JPS58120106A - 半導体ウエハの外観検査装置 - Google Patents
半導体ウエハの外観検査装置Info
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- JPS58120106A JPS58120106A JP220682A JP220682A JPS58120106A JP S58120106 A JPS58120106 A JP S58120106A JP 220682 A JP220682 A JP 220682A JP 220682 A JP220682 A JP 220682A JP S58120106 A JPS58120106 A JP S58120106A
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、外観検査用光学機器の焦点を自動的に検出す
る装置に関するものである。
る装置に関するものである。
たとえば半導体ウェハの外観検査において、光学機器の
焦点を自動的に検出して自動焦点調節を行う場合、従来
一般に第1図に示すような光学的機爾が用いられている
。
焦点を自動的に検出して自動焦点調節を行う場合、従来
一般に第1図に示すような光学的機爾が用いられている
。
1は光源、2は焦点検出用のパターンを設けたガラス板
、3はハーフミラ−14は対物レンズ、5はウェハ、6
はハーフミラ−17はコントラスト検出器、8はその上
に結像した焦点検出用パターンである。
、3はハーフミラ−14は対物レンズ、5はウェハ、6
はハーフミラ−17はコントラスト検出器、8はその上
に結像した焦点検出用パターンである。
ガラス板2に設ける焦点調節パターンは明瞭なコントラ
ストを有するパターンであることを要し、明部と暗部と
を交互に配列した縞パターンなどが一般に用いられる。
ストを有するパターンであることを要し、明部と暗部と
を交互に配列した縞パターンなどが一般に用いられる。
上記のパターンを設けたガラス板2は光源1の照射全受
け、その透過光がハーフミラ−6および対物レンズ4に
より被測定物体であるウェハ5上に結像される。
け、その透過光がハーフミラ−6および対物レンズ4に
より被測定物体であるウェハ5上に結像される。
ウェハ5上の結像の反射光は対物レンズ4にょつて集光
され、ハーフミラ−乙によって光路Aと光路Bとに分岐
され、光路Aの光はコントラスト検出器7に結像する。
され、ハーフミラ−乙によって光路Aと光路Bとに分岐
され、光路Aの光はコントラスト検出器7に結像する。
ウェハ5が対物レンズ4の合焦点位置にあるとき焦点検
出パターンが最も明瞭なコントラストでウェハ5上に結
像し、その反射パターンがコントラスト検出器7に結像
するのでこのときコントラスト検出器7の出力が最大と
なる。ウェハ5が対物レンズ4の合焦点位置からずれる
と結像がボケるためコントラストが低下し、コントラス
ト検出器7の出力が低下する。
出パターンが最も明瞭なコントラストでウェハ5上に結
像し、その反射パターンがコントラスト検出器7に結像
するのでこのときコントラスト検出器7の出力が最大と
なる。ウェハ5が対物レンズ4の合焦点位置からずれる
と結像がボケるためコントラストが低下し、コントラス
ト検出器7の出力が低下する。
第2図はコントラスト検出器7の出力特性グラフで、横
軸Xはウェハ5の合焦点位置からのずれ量を表わし、縦
軸■はコントラスト検出器の出力である。図から明らか
なようにずれ量Xが0のとき出力Vは最大となる。従っ
てこのVの値が最大となるように自動制御することによ
って自動焦点調節を行うことができる。このようにして
焦点を合わせておいて、ハーフミラ−6によって光路B
に分岐した光を用いてウェハ5の表面の外観検査が行わ
れる。この外観検査は光学センサを用いて自動的に行な
うことも実用化されている。
軸Xはウェハ5の合焦点位置からのずれ量を表わし、縦
軸■はコントラスト検出器の出力である。図から明らか
なようにずれ量Xが0のとき出力Vは最大となる。従っ
てこのVの値が最大となるように自動制御することによ
って自動焦点調節を行うことができる。このようにして
焦点を合わせておいて、ハーフミラ−6によって光路B
に分岐した光を用いてウェハ5の表面の外観検査が行わ
れる。この外観検査は光学センサを用いて自動的に行な
うことも実用化されている。
ところが、上述の従来形の装置によっては被測定物体の
表面を外観検査できない場合がある。例えば半導体ウェ
ハのアルミパターンは多結晶シリコンのパターンの上に
形成されるので、いたるところに段差を生じている。ま
た、その表面が粗く、ヒロックと呼ばれる小突起が不規
則に点在している。このため、アルミパターンの段差部
やヒロックは第1図の従来装置のように被検査物の表面
にほぼ垂直に明視野照明してその反射光を観測すると、
前記の段差やヒロックが暗く見え、アルミパターンの欠
落欠陥と区別しにくい。従ってこれを自動検出によって
検査すると段差やヒロックをパターンの欠陥として誤検
出してしまう。このような不具合を解消するため、被測
定物の表面に斜方向から光を当てて暗視野照明する方法
がある。暗視野照明すると段差部やヒロックは明るく見
えるのでパターンの欠落欠陥と混同する虞れが無い。
表面を外観検査できない場合がある。例えば半導体ウェ
ハのアルミパターンは多結晶シリコンのパターンの上に
形成されるので、いたるところに段差を生じている。ま
た、その表面が粗く、ヒロックと呼ばれる小突起が不規
則に点在している。このため、アルミパターンの段差部
やヒロックは第1図の従来装置のように被検査物の表面
にほぼ垂直に明視野照明してその反射光を観測すると、
前記の段差やヒロックが暗く見え、アルミパターンの欠
落欠陥と区別しにくい。従ってこれを自動検出によって
検査すると段差やヒロックをパターンの欠陥として誤検
出してしまう。このような不具合を解消するため、被測
定物の表面に斜方向から光を当てて暗視野照明する方法
がある。暗視野照明すると段差部やヒロックは明るく見
えるのでパターンの欠落欠陥と混同する虞れが無い。
しかし、上述のようにして被測定物の表面に暗視野照明
光を当てると、その反射光の一部は対物レンズ4によっ
て集光され、ハーフミラ−3,6を通過してコントラス
ト検出器7を照らす。このため焦点検出用のパターン8
と暗視野照明光とが重なって焦点検出用パターン8のコ
ントラストが弱められ、自動焦点検出及び自動焦点調整
が困難となる。
光を当てると、その反射光の一部は対物レンズ4によっ
て集光され、ハーフミラ−3,6を通過してコントラス
ト検出器7を照らす。このため焦点検出用のパターン8
と暗視野照明光とが重なって焦点検出用パターン8のコ
ントラストが弱められ、自動焦点検出及び自動焦点調整
が困難となる。
以上の理由により、従来においては、例えばアルミパタ
ーンのように暗視野照明を行わねばならない被測定物に
おいては自動焦点調整を行なうことができず、その外観
検査に多大の労力を要している。
ーンのように暗視野照明を行わねばならない被測定物に
おいては自動焦点調整を行なうことができず、その外観
検査に多大の労力を要している。
本発明は上述の事情に鑑みて為され、外観検査と自動焦
点調整とをそれぞれ互いに異った波長の光で行なうこと
によシ、暗視野照明による外観検査と自動焦点調整とを
同時に可能ならしめる焦点位置検出装置全提供しようと
するものである。
点調整とをそれぞれ互いに異った波長の光で行なうこと
によシ、暗視野照明による外観検査と自動焦点調整とを
同時に可能ならしめる焦点位置検出装置全提供しようと
するものである。
上述の目的を達成するには、例えば可視光線で暗視野照
明を行ない、不可視光で焦点位置検出を行なうようにし
て両者が相互に干渉しないようにすることによっても可
能である。以上のごとき考察に基づいて、本発明は、焦
点検出パターンをレンズを介して被測定物体に投影する
第1の光学系と、上記被測定物体からの反射光パターン
を上記のレンズ及び光学フィルタを介してコントラスト
検出器に結像させる第2の光学系と、上記の被測定物体
に上記の光学フィルタの通過波長帯域と異なる波長の光
を斜方向から照射する第6の光学系と全設けることによ
り、上記第6の光学系の斜方向の照射光(暗視野照明光
)が前記第2の光学系の光学フィルタに阻まれて同光学
系のコントラスト検出器に入射しないように構成したこ
と全特徴とする。
明を行ない、不可視光で焦点位置検出を行なうようにし
て両者が相互に干渉しないようにすることによっても可
能である。以上のごとき考察に基づいて、本発明は、焦
点検出パターンをレンズを介して被測定物体に投影する
第1の光学系と、上記被測定物体からの反射光パターン
を上記のレンズ及び光学フィルタを介してコントラスト
検出器に結像させる第2の光学系と、上記の被測定物体
に上記の光学フィルタの通過波長帯域と異なる波長の光
を斜方向から照射する第6の光学系と全設けることによ
り、上記第6の光学系の斜方向の照射光(暗視野照明光
)が前記第2の光学系の光学フィルタに阻まれて同光学
系のコントラスト検出器に入射しないように構成したこ
と全特徴とする。
次に、本発明の一実施例を第3図乃至第6図について説
明する。
明する。
第6図において第1図(従来装置)と同一の図面参照番
号を附した光源1、焦点検出パターンを設ケタガラス板
2、ハーフミラ−6、及び対物レンズ4は従来装置(第
1図)におけると同様の構成部材であり、ウエノ・5も
第1図に示したのと同様に被測定物としてのウエノ・で
ある。
号を附した光源1、焦点検出パターンを設ケタガラス板
2、ハーフミラ−6、及び対物レンズ4は従来装置(第
1図)におけると同様の構成部材であり、ウエノ・5も
第1図に示したのと同様に被測定物としてのウエノ・で
ある。
ウェハ5の下方に暗視野照明用の光源10ヲ設置し、そ
の光を2個の放物凹面鏡11.12’(r介してウェハ
5の表面に斜方向から投射する。上記の放物凹面鏡11
は第5図について後述するような反射特性を有するもの
とする。
の光を2個の放物凹面鏡11.12’(r介してウェハ
5の表面に斜方向から投射する。上記の放物凹面鏡11
は第5図について後述するような反射特性を有するもの
とする。
また、ハーフミラ−13は従来装置(第1図)における
ハーフミラ−乙に対応する部材であるが、本実施例にお
いては第6図について後述するような透過特性を有する
ものとする。
ハーフミラ−乙に対応する部材であるが、本実施例にお
いては第6図について後述するような透過特性を有する
ものとする。
第4図は光源1及び光源10の発光特性を、第5図は放
物凹面鏡11の反射特性を、第6図はハーフミラ−1′
5の透過特性をそれぞれ示す図表であシ、これらの三つ
の図表は共に横軸に共通目盛の波長λをとっである。
物凹面鏡11の反射特性を、第6図はハーフミラ−1′
5の透過特性をそれぞれ示す図表であシ、これらの三つ
の図表は共に横軸に共通目盛の波長λをとっである。
第4図の縦軸には光源1,10の相対輝度をとっである
。本図表は上記の光源1.及び10が共に波長toから
tlまでの光を出していることを示している。この波長
to乃至t1は可視光領域全部と赤外領域とにわたって
いる。
。本図表は上記の光源1.及び10が共に波長toから
tlまでの光を出していることを示している。この波長
to乃至t1は可視光領域全部と赤外領域とにわたって
いる。
第5図の縦軸には放物凹面鏡11の相対反射率をとっで
ある。本図表は上記の放物凹面鏡11が波長t2以下の
光のみを反射することを示している。この波長t2以下
はほぼ可視光領域及びそれ以下の波長に相当する。
ある。本図表は上記の放物凹面鏡11が波長t2以下の
光のみを反射することを示している。この波長t2以下
はほぼ可視光領域及びそれ以下の波長に相当する。
第6図の縦軸にはハーフミラ−15の相対透過率をとっ
である。本図表は上記のハーフミラ−13が波長43以
上の光のみを通過させることを示している。この波長4
3以上はほぼ赤外線領域に相当するものである。従って
上記のハーフミラ−13は可視光を透過せしめず、これ
を反射させる。
である。本図表は上記のハーフミラ−13が波長43以
上の光のみを通過させることを示している。この波長4
3以上はほぼ赤外線領域に相当するものである。従って
上記のハーフミラ−13は可視光を透過せしめず、これ
を反射させる。
本実施例は以上のように構成してβるので、光源1の光
は従来装置(第1図)と同様に焦点検出パターンを設け
たガラス板2を透過し、ハーフミラ−6及び対物レンズ
4を経てウェハ5に投射され、ウェハ5の上に焦点検出
パターンヲ結像さする。このようにして対物レンズ4を
介してウェハ5の上にほぼ垂直に投影される光は第4図
について説明したように可視光と赤外線との両方を含ん
でいる。
は従来装置(第1図)と同様に焦点検出パターンを設け
たガラス板2を透過し、ハーフミラ−6及び対物レンズ
4を経てウェハ5に投射され、ウェハ5の上に焦点検出
パターンヲ結像さする。このようにして対物レンズ4を
介してウェハ5の上にほぼ垂直に投影される光は第4図
について説明したように可視光と赤外線との両方を含ん
でいる。
以上のようにして焦点検出パターンをレンズを介して被
測定物体であるウエノ・に投影する第1の光学系が構成
されている。
測定物体であるウエノ・に投影する第1の光学系が構成
されている。
上記のごとくにしてウエノ・5の表面に結像した焦点検
出パターンはウエノS5で反射され、対物レンズ4、及
びハーフミラ−3を経てノ1−フミラー13に至υ、光
路Aと光路Bとに分岐される。上記のハーフミラ−16
は第6図について説明したように赤外線領域のみを反射
させるという光学フィルタ機能を有しているので、可視
光は光路Aのごとく直進できず光路Bに反射される。そ
して赤外線のみが光路A’t−経てコントラスト検出器
7′に投影され焦点検出パターン8を結像する。上記の
コントラスト検出器7′は従来装置(第1図)における
コントラスト検出器7と同様乃至は類似の構成部材であ
るが本実施例においては赤外線領域に感度を有するもの
を用いる。
出パターンはウエノS5で反射され、対物レンズ4、及
びハーフミラ−3を経てノ1−フミラー13に至υ、光
路Aと光路Bとに分岐される。上記のハーフミラ−16
は第6図について説明したように赤外線領域のみを反射
させるという光学フィルタ機能を有しているので、可視
光は光路Aのごとく直進できず光路Bに反射される。そ
して赤外線のみが光路A’t−経てコントラスト検出器
7′に投影され焦点検出パターン8を結像する。上記の
コントラスト検出器7′は従来装置(第1図)における
コントラスト検出器7と同様乃至は類似の構成部材であ
るが本実施例においては赤外線領域に感度を有するもの
を用いる。
以上のようにして被測定物体であるウエノ・からの反射
光パターンをレンズ及び光学フィルタを介してコントラ
スト検出器に結像せしめる第2の光学系が形成されてい
る。
光パターンをレンズ及び光学フィルタを介してコントラ
スト検出器に結像せしめる第2の光学系が形成されてい
る。
本実施例においては、ノ・−フミラー機能と光学フィル
タ機能とを兼ねたハーフミラ−16ヲ用いたが、本発明
を適用する場合、ハーフミラ−と光学フィルターとを別
体の構成部材としてもよい。
タ機能とを兼ねたハーフミラ−16ヲ用いたが、本発明
を適用する場合、ハーフミラ−と光学フィルターとを別
体の構成部材としてもよい。
一方、暗視野照明用光源10から可視光及び赤外線が四
方に投射される。本図では代表的な光路をC,D、 E
、 Fの4本の線で表わしであるが、光は全周に向けて
投射される。投射された光のうちほぼ゛水平方向の光は
放物面凹面鏡11及び同12によって反射され、ウェハ
5の表面に斜方向から照射されるが、第5図について説
明したように放物面凹面鏡11は可視光のみを反射する
ので、ウェハ5に照射される光は可視光のみとなる。こ
のようにして・ウェハ5は純可視光によって暗視野照明
を受ける。
方に投射される。本図では代表的な光路をC,D、 E
、 Fの4本の線で表わしであるが、光は全周に向けて
投射される。投射された光のうちほぼ゛水平方向の光は
放物面凹面鏡11及び同12によって反射され、ウェハ
5の表面に斜方向から照射されるが、第5図について説
明したように放物面凹面鏡11は可視光のみを反射する
ので、ウェハ5に照射される光は可視光のみとなる。こ
のようにして・ウェハ5は純可視光によって暗視野照明
を受ける。
以上のようにして、被測定物体であるウェハに、前記の
光学フィルタ(本例においてはハーフミラ−16)の透
過波長帯域(本例においては赤外線領域)と異なる波長
の光(本例においては可視光)を照射する第6の光学系
が構成されている。
光学フィルタ(本例においてはハーフミラ−16)の透
過波長帯域(本例においては赤外線領域)と異なる波長
の光(本例においては可視光)を照射する第6の光学系
が構成されている。
上記の第3の光学系は前述のように可視光による暗視野
照明を行ない、同時に第1の光学系は可視光と赤外線と
による明視野照明を行なう。
照明を行ない、同時に第1の光学系は可視光と赤外線と
による明視野照明を行なう。
上記の光線のうち、赤外線は既述の如くコントラスト検
出器7′に焦点検出パターン8を結像させて自動焦点調
整を可能ならしめる。また、前述の一作用の中から可視
光部分のみを抽出して考察すると、ウェハ5の表面に明
視野と暗視野との複合照明が為され、その反射光は対物
レンズ4で集光され、ハーフミラ−6を経てハーフミラ
−1ろに至シ、光路Aに直進することなく光路Bに反射
される。
出器7′に焦点検出パターン8を結像させて自動焦点調
整を可能ならしめる。また、前述の一作用の中から可視
光部分のみを抽出して考察すると、ウェハ5の表面に明
視野と暗視野との複合照明が為され、その反射光は対物
レンズ4で集光され、ハーフミラ−6を経てハーフミラ
−1ろに至シ、光路Aに直進することなく光路Bに反射
される。
この光路Bの光によってウェハ5の外観検査を行なうと
、この光は明視野、暗視野複合照明の反射光であるから
前述したアルミパターンの段差やヒ・ロックが明るく見
え、アルミパターンの欠落欠陥と明瞭に区別し得る。従
って上記の光路Bの光を用いてパターン外観の目視検査
を行うことも容易であり、また光路Bの光を用いて自動
欠陥検出全行うと誤検出の虞れなくアルミパターンの欠
陥を□検出することができる。
、この光は明視野、暗視野複合照明の反射光であるから
前述したアルミパターンの段差やヒ・ロックが明るく見
え、アルミパターンの欠落欠陥と明瞭に区別し得る。従
って上記の光路Bの光を用いてパターン外観の目視検査
を行うことも容易であり、また光路Bの光を用いて自動
欠陥検出全行うと誤検出の虞れなくアルミパターンの欠
陥を□検出することができる。
また、赤外線のみがコントラスト検出器7′に到達する
ことを許容されるので、純可視光である暗視野照明光は
コントラスト検出器7′に入射しない。
ことを許容されるので、純可視光である暗視野照明光は
コントラスト検出器7′に入射しない。
このため、暗視野照明光がコントラスト検出器7′の作
用を妨げる虞れが無い。従って上記のコントラスト検出
器7′の出力をフィードバックしてこれを最大ならしめ
るようにウェハ位置全自動制御することにより、高精度
の焦点自動調整を行うことができる。
用を妨げる虞れが無い。従って上記のコントラスト検出
器7′の出力をフィードバックしてこれを最大ならしめ
るようにウェハ位置全自動制御することにより、高精度
の焦点自動調整を行うことができる。
次に、上記と異なる実施例について述べる。
上記の実施例においてはハーフミラ−13に第6図のご
とく赤外線領域のみを通過させる光学フィルタ機能金持
たせたが、このハーフミラ−を上記のような光学フィル
タ機能を有していない普通のものとし、その代りにコン
トラスト検出器7′ヲ第6図のような感光特性を有する
ものにしても同様の効果が得られる。本実施例によれば
特殊ハーフミラ−を用いる必要が無く、また別体の構成
部材としての光学フィルタを設ける必要も無い。
とく赤外線領域のみを通過させる光学フィルタ機能金持
たせたが、このハーフミラ−を上記のような光学フィル
タ機能を有していない普通のものとし、その代りにコン
トラスト検出器7′ヲ第6図のような感光特性を有する
ものにしても同様の効果が得られる。本実施例によれば
特殊ハーフミラ−を用いる必要が無く、また別体の構成
部材としての光学フィルタを設ける必要も無い。
上述の技術的思想を応用すると、次のように各種の応用
例を考えることができる。
例を考えることができる。
(イ)第3図について述べた実施例では放物凹面鏡11
に第5図のような反射特性を持たせたが、放物凹面鏡1
1ヲ普通のものとして放物面凹面鏡12に第5図のよう
な反射特性を持たせてもよい。
に第5図のような反射特性を持たせたが、放物凹面鏡1
1ヲ普通のものとして放物面凹面鏡12に第5図のよう
な反射特性を持たせてもよい。
(ロ) 放物凹面鏡11および同12ヲ普通のものとし
、光源10に第5図と同傾向の発光特性を持たせてもよ
い。
、光源10に第5図と同傾向の発光特性を持たせてもよ
い。
(ハ)放物凹面鏡11および同12、並びに光源釦を普
通のものとし、光源10ヲ第5図と同傾向の透過特性を
有するフィルタで覆ってもよい。
通のものとし、光源10ヲ第5図と同傾向の透過特性を
有するフィルタで覆ってもよい。
上記の(イ)、(ロ)、Hいずれの応用例においても第
6図及び第4図について説明した実施例と同様の効果が
得られる。
6図及び第4図について説明した実施例と同様の効果が
得られる。
以上説明したように、本発明は焦点検出パターンをレン
ズを介して被測定物体に投影する第1の光学系と、上記
被測定物からの反射光パターンを上記のレンズ及び光学
フィルタを介してコントラスト検出器に結像せしめる第
2の光学系と、上記の被測定物体に上記の光学フィルタ
の通過波長帯域と異なる波長の光を斜方向から照射する
第3の光学系とを設け、上記第3の光学系による暗視野
照明光を前記第2の光学系の光学フィルタで阻止して同
光学系の焦点位置検出用のコントラスト検出器に影響を
及ぼさないように構成することによシ、外観検査と自動
焦点調整と全それぞれ異なる波長の光でそれぞれ独立に
同時に行なうことができる。
ズを介して被測定物体に投影する第1の光学系と、上記
被測定物からの反射光パターンを上記のレンズ及び光学
フィルタを介してコントラスト検出器に結像せしめる第
2の光学系と、上記の被測定物体に上記の光学フィルタ
の通過波長帯域と異なる波長の光を斜方向から照射する
第3の光学系とを設け、上記第3の光学系による暗視野
照明光を前記第2の光学系の光学フィルタで阻止して同
光学系の焦点位置検出用のコントラスト検出器に影響を
及ぼさないように構成することによシ、外観検査と自動
焦点調整と全それぞれ異なる波長の光でそれぞれ独立に
同時に行なうことができる。
第1図は従来一般に用いられている焦点位置検出装置の
斜視図、第2図は上記焦点位置検出装置のコントラスト
検出器出力特性を示す図表、第6図は本発明に係る焦点
位置検出装置の一実施例の斜視図、第4図は上記の実施
例における光源の波長分布を示す図表、第5図は同じく
放物凹面鏡の反射率特性を示す図表、第6図は同じく透
過率特性を示す図表である。 1.10・・・光源、2・・・焦点検出パターンを設け
たガラス板、5.6.1′5・・・ノ・−7ミラー、4
・・・対物レンズ、5・・・被測定物体としてのウエノ
S、7.7’・・・コントラスト検出器、8・・・結像
した焦点検出用パターン、11.12・・・放物凹面鏡
。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第1図 第2図 第3図 1 25− 第4図 第51 第6図
斜視図、第2図は上記焦点位置検出装置のコントラスト
検出器出力特性を示す図表、第6図は本発明に係る焦点
位置検出装置の一実施例の斜視図、第4図は上記の実施
例における光源の波長分布を示す図表、第5図は同じく
放物凹面鏡の反射率特性を示す図表、第6図は同じく透
過率特性を示す図表である。 1.10・・・光源、2・・・焦点検出パターンを設け
たガラス板、5.6.1′5・・・ノ・−7ミラー、4
・・・対物レンズ、5・・・被測定物体としてのウエノ
S、7.7’・・・コントラスト検出器、8・・・結像
した焦点検出用パターン、11.12・・・放物凹面鏡
。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第1図 第2図 第3図 1 25− 第4図 第51 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 焦点検出パターンをレンズを介して被測定物体に
投影する第1の光学系と、上記被測定物体からの反射光
パターンを上記のレンズ及び光学フィルタを介してコン
トラスト検出器に結像せしめる第2の光学系と、上記の
被測定物体に上記の光学フィルタの通過波長帯域と異な
る波長の光を斜方向から照射する第6の光学系とからな
シ、上記第6の光学系の照射光が前記第2の光学系の光
学フィルタに阻まれて同光学系のコントラスト検出器に
入射しないように礪成したことを特徴とする焦点位置検
出装置。 2、上記の第2の光学系のコントラスト検出器を、特定
波長帯域の光のみを検知し得るものとすることによ、シ
、同光学系の光学フィルタを省略し得べくなしたること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の焦点位置検
出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP220682A JPS58120106A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 半導体ウエハの外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP220682A JPS58120106A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 半導体ウエハの外観検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58120106A true JPS58120106A (ja) | 1983-07-16 |
JPS6361601B2 JPS6361601B2 (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=11522874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP220682A Granted JPS58120106A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | 半導体ウエハの外観検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58120106A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60257164A (ja) * | 1984-06-02 | 1985-12-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プリント配線板の撮像装置 |
JPS6129712A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-10 | Hitachi Ltd | 微細パタ−ンの欠陥検出方法及びその装置 |
JPS61104659A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体固体撮像素子アレイ |
JPS61104658A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体固体撮像素子アレイ |
JPS61169708A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-31 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検知方法とその装置 |
JPS6280506A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Fuji Electric Co Ltd | 複数のピンをもつ物品のピン曲がり検査方式 |
JPH02272514A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Fujitsu Ltd | 光切断顕微鏡装置及びその光学手段の位置合わせ方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6201601B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5026535A (ja) * | 1973-07-07 | 1975-03-19 | ||
JPS5538003A (en) * | 1978-09-08 | 1980-03-17 | Hitachi Ltd | Rectilinear pattern detecting device |
JPS5596046A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-21 | Sudo Shiyougo | Automatic hook hanging apparatus for fishing |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP220682A patent/JPS58120106A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5026535A (ja) * | 1973-07-07 | 1975-03-19 | ||
JPS5538003A (en) * | 1978-09-08 | 1980-03-17 | Hitachi Ltd | Rectilinear pattern detecting device |
JPS5596046A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-21 | Sudo Shiyougo | Automatic hook hanging apparatus for fishing |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60257164A (ja) * | 1984-06-02 | 1985-12-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | プリント配線板の撮像装置 |
JPS6129712A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-10 | Hitachi Ltd | 微細パタ−ンの欠陥検出方法及びその装置 |
JPH0437922B2 (ja) * | 1984-07-23 | 1992-06-22 | Hitachi Ltd | |
JPS61104659A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体固体撮像素子アレイ |
JPS61104658A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体固体撮像素子アレイ |
JPS61169708A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-31 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検知方法とその装置 |
JPH0476405B2 (ja) * | 1985-01-22 | 1992-12-03 | Fujitsu Ltd | |
JPS6280506A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Fuji Electric Co Ltd | 複数のピンをもつ物品のピン曲がり検査方式 |
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JPH02272514A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Fujitsu Ltd | 光切断顕微鏡装置及びその光学手段の位置合わせ方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6361601B2 (ja) | 1988-11-29 |
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