JPS61164773A - ウエハ研削方法および装置 - Google Patents

ウエハ研削方法および装置

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JPS61164773A
JPS61164773A JP570085A JP570085A JPS61164773A JP S61164773 A JPS61164773 A JP S61164773A JP 570085 A JP570085 A JP 570085A JP 570085 A JP570085 A JP 570085A JP S61164773 A JPS61164773 A JP S61164773A
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JP
Japan
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grinding
wafer
rotary table
grindstone
rough
Prior art date
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Pending
Application number
JP570085A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Shimura
俊 志村
Hajime Yui
肇 油井
Satoru Yamamoto
覚 山本
Takao Ishihara
隆男 石原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 の研削に適用して効果のある技術に関する。
〔背景技術〕
シリコン(Si)ウェハの製造過程におけるウェハの表
面の加工は、インゴットからスライスされたウェハの表
面をラッピング加工することにより行われているのが通
例である。ところが、ラッピング法では歩留りが悪く、
自動化、高精度化が困難であるという問題があることが
本発明者により見い出された。
また、ウェハの裏面をゲッタリング等のために研削する
ことが行われているが、この研削のためには一般にカッ
プ砥石による正面研削加工が用いられているので、研削
精度が低い上に、研削面に強い研削マークが残る等の問
題がある。そのため、この裏面研削技術をそのままウェ
ハ表面(回路形成面)の研削加工に利用することはでき
ないことが本発明者により明らかにされた。
なお、ウェハの研削加工については、株式会社工業調査
会、昭和59年11月20日発行、[電されている。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、ウェハの表面を研削加工により精度良
く加工できる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、ウェハの表面加工の歩留りを向上
させることのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ウェハの表面を粗研削した後に仕上研削する
ことにより、研削精度の良いウェハを得ることができる
また、ウェハ表面の粗研削用のカップ砥石と、仕上研削
用のストレート砥石とを併設したことにより、ウェハ表
面の研削を効率良く行い、また研削を自動化することが
できる。
第1図は本発明の一実施例であるウェハ研削装置の概略
平面図、第2図(a)、 (b)はそれぞれ本発明のウ
ェハ研削方法における各工程を示す概略説明図である。
本実施例のウェハ研削装置において、インデックステー
ブルを兼ねたロークリテーブル1の複数個所には、図示
しない真空吸着機構によりウェハ3を吸着保持するウェ
ハチャック台2が配設されている。ロータリテーブル1
は水平面内で回転可能であり、ローダ4から受は渡され
たウェハ3をウェハチャック台2上に吸着保持しながら
本実施例では反時計方向に回転し、研削処理を終了した
ウェハ3をアンローダ5に受は渡すものであるが、ウェ
ハ3の受は渡し機構は図示省略する。
本実施例のウェハ研削装置においては、ウェハ3の表面
すなわち回路形成面を研削加工するため、粗研削機構6
と仕上研削機構7との2つの研削機構が併設されている
粗研削機構6は、モータ8により水平面内で回転可能な
カップ砥石9よりなる。カップ砥石9は第2図(a)に
示すように水平回転に加えて上下移動も可能である。
一方、仕上研削機構7はカップ砥石9で粗研削されたウ
ェハ3の表面を精仕上げするもので、モータ10により
垂直面内で回転可能な円形のストレート砥石11よりな
る。この仕上研削機構7は前記モータ10を内蔵し、ガ
イドレール12に沿ってロークリテーブル1の半径方向
に水平移動可能であると共に、上下移動も可能である。
次に、本実施例によるウェハ研削方法について説明する
まず、被加工物であるウェハ3をローダ4から受は渡し
機構(図示せず)でロータリテーブル1の所定位置のウ
ェハチャック台2上に順次受は渡し、真空吸着により該
ウェハチャック台2上に表面(回路形成面)を上に向け
て固定保持する。このウェハ3の受は渡しはロータリテ
ーブル1の所定回転角度毎に順次行われる。
ロータリテーブル1を回転しながら、粗研削Ja横6の
カップ砥石9を所定高さに設定し、モータ8で水平回転
させることにより、ウェハ3の表面を能率良く正面研削
する。
カップ砥石9による粗研削を終了したウェハ3はさらに
ロータリテーブル1を回転しながら、ストレート砥石1
1をモータlOにより垂直面内で回転させることによっ
て精密に平面研削され、精仕上げが行われる。
なお、前記粗研削および仕上研削はウェハ3の裏面に対
しても同様に行ってもよい。
仕上研削を終了したウェハ3はアンローダ5に受は渡さ
れ、たとえばカセットに収納して次工程であるエツチン
グ工程に送られる。
〔効果〕
(1)、ウェハの表面を粗研削した後、仕上研削するこ
とにより、高精度に表面加工されたウェハを提供するこ
とができる。
(2)、前記(1)により、ウェハの表面加工の歩留り
を(3)、ウェハの表面を粗研削する水平回転可能なカ
ップ砥石と、粗研削されたウェハ表面を仕上研削する垂
直面内で回転可能なストレート砥石とを併設したことに
より、1つの装置で効率良くウェハの表面研削を行うこ
とができる。
(4)。前記(3)により、ウェハ表面研削の自動化を
容易に実現できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、粗研削機構および仕上研削機構として粗粒度
と精粒度の複数の砥石を併用した構造のものを用いるこ
と等も可能である。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるシリコンウェハに適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、シリコン以外のGaAs等の化合
物半導体よりなるウェハにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるウェハ研削装置を示す
概略平面図、 第2図(a)、 (blはそれぞれ本発明のウェハ研削
方法の研削工程を順次示す概略説明図である。 1・・・ロータリテーブル、2・・・ウェハチャック台
、3・・・ウェハ、4・・・ローダ、5・・・アンロー
ダ、6・・・粗研削機構、7・・・仕上研削機構、8・
・・モータ、9・・・カップ砥石、10・・・モータ、
11・・・ストレート砥石、12・・・ガイドレール。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、インゴットからスライスされたウェハの表面を粗研
    削した後、仕上研削することを特徴とするウェハ研削方
    法。 2、粗研削をカップ砥石による正面研削で行うことを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のウェハ研削方法。 3、仕上研削をストレート砥石による平面研削で行うこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のウェハ研削
    方法。 4、インゴットからスライスされたウェハの表面を粗研
    削する水平回転可能なカップ砥石と、このカップ砥石で
    粗研削されたウェハ表面を仕上研削する垂直面内で回転
    可能なストレート砥石とを併設したことを特徴とするウ
    ェハ研削装置。
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