CN109613781A - 含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，包括透明衬底，及依次形成于该透明衬底上的第一透明导电层、第一透明金属层、第一透明保护层、无机变色层、无机离子导电层、无机离子储存层、第二透明金属层、第二透明保护层、第二透明导电层、封装胶片和透明前板，本发明涉及建筑材料技术领域。该含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，可提高电致变色模组的稳定性及可见光透过率调节范围大、增加全固态电致变色模组的导电反应速度、增加电致变色元件的透明度、且降低透明导电膜的方阻的优点，实现了全固态的电致变色速度快、同时整体的厚度也有较大程度的减薄，成本更低。
Description
技术领域
本发明涉及建筑材料技术领域，具体为含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组。
背景技术
电致变色是指材料的光学属性(反射率、透过率、吸收率等)在外加电场的作用下发生稳定、可逆的颜色变化的现象，在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化，自60年代发现电致变色现象以来，此技术的运用已经超过40年，因电致变色材料具有低驱动电压及双稳态的特性，可应用在建筑技术上的节能智慧窗、汽车天窗及防炫光后视镜、电子纸及显示器等，在节能玻璃与节能智慧窗的应用上，可达到较佳的保温与隔热的用途，使建筑物耗能降低达到节能环保的功效，故此技术的发展极具竞争性与商业价值，电致变色玻璃通常是两个透明导电薄膜作为电极，中间含有是离子阻挡材料、变色材料层、离子导体层、离子储存层和保护层等，电致变色器件一般包括透明导电层、电致变色层和电解质层，并由一个透明衬底支撑，或置于两个透明衬底之间，电解质层是电致变色效应所需离子的传输通道，分为固态电解质和液态电解质，本发明利用多层固态无机复合导电膜组成一种透明导电膜的结构应用在全无机固态电致变色模组中，此结构有利于全无机固态电致变色模组的规模化生产。
参考在中国发明专利CN 101510038 B，全固态电致变色器件的制备方法常用的氧化铟锡透明导电膜，因为氧化铟锡透明导电膜含有稀土金属铟，其材料制作成本高，对于全固态电致变色器件的成本下降不利，故我们公开利用高可见光透过率的透明导电掺硼氧化锌材料来替代，不含有稀土金属铟，有效降低模组材料成本。
在中国发明专利CN 103771724 B，全固态薄膜电致变色玻璃及其制备方法中，单层透明导电层的厚度达200～300纳米，双层透明导电层的厚度达400～600纳米，在褪色态情况，可见光透过率低于85％，厚度的增加使得全固态薄膜电致变色器件的可见光透过率下降，导致透明度下降，故我们公开利用掺硼氧化锌材料来减少透明导电层的厚度，来增加可见光透过率，并用透明金属层来增高导电性，使得整体透明导电层厚度下降，透过率增加，导电性更好。
在中国发明专利CN 104570534 B，一种全固态无机电致变色器件及其制备方法的透明衬底是利用铟锌氧膜材料与等离子体增强化学气相沉积方法沈积固态薄膜，如此增加材料层成本与真空镀膜工艺的不连续性。
本发明结构制得的器件与其他单一或复合的方法制备的全固态电致变色器件相比，解决背景技术中下列的问题：材料成本高、可见光透过率低、导电反应速度慢和透明导电膜方阻高，本发明结构具有材料成本变低、膜层厚度变薄、可见光透过率调节范围大、降低透明导电膜方阻、增加全固态电致变色模组的导电反应速度、增加电致变色模组的透明度和可用连续真空溅射方式，利于全无机固态电致变色模组的规模化生产。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，解决了现有材料成本高、可见光透过率低、导电反应速度慢和透明导电膜方阻高的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，包括透明衬底，及依次形成于该透明衬底上的第一透明导电层、第一透明金属层、第一透明保护层、无机变色层、无机离子导电层、无机离子储存层、第二透明金属层、第二透明保护层、第二透明导电层、封装胶片和透明前板，所述透明衬底的顶部与第一透明导电层的底部固定连接，且第一透明导电层的顶部与第一透明金属层的底部固定连接，所述第一透明金属层的顶部与第一透明保护层的底部固定连接，且第一透明保护层的顶部与无机变色层的底部固定连接，所述无机变色层的顶部与无机离子导电层的底部固定连接，且无机离子导电层的顶部与无机离子储存层的底部固定连接，所述无机离子储存层的顶部与第二透明金属层的底部固定连接，且第二透明金属层的顶部与第二透明保护层的底部固定连接，所述第二透明保护层的顶部与第二透明导电层的底部固定连接，且第二透明导电层的顶部与封装胶片的底部固定连接，所述封装胶片的顶部与透明前板的底部固定连接。
优选的，所述透明衬底是采用透明玻璃基板或透明聚合物柔性衬底制成，且第一透明导电层和第二透明导电层均是采用掺硼氧化锌材料制成。
优选的，所述第一透明金属层和第二透明金属层均是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为1-10nm的银、铝或合金薄膜，进而形成透明金属层，且第一透明保护层和第二透明保护层均是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为1-10nm的钛薄膜，进而形成透明保护层。
优选的，所述无机变色层是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为150-300nm的氧化钨电致变色薄膜，进而形成电致变色层，且无机离子导电层是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为10-150nm的金属锂离子传输层，进而形成无机离子导电层。
优选的，所述无机离子储存层是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为100-350nm的氧化镍离子储存层薄膜，进而形成无机离子储存层。
优选的，所述封装胶片是采用聚乙烯醇缩丁醛薄膜或乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜为材料，进而将全固态薄膜电致变色器件与透明前板粘结在一起形成一种全固态薄膜电致变色模组。
优选的，所述透明前板是采用透明玻璃前板或透明聚合物柔性前板制成。
本发明还公开了含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组的制备方法，具体包括以下步骤：
S1、利用2mm透明玻璃衬底当做基板，采用掺硼氧化锌靶材为膜层材料，使用真空溅射镀膜方式镀制第一层透明导电层，采用相对成本低廉的含锌元素透明导电膜为主材，膜层厚度约80-100nm；
S2、采用金属银靶材，在第一透明导电层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚为7-10nm的第一透明金属层，进而形成透明金属层；
S3、采用金属钛靶材，第一透明金属层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚5-8nm的钛薄膜，用以保护第一透明金属层不被氧化或硫化，进而形成透明保护层。
(三)有益效果
本发明提供了含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组。与现有技术相比具备以下有益效果：该含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，可提高电致变色模组的稳定性及可见光透过率调节范围大、增加全固态电致变色模组的导电反应速度、增加电致变色元件的透明度、且降低透明导电膜的方阻的优点，实现了全固态的电致变色速度快、同时整体的厚度也有较大程度的减薄，成本更低，使用无稀土成分的掺硼氧化锌材料透明导电膜，不使用有稀土的氧化铟锡透明导电膜材料，有效降低材料成本，利用掺硼氧化锌材料的高可见光透过率，可使全固态薄膜电致变色模组的可见光透过率调节范围变大，掺硼氧化锌材料的高可见光透过率，促使全固态电致变色模组在不通电的状态下增加可见光透明度，利用透明金属层材料使得多层固态无机复合透明导电膜的整体方阻下降，由于降低了多层固态无机复合膜组成的透明导电膜方阻值，使得电势能强度增强，电场强度增强，加快了全固态电致变色模组的电致变色反应速度。
附图说明
图1为本发明全固态电致变色模组结构示意图；
图2为本发明掺硼氧化锌透明导电膜X射线谱型图；
图3为本发明掺硼氧化锌透明导电膜透过率谱图；
图4为本发明掺硼氧化锌透明导电膜电子显微镜表面图；
图5为本发明实施例结果对比图。
图中，1透明衬底、2第一透明导电层、3第一透明金属层、4第一透明保护层、5无机变色层、6无机离子导电层、7无机离子储存层、8第二透明金属层、9第二透明保护层、10第二透明导电层、11封装胶片、12透明前板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5，本发明实施例提供两种技术方案：含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组的制备方法，具有以下实施例：
实施例1
S1、利用2mm透明玻璃衬底当做基板，采用掺硼氧化锌靶材为膜层材料，使用真空溅射镀膜方式镀制第一层透明导电层，本实施例中，于反应腔体内放入掺杂三氧化二硼的氧化锌基掺硼氧化锌陶瓷靶材，掺杂三氧化二硼的范围为1at％-2at％，并通入流量为40sccm的氩气，溅镀功率密度为2.5每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为98nm，真空压力为50毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为200℃，这解决了含稀土铟元素透明导电膜的高成本问题，采用相对成本低廉的含锌元素透明导电膜为主材，其掺硼氧化锌透明导电膜X射线谱型如图2所示，掺硼氧化锌透明导电膜透过率谱，如图3所示，掺硼氧化锌透明导电膜电子显微镜表面，如图4所示；
S2、采用金属银靶材，在第一透明导电层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚为7nm的银透明金属层，进而形成第一透明金属层，本实施例中，于反应腔体内放入金属银靶材，金属银靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为30sccm的氩气，溅镀功率密度为1.2每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为7nm，真空压力为63毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为150℃；
S3、采用金属钛靶材，第一透明金属层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚8nm的钛薄膜，用以保护第一透明金属层不被氧化或硫化，进而形成第一透明保护层，本实施例中，于反应腔体内放入金属钛靶材，金属钛靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为25sccm的氩气，溅镀功率密度为1.6每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为8nm，真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S4、采用真空溅镀方式形成一层膜厚为200nm的氧化钨电致变色薄膜，进而形成电致变色层，本实施例中，于反应腔体内放入金属钨靶材，金属钨靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为25sccm的氩气和流量为8sccm的氧气，溅镀功率密度为3.1每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为200nm，真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S5、采用真空溅镀方式形成一层膜厚为125nm的金属锂离子传输层，进而形成无机离子导电层，本实施例中，于反应腔体内放入金属锂靶材，金属锂靶材的纯度范围为99.9-99.99；并通入流量为25sccm的氩气和流量为6sccm的氧气，溅镀功率密度为2.8每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为125nm，真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S6、采用真空溅镀方式形成一层膜厚为100nm的氧化镍离子储存层薄膜，进而形成无机离子储存层，本实施例中，于反应腔体内放入金属镍靶材，金属镍靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为25sccm的氩气和流量为6sccm的氧气，溅镀功率密度为2.8每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为100nm，真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S7、采用金属银靶材，在无机离子储存层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚为7nm的银透明金属层，进而形成第二透明金属层，本实施例中，于反应腔体内放入金属银靶材，金属银靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为30sccm的氩气，溅镀功率密度为1.2每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为7nm，真空压力为63毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为150℃；
S8、采用金属钛靶材，在第二透明金属层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚8nm的钛薄膜，用以保护第二透明金属层不被氧化或硫化，进而形成第二透明保护层，本实施例中，于反应腔体内放入金属钛靶材，金属钛靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为25sccm的氩气，溅镀功率密度为1.6每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为8nm，真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S9、在第二透明保护层上采用掺硼氧化锌为材料，使用真空溅射镀膜方式镀制第二透明导电膜层，厚度为98nm，本实施例中，于反应腔体内放入掺杂三氧化二硼的氧化锌基掺硼氧化锌陶瓷靶材，掺杂三氧化二硼的范围为1at％-2at％，并通入流量为40sccm的氩气，溅镀功率密度为2.5每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为98nm，真空压力为50毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为200℃；
S10、后续利用玻璃合片机将封装胶片铺在全固态薄膜电致变色器件上，封装胶片可采用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)胶片或乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)胶片为材料，并把透明前板玻璃铺在封装胶片上，后续进行层压，利用层压机或高压釜进行胶合工艺，温度125℃，时间25分钟，得到层压模组；
S11、将全固态薄膜电致变色器件与透明前板黏著在一起形成一种全固态薄膜电致变色模组，实施例1所制成全固态薄膜电致变色模组的遮阳系数为0.9，利用以上新型结构，如图1所示，有利于体现全固态的电致变色模组速度快、同时整体的厚度也有较大程度的减薄，成本更低，并且此发明有利于全无机固态电致变色模组的规模化生产。
实施例2
S1、利用2mm透明玻璃衬底当做基板；采用掺硼氧化锌靶材为膜层材料，使用真空溅射镀膜方式镀制第一层透明导电层，本实施例中，于反应腔体内放入掺杂三氧化二硼的氧化锌基掺硼氧化锌陶瓷靶材，掺杂三氧化二硼的范围为1at％-2at％，并通入流量为40sccm的氩气，溅镀功率密度为2.5每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为83nm，真空压力为50毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为200℃，这解决了含稀土铟元素透明导电膜的高成本问题，采用相对成本低廉的含锌元素透明导电膜为主材，其掺硼氧化锌透明导电膜X射线谱型如图2所示；
S2、采用金属铝靶材，在第一透明导电层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚为10nm的透明金属层，进而形成第一透明金属层，本实施例中，于反应腔体内放入金属铝靶材，金属铝靶材的纯度范围为99.95-99.99，并通入流量为30sccm的氩气，溅镀功率密度为1.2每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为10nm，真空压力为63毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为145℃；
S3、采用金属钛靶材，第一透明金属层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚5nm的钛薄膜，用以保护第一透明金属层不被氧化或硫化，进而形成第一透明保护层，本实施例中，于反应腔体内放入金属钛靶材，金属钛靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为25sccm的氩气，溅镀功率密度为1.6每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为5nm，真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S4、采用真空溅镀方式形成一层膜厚为200nm的氧化钨电致变色薄膜，进而形成电致变色层，本实施例中，于反应腔体内放入金属钨靶材，金属钨靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为25sccm的氩气和流量为8sccm的氧气，溅镀功率密度为3.1每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为200nm，真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S5、采用真空溅镀方式形成一层膜厚为125nm的金属锂离子传输层，进而形成无机离子导电层，本实施例中，于反应腔体内放入金属锂靶材，金属锂靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为25sccm的氩气和流量为6sccm的氧气，溅镀功率密度为2.8每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为125nm，真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S6、采用真空溅镀方式形成一层膜厚为100nm的氧化镍离子储存层薄膜，进而形成无机离子储存层，本实施例中，于反应腔体内放入金属镍靶材，金属镍靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为25sccm的氩气和流量为6sccm的氧气，溅镀功率密度为2.8每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为100nm；真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S7、采用金属铝靶材，在第一透明导电层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚为10nm的透明金属层，进而形成第一透明金属层，本实施例中，于反应腔体内放入金属铝靶材，金属铝靶材的纯度范围为99.95-99.99，并通入流量为30sccm的氩气，溅镀功率密度为1.2每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为10nm，真空压力为63毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为145℃；
S8、采用金属钛靶材，在第二透明金属层上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚5nm的钛薄膜，用以保护第二透明金属层不被氧化或硫化，进而形成第二透明保护层，本实施例中，于反应腔体内放入金属钛靶材，金属钛靶材的纯度范围为99.9-99.99，并通入流量为25sccm的氩气，溅镀功率密度为1.6每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为8nm，真空压力为65毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为125℃；
S9、在第二透明保护层上采用掺硼氧化锌为材料，使用真空溅射镀膜方式镀制第二透明导电膜层，厚度为83nm，本实施例中，于反应腔体内放入掺杂三氧化二硼的氧化锌基掺硼氧化锌陶瓷靶材，掺杂三氧化二硼的范围为1at％-2at％，并通入流量为40sccm的氩气，溅镀功率密度为2.5每平方公分瓦(W/cm2)，溅镀厚度为98nm，真空压力为50毫托耳(mTorr)，靶材与基板间隔距离为5公分(cm)，温度为200℃；
S10、后续利用玻璃合片机将封装胶片铺在全固态薄膜电致变色器件上，封装胶片可采用聚乙烯醇缩丁醛(PVB)胶片或乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)胶片为材料，并把透明前板玻璃铺在封装胶片上，后续进行层压，利用层压机或高压釜进行胶合工艺，温度125℃，时间25分钟，得到层压模组；
S11、将全固态薄膜电致变色器件与透明前板黏著在一起形成一种全固态薄膜电致变色模组，本实施例所制成全固态薄膜电致变色模组的遮阳系数为0.9，利用以上新型结构，如图1所示，有利于体现全固态的电致变色模组速度快、同时整体的厚度也有较大程度的减薄，成本更低，并且此发明结构有利于全无机固态电致变色模组的规模化生产。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，其特征在于：包括透明衬底(1)，及依次形成于该透明衬底(1)上的第一透明导电层(2)、第一透明金属层(3)、第一透明保护层(4)、无机变色层(5)、无机离子导电层(6)、无机离子储存层(7)、第二透明金属层(8)、第二透明保护层(9)、第二透明导电层(10)、封装胶片(11)和透明前板(12)，所述透明衬底(1)的顶部与第一透明导电层(2)的底部固定连接，且第一透明导电层(2)的顶部与第一透明金属层(3)的底部固定连接，所述第一透明金属层(3)的顶部与第一透明保护层(4)的底部固定连接，且第一透明保护层(4)的顶部与无机变色层(5)的底部固定连接，所述无机变色层(5)的顶部与无机离子导电层(6)的底部固定连接，且无机离子导电层(6)的顶部与无机离子储存层(7)的底部固定连接，所述无机离子储存层(7)的顶部与第二透明金属层(8)的底部固定连接，且第二透明金属层(8)的顶部与第二透明保护层(9)的底部固定连接，所述第二透明保护层(9)的顶部与第二透明导电层(10)的底部固定连接，且第二透明导电层(10)的顶部与封装胶片(11)的底部固定连接，所述封装胶片(11)的顶部与透明前板(12)的底部固定连接。
2.根据权利要求1所述的含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，其特征在于：所述透明衬底(1)是采用透明玻璃基板或透明聚合物柔性衬底制成，且第一透明导电层(2)和第二透明导电层(10)均是采用掺硼氧化锌材料制成。
3.根据权利要求1所述的含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，其特征在于：所述第一透明金属层(3)和第二透明金属层(8)均是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为1-10nm的银、铝或合金薄膜，进而形成透明金属层，且第一透明保护层(4)和第二透明保护层(9)均是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为1-10nm的钛薄膜，进而形成透明保护层。
4.根据权利要求1所述的含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，其特征在于：所述无机变色层(5)是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为150-300nm的氧化钨电致变色薄膜，进而形成电致变色层，且无机离子导电层(6)是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为10-150nm的金属锂离子传输层，进而形成无机离子导电层。
5.根据权利要求1所述的含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，其特征在于：所述无机离子储存层(7)是采用真空溅镀方式形成一层膜厚为100-350nm的氧化镍离子储存层薄膜，进而形成无机离子储存层。
6.根据权利要求1所述的含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，其特征在于：所述封装胶片(11)是采用聚乙烯醇缩丁醛薄膜或乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜为材料，进而将全固态薄膜电致变色器件与透明前板(12)粘结在一起形成一种全固态薄膜电致变色模组。
7.根据权利要求1所述的含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组，其特征在于：所述透明前板(12)是采用透明玻璃前板或透明聚合物柔性前板制成。
8.一种用于权利要求1-7任意一项中的含无机透明导电膜的全无机固态电致变色模组的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、利用2mm透明玻璃衬底当做基板，采用掺硼氧化锌靶材为膜层材料，使用真空溅射镀膜方式镀制第一层透明导电层(2)，采用相对成本低廉的含锌元素透明导电膜为主材，膜层厚度约80-100nm；
S2、采用金属银靶材，在第一透明导电层(2)上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚为7-10nm的第一透明金属层(3)，进而形成透明金属层；
S3、采用金属钛靶材，第一透明金属层(3)上利用真空溅射镀膜方式镀制膜厚5-8nm的钛薄膜，用以保护第一透明金属层(3)不被氧化或硫化，进而形成透明保护层。
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