FR2734631A1 - Appareil pour l'inspection optique de plaquettes pendant le polissage - Google Patents

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Abstract

La présente invention concerne un appareil pour inspecter des plaquettes (25) pendant leur polissage et pour mesurer l'épaisseur de la couche supérieure des plaquettes. L'appareil comprend un système optique (32) destiné à examiner la plaquette (25) à travers une fenêtre, un système de préhension (42) qui amène la plaquette (25) dans une position d'examen prédéterminée tout en maintenant la surface portant le motif de la plaquette complètement immergée dans l'eau et une unité d'entraînement vers le bas (80) destinée à tirer l'appareil légèrement au-dessous de l'horizontale avant la mesure et à rappeler ensuite l'appareil à sa position horizontale.

Description

APPAREIL POUR L'INSPECTION OPTIQUE DE PLAQUETTES
PENDANT LE POLISSAGE.
La présente invention concerne de manière générale une polisseuse de plaquettes et des systèmes de mesure incorporés dans un tel appareil en particulier. Des systèmes de polissage de plaquettes sont connus dans l'art. Ils polissent la couche supérieure de plaquettes en semiconducteurs jusqu'à une épaisseur souhaitée. A cette fin, la plaquette en cours de polissage est plongée dans une boue liquide d'eau et de produits chimiques pendant le processus de polissage. Une fois la plaquette polie et lavée, elle est placée dans un poste de sortie connu dans certaines sociétés sous le nom de "piste à eau ", après quoi la plaquette est placée dans une cassette de plaquettes. La cassette est maintenue dans un bain d'eau jusqu'à ce qu'elle soit remplie, après quoi la cassette entière est amenée à un poste de nettoyage pour éliminer tous les produits chimiques et les particules de boue liquide qui adhèrent encore aux plaquettes dans la cassette et pour sécher les plaquettes. Après nettoyage, les plaquettes sont amenées jusqu'à un poste de mesure pour déterminer si le polisseur a conféré l'épaisseur souhaitée à
leurs couches supérieures.
La figure 1, à laquelle on fait maintenant brièvement référence, illustre une piste à eau de l'art antérieur, telle que la piste à eau du polisseur n 372 fabriqué par IPEC Westech Inc. de Phoenix, Arizona, USA. La piste à eau, désignée par 10 comprend un châssis 12 et une base 14. Le châssis 12 comporte des trous de buse 16 reliés à des buses (non montrées) qui envoient des courants d'eau 18 à travers les trous 16. La base 14 présente des trous 20 reliés à des barboteurs qui font bouillonner de petites quantités d'eau 22 à travers les trous 20. Lorsqu'une plaquette 25 est lâchée dans la piste à eau 10, avec sa face qui porte le motif tournée vers le bas, les buses et les barboteurs sont activés. Les courants 18, provenant des jets d'eau, servent à pousser la plaquette 25 dans la direction indiquée par la flèche 24. De petits flux 22 écartent la plaquette 25 légèrement de la base 14 et assurent qu'elle ne frotte jamais contre celle-ci pendant son déplacement le long de la piste, de manière que le motif se trouvant sur la plaquette ne soit pas rayé. D'autres sociétés fabriquent des polisseurs dont les
postes de sortie ne sont constitués que par les cassettes.
Un tel polisseur est fabriqué sur la base du polisseur 6DS-SP de R. Howard Strasbaugh Inc. San Luis Obispo,
Californie, USA.
Un objet de la présente invention est de proposer un système de mesure pouvant être installé à l'intérieur d'une machine à polir et, plus particulièrement, à l'intérieur
d'un poste de sortie d'une machine à polir.
Conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention, la présente invention comprend un système optique, qui examine la plaquette à travers une fenêtre dans le poste de sortie, et un système de préhension, qui amène la plaquette dans une position d'examen prédéterminée à l'intérieur du poste de sortie tout en maintenant la surface portant le motif complètement sous l'eau. La présente invention comprend également une unité d'entraînement vers le bas destinée à tirer le système de mesure légèrement au-dessous de l'horizontale avant la mesure et ramène ensuite le système de mesure à l'horizontale. Conformément à un premier mode de réalisation préféré de la présente invention, le système de préhension comprend une porte levable qui reçoit la plaquette en une position prédéterminée, et un élément de préhension qui saisit la plaquette, la transporte jusqu'à l'emplacement d'examen et l'immerge dans l'eau avec un petit angle par rapport à l'horizontale. L'élément de préhension maintient également la plaquette en place pendant l'opération de mesure, après
quoi, il la libère et la porte levable est levée.
La présente invention concerne également un procédé d'immersion d'une plaquette dans l'eau de telle sorte que très peu de bulles soient produites à la surface de la plaquette. Le procédé de la présente invention comprend de préférence l'étape consistant à immerger la plaquette pendant qu'elle est maintenue de telle sorte que son plan de surface fasse un petit angle par rapport à l'horizontale. Dans un second mode de réalisation, le système de mesure
comprend un bain d'eau et un système de préhension au-
dessus. Le système de préhension comprend des éléments de maintien des plaquettes, qui reçoivent la plaquette, et un élément de préhension dont la position initiale se trouve au-dessus de la position de réception prévue de la plaquette. L'élément de préhension est relié de manière souple en formant un angle avec un piston, de telle sorte que la plaquette est immergée dans l'eau en formant un angle
par rapport à l'horizontale.
La présente invention sera comprise et appréciée de
manière plus complète à partir de la description détaillée
suivante faite en regard des dessins sur lesquels: la figure 1 est une vue schématique d'une piste à eau selon l'art antérieur; la figure 2 est une vue schématique d'un système de mesure pouvant être installé à l'intérieur d'une machine à polir, le système de mesure étant construit et pouvant fonctionner conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention; les figures 3, 4, 5, 6, 7 et 8 sont des vues de côté schématiques d'un système de préhension faisant partie du système de mesure de la figure 2 lors de différentes étapes de fonctionnement; la figure 9 est une vue schématique d'un exemple de système optique faisant partie du système de mesure de la présente invention; la figure 10 est une vue de dessus d'un second mode de réalisation du système de mesure de la présente invention; et les figures 11, 12 et 13 sont des vues de côté du système de mesure respectivement pendant la réception, le
transfert et la mesure de la plaquette.
On fait maintenant référence à la figure 2, qui illustre une unité de mesure pouvant être installée à l'intérieur d'une machine à polir, telle que la machine IPEC Westech, le système de mesure étant construit et pouvant fonctionner conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention et aux figures 3, 4, 5, 6, 7, et 8 qui illustrent le fonctionnement d'un système de préhension faisant partie du système de mesure de la figure 2. Des numéros de référence similaires sont utilisés pour faire référence aux
éléments de la piste à eau précédemment décrite.
Le système de mesure, désigné par 30, comprend un système optique 32 et un système de préhension 34 pouvant fonctionner en conjonction avec une piste à eau 36. Le système optique 32 peut être n'importe quel système optique capable de mesurer l'épaisseur de la couche supérieure de la plaquette à travers l'eau. La figure 9 fournit un exemple d'un tel système optique; d'autres systèmes optiques sont
également incorporés dans la présente invention.
Le système de préhension 34 comprend une porte levable , un élément de préhension 42 déplaçable en translation, un coussinet à vide 44 et un système à vide 46. La porte 40 est commandée par un mécanisme de levage 48 qui soulève et abaisse la porte 40 si nécessaire. La porte 40 a une surface supérieure 50 avec un bord extérieur incurvé 52 et une pluralité de saillies 54 s'étendant vers le bas depuis la surface supérieure 50 jusque dans l'eau. Les saillies 54 forment une surface inférieure sur laquelle la porte 40 est abaissée tout en permettant à l'eau de passer à travers la porte 40. Le bord incurvé 52 est conformé pour correspondre au bord incurvé de la plaquette 25 de telle sorte que, lorsque la porte 40 est dans sa position abaissée, elle empêche la plaquette 25 de dépasser la piste à eau et
maintient la plaquette 25 dans une position reproductible.
L'élément de préhension 42 se déplace par translation entre la position de collecte de la plaquette définie par le bord incurvé 52 et une position de mesure de plaquette indiquée sur la figure 2 par la plaquette 25. Bien que cela ne soit pas visible sur la figure 2, la base de la piste à eau à l'emplacement de mesure de plaquette a été remplacée par une fenêtre 60 (figures 3 à 9) pour permettre au système optique 32 d'examiner la surface à motif 62 de la plaquette 25. Pour les besoins de l'explication, la surface à motif 62
est montrée de manière exagérée sur les figures.
L'élément de préhension 42 peut être déplacé par translation par n'importe quel système de translation; un exemple d'un tel système est montré sur la figure 2 et est
désigné par 64.
Le coussinet à vide 44 est typiquement un coussinet en forme de soufflet monté à l'extrémité de l'élément de préhension 42 et relié au système à vide 46. Le coussinet à vide 44 produit une aspiration de telle sorte que l'élément de préhension 42 puisse soulever la plaquette 25 et la déplacer de la position de collecte jusqu'à une position de mesure. De plus, le vide est maintenu pendant la mesure et
est seulement supprimé une fois la mesure achevée.
Les figures 3 à 8 illustrent le fonctionnement du système de préhension 34. Initialement, et comme montré sur la figure 3, les jets, désignés par 70, et les barboteurs, désignés par 72, de la piste à eau sont mis en service et la porte 40 est abaissée. Le polisseur (non représenté) place la plaquette 25 à l'intérieur de la piste à eau et les flux 16 émis par les jets 70 poussent la plaquette 25 vers la porte 40. L'élément de préhension 42 se trouve à la position de collecte de la plaquette, montrée à gauche sur les
figures 3 à 8.
Une fois la plaquette 25 en position de collecte, comme montré sur la figure 4, l'élément de préhension 42 abaisse le coussinet à vide 44 pour saisir la plaquette 25. On appréciera que l'élément de préhension 42 puisse être formé par n'importe quel mécanisme, tel qu'un piston, qui peut déplacer sur commande le coussinet à vide 44 vers le haut et vers le bas. Puisque les barboteurs 72 sont en service, les petits flux 22 maintiennent la plaquette 25 écartée de la
base 14 de la piste à eau.
L'élément de préhension 42 soulève ensuite la plaquette
hors de l'eau (figure 5) et les jets 70 sont désactivés.
Conformément à un mode de réalisation préféré de la présente invention, l'axe de symétrie 74 du coussinet à vide 44 est
incliné d'un petit angle a par rapport à l'axe vertical 76.
Par conséquent, un axe 75 selon le plan de la plaquette 25 forme le même petit angle a par rapport à l'axe horizontal 78. L'angle a est typiquement compris dans la gamme de 2 à 50. L'unité de translation 64 déplace ensuite l'élément de préhension 42 jusqu'à la position de mesure, montrée à l'extrémité droite des figures 4 à 8. Dans le même temps, et comme montré sur la figure 6, un mécanisme d'entraînement vers le bas abaisse légèrement toute la piste, l'unité de préhension et de système optique (en formant un angle de 1 à 3 ), autour d'une charnière 80 (figures 2 à 8), pour forcer l'eau vers la position de mesure de la plaquette. D'autres procédés destinés à pousser l'eau vers la position de mesure
sont également incorporés dans la présente invention.
Après l'abaissement de la piste à eau, l'élément de préhension 42 fait descendre la plaquette 25 vers la fenêtre 60. Puisque le coussinet à vide 44 est incliné, la plaquette n'entre pas dans l'eau d'un seul coup, mais progressivement. Initialement, seul le côté désigné par 82 est immergé. Au fur et à mesure que l'élément de préhension 42 pousse le coussinet à vide 44 davantage vers le bas, la plaquette 25 est de plus en plus immergée jusqu'à ce qu'elle soit entièrement dans l'eau. Le coussinet à vide 44 est suffisamment souple pour se conformer à l'angle modifié de
la plaquette 25.
On appréciera le fait que, en immergeant progressivement la plaquette dans l'eau, peu de bulles, s'il y en a, sont
produites près de la surface à motif de la plaquette 25.
On note que la plaquette 25 ne s'appuie pas contre la fenêtre 60 mais qu'elle est maintenue contre des surfaces saillantes 84, de telle sorte qu'il y ait une couche d'eau 86 entre elle et la fenêtre 60. Du fait de l'immersion progressive de la plaquette 25, la couche d'eau 86 contient, si c'est le cas, peu de bulles et par conséquent, constitue un milieu de connexion uniforme entre le système optique 32
et la surface à motif 62 de la plaquette 25.
Une fois que le système optique 32 a terminé de mesurer la surface à motif 62 de la plaquette 25, l'élément de préhension 42 rappelle le coussinet à vide 44, avec la plaquette 25 encore fixée, dans sa position supérieure. Le mécanisme d'entraînement vers le bas fait tourner la piste à eau autour de la charnière 80 pour la rappeler dans sa position d'origine, la porte 40 est levée, et les jets 70 et les barboteurs 72 sont activés. Le système à vide 46 supprime le vide et la plaquette 25 tombe dans la piste à eau. Le flux d'eau déplace la plaquette 25 vers et sous la porte 40, à présent ouverte. Un capteur 90 détermine le moment o la plaquette 25 réussit à passer au-delà de la piste à eau. Le procédé décrit ci-dessus peut maintenant
commencer pour la plaquette suivante.
On se réfère à présent à la figure 9 qui illustre de manière schématique un exemple d'un système optique 32 approprié. Le système optique 32 est un spectrophotomètre basé sur le microscope et comprend une lentille d'objectif 100, une lentille convergente 102, un diviseur de faisceau 104, un miroir à sténopé 106, une lentille de relais 108 et un spectrophotomètre 110. Il comprend en outre une source de lumière 112, un condenseur 114, une caméra à dispositif à couplage de charge 116 (CCD) et une seconde lentille de
relais 118.
La lumière provenant de la source de lumière 112 est envoyée, le long d'une fibre optique 113, jusqu'au condenseur 114. A son tour, le condenseur 114 dirige la lumière vers le diviseur de faisceau 104. Celuici dirige la lumière vers la surface de la plaquette par l'intermédiaire des lentilles 102 et 100 et par l'intermédiaire de la fenêtre 60 et de la couche d'eau 86. La lumière réfléchie par la surface à motif 62 est recueillie par l'objectif 100 et focalisée, par la lentille 102, sur le miroir à sténopé 106. La lentille de relais 108 reçoit la lumière qui a traversé le miroir à sténopé 106 et
la focalise sur le spectrophotomètre 110.
Le miroir à sténopé 106 laisse passer la lumière à travers son trou vers le spectromètre 110 et dirige la lumière qui frappe la surface du miroir vers la caméra CCD 116. La seconde lentille de relais 118 reçoit la lumière réfléchie par le miroir à sténopé 106 et la focalise sur la
caméra CCD 116.
Puisque le sténopé est placé au centre du plan de l'image qui est le plan focal de la lentille 102, il agit comme une ouverture de diaphragme, laissant seulement passer la partie collimatée du faisceau lumineux. Ainsi, le sténopé réduit considérablement toute lumière diffusée dans le système. La lentille de relais 108 collecte la lumière
provenant du sténopé et l'envoie au spectrophotomètre 110.
De plus, puisque le sténopé est situé dans le plan image du système d'image optique (lentilles 100 et 102), seule cette partie de la lumière, réfléchie par la surface de la plaquette 25, qui est de la taille du sténopé divisé par le grossissement, traversera le sténopé. La lentille de relais 118 collecte la lumière et la focalise sur la caméra
CCD 116.
Le sténopé sert à situer le point de mesure dans l'image de la plaquette 25. Puisque le sténopé laisse passer la lumière, plutôt que de la réfléchir vers la caméra CCD 116, il apparaît comme un point sombre net dans l'image produite par la lentille 118. Ainsi, lors de l'examen de l'image CCD, l'emplacement du point de mesure est immédiatement
identifié, comme étant l'emplacement du point sombre.
On se réfère à présent aux figures 10 à 14 qui illustrent la mesure de l'épaisseur selon la présente invention, mise en oeuvre dans une machine à polir similaire
à celle fabriquée par Strasbaugh qui n'a pas de piste à eau.
Dans ce mode de réalisation, la machine à polir ou un robot extérieur (non montré) amène la plaquette 25 jusqu'à une station de sortie du polisseur. Lorsque la mesure est achevée, le robot amène les plaquettes 25 jusqu'à leur cassette à une autre station de sortie. La figure 10 est une vue d'en haut et les figures 11, 12 et 13 illustrent la
station de mesure dans trois états.
La station de mesure 130 comprend une unité de
préhension 132, un système optique 134 et un bain d'eau 136.
Le système optique 134 est situé au-dessous du bain d'eau 136 et peut être n'importe quel système optique approprié, tel que celui décrit ci-dessus. Comme dans le mode de réalisation précédent, le bain d'eau 136 a une fenêtre sur sa surface inférieure, désignée par 140 sur la figure 11, à travers laquelle le système optique 134 peut éclairer la
plaquette 25.
L'unité de préhension 132 comprend un support de plaquette 150, illustré comme étant formé de deux éléments de support, un coussinet à vide 152, similaire au coussinet à vide 44, et un piston 160. Le polisseur place la plaquette 25 sur le support de plaquette 150 tandis que le coussinet vide 152 est initialement en position au-dessus du support , comme montré sur la figure 11. une fois que le support de plaquette 150 reçoit la plaquette dans une position prédéterminée, le coussinet à vide 152, qui est commandé par le piston 160, avance vers la plaquette et la saisit en appliquant du vide. Maintenant que le coussinet à vide 152 maintient la plaquette, les supports de plaquettes 150
s'écartent, comme indiqué.
Le piston 160 pousse ensuite l'ensemble du coussinet à vide et de la plaquette vers le bain 136. Ceci est montré sur la figure 12 qui montre également que le coussinet à vide 152 maintient la plaquette 25 inclinée d'un petit angle a par rapport à l'horizontale. L'angle a provient du fait que, comme dans le mode de réalisation précédent, l'axe de symétrie du coussinet à vide 152 fait un petit angle a avec l'axe vertical. Comme dans le mode de réalisation précédent, en immergeant la plaquette 25 dans l'eau sous un angle a, peu de bulles, s'il y en a, restent sur la surface
inférieure de la plaquette après immersion totale.
La figure 13 représente la plaquette 25 à sa position de mesure, complètement immergée. Typiquement, la plaquette 25 ne touche pas directement la surface immergée 163 de la
fenêtre 140, mais elle repose sur un support de mesure 168.
Le résultat est qu'il y a une couche d'eau 164 entre la
plaquette 25 et la surface 163 de la fenêtre.
Une fois le procédé de mesure terminé, le piston 160 rappelle la plaquette 25 à sa position d'origine et les éléments 150 de support de plaquette sont rappelés dans leur position de réception de plaquette. Le piston 160 place la plaquette 25 sur les éléments 150 de support de plaquette et supprime le vide. Le robot externe peut maintenant prendre la plaquette pour l'amener vers une autre station de sortie o se trouve une cassette de plaquettes mesurées et traitées. Les spécialistes dans l'art apprécieront que la présente invention ne se limite pas à ce qui a été montré et décrit
en particulier ci-dessus.

Claims (15)

REVENDICATIONS
1. Polisseur de plaquettes susceptible d'effectuer des mesures d'épaisseur, caractérisé en ce qu'il comprend: a. une unité de polissage destinée à polir une couche supérieure d'une plaquette (25) en présence d'une boue; et b. une unité de mesure d'épaisseur montée sur ledit polisseur et destinée à mesurer l'épaisseur de ladite couche supérieure pendant que ladite plaquette (25) est immergée
dans de l'eau.
2. Polisseur de plaquettes selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend une piste de sortie dans laquelle ladite eau s'écoule, ladite piste comprenant une surface de fond dans laquelle une fenêtre (60; 140) est montée.
3. Polisseur de plaquettes selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite unité de mesure d'épaisseur comprend: a. une porte incurvée (40) ayant un rayon de courbure généralement similaire à celui de ladite plaquette (25), ladite porte incurvée étant située dans une position de préhension; b. un élément de préhension (42; 160) destiné à déplacer ladite plaquette (25) de ladite position de préhension jusqu'à une position de mesure au- dessus d'une couche d'eau (86; 164) située au-dessus de ladite fenêtre (60; 140); et c. un système optique (32; 134) monté sous ladite fenêtre, destiné à mesurer l'épaisseur de ladite couche
supérieure à travers ladite fenêtre et ladite couche d'eau.
4. Polisseur de plaquettes selon l'une quelconque des
revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend
également une unité d'entraînement vers le bas destinée à
tirer ladite surface de fond au-dessous de l'horizontale.
5. Polisseur de plaquettes selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'unité de mesure d'épaisseur est montée sur une piste à eau (10) du polisseur afin de mesurer l'épaisseur d'une couche supérieure d'une plaquette (25), ladite unité de mesure d'épaisseur comprenant: a. une porte incurvée (40) ayant un rayon de courbure généralement similaire à celui de ladite plaquette, ladite porte incurvée étant située dans une position de préhension; b. une fenêtre (60; 140) montée dans une surface de fond de ladite piste à eau (10); c. un élément de préhension (42; 160) destiné à déplacer ladite plaquette (25) depuis ladite position de préhension jusqu'à une position de mesure au-dessus d'une couche d'eau (86; 164) située au-dessus de ladite fenêtre (60; 140); et d. un système optique (32; 134) monté sous ladite fenêtre et destiné à mesurer l'épaisseur de ladite couche
supérieure à travers ladite fenêtre et ladite couche d'eau.
6. Polisseur de plaquettes selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit élément de préhension (42; 160) comprend un coussinet de préhension (44; 152) monté sur ledit élément de préhension, un axe de symétrie dudit coussinet de préhension faisant un angle a par rapport à l'horizontale.
7. Polisseur de plaquettes selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit coussinet de préhension comprend un coussinet (44; 152) en forme de soufflet qui fonctionne en conjonction avec une pompe à vide pour produire une
aspiration à l'intérieur dudit coussinet.
8. Polisseur de plaquettes selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite unité de mesure d'épaisseur comprend: a. un bain d'eau (136) ayant une fenêtre (60; 140) dans sa surface de fond; b. un élément de préhension (42; 160) destiné à déplacer ladite plaquette (25) depuis une position de préhension au-dessus dudit bain d'eau jusqu'à une position de mesure au-dessus d'une couche d'eau située au-dessus de la fenêtre; et, c. un système optique (32; 134) monté sous ladite fenêtre (60; 140), destiné à mesurer l'épaisseur de ladite couche supérieure à travers ladite fenêtre et ladite couche d'eau.
9. Polisseur de plaquettes selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'unité de mesure d'épaisseur est montée sur un bain d'eau pour mesurer l'épaisseur d'une couche supérieure d'une plaquette (25), caractérisé en ce qu'il comprend: a. un bain d'eau (136); b. une fenêtre (60; 140) montée dans une surface de fond dudit bain; c. un élément de préhension (42; 160) destiné à déplacer ladite plaquette (25) depuis une position de préhension au-dessus dudit bain d'eau jusqu'à une position
de mesure au-dessus de la couche d'eau (86; 164) située au-
dessus de ladite fenêtre; et d. un système optique (32; 134) monté sous ladite fenêtre, destiné à mesurer l'épaisseur de ladite couche
supérieure à travers ladite fenêtre et ladite couche d'eau.
10. Polisseur de plaquettes selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit élément de préhension comprend un coussinet de préhension (44; 152) monté sur lui, l'axe de symétrie dudit coussinet de préhension faisant un angle a
par rapport à l'horizontale.
11. Procédé de mesure de l'épaisseur de la couche supérieure polie d'une plaquette au moyen du polisseur selon
l'une des revendications 1 à 10, ledit procédé étant
caractérisé en ce qu'il consiste à immerger la plaquette dans de l'eau en l'inclinant d'un angle a par rapport à la surface de l'eau, afin d'éviter l'introduction de bulles
sous la plaquette.
12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il consiste à presser ladite plaquette (25) contre une surface (84; 168) qui est parallèle à une fenêtre de mesure
(60) située sous la surface de ladite eau.
13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il consiste à: a. soulever ladite plaquette depuis une position de préhension; b. déplacer la plaquette depuis ladite position de préhension jusqu'à une position de mesure; c. positionner la plaquette dans ladite position de mesure sous une surface d'eau, une couche mince (86; 136) de ladite eau étant située au-dessus d'une fenêtre (60; ); et d. mesurer l'épaisseur de ladite couche supérieure à
travers ladite fenêtre et ladite couche d'eau.
14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite étape de positionnement comprend l'étape consistant à immerger ladite plaquette (25) dans l'eau, de telle sorte que le plan de la plaquette forme un angle par
rapport à la surface de l'eau.
15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13
et 14, caractérisé en ce que ladite eau est contenue dans un bain, ladite étape de positionnement consistant à modifier l'angle de la surface inférieure du bain pour déplacer
ladite eau vers ladite position de mesure.
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IL (1) IL113829A (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001012384A2 (fr) * 1999-08-12 2001-02-22 Speedfam-Ipec Corporation Appareil pour deplacer une piece a usiner

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7169015B2 (en) 1995-05-23 2007-01-30 Nova Measuring Instruments Ltd. Apparatus for optical inspection of wafers during processing
US20070123151A1 (en) * 1995-05-23 2007-05-31 Nova Measuring Instruments Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
IL113829A (en) * 1995-05-23 2000-12-06 Nova Measuring Instr Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
US6599412B1 (en) * 1997-09-30 2003-07-29 Semitool, Inc. In-situ cleaning processes for semiconductor electroplating electrodes
US6489624B1 (en) * 1997-07-18 2002-12-03 Nikon Corporation Apparatus and methods for detecting thickness of a patterned layer
JPH11207610A (ja) * 1998-01-26 1999-08-03 Speedfam Co Ltd 研磨量制御システム及びその方法
US6217425B1 (en) * 1998-06-12 2001-04-17 Tdk Corporation Apparatus and method for lapping magnetic heads
US7136173B2 (en) * 1998-07-09 2006-11-14 Acm Research, Inc. Method and apparatus for end-point detection
US7295314B1 (en) 1998-07-10 2007-11-13 Nanometrics Incorporated Metrology/inspection positioning system
US6320609B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Nanometrics Incorporated System using a polar coordinate stage and continuous image rotation to compensate for stage rotation
US7177019B2 (en) * 1999-02-01 2007-02-13 Tokyo Electron Limited Apparatus for imaging metrology
US7042580B1 (en) 1999-02-01 2006-05-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for imaging metrology
IL128920A0 (en) * 1999-03-10 2000-02-17 Nova Measuring Instr Ltd Method for monitoring metal cmp
WO2000054325A1 (fr) 1999-03-10 2000-09-14 Nova Measuring Instruments Ltd. Procede et appareil pour le controle d'un procede de planarisation chimico-mecanique applique a des objets a motif a base de metal
DE19922919C2 (de) 1999-05-19 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Anlage zur Bearbeitung von Wafern
US8531678B2 (en) 1999-07-09 2013-09-10 Nova Measuring Instruments, Ltd. Method and system for measuring patterned structures
IL130874A (en) 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
US6364386B1 (en) 1999-10-27 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc. Apparatus and method for handling an integrated circuit
US6368182B2 (en) * 2000-02-04 2002-04-09 Nova Measuring Instruments Ltd. Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
WO2002015261A2 (fr) 2000-08-11 2002-02-21 Sensys Instruments Corporation Procede et appareil de mesure de plaquette sans bain
US6812045B1 (en) 2000-09-20 2004-11-02 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation
US6673637B2 (en) 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US6694284B1 (en) 2000-09-20 2004-02-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least four properties of a specimen
US6782337B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US6891610B2 (en) * 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an implant characteristic and a presence of defects on a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
CN100469948C (zh) * 2000-10-03 2009-03-18 应用材料有限公司 一旦进入金属沉积用来倾斜基片的方法和相关设备
US6623331B2 (en) 2001-02-16 2003-09-23 Cabot Microelectronics Corporation Polishing disk with end-point detection port
WO2002088677A1 (fr) * 2001-04-26 2002-11-07 Therma-Wave, Inc. Groupe de systemes de mesure
WO2002091248A1 (fr) * 2001-05-04 2002-11-14 Therma-Wave, Inc. Systemes et procedes de recette metrologique et de production de modele
US7175503B2 (en) * 2002-02-04 2007-02-13 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a characteristic of polishing within a zone on a specimen from combined output signals of an eddy current device
IL150438A0 (en) * 2002-06-26 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd Method of thin films measurement
US6854948B1 (en) 2002-08-15 2005-02-15 Nanometrics Incorporated Stage with two substrate buffer station
IL156330A (en) * 2003-06-05 2009-12-24 Nova Measuring Instr Ltd Article transfer system
US7085676B2 (en) * 2003-06-27 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Feed forward critical dimension control
IL158086A (en) * 2003-09-24 2010-02-17 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for positioning articles with respect to a processing tool
EP1709490B1 (fr) 2003-12-19 2010-08-04 International Business Machines Corporation Metrologie differentielle pour la dimension critique et le recouvrement
US7362448B1 (en) 2004-09-08 2008-04-22 Nanometrics Incorporated Characterizing residue on a sample
US7390243B2 (en) * 2006-03-03 2008-06-24 Edgecraft Corporation Sharpener for blades of food slicers
JP4926528B2 (ja) * 2006-04-19 2012-05-09 昭和電工株式会社 湿式研磨装置
US20080024772A1 (en) * 2006-07-26 2008-01-31 Seagate Technology Llc Particle removal tool with integrated defect detection/analysis capability
GB2469112A (en) 2009-04-03 2010-10-06 Mapper Lithography Ip Bv Wafer support using controlled capillary liquid layer to hold and release wafer
JP6046933B2 (ja) 2012-07-10 2016-12-21 株式会社荏原製作所 研磨方法
US10565701B2 (en) 2015-11-16 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Color imaging for CMP monitoring
US11557048B2 (en) 2015-11-16 2023-01-17 Applied Materials, Inc. Thickness measurement of substrate using color metrology
KR20170138207A (ko) * 2016-06-07 2017-12-15 삼성전자주식회사 표면 검사 방법
CN107703881B (zh) * 2017-09-11 2023-08-04 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 一种自动标定磁流变抛光缎带厚度的装置
US11100628B2 (en) 2019-02-07 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Thickness measurement of substrate using color metrology

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6018925A (ja) * 1983-07-13 1985-01-31 Fujitsu Ten Ltd ハイブリツトicのコ−テイング装置
US5081796A (en) * 1990-08-06 1992-01-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
EP0493117A2 (fr) * 1990-12-26 1992-07-01 Shin-Etsu Handotai Company Limited Procédé et appareil pour manipuler des galettes
EP0663265A1 (fr) * 1993-12-22 1995-07-19 International Business Machines Corporation Technique et appareil de surveillance in situ pour la détection de la fin d'une opération chimique/méchanique de surfaçage
US5492594A (en) * 1994-09-26 1996-02-20 International Business Machines Corp. Chemical-mechanical polishing tool with end point measurement station

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3156073A (en) 1963-01-15 1964-11-10 Ray H Strasbaugh Irregular, non-repetitive, closed-loop surfacing mechanism
US3564776A (en) 1969-04-16 1971-02-23 Itek Corp Optical surface generating method and apparatus
FR2097216A5 (fr) 1970-05-27 1972-03-03 Anvar
US3841031A (en) 1970-10-21 1974-10-15 Monsanto Co Process for polishing thin elements
US3691694A (en) 1970-11-02 1972-09-19 Ibm Wafer polishing machine
US4018638A (en) * 1975-08-22 1977-04-19 North American Philips Corporation Method of reducing the thickness of a wafer of fragile material
US4050954A (en) 1976-03-25 1977-09-27 International Business Machines Corporation Surface treatment of semiconductor substrates
US4083272A (en) 1976-12-14 1978-04-11 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Omega-X micromachining system
US4193226A (en) 1977-09-21 1980-03-18 Kayex Corporation Polishing apparatus
ZA813263B (en) * 1980-06-04 1982-06-30 De Beers Cons Mines Ltd The assessment of colour in diamonds and other gems
JPS5815265B2 (ja) * 1980-09-01 1983-03-24 日本電信電話株式会社 自動形状修正研摩装置
US4365301A (en) 1980-09-12 1982-12-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Positional reference system for ultraprecision machining
US4450652A (en) 1981-09-04 1984-05-29 Monsanto Company Temperature control for wafer polishing
DE3306246C2 (de) 1983-02-23 1984-12-06 Maschinenfabrik Ernst Thielenhaus GmbH, 5600 Wuppertal Werkstückaufnahme zum Feinschleifen von zumindest bereichsweise kreiszylindrischen oder topfförmig ausgebildeten Werkstücken
JPS61164773A (ja) 1985-01-18 1986-07-25 Hitachi Ltd ウエハ研削方法および装置
US4813732A (en) * 1985-03-07 1989-03-21 Epsilon Technology, Inc. Apparatus and method for automated wafer handling
US4938654A (en) * 1985-05-17 1990-07-03 Schram Richard R Automated wafer inspection system
JPH0710488B2 (ja) * 1986-02-15 1995-02-08 キヤノン株式会社 回転体研磨装置及び該装置を用いた回転体研磨方法
DE3643914A1 (de) 1986-12-22 1988-06-30 Zeiss Carl Fa Verfahren und vorrichtung zum laeppen bzw. polieren optischer flaechen
US4811522A (en) 1987-03-23 1989-03-14 Gill Jr Gerald L Counterbalanced polishing apparatus
JPS63256342A (ja) 1987-04-10 1988-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエ−ハの研削方法
US4786616A (en) * 1987-06-12 1988-11-22 American Telephone And Telegraph Company Method for heteroepitaxial growth using multiple MBE chambers
DE3743275C1 (de) 1987-12-19 1989-07-27 Thielenhaus Maschf Verfahren zum Planschleifen von gleichen Werkstueck-Rohlingen
US4844617A (en) * 1988-01-20 1989-07-04 Tencor Instruments Confocal measuring microscope with automatic focusing
US4793895A (en) * 1988-01-25 1988-12-27 Ibm Corporation In situ conductivity monitoring technique for chemical/mechanical planarization endpoint detection
JPH01197067A (ja) 1988-02-01 1989-08-08 Fuji Valve Co Ltd Ti基合金製エンジンバルブの製造方法
JPH0224502A (ja) * 1988-07-12 1990-01-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 膜厚測定方法
US4912883A (en) 1989-02-13 1990-04-03 International Business Machines Corporation Lapping control system for magnetic transducers
JPH02244106A (ja) * 1989-03-17 1990-09-28 Hitachi Ltd 薄膜光学定数の測定方法及びそれを用いて作製した光集積回路もしくは半導体素子
CA2012878C (fr) 1989-03-24 1995-09-12 Masanori Nishiguchi Appareil de meulage de plaquettes de semiconducteur
US5099615A (en) 1989-09-22 1992-03-31 Exclusive Design Company, Inc. Automated rigid-disk finishing system providing in-line process control
US4940507A (en) 1989-10-05 1990-07-10 Motorola Inc. Lapping means and method
JPH03142929A (ja) 1989-10-30 1991-06-18 Seiko Epson Corp 洗浄装置
JP2838273B2 (ja) * 1990-01-30 1998-12-16 信越半導体株式会社 接合ウエーハの製造方法
US5104828A (en) 1990-03-01 1992-04-14 Intel Corporation Method of planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate
US5274434A (en) * 1990-04-02 1993-12-28 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line
US5157876A (en) 1990-04-10 1992-10-27 Rockwell International Corporation Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing
US5157877A (en) * 1990-04-27 1992-10-27 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for preparing a semiconductor wafer
US5081421A (en) * 1990-05-01 1992-01-14 At&T Bell Laboratories In situ monitoring technique and apparatus for chemical/mechanical planarization endpoint detection
US5085015A (en) 1990-06-26 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for improving the surface of liquid crystal polymers
DE4027628A1 (de) 1990-08-31 1992-03-05 Wolters Peter Fa Vorrichtung zur steuerung oder regelung von laepp-, hon- oder poliermaschinen
US5036015A (en) 1990-09-24 1991-07-30 Micron Technology, Inc. Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers
US5293216A (en) * 1990-12-31 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Sensor for semiconductor device manufacturing process control
US5270222A (en) * 1990-12-31 1993-12-14 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis
US5069002A (en) 1991-04-17 1991-12-03 Micron Technology, Inc. Apparatus for endpoint detection during mechanical planarization of semiconductor wafers
US5570228A (en) * 1991-04-19 1996-10-29 Edge Scientific Instrument Company Llc Fiber optic illumination system and method for a high definition light microscope
US5240552A (en) * 1991-12-11 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer using acoustical waves for in-situ end point detection
US5196353A (en) 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
US5766360A (en) * 1992-03-27 1998-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing apparatus and substrate processing method
US5337150A (en) * 1992-08-04 1994-08-09 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for performing thin film layer thickness metrology using a correlation reflectometer
US5232875A (en) 1992-10-15 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving planarity of chemical-mechanical planarization operations
US6614529B1 (en) * 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5433650A (en) 1993-05-03 1995-07-18 Motorola, Inc. Method for polishing a substrate
US5337015A (en) * 1993-06-14 1994-08-09 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection method and apparatus for chemical-mechanical polishing using low amplitude input voltage
JP2806747B2 (ja) * 1993-06-21 1998-09-30 大日本スクリーン製造株式会社 顕微測光装置における反射光測定方法
US5412473A (en) * 1993-07-16 1995-05-02 Therma-Wave, Inc. Multiple angle spectroscopic analyzer utilizing interferometric and ellipsometric devices
JP3326443B2 (ja) * 1993-08-10 2002-09-24 株式会社ニコン ウエハ研磨方法及びその装置
US5658183A (en) 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5643060A (en) 1993-08-25 1997-07-01 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including heater
US5486129A (en) 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US5700180A (en) 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
KR100390293B1 (ko) * 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
JPH07130692A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd 平面研削装置
US5474647A (en) * 1993-11-15 1995-12-12 Hughes Aircraft Company Wafer flow architecture for production wafer processing
US5657123A (en) * 1994-09-16 1997-08-12 Mitsubishi Materials Corp. Film thickness measuring apparatus, film thickness measuring method and wafer polishing system measuring a film thickness in conjunction with a liquid tank
US5483568A (en) * 1994-11-03 1996-01-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Pad condition and polishing rate monitor using fluorescence
US5608526A (en) * 1995-01-19 1997-03-04 Tencor Instruments Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system
US5964643A (en) * 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
DE69510032T2 (de) * 1995-03-31 2000-01-27 Ibm Verfahren und Gerät zur Überwachung des Trockenätzens eines dielektrischen Films bis zu einer gegebenen Dicke
IL113829A (en) * 1995-05-23 2000-12-06 Nova Measuring Instr Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
US5658123A (en) * 1995-09-15 1997-08-19 Advanced Micro Devices, Inc. Container-less transfer of semiconductor wafers through a barrier between fabrication areas
US5739906A (en) * 1996-06-07 1998-04-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Interferometric thickness variation test method for windows and silicon wafers using a diverging wavefront

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6018925A (ja) * 1983-07-13 1985-01-31 Fujitsu Ten Ltd ハイブリツトicのコ−テイング装置
US5081796A (en) * 1990-08-06 1992-01-21 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
EP0493117A2 (fr) * 1990-12-26 1992-07-01 Shin-Etsu Handotai Company Limited Procédé et appareil pour manipuler des galettes
EP0663265A1 (fr) * 1993-12-22 1995-07-19 International Business Machines Corporation Technique et appareil de surveillance in situ pour la détection de la fin d'une opération chimique/méchanique de surfaçage
US5492594A (en) * 1994-09-26 1996-02-20 International Business Machines Corp. Chemical-mechanical polishing tool with end point measurement station

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 009, no. 136 (E - 320) 12 June 1985 (1985-06-12) *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001012384A2 (fr) * 1999-08-12 2001-02-22 Speedfam-Ipec Corporation Appareil pour deplacer une piece a usiner
WO2001012384A3 (fr) * 1999-08-12 2001-06-07 Speedfam Ipec Corp Appareil pour deplacer une piece a usiner

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