KR20200029527A - 연삭 장치, 연삭 방법 및 컴퓨터 기억 매체 - Google Patents

연삭 장치, 연삭 방법 및 컴퓨터 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20200029527A
KR20200029527A KR1020207003999A KR20207003999A KR20200029527A KR 20200029527 A KR20200029527 A KR 20200029527A KR 1020207003999 A KR1020207003999 A KR 1020207003999A KR 20207003999 A KR20207003999 A KR 20207003999A KR 20200029527 A KR20200029527 A KR 20200029527A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grinding
substrate
unit
wafer
rough
Prior art date
Application number
KR1020207003999A
Other languages
English (en)
Inventor
타케시 타무라
무네히사 코다마
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20200029527A publication Critical patent/KR20200029527A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

기판을 연삭하는 연삭 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 적어도 중심부와 주연부에 접촉하여, 당해 기판을 연삭하는 환상의 연삭부를 가지고, 상기 기판 유지부와 상기 연삭부는 각각 복수 마련되고, 복수의 상기 연삭부 중, 적어도 하나의 연삭부의 직경은 다른 연삭부의 직경과 상이하다.

Description

연삭 장치, 연삭 방법 및 컴퓨터 기억 매체
(관련 출원의 상호 참조)
본원은 2017년 7월 12일에 일본국에 출원된 특허출원 2017-136026호에 기초하여, 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
본 발명은 기판을 연삭하는 연삭 장치, 당해 연삭 장치를 이용한 연삭 방법 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 표면에 복수의 전자 회로 등이 형성된 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)에 대하여, 당해 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 웨이퍼를 박화하는 것이 행해지고 있다.
웨이퍼의 이면의 연삭은, 예를 들면 웨이퍼의 표면을 유지하여 회전 가능한 척과, 척에 유지된 웨이퍼의 이면을 연삭하는 연삭 숫돌을 구비하여 환상(環狀)으로 회전 가능하게 구성된 연삭 휠을 구비한 연삭 장치에서 행해진다. 이 연삭 장치에서는, 척(웨이퍼)과 연삭 휠(연삭 숫돌)을 회전시키면서, 연삭 숫돌을 웨이퍼의 이면에 누름으로써, 당해 웨이퍼의 이면이 연삭된다.
이와 같이 환상의 연삭 휠을 이용하여 웨이퍼의 이면을 연삭하면, 웨이퍼 이면에 중심부로부터 주연부를 향해 방사 형상의 연삭흔(소 마크)이 형성된다. 보다 상세하게는, 소 마크는 척 및 연삭 휠의 회전의 정속성(定速性)에 기인하여 형성되고, 척을 정해진 회전 속도로 회전시키면서 연삭 휠을 정해진 회전 속도로 회전시켜 웨이퍼를 연삭하면, 웨이퍼의 연삭면에 고유의 소 마크가 형성된다. 그리고 이 소 마크는, 예를 들면 웨이퍼를 다이싱하여 분할된 디바이스의 항절 강도를 저하시키기 때문에, 그 대책이 필요해진다.
따라서 예를 들면 특허 문헌 1에는, 연삭 웨이퍼 연삭 중에, 연삭 휠의 회전 속도와, 웨이퍼를 유지하는 척의 회전 속도 중 적어도 일방을 정기적으로 또는 랜덤으로 변동시키는 것이 제안되고 있다. 이러한 경우, 연삭 휠과 척과의 정속성에 따른 상관을 약하게 하여, 변동하는 회전 속도에 의해 웨이퍼의 연삭면에 생기는 소 마크가 지워지도록 연삭을 행함으로써, 웨이퍼의 연삭면에 있어서의 소 마크의 저감을 도모하고 있다.
일본특허공개공보 2008-47697호
그러나 특허 문헌 1에 기재된 방법, 즉 연삭 휠과 척 중 적어도 일방의 회전 속도를 변동시키는 방법으로는, 충분히 소 마크를 지울 수 없다. 또한, 연삭 중에 연삭 휠과 척의 회전 속도를 변동시키는 것은 용이하지 않아, 그 회전 제어가 매우 번잡해진다. 이 때문에, 적절한 타이밍에 회전 속도를 변동시킬 수 없어, 이러한 관점으로부터도 소 마크를 충분히 저감하지는 못한다. 그리고, 이와 같이 웨이퍼의 이면에 소 마크가 잔존하므로, 다이싱된 디바이스의 항절 강도도 낮아진다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 이면을 적절하게 연삭하여, 기판의 항절 강도를 향상시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들이 예의 검토한 바, 예를 들면 기판에 대하여 거친 연삭, 마무리 연삭을 연속하여 행하는 연삭 처리에 있어서, 거친 연삭으로 형성되는 소 마크와, 마무리 연삭으로 형성되는 소 마크가 동일한 형상으로 겹쳐 형성되면, 기판의 항절 강도가 저하되는 것을 알았다. 즉, 거친 연삭에서 이용되는 환상의 연삭 휠(연삭부)이 기판에 접촉하는 접촉부의 형상과, 마무리 연삭에서 이용되는 환상의 연삭 휠이 기판에 접촉하는 접촉부의 형상이 동일한 경우, 기판의 항절 강도가 저하된다.
본 발명의 일태양은, 이러한 지견에 기초하여 이루어진 것으로, 기판을 연삭하는 연삭 장치로서, 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 적어도 중심부와 주연부에 접촉하여, 상기 기판을 연삭하는 환상의 연삭부를 가지고, 상기 기판 유지부와 상기 연삭부는 각각 복수 마련되고, 복수의 상기 연삭부 중, 적어도 하나의 연삭부의 직경은 다른 연삭부의 직경과 상이하다.
본 발명의 일태양에 따르면, 복수의 연삭부 중, 하나의 연삭부의 직경이 다른 연삭부의 직경과 상이하므로, 상기 하나의 연삭부가 기판에 접촉하는 접촉부의 형상과, 다른 연삭부가 기판에 접촉하는 접촉부의 형상을 상이하게 할 수 있다. 이와 같이 하나의 연삭부에 의해 형성되는 소 마크와, 다른 연삭부에 의해 형성되는 소 마크를 상이한 형상으로 할 수 있으므로, 기판의 항절 강도를 향상시킬 수 있다.
다른 관점에 따른 본 발명의 일태양은, 기판을 연삭하는 연삭 방법으로서, 기판 유지부에 유지된 기판의 적어도 중심부와 주연부에, 환상의 연삭부를 접촉시켜, 상기 기판을 연삭하는 연삭 공정을 복수 가지고, 복수의 상기 연삭 공정에 있어서 이용되는 복수의 상기 연삭부 중, 적어도 하나의 연삭부의 직경은 다른 연삭부의 직경과 상이하다.
다른 관점에 따른 본 발명의 일태양은, 상기 연삭 방법을 연삭 장치에 의해 실행시키도록, 상기 연삭 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체이다.
본 발명의 일태양에 따르면, 기판의 이면을 적절하게 연삭하여, 기판의 항절 강도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 연삭 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 척 및 회전 기구의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 3은 연삭 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 4는 연삭 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 5는 연삭 장치에서 행해지는 연삭 처리를 모식적으로 나타내는 설명도로, (a)는 거친 연삭을 행하는 모습을 나타내고, (b)는 중간 연삭을 행하는 모습을 나타내고, (c)는 마무리 연삭을 행하는 모습을 나타내고 있다.
도 6은 웨이퍼의 이면에 형성되는 소 마크를 나타내는 설명도로, (a)는 거친 연삭 및 중간 연삭으로 형성되는 소 마크를 나타내고, (b)는 마무리 연삭으로 형성되는 소 마크를 나타내고, (c)는 (a)와 (b)의 소 마크를 양방 나타내고 있다.
도 7은 다른 실시 형태에 따른 연삭 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 8은 다른 실시 형태에 따른 연삭 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 9는 다른 실시 형태에 따른 연삭 장치에서 행해지는 연삭 처리를 모식적으로 나타내는 설명도로, (a)는 거친 연삭을 행하는 모습을 나타내고, (b)는 마무리 연삭을 행하는 모습을 나타내고, (c)는 연마를 행하는 모습을 나타내고 있다.
도 10은 다른 실시 형태에 따른 연삭 장치의 구성의 개략을 나타내는 평면도이다.
도 11은 다른 실시 형태에 따른 척, 회전 기구 및 거친 연삭 유닛의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 12는 거친 연삭 유닛에 있어서 거친 연삭을 행하는 모습을 나타내는 설명도이다.
도 13은 거친 연삭 휠을 이용하여 거친 연삭을 행하는 모습을 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서 실질적으로 동일한 기능 구성을 가지는 요소에 있어서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
<기판 처리 시스템>
먼저, 본 실시 형태에 따른 연삭 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 또한, 이하에서는 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
본 실시 형태의 기판 처리 시스템(1)에서는, 기판으로서의 웨이퍼(W)를 박화한다. 웨이퍼(W)는 예를 들면 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼이다. 웨이퍼(W)의 표면에는 전자 회로(도시하지 않음) 등이 형성되어 있고, 또한 당해 표면에는 전자 회로를 보호하기 위한 보호 테이프(도시하지 않음)가 부착되어 있다. 그리고, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 연삭 등의 정해진 처리가 행해져, 당해 웨이퍼가 박화된다.
기판 처리 시스템(1)은 예를 들면 외부와의 사이에서 복수의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 카세트(C)가 반입반출되는 반입반출 스테이션(2)과, 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.
반입반출 스테이션(2)에는 카세트 배치대(10)가 마련되어 있다. 도시의 예에서는, 카세트 배치대(10)에는 복수, 예를 들면 4 개의 카세트(C)를 X축 방향으로 일렬로 배치 가능하게 되어 있다.
또한, 반입반출 스테이션(2)에는 카세트 배치대(10)에 인접하여 웨이퍼 반송 영역(20)이 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(20)에는, X축 방향으로 연장되는 반송로(21) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(22)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(22)는 수평 방향, 연직 방향, 수평축 둘레 및 연직축 둘레(θ 방향)로 이동 가능한 반송 암(23)을 가지고, 이 반송 암(23)에 의해, 각 카세트 배치판(11) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 각 장치(30, 31)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 즉, 반입반출 스테이션(2)은 처리 스테이션(3)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입반출 가능하게 구성되어 있다.
처리 스테이션(3)에는, 웨이퍼(W)를 연삭 등의 각 처리를 행하여 박화하는 연삭 장치(30)와, 당해 연삭 장치(30)에서 가공된 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 장치(31)가 X축 부방향으로부터 정방향을 향해 배열되어 배치되어 있다.
연삭 장치(30)는 턴테이블(40), 반송 유닛(50), 얼라이먼트 유닛(60), 세정 유닛(70), 거친 연삭 유닛(80), 중간 연삭 유닛(90) 및 마무리 연삭 유닛(100)을 가지고 있다.
(턴테이블)
턴테이블(40)은 회전 기구(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다. 턴테이블(40) 상에는, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 기판 유지부로서의 척(200)이 4 개 마련되어 있다. 척(200)은 턴테이블(40)과 동일 원주 상에 균등, 즉 90도마다 배치되어 있다. 4 개의 척(200)은 턴테이블(40)이 회전함으로써, 4 개의 처리 위치(P1 ~ P4)로 이동 가능하게 되어 있다.
본 실시 형태에서는, 제 1 처리 위치(P1)는 턴테이블(40)의 X축 정방향측 또한 Y축 부방향측의 위치이며, 세정 유닛(70)이 배치된다. 또한, 제 1 처리 위치(P1)의 Y축 부방향측에는 얼라이먼트 유닛(60)이 배치된다. 제 2 처리 위치(P2)는 턴테이블(40)의 X축 정방향측 또한 Y축 정방향측의 위치이며, 거친 연삭 유닛(80)이 배치된다. 제 3 처리 위치(P3)는 턴테이블(40)의 X축 부방향측 또한 Y축 정방향측의 위치이며, 중간 연삭 유닛(90)이 배치된다. 제 4 처리 위치(P4)는 턴테이블(40)의 X축 부방향측 또한 Y축 부방향측의 위치이며, 마무리 연삭 유닛(100)이 배치된다.
(척)
도 2에 나타내는 바와 같이 척(200)의 표면, 즉 웨이퍼(W)의 유지면은 측면에서 봤을 때, 그 중앙부가 단부에 비해 돌출된 볼록 형상을 가지고 있다. 연삭 처리(거친 연삭, 중간 연삭 및 마무리 연삭)에 있어서는, 후술하는 연삭 숫돌(281, 291, 301)의 원호의 일부가 웨이퍼(W)에 접촉한다. 이 때, 웨이퍼(W)가 균일한 두께로 연삭되도록, 척(200)의 표면을 볼록 형상으로 하고, 이 표면을 따르도록 웨이퍼(W)를 흡착시킨다.
척(200)에는 예를 들면 포러스 척이 이용된다. 척(200)은 척 테이블(201)에 유지되고, 척(200)과 척 테이블(201)은 또한 기대(202)에 지지되어 있다. 기대(202)에는 척(200), 척 테이블(201) 및 기대(202)를 회전시키는 회전 기구(203)가 마련되어 있다. 또한, 척(200), 척 테이블(201) 및 기대(202)는 조절 기구(도시하지 않음)에 의해 그 면내의 기울기가 조절된다.
회전 기구(203)는 척(200)을 회전시키는 회전축(210)과, 척(200)을 회전시킬 시의 회전 구동을 부여하는 구동부(220)와, 구동부(220)에 의한 회전 구동을 회전축(210)에 전달하는 구동 전달부(230)를 가지고 있다. 회전축(210)은 기대(202)의 하면 중앙부에 고정하여 마련되어 있다. 또한, 회전축(210)은 지지대(211)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 이 회전축(210)을 중심으로, 척(200)이 회전한다.
구동부(220)는 회전축(210)과 독립하여 마련되어 있다. 구동부(220)는 구동축(221)과, 구동축(221)을 회전시키는 모터(222)를 가지고 있다.
구동 전달부(230)는, 회전축(210)에 마련된 종동 풀리(231)와, 구동축(221)에 마련된 구동 풀리(232)와, 종동 풀리(231)와 구동 풀리(232)에 감겨진 벨트(233)를 가지고 있다. 구동부(220)에 의한 회전 구동은 구동 풀리(232), 벨트(233), 종동 풀리(231)를 개재하여 회전축(210)에 전달된다.
(반송 유닛)
도 1에 나타내는 바와 같이 반송 유닛(50)은, Y축 방향으로 연장되는 반송로(250) 상을 이동 가능하게 구성되어 있다. 반송 유닛(50)은 수평 방향, 연직 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로 이동 가능한 반송 암(251)을 가지고, 이 반송 암(251)에 의해, 얼라이먼트 유닛(60)과, 제 1 처리 위치(P1)에 있어서의 척(200)과의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
(얼라이먼트 유닛)
얼라이먼트 유닛(60)에서는, 처리 전의 웨이퍼(W)의 수평 방향의 방향을 조절한다. 얼라이먼트 유닛(60)은 기대(260)와, 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 스핀 척(261)과, 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 검출하는 검출부(262)를 가지고 있다. 그리고, 스핀 척(261)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키면서 검출부(262)로 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 검출함으로써, 당해 노치부의 위치를 조절하여 웨이퍼(W)의 수평 방향의 방향을 조절하고 있다.
(세정 유닛)
세정 유닛(70)에서는, 웨이퍼(W)의 이면을 세정한다. 세정 유닛(70)은 척(200)의 상방에 마련되고, 웨이퍼(W)의 이면에 세정액, 예를 들면 순수를 공급하는 노즐(270)이 마련되어 있다. 그리고, 척(200)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키면서 노즐(270)로부터 세정액을 공급한다. 그러면, 공급된 세정액은 웨이퍼(W)의 이면 상을 확산되어, 이면이 세정된다. 또한, 세정 유닛(70)은 척(200)을 세정하는 기능을 더 가지고 있어도 된다. 이러한 경우, 세정 유닛(70)에는, 예를 들면 척(200)에 세정액을 공급하는 노즐(도시하지 않음)과, 척(200)에 접촉하여 물리적으로 세정하는 스톤(도시하지 않음)이 마련된다.
(거친 연삭 유닛)
거친 연삭 유닛(80)에서는, 웨이퍼(W)의 이면을 거친 연삭한다. 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이 거친 연삭 유닛(80)은, 거친 연삭부로서의 거친 연삭 휠(280)을 가지고 있다. 거친 연삭 휠(280)은 외경이 D1인 환상 형상을 가지고 있다. 또한, 거친 연삭 휠(280)은 거친 연삭 숫돌(281)과, 거친 연삭 숫돌(281)을 지지하는 휠 기대(282)를 가지고 있다. 거친 연삭 숫돌(281)은 거친 연삭 휠(280)과 대략 동일한 환상 형상을 가지고, 그 외경도 D1이다. 또한, 거친 연삭 숫돌(281)은 웨이퍼(W)의 중심부와 주연부를 연결하는 접촉 영역(A1)(도 4 중 칠해진 영역)에 접촉한다. 휠 기대(282)는 원판 형상의 마운트(283)에 지지되고, 마운트(283)에는 스핀들(284)을 개재하여 구동부(285)가 마련되어 있다. 구동부(285)는 예를 들면 모터(도시하지 않음)를 내장하고, 거친 연삭 휠(280)을 연직 방향으로 이동시키고 또한 회전시킨다. 그리고, 척(200)에 유지된 웨이퍼(W)를 거친 연삭 숫돌(281)의 원호의 일부(접촉 영역(A1))에 접촉시킨 상태에서, 척(200)과 거친 연삭 숫돌(281)을 각각 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 이면을 거친 연삭한다. 또한 이 때, 웨이퍼(W)의 이면에 연삭액, 예를 들면 물이 공급된다. 또한 본 실시 형태에서는, 거친 연삭의 연삭 부재로서 거친 연삭 숫돌(281)을 이용했지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 연삭 부재는, 예를 들면 부직포에 연마용 입자를 함유시킨 부재 등 그 외의 종류의 부재여도 된다.
(중간 연삭 유닛)
중간 연삭 유닛(90)에서는, 웨이퍼(W)의 이면을 중간 연삭한다. 중간 연삭 유닛(90)의 구성은 거친 연삭 유닛(80)의 구성과 대략 동일하며, 중간 연삭부로서의 중간 연삭 휠(290), 중간 연삭 숫돌(291), 휠 기대(292), 마운트(293), 스핀들(294) 및 구동부(295)를 가지고 있다. 중간 연삭 휠(290)(중간 연삭 숫돌(291))의 외경(D2)은, 거친 연삭 휠(280)(거친 연삭 숫돌(281))의 외경(D1)과 동일하다. 또한, 중간 연삭 숫돌(291)은 웨이퍼(W)의 중심부와 주연부를 연결하는 접촉 영역(A2)(도 4 중 칠해진 영역)에 접촉한다. 또한, 중간 연삭 숫돌(291)의 입도는, 거친 연삭 숫돌(281)의 입도보다 작다. 그리고, 척(200)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 연삭액을 공급하면서, 이면을 중간 연삭 숫돌(291)의 원호의 일부(접촉 영역(A2))에 접촉시킨 상태에서, 척(200)과 중간 연삭 숫돌(291)을 각각 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 이면을 연삭한다.
(마무리 연삭 유닛)
마무리 연삭 유닛(100)에서는, 웨이퍼(W)의 이면을 마무리 연삭한다. 마무리 연삭 유닛(100)의 구성은 거친 연삭 유닛(80), 중간 연삭 유닛(90)의 구성과 대략 동일하며, 마무리 연삭부로서의 마무리 연삭 휠(300), 마무리 연삭 숫돌(301), 휠 기대(302), 마운트(303), 스핀들(304) 및 구동부(305)를 가지고 있다. 마무리 연삭 휠(300)(마무리 연삭 숫돌(301))의 외경(D3)은, 거친 연삭 휠(280)(거친 연삭 숫돌(281))의 외경(D1) 및 중간 연삭 휠(290)(중간 연삭 숫돌(291))의 외경(D2)보다 크다. 또한, 마무리 연삭 숫돌(301)은 웨이퍼(W)의 중심부와 주연부를 연결하는 접촉 영역(A3)(도 4 중 칠해진 영역)에 접촉한다. 또한, 마무리 연삭 숫돌(301)의 입도는, 중간 연삭 숫돌(291)의 입도보다 작다. 그리고, 척(200)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면에 연삭액을 공급하면서, 이면을 마무리 연삭 숫돌(301)의 원호의 일부(접촉 영역(A3))에 접촉시킨 상태에서, 척(200)과 마무리 연삭 숫돌(301)을 각각 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 이면을 연삭한다.
이상과 같이 연삭 장치(30)에서는, 웨이퍼(W)의 이면을 거친 연삭, 중간 연삭, 마무리 연삭의 3 단계로 연삭한다. 또한, 각 연삭 휠(280, 290, 300)의 외경(D1, D2, D3)의 관계는 D3 > D1 = D2로 되어 있다. 또한, 예를 들면 웨이퍼(W)의 직경이 300 mm에 대하여, D1과 D2는 각각 300 mm이며, D3는 400 mm이다.
(세정 장치)
도 1에 나타내는 바와 같이 세정 장치(31)에서는, 연삭 장치(30)에서 연삭된 웨이퍼(W)의 이면을 세정한다. 구체적으로, 스핀 척(310)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 당해 웨이퍼(W)의 이면 상에 세정액, 예를 들면 순수를 공급한다. 그러면, 공급된 세정액은 웨이퍼(W)의 이면 상을 확산되어, 이면이 세정된다.
(제어부)
이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제어부(320)가 마련되어 있다. 제어부(320)는 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치 또는 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 웨이퍼 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한 상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(320)에 인스톨된 것이어도 된다.
(웨이퍼 처리)
이어서, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대하여 설명한다. 도 5는 기판 처리 시스템(1)의 연삭 장치(30)에서 행해지는 연삭 처리를 모식적으로 나타내는 설명도이다. 또한, 도 6은 연삭 장치(30)에서의 연삭 처리에 의해 웨이퍼(W)에 형성되는 소 마크를 모식적으로 나타내는 설명도이다.
먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 반입반출 스테이션(2)의 카세트 배치대(10)에 배치된다. 카세트(C)에는, 보호 테이프가 변형되는 것을 억제하기 위하여, 당해 보호 테이프가 부착된 웨이퍼(W)의 표면이 상측을 향하도록 웨이퍼(W)가 수납되어 있다.
이어서, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)가 취출되어, 처리 스테이션(3)의 연삭 장치(30)로 반송된다. 이 때, 반송 암(23)에 의해 웨이퍼(W)의 이면이 상측을 향하도록, 표리면이 반전된다.
연삭 장치(30)로 반송된 웨이퍼(W)는, 얼라이먼트 유닛(60)의 스핀 척(261)으로 전달된다. 그리고, 당해 얼라이먼트 유닛(60)에 있어서, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 방향이 조절된다.
이어서, 웨이퍼(W)는 반송 유닛(50)에 의해, 제 1 처리 위치(P1)의 척(200)으로 전달된다. 이 후, 턴테이블(40)을 반시계 방향으로 90도 회전시켜, 척(200)을 제 2 처리 위치(P2)로 이동시킨다. 그리고, 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이 거친 연삭 유닛(80)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면이 거친 연삭된다. 거친 연삭의 연삭량은, 박화전의 웨이퍼(W)의 두께와 박화 후에 구해지는 웨이퍼(W)의 두께에 따라 설정된다.
이어서, 턴테이블(40)을 반시계 방향으로 90도 회전시켜, 척(200)을 제 3 처리 위치(P3)로 이동시킨다. 그리고, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이 중간 연삭 유닛(90)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면이 중간 연삭된다. 중간 연삭의 연삭량도, 박화 전의 웨이퍼(W)의 두께와 박화 후에 구해지는 웨이퍼(W)의 두께에 따라 설정된다.
이어서, 턴테이블(40)을 반시계 방향으로 90도 회전시켜, 척(200)을 제 4 처리 위치(P4)로 이동시킨다. 그리고, 도 5의 (c)에 나타내는 바와 같이 마무리 연삭 유닛(100)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면이 마무리 연삭된다. 또한, 웨이퍼(W)는 제품으로서 요구되는 박화 후의 두께까지 연삭된다.
여기서, 이들 거친 연삭, 중간 연삭, 마무리 연삭에 의해 웨이퍼(W)의 이면에 형성되는 소 마크에 대하여, 도 6을 이용하여 설명한다. 거친 연삭과 중간 연삭에서는, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면에 소 마크(S1)가 형성된다. 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1)과 중간 연삭 휠(290)의 외경(D2)은 동일하므로, 이들 웨이퍼(W)에 대한 접촉 영역(A1)과 접촉 영역(A2)도 동일해진다. 그러면, 거친 연삭과 중간 연삭에서는 대략 동일 형상의 소 마크(S1)가 형성된다.
한편, 마무리 연삭에서는, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면에 소 마크(S2)가 형성된다. 마무리 연삭 휠(300)의 외경(D3)은, 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1)(중간 연삭 휠(290)의 외경(D2))보다 크기 때문에, 마무리 연삭 휠(300)에 의한 접촉 영역(A3)은, 거친 연삭 휠(280)에 의한 접촉 영역(A1)(중간 연삭 휠(290)에 접촉 영역(A2))보다 직선 형상에 가까워진다. 이 때문에, 마무리 연삭에 의한 소 마크(S2)도, 거친 연삭 및 중간 연삭에 의한 소 마크(S1)보다 직선 형상에 가까워진다.
이상, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 이면에는, 상이한 형상의 소 마크(S1, S2)가 형성된다. 여기서, 상술한 종래와 같이 거친 연삭, 중간 연삭, 마무리 연삭의 모든 연삭 처리에서 동일한 연삭 휠을 이용하는 경우, 웨이퍼(W)에 동일한 형상의 소 마크가 형성되고, 동일한 개소에 소 마크가 집중되기 때문에, 그 개소의 항절 강도가 저하된다. 이에 대하여, 본 실시 형태에서는 웨이퍼(W)의 이면에 있어서, 소 마크(S1, S1)가 형성되는 개소가 분산되므로, 웨이퍼(W)를 다이싱하여 디바이스로 분할해도, 당해 디바이스의 항절 강도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명자들이 예의 검토한 바, 마무리 연삭 휠(300)의 외경(D3)이 커지면 커질수록, 마무리 연삭의 정밀도, 예를 들면 마무리 연삭 후의 웨이퍼(W)의 두께의 정밀도가 높아지는 것을 알았다. 이 원인에 대해서는, 다음과 같이 추측된다. 예를 들면 본 실시 형태의 비교예로서, 외경(D3)이 작으면, 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부에 가까워짐에 따라, 소 마크(S2)는 비스듬하게 만곡하여 형성되기 때문에, 특히 웨이퍼(W)의 주연부에 있어서 마무리 연삭의 정밀도는 낮아진다. 이에 대하여, 본 실시 형태와 같이 외경(D3)이 크면, 소 마크(S2)는 직선 형상에 가까워지고, 웨이퍼(W)의 주연부에서도 소 마크(S2)는 직선 형상이 되기 때문에, 마무리 연삭의 정밀도가 높아진다. 따라서, 본 실시 형태와 같이 마무리 연삭 휠(300)의 외경(D3)을 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1)(중간 연삭 휠(290)의 외경(D2))보다 크게 함으로써, 마무리 연삭의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
또한, 마무리 연삭 휠(300)의 외경(D3)이 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1)(중간 연삭 휠(290)의 외경(D2))보다 크기 때문에, 연삭 처리의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 동일한 회전수로 마무리 연삭 휠(300)을 회전시킨 경우, 외경(D3)이 큰 것이, 주속이 커진다. 그러면, 마무리 연삭 휠(300)이 웨이퍼(W)의 이면을 연삭하는 속도가 커지고, 이에 의해 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 이와 같이 주속이 커지므로, 마무리 연삭 숫돌(301)의 마모를 억제할 수 있어, 마무리 연삭 휠(300)의 수명을 늘리는 것도 가능해진다.
이상과 같이 거친 연삭, 중간 연삭, 마무리 연삭이 종료되면, 이어서, 턴테이블(40)을 반시계 방향으로 90도 회전시키고, 또는 턴테이블(40)을 시계 방향으로 270도 회전시켜, 척(200)을 제 1 처리 위치(P1)로 이동시킨다. 그리고, 세정 유닛(70)에 의해, 웨이퍼(W)의 이면이 세정액에 의해 세정된다.
이어서 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 세정 장치(31)로 반송된다. 그리고 세정 장치(31)에 있어서, 웨이퍼(W)의 이면이 세정액에 의해 세정된다. 또한 웨이퍼(W)의 이면 세정은, 연삭 장치(30)의 세정 유닛(70)에서도 행해지지만, 세정 유닛(70)에서의 세정은 웨이퍼(W)의 회전 속도가 느려, 예를 들면 웨이퍼 반송 장치(22)의 반송 암(23)이 더러워지지 않을 정도로, 어느 정도의 오염을 제거하는 것이다. 그리고 세정 장치(31)에서는, 이 웨이퍼(W)의 이면을 원하는 청정도까지 더 세정한다.
이 후, 모든 처리가 실시된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트 배치대(10)의 카세트(C)로 반송된다. 이렇게 하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 일련의 웨이퍼 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 하나의 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 거친 연삭 유닛(80)에 의한 거친 연삭, 중간 연삭 유닛(90)에 의한 중간 연삭, 마무리 연삭 유닛(100)에 의한 마무리 연삭, 및 세정 유닛(70) 및 세정 장치(31)에 있어서의 웨이퍼(W)의 이면의 세정을, 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 연속하여 행할 수 있다. 따라서, 하나의 기판 처리 시스템(1) 내에서 웨이퍼 처리를 효율적으로 행하여, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한 본 실시 형태에 따르면, 연삭 장치(30)에 있어서, 웨이퍼(W)의 이면에 상이한 형상의 소 마크(S1, S2)를 형성할 수 있으므로, 웨이퍼(W), 및 웨이퍼(W)가 다이싱된 디바이스의 항절 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 마무리 연삭 휠(300)의 외경(D3)이, 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1)(중간 연삭 휠(290)의 외경(D2))보다 크기 때문에, 마무리 연삭의 정밀도 향상, 웨이퍼 처리의 스루풋 향상, 마무리 연삭 휠(300)의 연명을 실현하는 것도 가능해진다.
<연삭 장치의 다른 실시 형태>
이어서, 연삭 장치(30)의 다른 실시 형태에 대하여 설명한다.
(제 1 변형예)
이상의 실시 형태에서는, 각 연삭 휠(280, 290, 300)의 외경(D1, D2, D3)의 관계는 D3 > D1 = D2로 되어 있었지만, 도 7에 나타내는 바와 같이 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1), 중간 연삭 휠(290)의 외경(D2), 마무리 연삭 휠(300)의 외경(D3)은 모두 상이해도 된다. 이러한 경우, 웨이퍼(W)의 이면에 있어서, 거친 연삭, 중간 연삭, 마무리 연삭의 각각으로 형성되는 소 마크를 모두 상이한 형상으로 할 수 있으므로, 웨이퍼(W)와 디바이스의 항절 강도를 더 향상시킬 수 있다. 또한, 이와 같이 외경(D1, D2, D3)을 상이하게 하는 경우, D1, D2, D3의 순으로 크게 하는(D3 > D1 > D2) 것이 바람직하다.
단, 본 발명자들이 예의 검토한 바, 소 마크(S1, S2) 중, 후공정의 마무리 연삭으로 형성되는 소 마크(S2)가 웨이퍼(W)의 이면에 남기 쉬운 것을 알았다. 따라서, 설비 코스트를 억제하기 위하여, 장치 구성 부재의 공통화를 도모한다고 하는 관점에서는, 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1)과 중간 연삭 휠(290)의 외경(D2)을 동일하게 해도 된다.
또한 항절 강도 향상이라고 하는 관점에서는, 본 실시 형태와 반대로, 마무리 연삭 휠(300)의 외경(D3)을, 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1)(중간 연삭 휠(290)의 외경(D2))보다 작게 해도 된다. 단, 마무리 연삭의 정밀도 향상, 웨이퍼 처리의 스루풋 향상, 마무리 연삭 휠(300)의 연명이라고 하는 관점에서는, 본 실시 형태와 같이 마무리 연삭 휠(300)의 외경(D3)은, 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1)(중간 연삭 휠(290)의 외경(D2))보다 큰 것이 바람직하다.
(제 2 변형예)
이상의 실시 형태의 연삭 장치(30)에는, 거친 연삭 유닛(80), 중간 연삭 유닛(90), 마무리 연삭 유닛(100)이 마련되어 있었지만, 도 8에 나타내는 바와 같이 거친 연삭 유닛(80), 마무리 연삭 유닛(100), 연마 유닛(400)이 마련되어 있어도 된다. 거친 연삭 유닛(80), 마무리 연삭 유닛(100), 연마 유닛(400)은 각각, 제 2 처리 위치(P2), 제 3 처리 위치(P3), 제 4 처리 위치(P4)에 배치된다.
연마 유닛(400)에서는, 거친 연삭 및 마무리 연삭이 행해짐으로써 웨이퍼(W)의 이면에 형성된 데미지층을 스트레스 릴리프 처리를 행하여 제거하면서, 당해 웨이퍼(W)의 이면에 게터링층을 형성한다. 연마 유닛(400)에서는, 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이 연삭 숫돌(401)이 웨이퍼(W)의 이면 전면에 접촉하여, 당해 이면을 연마한다. 또한, 본 실시 형태에서는 연마 유닛(400)에 있어서, 이른바 드라이 폴리시를 행하는 경우에 대하여 설명하지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면 웨이퍼(W)의 이면에 연마액, 예를 들면 물을 공급하면서, 이면을 연마해도 된다.
이러한 경우, 연삭 장치(30)에서는, 도 9의 (a)에 나타내는 거친 연삭 유닛(80)에 의한 거친 연삭, 도 9의 (b)에 나타내는 마무리 연삭 유닛(100)에 의한 마무리 연삭, 도 9의 (c)에 나타내는 연마 유닛(400)에 의한 연마가 순차 행해진다. 그리고 본 실시 형태에서도, 마무리 연삭 휠(300)의 외경(D3)이 거친 연삭 휠(280)의 외경(D1)보다 크기 때문에, 상기 실시 형태와 동일한 효과를 얻을 수 있어, 즉 웨이퍼(W) 및 디바이스의 항절 강도를 향상시킬 수 있다.
<연삭 휠의 검사>
이상의 연삭 장치(30)에 있어서, 소 마크(S1, S2)에 기초하여, 연삭 휠(280, 290, 300)의 검사를 행해도 된다. 도 10에 나타내는 바와 같이 연삭 장치(30)는, 소 마크(S1, S2)를 검출하는 검출부로서의 검출 유닛(410)과, 연삭 휠(280, 290, 300)의 상태를 검사하는 검사부로서의 검사 유닛(411)을 가지고 있다.
검출 유닛(410)은, 예를 들면 제 1 처리 위치(P1)에 배치된다. 검출 유닛(410)은 예를 들면 CCD 카메라를 가지고, 척(200)에 유지된 웨이퍼(W)의 이면을 촬상한다. 즉, 검출 유닛(410)에서는, 웨이퍼(W)의 이면의 소 마크(S1, S2)가 검출된다. 검출 유닛(410)으로 촬상된 화상은, 검사 유닛(411)에 출력된다.
검사 유닛(411)은, 예를 들면 제어부(320)의 일부이다. 검사 유닛(411)에서는, 검출 유닛(410)의 촬상 화상, 즉 소 마크(S1, S2)에 기초하여, 연삭 휠(280, 290, 300)의 상태를 검사한다. 도 6에 나타낸 바와 같이 소 마크(S1, S2)는 상이한 형상을 가지고 있다. 따라서, 예를 들면 검출된 소 마크(S1)가 통상의 형상과 상이한 경우, 거친 연삭 휠(280) 또는 중간 연삭 휠(290) 중 어느 하나가 이상이라고 판단된다. 또한, 검출된 소 마크(S2)가 통상의 형상과 상이한 경우, 마무리 연삭 휠(300)이 이상이라고 판단된다.
또한, 연삭 휠(280, 290, 300)의 외경(D1, D2, D3)이 상이한 경우, 웨이퍼(W)의 이면에 형성되는 소 마크도 각각 상이하다. 이러한 경우에는, 검출 유닛(410)과 검사 유닛(411)을 이용하여, 연삭 휠(280, 290, 300)의 각각의 상태를 검사할 수 있다.
또한, 검출 유닛(410)과 검사 유닛(411)의 배치는 본 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 예를 들면 기판 처리 시스템(1)의 내부로서 연삭 장치(30)의 외부에 마련되어 있어도 되고, 혹은 기판 처리 시스템(1)의 외부에 마련되어 있어도 된다. 또한 검출 유닛(410)의 구성도, 소 마크를 검출할 수 있는 것이면 본 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
<에어 컷 제어>
이상의 연삭 장치(30)에 있어서, 이른바 에어 컷량을 제어해도 된다. 거친 연삭 유닛(80)에 의한 거친 연삭, 중간 연삭 유닛(90)에 의한 중간 연삭, 마무리 연삭 유닛(100)에 의한 마무리 연삭은, 각각 대략 동일한 연삭 처리이기 때문에, 이하에서는, 거친 연삭 유닛(80)에 의한 거친 연삭을 대상으로 설명한다.
거친 연삭 유닛(80)에 있어서의 거친 연삭에서는, 거친 연삭 휠(280)을 웨이퍼(W)측으로 하강시킬 시, 처리 시간의 단축의 관점으로부터 고속으로 이동시킨다. 그러나, 이대로 고속의 거친 연삭 유닛(80)을 웨이퍼(W)에 접촉시키면, 거친 연삭 유닛(80)이 파손되거나, 웨이퍼(W)가 손상을 입을 우려가 있기 때문에, 거친 연삭 유닛(80)을 감속하여 저속으로 이동시키는, 이른바 에어 컷이 행해진다. 에어 컷은, 그 개시 시에 거친 연삭 휠(280)의 회전이 개시되지만, 웨이퍼(W)의 이면에 접촉하지 않고 공전하고 있기 때문에, 이와 같이 칭해진다. 또한, 에어 컷은 척(200), 스핀들(284), 거친 연삭 휠(280) 등의 탄성 변형을 고려하여 설정된다.
여기서 본 실시 형태의 비교예로서, 종래의 연삭 숫돌의 연삭 개시 위치(즉, 에어 컷의 개시 위치)의 설정 방법에 대하여 설명한다. 종래의 연삭 개시 위치의 설정에는, 다양한 방법이 이용되는데, 예를 들면 일본특허공개공보 2016-140922에는 그 일례가 개시되어 있다. 구체적으로 일본특허공개공보 2016-140922에는, 척과 연삭 숫돌과의 사이에서 수평 방향으로 연장된 암과, 암을 수직 방향으로 승강시키는 승강 수단과, 암의 상면에 배치되어, 연삭 숫돌의 접촉을 검출하는 상방 접촉 센서를 구비한 연삭 장치가 개시되어 있다. 그리고 이 연삭 장치에서는, 상방 접촉 센서가 연삭 숫돌에 접촉하고 있는 상태를 연삭 숫돌의 연삭 개시 위치라 판단하고, 자동으로 연삭 개시 위치를 설정하고 있다.
그러나, 연삭 숫돌은 복수의 웨이퍼를 연삭하면 마모되어, 그 두께가 감소한다. 즉, 연삭 휠에 있어서의 연삭 숫돌의 하면 높이가 변동한다. 이와 같이 연삭 숫돌이 마모된 경우, 일본특허공개공보 2016-140922에 개시된 바와 같이 연삭 숫돌의 연삭 개시 위치를 일정하게 설정하고 있으면, 에어 컷량이 증가한다. 상술한 바와 같이 에어 컷에서는, 연삭 휠을 저속으로 하강시키기 때문에, 에어 컷량이 증가하면, 연삭의 처리 시간이 길어져 스루풋이 악화된다. 따라서, 종래의 연삭 개시 위치의 설정 방법에는 개선의 여지가 있다.
따라서 본 실시 형태에서는, 에어 컷량을 최소로 하기 위하여, 적어도 척(200) 또는 거친 연삭 휠(280)에 작용하는 하중을 측정하여, 당해 하중이 제로가 된 높이 위치에 기초하여, 연삭 개시 위치를 산출한다.
도 11에 나타내는 바와 같이 거친 연삭 유닛(80)은, 하중 측정부로서의 하중 센서(420, 421)를 가지고 있다. 제 1 하중 센서(420)는 척(200)에 작용하는 하중을 측정하고, 예를 들면 기대(202)의 하면에 마련된다. 제 2 하중 센서(421)는, 거친 연삭 휠(280)에 작용하는 하중을 측정하고, 예를 들면 마운트(283)의 상면에 마련된다. 또한, 하중 센서(420, 421)의 배치는 본 실시 형태에 한정되지 않고, 각각 척(200), 거친 연삭 휠(280)에 작용하는 하중을 측정할 수 있으면, 임의의 위치에 배치할 수 있다. 또한, 하중 측정부의 구성도 본 실시 형태에 한정되지 않고, 하중을 측정을 할 수 있으면 임의의 구성을 취할 수 있다.
도 12는 거친 연삭 유닛(80)에 있어서 거친 연삭을 행하는 모습을 나타내는 설명도이다. 도 12의 좌측 도는, 거친 연삭에 있어서의 거친 연삭 휠(280)과 웨이퍼(W)의 위치 관계를 나타내는 설명도이다. 도 12의 우측 도는, 거친 연삭 휠(280)(거친 연삭 숫돌(281))의 높이 위치의 시계열 변화를 나타내는 그래프로, 종축은 거친 연삭 숫돌(281)의 하면의 높이 위치를 나타내고, 횡축은 시간을 나타내고 있다.
먼저, 거친 연삭 휠(280)을 대기 위치(H1)부터 연삭 개시 위치(H2)까지 고속으로 하강시킨다(시간 T0부터 T1). 이 후, 거친 연삭 휠(280)을 감속시켜 저속으로, 웨이퍼(W)와의 접촉 위치(H3)까지 하강시킨다(시간 T1부터 T2). 이 연삭 개시 위치(H2)부터 접촉 위치(H3)까지의 사이가 에어 컷이다. 에어 컷량은 H2 - H3가 되어, 거친 연삭 유닛(80)에 있어서의 탄성 변형량을 고려하여 미리 설정된다.
이 후, 거친 연삭 휠(280)을 더 하강시켜, 웨이퍼(W)의 이면을 연삭 종료 위치(H4)까지 연삭한다(시간 T3부터 T5). 이 시간 T3부터 T5에서는, 도 13에 나타내는 바와 같이 예를 들면 레이저 변위계(430)를 이용하여 웨이퍼(W)의 이면의 높이를 측정하고, 당해 이면의 높이가, 웨이퍼(W)가 목표 두께가 되는 정해진 높이가 된 시점(시간(T5))에서 거친 연삭 휠(280)의 하강을 정지시킨다. 또한 본 실시 형태에서는, 시간 T3부터 T5까지 단계적으로, 거친 연삭 휠(280)을 감속시켜 연삭을 행하고 있지만, 일정 속도로 연삭을 행해도 된다.
시간 T5부터 T6까지는, 이른바 스파크 아웃의 상태이다. 즉, 시간(T5)에서 거친 연삭 휠(280)의 하강을 정지시켜도, 시간 T5부터 T6의 일정 시간은 거친 연삭 휠(280)이 계속 회전하고 있는 상태이다.
시간 T6부터 T7은, 이른바 이스케이프 컷의 상태이다. 즉, 시간(T6)에 있어서 거친 연삭 휠(280)은 상승을 개시하지만, 시간 T6부터 T7의 일정 시간은 거친 연삭 휠(280)이 계속 회전하고 있는 상태이다.
여기서, 시간 T0부터 T7에 있어서, 하중 센서(420, 421)에서는 각각, 척(200), 거친 연삭 휠(280)에 작용하는 하중을 측정하고 있다. 그리고, 시간(T5)에 있어서 연삭이 종료되어, 거친 연삭 휠(280)의 하강을 정지시켜도, 거친 연삭 휠(280)과 웨이퍼(W)와의 사이에는 하중이 계속 걸리고 있다. 이 후, 시간 T6부터 T7의 사이에 있어서, 하중이 제로가 되는 포인트(이하, 하중 제로 포인트라고 함), 즉 거친 연삭 휠(280)이 웨이퍼(W)로부터 멀어지는 포인트가 도래한다. 본 실시 형태에서는, 제 1 하중 센서(420)로 측정되는 척(200)에 작용하는 하중과, 제 2 하중 센서(421)로 측정되는 거친 연삭 휠(280)에 작용하는 하중이 모두 제로가 되는 경우를, 하중 제로 포인트로 한다.
그리고, 이 하중 제로 포인트에 있어서의 거친 연삭 휠(280)의 높이 위치(이하, 기준 위치라고 함)를 측정한다. 구체적으로, 예를 들면 구동부(285)의 엔코더가 제어부(320)에 출력되고, 제어부(320)에서는 이 엔코더에 기초하여 기준 위치를 파악한다. 또한 본 실시 형태에서는, 구동부(285)와 제어부(320)가 본 발명의 높이 측정부를 구성한다.
또한 제어부(320)에서는, 이 기준 위치에 기초하여, 이어서 연삭되는 웨이퍼(W)에 대하여, 거친 연삭 휠(280)의 연삭 개시 위치를 산출한다. 구체적으로, 기준 위치에, 엣지 컷량과 웨이퍼(W)의 목표 연삭량을 가산함으로써 연삭 개시 위치를 산출한다. 그리고, 산출된 연삭 개시 위치에 기초하여 거친 연삭 휠(280)이 피드 포워드 제어되고, 이어서 연삭 처리되는 웨이퍼(W)(이하, 다음 웨이퍼(W)라고 하는 경우가 있음)에 대하여, 당해 거친 연삭 휠(280)에 의한 거친 연삭이 행해진다. 또한, 현재 연삭 처리 중의 웨이퍼(W)(이하, 현재 웨이퍼(W)라고 하는 경우가 있음)의 두께와, 다음 웨이퍼(W)의 두께가 상이한 경우에는, 그 두께의 차분도 고려하여 연삭 개시 위치가 산출된다. 또한 본 실시 형태에서는, 제어부(320)가 본 발명의 산출부를 구성한다.
또한 본 실시 형태에서는, 다음 웨이퍼(W)의 거친 연삭에 대하여 피드 포워드 제어를 행했지만, 이 대신에, 현재 웨이퍼(W)의 거친 연삭의 다음 공정인 중간 연삭에 대하여 피드 포워드 제어를 행해도 된다. 예를 들면 현재 웨이퍼(W)의 거친 연삭 종료 시의 데이터와, 그 전에 연삭 처리가 종료된 웨이퍼(W)(이하, 전 웨이퍼(W)라고 하는 경우가 있음)의 중간 연삭 종료 시의 데이터에 기초하여, 현재 웨이퍼(W)의 다음 공정인 중간 연삭에 대하여 피드 포워드 제어를 행해도 된다. 구체적으로, 현재 웨이퍼(W)의 거친 연삭 종료 시의 웨이퍼 상면 높이를 산출하고, 또한 전 웨이퍼(W)중간 연삭 처리 종료 시의 숫돌 하면 높이를 산출하고, 양자 데이터에 기초하여, 현재 웨이퍼(W)의 다음 공정인 중간 연삭에 에어 컷량 저감을 위한 피드 포워드 제어를 행하는 것이 가능해진다.
본 실시 형태에 따르면, 현재 연삭 처리 중의 웨이퍼(W)에 대하여, 거친 연삭 휠(280)이 멀어지는 기준 위치를 측정하고, 당해 기준 위치에 엣지 컷량과 웨이퍼(W)의 목표 연삭량을 가산함으로써, 이어서 연삭 처리되는 웨이퍼(W)에 대하여, 거친 연삭 휠(280)의 연삭 개시 위치를 산출할 수 있다. 이러한 경우, 거친 연삭 숫돌(281)이 마모되었다 하더라도, 엣지 컷량은 일정 또한 최소로 억제할 수 있다. 따라서, 연삭의 처리 시간을 단축하여, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 엣지 컷에 있어서 거친 연삭 휠(280)의 하강 속도는 저속이기 때문에, 엣지 컷량을 최소로 유지하는 것은, 스루풋 향상에 매우 유용하다.
또한 본 실시 형태에서는, 기준 위치의 측정에 있어서는, 척(200)과 거친 연삭 휠(280)에 작용하는 하중이 제로가 되는 포인트를 기준으로 하고 있다. 여기서, 기준 위치의 파악에는, 예를 들면 레이저 변위계(430)로 측정되는 웨이퍼(W)의 이면의 높이를 기준으로 해도 좋다고 상정된다. 그러나, 상술한 바와 같이 시간 T5부터 T6까지의 스파크 아웃, 시간 T6부터 T7까지의 이스케이프 컷이 있으며, 이 동안에는 웨이퍼(W)의 이면이 약간 연삭된다. 이 때문에, 레이저 변위계(430)에 의한 측정 결과에서는 기준 위치를 정확하게 파악할 수 없다. 또한, 레이저 변위계(430)는 웨이퍼(W)의 어느 한 점의 높이를 측정하기 때문에, 예를 들면 웨이퍼(W)의 높이에 면내 불균일이 있는 경우에는, 역시 기준 위치를 정확하게 파악할 수 없다. 이 점, 본 실시 형태에서는, 하중 제로 포인트를 기준으로 하고 있으므로, 기준 위치를 정확하게 파악할 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는, 제 1 하중 센서(420)로 측정되는 척(200)에 작용하는 하중과, 제 2 하중 센서(421)로 측정되는 거친 연삭 휠(280)에 작용하는 하중이 모두 제로가 되는 경우를 하중 제로 포인트로 하고 있었지만, 어느 일방이 제로가 되는 경우를 하중 제로 포인트로 해도 된다. 예를 들면 척(200)이 전혀 일그러지지 않는다고 상정되는 경우에는, 제 2 하중 센서(421)로 측정되는 거친 연삭 휠(280)에 작용하는 하중을 기준으로 해도 된다. 이러한 경우, 제 1 하중 센서(420)를 생략해도 된다. 한편, 예를 들면 거친 연삭 휠(280)이 전혀 일그러지지 않는다고 상정되는 경우에는, 제 1 하중 센서(420)로 측정되는 척(200)에 작용하는 하중을 기준으로 해도 된다. 이러한 경우, 제 2 하중 센서(421)를 생략해도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에 있어서, 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
이상의 실시 형태에서는, 표면에 보호 테이프가 부착된 웨이퍼(W)를 대상으로 설명했지만, 본 발명은, 예를 들면 지지 웨이퍼 또는 글라스 기판 등의 지지 기판을 접합한 웨이퍼(W)에도 적용할 수 있다.
1 : 기판 처리 시스템
30 : 연삭 장치
31 : 세정 장치
40 : 턴테이블
50 : 반송 유닛
60 : 얼라이먼트 유닛
70 : 세정 유닛
80 : 거친 연삭 유닛
90 : 중간 연삭 유닛
100 : 마무리 연삭 유닛
200 : 척
280 : 거친 연삭 휠
281 : 거친 연삭 숫돌
285 : 구동부
290 : 중간 연삭 휠
291 : 중간 연삭 숫돌
295 : 구동부
300 : 마무리 연삭 휠
301 : 마무리 연삭 숫돌
305 : 구동부
320 : 제어부
400 : 연마 유닛
410 : 검출 유닛
411 : 검사 유닛
420, 421 : 하중 센서
W : 웨이퍼

Claims (13)

  1. 기판을 연삭하는 연삭 장치로서,
    기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 유지된 기판의 적어도 중심부와 주연부에 접촉하여, 상기 기판을 연삭하는 환상의 연삭부를 가지고,
    상기 기판 유지부와 상기 연삭부는 각각 복수 마련되고,
    복수의 상기 연삭부 중, 적어도 하나의 연삭부의 직경은 다른 연삭부의 직경과 상이한, 연삭 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 연삭부는 기판을 거친 연삭하는 거친 연삭부와, 거친 연삭된 기판을 마무리 연삭하는 마무리 연삭부를 가지고,
    상기 마무리 연삭부의 직경은 상기 거친 연삭부의 직경보다 큰, 연삭 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 연삭부는, 거친 연삭 후로서 마무리 연삭 전에 있어서, 기판을 중간 연삭하는 중간 연삭부를 가지고,
    상기 중간 연삭부의 직경은 상기 거친 연삭부의 직경과 동일한, 연삭 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 연삭부에 의해 기판을 연삭한 후, 상기 기판에 형성되는 연삭흔을 검출하는 검출부와,
    상기 검출부에서 검출된 연삭흔에 기초하여, 상기 복수의 연삭부의 상태를 검사하는 검사부를 가지는, 연삭 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    적어도 상기 기판 유지부 또는 상기 연삭부에 작용하는 하중을 측정하는 하중 측정부와,
    상기 연삭부에 의해 기판을 연삭한 후, 상기 하중 측정부에서 측정되는 하중이 제로가 되었을 시의 상기 연삭부의 높이 위치를 측정하는 높이 측정부와,
    상기 높이 측정부에서 측정된 상기 연삭부의 높이 위치에 기초하여, 이어서 상기 연삭부에 의해 연삭되는 연삭 개시 위치를 산출하는 산출부를 가지는, 연삭 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 하중 측정부는 2 개소에 마련되고,
    하나의 상기 하중 측정부는 상기 기판 유지부에 작용하는 하중을 측정하고,
    다른 상기 하중 측정부는 상기 연삭부에 작용하는 하중을 측정하는, 연삭 장치.
  7. 기판을 연삭하는 연삭 방법으로서,
    기판 유지부에 유지된 기판의 적어도 중심부와 주연부에 환상의 연삭부를 접촉시켜, 상기 기판을 연삭하는 연삭 공정을 복수 가지고,
    복수의 상기 연삭 공정에 있어서 이용되는 복수의 상기 연삭부 중, 적어도 하나의 연삭부의 직경은 다른 연삭부의 직경과 상이한, 연삭 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수의 연삭 공정은 상기 복수의 연삭부 중 거친 연삭부를 이용하여 기판을 거친 연삭하는 거친 연삭 공정과, 이 후, 상기 복수의 연삭부 중 마무리 연삭부를 이용하여 기판을 마무리 연삭하는 마무리 연삭 공정을 가지고,
    상기 마무리 연삭부의 직경은 상기 거친 연삭부의 직경보다 큰, 연삭 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 연삭 공정은, 상기 거친 연삭 공정 후로서 상기 마무리 연삭 공정 전에 있어서, 상기 복수의 연삭부 중 중간 연삭부를 이용하여 기판을 중간 연삭하는 중간 연삭 공정을 가지고,
    상기 중간 연삭부의 직경은 상기 거친 연삭부의 직경과 동일한, 연삭 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수의 연삭 공정 후, 기판에 형성되는 연삭흔을 검출하는 검출 공정과,
    상기 검출 공정에서 검출된 연삭흔에 기초하여, 상기 복수의 연삭부의 상태를 검사하는 검사 공정을 가지는, 연삭 방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 연삭 공정은,
    상기 연삭부에 의해 기판을 연삭할 시, 적어도 상기 기판 유지부 또는 상기 연삭부에 작용하는 하중을 측정하는 하중 측정 공정과,
    상기 연삭부에 의해 기판을 연삭한 후, 상기 하중 측정 공정에서 측정되는 하중이 제로가 되었을 시의 상기 연삭부의 높이 위치를 측정하는 높이 측정 공정과,
    상기 높이 측정 공정에서 측정된 상기 연삭부의 높이 위치에 기초하여, 이어서 당해 연삭부에 의해 연삭되는 기판의 연삭 개시 위치를 산출 공정을 가지는, 연삭 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 하중 측정 공정에 있어서, 상기 기판 유지부에 작용하는 하중과 상기 연삭부에 작용하는 하중의 양방을 측정하는, 연삭 방법.
  13. 기판을 연삭하는 연삭 방법을 연삭 장치에 의해 실행시키도록, 상기 연삭 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체로서,
    상기 연삭 방법은,
    기판 유지부에 유지된 기판의 적어도 중심부와 주연부에 환상의 연삭부를 접촉시켜, 상기 기판을 연삭하는 연삭 공정을 복수 가지고,
    복수의 상기 연삭 공정에 있어서 이용되는 복수의 상기 연삭부 중, 적어도 하나의 연삭부의 직경은 다른 연삭부의 직경과 상이한, 컴퓨터 기억 매체.
KR1020207003999A 2017-07-12 2018-07-03 연삭 장치, 연삭 방법 및 컴퓨터 기억 매체 KR20200029527A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-136026 2017-07-12
JP2017136026 2017-07-12
PCT/JP2018/025158 WO2019013037A1 (ja) 2017-07-12 2018-07-03 研削装置、研削方法及びコンピュータ記憶媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200029527A true KR20200029527A (ko) 2020-03-18

Family

ID=65001648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207003999A KR20200029527A (ko) 2017-07-12 2018-07-03 연삭 장치, 연삭 방법 및 컴퓨터 기억 매체

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20200130124A1 (ko)
JP (1) JP6937370B2 (ko)
KR (1) KR20200029527A (ko)
CN (1) CN110809816A (ko)
TW (1) TW201919815A (ko)
WO (1) WO2019013037A1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021041472A (ja) * 2019-09-09 2021-03-18 株式会社ディスコ 加工装置
CN111730431B (zh) * 2020-05-20 2021-10-15 清华大学 晶圆磨削方法及晶圆磨削系统
CN111633531B (zh) * 2020-06-10 2022-03-04 华海清科股份有限公司 一种具有单腔清洗装置的减薄设备
JP2022152042A (ja) * 2021-03-29 2022-10-12 株式会社ディスコ 研磨装置
JP2022168925A (ja) * 2021-04-27 2022-11-09 株式会社ディスコ 研削方法
WO2023095669A1 (ja) * 2021-11-29 2023-06-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047697A (ja) 2006-08-16 2008-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758068A (ja) * 1993-08-10 1995-03-03 Fujitsu Ltd ウェーハ研削装置と研削方法
JP2001322056A (ja) * 2000-05-16 2001-11-20 Nippei Toyama Corp 片面研削装置および片面研削方法
JP2008155292A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の加工方法および加工装置
JP5149020B2 (ja) * 2008-01-23 2013-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの研削方法
JP5886680B2 (ja) * 2012-04-26 2016-03-16 株式会社ディスコ 研削方法及び研削装置
JP6075995B2 (ja) * 2012-08-20 2017-02-08 株式会社ディスコ 研削砥石消耗量検出方法
JP2014042959A (ja) * 2012-08-27 2014-03-13 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP6093328B2 (ja) * 2013-06-13 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20160125585A (ko) * 2015-04-21 2016-11-01 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6487790B2 (ja) * 2015-06-24 2019-03-20 株式会社ディスコ 加工装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008047697A (ja) 2006-08-16 2008-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200130124A1 (en) 2020-04-30
TW201919815A (zh) 2019-06-01
WO2019013037A1 (ja) 2019-01-17
JPWO2019013037A1 (ja) 2020-04-30
JP6937370B2 (ja) 2021-09-22
CN110809816A (zh) 2020-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6937370B2 (ja) 研削装置、研削方法及びコンピュータ記憶媒体
KR102450002B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
TWI790319B (zh) 基板處理系統及基板處理方法
JP7002874B2 (ja) 基板処理システム
KR20220034162A (ko) 기판 가공 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP2013004726A (ja) 板状物の加工方法
JP2010147134A (ja) 位置合わせ機構、研削装置、位置合わせ方法および研削方法
JP2009160705A (ja) ウェーハの研削方法および研削加工装置
JP6887016B2 (ja) ゲッタリング層形成装置、ゲッタリング層形成方法及びコンピュータ記憶媒体
US20220402087A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2022046137A (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
KR20230029819A (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체
TWI806935B (zh) 基板處理系統、基板處理方法、基板處理程式及電腦記錄媒體
JP2014226767A (ja) ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法
JP2014042959A (ja) 研削装置
JP7170748B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
WO2021095588A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
US20240017375A1 (en) Substrate processing system and substrate processing method
JP2008130576A (ja) ウエーハの搬送方法および加工装置
JP2024066327A (ja) ウエーハの研磨方法
JP2022125928A (ja) 処理方法及び処理装置
JP2022159931A (ja) 基板処理方法及び基板処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application