JPS60257164A

JPS60257164A - プリント配線板の撮像装置

Info

Publication number: JPS60257164A
Application number: JP59113628A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Hoki; 哲夫法貴; Tetsuo Sano; 佐野　鐵雄; Eiji Kodama; 児玉　英二; Hisayuki Tsujinaka; 辻中　久幸
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1984-06-02
Filing date: 1984-06-02
Publication date: 1985-12-18
Anticipated expiration: 2009-03-09
Also published as: DE3519772C2; US4682040A; DE3519772A1; JPH0617777B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、プリント配線板のパターン欠陥を光学的に
検出する検査装置に用いられる照明系を含む撮像装置に
関し、特に、銅パターン表面に微細なスジ目がある場合
に有効な照明系の改良に関する。

〔従来技術〕

プリント配線板は、導体部とその他の部分からなり、撮
像という観点からは基本的に２値画像である。このため
、対象と背景との反射光量あるいは透過光量の差が十分
あるようにして、撮像対象としての銅パターンと、背景
としての基板ベース部とを、弁別しやすくする必要があ
る。

ところが、プリント配線板は、導体表面が微細なスジ目
をもっていることから、照明光の照射方向と導体表面の
スジ目の方向との位置関係により、導体部と基板ベース
部との反射光のコントラストが、常に大きく取れるとは
限らないといった問題がある。

即ち、プリント配線板の製作」二、７オトレジストをう
まく塗布で外、またエツチングを外れいに仕上げる目的
で、よごれを除去し酸化部を活性化するために、銅箔表
面には予めバフ研磨が施されている。このため、第２図
に示すように、エツチング後の銅パターン１の表面には
、はぼＶ字形の切れ込み、すなわち同一配線板内ではほ
ぼ一定の３一方向に走る細かいスジ目２が残存する。このスジ目２は
、各々のプリント配線板３毎に任意の方向を向いている
ため、照明光４の照射方向が一定しているものとしてス
ジ目２の向きによって特定方向（たとえば、正反射方向
とか、撮像手段の設定位置の方向）への反射光量５はか
なりの割合で変化し、撮像手段に入力する反射光量も変
化する。

定量的に考察すれば、平滑な銅面の反射率をα。

基板ベース部６（第２図）の反射率をβとすると、反射
光のコントラス）Ｃは次式で与えられる。

しかしながら、銅パターン表面にスジ目が存在すること
で、見かけの反射率は若干小さくなり、さらに、スジ目
の向きで光散乱の度合が異なる、すなわち、照射光の散
乱方向が変化するが、照射光源と撮像手段の位置関係は
一定なので、スジ目の方向性により見かけの反射率が変
化し、コントラス）Ｃは見かけの反射率に対して双曲線
関数的４− に変化する。

ところで従来、この問題を解決する手段として、充分に
強力な照明を行うことによって、反射光量の最小時にも
銅パターンの信号が、十分検出できるようにすることが
考えられている。

しかし、このような強力な光照明、タングステンランプ
（ハロゲンランプも含む）による強力な光照明を与える
と、このランプの熱により、近傍の固体撮像素子のみな
らず周辺の処理システムや回路部に熱的な悪影響をおよ
ぼす欠点（たとえば、周囲温度上昇による固体撮像素子
の暗電流の増加等）があり、またこの熱的悪影響を回避
しようとすれば、放熱のための手段が大掛かりになると
いった別の問題もある。

この欠点は、上式からも分かるように、反射光のコント
ラス）Ｃが原理的には照度の関数でないにもかかわらず
照度を上げるということに起因するものと解せられる。

〔発明の目的〕

そこで、本発明は、銅パターンのスジ目の方向性による
反射を量変化を、大光量の光源を使用することなく、小
さく押さえることのできる新規な手法を提供することを
目的としている。

〔発明の構成〕

」−記目的を達成するため本発明は、銅パターンが形成
されたプリント配線板の表面に照射光を与える照明源と
、前記プリント配線板の表面で反射された光を受光して
撮像信号を出力する固体撮像素子を備えるプリント配線
板の撮像装置においで、前記固体撮像素子の受光面を前
記プリント配線板の表面に対向するように設定するとと
もに、前記照明源を、前記固体撮像素子の受光面に対し
てプリント配線板の表面での正反射の法則を充足するよ
うに配置される主照明源と、前記固体撮像素子の受光面
に対し正反射の法則を充足しないように配置され前記受
光面に前記銅パターンの表面のスジ目による散乱光を与
える副照明源とで構成し、基板ベース部の反射光量に対
し銅パターンのスジ目によって低下する前記主照明源に
よる銅パターン表面からの反射光量を、前記副照明源に
よる散乱光で実質的に補償し、スジ目の方向変化に対し
ても反射光量を高く、かつほぼ一定置して維持したこと
を基本的な特徴とする。

〔実施例〕

以下、本発明を添付図面に示す実施例によって具体的に
説明する。

一実施例を図解する第１図（、）において、１゜は、所
定の台盤に定置され銅パターン１１が形成されたプリン
ト配線板（以下、「ＰＷＢＪという）である。１２は、
固体撮像素子としての１次元ＣＣＤイメージセンサで、
ＰＷＢｌ　０の」１方で紙面に直角な方向に延在し、そ
の受光面１２ａはＰＷＢＩＯの表面と平行に設定されて
いる。１３は、主照明源としての直管形タングステンラ
ンプで、紙面に直角な方向に細長い矩形状の撮像領域１
４に照射光１５を与える。この直管形タングステンラン
プ１３は、」１記１次元ＣＣＤイメージセンサ１２に平
行に配され、その受光面１２ａ対し正反射の法則を充足
する位置に配置されている。他方、１６は、副照明源と
しての直管形タングステンランプで、７− これより上方に位置する直管形タングステンランプ１３
と平行に延在し、同じく撮像領域１４に照射光１７をり
、える。この副照明源としての直管形タングステンラン
プ１Ｇは、上記１次元ＣＣＤイメージセンサの受光面１
．２ａに対し、正反射の法則を充足しない位置、すなわ
ち照射光１７が、Ｐ　Ｗ　Ｂ　１０の表面で反射されて
も、その幾何学的な正反射光１７ｒが、受光面１２ａに
入力されない位置に配置されている。１８は、鏡筒１９
に固定された撮像レンズで、その光軸１８ａは、ＰＷＢ
ｌ　０の表面に立てられる法線と平行となるように設定
され、撮像領域１４の像を１次元ＣＣＤイメージセンサ
の受光面１２ａに結像する。

主照明源のタングステンランプ１３からの照射光１５は
、撮像領域１４で反射され（乱反射を含む）、正反射光
１５ｒと、乱反射された散乱光の一部とが撮像レンズ１
８を介して１次元ＣＣＤイメージセンサ１２の受光面１
２ａに入力される。他方、副照明源のタングステンラン
プ１６からの照射光１７は、撮像領域１４で反射される
と、その正反８− 射光１７ｒは撮像に全く関与しない方向に逃げる一方、
乱反射された散乱光の一部が撮像レンズ１８を介して１
次元ＣＣＤイメージセン世１２の受光面１２ａに入力さ
れる。

ところで、撮像領域１４に銅パターンが入ると、そのス
ジ目の方向によって照射光１５および照射光１７の双方
が正反射あるいは乱反射される。そして、スジ目の方向
（θ）が、タングステンランプ１３．１６の延在する方
向と直交する場合（θ＝９０”）には、銅パターンは、
スジ目があるにもがかわらず入射光に対してほとんど鏡
面の状態（正反射）を呈し乱反射の程度は最小であるが
、スジ目に平行となる場合（θ＝０°）には、銅パター
ンは、スジ目の影響を大きく受け入射光の乱反射は最大
となる。

いま、θ＝９ｏ°の場合を考えると、受光面１２ａに入
射する光は実質的に正反射光１５ｒのみとなり、乱反射
成分はほとんど無視できる。このとｂ銅パターンにより
得られる信号の例を第３図の（ａ）に示す。一方、θ＝
０°の場合を考えると、照射危１５は銅パターンのスジ
目によって最大に乱反射され、正反射光１５ｒの光量は
相当減少する。このとき銅パターンにより得られる信号
の例を第３図の（ＩＪ）に示す。これら両者の信号レベ
ルの差ＲＥは、銅パターンのスジＨの方向θににす、ｆ
５４図の特性線ｄのように、はぼ連続的に変化する。

これに対し、乱反射成分は、θ＝９０°においては前述
のように、主照明源１３に係るものも、副照明源１６に
係るものも最小で、その散乱光が受光面１．２ａに入力
する光量はほとんど無視できる。

しかし、θ＝０°では、副照明源１６がらの照射光１７
が最大に乱反射され、その散乱光が受光面１２ａに入力
される。即ち、θ＝０°で、主照明源１３の照射光１５
がおおきく乱反射されて散乱光が受光面１２ａに入力す
るが、正反射光１５ｒの光量が大幅に減少するので、受
光面１２ａに入力する総光量はかなり減少する一方で、
副照明源１６の照射光１７もおおきく乱反射されその散
乱光の増大で、受光面１２ａに入力する散乱光成分が増
大し、正反射光１５ｒの光量の減少分が」１記散乱光で
ほぼ補われる。実施例では、副照明源１６の設定位置、
設定角度および光源の輝度を副照明源１６による散乱光
の補償光量が第４図の特性線Ｕに近似させるように選ん
である。従って、その合成特性Ｃは、はぼ一定のＲＥと
なる。この結果、銅パターンのスジ目の方向θに関係な
く、銅パターンによる信号レベルは、第３図の（１］）
の曲線とほぼ同様になる。すなわち、基板ベース部６（
第２図）の反射率は、任意の箇所でほぼ一定であるから
、基板ベース部６（第２図）からの反射光量と、ＰＷＢ
の銅パターンからの反射光量のコントラストどの箇所で
もほぼ一定の高い値に維持することができる。

次に、他の実施例を第１図（１））に示す。

第１図（ａ）と同一の符号は、同一ないし相当のものを
示し詳しい説明を省略する。第１図（ａ）の撮像装置と
は、撮像レンズ１８と１次元ＣＣＤイメージセンサ１２
の配置が相違している。即ち、第１図（ａ）の装置では
、撮像レンズ１８の光軸１８ａに対し、１次元ＣＣＤイ
メージセンサ１２がオフセット１１− されているが、通常、１次元ＣＣＩ）イメージセンサ１
２は、筒状の鏡筒に収Ｓ′されＣＣＤカメラとして撮像
レンズの鏡筒１９と連結されうる構造となっている。そ
こで、第１図（１］）の装置では、このような標準の構
造をとれるように、光軸Ｊ８ａが主照明源１３の正反射
光１５ｒの光路と一致するように撮像レンズ１８を配置
するとともに、受光面１２ａに立てられる法線が光軸１
．８ａと一致するように１次元ＣＣＤイメージセンサ１
２を配置するようにした。

このようにすると、受光面１２ａに、反射光１５「・が
垂直に入射して、充電変換の効率を向」二できる利点の
ほかに、装置・機構面での設計を容易化できる利点があ
る。

尚、第１図（ａ）ｌ（ｂ）の実施例において、ＰＷＢｌ
ｏに則する主照明源１３の照射光１５の入射角は、４゛
に選ばれている。これは、ＰＩＳ２図からも分かるよう
に、基板ベース部６の平面に対し銅パターン１は台形状
の立体構造をなし、その斜面としての肩部１ａの影響（
表面の粗さおよびＰＷＢ　１１２− 〇の表面に立てた法線に対して１５°前後の傾斜の影響
）をできるだけ排除し、２次元パターンの情報を良好に
得るためである。また、入射角は４°に限るものでなく
、それよりも小さければより好ましいし、又１０°　ま
での範囲で特に撮像出力に悪い影響をおよぼすことはな
い。

さらに、第１図（ａ）、（ＩＪ）において、これら構成
要素の光学的位置関係は、上記の位置から多少ずれても
、実用上さほどの影響は生じない。

さて、以上の実施例においては、主照明源及び副照明源
ともタングステンランプを用いている。

しかし、本発明の趣旨によれば、照明源は従来のような
強力な照明を行う必要がなく、固体撮像素子の特性に応
じた照度さえ与えればよい。しかし、タングステンラン
プである以上、電流→熱→光の変換であり発熱の問題は
回避できない。また、タングステンランプは、比較的大
形であるので装置も大形化することは否めず、撮像装置
を移動させるような場合には、特にその支持機構や耐振
性も問題となってくる。さらに、ランプ自体の特性では
、光量に経時変化なイ１゛う不安定性とともに、比較的
特命も短いので交換作業が必須になるといった取扱い」
二の不便さもある。

そこで、次ぎに述べる実施態様は、ト記実施例の照明源
の改良に関し、その課題は、照明源に係る発熱の問題を
解消するとともに、照明源を小型かつ軽量でしかも堅牢
なものとするなど取り扱いを容易化し、かつ後の信号処
理を容易化できるように、撮像領域に均一な照度分布を
与えることができるようにすることである。

この課題を達成するためにより好ましい本実施態様では
、撮像装置に係る照明源を、光源を複数個アレー状に配
列した光散乱形の発光ダイオードで構成したことを特徴
としている。

より好ましくは、照度を大きく確保で終るように、前記
発光ダイオードには高輝度タイプのものを適用する。

さらに好ましくは、撮像手段の固体撮像素子に、例えば
、１次元もしくは２次元のＣＣＤ素子を用いる場合など
には、その分光感度のピークを銅パターンの分光反射特
性に適合する可視光の長波長（近赤外も一部含む）側に
選択すると共に、前記発光ダイオードの分光発光強度の
ピークも、銅パターンの分光反射特性に適合する可視光
の長波長（近赤外も一部含む）側に選択する。これによ
って、撮像パターンを背景に対して、よりコントラスト
良く取り込むことができる。

第５図に、この実施態様の概略斜視図を示す。

２１は、１次元ＣＣＤイメージセンサを収容したＣ　Ｃ
Ｄカメラ、２２は、ＣＣＤカメラ２１と連結された撮像
レンズ、２３は、主照明源としての発光ダイオードアレ
ー光源、２４は、副照明源としての発光ダイオードアレ
ー光源である。２５は、フレアー防１に用の遮光板であ
る。

照明源としての発光ダイオードアレー光源２３，２４（
発光ダイオードを以下ＬＥＤと略記する。また、ＬＥＤ
アレー光源２３．２４は構造が同等であるので以下では
ＬＥＤアレー光源２３を説明する。）は、第６図（ａ）
に示されるように、単体としてのＬＥＤ素子２３−１，
２３−２．・・・・・・、２３−Ｎをライン状に密接し
て配置し連光１５− 板２５に固定したもので、その全長（Ｎ）は撮像領域１
４の長さに対応して定める。ＬＥＤ素子２３−１．２３
−２゜・・・・・・、２３−Ｎのそれぞれは、ステムに
半導体チップをマウントし光散乱材の入った透明樹脂２
６でモールドされた、いわゆる光散乱形のＬＥＤ素子で
ある。

その指向特性をｐ／４８図に示す。Ｏｏの軸線に対称で
ブロードな特性をもつ。

このような特性をもったＬＥＤ素子を、アレー状に配列
したものを照明源に適用すると、撮像領域にほぼ均一な
照度分布を与えることができる。即ち、第９図（、）に
示すように、個々の１．ＥＤ素子２３−１゜２３−２．
・・・・・・、２３−Ｎの発光による光束の指向特性は
、ＬＥＩ）素子近傍ではほぼ球状である。しかし、それ
ぞれの光束は隣接のＬＥＤ素子の光束と重なり合い、ゆ
るい強弱のある合成光束となる。それが距離を経るに従
って、光束の強弱がなだらかとなり、所定の距離をおい
た箇所（定置されたＰ　Ｗ　Ｂ　１０の表面）では、は
ぼ均一な照度分布となる。照明領域２７の照度分布は第
９図（ｂ）のようになり、そのうち照度分布が一定の領
域２８を撮像領域１４に選ぶ。こ１６− のように、撮像領域１４に一定の照度分布をり、えると
、ＣＣＤイメージセンサ光電変換出力が均一化し、以降
の信号処理がやりやすくなる。

なお、光散乱形のＬＥＤ素子に替え、従来上り多用され
ている指向性の強いＬＥＤ素子（Ｌ　Ｅ　Ｄの最大の用
途はパイｌ１１７−／トランプであるので、むしろ指向
性を持たせるべく、例えば半導体チップを収容した樹脂
をレンズ状に成型するなどされているものが多い）をア
レー状に配列することも考えられるが、光源点が物理的
に離間する必然性とともに光源の個々が鋭い指向性をも
っているので、照射方向の光束の重なりあいは少なく、
合成光束としては不均一なものしか形成されない。従っ
て、短い距離をおいた箇所に均一な照度分布を与えるこ
とができず、距離をおいて使わなければならない。この
場合、所要の照度を得るために、下記のように、ＬＥＤ
の列数を増やすことも考えられる。

」１記の場合に限らず、一般に、撮像光学系の構成およ
び撮像手段との関係で撮像領域１４の照度を大きくした
いときには、例えば第６図（（」）に示すＪ：うに、１
、ＥＤ素子アレイを２列に配列する。必要に応じて、３
列に配列したり、いわゆるちどり状に配列してもよい。

ＬＥＤ素子の輝度に関し、実施例では高輝度タイプのも
のが採用されている。第８図の軸」二師度Ｋ（Ｔ＝２０
１１ＩＡ）で、例えば、］０Ｏｔｎｃｄのものである。

尚、ＣＣＤイメージセンサとの関係で、軸上輝度Ｉ（の
下限が５０〜６０＋ｎｃｄ程度でも充分に実用的である
。近時、光通（ｉ用に種々高輝度なＬＥＤ素子が開発さ
れているが（２０００ｍｃｄの超高輝度のものもある）
、輝度Ｋが大きくなれは゛ＣＣＤイメージセンサがらの
出力がより大きくなりＳ／Ｎ比が良くなり都合がよい。

このことは、照明源としてのＬＥｒｌ素子アレーを、よ
り小型に構成できることを意味し、例えば第６図（１〕
）の構成を、第６図（ａ）の構成にできる。小型化は、
照明源を伴って撮像装置全体を移動させながらパターン
１，１１を入力走査する構成がとられる場合に、特に有
利である。

第７図は、撮像装置の照明源として特に好適なＬＥＤア
レーの説明図である。共通のステムに複数個の半導体チ
ップＣｌＩＣ２１・・・・・・、Ｃｎを等しいピッチ１
〕１で一体のアレイ状に配置し、透明樹脂２６゛で一体
にモールドしたものである。もちろん、透明樹脂２６′
には光散乱材を入れたほうが好ましい。半導体チップを
このＪ：うに複数個アレー状に配列した光源とすると、
ピッチ１１１１１１２を適当に選ぶことによって、単体
の１．ＥＤ素子のアレー状配列に対し、指向特性はより
シャープなものを使用できるし、より低輝度のＬＥＤ素
子を用いることができる。逆に、光源としての半導体チ
ップ（＋、ＥＤ）の輝度が高ければ、それだけ照明源の
効率が高められる。また、一体形では、設計、製作、お
よび取扱いがきわめて容易となる。

上記各側のような構成にすると、従来のランプにおける
ような発熱の問題が解消できる。即ち、ＬＥＤは電気−
光の直接変換であり、しがも低電圧動作で、輝度が高い
にもがかわらず消費電力はトわめて小さいからである。

そして、機械的に強く、振動にも強く、ランプに比べれ
ばはるかに艮か命であり交換等はほとんど不要で、取扱
いはきわめ１９− て容易である。また、発光波長領域が狭いのでランプの
場合は必要となる特定波長領域のみを通過させるフィル
タ等も不要であり、かつ光量の変動が少ないので、照明
源としては極めて安定である。

それに、動作速度が速く直ちに光量が安定するので、撮
像処理を迅速に行える利点もある。さらに、低価格でも
あるので、照明源を安価に構成で外、したがって撮像装
置自体の低コスト化が実現できる。。

次に、第５図に示した実施態様のさらに好ましい詳細な
具体例を説明する。

エツチングされたプリント配線板の銅パターンの欠陥光
学検査では、装置入力回路部のＳ／Ｎ比や、以降の信号
処理等を考慮すると、先に述べたように、背景としての
、例えばガラスエポキシベースと、パターンとしての銅
線部とを、光学的にできうるかぎりコントラスト良く取
り込むことが重要である。そこで、銅パターンをフント
ラスト良く撮像できるように、照明源としてのＬＥＤの
発光特性と、撮像手段としての固体撮像素子の分光２０
− 感度に配慮した。

本具体例では、ＬＥＤの分光発光特性において、パター
ンの銅（純銅）の分光反射特性に適合する領域に発光強
度のピークを有するＬＥＤを選択するとともに、ＣＣＤ
イメージセンヤについては、その分光感度特性が銅の分
光反射特性に適合する領域、すなわち、可視光の長波長
側にピークを有するものを選択した。

即ち、プリント配線板の銅面、およびガラスエポキシベ
ースの分光反射特性を具体的に調べると、それぞれ第１
０図、第１１図の結果かえられた。

両者の分光特性から明らかなように、波長が約５５０ｎ
ｍ以上特に６００ｎｍ以上の長波長側においてきわめで
コントラストがよい。そこで、ＬＥＤ及びＣＯＤイメー
ジセンサの分光特性として、この範囲にピークを有する
ものを選んだ。

具体的に、ＬＥＤは、第１２図に示すように、ピーク発
光波長が約６６０ｎｌＯのもの、より詳しくはダブルへ
テロ構造のＧａＡｌＡｓ赤色発光ダイオードである。好
ましくは光散乱形で、高輝度タイプである。他フハＣＣ
Ｄイメージセンサは、第１３図に、その分光感度特性を
示すように、７００　＋１１１１近傍にピークを有する
もの、などが適用できる。

−に記実施態様によると、照明源を発光ダイオードとし
たので、発熱が少なく固体撮像素子を含め撮像装置の周
辺に、熱的悪影響を及ぼすことがない。さらに、機械強
度に優れ長寿命、光量の安定性、照明源を小型かつ軽量
でしがも堅牢なものとできるなど取扱いが極めて容易と
なり、しかも、光散乱形の発光ダイオードであるので、
撮像領域に均一な照度分布を与えることができ、安定し
た撮像出力が得られると同時に、以降の信号処理を容易
化できる利点がある。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明１こよれば、銅
パターンのスジ目の方向性による反射光量の変化のみを
、副照明源の散乱光で補償するようにしたので、安定し
た撮像信号を１ｆることかでき、信号処理が行いやすく
なった。また、構成も簡単で機械強度に優れ、小型軽量
で、コストも安くなるなど多大な効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の実施例を示
す説明図、第２図は、銅パターンのスジ目の図解図、第
３図は、スジ目の方向により銅パターンの信号レベルが
変化する説明図、第４図は、本発明の詳細な説明図、第
５図は、本発明に係る一実施態様の説明図、第６図（ａ
）、（＋３）は、ＬＥＩ）アレー光源の例示図、第７図
（ａ）、（ｂ）は、］、ＥＤアレイ光源の別の例の説明
図、第８図は、実施態様に用いたＬＥＤの指向特性を示
す図、第９図（ａ）ｌ（１１）は、均一な照度分布が得
られる説明図、第１０図は、銅パターンの分光反射特性
を示す図、第１１図は、ガラスエポキシベースの分光反
射特性を示す図、第１２図は、実施態様に用いたＬＥＩ
’）の分光発光強度特性を示す図、第１３図は、ＣＯＤ
イメージセンサの分光感度特性を示す図である。１．１１・・・プリント配線板の銅パターン、２・・・
スジ目、３，１０・・・プリント配線板、１２・・司次
元ＣＣＤイメーノセンサ、１２ａ・・・受光面、１３・
・・主眼−２３＝明部としてのタングステンランプ、１６・・・副照明源
としてのタングステンランプ、１５，１．７・・・照射
光、１５ｒ、１７ｒ・・・正反射光、１８・・・撮像レ
ンズ、２３．２４・・・照明源としての発光ダイオード
アレー。特許出願人　大日本スクリーン製３ｆｉ株式会社代理人
　弁理士油用幾治２４− 暗ｇ架モ −旨住巾や？第１０図一波長（Ｘ１００ｎｍ）第１１図第１２図相対発光強度−波長特性第１３図分光感度特性締榎 →波長（Ｘ１００ｎｍ）波長（μｍ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）銅パターンが形成されたプリント配線板の表面に
照射光を与える照明源と、前記プリント配線板の表面で
反射された光を受光して撮像信号を出力する固体撮像素
子を備えるプリント配線板の撮像装置において、前記固体撮像素子の受光面を前記プリント配線板の表面
に対向するように設定するとともに、前記照明源を、前
記固体撮像素子の受光面に対してプリント配線板の表面
での正反射の法則を充足するように配置される主照明源
と、前記固体撮像素子の受光面に対してプリント配線板
の表面での正反射の法則を充足しないように配置され前
記受光面に前記銅パターンの表面で乱反射した散乱光を
与える副照明源とで構成したことを特徴とするプリント
配線板の撮像装置。
（２）固体撮像素子の受光面に焦点を結ぶ撮像レンズの
光軸は、プリント配線板の表面に立てられる法線と平行
である特許請求の範囲第（１）項記載のプリント配線板
の撮像装置。
（３）固体撮像素子の受光面に焦点を結ぶ撮像レンズの
光軸は、主照明源の正反射光光路と一致しかつ受光面に
立てられる法線に平行である特許請求の範囲第（１）項
記載のプリント配線板の撮像装置。
（４）主照明源の照射光のプリント配線板に対する入射
角は、１０°以下である特許請求の範囲第（１）項ない
し第（３）項のいずれかに記載のプリント配線板の撮像
装置。
（５）主照明源または副照明源の少なくともいずれか一
方は、光源を複数個アレー状に配列した光散乱形の発光
ダイオードで構成されたものである特許請求の範囲第（
１）項ないし第（４）項のいずれかに記載のプリント配
線板の撮像装置。
（６）発光ダイオードは、高輝度タイプである特許請求
の範囲請求の範囲第（５）項記載のプリント配線板の撮
像装置。
（７）固体撮像素子は、銅パターンの分光反射特性に適
合するように可視光の長波長側に分光感度のピークを有
するものである特許請求の範囲第（１）項ないし第（６
）項のいずれかに記載のプリント配線板の撮像装置。
（８）発光ダイオードは、可視光の長波長側に発光強度
のピークを有するものである特許請求の範囲第（５）項
ないし第（７）項のいずれかに記載のプリント配線板の
撮像装置。
（９）固体撮像素子は、ＣＣＤ形でかつ１次元のもので
ある特許請求の範囲第（１）項ないし第（８）項のいず
れかに記載のプリント配線板の撮像装置。