JPH10309778A - 積層体 - Google Patents
積層体Info
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- JPH10309778A JPH10309778A JP9122121A JP12212197A JPH10309778A JP H10309778 A JPH10309778 A JP H10309778A JP 9122121 A JP9122121 A JP 9122121A JP 12212197 A JP12212197 A JP 12212197A JP H10309778 A JPH10309778 A JP H10309778A
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- film layer
- film
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基本的に２層構成で高導電性、高光線透過率、
および低反射率の機能を合わせ持つことを特徴とする積
層体を提供することを課題とする。 【解決手段】基材上に必要に応じてハードコート層／
金、銀、銅もしくはこれらの合金等からなる金属薄膜層
／セラミック薄膜層（例えば酸化インジウム、酸化亜
鉛、酸化錫もしくはこれらの合金等）の順に積層させて
積層体とする。また、この積層体のセラミック薄膜層の
金属薄膜層とは反対側に防汚層が形成しても良い。
および低反射率の機能を合わせ持つことを特徴とする積
層体を提供することを課題とする。 【解決手段】基材上に必要に応じてハードコート層／
金、銀、銅もしくはこれらの合金等からなる金属薄膜層
／セラミック薄膜層（例えば酸化インジウム、酸化亜
鉛、酸化錫もしくはこれらの合金等）の順に積層させて
積層体とする。また、この積層体のセラミック薄膜層の
金属薄膜層とは反対側に防汚層が形成しても良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として、ディス
プレーに利用される、透明導電膜および導電性低反射膜
の技術分野に属する。
プレーに利用される、透明導電膜および導電性低反射膜
の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜としては、主に、ＩＴＯ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が使用されている。
しかし、高光線透過率と低抵抗を両立することは、光学
的に困難であり、とりわけ、プラスチックフィルムを用
いた場合などの低温成膜においては大問題となってい
る。
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が使用されている。
しかし、高光線透過率と低抵抗を両立することは、光学
的に困難であり、とりわけ、プラスチックフィルムを用
いた場合などの低温成膜においては大問題となってい
る。
【０００３】低反射膜とは、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃ
ｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）やＣＲＴ（Ｃａｔｏｄ
ｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）等のディスプレーにおいて、最
外層もしくはそれに準じる位置に形成され、蛍光灯や太
陽光等の外光の反射によってディスプレーが見にくくな
ることを防止するために利用されている。即ち、ディス
プレー表面において、可視光の反射率を低減させる機能
を有する膜のことを言う。現在まで、屈折率の異なる材
料から成る膜を積層することにより可視領域の光線反射
率を低減させることが検討されてきている。一般的に
は、材料には低屈折材料の酸化シリコンと高屈折材料の
酸化チタン等の酸化物を用い、屈折率と膜厚等を厳重に
考慮して無機多層低反射膜を形成する。
ｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）やＣＲＴ（Ｃａｔｏｄ
ｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）等のディスプレーにおいて、最
外層もしくはそれに準じる位置に形成され、蛍光灯や太
陽光等の外光の反射によってディスプレーが見にくくな
ることを防止するために利用されている。即ち、ディス
プレー表面において、可視光の反射率を低減させる機能
を有する膜のことを言う。現在まで、屈折率の異なる材
料から成る膜を積層することにより可視領域の光線反射
率を低減させることが検討されてきている。一般的に
は、材料には低屈折材料の酸化シリコンと高屈折材料の
酸化チタン等の酸化物を用い、屈折率と膜厚等を厳重に
考慮して無機多層低反射膜を形成する。
【０００４】しかし、ディスプレーを有する多くの装置
においては、外部から飛来する電磁波を遮蔽するため、
もしくは該装置内部から発生する電磁波が外部に漏れる
ことを防ぐための電磁波遮蔽膜が設けられていることが
望ましい。
においては、外部から飛来する電磁波を遮蔽するため、
もしくは該装置内部から発生する電磁波が外部に漏れる
ことを防ぐための電磁波遮蔽膜が設けられていることが
望ましい。
【０００５】そこで、上記無機多層低反射膜の高屈折率
層にＩＴＯを用いる構成や、Ａｇ薄膜の表裏にＩＴＯ薄
膜を積層（基材／ＩＴＯ層１／銀層／ＩＴＯ層２）し
て、構成される多層膜が検討されている。
層にＩＴＯを用いる構成や、Ａｇ薄膜の表裏にＩＴＯ薄
膜を積層（基材／ＩＴＯ層１／銀層／ＩＴＯ層２）し
て、構成される多層膜が検討されている。
【０００６】しかしながら、上記の構成はいずれも３層
以上の構成であるため、コストが高いうえ、その層数の
多さから、収率も低くなる可能性が極めて高い。
以上の構成であるため、コストが高いうえ、その層数の
多さから、収率も低くなる可能性が極めて高い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
問題点に着目してなされたもので、透明導電膜の機能の
面ではＩＴＯ１層では達成困難な、高光線透過率と低抵
抗を両立し、さらに、導電性低反射膜の機能の面では、
２層という層数で、低光線反射率と低抵抗を両立する、
積層体を提供することを課題とする。基本的に２層構成
で高導電性、高光線透過率、および低反射率の機能を合
わせ持つことを特徴とする積層体を提供することを課題
とする。
問題点に着目してなされたもので、透明導電膜の機能の
面ではＩＴＯ１層では達成困難な、高光線透過率と低抵
抗を両立し、さらに、導電性低反射膜の機能の面では、
２層という層数で、低光線反射率と低抵抗を両立する、
積層体を提供することを課題とする。基本的に２層構成
で高導電性、高光線透過率、および低反射率の機能を合
わせ持つことを特徴とする積層体を提供することを課題
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基材上に金属薄膜層／セラミック薄膜層の順に積層され
ている積層体において、金属薄膜層が金、銀、銅のいず
れかまたは、それらの２種もしくは３種の合金を主成分
としていることを特徴とする積層体である。
基材上に金属薄膜層／セラミック薄膜層の順に積層され
ている積層体において、金属薄膜層が金、銀、銅のいず
れかまたは、それらの２種もしくは３種の合金を主成分
としていることを特徴とする積層体である。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明を前提とし、セラミック薄膜層が、酸化インジウム、
酸化亜鉛、酸化錫のいずれか、または、それらの２種も
しくは３種の混合酸化物を主成分としていることを特徴
とする積層体である。
明を前提とし、セラミック薄膜層が、酸化インジウム、
酸化亜鉛、酸化錫のいずれか、または、それらの２種も
しくは３種の混合酸化物を主成分としていることを特徴
とする積層体である。
【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１および２
の発明を前提とし、基材がプラスチックフィルムである
ことを特徴とする積層体である。
の発明を前提とし、基材がプラスチックフィルムである
ことを特徴とする積層体である。
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１から３の
発明を前提とし、基材と金属薄膜層の間にハードコート
が形成されていることを特徴とする積層体である。
発明を前提とし、基材と金属薄膜層の間にハードコート
が形成されていることを特徴とする積層体である。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１から４の
発明を前提とし、セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反
対側に防汚層が形成されていることを特徴とする積層体
である。
発明を前提とし、セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反
対側に防汚層が形成されていることを特徴とする積層体
である。
【００１３】以下、本発明を詳述する。本発明の積層体
の高光線透過率および低光線反射率の性能は、セラミッ
ク薄膜層と金属薄膜層の光学特性によって発揮される。
それ故、本発明としては、各層の膜厚には詳しく言及し
ていないが、本願発明において発明の主題となっていな
いだけであって、積層体が高光線透過率および低光線反
射率を得るためには、各層の膜厚の調整が必要なことは
言うまでもなく、本願発明のように材料を変更すれば、
高光線透過率および低光線反射率を得るためにさらなる
膜厚の調整が必要なことは言うまでもない。
の高光線透過率および低光線反射率の性能は、セラミッ
ク薄膜層と金属薄膜層の光学特性によって発揮される。
それ故、本発明としては、各層の膜厚には詳しく言及し
ていないが、本願発明において発明の主題となっていな
いだけであって、積層体が高光線透過率および低光線反
射率を得るためには、各層の膜厚の調整が必要なことは
言うまでもなく、本願発明のように材料を変更すれば、
高光線透過率および低光線反射率を得るためにさらなる
膜厚の調整が必要なことは言うまでもない。
【００１４】本発明において、セラミック薄膜とは無機
化合物薄膜であって、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化
物などから成る薄膜をいう。
化合物薄膜であって、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化
物などから成る薄膜をいう。
【００１５】具体的に酸化物の例としては、酸化インジ
ウム、酸化亜鉛、酸化錫のいずれか、または、それらの
２種もしくは３種の混合酸化物が挙げられるが、目的お
よび用途によっていかなる材料を用いても良い。例え
ば、前記の酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫の他、ガ
リウム、マグネシウム、チタン、アルミニウム、シリコ
ン、セリウムなどのＩＩＩ族、ＩＶ族、ランタノイドの
酸化物もしくはそれらの混合酸化物がある。
ウム、酸化亜鉛、酸化錫のいずれか、または、それらの
２種もしくは３種の混合酸化物が挙げられるが、目的お
よび用途によっていかなる材料を用いても良い。例え
ば、前記の酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫の他、ガ
リウム、マグネシウム、チタン、アルミニウム、シリコ
ン、セリウムなどのＩＩＩ族、ＩＶ族、ランタノイドの
酸化物もしくはそれらの混合酸化物がある。
【００１６】なお、成膜法によつては、非化学量論的な
膜が形成される場合もあるので、酸化インジウム、酸化
亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫や、
ガリウム、マグネシウム、チタン、アルミニウム、シリ
コン、セリウムなどのＩＩＩ族、ＩＶ族、ランタノイド
の酸化物は、通常の化学反応による元素組成比の膜組成
であるとは限らない。また、膜方向により連続的もしく
は断続的に一つの膜内で組成が変化するものであっても
上記の条件を満たす層からなるものであれば、構わな
い。また、本性質の膜の特性に反しない範囲ないで１０
％以内の他の成分による不純物を含むものでも本発明の
意図する膜組成と言える。
膜が形成される場合もあるので、酸化インジウム、酸化
亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫や、
ガリウム、マグネシウム、チタン、アルミニウム、シリ
コン、セリウムなどのＩＩＩ族、ＩＶ族、ランタノイド
の酸化物は、通常の化学反応による元素組成比の膜組成
であるとは限らない。また、膜方向により連続的もしく
は断続的に一つの膜内で組成が変化するものであっても
上記の条件を満たす層からなるものであれば、構わな
い。また、本性質の膜の特性に反しない範囲ないで１０
％以内の他の成分による不純物を含むものでも本発明の
意図する膜組成と言える。
【００１７】本発明にかかわる金属薄膜層は、導電性に
優れていれば、いかなる材料でも良いが、例としては、
金、銀、銅もしくはそれらの合金を挙げることができ
る。特に、これらの中で、銀を主成分としたものは、導
電性および光学特性の面で優れている。また、本性質の
膜の特性に反しない範囲ないで１０％以内の金、銀、銅
以外の成分による不純物を含むものでも本発明の意図す
る膜組成と言える。
優れていれば、いかなる材料でも良いが、例としては、
金、銀、銅もしくはそれらの合金を挙げることができ
る。特に、これらの中で、銀を主成分としたものは、導
電性および光学特性の面で優れている。また、本性質の
膜の特性に反しない範囲ないで１０％以内の金、銀、銅
以外の成分による不純物を含むものでも本発明の意図す
る膜組成と言える。
【００１８】本発明にかかわる基材は、いかなる材質で
あっても、また平板状に限らずいかなる形状であって
も、可撓性があっても無くても良いが、ディスプレーへ
の応用を考慮すると、ガラスやプラスチックフィルムを
挙げることができる。ここで、プラスチックとは有機物
であって高分子のものをいう。
あっても、また平板状に限らずいかなる形状であって
も、可撓性があっても無くても良いが、ディスプレーへ
の応用を考慮すると、ガラスやプラスチックフィルムを
挙げることができる。ここで、プラスチックとは有機物
であって高分子のものをいう。
【００１９】本発明にかかわる成膜方法は、目的の薄膜
を形成できる方法であればいかなる方法でも良いが、ス
パッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＣＶＤ
（化学的真空成膜法）などの成膜方法が適している。
を形成できる方法であればいかなる方法でも良いが、ス
パッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＣＶＤ
（化学的真空成膜法）などの成膜方法が適している。
【００２０】本発明で用いている、基材上に金属薄膜層
／セラミック薄膜層の順に積層されている積層体とは、
金属薄膜層／セラミック薄膜層が結果として連続して基
材上に形成されていれば良く、基材上の両面もしくは片
面、および、セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反対側
に、何らかの処理もしくは成膜を施すことは、目的の特
性に実質的に悪影響を及ぼさないかぎり、なんら問題な
い。
／セラミック薄膜層の順に積層されている積層体とは、
金属薄膜層／セラミック薄膜層が結果として連続して基
材上に形成されていれば良く、基材上の両面もしくは片
面、および、セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反対側
に、何らかの処理もしくは成膜を施すことは、目的の特
性に実質的に悪影響を及ぼさないかぎり、なんら問題な
い。
【００２１】たとえば、基材と金属薄膜層の間に、ハー
ドコート、酸素および水蒸気バリア膜、密着層などの層
を介したものであっても良い。また、セラミック層の金
属薄膜層とは反対側に撥水層や防汚層などの層を形成し
たものであっても良い。金属薄膜層およびセラミック薄
膜層は、前処理、後処理、表面処理を全く行わなくとも
良いが、必要に応じて処理（プラズマ処理、イオンボン
バード処理等）を施しても良い。
ドコート、酸素および水蒸気バリア膜、密着層などの層
を介したものであっても良い。また、セラミック層の金
属薄膜層とは反対側に撥水層や防汚層などの層を形成し
たものであっても良い。金属薄膜層およびセラミック薄
膜層は、前処理、後処理、表面処理を全く行わなくとも
良いが、必要に応じて処理（プラズマ処理、イオンボン
バード処理等）を施しても良い。
【００２２】実施の形態について、実施例を参照して説
明する。図１に、本発明の積層体実施例を示す。金属薄
膜層、セラミック薄膜層は、それぞれ、膜厚、屈折率、
吸収係数など光学膜の設計に必要な条件を充分考慮して
構成される。
明する。図１に、本発明の積層体実施例を示す。金属薄
膜層、セラミック薄膜層は、それぞれ、膜厚、屈折率、
吸収係数など光学膜の設計に必要な条件を充分考慮して
構成される。
【００２３】基材に厚さ１００μｍのＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）フィルム、セラミック薄膜層に酸
化錫、酸化セリウム混合酸化物、金属薄膜層に銀、銅の
合金、を用いた。
レンテレフタレート）フィルム、セラミック薄膜層に酸
化錫、酸化セリウム混合酸化物、金属薄膜層に銀、銅の
合金、を用いた。
【００２４】セラミック薄膜の酸化物の混合比は、酸化
錫：酸化セリウム＝９５：５重量％、金属薄膜層の混合
比は、銀：銅＝９８：２原子％のものを用いた。成膜方
法は、金属薄膜層にはＤＣ（直流）マグネトロンスパッ
タリング法を用い、セラミック膜にはプラズマアシスト
ＥＢ（電子ビーム）蒸着法を用いた。各層の目標膜厚
は、セラミック薄膜層が約３０ｎｍ、金属薄膜層が約７
ｎｍ、とした。
錫：酸化セリウム＝９５：５重量％、金属薄膜層の混合
比は、銀：銅＝９８：２原子％のものを用いた。成膜方
法は、金属薄膜層にはＤＣ（直流）マグネトロンスパッ
タリング法を用い、セラミック膜にはプラズマアシスト
ＥＢ（電子ビーム）蒸着法を用いた。各層の目標膜厚
は、セラミック薄膜層が約３０ｎｍ、金属薄膜層が約７
ｎｍ、とした。
【００２５】形成した積層体の光線透過率と光線反射率
のグラフを図２に、基材であるＰＥＴフィルムのものと
あわせて示す。それぞれ波長５５０ｎｍでの値は、それ
ぞれ光線透過率が８３．３％（基材のみ：８６．０
％）、光線反射率が０．８％（基材のみ：６．７％）と
なり、高光線透過率、および、低反射率が得られた。
のグラフを図２に、基材であるＰＥＴフィルムのものと
あわせて示す。それぞれ波長５５０ｎｍでの値は、それ
ぞれ光線透過率が８３．３％（基材のみ：８６．０
％）、光線反射率が０．８％（基材のみ：６．７％）と
なり、高光線透過率、および、低反射率が得られた。
【００２６】また、積層体の表面抵抗を測定したとこ
ろ、１５Ω／□（膜厚および形状考慮の四端子法によ
る）となった。この抵抗値は、膜厚および光線透過率を
考慮すると極めて低抵抗である。
ろ、１５Ω／□（膜厚および形状考慮の四端子法によ
る）となった。この抵抗値は、膜厚および光線透過率を
考慮すると極めて低抵抗である。
【００２７】図３に積層体が２層構成であることを明確
にするために、Ｘ線光電子分光法による深さ方向の分析
結果を示す。分析の際は、セラミック薄膜層を示すＳ
ｎ、金属薄膜層を示すＡｇと、基材であるＰＥＴフィル
ムを示すＣを分析した。この測定結果により、本積層体
が２層構成であることが明確となった。
にするために、Ｘ線光電子分光法による深さ方向の分析
結果を示す。分析の際は、セラミック薄膜層を示すＳ
ｎ、金属薄膜層を示すＡｇと、基材であるＰＥＴフィル
ムを示すＣを分析した。この測定結果により、本積層体
が２層構成であることが明確となった。
【００２８】本発明の積層体によれば、膜厚、屈折率、
吸収係数等、光学膜の設計に必要な条件を考慮して、基
材上に金属薄膜層／セラミック薄膜層の順に積層体を形
成することにより、透明導電膜の機能の面ではＩＴＯ１
層では達成困難な、高光線透過率と低抵抗を両立し、さ
らに、導電性低反射膜の機能の面では、２層という層数
で、低光線反射率と低抵抗を両立する、積層体が得られ
る。また、この層数が少ないことにより、飛躍的なコス
トダウンと、収率の格段の向上が得られる。
吸収係数等、光学膜の設計に必要な条件を考慮して、基
材上に金属薄膜層／セラミック薄膜層の順に積層体を形
成することにより、透明導電膜の機能の面ではＩＴＯ１
層では達成困難な、高光線透過率と低抵抗を両立し、さ
らに、導電性低反射膜の機能の面では、２層という層数
で、低光線反射率と低抵抗を両立する、積層体が得られ
る。また、この層数が少ないことにより、飛躍的なコス
トダウンと、収率の格段の向上が得られる。
【図１】本発明の実施例を示す説明図である。
【図２】実施例の光線透過率および光線反射率を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図３】実施例が２層構成であることを示す光電子分光
法による深さ方向分析の結果のグラフである。
法による深さ方向分析の結果のグラフである。
１…基材 ２…金属薄膜層 ３…セラミック薄膜層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｄ (72)発明者 渡辺 弘樹 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】基材上に金属薄膜層／セラミック薄膜層の
順に積層されている積層体であって、金属薄膜層が金、
銀、銅のいずれか、または、それらの２種もしくは３種
の合金を主成分としていることを特徴とする積層体 - 【請求項２】セラミック薄膜層が、酸化インジウム、酸
化亜鉛、酸化錫のいずれか、または、それらの２種もし
くは３種の混合酸化物を主成分としていることを特徴と
する請求項１記載の積層体 - 【請求項３】基材がプラスチックフィルムであることを
特徴とする請求項１および２記載の積層体 - 【請求項４】基材と金属薄膜層の間にハードコートが形
成されていることを特徴とする請求項１から３記載の積
層体 - 【請求項５】セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反対側
に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項１か
ら４記載の積層体
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12212197A JP3879178B2 (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 導電性低反射積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12212197A JP3879178B2 (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 導電性低反射積層体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10309778A true JPH10309778A (ja) | 1998-11-24 |
| JP3879178B2 JP3879178B2 (ja) | 2007-02-07 |
Family
ID=14828149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12212197A Expired - Fee Related JP3879178B2 (ja) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | 導電性低反射積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3879178B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1134207A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-09 | Oike Ind Co Ltd | 透明導電性フイルム |
| KR100491931B1 (ko) * | 2002-01-25 | 2005-05-30 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 반사 필름, 반사형 액정 표시소자 및 상기 반사 필름을형성하기 위한 스퍼터링 타겟 |
| JP2006063365A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Toyama Prefecture | 透明電極の作製方法 |
| JP2010058111A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-03-18 | 憲一 ▲高▼木 | コーティング方法及び該コーティング方法で表面処理したプラスティック製品 |
| CN104960266A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-10-07 | 苏州市大力电器有限公司 | 超声波液压阀耐腐蚀合金复合材料 |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP12212197A patent/JP3879178B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH1134207A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-09 | Oike Ind Co Ltd | 透明導電性フイルム |
| KR100491931B1 (ko) * | 2002-01-25 | 2005-05-30 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 반사 필름, 반사형 액정 표시소자 및 상기 반사 필름을형성하기 위한 스퍼터링 타겟 |
| JP2006063365A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Toyama Prefecture | 透明電極の作製方法 |
| JP4521565B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2010-08-11 | 富山県 | 透明電極膜 |
| JP2010058111A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-03-18 | 憲一 ▲高▼木 | コーティング方法及び該コーティング方法で表面処理したプラスティック製品 |
| CN104960266A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-10-07 | 苏州市大力电器有限公司 | 超声波液压阀耐腐蚀合金复合材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3879178B2 (ja) | 2007-02-07 |
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