JP2806747B2 - 顕微測光装置における反射光測定方法 - Google Patents
顕微測光装置における反射光測定方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、膜厚測定装置や線幅測
定装置に利用される顕微測光装置に係り、特に、顕微測
光装置を用いて微細な被測定試料からの反射光を測定す
る方法に関する。
定装置に利用される顕微測光装置に係り、特に、顕微測
光装置を用いて微細な被測定試料からの反射光を測定す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおける検査工程な
どにおいて、例えばシリコン基板上に形成されたシリコ
ン酸化膜の膜厚を測定するには、まず基板表面からの反
射光を測定する。この反射光の測定方法に係る従来例に
ついて、相対反射率測定装置を例に採って以下に説明す
る。
どにおいて、例えばシリコン基板上に形成されたシリコ
ン酸化膜の膜厚を測定するには、まず基板表面からの反
射光を測定する。この反射光の測定方法に係る従来例に
ついて、相対反射率測定装置を例に採って以下に説明す
る。
【０００３】この装置では、ハロゲンランプや重水素ラ
ンプ等の光源からの光を、顕微鏡筒内部に設けられたハ
ーフミラーにより被測定試料方向に反射し、対物レンズ
を介して試料表面に光を照射する。試料表面で反射した
所定波長域の光は、反射対物レンズを介してハーフミラ
ーを透過し、測光分光部へと向かう。この測光分光部の
入射口には、開閉自在の電磁シャッターが配設され、そ
の後部には、ピンホールが配設される。ここを通過した
光は、凹面回折格子により分光され、１次元固体撮像素
子に到達する。この１次元固体撮像素子の信号出力部
は、データ処理部に内蔵されるＣＰＵに接続されてい
る。また、このデータ処理部のＣＰＵは、上述の電磁シ
ャッターの開閉を制御する＄ 次に、この装置による相対反射率の測定方法について説
明する。第１の方法は、まず、基準となる被測定試料
（この例では、シリコン酸化膜のないシリコン基板）を
顕微鏡の試料台に載置し、測光分光部に入射する反射光
の光強度Ｃ（λ）を測定する。次に、光入射口に配設さ
れた電磁シャッターを閉止して測光分光部を暗状態にし
た後、１次元固体撮像素子の暗電流Ｄ（λ）を測定す
る。そして、相対反射率の測定対象である被測定試料
（この例では、シリコン酸化膜のあるシリコン基板）を
顕微鏡の試料台に載置し、測光分光部の電磁シャッター
を開放した状態で光強度Ｍ（λ）を測定する。以上の測
定値から、相対反射率Ｒ（λ）は、 Ｒ（λ）＝｛Ｍ（λ）−Ｄ（λ）｝／｛Ｃ（λ）−Ｄ（λ）｝・・・（１） によって求められる。
ンプ等の光源からの光を、顕微鏡筒内部に設けられたハ
ーフミラーにより被測定試料方向に反射し、対物レンズ
を介して試料表面に光を照射する。試料表面で反射した
所定波長域の光は、反射対物レンズを介してハーフミラ
ーを透過し、測光分光部へと向かう。この測光分光部の
入射口には、開閉自在の電磁シャッターが配設され、そ
の後部には、ピンホールが配設される。ここを通過した
光は、凹面回折格子により分光され、１次元固体撮像素
子に到達する。この１次元固体撮像素子の信号出力部
は、データ処理部に内蔵されるＣＰＵに接続されてい
る。また、このデータ処理部のＣＰＵは、上述の電磁シ
ャッターの開閉を制御する＄ 次に、この装置による相対反射率の測定方法について説
明する。第１の方法は、まず、基準となる被測定試料
（この例では、シリコン酸化膜のないシリコン基板）を
顕微鏡の試料台に載置し、測光分光部に入射する反射光
の光強度Ｃ（λ）を測定する。次に、光入射口に配設さ
れた電磁シャッターを閉止して測光分光部を暗状態にし
た後、１次元固体撮像素子の暗電流Ｄ（λ）を測定す
る。そして、相対反射率の測定対象である被測定試料
（この例では、シリコン酸化膜のあるシリコン基板）を
顕微鏡の試料台に載置し、測光分光部の電磁シャッター
を開放した状態で光強度Ｍ（λ）を測定する。以上の測
定値から、相対反射率Ｒ（λ）は、 Ｒ（λ）＝｛Ｍ（λ）−Ｄ（λ）｝／｛Ｃ（λ）−Ｄ（λ）｝・・・（１） によって求められる。
【０００４】第２の方法は、まず、基準となる被測定試
料（この例では、シリコン酸化膜のないシリコン基板）
を顕微鏡の試料台に載置し、測光分光部に入射する反射
光の光強度Ｃ（λ）を測定する。次に、極めて反射率が
小さく反射率０％とみなせる完全拡散板等を試料台に載
置した状態で、光強度Ｄ（λ）を測定する。そして、第
１の方法と同様に被測定試料の光強度Ｍ（λ）を測定す
る。この方法による相対反射率Ｒ（λ）は、（１）式に
よって算出される。
料（この例では、シリコン酸化膜のないシリコン基板）
を顕微鏡の試料台に載置し、測光分光部に入射する反射
光の光強度Ｃ（λ）を測定する。次に、極めて反射率が
小さく反射率０％とみなせる完全拡散板等を試料台に載
置した状態で、光強度Ｄ（λ）を測定する。そして、第
１の方法と同様に被測定試料の光強度Ｍ（λ）を測定す
る。この方法による相対反射率Ｒ（λ）は、（１）式に
よって算出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来方法には、次のような問題がある。
た従来方法には、次のような問題がある。
【０００６】第１の方法は、前記（１）式における反射
光強度Ｍ，Ｃに含まれる１次元固体撮像素子の暗電流を
除去することができるが、測光分光部の電磁シャッター
から顕微鏡筒内および被測定試料の間の迷光（正規の屈
折または反射以外の原因により生じる望ましくない光）
は除去することができない。そのため、相対反射率の測
定精度が低いという問題点がある。
光強度Ｍ，Ｃに含まれる１次元固体撮像素子の暗電流を
除去することができるが、測光分光部の電磁シャッター
から顕微鏡筒内および被測定試料の間の迷光（正規の屈
折または反射以外の原因により生じる望ましくない光）
は除去することができない。そのため、相対反射率の測
定精度が低いという問題点がある。
【０００７】上記の問題点を、図６を参照して具体的に
説明する。図６は、第１の測定方法により求められた相
対反射率Ｒ（λ）と理論的に求められた相対反射率Ｔ
（λ）とを描画した図である。理論的な相対反射率Ｔ
（λ）は、試料の膜厚、膜の屈折率、膜の吸収係数、基
板の屈折率、基板の吸収係数等から算出している。この
図から明らかなように、迷光の影響により相対反射率Ｒ
１（λ）と理論的な相対反射率Ｔ（λ）とは、極小部分
において大きく異なっている。
説明する。図６は、第１の測定方法により求められた相
対反射率Ｒ（λ）と理論的に求められた相対反射率Ｔ
（λ）とを描画した図である。理論的な相対反射率Ｔ
（λ）は、試料の膜厚、膜の屈折率、膜の吸収係数、基
板の屈折率、基板の吸収係数等から算出している。この
図から明らかなように、迷光の影響により相対反射率Ｒ
１（λ）と理論的な相対反射率Ｔ（λ）とは、極小部分
において大きく異なっている。
【０００８】これらの迷光は、主に光源からの光が顕微
鏡筒内のハーフミラーを透過して、また、対物レンズの
入射面で反射して、試料に照射されることなく測光分光
部に直接に入射することによって発生する。特に、対物
レンズとして複数の凹面または凸面反射鏡で構成された
反射対物レンズを採用する場合には、反射対物レンズ光
軸上に入射された光が反射鏡によって正反射されて測光
分光部に直接入射されるため、迷光の影響が大きくな
る。
鏡筒内のハーフミラーを透過して、また、対物レンズの
入射面で反射して、試料に照射されることなく測光分光
部に直接に入射することによって発生する。特に、対物
レンズとして複数の凹面または凸面反射鏡で構成された
反射対物レンズを採用する場合には、反射対物レンズ光
軸上に入射された光が反射鏡によって正反射されて測光
分光部に直接入射されるため、迷光の影響が大きくな
る。
【０００９】上記の問題点は、顕微鏡筒内面に光を散乱
させる多毛質の紙等（ラシャ紙）を貼ることによって、
また、反射対物レンズの球面状反射鏡の光軸部に、光を
散乱するような凹部（光トラップ）を設けること等によ
り、ある程度抑えることはできるが、完全に解決するこ
とはできない。
させる多毛質の紙等（ラシャ紙）を貼ることによって、
また、反射対物レンズの球面状反射鏡の光軸部に、光を
散乱するような凹部（光トラップ）を設けること等によ
り、ある程度抑えることはできるが、完全に解決するこ
とはできない。
【００１０】第２の方法は、完全拡散板の反射光強度Ｄ
によって、測定反射率Ｍ，Ｃを補正しているので、迷光
の影響をある程度除することはできるが、完全拡散板の
反射率が広い波長域にわたって０％のものは存在しない
ので、迷光を完全に除去することはできない。この方法
で測定精度を上げようとすれば、反射率の複雑な補正計
算が必要となる。
によって、測定反射率Ｍ，Ｃを補正しているので、迷光
の影響をある程度除することはできるが、完全拡散板の
反射率が広い波長域にわたって０％のものは存在しない
ので、迷光を完全に除去することはできない。この方法
で測定精度を上げようとすれば、反射率の複雑な補正計
算が必要となる。
【００１１】また、紫外光を発する光源を用いる場合
は、上記完全拡散板が紫外光により劣化し、光学的に反
射率０％を保つことは極めて困難である。
は、上記完全拡散板が紫外光により劣化し、光学的に反
射率０％を保つことは極めて困難である。
【００１２】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、完全拡散板等を用いることなく、顕微
鏡筒内部の迷光を除去して正確に反射光を測定すること
ができる顕微測光装置による反射光測定方法を提供する
ことを目的とする。
たものであって、完全拡散板等を用いることなく、顕微
鏡筒内部の迷光を除去して正確に反射光を測定すること
ができる顕微測光装置による反射光測定方法を提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような方法をとる。すなわ
ち、本発明に係る顕微測光装置における反射光測定方法
は、対物レンズを介して被測定試料に光を照射し、前記
被測定試料が対物レンズの合焦位置に置かれているとき
の反射光を対物レンズを介して取り込んで測定するとと
もに、前記対物レンズを含む顕微光学系から生じる迷光
を測定し、前記測定反射光と前記迷光との差を被測定試
料の実反射光とする顕微測光装置における反射光測定方
法であって、前記迷光は、前記対物レンズの非合焦位置
に前記被測定試料が位置しているときに測定されること
を特徴とする。
的を達成するために、次のような方法をとる。すなわ
ち、本発明に係る顕微測光装置における反射光測定方法
は、対物レンズを介して被測定試料に光を照射し、前記
被測定試料が対物レンズの合焦位置に置かれているとき
の反射光を対物レンズを介して取り込んで測定するとと
もに、前記対物レンズを含む顕微光学系から生じる迷光
を測定し、前記測定反射光と前記迷光との差を被測定試
料の実反射光とする顕微測光装置における反射光測定方
法であって、前記迷光は、前記対物レンズの非合焦位置
に前記被測定試料が位置しているときに測定されること
を特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
対物レンズの非合焦位置に被測定試料が位置している状
態で、対物レンズを介して光を照射しても、その反射光
は対物レンズに入射しない。したがって、このとき測定
される光強度は、顕微光学系の迷光成分である。それ
故、被測定試料が対物レンズの焦点位置に置かれている
ときの実測反射光から、上記の様に測定される光強度
（迷光成分）を差し引くことにより、迷光成分が除去さ
れた実反射光が測定される。
対物レンズの非合焦位置に被測定試料が位置している状
態で、対物レンズを介して光を照射しても、その反射光
は対物レンズに入射しない。したがって、このとき測定
される光強度は、顕微光学系の迷光成分である。それ
故、被測定試料が対物レンズの焦点位置に置かれている
ときの実測反射光から、上記の様に測定される光強度
（迷光成分）を差し引くことにより、迷光成分が除去さ
れた実反射光が測定される。
【００１５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。 ＜第１実施例＞図１は、本発明に係る方法を使用した顕
微測光装置の概略構成図である。図中、顕微光学系１
は、反射対物レンズ２、後述する光源部からの光を反射
対物レンズ２の方向に反射するハーフミラー３、被測定
試料４で反射した光を集光する集光レンズ５及びハーフ
ミラー１５を含む。集光レンズ５の上部には、集光され
た光の一部を取り出す接眼レンズ部６が配設される。ハ
ーフミラー３の側部には、光源部７が設けられている。
この光源部７は、赤外光を放射するハロゲンランプと、
紫外光を放射する重水素ランプと、照明用レンズ等によ
って構成されている。フォーカス検出部１６は、半導体
レーザ、光学的位置検出素子等を含み、データ処理部１
２からの指令に基づいて、反射対物レンズ２の合焦位置
に対する被測定試料４の位置ずれを検出し、その位置ず
れ情報をデータ処理部１２に送る。そして、顕微光学系
１、接眼レンズ部６、光源部７及びフォーカス検出部１
６は図示しない顕微鏡筒の内部に配設されている。
明する。 ＜第１実施例＞図１は、本発明に係る方法を使用した顕
微測光装置の概略構成図である。図中、顕微光学系１
は、反射対物レンズ２、後述する光源部からの光を反射
対物レンズ２の方向に反射するハーフミラー３、被測定
試料４で反射した光を集光する集光レンズ５及びハーフ
ミラー１５を含む。集光レンズ５の上部には、集光され
た光の一部を取り出す接眼レンズ部６が配設される。ハ
ーフミラー３の側部には、光源部７が設けられている。
この光源部７は、赤外光を放射するハロゲンランプと、
紫外光を放射する重水素ランプと、照明用レンズ等によ
って構成されている。フォーカス検出部１６は、半導体
レーザ、光学的位置検出素子等を含み、データ処理部１
２からの指令に基づいて、反射対物レンズ２の合焦位置
に対する被測定試料４の位置ずれを検出し、その位置ず
れ情報をデータ処理部１２に送る。そして、顕微光学系
１、接眼レンズ部６、光源部７及びフォーカス検出部１
６は図示しない顕微鏡筒の内部に配設されている。
【００１６】接眼レンズ部６の上部には、反射光の分光
スペクトル強度を検出する測光分光部８が設けられてい
る。この測光分光部８の下部の光入射口には、ピンホー
ルが形成されたピンホール板９が配設され、その上部に
は、反射光を単波長の分光スペクトルに分解する凹面回
折格子１０が設けられている。凹面回折格子１０により
分光スペクトルに分解された光は、１次元固体撮像素子
であるＣＣＤ(ChargeCoupled Device) １１の表面で結
像する。なお、従来設けられていた電磁シャッターは除
去されている。
スペクトル強度を検出する測光分光部８が設けられてい
る。この測光分光部８の下部の光入射口には、ピンホー
ルが形成されたピンホール板９が配設され、その上部に
は、反射光を単波長の分光スペクトルに分解する凹面回
折格子１０が設けられている。凹面回折格子１０により
分光スペクトルに分解された光は、１次元固体撮像素子
であるＣＣＤ(ChargeCoupled Device) １１の表面で結
像する。なお、従来設けられていた電磁シャッターは除
去されている。
【００１７】このＣＣＤ１１によって光強度から電気信
号に変換された信号は、ＣＰＵ等を備えるデータ処理部
１２に送られて処理される。このデータ処理部１２は、
測光分光部８から受けた信号に基づいて、後述の相対反
射率を演算する機能を有している。また、データ処理部
１２は、フォーカス検出部１６から得られた位置ずれ情
報に基づいてパルスモーター１４を駆動し、被測定試料
４が載置された試料台１３を適宜昇降させることによっ
て、被測定試料４を反射対物レンズ２の合焦位置に位置
させる機能、さらに被測定試料４を反射対物レンズ２の
非合焦位置に位置させる機能も担っている。
号に変換された信号は、ＣＰＵ等を備えるデータ処理部
１２に送られて処理される。このデータ処理部１２は、
測光分光部８から受けた信号に基づいて、後述の相対反
射率を演算する機能を有している。また、データ処理部
１２は、フォーカス検出部１６から得られた位置ずれ情
報に基づいてパルスモーター１４を駆動し、被測定試料
４が載置された試料台１３を適宜昇降させることによっ
て、被測定試料４を反射対物レンズ２の合焦位置に位置
させる機能、さらに被測定試料４を反射対物レンズ２の
非合焦位置に位置させる機能も担っている。
【００１８】次に、図２の測定方法を示すフローチャー
トと図３の焦点が合った状態と焦点がずれた状態を示す
動作説明図を参照して、この装置による相対反射率の測
定方法を説明する。一例として、シリコン基板に対する
シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の相対反射
率を測定する。
トと図３の焦点が合った状態と焦点がずれた状態を示す
動作説明図を参照して、この装置による相対反射率の測
定方法を説明する。一例として、シリコン基板に対する
シリコン基板上に形成されたシリコン酸化膜の相対反射
率を測定する。
【００１９】まず、被測定試料４として反射率の基準と
なる試料、すなわちシリコン酸化膜が形成されていない
シリコン基板（基準試料）の反射光測定を行なう。この
基準試料を試料台１３に載置し、フォーカス検出部１６
を用いて、反射対物レンズ２の合焦位置に基準試料が位
置するように、試料台１３を移動する（ステップＳ
１）。図３の合焦位置で示すように、この状態で、反射
対物レンズ２から出射された光は試料面で反射され、そ
の反射光は、反射対物レンズ２を介して装置内に取り込
まれ、反射光強度Ｃ（λ）が測定される（ステップＳ
２）。なお、反射光強度Ｃ（λ）には、顕微鏡筒内の迷
光成分が含まれる。
なる試料、すなわちシリコン酸化膜が形成されていない
シリコン基板（基準試料）の反射光測定を行なう。この
基準試料を試料台１３に載置し、フォーカス検出部１６
を用いて、反射対物レンズ２の合焦位置に基準試料が位
置するように、試料台１３を移動する（ステップＳ
１）。図３の合焦位置で示すように、この状態で、反射
対物レンズ２から出射された光は試料面で反射され、そ
の反射光は、反射対物レンズ２を介して装置内に取り込
まれ、反射光強度Ｃ（λ）が測定される（ステップＳ
２）。なお、反射光強度Ｃ（λ）には、顕微鏡筒内の迷
光成分が含まれる。
【００２０】次に、基準試料が載置された試料台１３
を、反射対物レンズ２の合焦位置から反射対物レンズ２
に対して離れる方向に十分ずれた位置（以下、非合焦位
置と称する）に移動する（ステップＳ３）。この例で
は、試料台１３を１０ｍｍ下降する。好ましくは、非合
焦位置は、反射対物レンズ２の焦点深度の１００倍以上
に設定する。このような非合焦状態において、反射対物
レンズ２から基準試料に照射された光は、基準試料で反
射して再び反射対物レンズ２に入射することなく、顕微
測光装置の外部にほぼ全部が放射される（図３の非合焦
位置参照）。そして、この状態で反射光強度Ｄ（λ）を
測定する（ステップＳ４）。この値は、顕微鏡筒の内部
で生じる迷光及びＣＣＤ１１の暗電流を表している。
を、反射対物レンズ２の合焦位置から反射対物レンズ２
に対して離れる方向に十分ずれた位置（以下、非合焦位
置と称する）に移動する（ステップＳ３）。この例で
は、試料台１３を１０ｍｍ下降する。好ましくは、非合
焦位置は、反射対物レンズ２の焦点深度の１００倍以上
に設定する。このような非合焦状態において、反射対物
レンズ２から基準試料に照射された光は、基準試料で反
射して再び反射対物レンズ２に入射することなく、顕微
測光装置の外部にほぼ全部が放射される（図３の非合焦
位置参照）。そして、この状態で反射光強度Ｄ（λ）を
測定する（ステップＳ４）。この値は、顕微鏡筒の内部
で生じる迷光及びＣＣＤ１１の暗電流を表している。
【００２１】次に、試料台１３に載置している基準試料
を取り除き、被測定試料４として相対反射率の測定対象
である試料、すなわちシリコン酸化膜が形成されたシリ
コン基板（対象試料）を試料台１３に載置する。そし
て、フォーカス検出部１６を用いて、対象試料が載置さ
れた試料台１３を合焦位置へ移動し（ステップＳ５）、
対象試料からの反射光強度Ｍ（λ）を測定する（ステッ
プＳ６）。
を取り除き、被測定試料４として相対反射率の測定対象
である試料、すなわちシリコン酸化膜が形成されたシリ
コン基板（対象試料）を試料台１３に載置する。そし
て、フォーカス検出部１６を用いて、対象試料が載置さ
れた試料台１３を合焦位置へ移動し（ステップＳ５）、
対象試料からの反射光強度Ｍ（λ）を測定する（ステッ
プＳ６）。
【００２２】以上の３つの測定値からデータ処理部１２
は、相対反射率Ｒ（λ）を（１）式によって算出する
（ステップＳ７）。
は、相対反射率Ｒ（λ）を（１）式によって算出する
（ステップＳ７）。
【００２３】本実施例では、迷光の測定に関して、基準
試料が載置された試料台１３を非合焦位置に移動させて
反射光強度Ｄ（λ）を測定したが、これは、対象試料が
載置された状態であっもよい。また、迷光の測定に関し
ては、被測定試料を何も載せていない状態で試料台１３
を非合焦位置に移動させ、反射光強度Ｄ（λ）を測定す
るものであってもよい。
試料が載置された試料台１３を非合焦位置に移動させて
反射光強度Ｄ（λ）を測定したが、これは、対象試料が
載置された状態であっもよい。また、迷光の測定に関し
ては、被測定試料を何も載せていない状態で試料台１３
を非合焦位置に移動させ、反射光強度Ｄ（λ）を測定す
るものであってもよい。
【００２４】＜第２実施例＞第１実施例では、迷光成分
である反射光強度Ｄ（λ）を測定するために、試料台１
３を非合焦位置へ移動させたが、本発明は必ずしもこれ
に限定されない。以下、図４を参照して説明する。
である反射光強度Ｄ（λ）を測定するために、試料台１
３を非合焦位置へ移動させたが、本発明は必ずしもこれ
に限定されない。以下、図４を参照して説明する。
【００２５】図４は、第１実施例の顕微測光装置の反射
対物レンズ２より下方の要部の概略構成を示す図であ
る。図中、図１の第１実施例と同じ符号は、それと同じ
構成部品である。符号２０は、被測定試料４の自動交換
を行なうための試料搬送部であり、回転自在の支持部に
支持された回転アーム２１と試料吸着部２２等から構成
される。試料搬送部２０によって搬送される被測定試料
４は、中央部に開口１３ｂが形成された試料台１３ａに
載置される。
対物レンズ２より下方の要部の概略構成を示す図であ
る。図中、図１の第１実施例と同じ符号は、それと同じ
構成部品である。符号２０は、被測定試料４の自動交換
を行なうための試料搬送部であり、回転自在の支持部に
支持された回転アーム２１と試料吸着部２２等から構成
される。試料搬送部２０によって搬送される被測定試料
４は、中央部に開口１３ｂが形成された試料台１３ａに
載置される。
【００２６】本実施例において、迷光成分である反射光
強度Ｄ（λ）の測定は、試料搬送部２０が回転アームを
回転、移動して、試料台１３ａ上に載置された被測定試
料４を搬送している最中に行なわれる。つまり、試料台
１３ａには、中央部に開口１３ｂが設けられているの
で、反射対物レンズ２から照射される光は、この開口１
３ｂを通過するので、その反射光が反射対物レンズ２に
入射することはない。本実施例によれば、試料台１３を
移動させることなく非合焦状態を得ることができるの
で、反射率の測定を効率よく行なうことができる。
強度Ｄ（λ）の測定は、試料搬送部２０が回転アームを
回転、移動して、試料台１３ａ上に載置された被測定試
料４を搬送している最中に行なわれる。つまり、試料台
１３ａには、中央部に開口１３ｂが設けられているの
で、反射対物レンズ２から照射される光は、この開口１
３ｂを通過するので、その反射光が反射対物レンズ２に
入射することはない。本実施例によれば、試料台１３を
移動させることなく非合焦状態を得ることができるの
で、反射率の測定を効率よく行なうことができる。
【００２７】次に、以上の測定方法によって求められた
相対反射率Ｒ（λ）の精度について、図５を参照して説
明する。図５は、上述の各実施例の方法により求められ
た相対反射率Ｒ（λ）と理論的に求められた相対反射率
Ｔ（λ）とを描画した図である。理論的な相対反射率Ｔ
（λ）は、従来例で述べたように試料の膜厚、膜の屈折
率等から算出している。この図から、相対反射率Ｒ
（λ）と理論的な相対反射率Ｔ（λ）とは上記従来例
（図６参照）に比較して、極小部分においても、よく一
致していることが分かる。
相対反射率Ｒ（λ）の精度について、図５を参照して説
明する。図５は、上述の各実施例の方法により求められ
た相対反射率Ｒ（λ）と理論的に求められた相対反射率
Ｔ（λ）とを描画した図である。理論的な相対反射率Ｔ
（λ）は、従来例で述べたように試料の膜厚、膜の屈折
率等から算出している。この図から、相対反射率Ｒ
（λ）と理論的な相対反射率Ｔ（λ）とは上記従来例
（図６参照）に比較して、極小部分においても、よく一
致していることが分かる。
【００２８】なお、上記実施例では、顕微測光装置によ
る反射光測定方法を例に採って説明したが、本発明はこ
れに限定されることなく反射光の測定を利用した例え
ば、膜厚測定装置、線幅測定装置等、種々の装置に適用
することができる。
る反射光測定方法を例に採って説明したが、本発明はこ
れに限定されることなく反射光の測定を利用した例え
ば、膜厚測定装置、線幅測定装置等、種々の装置に適用
することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、迷光の測定を、対物レンズの非合焦位置に被
測定試料が位置しているときに測定するので、容易に、
しかも、顕微鏡筒の迷光を除去して正確に被測定試料か
らの反射光を測定することができる。
によれば、迷光の測定を、対物レンズの非合焦位置に被
測定試料が位置しているときに測定するので、容易に、
しかも、顕微鏡筒の迷光を除去して正確に被測定試料か
らの反射光を測定することができる。
【図１】第１実施例に係る顕微測光装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図２】測定手順を示すフローチャートである。
【図３】第１実施例装置の動作説明図である。
【図４】第２実施例に係る顕微測光装置の要部を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図５】実施例装置による測定相対反射率と理論相対反
射率を示すグラフである。
射率を示すグラフである。
【図６】従来方法による測定相対反射率と理論相対反射
率を示すグラフである。
率を示すグラフである。
１ … 顕微光学系 ２ … 反射対物レンズ １２ … データ処理部 １４ … パルスモーター ２０ … 試料搬送部 Ｔ … 理論相対反射率 Ｒ … 測定相対反射率
フロントページの続き (72)発明者 小久保 正彦 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４ 丁目天神北町１番地の１ 大日本スクリ ーン製造株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 G01B 9/00 - 9/10
Claims (1)
- 【請求項１】 対物レンズを介して被測定試料に光を照
射し、前記被測定試料が対物レンズの合焦位置に置かれ
ているときの反射光を対物レンズを介して取り込んで測
定するとともに、前記対物レンズを含む顕微光学系から
生じる迷光を測定し、前記測定反射光と前記迷光との差
を被測定試料の実反射光とする顕微測光装置における反
射光測定方法であって、 前記迷光は、前記対物レンズの非合焦位置に前記被測定
試料が位置しているときに測定されることを特徴とする
顕微測光装置における反射光測定方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17476193A JP2806747B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 顕微測光装置における反射光測定方法 |
| EP19940109321 EP0631105A3 (en) | 1993-06-21 | 1994-06-16 | Method and device for a microscopic photometic system with reflected light. |
| US08/262,619 US5422703A (en) | 1993-06-21 | 1994-06-20 | Reflected light measuring method and reflected light measuring apparatus for a microscopic photometric system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17476193A JP2806747B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 顕微測光装置における反射光測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0712522A JPH0712522A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2806747B2 true JP2806747B2 (ja) | 1998-09-30 |
Family
ID=15984216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17476193A Expired - Lifetime JP2806747B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 顕微測光装置における反射光測定方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5422703A (ja) |
| EP (1) | EP0631105A3 (ja) |
| JP (1) | JP2806747B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010249649A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Olympus Corp | 測光装置および測光方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5715173A (en) * | 1994-06-27 | 1998-02-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Concentration controlling method and a substate treating apparatus utilizing same |
| US7169015B2 (en) * | 1995-05-23 | 2007-01-30 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Apparatus for optical inspection of wafers during processing |
| US20070123151A1 (en) * | 1995-05-23 | 2007-05-31 | Nova Measuring Instruments Ltd | Apparatus for optical inspection of wafers during polishing |
| IL113829A (en) * | 1995-05-23 | 2000-12-06 | Nova Measuring Instr Ltd | Apparatus for optical inspection of wafers during polishing |
| US5772861A (en) * | 1995-10-16 | 1998-06-30 | Viratec Thin Films, Inc. | System for evaluating thin film coatings |
| US5790281A (en) * | 1996-10-02 | 1998-08-04 | Xerox Corporation | Method of correcting the measured reflectance of an image acquired by an image acquisition device for the integrating cavity effect |
| DE19944148C2 (de) * | 1999-09-15 | 2003-08-21 | Leica Microsystems | Mikroskop |
| JP4100330B2 (ja) * | 2003-11-10 | 2008-06-11 | オムロン株式会社 | 薄膜測定方法及び薄膜測定装置 |
| JP4912687B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2012-04-11 | 株式会社リコー | 膜厚測定方法及び膜厚測定装置 |
| CN101050997B (zh) * | 2006-04-07 | 2010-05-12 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镜头杂散光检测装置及方法 |
| JP5172203B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2013-03-27 | 大塚電子株式会社 | 光学特性測定装置および測定方法 |
| JP5181650B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2013-04-10 | 株式会社島津製作所 | 分析システム |
| GB201001131D0 (en) * | 2010-01-25 | 2010-03-10 | Qinetiq Ltd | Measurement apparatus and method |
| WO2012006613A2 (en) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | Tribis Engineering, Inc. | Tribometer |
| ES2368321B2 (es) * | 2011-03-31 | 2013-06-07 | Universidad Politécnica de Madrid | Método para obtener imágenes multiespectrales de reflectancia absoluta. |
| JP5902932B2 (ja) * | 2011-12-09 | 2016-04-13 | 国立大学法人九州工業大学 | 線状体の直径及びスリットの幅寸法の測定方法 |
| CN105066889B (zh) * | 2015-09-01 | 2017-09-01 | 武汉颐光科技有限公司 | 一种便携式薄膜测厚仪及其膜厚测量方法 |
| CN113031323B (zh) * | 2021-03-22 | 2022-09-09 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 一种封框胶宽度检测方法、显示面板及显示装置 |
| CN114527096A (zh) * | 2022-02-19 | 2022-05-24 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种亚毫米量级微小样品折射率的测试方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4566798A (en) * | 1983-11-10 | 1986-01-28 | Eastman Kodak Company | Method for calibrating a reflectometer containing black and white references displaced from the sample position |
| CH681495A5 (ja) * | 1990-03-05 | 1993-03-31 | Tet Techno Investment Trust | |
| US5233405A (en) * | 1991-11-06 | 1993-08-03 | Hewlett-Packard Company | Optical spectrum analyzer having double-pass monochromator |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP17476193A patent/JP2806747B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-16 EP EP19940109321 patent/EP0631105A3/en not_active Withdrawn
- 1994-06-20 US US08/262,619 patent/US5422703A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010249649A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Olympus Corp | 測光装置および測光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0631105A2 (en) | 1994-12-28 |
| US5422703A (en) | 1995-06-06 |
| EP0631105A3 (en) | 1997-06-04 |
| JPH0712522A (ja) | 1995-01-17 |
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