JPH052173A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH052173A JPH052173A JP15291491A JP15291491A JPH052173A JP H052173 A JPH052173 A JP H052173A JP 15291491 A JP15291491 A JP 15291491A JP 15291491 A JP15291491 A JP 15291491A JP H052173 A JPH052173 A JP H052173A
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- transparent
- display device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大型及び微細パターン化された高品質の液晶
表示装置を提供することである。 【構成】 透明基板間に液晶物質を挾持する電圧印加型
液晶表示装置であって、上記透明基板の液晶物質側表面
に形成される透明導電性薄膜層の構造が金属薄膜層を１
種又は２種以上の透明高屈折率層で挟んだ多層構造とな
っていることを特徴とする液晶表示装置。
表示装置を提供することである。 【構成】 透明基板間に液晶物質を挾持する電圧印加型
液晶表示装置であって、上記透明基板の液晶物質側表面
に形成される透明導電性薄膜層の構造が金属薄膜層を１
種又は２種以上の透明高屈折率層で挟んだ多層構造とな
っていることを特徴とする液晶表示装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明基板であるガラス
基板間またはプラスチックフイルム間に液晶物質を挾持
する電圧印加型液晶装置に関しする。
基板間またはプラスチックフイルム間に液晶物質を挾持
する電圧印加型液晶装置に関しする。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電圧印加型液晶素子装置は一
対のガラス基板またはプラスチックフイルムの間に液晶
物質が挾持されている。液晶物質を駆動させる電界を発
生させる為に、上記一対のガラス基板またはプラスチッ
クフイルム対向面上へ透明導電層が形成されている。
対のガラス基板またはプラスチックフイルムの間に液晶
物質が挾持されている。液晶物質を駆動させる電界を発
生させる為に、上記一対のガラス基板またはプラスチッ
クフイルム対向面上へ透明導電層が形成されている。
【０００３】この透明導電層は、導電性及び透光性の点
が重要であり、現在、インジウム−スズ酸化物系及び酸
化スズ系の透明導電層が多く利用されている。
が重要であり、現在、インジウム−スズ酸化物系及び酸
化スズ系の透明導電層が多く利用されている。
【０００４】しかしながら、近年、液晶表示装置の大面
積化及び表示ドットの微細化により、透明導電層のパタ
ーン加工においても微細化され、いっそう導電性が要求
されつつある。しかしながら、上記インジウム−スズ酸
化物系或いは酸化スズ系の透明導電薄膜層は、一般の金
属と比べて、固有抵抗値が高いため要求を満足する導電
性を得る為には導電層の厚みを厚くしなければならなか
った。
積化及び表示ドットの微細化により、透明導電層のパタ
ーン加工においても微細化され、いっそう導電性が要求
されつつある。しかしながら、上記インジウム−スズ酸
化物系或いは酸化スズ系の透明導電薄膜層は、一般の金
属と比べて、固有抵抗値が高いため要求を満足する導電
性を得る為には導電層の厚みを厚くしなければならなか
った。
【０００５】インジウム−スズ系及び酸化スズ系の透明
導電薄膜層において、ガラス基板またはプラスチツクフ
イルム上へ透明導電層を形成するには通常、真空蒸着ま
たはスパッタリング法が利用されているが、形成層の厚
みを厚くすることにより、透光性品質の低下が生じてい
た。また、固有抵抗値を下げるため、導電層形成時に高
温にする方法も考えられるが、この方法は一般的に耐熱
温度の低いプラスチツクフイルム上への形成には応用で
きなかった。
導電薄膜層において、ガラス基板またはプラスチツクフ
イルム上へ透明導電層を形成するには通常、真空蒸着ま
たはスパッタリング法が利用されているが、形成層の厚
みを厚くすることにより、透光性品質の低下が生じてい
た。また、固有抵抗値を下げるため、導電層形成時に高
温にする方法も考えられるが、この方法は一般的に耐熱
温度の低いプラスチツクフイルム上への形成には応用で
きなかった。
【０００６】いずれにしても現在のインジウム−スズ酸
化物系又はスズ酸化物系の透明導電薄膜層では、そのも
の自体の固有抵抗値が高いため、液晶表示素子の大面積
化に十分対応できる良導電性を得ることが難しくこの透
明導電性薄膜を使用した液晶表示装置は、全面表示不能
及び透光性に劣る等の問題があった。
化物系又はスズ酸化物系の透明導電薄膜層では、そのも
の自体の固有抵抗値が高いため、液晶表示素子の大面積
化に十分対応できる良導電性を得ることが難しくこの透
明導電性薄膜を使用した液晶表示装置は、全面表示不能
及び透光性に劣る等の問題があった。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】本発明は、上記、従来
の液晶表示装置の透明導電層の欠点を十分に改善できる
特性を有する透明導電性薄膜層を有する液晶表示装置に
関するものである。
の液晶表示装置の透明導電層の欠点を十分に改善できる
特性を有する透明導電性薄膜層を有する液晶表示装置に
関するものである。
【０００８】すなわち透明基板間に液晶物質を挾持する
電圧印加型液晶表示装置であって、上記透明基板の液晶
物質側表面に形成される透明導電性薄膜層の構造が金属
薄膜層を１種又は２種以上の透明高屈折率層で挟んだ多
層構造となっていることを特徴とする液晶表示装置であ
る。
電圧印加型液晶表示装置であって、上記透明基板の液晶
物質側表面に形成される透明導電性薄膜層の構造が金属
薄膜層を１種又は２種以上の透明高屈折率層で挟んだ多
層構造となっていることを特徴とする液晶表示装置であ
る。
【０００９】以下その構成について詳細に説明する。
【００１０】本発明の液晶表示装置に使用する透明導電
性薄膜層は、基本的に金属薄膜層が透明高屈折率層に挟
まれた構造を有する。
性薄膜層は、基本的に金属薄膜層が透明高屈折率層に挟
まれた構造を有する。
【００１１】本発明の中で先ず、機能的に良導電性の役
割を持つ１種又は２種以上の金属薄膜層の膜厚は５０〜
３００オングストロームが望ましい。更に好ましくは１
００〜２００オングストロームの範囲が良い。
割を持つ１種又は２種以上の金属薄膜層の膜厚は５０〜
３００オングストロームが望ましい。更に好ましくは１
００〜２００オングストロームの範囲が良い。
【００１２】この膜厚は、金属の種類により多少左右さ
れるが、厚み５０オングストローム以下では薄膜が不連
続で、十分な導電率を得ることができず、機能的に発明
の効果が得られない。一方、厚み３００オングストロー
ム以上では、透光性が損なわれてしまう為適当でない。
れるが、厚み５０オングストローム以下では薄膜が不連
続で、十分な導電率を得ることができず、機能的に発明
の効果が得られない。一方、厚み３００オングストロー
ム以上では、透光性が損なわれてしまう為適当でない。
【００１３】取り分け金属の厚みが１００〜２００オン
グストロームにおいては十分な導電性と透光性及び金属
層の両面に透明高屈折率層を設けた際の光の多重干渉効
果による透光性の向上が大きく期待できる。
グストロームにおいては十分な導電性と透光性及び金属
層の両面に透明高屈折率層を設けた際の光の多重干渉効
果による透光性の向上が大きく期待できる。
【００１４】更に本発明に使用される金属薄膜層として
は電波反射層としての十分な機能を得るためには、バル
グでの抵抗率が常識において４×１０−６Ωｍ以下のも
のが好ましくＡｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ等の金属が用いら
れる。
は電波反射層としての十分な機能を得るためには、バル
グでの抵抗率が常識において４×１０−６Ωｍ以下のも
のが好ましくＡｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ等の金属が用いら
れる。
【００１５】しかしながらＣｕ，Ａｕについては波長３
００〜５００ｎｍの光線反射率が小さいため、黄金色が
強く透明感が損なわれやすい。
００〜５００ｎｍの光線反射率が小さいため、黄金色が
強く透明感が損なわれやすい。
【００１６】一方、Ａｇ，Ａｌにおいては可視光領域に
おいてほぼ一定な反射特性を有するため最も好ましい。
おいてほぼ一定な反射特性を有するため最も好ましい。
【００１７】従って、本発明において、金属薄膜層はＡ
ｇ、Ａｌ又はその混合物であることが特に好ましい。
ｇ、Ａｌ又はその混合物であることが特に好ましい。
【００１８】更に、この金属薄膜層の構成としては、上
記Ａｇ，Ａｌ又はその混合物層の両面に、酸化防止効果
を目的としたＴｉ等金属層が隣接したものも好ましい。
但し、上記Ｔｉ層については、透光性を劣化させないよ
うに３０オングストローム以下の極薄膜として形成する
ことが望ましい。
記Ａｇ，Ａｌ又はその混合物層の両面に、酸化防止効果
を目的としたＴｉ等金属層が隣接したものも好ましい。
但し、上記Ｔｉ層については、透光性を劣化させないよ
うに３０オングストローム以下の極薄膜として形成する
ことが望ましい。
【００１９】次に、本発明における１種又は２種以上の
透明高屈折率層とは、屈折率が１．５以上であり、可視
光線透過率が８０％以上を持つものが好ましい。
透明高屈折率層とは、屈折率が１．５以上であり、可視
光線透過率が８０％以上を持つものが好ましい。
【００２０】この様な条件を満足するものとしてはＡｌ
2 Ｏ3 ，ＳＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，
ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，ＺｎＳ等上げられる。
2 Ｏ3 ，ＳＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 ，Ｓｂ2Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，
ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，ＺｎＳ等上げられる。
【００２１】これらのうちの大部分は光学的反射防止の
膜として利用されているが、本発明においては反射防止
機能が金属薄膜層の導電性に依存するため、ＳｎＯ2 ，
Ｉｎ2Ｏ3 ，ＺｎＯ及びその混合物等が好ましくまた光
学特性的には、ＴｉＯ2 ，ＺｎＳ等が好ましい。従っ
て、これらの両者の金属が透明高屈折率層の膜として利
用できる。
膜として利用されているが、本発明においては反射防止
機能が金属薄膜層の導電性に依存するため、ＳｎＯ2 ，
Ｉｎ2Ｏ3 ，ＺｎＯ及びその混合物等が好ましくまた光
学特性的には、ＴｉＯ2 ，ＺｎＳ等が好ましい。従っ
て、これらの両者の金属が透明高屈折率層の膜として利
用できる。
【００２２】尚、透明高屈折率層については金属薄膜層
の両面に隣接するが、それぞれ片面に隣接する材料は上
記物質の組み合わせでいずれでも良く、一方同一材料で
あっても構わない。この様な透明高屈折率層の厚みにつ
いては、この層からの反射光と金属薄膜層からの反射光
が多重干渉効果によって打ち消し合い可視光線透過率が
高まるように設定することが望ましい。
の両面に隣接するが、それぞれ片面に隣接する材料は上
記物質の組み合わせでいずれでも良く、一方同一材料で
あっても構わない。この様な透明高屈折率層の厚みにつ
いては、この層からの反射光と金属薄膜層からの反射光
が多重干渉効果によって打ち消し合い可視光線透過率が
高まるように設定することが望ましい。
【００２３】また、本発明においては膜の透過光の色相
等も、膜の光学的評価を決定する重要な因子となる本発
明においては、基本的に本発明の構成品が可視光線領域
の透過率において波長４５０〜６５０ｎｍの間にヒロー
クを持ち、なおかつ波長５５０ｎｍの透過率が７０％以
上となるように透明高屈折率層を形成することが望まし
い。この時透明高屈折率層の厚みは１層当たり１００〜
５００オングストロームが望ましく２００〜４００オン
グストロームであれば更に望ましい。尚透明高屈折率層
の厚みが１００オングストローム以下、及び５００オン
グストローム以上の場合には、十分な可視光線透過率を
期待できない。
等も、膜の光学的評価を決定する重要な因子となる本発
明においては、基本的に本発明の構成品が可視光線領域
の透過率において波長４５０〜６５０ｎｍの間にヒロー
クを持ち、なおかつ波長５５０ｎｍの透過率が７０％以
上となるように透明高屈折率層を形成することが望まし
い。この時透明高屈折率層の厚みは１層当たり１００〜
５００オングストロームが望ましく２００〜４００オン
グストロームであれば更に望ましい。尚透明高屈折率層
の厚みが１００オングストローム以下、及び５００オン
グストローム以上の場合には、十分な可視光線透過率を
期待できない。
【００２４】本発明における金属薄膜層及び透明高屈折
率層は、一般に、真空蒸着法、イオンプレーティング法
及びスパッタリング法等に成膜できる。
率層は、一般に、真空蒸着法、イオンプレーティング法
及びスパッタリング法等に成膜できる。
【００２５】しかしながら、本発明の構成を作る際に蒸
着法においては金属薄膜層と透明高屈折率層との十分な
密着強度が得られない場合があり、むしろ成膜時の高い
粒子エネルギーを期待できるイオンプレーティング法、
及びスパッタリング法が望ましい。 また、本発明のよ
うな基本的に３層で考えられる製膜の際には、真空槽内
で連続的にコーティングすれば、製造時間のロスも低減
できる。
着法においては金属薄膜層と透明高屈折率層との十分な
密着強度が得られない場合があり、むしろ成膜時の高い
粒子エネルギーを期待できるイオンプレーティング法、
及びスパッタリング法が望ましい。 また、本発明のよ
うな基本的に３層で考えられる製膜の際には、真空槽内
で連続的にコーティングすれば、製造時間のロスも低減
できる。
【００２６】
【実施例】光透過率８８％の厚さ１００μｍの一軸延伸
ポリエステルフイルム以下ＰＥＴと略す上にマグネトロ
ンスパッタ法により、順次インジウム−スズ酸化物膜
（以下ＩＴＯ膜と略す）、Ａｇ膜、ＩＴＯ膜を積層し
た。
ポリエステルフイルム以下ＰＥＴと略す上にマグネトロ
ンスパッタ法により、順次インジウム−スズ酸化物膜
（以下ＩＴＯ膜と略す）、Ａｇ膜、ＩＴＯ膜を積層し
た。
【００２７】上記ＩＴＯ膜形成においては、ターゲット
としてインジウムスズ合金（Ｉｎ／Ｓｎ＝９０／１０）
を使用し、Ａｒガスと供にＯ2 ガスを真空槽に導入する
反応性スパッタリングを行うことにより高透明で良導電
性のＩＴＯ膜を得た。また、Ａｇ膜形成においてはＡｒ
ガスのみを真空槽に導入するスパッタリングを行った。
尚、ＩＴＯ膜、Ａｇ膜それぞれの厚みは、積層時間に
より加減した。
としてインジウムスズ合金（Ｉｎ／Ｓｎ＝９０／１０）
を使用し、Ａｒガスと供にＯ2 ガスを真空槽に導入する
反応性スパッタリングを行うことにより高透明で良導電
性のＩＴＯ膜を得た。また、Ａｇ膜形成においてはＡｒ
ガスのみを真空槽に導入するスパッタリングを行った。
尚、ＩＴＯ膜、Ａｇ膜それぞれの厚みは、積層時間に
より加減した。
【００２８】上記、製膜形成後、各層について原子吸光
分析を行い、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇそれぞれの付着量を調べ
た。各層の膜厚については、ＩＴＯ膜はＩｎ、Ｓｎがそ
れぞれＩｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 の形で存在するものと仮定
し、Ａｇ膜は金属Ａｇの物性値を使用して算出した。こ
れによると、本実施例のＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／ＰＥＴ
各層の厚みはそれぞれ３００オングストローム／９０オ
ングストローム／２００オングストローム／ＰＥＴ（１
００μｍ）となっており、この多層膜の表面抵抗は６Ω
／□であった。
分析を行い、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇそれぞれの付着量を調べ
た。各層の膜厚については、ＩＴＯ膜はＩｎ、Ｓｎがそ
れぞれＩｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 の形で存在するものと仮定
し、Ａｇ膜は金属Ａｇの物性値を使用して算出した。こ
れによると、本実施例のＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ／ＰＥＴ
各層の厚みはそれぞれ３００オングストローム／９０オ
ングストローム／２００オングストローム／ＰＥＴ（１
００μｍ）となっており、この多層膜の表面抵抗は６Ω
／□であった。
【００２９】本フイルムに、希硫酸シャワーリングによ
るエッチング加工を施し、更に配向処理を行い液晶セル
加工を行ったところ十分な表示品質を得ることができ
た。
るエッチング加工を施し、更に配向処理を行い液晶セル
加工を行ったところ十分な表示品質を得ることができ
た。
【００３０】また、組み立てられたセルの透過状態にお
ける可視光線領域での光線透過率は図１の曲線Ａとなっ
ており、透明感を有していた。
ける可視光線領域での光線透過率は図１の曲線Ａとなっ
ており、透明感を有していた。
【００３１】
【比較例】実施例と同様の設備を用い、インジウム−ス
ズ酸化物膜のみを光透過率８８％厚さ１００μｍのＰＥ
Ｔ上へ形成した。マグネトロンスパッタ時には、インジ
ウム−スズ酸化物膜が最も高透明低抵抗となる様にスパ
ッタリング条件をコントロールし、最終的に表面抵抗３
０Ω／□の透明導電性フイルムを得た。しかしながらこ
のフイルムを使用し、実施例と同様のセル加工を行った
ものについて、透過状態での可視光線領域の光線透過率
は図１の曲線Ｂとなっており、黄色味が強く透明感に乏
しいものであった。
ズ酸化物膜のみを光透過率８８％厚さ１００μｍのＰＥ
Ｔ上へ形成した。マグネトロンスパッタ時には、インジ
ウム−スズ酸化物膜が最も高透明低抵抗となる様にスパ
ッタリング条件をコントロールし、最終的に表面抵抗３
０Ω／□の透明導電性フイルムを得た。しかしながらこ
のフイルムを使用し、実施例と同様のセル加工を行った
ものについて、透過状態での可視光線領域の光線透過率
は図１の曲線Ｂとなっており、黄色味が強く透明感に乏
しいものであった。
【００３２】また、表示状態のバラツキも認められた。
【００３３】
【発明の効果】本発明により、大型及び微細パターン化
された高品質の液晶表示装置が提供できる。
された高品質の液晶表示装置が提供できる。
【図１】は、光線透過率と波長との関係を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板間に液晶物質を挾持する電圧印
加型液晶表示装置であって、上記透明基板の液晶物質側
表面に形成される透明導電性薄膜層の構造が、金属薄膜
層を１種又は２種以上の透明高屈折率層で挟んだ多層構
造となっていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 透明導電性薄膜が、透明基板側から、透
明高屈折率層、銀、インジウムスズ酸化物の順で構成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項３】 透明導電性薄膜が、透明基板側から、イ
ンジウムスズ酸化物、銀、インジウムスズ酸化物の順で
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 透明導電性薄膜層が、透明基板側から、
インジウムスズ酸化物、チタン、銀、チタン、インジウ
ムスズ酸化物の順で構成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15291491A JPH052173A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15291491A JPH052173A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052173A true JPH052173A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15550908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15291491A Pending JPH052173A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052173A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09251161A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 表示素子用基板 |
| JP2000105391A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、及び、これを用いた受像装置と情報処理装置 |
| WO2016171260A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | Tdk株式会社 | 透明導電体及びその製造方法、並びにタッチパネル |
-
1991
- 1991-06-25 JP JP15291491A patent/JPH052173A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09251161A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 表示素子用基板 |
| JP2000105391A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、及び、これを用いた受像装置と情報処理装置 |
| WO2016171260A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | Tdk株式会社 | 透明導電体及びその製造方法、並びにタッチパネル |
| JP2016207027A (ja) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | Tdk株式会社 | 透明導電体及びその製造方法、並びにタッチパネル |
| CN107533402A (zh) * | 2015-04-24 | 2018-01-02 | Tdk株式会社 | 透明导电体及其制造方法以及触摸面板 |
| US10540045B2 (en) | 2015-04-24 | 2020-01-21 | Tdk Corporation | Transparent conductor, method for producing same, and touch panel |
| CN107533402B (zh) * | 2015-04-24 | 2021-02-02 | Tdk株式会社 | 透明导电体及其制造方法以及触摸面板 |
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