JPH09109023A - ウェハ研磨機、厚さ測定ユニット、ウェハを水の中に収める方法、および厚さを測定する方法 - Google Patents

ウェハ研磨機、厚さ測定ユニット、ウェハを水の中に収める方法、および厚さを測定する方法

Info

Publication number
JPH09109023A
JPH09109023A JP8106756A JP10675696A JPH09109023A JP H09109023 A JPH09109023 A JP H09109023A JP 8106756 A JP8106756 A JP 8106756A JP 10675696 A JP10675696 A JP 10675696A JP H09109023 A JPH09109023 A JP H09109023A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
water
measuring
thickness
window
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8106756A
Other languages
English (en)
Inventor
Eran Dvir
エラン・ドビール
Finarov Moshe
モシェ・フィナロフ
Eli Haimovich
エリ・ハイモビック
Benjamin Shulman
ベンヤミン・シュルマン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NOBA MEJIYARINGU INSUTOURUMENT
NOBA MEJIYARINGU INSUTOURUMENTSU Ltd
Nova Ltd
Original Assignee
NOBA MEJIYARINGU INSUTOURUMENT
NOBA MEJIYARINGU INSUTOURUMENTSU Ltd
Nova Measuring Instruments Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=11067506&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH09109023(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by NOBA MEJIYARINGU INSUTOURUMENT, NOBA MEJIYARINGU INSUTOURUMENTSU Ltd, Nova Measuring Instruments Ltd filed Critical NOBA MEJIYARINGU INSUTOURUMENT
Publication of JPH09109023A publication Critical patent/JPH09109023A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/013Devices or means for detecting lapping completion
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨の間にウェハを検査するための光学系含
む、研磨機の出口ステーション内に装着可能なウェハの
最上層の厚さを測定するための測定システムを、提供す
る。 【解決手段】 光学系(32)は、窓を通してウェハを
見、ウェハを予め定められた見える位置に収めかつパタ
ーニングされた表面を完全に水面下に維持する掴みシス
テムを含む。光学系(32)はまた、測定より先に、測
定システムを水平面よりわずかに下に引下げるための引
下げユニットをさらに含み、その後で測定システムを水
平面に戻す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の分野】この発明は一般的にウェハ研磨装置に関
し、特にそのような装置に組込まれる測定システムに関
する。
【0002】
【発明の背景】ウェハ研磨システムは当該技術において
既知である。それらは半導体ウェハの最上層を所望の厚
さまで研磨する。そのようにするために、研磨プロセス
の間、ウェハは水のスラリーおよび化学薬品に浸され
る。一旦ウェハが研磨されて洗い流されると、ある会社
には「水トラック」として既知の出口ステーションに収
められ、その後そのウェハはウェハのカセットの中に収
められる。カセットは一杯になるまで水槽の中に維持さ
れ、その後カセット全体が洗浄ステーションに運ばれ、
カセットの中のウェハにまだ残っている何らかの化学薬
品およびスラリー粒子を取除いてウェハを乾かす。洗浄
の後、ウェハは測定ステーションに運ばれて、研磨機が
それらの最上層の所望の厚みを生成したかどうかを判断
する。
【0003】ここで簡単に参照されている図1は、アメ
リカ合衆国アリゾナ州フェニックス(Phoenix,Arizona,
USA )のIPEC ウエステック(IPEC Westech)によ
って製造された♯372研磨機の水トラックなどの先行
技術の水トラックを示す。10とラベル付けされた水ト
ラックは、フレーム12とベース14とを含む。フレー
ム12は、穴16から水流18を出すジェット(図示せ
ず)に連結されたジェット穴16を有する。ベース14
は、穴20から少量の水22を泡立たせる噴水装置(図
示せず)に連結された穴20を有する。ウェハ25がパ
ターン側を下向きにして水トラック10中に落とされる
と、ジェットおよび噴水装置は活性化される。水ジェッ
トからの水流18は、ウェハ25を矢印24によって示
された方向に動かすように働く。少量の水流22によっ
て、ウェハ25はベース14からわずかに離れるように
押し動かされかつ、ウェハ25がトラックを通り過ぎる
間にウェハがベース14と擦れ合うことがないためにウ
ェハのパターンに引っ掻き傷ができないことが確実にな
る。
【0004】他の会社も、出口ステーションがカセット
そのものから形成される研磨機を製造している。そのよ
うな研磨機は、アメリカ合衆国、カリフォルニア州、サ
ン・ルイス・オビスポ(San Luis Obispo,California,U
SA)のR.ハワード・ストラスバーグ・インコーポレイ
テッド(R.Howard Strasbaugh Inc.)の6DS−SP研
磨機に見られるように製造されている。
【0005】
【発明の概要】この発明の目的は、研磨機械内に、より
特定的には研磨機の出口ステーション内に装着可能な測
定システムを提供することである。
【0006】この発明の好ましい実施例に従えば、この
発明は、出口ステーションの窓を通してウェハを見る光
学系と、出口ステーション内の予め定められた見える位
置にウェハを収め一方でパターニングされた表面を完全
に水面下にある状態に保つ掴みシステムとを含む。この
発明はまた、測定より先に測定システムを水平面よりわ
ずかに下に引っ張るための引下げユニットを含み、その
後で測定システムを水平面の位置に戻す。
【0007】この発明の第1の好ましい実施例に従え
ば、掴みシステムは、ウェハを予め定められた位置に集
合させる持上げ可能なゲートと、ウェハを掴みそれを見
える位置に運んで水平面に対してなされる小さな角度に
沿って水の中にウェハを浸す掴み具とを含む。掴み具は
また、測定動作の間にウェハを適所に保持し、その後そ
れはウェハを解放し、持上げ可能なゲートは上に上が
る。
【0008】この発明は、ウェハ表面にほとんど泡が生
じないように物体を水に浸す方法を組入れる。この発明
の方法は好ましくは、その表面を水平面に対して小さな
角度をなすように保持しながらその物体を浸すステップ
を含む。
【0009】第2の実施例において、測定システムは、
水槽とその上の掴みシステムとを含む。掴みシステムは
ウェハを受取るウェハ保持エレメントと、初期位置がウ
ェハの予想受取り位置より上にある掴み具とを含む。掴
み具は、ウェハが水平面に対してある角度をなして水中
に浸されるように可撓性をもってピストンにある角をな
して連結される。
【0010】この発明は、図面と関連した以下の詳しい
説明からより十分に理解されかつ評価されるであろう。
【0011】
【発明の詳しい説明】図2を参照して、これは、IPE
Cウエステック機械などの研磨機内に装着可能な測定ユ
ニットを示し、測定システムは、この発明の好ましい実
施例に従ってかつ図2の測定システムの一部分を形成す
る掴みシステムの動作を示す図3、図4、図5、図6、
図7および図8に合わせて構成されかつ動作する。前で
議論された水トラックのエレメントを参照するために同
様の参照番号が用いられる。
【0012】30とラベル付けされた測定システムは、
水トラック36と関連して動作する光学系32と掴みシ
ステム34とを含む。光学系32は、水を通してウェハ
の最上層の厚さを測定する何らかの光学系であり得る。
図9は、そのような光学系の一例を提供する。他の光学
系もまたこの発明内に組入れられる。
【0013】掴みシステム34は、持上げ可能なゲート
40と、移行可能な掴み具42と、真空パッド44と、
真空システム46とを含む。ゲート40は、必要に応じ
てゲート40を上げ下げするリフティング機構48によ
って制御される。ゲート40は、湾曲した外縁52を伴
う上部表面50と、上部表面から水の中に向かって下向
きに延びる複数の突出部54とを有する。突出部54に
よって、ゲート40がその上に下りる下側表面が与えら
れ、一方で、水がゲート40を通ることが可能になる。
湾曲した端縁52はウェハ25の湾曲した端縁に適合す
るような形状になっているので、ゲート40の位置が下
げられたとき、ゲート40はウェハ25が水トラックか
ら移動しないようにしかつウェハ25を繰返し可能な位
置に保持する。
【0014】掴み具42は、湾曲した端縁52によって
規定されたウェハ集合位置と図2のウェハ25によって
示されたウェハ測定位置との間を移行する。図2では見
えないが、ウェハ測定位置における水トラックのベース
は窓60(図3〜図9)に取り換えられており、光学系
32はウェハ25のパターニングされた表面62を見る
ことができる。説明の目的のために、パターニングされ
た表面62は図では誇張して示されている。
【0015】掴み具42は何らかの移行システムによっ
て移行され得る。1つのそのようなシステムの例が図2
に与えられており64とラベル付けされる。
【0016】真空パッド44は典型的にはふいご形状の
パッドであって、掴み具42の端部に取付けられてお
り、真空システム46に連結されている。真空パッド4
4は吸着を生じさせるので、掴み具42はウェハ25を
持ち上げてそれをウェハ集合位置からウェハ測定位置に
動かすことができる。さらに、真空状態は測定の間維持
されており、測定が一旦完了するときのみ解放される。
【0017】図3〜8は、掴みシステム34の動作を示
す。最初に、図3に示されているように、水トラックの
70とラベル付けされたジェットおよび72とラベル付
けされた噴水装置が動作してゲート40が降下する。研
磨機(図示せず)はウェハ25を水トラック内に収め、
ジェット70からの水流18によりそのウェハ25はゲ
ート40の方向に押される。掴み具42は図3〜8の左
側に示されたウェハ集合位置にある。
【0018】図4に示されているように、一旦ウェハ2
5がウェハ集合位置に来ると、掴み具42は真空パッド
44を降ろしてウェハ25を掴み取る。掴み具42は、
命じられるままに真空パッド44を上下に動かすことが
できるピストンなどの何らかの適切な機構から形成され
得る。噴水装置72が動作しているので、少量の水流2
2はウェハ25を水トラックのベース14から離した状
態に維持する。
【0019】そして掴み具42はウェハ25を水から引
上げて(図5)、ジェット70は非活性化される。この
発明の好ましい実施例に従えば、真空パッド44の対称
軸74は、垂直軸76から小さな角度αをなして形成さ
れる。結果として、ウェハ25の長軸75は水平軸78
に対して同じ小さな角度αをなしている。角度αは典型
的には2〜5°の範囲にある。
【0020】次いで、図4〜8の右側に示されているよ
うに、移行ユニット64は、掴み具42をウェハ測定位
置に動かす。同時に、図6に示されているように、引下
げ機構は、水トラック、掴み、および光学系ユニット全
体を蝶番80(図2〜8)を中心に(1〜3°の角度だ
け)わずかに下げて、水をウェハ測定位置の方向に向け
る。水を測定位置の方向に向ける他の方法もまたこの発
明に組入れられる。
【0021】水トラックが下がると、掴み具42によっ
てウェハ25が窓60の方向に下げられる。真空パッド
44がある角度に傾けられているので、ウェハ25は一
度に水に入らない。代わりに、ウェハ25は漸進的に水
に入る。最初に、82とラベル付けされた方だけが浸水
する。掴み具42が真空パッド44をさらに下向きに押
せば押すほど、ウェハ25はさらに浸水し、ついにはウ
ェハ25全体が水の中に入る。真空パッド44は十分な
可撓性があるのでウェハ25の角度変化に対処すること
ができる。
【0022】ウェハを水に漸進的に浸すことによって、
ウェハ25のパターニングされた表面の近くに泡ができ
るとしてもごく少ない。
【0023】ウェハ25は窓60に支えられているので
はないことが注目される。代わりに、ウェハ25は突出
表面84によって支えられており、ウェハ25と窓60
との間に水の層86ができるようになっている。ウェハ
25が漸進的に浸水するためにその層86に泡ができた
としてもごく少ないので、光学系32とウェハ25のパ
ターニングされた表面62との間に均一な接続媒体を与
える。
【0024】一旦光学系32がウェハ25のパターニン
グされた表面62の測定を終了すると、ウェハ25が取
付けられた状態で掴み具42は真空パッド45をその上
部位置に戻す。引下げ機構は蝶番80を中心に水トラッ
クを回転させてその元の位置に戻し、ゲート40は持上
げられて、ジェット70および噴水装置72は活性化さ
れる。真空システム46は真空状態を解放してウェハ2
5は水トラックの中に落ちる。水の流れによって、ウェ
ハ25は、現在持上げられた状態のゲート40の方向に
移動してその下へ動く。センサ90はウェハ25がいつ
水トラックからうまく移動したかを決定する。ここで上
述されたプロセスが次のウェハに対して始まり得る。
【0025】図9を参照して、適切な光学系32の一例
が概略的に示されている。光学系32は顕微鏡ベースの
分光光度計であって、対物レンズ100と、集束レンズ
102と、ビームスプリッタ104と、ピンホールミラ
ー106と、リレーレンズ108と、分光光度計110
とを含む。それはさらに、光源112と、コンデンサ1
14と、荷電結合素子(CCD)カメラ116と、第2
のリレーレンズ118とを含む。
【0026】光源112からの光は、光ファイバ113
に沿ってコンデンサ114に与えられる。次に、コンデ
ンサ114はその光をビームスプリッタ104の方向に
導く。ビームスプリッタ104はその光をレンズ102
および100ならびに窓60および水の層86を介して
ウェハ表面の方に導く。
【0027】パターニングされた表面62からの反射し
た光は、対物レンズ100によって集められ、レンズ1
02によってピンホールミラー106の上に集束され
る。リレーレンズ108はピンホールミラー106を通
った光を受取り、かつそれを分光光度計110に集束さ
せる。
【0028】ピンホールミラー106は分光光度計11
0の方向にその穴から光を通し、ミラー表面に当たった
光をCCDカメラ116の方向に導く。第2のリレーレ
ンズ118は、ピンホールミラー106から反射した光
を受取って、それをCCDカメラ116に集束させる。
【0029】ピンホールはレンズ102の焦点面である
像面の中央に置かれているので、それは開口絞りとして
作用し、光ビームの視準された部分だけを通過させる。
このため、ピンホールは、システムにおけるどんな散乱
光をも低減する。リレーレンズ108はピンホールから
光を集めてそれを分光光度計110に与える。
【0030】さらに、ピンホールは光学結像系(レンズ
100および102)の像面に置かれているので、ウェ
ハ25の表面から反射されかつピンホールの大きさを倍
率で除算したものに等しい大きさである光の部分だけが
ピンホールを通る。リレーレンズ118はその光を集め
てそれをCCDカメラ116に集める。
【0031】ピンホールは、ウェハ25の像において測
定点を位置決めするよう働く。ピンホールは、光を、C
CDカメラ116の方に反射させるのではなく、ピンホ
ールに通過させるので、ピンホールはレンズ118によ
って生み出される像におけるはっきりとした暗いポイン
トとして現れる。このため、CCD像を見ると、測定点
の位置はその暗い点の位置であるので、すぐにわかる。
【0032】ここで図10〜14を参照して、水トラッ
クを有さない、ストラスバーグによって製造される研磨
機と同様の研磨機において、この発明の厚さ測定が実現
されるのを示す。この実施例では、研磨機または外部ロ
ボット(図示せず)がウェハ25を研磨機の出口ステー
ションに運ぶ。測定が終了すると、ロボットはウェハ2
5を別の出口ステーションにあるそれらのカセットに運
ぶ。図10は上面図であり、図11、図12および図1
3は3つの状態にある測定ステーションを示す。
【0033】測定ステーション130は、掴みユニット
132と、光学系134と、水槽136とを含む。光学
系134は水槽136の下方に置かれ、上述のシステム
などの何らかの適切な光学系であり得る。前の実施例に
あるように、水槽136にはその底部表面に図11の1
40とラベル付けされた窓があり、その窓を通して光学
系134はウェハ25を照明することができる。
【0034】掴みユニット132は、2つの支持エレメ
ントから形成されるものとして示されているウェハ支持
部150と、真空パッド44と同様の真空パッド152
と、ピストン160とを含む。図11に示されるよう
に、研磨機はウェハ25をウェハサポート150の上に
収め、一方真空パッド152は最初は、サポート150
より上の位置にある。一旦ウェハサポート150が予め
定められた位置にウェハを置かれると、ピストン160
によって制御される真空パッド152はウェハの方向に
動き、真空作用によってそれを掴み取る。真空パッド1
52がウェハを保持しているので、ウェハサポート15
0は示されているように離れる。
【0035】そしてピストン160が、真空パッドとウ
ェハが組み合わさったものを水槽136の方向に押す。
これは図12に示されており、真空パッド152が水平
面に対して小さな角度αをなしてウェハ25を保持して
いることをも示している。角度αが与えられているの
は、前の実施例にあるように、真空パッド152の対称
軸が垂直軸から小さな角度αをなして形成されているか
らである。前の実施例にあるように、ウェハ25をαの
角度で水に浸すことによって、十分に浸された後には泡
がウェハの下表面に残ることがあったとしてもごく少な
い。
【0036】図13は、完全に浸された状態の測定位置
にあるウェハ25を示す。典型的には、ウェハ25は、
窓140の水表面163に直接接触せず、代わりに、測
定サポート168によって支持される。その結果、ウェ
ハ25と窓の表面163との間に水の層164ができ
る。
【0037】一旦測定プロセスが終了すると、ピストン
160はウェハ25をその元の位置に戻し、ウェハサポ
ートエレメント150はそれらのウェハ受取り位置に戻
る。ピストン160はウェハ25をウェハサポートエレ
メント150の上に置き、真空状態を解放する。ここで
外部ロボットは、処理されかつ測定されたウェハのカセ
ットがある別の出口ステーションにウェハを運び得る。
【0038】この発明は特別に示されかつ上述されたも
のに限定されないことは当業者に理解されるであろう。
そうではなく、この発明の範囲は前掲の特許請求の範囲
によって規定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】先行技術の水トラックの概略図である。
【図2】研磨機内に装着可能であり、かつこの発明の好
ましい実施例に従って構成され動作する、測定システム
の概略図である。
【図3】動作の1段階における図2の測定システムの一
部分を形成する掴みシステムの側面図である。
【図4】動作の1段階における図2の測定システムの一
部分を形成する掴みシステムの側面図である。
【図5】動作の1段階における図2の測定システムの一
部分を形成する掴みシステムの側面図である。
【図6】動作の1段階における図2の測定システムの一
部分を形成する掴みシステムの側面図である。
【図7】動作の1段階における図2の測定システムの一
部分を形成する掴みシステムの側面図である。
【図8】動作の1段階における図2の測定システムの一
部分を形成する掴みシステムの側面図である。
【図9】この発明の測定システムの一部分を形成する光
学系の一例を示す概略図である。
【図10】この発明の測定システムの第2の実施例の上
面図である。
【図11】ウェハの受取りの間の測定システムの側面図
である。
【図12】ウェハの移行の間の測定システムの側面図で
ある。
【図13】ウェハの測定の間の測定システムの側面図で
ある。
【符号の説明】
30 測定システム 32 光学系 34 掴み具 36 水トラック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 モシェ・フィナロフ イスラエル、76209 レホボット、シュコ ルニク・ストリート、4/25 (72)発明者 エリ・ハイモビック イスラエル、56910 モシャブ・マグシミ ム、ハーラバ・ストリート、23 (72)発明者 ベンヤミン・シュルマン イスラエル、76100 レホボット、ハガ ナ・ストリート、524/20

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 厚さを測定することができるウェハ研磨
    機であって、 a) 水のあるところでウェハの最上層を研磨するため
    の研磨ユニットと、 b) 前記ウェハが前記水の中で浸されている間に前記
    最上層の厚さを測定するための、前記研磨機に取付けら
    れた厚さ測定ユニットとを含む、ウェハ研磨機。
  2. 【請求項2】 前記研磨機は、前記水が中に流れる出力
    トラックを含み、前記出力トラックは、窓が中に取付け
    られた底部表面を含む、請求項1に記載の研磨機。
  3. 【請求項3】 前記厚さ測定ユニットは、 a) 前記ウェハとほぼ同様の曲率半径を有する湾曲し
    たゲートを含み、前記湾曲したゲートは掴み位置に置か
    れ、前記厚さ測定ユニットはさらに、 b) 前記ウェハを前記掴み位置から、前記窓の上に置
    かれた水の層の上の測定位置に動かすための掴み具と、 c) 前記窓および前記水の層を通して前記最上層の前
    記厚さを測定するための、前記窓の下に取付けられた光
    学系とを含む、請求項2に記載の研磨機。
  4. 【請求項4】 少なくとも前記底部表面を水平面より下
    に引下げるための引下げユニットをさらに含む、先行す
    る請求項のうちのいずれかに記載の研磨機。
  5. 【請求項5】 ウェハの最上層の厚さを測定するため
    に、研磨機の水トラックに取付ける厚さ測定ユニットで
    あって、 a) 前記ウェハとほぼ同様の曲率の半径を有する湾曲
    したゲートを含み、前記湾曲したゲートは、掴み位置に
    置かれ、前記厚さ測定ユニットはさらに、 b) 前記水トラックの下部表面に取付けられた窓と、 c) 前記ウェハを前記掴み位置から、前記窓の上に置
    かれた水の層の上の測定位置に動かすための掴み具と、 d) 前記窓の下に取付けられ、前記窓および前記水の
    層を通して前記最上層の前記厚さを測定するための光学
    系とを含む、厚さ測定ユニット。
  6. 【請求項6】 前記掴み具は、前記掴み具に取付けられ
    た掴みパッドを含み、前記掴みパッドの対称軸は水平面
    に対してある角をなしている、請求項5に記載のユニッ
    ト。
  7. 【請求項7】 前記掴みパッドは、ふいご形状のパッド
    を含み、前記パッド内で吸着を生み出すための真空ポン
    プと関連して動作する、請求項6に記載のユニット。
  8. 【請求項8】 前記厚さ測定ユニットは、 a) 底部表面に窓を有する水槽と、 b) 前記ウェハを前記水槽の上の掴み位置から、前記
    窓の上に置かれた水の層の上の測定位置に動かすための
    掴み具と、 c) 前記窓の下に取付けられ、前記窓および前記水の
    層を通して前記最上層の前記厚さを測定するための光学
    系とを含む、請求項1に記載の研磨機。
  9. 【請求項9】 ウェハの最上層の厚さを測定するために
    水槽に取付ける厚さ測定ユニットであって、 a) 水槽と、 b) 前記水槽の底部表面に取付けられた窓と、 c) 前記ウェハを、前記水槽の上の掴み位置から、前
    記窓の上に置かれた水の層の上の測定位置に動かすため
    の掴み具と、 d) 前記窓の下に取付けられ、前記窓および前記水の
    層を通して前記最上層の前記厚さを測定するための光学
    系とを含む、厚さ測定ユニット。
  10. 【請求項10】 前記掴み具は前記掴み具に取付けられ
    た掴みパッドを含み、前記掴みパッドの対称軸は水平面
    に対してある角をなしている、請求項9に記載のユニッ
    ト。
  11. 【請求項11】 ウェハの下に泡を実質的に生成するこ
    となく該ウェハを水の中に収める方法であって、前記ウ
    ェハの面が前記水の表面に対してある角度をなすように
    前記水の中に前記ウェハを浸すステップを含む、ウェハ
    を水の中に収める方法。
  12. 【請求項12】 前記水の表面下の測定窓に平行な表面
    に対して前記ウェハを押付けるステップを含む、請求項
    11に記載の方法。
  13. 【請求項13】 ウェハを研磨機から取除く前に該ウェ
    ハの研磨された最上層の厚さを測定する方法であって、 a) 前記ウェハを掴み位置から上に引上げるステップ
    と、 b) 前記ウェハを前記掴み位置から測定位置に動かす
    ステップと、 c) 前記水の表面下の前記測定位置に前記ウェハを収
    めるステップとを含み、しかし前記水の薄い層は窓の上
    に置かれており、さらに、 d) 前記窓および前記水の層を通して前記最上層の前
    記厚さを測定するステップとを含む、ウェハの研磨され
    た最上層の厚さを測定する方法。
  14. 【請求項14】 前記収めるステップは、前記ウェハの
    面が前記水の表面に対してある角度をなすように前記ウ
    ェハを前記水の中に浸すステップを含む、請求項13に
    記載の方法。
  15. 【請求項15】 前記水は、水槽の中に保持され、前記
    動かすステップは、前記水を前記測定位置の方に動かす
    ために前記水槽の下部表面の角度を変えるステップを含
    む、請求項13および14のいずれかに記載の方法。
JP8106756A 1995-05-23 1996-04-26 ウェハ研磨機、厚さ測定ユニット、ウェハを水の中に収める方法、および厚さを測定する方法 Pending JPH09109023A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IL113829 1995-05-23
IL11382995A IL113829A (en) 1995-05-23 1995-05-23 Apparatus for optical inspection of wafers during polishing

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007201961A Division JP5189803B2 (ja) 1995-05-23 2007-08-02 測定ステーション及びそれを用いる研磨機械

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09109023A true JPH09109023A (ja) 1997-04-28

Family

ID=11067506

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8106756A Pending JPH09109023A (ja) 1995-05-23 1996-04-26 ウェハ研磨機、厚さ測定ユニット、ウェハを水の中に収める方法、および厚さを測定する方法
JP2007201961A Expired - Lifetime JP5189803B2 (ja) 1995-05-23 2007-08-02 測定ステーション及びそれを用いる研磨機械

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007201961A Expired - Lifetime JP5189803B2 (ja) 1995-05-23 2007-08-02 測定ステーション及びそれを用いる研磨機械

Country Status (5)

Country Link
US (5) US6045433A (ja)
JP (2) JPH09109023A (ja)
DE (1) DE19612195A1 (ja)
FR (1) FR2734631B1 (ja)
IL (1) IL113829A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007283457A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Showa Denko Kk 湿式研磨装置
US8951813B2 (en) 2012-07-10 2015-02-10 Ebara Corporation Method of polishing a substrate having a film on a surface of the substrate for semiconductor manufacturing
CN107703881A (zh) * 2017-09-11 2018-02-16 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 一种自动标定磁流变抛光缎带厚度的装置

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL113829A (en) * 1995-05-23 2000-12-06 Nova Measuring Instr Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
US20070123151A1 (en) * 1995-05-23 2007-05-31 Nova Measuring Instruments Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
US7169015B2 (en) 1995-05-23 2007-01-30 Nova Measuring Instruments Ltd. Apparatus for optical inspection of wafers during processing
US6599412B1 (en) * 1997-09-30 2003-07-29 Semitool, Inc. In-situ cleaning processes for semiconductor electroplating electrodes
US6489624B1 (en) * 1997-07-18 2002-12-03 Nikon Corporation Apparatus and methods for detecting thickness of a patterned layer
JPH11207610A (ja) * 1998-01-26 1999-08-03 Speedfam Co Ltd 研磨量制御システム及びその方法
US6217425B1 (en) * 1998-06-12 2001-04-17 Tdk Corporation Apparatus and method for lapping magnetic heads
US7136173B2 (en) * 1998-07-09 2006-11-14 Acm Research, Inc. Method and apparatus for end-point detection
US7295314B1 (en) 1998-07-10 2007-11-13 Nanometrics Incorporated Metrology/inspection positioning system
US6320609B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Nanometrics Incorporated System using a polar coordinate stage and continuous image rotation to compensate for stage rotation
US7042580B1 (en) 1999-02-01 2006-05-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for imaging metrology
US7177019B2 (en) * 1999-02-01 2007-02-13 Tokyo Electron Limited Apparatus for imaging metrology
IL128920A0 (en) * 1999-03-10 2000-02-17 Nova Measuring Instr Ltd Method for monitoring metal cmp
AU3187100A (en) 1999-03-10 2000-09-28 Nova Measuring Instruments Ltd. Method and apparatus for monitoring a chemical mechanical planarization process applied to metal-based patterned objects
DE19922919C2 (de) * 1999-05-19 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Anlage zur Bearbeitung von Wafern
IL130874A (en) * 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
US8531678B2 (en) 1999-07-09 2013-09-10 Nova Measuring Instruments, Ltd. Method and system for measuring patterned structures
WO2001012384A2 (en) * 1999-08-12 2001-02-22 Speedfam-Ipec Corporation Apparatus for moving a workpiece
US6364386B1 (en) * 1999-10-27 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc. Apparatus and method for handling an integrated circuit
US6368182B2 (en) * 2000-02-04 2002-04-09 Nova Measuring Instruments Ltd. Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
WO2002015261A2 (en) 2000-08-11 2002-02-21 Sensys Instruments Corporation Bathless wafer measurement apparatus and method
EP1319244A1 (en) 2000-09-20 2003-06-18 Kla-Tencor Inc. Methods and systems for semiconductor fabrication processes
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US6782337B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6673637B2 (en) * 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
JP2004536217A (ja) * 2000-10-03 2004-12-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 金属蒸着のためのエントリーにあたって半導体基板を傾けるための方法と関連する装置
US6623331B2 (en) 2001-02-16 2003-09-23 Cabot Microelectronics Corporation Polishing disk with end-point detection port
US6999164B2 (en) * 2001-04-26 2006-02-14 Tokyo Electron Limited Measurement system cluster
WO2002091248A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-14 Therma-Wave, Inc. Systems and methods for metrology recipe and model generation
US6884146B2 (en) 2002-02-04 2005-04-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for characterizing a polishing process
IL150438A0 (en) * 2002-06-26 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd Method of thin films measurement
US6854948B1 (en) 2002-08-15 2005-02-15 Nanometrics Incorporated Stage with two substrate buffer station
IL156330A (en) * 2003-06-05 2009-12-24 Nova Measuring Instr Ltd Article transfer system
US7085676B2 (en) * 2003-06-27 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Feed forward critical dimension control
IL158086A (en) * 2003-09-24 2010-02-17 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for positioning articles with respect to a processing tool
DE60333688D1 (de) 2003-12-19 2010-09-16 Ibm Differentielle metrologie für kritische abmessung und überlagerung
US7362448B1 (en) 2004-09-08 2008-04-22 Nanometrics Incorporated Characterizing residue on a sample
EP1993783B1 (en) * 2006-03-03 2015-11-11 Edgecraft Corporation Improved sharpener for blades of food slicers
US20080024772A1 (en) * 2006-07-26 2008-01-31 Seagate Technology Llc Particle removal tool with integrated defect detection/analysis capability
GB2469112A (en) 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer
US11557048B2 (en) 2015-11-16 2023-01-17 Applied Materials, Inc. Thickness measurement of substrate using color metrology
US10565701B2 (en) * 2015-11-16 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Color imaging for CMP monitoring
KR20170138207A (ko) * 2016-06-07 2017-12-15 삼성전자주식회사 표면 검사 방법
US11100628B2 (en) 2019-02-07 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Thickness measurement of substrate using color metrology

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3156073A (en) 1963-01-15 1964-11-10 Ray H Strasbaugh Irregular, non-repetitive, closed-loop surfacing mechanism
US3564776A (en) 1969-04-16 1971-02-23 Itek Corp Optical surface generating method and apparatus
FR2097216A5 (ja) 1970-05-27 1972-03-03 Anvar
US3841031A (en) 1970-10-21 1974-10-15 Monsanto Co Process for polishing thin elements
US3691694A (en) 1970-11-02 1972-09-19 Ibm Wafer polishing machine
US4018638A (en) * 1975-08-22 1977-04-19 North American Philips Corporation Method of reducing the thickness of a wafer of fragile material
US4050954A (en) 1976-03-25 1977-09-27 International Business Machines Corporation Surface treatment of semiconductor substrates
US4083272A (en) 1976-12-14 1978-04-11 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Omega-X micromachining system
US4193226A (en) 1977-09-21 1980-03-18 Kayex Corporation Polishing apparatus
ZA813263B (en) * 1980-06-04 1982-06-30 De Beers Cons Mines Ltd The assessment of colour in diamonds and other gems
JPS5815265B2 (ja) * 1980-09-01 1983-03-24 日本電信電話株式会社 自動形状修正研摩装置
US4365301A (en) 1980-09-12 1982-12-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Positional reference system for ultraprecision machining
US4450652A (en) 1981-09-04 1984-05-29 Monsanto Company Temperature control for wafer polishing
DE3306246C2 (de) 1983-02-23 1984-12-06 Maschinenfabrik Ernst Thielenhaus GmbH, 5600 Wuppertal Werkstückaufnahme zum Feinschleifen von zumindest bereichsweise kreiszylindrischen oder topfförmig ausgebildeten Werkstücken
JPS6018925A (ja) * 1983-07-13 1985-01-31 Fujitsu Ten Ltd ハイブリツトicのコ−テイング装置
JPS61164773A (ja) 1985-01-18 1986-07-25 Hitachi Ltd ウエハ研削方法および装置
US4813732A (en) * 1985-03-07 1989-03-21 Epsilon Technology, Inc. Apparatus and method for automated wafer handling
US4938654A (en) * 1985-05-17 1990-07-03 Schram Richard R Automated wafer inspection system
JPH0710488B2 (ja) * 1986-02-15 1995-02-08 キヤノン株式会社 回転体研磨装置及び該装置を用いた回転体研磨方法
DE3643914A1 (de) 1986-12-22 1988-06-30 Zeiss Carl Fa Verfahren und vorrichtung zum laeppen bzw. polieren optischer flaechen
US4811522A (en) 1987-03-23 1989-03-14 Gill Jr Gerald L Counterbalanced polishing apparatus
JPS63256342A (ja) 1987-04-10 1988-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエ−ハの研削方法
US4786616A (en) * 1987-06-12 1988-11-22 American Telephone And Telegraph Company Method for heteroepitaxial growth using multiple MBE chambers
DE3743275C1 (de) 1987-12-19 1989-07-27 Thielenhaus Maschf Verfahren zum Planschleifen von gleichen Werkstueck-Rohlingen
US4844617A (en) * 1988-01-20 1989-07-04 Tencor Instruments Confocal measuring microscope with automatic focusing
US4793895A (en) * 1988-01-25 1988-12-27 Ibm Corporation In situ conductivity monitoring technique for chemical/mechanical planarization endpoint detection
JPH01197067A (ja) 1988-02-01 1989-08-08 Fuji Valve Co Ltd Ti基合金製エンジンバルブの製造方法
JPH0224502A (ja) * 1988-07-12 1990-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 膜厚測定方法
US4912883A (en) 1989-02-13 1990-04-03 International Business Machines Corporation Lapping control system for magnetic transducers
JPH02244106A (ja) * 1989-03-17 1990-09-28 Hitachi Ltd 薄膜光学定数の測定方法及びそれを用いて作製した光集積回路もしくは半導体素子
AU637087B2 (en) 1989-03-24 1993-05-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatus for grinding semiconductor wafer
US5099615A (en) 1989-09-22 1992-03-31 Exclusive Design Company, Inc. Automated rigid-disk finishing system providing in-line process control
US4940507A (en) 1989-10-05 1990-07-10 Motorola Inc. Lapping means and method
JPH03142929A (ja) 1989-10-30 1991-06-18 Seiko Epson Corp 洗浄装置
JP2838273B2 (ja) * 1990-01-30 1998-12-16 信越半導体株式会社 接合ウエーハの製造方法
US5104828A (en) 1990-03-01 1992-04-14 Intel Corporation Method of planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate
US5274434A (en) * 1990-04-02 1993-12-28 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line
US5157876A (en) 1990-04-10 1992-10-27 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
US5157877A (en) * 1990-04-27 1992-10-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for preparing a semiconductor wafer
US5081421A (en) * 1990-05-01 1992-01-14 At&T Bell Laboratories In situ monitoring technique and apparatus for chemical/mechanical planarization endpoint detection
US5085015A (en) 1990-06-26 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the surface of liquid crystal polymers
US5081796A (en) * 1990-08-06 1992-01-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
DE4027628A1 (de) 1990-08-31 1992-03-05 Wolters Peter Fa Vorrichtung zur steuerung oder regelung von laepp-, hon- oder poliermaschinen
US5036015A (en) 1990-09-24 1991-07-30 Micron Technology, Inc. Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers
JPH0770504B2 (ja) * 1990-12-26 1995-07-31 信越半導体株式会社 ウエーハのハンドリング方法及び装置
US5293216A (en) * 1990-12-31 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Sensor for semiconductor device manufacturing process control
US5270222A (en) * 1990-12-31 1993-12-14 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis
US5069002A (en) 1991-04-17 1991-12-03 Micron Technology, Inc. Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers
US5570228A (en) * 1991-04-19 1996-10-29 Edge Scientific Instrument Company Llc Fiber optic illumination system and method for a high definition light microscope
US5240552A (en) * 1991-12-11 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection
US5196353A (en) 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
US5766360A (en) * 1992-03-27 1998-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing apparatus and substrate processing method
US5337150A (en) * 1992-08-04 1994-08-09 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for performing thin film layer thickness metrology using a correlation reflectometer
US5232875A (en) 1992-10-15 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations
US6614529B1 (en) * 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5433650A (en) 1993-05-03 1995-07-18 Motorola, Inc. Method for polishing a substrate
US5337015A (en) * 1993-06-14 1994-08-09 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection method and apparatus for chemical-mechanical polishing using low amplitude input voltage
JP2806747B2 (ja) * 1993-06-21 1998-09-30 大日本スクリーン製造株式会社 顕微測光装置における反射光測定方法
US5412473A (en) * 1993-07-16 1995-05-02 Therma-Wave, Inc. Multiple angle spectroscopic analyzer utilizing interferometric and ellipsometric devices
JP3326443B2 (ja) * 1993-08-10 2002-09-24 株式会社ニコン ウエハ研磨方法及びその装置
US5486129A (en) 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US5658183A (en) 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5700180A (en) 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US5643060A (en) 1993-08-25 1997-07-01 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including heater
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
KR100390293B1 (ko) * 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
JPH07130692A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd 平面研削装置
US5474647A (en) * 1993-11-15 1995-12-12 Hughes Aircraft Company Wafer flow architecture for production wafer processing
US5433651A (en) * 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
US5657123A (en) * 1994-09-16 1997-08-12 Mitsubishi Materials Corp. Film thickness measuring apparatus, film thickness measuring method and wafer polishing system measuring a film thickness in conjunction with a liquid tank
US5492594A (en) * 1994-09-26 1996-02-20 International Business Machines Corp. Chemical-mechanical polishing tool with end point measurement station
US5483568A (en) * 1994-11-03 1996-01-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Pad condition and polishing rate monitor using fluorescence
US5608526A (en) * 1995-01-19 1997-03-04 Tencor Instruments Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system
US5964643A (en) * 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
EP0735565B1 (en) * 1995-03-31 1999-06-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for monitoring the dry etching of a dielectric film to a given thickness
IL113829A (en) * 1995-05-23 2000-12-06 Nova Measuring Instr Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
US5658123A (en) * 1995-09-15 1997-08-19 Advanced Micro Devices, Inc. Container-less transfer of semiconductor wafers through a barrier between fabrication areas
US5739906A (en) * 1996-06-07 1998-04-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Interferometric thickness variation test method for windows and silicon wafers using a diverging wavefront

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007283457A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Showa Denko Kk 湿式研磨装置
US8951813B2 (en) 2012-07-10 2015-02-10 Ebara Corporation Method of polishing a substrate having a film on a surface of the substrate for semiconductor manufacturing
CN107703881A (zh) * 2017-09-11 2018-02-16 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 一种自动标定磁流变抛光缎带厚度的装置
CN107703881B (zh) * 2017-09-11 2023-08-04 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 一种自动标定磁流变抛光缎带厚度的装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007331106A (ja) 2007-12-27
FR2734631A1 (fr) 1996-11-29
DE19612195A1 (de) 1996-11-28
US6368181B1 (en) 2002-04-09
FR2734631B1 (fr) 2000-10-20
US6752689B2 (en) 2004-06-22
US20020051135A1 (en) 2002-05-02
US5957749A (en) 1999-09-28
US6045433A (en) 2000-04-04
US20080297794A1 (en) 2008-12-04
IL113829A (en) 2000-12-06
JP5189803B2 (ja) 2013-04-24
IL113829A0 (en) 1995-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09109023A (ja) ウェハ研磨機、厚さ測定ユニット、ウェハを水の中に収める方法、および厚さを測定する方法
KR100281173B1 (ko) 웨이퍼 연마장치
EP0893819B1 (en) Apparatus and method for washing substrate
US7169235B2 (en) Cleaning method and polishing apparatus employing such cleaning method
US5442828A (en) Double-sided wafer scrubber with a wet submersing silicon wafer indexer
JP3485816B2 (ja) ダイシング装置
EP0792721B1 (en) Polishing apparatus
US6863590B2 (en) Wafer planarization apparatus
US5562524A (en) Polishing apparatus
US6125861A (en) Post-CMP wet-HF cleaning station
EP0245289A1 (en) POLISHING SYSTEM WITH UNDERWATER BERNOULLI REMOVAL.
US6595220B2 (en) Apparatus for conveying a workpiece
US3585668A (en) Brush cleaning apparatus for semiconductor slices
WO2000057127A9 (en) Method and apparatus for wafer metrology
US6943062B2 (en) Contaminant particle removal by optical tweezers
US6368182B2 (en) Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
US7169015B2 (en) Apparatus for optical inspection of wafers during processing
CN100456138C (zh) 浸没式光刻机浸液流场维持系统
US20070123151A1 (en) Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
JP2012084671A (ja) 検出方法
US20050050946A1 (en) Cleaning evaluation method for a substrate
US6572456B2 (en) Bathless wafer measurement apparatus and method
JPH10277931A (ja) 硬質基板の製造方法およびその製造装置
WO1999053531A2 (en) Post-cmp wet-hf cleaning station
JPH04317330A (ja) 精密洗浄用の基板保持具

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060131

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060427

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060502

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060728

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070206

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070502

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070509

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070605

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070608

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070705

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070710

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071016