JPH09128967A - メモリ基板電圧の供給制御回路 - Google Patents
メモリ基板電圧の供給制御回路Info
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Abstract
給する。 【解決手段】外部から印加されるロ−アドレスストロ−
ブ信号、電源電圧供給信号及びイネ−ブル信号により、
ハイレベルの基板電圧及びロ−レベルの基板電圧をそれ
ぞれ発生し、発生されたハイレベルの基板電圧をメモリ
セルに供給する第1、第2基板電圧発生手段100、並
びに外部から印加されるロ−アドレスストロ−ブ信号及
び第1乃至第4アドレス信号により、第1、第2基板電
圧発生手段からそれそれ発生されたハイレベルの基板電
圧及びロ−レベルの基板電圧をメモリ内部回路にそれぞ
れ供給するように、第1乃至第5制御信号をそれぞれ出
力する基板電圧供給制御手段200を備え、基板電圧供
給制御手段200からそれぞれ出力された第1乃至第5
信号により第1、第2基板電圧発生手段100でそれぞ
れ発生されたハイレベルの基板電圧及びロ−レベルの基
板電圧を選択してメモリの各回路に供給する。
Description
給制御回路に係り、さらに詳細にはメモリ内部に構成さ
れた基板電圧発生回路で発生されたレベルの異なる基板
電圧をメモリ内部に各回路に状態によりメモリの各回路
に供給し得るように制御してメモリ内部で消耗される電
力を減らし得るメモリの基板電圧供給制御回路に関す
る。
圧制御回路は外部から供給される電圧をインバ−ティン
グするインバ−タ−1と、前記インバ−タ1でインバ−
ティングされた電圧をインバ−ティングするインバ−タ
−2とより構成される。
圧VDD端子が連結され、ゲ−ト端子に外部入力電圧IV
ラインの連結されるPMOSトランジスタQ1と、ドレ
イン端子に前記PMOSトランジスタQ1のドレイン端
子に連結されて共通出力ラインOL1と連結され、ゲ−
ト端子に前記PMOSトランジスタQ1のゲ−ト端子が
連結され、ソ−ス端子に接地端子が連結されるNMOS
トランジスタQ2と、ソ−ス端子に電源電圧VDDが連結
され、ゲ−ト端子に前記共通出力ラインOL1が連結さ
れるPMOSトランジスタQ3と、ドレイン端子に前記
PMOSトランジスタQ3のドレイン端子が連結されて
共通出力ラインOL2と連結され、ゲ−ト端子に前記P
MOSトランジスタQ3のゲ−ト端子が連結され、ソ−
ス端子に前記接地端子が連結されるNMOSトランジス
タQ4とより構成される。
SトランジスタQ4はそれぞれロ−レベルのスレショル
ドを有するように形成され、前記NMOSトランジスタ
Q2及びPMOSトランジスタQ3はそれぞれハイレベ
ルのスレショルドを有するように形成される。
の従来の理想的な電圧供給制御回路は外部から供給され
る電圧IVを順次にインバ−ティングして電圧OVを出
力するインバ−タ−10乃至40と、外部制御信号CS
1によりスイッチングされて前記インバ−タ−20,4
0に電源電圧VDDをそれぞれ供給するPMOSトランジ
スタ50と、外部制御信号CS2によりスイッチングさ
れて前記インバ−タ−10,30の出力レベルを調整す
るNMOSトランジスタ60とより構成される。
圧VDD端子が連結され、ゲ−ト端子に外部入力電圧IV
ラインの連結されるPMOSトランジスタMP1と、ド
レイン端子に前記PMOSトランジスタMP1のドレイ
ン端子が連結されて共通出力ラインOL1と連結され、
ゲ−ト端子に前記PMOSトランジスタMP1のゲ−ト
端子が連結され、ソ−ス端子に前記NMOSトランジス
タ60のドレイン端子が連結されるNMOSトランジス
タMN1とより構成される。
PMOSトランジスタ50のドレイン端子が連結され、
ゲ−ト端子に前記インバ−タ−10の共通出力ラインO
L1が連結されるPMOSトランジスタMP2のドレイ
ン端子が連結されて共通出力ラインOL2と連結され、
ゲ−ト端子に前記PMOSトランジスタMP2のゲ−ト
端子が連結され、ソ−ス端子に接地端子が連結されるN
MOSトランジスタMN2とより構成される。
電圧VDDが連結され、ゲ−ト端子に前記インバ−タ−2
0の共通出力ラインOL2の連結されるPMOSトラン
ジスタMP3と、ドレイン端子に前記PMOSトランジ
スタMP3のドレイン端子の連結されて共通出力ライン
OL3S連結され、ゲ−ト端子に前記PMOSトランジ
スタMP3のゲ−ト端子が連結され、ソ−ス端子に前記
NMOSトランジスタMN1のドレイン端子が連結され
るNMOSトランジスタMN3とより構成される。
PMOSトランジスタMP2のソ−ス端子が連結され、
ゲ−ト端子に前記インバ−タ−30の共通出力ラインO
L3が連結されるPMOSトランジスタMP4と、ドレ
イン端子に前記PMOSトランジスタMP4のドレイン
端子が連結されて共通出力ラインOL4が連結され、ソ
−ス端子に接地端子が連結されるNMOSトランジスタ
MN4とより構成される。
4及びNMOSトランジスタMN1乃至MN4はそれぞ
れロ−レベルのスレショルドを有するように形成され
る。
基板電圧のレベル制御を説明するためのCMOS断面図
である。
はフィ−ルドオキシド、NG,NS,NDはそれぞれN
MOSのゲ−ト端子、ソ−ス端子、ドレイン端子であ
る。そして、PG、PS、PDはそれぞれPMOSのゲ
−ト端子、ソ−ス端子、ドレイン端子である。
供給制御回路の動作を説明すれば次の通りである。
供給制御回路の動作を説明すれば、スタンドバイ時外部
から印加されたロ−電圧IVが供給されるとインバ−タ
−1におけるPMOSトランジスタQ1及びNMOSト
ランジスタQ2はぞれぞれのゲ−ト端子にその供給され
たロ−電圧IVを印加されてそれぞれはタ−ンオン、タ
−ンオフされて共通出力ラインOL1を経てハイ電圧が
出力される。
OSトランジスタQ3及びNMOSトランジスタQ4は
それぞれのゲ−ト端子に前記インバ−タ−1の共通出力
ラインOL1を経て出力されたハイ電圧が共通印加され
てそれぞれタ−ンオフ、タ−ンオンされて前記インバ−
タ−2の共通出力ラインOL2を経てロ−電圧が出力さ
れる。
は前記した動作と反対に動作されて前記共通出力ライン
OL2を経てハイレベルの電圧0Vが出力される。
ベルのスレショルドを有するNMOSトランジスタQ2
及びPMOSトランジスタQ3はサブスレショルドの漏
れ電流を防ぐためにそれぞれタ−ンオフされ、前記ロ−
レベルのスレショルドを有するPMOSトランジスタQ
1及びNMOSトランジスタQ4はゲ−ト遅れを減らす
ためにそれぞれタ−ンオンされる。
電圧供給制御回路の動作を説明すればスタンドバイ状態
で外部からロ−レベルの電圧IVが供給され、回路外部
からハイレベルの制御信号CS1及びロ−レベルの制御
信号CS2が入力されるとPMOSトランジスタ50,
60はそれぞれのゲ−ト端子にその入力された制御信号
CS1,CS2が印加されてそれぞれタ−ンオフされ
る。
SトランジスタMP1及びNMOSトランジスタMN1
はそれぞれのゲ−ト端子に前記外部から供給されたロ−
電圧IVが共通印加されてそれぞれタ−ンオン、タ−ン
オフされて共通出力ラインOL1を経てハイ電圧を出力
する。
SトランジスタMP2及びNMOSトランジスタMN2
はぞれぞれのゲ−ト端子に前記インバ−タ−10の共通
出力ラインOL1を経て出力されたハイ電圧が共通印加
されてそれぞれタ−ンオフ、タ−ンオンされて共通出力
ラインOL2を経てロ−電圧を出力する。
MOSトランジスタMP3及びNMOSトランジスタM
N3はぞれぞれのゲ−ト端子にインバ−タ−20の共通
出力ラインOL2を経て出力されたロ−電圧が印加され
てそれぞれタ−ンオン、タ−ンオフされて共通出力ライ
ンOL3を経てハイ電圧が出力される。
SトランジスタMP4及びNMOSトランジスタMN4
はぞれぞれのゲ−ト端子に前記共通出力ラインOL3を
経て出力されたハイ電圧が印加されてそれぞれタ−ンオ
フ、タ−ンオンされて共通出力ラインOL4を経てロ−
電圧OVが出力される。
うにスタンドバイ状態でハイレベルのスレショルドを有
するトランジスタがタ−ンオフされるように基板電圧供
給回路を構成し難いので従来には図3に示されたように
外部基板電圧発生回路(図示せず)から供給される基板
電圧VBBのレベル制御を工程により制御した。
回路で供給される基板電圧のレベル制御を工程により制
御しなければならないことで該基板電圧の供給制御が非
常に難しく、その基板電圧の供給制御が非常に困難なの
でメモリ各回路を構成するMOSトランジスタのスレシ
ョルドの制御も非常に難しくてスタンドバイ状態でメモ
リ各部分にロ−レベルの基板電圧が印加される場合にお
いてメモリ各部分で電力が消耗される問題があった。
選択されなかった経路及び選択された経路に同じレベル
の基板電圧が供給される場合があってメモリ内部で電力
が消耗される問題があった。
メモリ内部に構成された基板電圧発生回路から発生され
たレベルが他の基板電圧をメモリ内部の各回路の状態に
よりメモリの各回路に供給されるように制御しメモリ内
部で消耗される電力を減らし得るメモリの基板電圧供給
制御回路を提供するにある。
するために外部から印加される外部から印加されるロ−
アドレスストロ−ブ信号、電源供給信号及びイネ−ブル
信号によりハイレベルの基板電圧及びロ−レベルの基板
電圧をそれぞれ発生し、その発生されたハイレベルの基
板電圧をメモリセルに供給する第1、第2基板電圧発生
手段と、外部から印加されるロ−アドレスストロ−ブ信
号及び第1乃至第4アドレス信号により前記第1、第2
基板電圧発生手段からそれぞれ発生されたハイレベルの
基板電圧及びロ−レベルの基板電圧をメモリ内部回路に
それぞれ供給されるように第1乃至第5制御信号をそれ
ぞれ出力する基板電圧供給制御手段と、前記基板電圧供
給制御手段からそれぞれ出力された第1乃至第5信号制
御信号により前記第1、第2基板電圧発生手段からそれ
ぞれ発生されたハイレベルの基板電圧及びロ−レベルの
基板電圧を選択してワ−ドラインドライバ、Xデコ−
ダ、Yデコ−ダ及びメモリ周辺回路にそれぞれ供給する
基板電圧選択手段とを含めて構成される。
明を詳細に説明する。
リの基板電圧供給制御回路は外部から印加されるロ−ア
ドレスストロ−ブ信号RASB、電源供給信号PWUP
及びイネ−ブル信号ENによりハイレベルの基板電圧の
絶対値(以下、ハイ基板電圧と略する)VBBH 及びロ−
レベルの基板電圧の絶対値(以下、ロ−基板電圧と略す
る)VBBL をそれぞれ発生し、該発生されたハイ基板電
圧VBBH をメモリセルMCに供給する基板電圧発生部1
00と、外部から印加される信号RASB及びアドレス
信号(Ai ,Aj )、(AiB,Aj )、(Ai ,AjB
)、(AiB ,AjB)により前記基板電圧発生部1
00からそれぞれ発生された基板電圧VBBH 、VBBL
をメモリ内部回路にそれぞれ供給されるように制御信号
CS1乃至CS5を出力する基板電圧供給制御部200
と、前記基板電圧供給制御部200から出力された制御
信号CS1乃至CS5より前記基板電圧発生部100か
らそれぞれ発生された基板電圧発生VBBH 、VBBL を
選択してワ−ドラインドライバWL、Xデコ−ダX、Y
デコ−ダY及びメモリ周辺回路Periにそれぞれ出力して
基板電圧選択部300とより構成される。
される信号PWUP、EN、RASBによりハイ基板電
圧VBBH を発生する基板電圧発生部101と外部から印
加される信号PWUP、EN、RASBによりロ−基板
電圧VBBL を発生する基板電圧発生部102とより構成
される。
入力される信号RASBを順にインバ−ティングして制
御信号CS1を出力するインバ−タ−201,202
と、前記インバ−タ−202から出力された制御信号C
S1により外部から入力されるアドレス信号(Ai ,A
j )、(AiB,Aj )、(Ai ,AjB )、(AiB
,AjB)をデコ−ディングして制御信号CS1乃至C
S4を出力するデコ−ダ203とより構成される。
制御部200から出力された制御信号CS1により前記
基板電圧発生部100からそれぞれ出力された基板電圧
VBBH 、VBBL 中のいずれか一つを選択してメモリ内
部の周辺回路Pery. に供給するマルチプレクサ301
と、前記基板電圧供給制御部200からそれぞれ出力さ
れた制御信号CS2乃至CS5により前記基板電圧発生
部100から発生された基板電圧VBBH 、VBBL 中の
いずれか一つを選択してワ−ドラインドライブWL、X
デコ−ダX及びYデコ−ダYにそれぞれ供給するマルチ
プレクサ302乃至305とより構成される。
で反転された信号をインバ−ティングするインバ−タ−
13と、前記インバ−タ−13で反転された信号及び外
部から入力されるアドレス信号Ai ,Aj をナンドリン
グするナンドゲ−ト14と、前記ナンドゲ−ト14から
出力された信号を順にインバ−ティングして制御信号C
S2を出力するインバ−タ−15,16と、前記インバ
−タ−13で反転された信号と外部から入力されるアド
レス信号AiB,Aj をナンドリングするナンドゲ−ト
17と、前記ナンドゲ−ト17から出力された信号を順
にインバ−ティングして制御信号CS3を出力するイン
バ−タ−18,19と、前記インバ−タ−13から出力
された信号と、外部から入力されるアドレス信号Ai ,
AjBをナンドリングするナンドゲ−ト20と、前記ナ
ンドゲ−ト20から出力された信号を順にイバ−ティン
グして制御信号CS4を出力するイバ−タ−21,22
と、インバ−タ−13から出力された信号と外部から入
力されるアドレス信号AiB ,AjBをナンドリングす
るナンドゲ−ト23と、前記ナンドケ−ト23から出力
された信号を順にインバ−ティングして制御信号CS5
を出力するインバ−タ−24,25とより構成される。
れぞれインバ−タ−IN1を経て位相の反転された前記
電圧供給制御部200から出力された制御信号及び前記
電圧供給制御部200から出力された制御信号CS1乃
至CS5により前記基板電源発生部100で発生された
基板電圧VBBH 、VBBL をそれぞれ伝送する伝送ゲ−
トTG1、TG2より構成される。
基板電圧発生器101の詳細回路図はバイアス電圧VP
、VN をそれぞれ発生するバイアス電圧発生器11
と、前記バイアス電圧発生器11から発生されたバイア
ス電圧VP をクランピングして一定のハイ電圧VBLH を
発生するクランピング電圧発生部21と、前記バイアス
電圧発生器11でそれぞれ発生されたバイアス電圧VP
、VN によりスタンドバイ及びアクチブ時発振する発
振信号OSC1を出力する発振器31と、前記発振器か
31ら発振された信号OSC1及び外部から印加される
イネ−ブル信号ENを論理演算し、該論理演算された信
号を前記クランピグ電圧発生器21から発生されたハイ
電圧によりポンピングしてハイ電圧VBLH にポンピング
して一定のハイ基板電圧VBBH を出力する電圧ポンピン
グ回路41と、外部から供給される信号RASB,PW
UPを論理演算する論理演算器51と、アクチブ時前記
論理演算器51から論理演算された信号により発振する
発振器61と、前記クランビング電圧発生器21から発
生された電圧VBLH により前記発振器61から発振され
た電圧をポンピングしてハイ基板電圧VBBH を出力する
電圧ポピング回路71とより構成される。
に電源電圧VDD端子が連結され、ゲ−ド端子に接地端子
が連結されるPMOSトランジスタPM1と、ドレイン
端子に前記PMOSトランジスタPM1のドレイン端子
が連結されて出力電圧VN ラインと連結され、ゲ−ト端
子に前記出力電圧VN ラインが連結され、ソ−ス端子に
接地端子が連結されるNMOSトランジスタNM1と、
ソ−ス端子に電源電圧端子VDDが連結され、ゲ−ト端子
が自分のドレイン端子に連結されて出力電圧VP ライン
と連結されるPMOSトランジスタPM2と、ドレイン
端子に前記PMOSトランジスタPM2のドレイン端子
が連結され、ゲ−ト端子に前記NMOSトランジスタN
M1のゲ−ト端子が連結され、ソ−ス端子に接地端子が
連結されるNMOSトランジスタNM2とより構成され
る。
子に電源電圧VDDが連結され、ゲ−ト端子に前記出力電
圧VP ラインが連結されるPMOSトランジスタPM3
と、ソ−ス端子に前記PMOSトランジスタPM3のド
レイン端子が連結されて出力電圧V1ラインと連結さ
れ、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連結されるPM
OSトランジスタPM4と、ドレイン端子に前記PMO
SトランジスタPM4のドレイン端子が連結されて出力
電圧V2ラインと連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイ
ン端子が連結されるNMOSトランジスタNM3と、ド
レイン端子に前記NMOSトランジスタNM3のソ−ス
端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連
結されるNMOSトランジスタNM4と、ドレイン端子
に前記NMOSトランジスタNM4のソ−ス端子が連結
され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連結されるN
MOSトランジスタNM5と、ドレイン端子に前記NM
OSトランジスタNM5のソ−ス端子が連結され、ゲ−
ト端子に自分のドレイン端子が連結されるNMOSトラ
ンジスタNM6と、ドレイン端子に前記NMOSトラン
ジスタNM6のソ−ス端子が連結され、ゲ−ト端子に自
分のドレイン端子が連結されるNMOSトランジスタN
M7と、ドレイン端子に前記NMOSトランジスタNM
7のソ−ス端子が連結されゲ−ト端子に自分のドレイン
端子が連結され、ソ−ス端子に接地端子が連結されるN
MOSトランジスタNM8と、ドレンイン端子に電源電
圧端子VDDが連結され、ゲ−ト端子に前記出力電圧V1
ラインが連結されるNMOSトランジスタNM9と、ソ
−ス端子に前記NMOSトランジスタNM9のソ−ス端
子が連結されて出力電圧VBLH ラインが連結されゲ−ト
端子に前記出力電圧V2ラインの連結されるPMOSト
ランジスタPM5と、一側端子に前記PMOSトランジ
スタPM5のソ−ス端子が連結され、多側端子に接地端
子が連結される抵抗R1と、前記出力電圧VBLH ライン
と接地端子との間に並列に連結されるキャパシタ−C1
と、ソ−ス端子に電源電圧VDD端子が連結され、ゲ−ト
端子に前記出力電圧VP のラインが連結され、ドレイン
端子に前記出力電圧VBLH ラインが連結されるPMOS
トランジスタPM6とより構成される。
11から発生された電圧VP により入力される信号OS
C1をインバ−ティングするインバ−タ−I1と、前記
バイアス電圧発生器11から発生された電圧VN により
前記インバ−タ−11でインバ−ティングされた信号を
インバ−ティングするインバ−タ−I2と、前記バイア
ス電圧発生器11から発生された電圧VP により前記イ
ンバ−タ−12で反転された信号をインバ−ティングす
るインバ−タ−I3と、前記バイアス電圧発生器11か
ら発生された電圧VN により前記インバ−タ−I3でイ
バ−ティングされた信号をインバ−ティングするインバ
−タ−I4と、前記バイアス電圧発生器11から発生さ
れた電圧VP により前記インバ−タ−I4で反転された
信号をインバ−ティングするインバ−タ−I5と、前記
バイアス電圧発生器11から発生された電圧VN により
前記インバ−タ−I5でイバ−ティングされた信号をイ
ンバ−ティングするインバ−タ−I6と、前記バイアス
電圧発生器11から発生された電圧VP により前記イン
バ−タ−I6で反転された信号をインバ−ティングする
インバ−タ−I7と、前記バイアス電圧発生器11から
発生された電圧VNにより前記インバ−タ−I7でイバ
−ティングされた信号をインバ−ティングするインバ−
タ−I8と、前記バイアス電圧発生器11から発生され
た電圧VP により前記インバ−タ−I8で反転された信
号をインバ−ティングするインバ−タ−I9とより構成
される。
子に前記発振器31の出力信号OSC1ラインが連結さ
れ、他側入力端子に外部入力信号ENラインが連結され
るナンドゲ−トMD1と、入力端子に前記ナンドゲ−ト
MD1の出力端子が連結されるインバ−タ−I10と、
ドレイン端子に前記クランピング電圧発生器21の出力
電圧VBLH ラインが連結され、ゲ−ト端子に自分のソ−
ス端子が連結されるNMOSトランジスタNM10と、
ドレイン端子に前記NMOSトランジスタNM10のの
ドレイン端子が連結されて自分のゲ−ト端子と連結さ
れ、ソ−ス端子に前記NMOSトランジスタNM10の
ソ−ス端子が連結されるNMOSトランジスタNM11
と、ドレイン端子に前記ナンドゲ−トND1の出力端子
が連結され、ゲ−ト端子に前記NMOSトランジスタN
M10,NM11のソ−ス端子が共通連結されるNMO
SトランジスタNM12と、ドレイン端子に前記インバ
−タ−I10の出力端子が連結され、ゲ−ト端子に前記
NMOSトランジスタNM12のゲ−ト端子が連結され
るNMOSトランジスタNM13と、ゲ−ト端子に前記
NMOSトランジスタNM12のソ−ス端子が連結され
るMOSキャパシタ−MC1と、ゲ−ト端子に前記NM
OSトランジスタNM13のソ−ス端子が連結されるM
OSキャパシタ−MC2と、ドレイン端子に前記MOS
キャパシタ−MC1のドレイン−ス端子が連結され、ゲ
−ト端子に自分のドレイン端子が連結され、ソ−ス端子
に接地端子が連結されるNMOSトランジスタNM14
と、ドレイン端子に前記MOSキャパシタ−MC2のド
レインソ−ス端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレ
イン端子が連結され、ソ−ス端子に接地端子が連結され
るNM0SトランジスタNM15と、ドレイン端子に前
記NMOSトランジスタNM15のドレイン端子が連結
され、ゲ−ト端子に前記NMOSトランジスタNM14
のゲ−ト端子が連結されるNM0SトランジスタNM1
6と、ドレイン端子に前記NMOSトランジスタNM1
6のゲ−ト端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のソ−ス
端子が連結されるNMOSトランジスタNM17と、ド
レイン端子に前記NMOSトランジスタNM15のゲ−
ト端子が連結され、ゲ−ト端子に前記NMOSトランジ
スタNM16のソ−ス端子が連結され、ソ−ス端子に自
分のゲ−ト端子が連結されて出力電圧VBBH ラインと連
結されるNMOSトランジスタNM18とより構成され
る。
信号RASBと、インバ−タ−I11を経て位相の反転
された信号をナンドリングするナンドゲ−トND2と、
前記ナンドゲ−トND2から出力された信号を順にイン
バ−ティングするインバ−タ−I12、I13とより構
成される。
された信号とフィ−ドバックされて入力された信号をナ
ンドリングするナンドゲ−トND3と、前記ナンドゲ−
トND3から出力された信号を順にインバ−ティングし
て前記ナンドゲ−トND3に出力するインバ−タ−I1
4乃至I15と、前記インバ−タ−I15から出力され
た信号をインバ−ティングするインバ−タ−I16とよ
り構成される。
から出力された信号を順にインバ−ティングするインバ
−タ−I17乃至I21と、ドレイン端子に前記クラン
ピング電圧発生器21の出力電圧VBLH ラインが連結さ
れ、ゲ−ト端子に自分ソ−ス端子が連結されるNMOS
トランジスタNM19と、ドレイン端子に前記NMOS
トランジスタNM19のドレイン端子が連結され、ゲ−
ト端子に自分のドレイン端子が連結され、ソ−ス端子に
前記NMOSトランジスタNM19のソ−ス端子が連結
されるNMOSトランジスタNM20と、ドレイン端子
に前記インバ−タ−I21の出力端子が連結され、ゲ−
ト端子に前記NMOSトランジスタNM19,NM20
のソ−ス端子が共通連結されるNMOSトランジスタN
M21と、ゲ−ト端子に前記NMOSトランジスタNM
21のソ−ス端子が連結されるMOSキャパシタ−MC
3と、ドレイン端子に前記MOSキャパシタ−MC3の
ドレインソ−ス端子か連結され、ゲ−ト端子に自分のド
レイン端子が連結され、ソ−ス端子に接地端子が連結さ
れるNMOSトランジスタNM22と、ドレイン端子に
前記NMOSトランジスタNM22のドレイン端子が連
結され、ゲ−ト端子に自分のソ−ス端子が連結されるN
MOSトランジスタNM23と、前記NMOSトランジ
スタNM23のゲ−ト端子と接地端子との間に並列に連
結されて前記出力電圧VBBH ラインが連結されるMOS
キャパシタ−MC4とより構成される。
基板電圧発生器102の詳細回路図はバイアス電圧VP
、VNをそれぞれ発生するバイアス電圧発生器12と前
記バイアス電圧発生器12から初性されたバイアス電圧
VP をクランピングして一定の一定のロ−電圧VBLL を
発生するクランピング電圧発生部22と、前記バイアス
電圧発生器12でそれぞ発生されたバイアス電圧VP 、
VN によりスタンドバイ及びアクチブ時発振して発振信
号OSC1を出力する発振器32と、前記発振器か32
ら発振された信号OSC1及び外部から印加されるイネ
−ブル信号ENを論理演算し、該論理演算された信号を
前記クランピグ電圧発生器22から発生されたロ−電圧
VBLL によりポンピングして一定のロ−基板電圧VBBL
を出力する電圧ポンピング回路42と、外部から供給さ
れる信号RASB,PWUPを論理演算する論理演算器
52と、アクチブ時前記論理演算器52から論理演算さ
れた信号により発振する発振器62と、前記クランビン
グ電圧発生器22から発生された電圧VBLL により前記
発振器62から発振された電圧をポンピングして一定の
ロ−基板電圧VBBL を出力する電圧ポピング回路72と
より構成される。
子に電源電圧VDDが連結され、ゲ−ト端子に前記出力電
圧VP ラインが連結されるPMOSトランジスタQ1
と、ソ−ス端子に前記PMOSトランジスタQ1のドレ
イン端子が連結されて出力電圧V3ラインと連結され、
ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連結されるPMOS
トランジスタQ2と、ドレイン端子に前記PMOSトラ
ンジスタQ2のドレイン端子が連結されて出力電圧V4
ラインと連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が
連結されるNMOSトランジスタQ3と、ドレイン端子
に前記NMOSトランジスタQ3のソ−ス端子が連結さ
れ、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連結されるNM
OSトランジスタQ4と、ドレイン端子に前記NMOS
トランジスタQ4のソ−ス端子が連結され、ゲ−ト端子
に自分のドレイン端子が連結されるNMOSトランジス
タQ5と、ドレイン端子に電源電圧VDD端子が連結さ
れ、ゲ−ト端子に前記出力電圧V3ラインの連結される
NMOSトランジスタQ6と、ソ−ス端子に前記NMO
SトランジスタQ6のソ−ス端子が連結され出力電圧V
BLL ラインが連結され、ゲ−ト端子に前記出力電圧V4
ラインの連結されるPMOSトランジスタQ7と、一側
端子に前記PMOSトランジスタQ7のソ−ス端子が連
結され、多側端子に接地端子が連結される抵抗Rと、前
記出力電圧VBLLラインと接地端子との間に並列に連結
されるキャパシタ−Cと、ソ−ス端子に電源電圧VDD端
子が連結され、ゲ−ト端子に前記出力電圧VP のライン
が連結され、ドレイン端子に前記出力電圧VBLL ライン
が連結されるPMOSトランジスタQ8とより構成され
る。
の構成は既に説明した基板電圧発生器101と同様なの
で同一符号を付け、残りの構成の説明は省略する。
記図5及び図6に示された発振器31,32における各
インバ−タ−I1乃至I9の詳細回路図において、前記
各インバ−タ−I1、I3、I5、I7、I9はそれぞ
れのソ−ス端子に電源電圧VDD端子が連結され、ゲ−ト
端子に前記バイアス電圧発生器11で発生されたバイア
ス電圧VP ラインの連結されるPMOSトランジスタP
M7と、ソ−ス端子に前記PMOSトランジスタPM7
のドレイン端子が連結され、ゲ−ト端子に前記インバ−
タ−I9、I2、I4、I6、I8のそれぞれの出力ラ
インの連結されるPMOSトランジスタPM8と、、ド
レイン端子に前記PMOSトランジスタPM8のドレイ
ン端子が連結されて出力ラインと連結され、ゲ−ト端子
に前記PMOSトランジスタPM8のゲ−ト端子が連結
され、ソ−ス端子に接地端子が連結されるNMOSトラ
ンジスタNM24とより構成される。
れはソ−ス端子に電源電圧VDD端子が連結され、ゲ−ト
端子に前記インバ−タ−I11,I13,I15,1I
7のそれぞれの出力ラインが連結されるPMOSトラン
ジスタPM9と、ドレイン端子に前記PMOSトランジ
スタPM9のドレイン端子が連結されて出力ラインと連
結され、ゲ−ト端子に前記PMOSトランジスタPM9
のゲ−ト端子が連結されるNMOSトランジスタNM2
5とドレイン端子に前記NMOSトランジスタNM25
のソ−ス端子が連結されゲ−ト端子に前記バイアス電圧
発生器11から発声された電圧Vラインが連結され、ソ
−ス端子に接地端子が連結されるNMOSトランジスタ
NM26とより構成される。
の基板電圧供給制御回路の動作を図9を参照して詳細に
説明すれば次の通りである。
おけるバイアス電圧発生器11のPMOSトランジスタ
PM1はゲ−ト端子に常に印加される接地電圧によりタ
−ンオンされ、そのタ−ンオンによりNMOSトランジ
スタNM1、NM2のぞれぞれのゲ−ト端子にハイ電圧
が共通印加されて前記NMOSトランジスタNM1、N
M2はれぞれタ−ンオンされ、前記PMOSトランジス
タPM1のドレイン端子及び前記NMOSトランジスタ
NM1のドレイン端子に共通出力ラインを経てロ−レベ
ルのバイアス電圧VN が出力される。
がタ−ンオンされることによりPMOSトランジスタP
M2のゲ−ト端子にロ−電圧が印加されるので前記PM
OSトランジスタPM2はタ−ンオンされると共に前記
PMOSトランジスタPM2のゲ−ト端子に連結された
出力ラインを経てロ−レベルのバイアス電圧VP が出力
される。
におけるPMOSトランジスタPM3はゲ−ト端子に前
記バイアス電圧発生器11における出力ラインを経て出
力されたロ−電圧VP が印加されてタ−ンオンされて図
5に示されたノ−ドN1には電源電圧VDDでそのPMO
SトランジスタPM3のスレショルドを除いた電圧V1
がかかる。
ト端子にノ−ドN2にかかったロ−電圧が印加されてタ
−ンオンされるのでそのノ−ドN2には前記ノ−ドN1
にかかった電圧でそのPMOSトランジスタPM4のス
レショルドを除いた電圧V2、即ち、NMOSトランジ
スタNM3乃至NM8のスレショルドを加えた電圧V2
がかかてNMOSトランジスタNM3乃至NM8は順に
タ−ンオンされる。
はゲ−ト端子に前記ノ−ドN1にかかった電圧V1が印
加されてタ−ンオンされ、PMOSトランジスタPM5
はゲ−ト端子に前記ノ−ドN2にかかた電圧V2が印加
されてタ−ンオフされる。
ト端子に前記PMOSトランジスタPM3のゲ−ト端子
に印加されたロ−電圧VP が印加されてタ−ンオンされ
る。
のソ−ス端子にかかったハイ電圧及びPMOSトランジ
スタPM6のドレイン端子にかかったハイ電圧はキャパ
シタ−C1に充電された後出力ラインを経てハイ電圧V
BLH として出力される。
おけるPMOSトランジスタPM7はゲ−ト端子に前記
バイアス電圧発生器11におけるPMOSトランジスタ
PM12のゲ−ト端子にかかったロ−電圧VP が印加さ
れてタ−ンオンされ、PMOSトランジスタPM8及び
NMOSトランジスタNM24にそれぞれのゲ−ト端子
にはインバ−タ−I9から印加されたロ−電圧が印加さ
れてそれぞれタ−ンオン、タ−ンオフされてインバ−タ
−I1の出力ラインを経てハイ電圧が出力される。
I2におけるPMOSトランジスタPM9及びNMOS
トランジスタNM25はそれぞれのゲ−ト端子に前記イ
ンバ−タ−I1の出力ラインを経て出力ハイ電圧が印加
されてそれぞれタ−ンオフ、タ−ンされ、NMOSトラ
ンジスタMN26はゲ−ト端子に前記バイアス電圧発生
器11における出力ラインを経て出力されたロ−電圧V
N が印加されてタ−ンオフされて前記PMOSトランジ
スタPM9及びNMOSトランジスタNM25の共通出
力ラインを経てロ−電圧が出力される。
3乃至I9は入力電圧を順にインバ−テイングしてイン
バ−タ−I9の出力端子を経てハイ電圧が出力され、そ
の出力されたハイ電圧は再びインバ−タ−I1の入力端
子にフィ−ドバックされて前記インバ−タ−I1乃至I
9は既に説明した動作を繰り返すようになる。
経てハイ電圧、ロ−電圧が順に出力される。以後、図9
(B)に示されたハイレベルの電源供給信号PWUPが
入力されて電源供給状態になると、前記電圧ポンピグ回
路41におけるナンドゲ−トND1は一側入力端子に前
記発振器31におけるインバ−タ−I9の出力電圧と図
9(C)に示されたハイレベルのイネ−ブル電圧(2
N)をナンドリングするようになる。
電圧がロ−レベルの場合、前記ナンドゲ−トND1は入
力されたハイ電圧(2N)及びロホ電圧をナンドリング
してハイ電圧を出力し、該出力されたハイ電圧はインバ
−タ−I10を経て反転されてロ−電圧として出力され
る。
−ト端子に前記クランピング電圧発生器21から出力さ
れたハイ電圧VBLH が印加されてタ−ンオンされ、その
タ−ンオンに応じてNMOSトランジスタNM10はゲ
−ト端子にハイ電圧が印加されてタ−ンオンされるので
前記NMOSトランジスタNM11、NM12のソ−ス
端子にはハイ電圧がかかる。
2、NM13はそれぞれのゲ−ト端子に前記NMOSト
ランジスタNM11、NM12のソ−ス端子にかかった
ハイ電圧が共通印加されてそれぞれタ−ンオンされる。
13がそれぞれタ−ンオンされるによりMOSキャバシ
タ−MC1、MC2のそれぞれのゲ−ト端子にハイ電
圧、ロ−電圧が印加されて前記モMOSキャバシタ−M
C1、MC2のぞそれのドレインソ−ス端子にはハイ電
圧、ロ−電圧がそれぞれかかる。
ゲ−ト端子に前記MOSキャパシタ−MC1のドレイン
ソ−ス端子にかかったハイ電圧によりタ−ンオンされ、
NMOSトランジスタNM16は前記NMOSトランジ
スタNM14がタ−ンオンされるに従ってゲ−ト端子に
−電圧が印加されてタ−ンオフされる。
−ンオフされることによりNMOSトランジスタNM1
8のゲ−ト端子にロ−電圧が印加されてNMOSトラン
ジスタNM18はタ−ンオフされ、そのNMOSトラン
ジスタNM18のタ−ンオフにより前記MOSキャパシ
タ−MC2にドレインソ−ス端子にかかったロ−電圧が
NMOSトランジスタNM15のゲ−ト端子に印加され
てNMOSトランジスタNM15はタ−ンオフされる。
タ−ンオンされるに従ってNMOSトランジスタNM1
7のゲ−ト端子にロ−電圧が印加されNMOSトランジ
スタNM17はタ−ンオフされる。
ハイレベルの場合、前記ナンドゲ−トND1はそれぞれ
入力ハイ電圧をナンドリングしてロ−電圧を出力し、そ
の出力されたロ−電圧をインバ−タ−I10を経て反転
されてハイ電圧として出力される。
MC2のそれぞれのゲ−ト端子にロ−電圧、ハイ電圧が
印加されて前記MOSキャパシタ−MC1、MC2のそ
れぞれのドレインソ−ス端子にはロ−電圧、ハイ電圧が
それぞれかかる。
M14、NM16はそれぞれのゲ−ト端子に前記MOS
キャパシタ−MC1のドレインソ−ス端子にかかったロ
−電圧によりそれぞれタ−ンオフされ、そのNMOSト
ランジスタNM16がタ−ンオフされるにより前記NM
OSトランジスタNM18のゲ−ト端子にロ−電圧が印
加されてNMOSトランジスタNM18はタ−ンオフさ
れ、該NMOSトランジスタNM18のタ−ンオフによ
り前記MOSキャパシタ−MC2のドレインソ−ス端子
にかかったハイ電圧がNMOSトランジスタNM15の
ゲ−ト端子に印加されてNMOSトランジスタNM15
はタ−ンオンされる。 そして、前記NMOSトランジ
スタNM18がタ−ンオフされるによりNMOSトラン
ジスタNM17のゲ−ト端子にロ−電圧が印加されてN
MOSトランジスタNM17はタ−ンオフされる。
OWER−UP)時論理演算部51におけるナンドゲ−
トND2は一側入力端子に外部から供給されるハイ電圧
RASB及び他側入力端子にインバ−タI11により位
相の反転されたロ−電圧PWUPがそれぞれ印加されて
ナンドリングしてハイ電圧を出力し、そり出力されたハ
イ電圧はインバ−タ−I12,I13を順に経てハイ電
圧として出力される。
−トND3は一側入力端子に前記インバ−タ−I13を
経て出力されたハイ電圧が印加され、他側入力端子にイ
ンバ−タ−I10から出力されたロ−電圧が印加されて
ナンドリングしてハイ電圧を出力し、その出力されたハ
イ電圧はインバ−タ−I14,I15を順に経てハイ電
圧として出力される。
されたハイ電圧は再びフィ−ドバックされてナンドゲ−
トND3の他側入力端子に印加される。
力端子に印加されたハイ電圧と、他側入力端子に印加さ
れたハイ電圧をナンドリンクしてロ−電圧を出力し、そ
の出力されたロ−電圧は前記インバ−タ−I14、I1
5を順に経てロ−電圧として出力される。
ルはハイレベル又はロ−レベルに順に変換され、該変換
によりインバ−タ−I16の出力レベルもロ−レベル又
はハイレベルに順に変換される。
出力がロ−電圧であればそのロ−電圧は電圧ポンピグ7
1におけるインバ−タ−I17乃至I21を順に経てハ
イ電圧として出力される。
−ト端子に前記クランピング電圧発生器21の出力ライ
ンを経て、出力されたハイ電圧VBLが印加されてタ−ン
オンされ、そのタ−ンオンによりNMOSトランジスタ
NM19はゲ−ト端子にハイ電圧が印加されてタ−ンオ
ンされてと前記NMOSトランジスタNM19、NM2
0のソ−ス端子にはハイ電圧がかかる。
ゲ−ト端子に前記NMOSトランジスタNM19、NM
20のソ−ス端子にかかったハイ電圧を受けてタ−ンオ
ンされ、そのタ−ンオンにより前記インバ−タ−I21
の出力端子にかかったハイ電圧はNMOSトランジスタ
NM21を経てMOSキャパシタ−MC3のゲ−ト端子
に印加される。
レインソ−ス端子にハイ電圧がかかってNMOSトラン
ジスタNM22のゲ−ト端子に印加されてNMOSトラ
ンジスタNM22はタ−ンオンされ、NMOSトランジ
スタNM24は自分のソ−ス端子にかかったロ−電圧に
よりタ−ンオフされる。
イ電圧なら該ハイ電圧は電圧ポピング回路71における
インバ−タ−I17乃至I21を順に経てロ−電圧とし
て出力され、その出力されたロ−電圧はNMOSトラン
ジスタNM21を経てMOSキャパシタ−MC3のゲ−
ト端子に印加される。
ドレインソ−ス端子にロ−電圧がかかってNMOSトラ
ンジスタNM22のゲ−ト端子に印加されたNMOSト
ランジスタNM22はタ−ンオフされ、前記NMOSト
ランジスタNM23は自分のソ−ス端子に印加されたロ
−電圧によりタ−ンオフされるので、図5に示された出
力ラインOUT1を経てハイ基板電圧VBBN が出力され
る。
すれば、まずバイアス電圧発生器12は前記バイアス電
圧発生器11の動作でのようにロ−電圧VP ,VN をそ
れぞれ出力する。
におけるPMOSトランジスタQ1はゲ−ト端子に前記
バイアス電圧発生器12から出力されたロ−電圧VP を
印加されてタ−ンオンされ、そのタ−ンオンによりノ−
ドN1には電源電圧VDDから自分のスレショルド電圧を
除く電圧V3がかかる。
ト端子に自分のドレイン端子にかかるロ−電圧を印加さ
れてタ−ンオンされてそのノ−ドN2には前記ノ−ドN
1の電圧から自分の電圧を除いた電圧V4、即ち、NM
OSトランジスタQ3−Q5のスレショルド電圧を加え
た電圧V4がかかる。
ドレイイソ−ス端子にロ−電圧がかかってNMOSトラ
ンジスタNM22のゲ−ト端子に印加されてNMOSト
ランジスタNM22はタ−ンオフされ、前記NMOSト
ランジスタNM23は自分のソ−ス端子にかかったロ−
電圧によりタ−ンオフされるので図5に示された出力さ
れた出力ラインOUT1を経てハイ基板電圧VBBH が出
力される。
すれば、先ずバイアス電圧発生器12は前記バイアス電
圧発生器11の動作のようにロ−電圧VP 、VN をそれ
ぞれ出力する。
におけるPMOSトランジスタQ1はゲ−ト端子に前記
バイアス電圧発生器12から出力されたロ−電圧VP が
印加されてタ−ンオンされ、そのタ−ンオンによりノ−
ドN1には電源電圧VDDで自分のスレショルドを引いた
電圧V3がかかる。
ト端子に自分のドレイン端子にかかったロ−電圧が印加
されてタ−ンオンされてそのノ−ドN2には前記ノ−ド
N1の電圧で自分のスレショルドを引いた電圧V4即
ち、NMOSトランジスタQ3乃至Q5のスレショルド
を加えた電圧V4がかかる。
ノ−ドN1の電圧V3によりタ−ンオンされ、PMOS
トランジスタQ7は前記ノ−ドN2の電圧V4によりタ
−ンオンされて出力ラインを経てロ−電圧VBLL が出力
される。
るNMOSトランジスタNM11はゲ−ト端子に前記ク
ランピング電圧発生器22から出力されるロ−電圧VBL
L が印加されてタ−ンオフされ、そのタ−ンオフにより
NMOSトランジスタNM10はゲ−ト端子にロ−電圧
が印加されてタ−ンオフされる。
NM13のそれぞれのゲ−ト端子にロ−電圧が共通印加
されてnNM12,NM13はそれぞれタ−ンオフされ
る。
NMOSトランジスタNM20はゲ−ト端子に前記クラ
ンピング電圧発生器22から出力されたロ−電圧VBLL
が印加されてタ−ンオフされ、該タ−ンオフによりNM
OSトランジスタNM19のゲ−ト端子にロ−電圧が印
加されてNMOSトランジスタNM19はタ−ンオフさ
れる。
ゲ−ト端子にロ−電圧が印加されてタ−ンオフされるの
で出力ラインOUT2を経てロ−基板電圧VBLL が出力
される。
インバ−タ−201は図9(A)に示されたハイ信号R
ASBが印加されてインバ−ティングしてロ−信号とし
て出力し、その出力されたロ−信号はインバ−タ−20
2を経てインバ−ティングされてハイ信号CS1として
出力される。
れたハイ信号CS1はインバ−タ−13を経てロ−信号
に反転されてナンドゲ−ト14,17,20,23の各
第1側入力端子に印加される。
2、第3側入力端子に外部から入力されるロ−レベルの
アドレス信号Ai ,Aj が印加されて前記第1側入力端
子に印加されたロ−信号とナンドリングしてハイ信号を
出力し、その出力されたハイ信号はインバ−タ−15,
16を順に経てハイ信号CS2として出力される。
3側入力端子に外部から入力されるハイレベルのアドレ
ス信号AiB及びロ−レベルのアドレス信号Aj が印加
されて前記第1側入力端子に印加されたロ−信号はナン
ドリングしてハイ信号を出力し、その出力されたハイ信
号はインバ−タ−18,19を順に経てハイ信号CS3
として出力として出力される。
3側入力端子に外部から入力されるロ−レベルのアドレ
ス信号Ai 及びハイレベルのアドレス信号AjBが印加
されて前記第1側入力端子に印加されたロ−信号とナン
ドリングしてハイ信号を出力し、その出力されたハイ信
号はインバ−タ−21,22を順に経てハイ信号CS4
として出力される。
3側入力端子に外部から入力されるハイレベルのアドレ
ス信号AiB及びハイレベルのアドレス信号AjBが印加
されて前記第1側入力端子に印加されたロ−信号はナン
ドリングしてハイ信号を出力し、その出力されたハイ信
号はインバ−タ−24,25を順に経てハイ信号CS5
として出力される。
伝送ゲ−トTG1はPMOS端子にインバ−タ−IN1
を経てロ−信号に反転された信号及びNMOS端子に前
記インバ−タ−202から出力されたCS1が印加され
てタ−ンオンされて前記基板テン圧発生器101から出
力されたハイ基板出圧VBBH をメモリ周辺回路pery.に
供給するようになる。
は前記インバ−タ−16,19,22,25からそれぞ
れ出力されたハイ信号CS2乃至CS5がそれぞれ印加
され前記マノルチプレクサ301のように動作して前記
基板電圧発生器101から発生されたハイ基板電圧VBB
H をワ−ドラインW/L、Xデコ−ダX及びYデ−コダ
Yに供給する。
圧発生器101におけるバイアス電圧発生器101、ク
ランピング電圧発生器21及び発振器31の動作は既に
説明した通りなので説明は省く。
端子に図9(B)に示されたロ−レベルのイネ−ブル信
号ENが印加され前記発振器31でのインバ−タ−19
り出力レベルに係わることなく、ハイ電圧を出力し、そ
り出力によりNMOSトランジスタNM11乃至NM1
9及びMOSキャパシタ−MC1、MC2の動作は既に
説明したものと同一なので説明は省く。
端子に外部から供給されるハイ電圧RASB及び他側入
力端子にインバ−タ−I11を位相の反転されたハイ電
圧PWUPがそれぞれ印加されてナンドリングしてロ−
電圧を出力し、その出力されたロ−電圧はインバ−タ−
I12,I13を順に経てロ−電圧に出力される。
トND3は一側端子に前記インバ−タ−I13を経て出
力されたロ−電圧が印加され、他側入力端子に入力され
る電圧に係わらず果て胃電圧を出力し、該出力されたハ
イ電圧はインバ−タ−I14、I15を順に経てハイ電
圧として出力される。
されたハイ電圧は再びフィ−ドバックされてナンドゲ−
トND3の他側入力端子に印加される。
子に印加されたロ−電圧と他側入力端子に印加されたハ
イ電圧をナンドリングしてロ−電圧を出力し、該出力さ
れたロ−電圧は前記インバ−タ−I14,I15を順に
経てロ−電圧として出力される。
ルは続いてロ−レベルに保たれ、前記インバ−タ−I1
6の出力レベルもロ−レベルに保たれ電圧ポンピング回
路71に印加されるので前記電圧ポンピング回路71は
既に説明されたように動作するので出力ラインOUT1
を経てハイ基板電圧VBBH が出力される。
説明したように動作するので出力ラインOUT2を経て
ロ−基板電圧VBBL が出力される。
01は図9の(A)に示されたハイ信号RASBを印加
され続けるので基板電圧供給制御部200及び基板電圧
選択部300の動作は既に説明したものと同一なので詳
細な説明は省略する。
と、前記基板電圧発生器101、102の既に説明した
ようにハイ基板電圧VBBH 及びロ−基板電圧VBBL をそ
れぞれ出力する。
−タ201は図9Aに示したロ−信号RASBを印加さ
れてインバ−ティングしてハイ信号として出力し、その
出力されたハイ信号はインバ−タ202を経てインバ−
ティングされてロ−信号CS1として出力される。
れたロ−信号CS1はインバ−タ13を経てハイ信号に
反転されてゲ−ト14,17,20,23の各第1側入
力端子に印加される。
3側入力端子に外部から入力されるロ−レベルのアドレ
ス信号Ai ,Aj を印加されさて前記第1側入力端子に
印加されたハイ信号とナンドリングしてハイ信号を出力
し、その出力されたハイ信号はインバ−タ15,16を
通して順次経てハイ信号CS2として出力される。
3側入力端子に外部から入力されるハイレベルのアドレ
ス信号Ai B及びロ−レベルのアドレス信号Aj を印加
されて前記第1側入力端子に印加されたハイ信号とナン
ドリングしてハイ信号を出力し、その出力されたハイ信
号はインバ−タ18,19を順次経てハイ信号CS3と
して出力される。
3側入力端子に外部から入力されるロ−レベルのアドレ
ス信号Ai 及びハイベルのアドレス信号Aj Bを印加さ
れて前記第1側入力端子に印加されたハイ信号とナンド
リングしてハイ信号出力し、その出力されたハイ信号は
インバ−タ21,22を順次経てハイ信号CS4として
出力される。
3側入力端子に外部から入力されるハイレベルのアドレ
ス信号Ai B,Aj Bを印加されて前記第1側入力端子
に印加されたハイ信号とナンドリングしてロ−信号を出
力し、その出力されたロ−信号はインバ−タ24,25
を順次経てロ−信号CS5として出力される。
る伝送ゲ−トTG2はNMOS端子にインバ−タIN1
を経て反転されたハイ信号及びPMOS端子に前記イン
バ−タ202から出力されたロ−信号CS1を印加され
てタ−ンオンされて前記基板電圧発生器102から出力
された基板電圧VBBH をメモリ周辺回路peri.に供
給するようになる。
4は前記インバ−タ16,19,22からそれぞれ出力
されたハイ信号CS2−CS4をそれぞれ印加されて前
記基板電圧発生器101から発生されたハイ基板電圧V
BBH をワ−ドラインW/L、アクセスデコ−ダX及びY
デコ−ダYに供給する。
ンバ−タ25からそれぞれ出力されたロ−信号CS5を
印加されて前記基板電圧発生器102から発生されたロ
−基板電圧VBBH をワ−ドラインW/L、アクセスデコ
−ダX及びYデコ−ダYに供給するようになる。
よるメモリの基板電圧の供給制御回路は基板電圧発生回
路をメモリの内部に構成してメモリの状態によりレベル
の異なる基板電圧をメモリ各回路に供給することによ
り、メモリ内部回路に使われる電力を減少させることが
でき、アクチィブ状態でデコ−ディングするとき、デコ
−ディングされない経路にハイ基板電圧を供給し、デコ
−ディングされる経路にはロ−基板電圧を供給すること
により、メモリ内部回路の消費電力を減少させることが
できる。
ある。
御を説明するための工程図である。
である。
入出力波形図である。
Claims (17)
- 【請求項1】 外部から印加されるロ−アドレスストロ
−ブ信号、電源供給信号及びイネ−ブル信号によりハイ
レベルの基板電圧及びロ−レベルの基板電圧をそれぞれ
発生し、その発生されたハイレベルの基板電圧をメモリ
セルに供給する第1、第2基板電圧発生手段と、 外部から印加されるロ−アドレスストロ−ブ信号及び第
1乃至第4アドレス信号により前記第1、第2基板電圧
発生手段からそれぞれ発生されたハイレベルの基板電圧
及びロ−レベルの基板電圧をメモリ内部回路にそれぞれ
供給されるように第1乃至第5制御信号をそれぞれ出力
する基板電圧供給制御手段と、 前記基板電圧供給制御手段からそれぞれ出力された第1
乃至第5信号制御により前記第1、第2基板電圧発生手
段からそれぞれ発生されたハイレベルの基板電圧及びロ
−レベルの基板電圧を選択してワ−ドラインドライバ、
Xデコ−ダ、Yデコ−ダ及びメモリ周辺回路にそれぞれ
供給する基板電圧選択手段とを含めて構成されることを
特徴とするメモリの基板電圧供給制御回路。 - 【請求項2】 前記第1基板電圧手段は第1、第2バイ
アス電圧をそれぞれ発生するバイアス電圧発生器と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第1バイアス電
圧をクランピングして一定のハイ電圧を発生するクラン
ピング電圧発生器と、 前記バイアス電圧発生器でそれぞ発生された第1、第2
バイアス電圧によりスタンドバイ及びアクチブ時発振す
る第1発振器と、 前記第1発振器から発振された信号及び外部から印加さ
れるイネ−ブル信号を論理演算し、該論理演算された信
号を前記クランピグ電圧発生器から発生されたハイ電圧
によりポンピングしてハイレベルの基板電圧を出力する
第1電圧ポンピング回路と、 外部から供給されるロ−アドレスストロ−ブ信号及び電
源供給信号を論理演算する論理演算器と、 アクチブ時前記論理演算器から論理演算された信号によ
り発振する第2発振器と、 前記クランビング電圧発生器から発生されたハイ電圧に
より前記第2発振器から発振された電圧をポンピングし
てハイレベルの基板電圧を出力する第2電圧ポピング回
路とを含めてなることを特徴とする請求項1記載のメモ
リの基板電圧供給制御回路。 - 【請求項3】 前記バイアス電圧発生器はソ−ス端子に
電源電圧端子が連結され、ゲ−ド端子に接地端子が連結
される第1PMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第1PMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結されて第1出力ラインと連結され、ゲ−ト
端子に前記第1出力ラインが連結され、ソ−ス端子に接
地端子が連結される第1NMOSトランジスタと、 ソ−ス端子に電源電圧端子が連結され、ゲ−ト端子が自
分のドレイン端子に連結されて第2出力ラインと連結さ
れる第2PMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第2PMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結され、ゲ−ト端子に前記第1NMOSトラ
ンジスタのゲ−ト端子が連結され、ソ−ス端子に接地端
子が連結される第2NMOSトランジスタとを含めてな
ることを特徴とする請求項2記載のメモリの基板電圧供
給制御回路。 - 【請求項4】 前記クランピグ電圧発生器はソ−ス端子
に電源電圧が連結され、ゲ−ト端子に前記第1バイアス
電圧の出力ラインが連結される第1PMOSトランジス
タと、 ソ−ス端子に前記第1PMOSトランジスタのドレイン
端子が連結されて第1出力ラインと連結され、ゲ−ト端
子に自分のドレイン端子が連結される第2PMOSトラ
ンジスタと、 ドレイン端子に前記第2PMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結されて第2出力端子と連結され、ゲ−ト端
子に自分のドレイン端子が連結される第1NMOSトラ
ンジスタと、 ドレイン端子に前記第1NMOSトランジスタのソ−ス
端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連
結される第2NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第1NMOSトランジスタのソ−ス
端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連
結される第2NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第2NMOSトランジスタのソ−ス
端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連
結される第3NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第3NMOSトランジスタのソ−ス
端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連
結される第4NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第4NMOSトランジスタのソ−ス
端子が連結されゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連結
される第5NMOSトランジスタと、ドレンイン端子に
前記第5NMOSトランジスタのソ−ス端子が連結さ
れ、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連結され、ソ−
ス端子に接地端子が連結される第6NMOSトランジス
タと、 ドレイン端子に電源電圧端子が連結され、ゲ−ト端子に
前記第1出力ラインの連結される第7NMOSトランジ
スタと、 ソ−ス端子に前記第7NMOSトランジスタのソ−ス端
子が連結されて第3出力ラインが連結され、ゲ−ト端子
に前記第2出力ラインが連結される第3PMOSトラン
ジスタと、 一側端子に前記第3PMOSトランジスタのドレイン端
子が連結され、多側端子に接地端子が連結される抵抗
と、 前記第3出力ラインと接地端子との間に並列に連結され
るキャパシタ−と、 ソ−ス端子に電源電圧端子が連結され、ゲ−ト端子に前
記第1バイアス電圧の出力ラインが連結され、ドレイン
端子に前記第3出力ラインが連結される第4PMOSト
ランジスタとを含めてなることを特徴とする請求項2記
載のメモリの基板電圧供給制御回路。 - 【請求項5】 前記第1発振器はバイアス電圧発生器か
ら発生された第1バイアス電圧によりフィ−ドバックさ
れて入力される信号をインバ−ティングする第1インバ
−タ−と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第2バイアス電
圧により前記第1インバ−タ−でインバ−ティングされ
た信号をインバ−ティングする第2インバ−^タ−と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第1バイアス電
圧により前記第2インバ−タ−で反転された信号をイン
バ−ティングする第3インバ−タ−と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第2バイアス電
圧により前記第3インバ−タ−でイバ−ティングされた
信号をインバ−ティングする第4インバ−タ−と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第1バイアス電
圧により前記第4インバ−タ−で反転された信号をイン
バ−ティングする第5インバ−タ−と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第2バイアス電
圧により前記第5インバ−タ−でイバ−ティングされた
信号をインバ−ティングする第6インバ−タ−と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第1バイアス電
圧により前記第6インバ−タ−で反転された信号をイン
バ−ティングする第7インバ−タ−と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第2バイアス電
圧により前記第7インバ−タ−でイバ−ティングされた
信号をインバ−ティングする第8インバ−タ−と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第1バイアス電
圧により前記第8インバ−タ−で反転された信号をイン
バ−ティングする第9インバ−タ−とを含めて構成され
ることを特徴とする請求項2記載のメモリの基板電圧供
給制御回路。 - 【請求項6】 前記第1、第3、第5、第7、第9イン
バ−タ−はそれぞれのソ−ス端子に電源電圧端子が連結
され、ゲ−ト端子に前記バイアス電圧発生器から発生さ
れた第1バイアス電圧の出力ラインが連結される第1P
MOSトランジスタと、 ソ−ス端子に前記第1PMOSトランジスタのドレイン
端子が連結され、ゲ−ト端子に前記第9、第2、第4、
第6、第8インバ−タ−のそれぞれの出力ラインが連結
される第2PMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第2PMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結されて出力ラインと連結され、ゲ−ト端子
に前記第2PMOSトランジスタのゲ−ト端子が連結さ
れ、ソ−ス端子に接地端子が連結されるNMOSトラン
ジスタとを含めてなることを特徴とする請求項5記載の
メモリの基板電圧供給制御回路。 - 【請求項7】 前記第2、第4、第6、第8インバ−タ
−はそれぞれのソ−ス端子に電源電圧端子が連結され、
ゲ−ト端子に前記第1、第3、第5、第7、インバ−タ
−のそれぞれの出力ラインが連結される第1PMOSト
ランジスタと、 ドレイン端子に前記第1PMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結されて出力ラインと連結され、ゲ−ト端子
に前記第1PMOSトランジスタのゲ−ト端子が連結さ
れる第1NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第1NMOSトランジスタのソ−ス
端子が連結され、ゲ−ト端子に前記バイアス電圧発生器
で発生された第2バイアス電圧の出力ラインが連結さ
れ、ソ−ス端子に接地端子が連結される第2NMOSト
ランジスタとを含めてなることを特徴とする請求項5記
載のメモリの基板電圧供給制御回路。 - 【請求項8】 前記第1電圧ポンピング回路は一側入力
端子に前記第1発振器の出力信号ラインが連結され、他
側入力端子に外部から入力されたイネ−ブル信号ライン
が連結されるナンドゲ−トと、入力端子に前記ナンドゲ
−トの出力端子が連結されるインバ−タ−と、 ドレイン端子に前記クランピング電圧発生器の出力電圧
ラインが連結され、ゲ−ト端子に自分のソ−ス端子が連
結される第1NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第1NMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結されて自分のゲ−ト端子と連結され、ソ−
ス端子に前記第1NMOSトランジスタのソ−ス端子が
連結される第2NMOSトランジスタ、 ドレイン端子に前記ナンドゲ−トの出力端子が連結さ
れ、ゲ−ト端子に前記第1、第2NMOSトランジスタ
のソ−ス端子が共通連結される第3NMOSトランジス
タと、 ドレイン端子に前記インバ−タ−の出力端子が連結さ
れ、ゲ−ト端子に前記第3NMOSトランジスタのゲ−
ト端子が連結される第4NMOSトランジスタと、 ゲ−ト端子に前記第3NMOSトランジスタのソ−ス端
子が連結される第1MOSキャパシタ−と、 ゲ−ト端子に前記第4NMOSトランジスタのソ−ス端
子が連結される第2MOSキャパシタ−と、 ドレイン端子に前記第1MOSキャパシタ−のドレイン
−スが連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連
結され、ソ−ス端子に接地端子が連結される第5NMO
Sトランジスタと、 ドレイン端子に前記第2MOSキャパシタ−のドレイン
ソ−ス端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端
子が連結され、ソ−ス端子に接地端子が連結される第6
NM0Sトランジスタと、 ドレイン端子に前記第6NMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結され、ゲ−ト端子に前記第5NMOSトラ
ンジスタのゲ−ト端子が連結される第7NM0Sトラン
ジスタと、 ドレイン端子に前記第7NMOSトランジスタのゲ−ト
端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のソ−ス端子が連結
され第8NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第6NMOSトランジスタのゲ−ト
端子が連結され、ゲ−ト端子に前記7NMOSトランジ
スタのソ−ス端子が連結され、ソ−ス端子に自分のゲ−
ト端子が連結されてハイレベルの基板電圧の出力ライン
に連結される第9NMOSトランジスタとを含めてなる
ことを特徴とする請求項2記載のメモリの基板電圧供給
制御回路。 - 【請求項9】 前記論理演算器は外部から入力されるロ
−アドレスストロ−ブ信号と、 第1インバ−タ−を経た電源供給信号をナンドリングす
るナンドゲ−トと、 前記ナンドゲ−トから出力された信号を順にインバ−テ
ィングする第2、第3インバ−タ−とを含めてなること
を特徴とする請求項2記載のメモリの基板電圧供給制御
回路。 - 【請求項10】 前記第2発振器は論理演算器から出力
された信号とフィ−ドバックされて入力された信号をナ
ンドリングするナンドゲ−トと、 前記ナンドゲ−トから出力された信号を順にインバ−テ
ィングして該インバ−ティングされた信号を前記ナンド
ゲ−トにフィ−ロドバックさせる第1、第2インバ−タ
−と、 前記第2インバ−タ−から出力された信号をインバ−テ
ィングする第3インバ−タ−とを含めてなることを特徴
とする請求項2記載のメモリの基板電圧供給制御回路。 - 【請求項11】 前記第2電圧ポンピング回路は第2発
振器から出力された信号を順にインバ−ティングする第
1乃至第5インバ−タ−と、 ドレイン端子に前記クランピング電圧発生器の出力電圧
ラインが連結され、ゲ−ト端子に自分ソ−ス端子が連結
される第1NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第1NMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が
連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連結さ
れ、ソ−ス端子に前記第1NMOSトランジスタのソ−
ス端子が連結される第2NMOSトランジスタ、 ドレイン端子に前記第5インバ−タ−の出力端子が連結
され、ゲ−ト端子に前記第1、第2NMOSトランジス
タのソ−ス端子が共通連結される第3NMOSトランジ
スタと、 ゲ−ト端子に前記第3NMOSトランジスタのソ−ス端
子が連結される第1MOSキャパシタ−と、 ドレイン端子に前記第1MOSキャパシタ−のドレイン
ソ−ス端子か連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端
子が連結され、ソ−ス端子に接地端子が連結される第4
NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に前記第4NMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のソ−ス端子が連
結される第5NMOSトランジスタと、 前記第5NMOSトランジスタのゲ−ト端子と接地端子
との間に並列に連結されて前記ハイレベルの基板電圧の
出力ラインが連結される第2MOSキャパシタ−とを含
めてなることを特徴とする請求項2記載のメモリの基板
電圧供給制御回路。 - 【請求項12】 前記第2基板電圧手段は第1、第2バ
イアス電圧をそれぞれ発生するバイアス電圧発生器と、 前記バイアス電圧発生器から発生された第1バイアス電
圧をクランピングして一定のロ−電圧を発生するクラン
ピング電圧発生器と、 前記バイアス電圧発生器でそれぞ発生された第1、第2
バイアス電圧によりスタンドバイ及びアクチブ時発振す
る発振信号を出力する第1発振器と、 前記第1発振器から発振された信号及び外部から印加さ
れるイネ−ブル信号を論理演算し、該論理演算された信
号を前記クランピグ電圧発生器から発生されたロ−電圧
によりポンピングして一定のロ−基板電圧を出力する第
1電圧ポンピング回路と、 外部から供給されるロ−アドレスストロ−ブ信号及び電
源供給信号を論理演算する論理演算器と、 アクチブ時前記論理演算器から論理演算された信号によ
り発振する第2発振器と、 前記クランビング電圧発生器から発生されたロ−電圧に
より前記第2発振器から発振された電圧をポンピングし
て一定のロ−基板電圧を出力する第2電圧ポピング回路
とを含めてなることを特徴とする請求項1記載のメモリ
の基板電圧供給制御回路。 - 【請求項13】 前記クランピング電圧発生器はソ−ス
端子に電源電圧と連結されて、ゲ−ト端子に前記第1バ
イアス電圧の出力ラインが連結される第1PMOSトラ
ンジスタと、 ソ−ス端子に前記第1PMOSトランジスタのドレイン
端子が連結されて第1出力ラインと連結され、ゲ−ト端
子に自分のドレイン端子が連結される第2PMOSトラ
ンジスタと、 ドレイン端子に前記第2PMOSトランジスタのドレイ
ン端子が連結されて第2出力端子と連結され、ゲ−ト端
子に自分のドレイン端子が連結される第1NMOSトラ
ンジスタと、 ドレイン端子に前記第1NMOSトランジスタのソ−ス
端子が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連
結される第2NMOSトランジスタと、 ドレインに前記第2NMOSトランジスタのソ−ス端子
が連結され、ゲ−ト端子に自分のドレイン端子が連結さ
れる第3NMOSトランジスタと、 ドレイン端子に電源電圧端子が連結され、ゲ−ト端子に
前記第1出力ラインが連結される第4NMOSトランジ
スタと、 ソ−ス端子に前記第4NMOSトランジスタのソ−ス端
子が連結されて第3出力ラインが連結され、ゲ−ト端子
に前記第2出力ラインの連結される第3PMOSトラン
ジスタと、 一側端子に前記第3PMOSトランジスタのソ−ス端子
が連結され、他側端子に接地端子が連結される抵抗と、 前記第3出力ラインと接地端子との間に並列に連結され
るキャパシタ−と、 ソ−ス端子に電源電圧端子が連結され、ゲ−ト端子に前
記第1バイアス電圧の出力ラインが連結され、ドレイン
端子に前記第3出力ラインが連結される第4PMOSト
ランジスタとを含めてなることを特徴とする請求項12
記載のメモリの基板電圧供給制御回路。 - 【請求項14】 前記基板供給制御手段は外部から入力
されるロ−アドレスストロ−ブ信号を順にインバ−ティ
ングして第1制御信号を出力する第1、第2インバ−タ
−と、 前記第2インバ−タ−から出力された第1制御信号によ
り外部から入力される第1乃至第4アドレス信号をデコ
−ディングして第2乃至第5制御信号を出力するデコ−
ダとを含めてなることを特徴とする請求項1記載のメモ
リの基板電圧供給制御回路。 - 【請求項15】 前記デコ−ダは第1制御信号をインバ
−ティングする第1インバ−タ−と、 前記第1インバ−タ−で反転された信号及び外部から入
力される第1アドレス信号をナンドリングする第1ナン
ドゲ−トと、前記第1ナンドゲ−トから出力された信号
を順にインバ−ティングして第2制御信号を出力する第
2、第3インバ−タ−と、 前記第1インバ−タ−で反転された信号と外部から入力
される第2アドレス信号をナンドリングする第2ナンド
ゲ−トと、 前記第2ナンドゲ−トから出力された信号を順にインバ
−ティングして第3制御信号を出力する第4、第5イン
バ−タ−と、 前記ダイ1インバ−タ−から出力された信号と、外部か
ら入力される第3アドレス信号をナンドリングする第3
ナンドゲ−トと、 前記第3ナンドゲ−トから出力された信号を順にイバ−
ティングして第4制御信号を出力する第6、第7イバ−
タ−と、 前記第1インバ−タ−から出力された信号と、外部から
入力さそれる第4アドレス信号をナンドリングする第4
ナンドゲ−トと、 前記第4ナンドケ−トから出力された信号を順にインバ
−ティングして第5制御信号を出力する第8、第9イン
バ−タ−とを含めてなることを特徴とする請求項14記
載のメモリの基板電圧供給制御回路。 - 【請求項16】 前記基板電圧選択手段は基板電圧供給
制御手段から出力された第1制御信号により前記第1、
第2基板電圧発生手段からそれぞれ出力されたハイレベ
ルの基板電圧及びロ−基板電圧中少なくともいずれか一
つを選んでメネモリ内部の周辺の回路に供給する第1マ
ルチプレクサと、 前記基板電圧供給制御手段からそれぞれ出力された第2
乃至第5制御手段により前記第1、第2基板電圧発生手
段でそれぞれ発生されたハイレベルの基板電圧及びロ−
レベルの基板電圧中のいずれか一つを選択してワ−ドラ
インドライブ、Xデコ−ダ及びYデコ−ダにそれぞれ供
給する第2乃至第5マルチプレクサとを含めて構成され
ることを特徴とする請求項1記載のメモリの基板電圧供
給制御回路。 - 【請求項17】 前記第1乃至第5マルチプレクサは第
1インバ−タ−を経て位相の反転された第1乃至第5制
御信号及び前記第1乃至第5制御信号により前記第1、
第2基板電圧発生手段からそれぞれ発生されたハイレベ
ルの基板電圧及びロ−レベルの基板電圧をそれぞれ伝送
する第1、第2伝送ゲ−トを含めて構成されることを特
徴とする請求項16記載のメモリの基板電圧供給制御回
路。
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