周波スパッタによりＩｒを成膜した。
【００２２】次に、混合層として、金属Ｉｒターゲット
とＺｎＯにＡｌ2Ｏ3を５重量％ドープした酸化物半導体
ＡＺＯをターゲットとして、基板温度＝室温、水蒸気と
Ａｒの混合ガス圧＝５Ｐａ（流量比：水蒸気ガス／Ａｒ
ガス＝３）の条件で、２元高周波スパッタにより、Ｉｒ
の酸化物と水酸化物の混合物とＡＺＯからなる膜厚４０
０ｎｍの混合層を形成した。
とＺｎＯにＡｌ2Ｏ3を５重量％ドープした酸化物半導体
ＡＺＯをターゲットとして、基板温度＝室温、水蒸気と
Ａｒの混合ガス圧＝５Ｐａ（流量比：水蒸気ガス／Ａｒ
ガス＝３）の条件で、２元高周波スパッタにより、Ｉｒ
の酸化物と水酸化物の混合物とＡＺＯからなる膜厚４０
０ｎｍの混合層を形成した。
【００２３】さらに、透明イオン導電層として、基板温
度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件でＴａ
2 Ｏ5 を膜厚３００ｎｍになるように真空蒸着した。
度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝３×１０-2Ｐａの条件でＴａ
2 Ｏ5 を膜厚３００ｎｍになるように真空蒸着した。
【００２４】その上に、ＷＯ3 とＭｏＯ3 の混合物（重
量比：ＷＯ3 ／ＭｏＯ3 ＝９／１）を基板温度＝３００
℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、膜厚が１００
０ｎｍになるように真空蒸着し、還元発色性エレクトロ
クロミック層を形成した。
量比：ＷＯ3 ／ＭｏＯ3 ＝９／１）を基板温度＝３００
℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａの条件で、膜厚が１００
０ｎｍになるように真空蒸着し、還元発色性エレクトロ
クロミック層を形成した。
【００２５】最後に、透明電極層として、ＩＴＯを基板
温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａ、高周波パ
ワー＝１５０Ｗで高周波イオンプレーティングにより膜
厚４５０ｎｍになるように成膜した。
温度＝３００℃、Ｏ2 分圧＝５×１０-2Ｐａ、高周波パ
ワー＝１５０Ｗで高周波イオンプレーティングにより膜
厚４５０ｎｍになるように成膜した。
【００２６】以上のようにして６層構造のＥＣ素子を
得、これを樹脂封止した後、上下透明電極層に±２Ｖの
電圧を印加して、波長４００〜７００ｎｍでの平均透過
率のコントラスト比が１６以上になる応答速度を測定し
たところ、１０ｍｓｅｃであった。この時の着色は黒色
であった。また、消色時の透過率は８０％で、繰り返し
耐久性は１００万回以上であった。
得、これを樹脂封止した後、上下透明電極層に±２Ｖの
電圧を印加して、波長４００〜７００ｎｍでの平均透過
率のコントラスト比が１６以上になる応答速度を測定し
たところ、１０ｍｓｅｃであった。この時の着色は黒色
であった。また、消色時の透過率は８０％で、繰り返し
耐久性は１００万回以上であった。
【００２７】［実施例２］混合層を形成する際に、Ｉｒ
ターゲットとＡＺＯターゲットへのパワーを制御して、
ＩｒとＡＺＯの組成比が、膜厚方向に徐々にＩｒが少な
くなるようにする以外は実施例１と同様にしてＥＣ素子
を得、同様にして応答速度を測定したところ８ｍｓｅｃ
であった。また、消色時の透過率は８２％、繰り返し耐
久性も１００万回以上であった。
ターゲットとＡＺＯターゲットへのパワーを制御して、
ＩｒとＡＺＯの組成比が、膜厚方向に徐々にＩｒが少な
くなるようにする以外は実施例１と同様にしてＥＣ素子
を得、同様にして応答速度を測定したところ８ｍｓｅｃ
であった。また、消色時の透過率は８２％、繰り返し耐
久性も１００万回以上であった。
【００２８】［実施例３］混合層のＡＺＯの変わりにＳ
ｎＯ2にＳｂ2Ｏ3を５重量％ドープしたＡＴＯを用いる
以外は実施例１と同様にしてＥＣ素子を得、樹脂封止し
た。この素子の応答速度は１０ｍｓｅｃ、消色時の透過
率は８０％、繰り返し耐久性は１００万回以上であっ
た。さらに、ＡＴＯの変わりに、ＦＴＯを用いた場合
や、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯを混合した場合も同様の結
果が得られた。
ｎＯ2にＳｂ2Ｏ3を５重量％ドープしたＡＴＯを用いる
以外は実施例１と同様にしてＥＣ素子を得、樹脂封止し
た。この素子の応答速度は１０ｍｓｅｃ、消色時の透過
率は８０％、繰り返し耐久性は１００万回以上であっ
た。さらに、ＡＴＯの変わりに、ＦＴＯを用いた場合
や、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯを混合した場合も同様の結
果が得られた。
【００２９】［実施例４］混合層のＩｒターゲットを金
属Ｃｏに変える以外は実施例１と同様にしてＥＣ素子を
得、樹脂封止した。この素子の応答速度は１２ｍｓｅ
ｃ、消色時の透過率は８０％、繰り返し耐久性は１００
万回以上であった。さらに、Ｃｏに変えて、Ｆｅ、Ｒ
ｈ、Ｎｉを用いたり、これらから選択される２種以上の
合金ターゲットを用いたＥＣ素子についても同様の結果
が得られた。
属Ｃｏに変える以外は実施例１と同様にしてＥＣ素子を
得、樹脂封止した。この素子の応答速度は１２ｍｓｅ
ｃ、消色時の透過率は８０％、繰り返し耐久性は１００
万回以上であった。さらに、Ｃｏに変えて、Ｆｅ、Ｒ
ｈ、Ｎｉを用いたり、これらから選択される２種以上の
合金ターゲットを用いたＥＣ素子についても同様の結果
が得られた。
【００３０】［実施例５］酸化発色性エレクトロクロミ
ック物質単独層のＩｒターゲットを金属Ｃｏに変える以
外は実施例１と同様にしてＥＣ素子を得、樹脂封止し
た。この素子の応答速度は１５ｍｓｅｃ、消色時の透過
率は８０％、繰り返し耐久性は１００万回以上であっ
た。さらに、Ｃｏに変えて、Ｆｅ、Ｒｈ、Ｎｉを用いた
り、これらから選択される２種以上の合金ターゲットを
用いたＥＣ素子についても同様の結果が得られた。
ック物質単独層のＩｒターゲットを金属Ｃｏに変える以
外は実施例１と同様にしてＥＣ素子を得、樹脂封止し
た。この素子の応答速度は１５ｍｓｅｃ、消色時の透過
率は８０％、繰り返し耐久性は１００万回以上であっ
た。さらに、Ｃｏに変えて、Ｆｅ、Ｒｈ、Ｎｉを用いた
り、これらから選択される２種以上の合金ターゲットを
用いたＥＣ素子についても同様の結果が得られた。
【００３１】［実施例６］還元発色性エレクトロクロミ
ック層のＷＯ3 とＭｏＯ3 の混合物をＷＯ3 単独に変え
る以外は実施例１と同様にしてＥＣ素子を得、樹脂封止
した。この素子の応答速度は、着色が青色で、青色帯域
の透過率変化が遅いため、３０ｍｓｅｃであった。ま
た、消色時の透過率は８０％、繰り返し耐久性は１００
万回以上であった。
ック層のＷＯ3 とＭｏＯ3 の混合物をＷＯ3 単独に変え
る以外は実施例１と同様にしてＥＣ素子を得、樹脂封止
した。この素子の応答速度は、着色が青色で、青色帯域
の透過率変化が遅いため、３０ｍｓｅｃであった。ま
た、消色時の透過率は８０％、繰り返し耐久性は１００
万回以上であった。
【００３２】［実施例７］酸化発色性エレクトロクロミ
ック物質単独層を形成しない以外は実施例１と同様にし
てＥＣ素子を得、樹脂封止した。この素子の応答速度は
２０ｍｓｅｃ、消色時の透過率は８１％で、繰り返し耐
久性については１万回で消色時の透過率が低下した。
ック物質単独層を形成しない以外は実施例１と同様にし
てＥＣ素子を得、樹脂封止した。この素子の応答速度は
２０ｍｓｅｃ、消色時の透過率は８１％で、繰り返し耐
久性については１万回で消色時の透過率が低下した。
【００３３】［比較例１］混合層を形成しない以外は実
施例１と同様にしてＥＣ素子を得、樹脂封止した。この
素子の応答速度は１０００ｍｓｅｃ、消色時の透過率は
８２％で、繰り返し耐久性については２万回で応答しな
くなった。
施例１と同様にしてＥＣ素子を得、樹脂封止した。この
素子の応答速度は１０００ｍｓｅｃ、消色時の透過率は
８２％で、繰り返し耐久性については２万回で応答しな
くなった。
【００３４】［比較例２］混合層のＡＺＯターゲットを
金属Ｓｎターゲットに変える以外は実施例１と同様にし
てＥＣ素子を得、樹脂封止した。この素子の応答速度は
５００ｍｓｅｃ、消色時の透過率は８０％で、繰り返し
耐久性については１００万回以上であった。
金属Ｓｎターゲットに変える以外は実施例１と同様にし
てＥＣ素子を得、樹脂封止した。この素子の応答速度は
５００ｍｓｅｃ、消色時の透過率は８０％で、繰り返し
耐久性については１００万回以上であった。
【００３５】［比較例３］酸化発色性エレクトロクロミ
ック物質単独層を形成しない以外は比較例２と同様にし
てＥＣ素子を得、樹脂封止した。この素子の応答速度は
７００ｍｓｅｃ、消色時の８１％であった。また繰り返
し耐久性については１万回で消色時の透過率が低下し
た。
ック物質単独層を形成しない以外は比較例２と同様にし
てＥＣ素子を得、樹脂封止した。この素子の応答速度は
７００ｍｓｅｃ、消色時の８１％であった。また繰り返
し耐久性については１万回で消色時の透過率が低下し
た。
【００３６】また、混合層のＳｎターゲットをＺｎＯに
変えた場合の応答速度は７００ｍｓｅｃ、消色時の透過
率は８１％であり、繰り返し耐久性については１万回で
消色時の透過率が低下した。
変えた場合の応答速度は７００ｍｓｅｃ、消色時の透過
率は８１％であり、繰り返し耐久性については１万回で
消色時の透過率が低下した。
【００３７】さらに、ＳｎターゲットをＩＴＯ、Ｉｎ2
Ｏ3 ターゲットに変更した場合、いずれも応答速度は７
００ｍｓｅｃ、消色時の透過率は８１％であり、繰り返
し耐久性は１００回で消色時の透過率が低下した。
Ｏ3 ターゲットに変更した場合、いずれも応答速度は７
００ｍｓｅｃ、消色時の透過率は８１％であり、繰り返
し耐久性は１００回で消色時の透過率が低下した。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
カラーバランスをＮＤ化したＥＣ素子において、高コン
トラスト時の応答速度、消色時の透過率と繰り返し耐久
性が改善される。
カラーバランスをＮＤ化したＥＣ素子において、高コン
トラスト時の応答速度、消色時の透過率と繰り返し耐久
性が改善される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の断面模式図である。
１ａ，１ｂ 透明電極層 ２ 酸化発色性エレクトロクロミック層 ２ａ 酸化発色性エレクトロクロミック物質単独層 ２ｂ 混合層 ３ 透明イオン導電層 ４ 還元発色性エレクトロクロミック層 ５ 透明基板
Claims (9)
- 【請求項１】 一対の透明電極層間に、還元発色性エレ
クトロクロミック層と透明イオン導電層と酸化発色性エ
レクトロクロミック層とを挟持してなるエレクトロクロ
ミック素子において、上記酸化発色性エレクトロクロミ
ック層の少なくとも一部が、Ｓｂ、Ｆ、Ａｌの少なくと
も一種をドープしたＳｎＯ2 、ＺｎＯの少なくとも一種
からなる酸化物半導体物質と酸化発色性エレクトロクロ
ミック物質との混合層からなることを特徴とするエレク
トロクロミック素子。 - 【請求項２】 上記酸化物半導体物質が、Ｓｂをドープ
したＳｎＯ2 、ＦをドープしたＳｎＯ2 、Ａｌをドープ
したＺｎＯから選択される１種以上からなる請求項１記
載のエレクトロクロミック素子。 - 【請求項３】 上記酸化発色性エレクトロクロミック物
質が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、又はこれらの酸
化物、或いは水酸化物から選択される１種以上である請
求項１又は２記載のエレクトロクロミック素子。 - 【請求項４】 上記混合層において、酸化発色性エレク
トロクロミック物質の含量が透明イオン導電層に向かっ
て漸減する請求項１〜３いずれかに記載のエレクトロク
ロミック素子。 - 【請求項５】 上記酸化発色性エレクトロクロミック層
が、上記混合層と、該混合層と透明電極層間に位置する
酸化発色性エレクトロクロミック物質単独層からなる請
求項１〜４いずれかに記載のエレクトロクロミック素
子。 - 【請求項６】 上記酸化発色性エレクトロクロミック物
質単独層が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｒｈ、Ｉｒ、又はこれ
らの酸化物、或いは水酸化物から選択される１種以上か
らなる請求項５記載のエレクトロクロミック素子。 - 【請求項７】 上記透明電極層がＩＴＯからなり、還元
発色性エレクトロクロミック層がＷＯ3 とＭｏＯ3 との
混合物からなり、透明イオン導電層がＴａ2Ｏ5 からな
る請求項１〜６いずれかに記載のエレクトロクロミック
素子。 - 【請求項８】 上記混合層における組成比が、重量比で
１／１≧酸化発色性エレクトロクロミック物質／酸化物
半導体物質≧１／５０である請求項１記載のエレクトロ
クロミック素子。 - 【請求項９】 上記混合層の膜厚が１０ｎｍ〜５０００
ｎｍである請求項１記載のエレクトロクロミック素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123634A JPH10311990A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | エレクトロクロミック素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123634A JPH10311990A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | エレクトロクロミック素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10311990A true JPH10311990A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14865449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9123634A Withdrawn JPH10311990A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | エレクトロクロミック素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10311990A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104880884A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-09-02 | 游少雄 | 一种电致变色智能玻璃及其制造方法 |
| CN107850814A (zh) * | 2015-07-10 | 2018-03-27 | 佳能株式会社 | 电致变色元件、光学滤光器、透镜单元、成像装置和窗构件 |
| CN108474990A (zh) * | 2016-03-07 | 2018-08-31 | 力海科技股份有限公司 | 电致变色装置 |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP9123634A patent/JPH10311990A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104880884A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-09-02 | 游少雄 | 一种电致变色智能玻璃及其制造方法 |
| CN104880884B (zh) * | 2015-04-30 | 2018-10-12 | 游少鑫 | 一种电致变色智能玻璃及其制造方法 |
| CN107850814A (zh) * | 2015-07-10 | 2018-03-27 | 佳能株式会社 | 电致变色元件、光学滤光器、透镜单元、成像装置和窗构件 |
| CN108474990A (zh) * | 2016-03-07 | 2018-08-31 | 力海科技股份有限公司 | 电致变色装置 |
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