JPH0770504B2 - ウエーハのハンドリング方法及び装置 - Google Patents
ウエーハのハンドリング方法及び装置Info
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- JPH0770504B2 JPH0770504B2 JP2414067A JP41406790A JPH0770504B2 JP H0770504 B2 JPH0770504 B2 JP H0770504B2 JP 2414067 A JP2414067 A JP 2414067A JP 41406790 A JP41406790 A JP 41406790A JP H0770504 B2 JPH0770504 B2 JP H0770504B2
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- Japan
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- wafer
- water
- pedestal
- plate
- polishing
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、研磨加工されたウエー
ハを保持してその研磨面を傷付けず、且つ汚染すること
なく収納するウエーハのハンドリング方法及び装置に関
する。
ハを保持してその研磨面を傷付けず、且つ汚染すること
なく収納するウエーハのハンドリング方法及び装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造における研磨工程では、ウエ
ーハＷは例えば図５に示すような毎葉式研磨装置によっ
てその表面が研磨される。即ち、図５は毎葉式研磨装置
の平面図であり、該装置においてはロード部Ａのカセッ
ト３０に収容された複数枚のウエーハＷ…が１枚ずつ研
磨部Ｂに自動的に搬送され、研磨部Ｂで研磨されたウエ
ーハＷはアンロード部Ｃまで自動的に搬送されてカセッ
ト４０内に順次収容される。
ーハＷは例えば図５に示すような毎葉式研磨装置によっ
てその表面が研磨される。即ち、図５は毎葉式研磨装置
の平面図であり、該装置においてはロード部Ａのカセッ
ト３０に収容された複数枚のウエーハＷ…が１枚ずつ研
磨部Ｂに自動的に搬送され、研磨部Ｂで研磨されたウエ
ーハＷはアンロード部Ｃまで自動的に搬送されてカセッ
ト４０内に順次収容される。
【０００３】上記研磨部Ｂでは、図６に示すように、ウ
エーハＷは軸５０に支持されたプレート５１の下面に保
持され、所定の速度で回転する定盤５２上に貼設された
研磨布（クロス）５３上に所定の力で押圧され、ノズル
５４からの研磨剤５５の供給を受けて研磨布５３との間
で摺擦されることによってその下面が鏡面研磨される。
エーハＷは軸５０に支持されたプレート５１の下面に保
持され、所定の速度で回転する定盤５２上に貼設された
研磨布（クロス）５３上に所定の力で押圧され、ノズル
５４からの研磨剤５５の供給を受けて研磨布５３との間
で摺擦されることによってその下面が鏡面研磨される。
【０００４】ところで、近年の半導体デバイスの高集積
化等に伴ってウエーハＷには高平坦度、高清浄性、無擾
乱な結晶性等が要求される。
化等に伴ってウエーハＷには高平坦度、高清浄性、無擾
乱な結晶性等が要求される。
【０００５】そこで、ウエーハＷのハンドリング作業
（研磨加工が終了したウエーハＷを保持してこれをアン
ロード部Ｃまで搬送し、カセット４０内に収納する作
業）には慎重を期さなければ、ウエーハＷの研磨面を傷
付けたり、汚染してしまう虞がある。
（研磨加工が終了したウエーハＷを保持してこれをアン
ロード部Ｃまで搬送し、カセット４０内に収納する作
業）には慎重を期さなければ、ウエーハＷの研磨面を傷
付けたり、汚染してしまう虞がある。
【０００６】従来から用いられているハンドリング方法
としては、例えば図７に示すような水流搬送法がある。
この方法は搬送板６０に貫設された水噴射ノズル６１…
から水を噴出させて搬送板６０の表面にカセット４０方
向に流れる水膜６２を形成し、研磨加工が終了したウエ
ーハＷをプレート５１から離脱させてこれを水膜６２上
に落下させ、水膜６２の流れに沿って該ウエーハＷを搬
送してカセット４０内に順次収納する方法である。
としては、例えば図７に示すような水流搬送法がある。
この方法は搬送板６０に貫設された水噴射ノズル６１…
から水を噴出させて搬送板６０の表面にカセット４０方
向に流れる水膜６２を形成し、研磨加工が終了したウエ
ーハＷをプレート５１から離脱させてこれを水膜６２上
に落下させ、水膜６２の流れに沿って該ウエーハＷを搬
送してカセット４０内に順次収納する方法である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法においては、水膜６２をカセット４０の内部まで形成
することができないため、ウエーハＷを搬送板６０から
カセット４０へ受け渡す際にウエーハＷがカセット４０
に接触してその研磨面が傷付けられたり、汚染されると
いう問題がある。
法においては、水膜６２をカセット４０の内部まで形成
することができないため、ウエーハＷを搬送板６０から
カセット４０へ受け渡す際にウエーハＷがカセット４０
に接触してその研磨面が傷付けられたり、汚染されると
いう問題がある。
【０００８】又、研磨面を下にして水膜上に落下したウ
エーハをロボットを用いて保持し、これを反転して研磨
面を上にした状態で該ウエーハをカセット内に収納する
方法も考えられるが、この方法では装置が高価となる
上、ロボットでウエーハを保持するときにウエーハの研
磨面が汚染されるという問題がある。
エーハをロボットを用いて保持し、これを反転して研磨
面を上にした状態で該ウエーハをカセット内に収納する
方法も考えられるが、この方法では装置が高価となる
上、ロボットでウエーハを保持するときにウエーハの研
磨面が汚染されるという問題がある。
【０００９】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、研磨加工されたウエーハを保
持してその研磨面を傷付けず、且つ汚染することなく収
納することができるウエーハのハンドリング方法及び装
置を提供することにある。
で、その目的とする処は、研磨加工されたウエーハを保
持してその研磨面を傷付けず、且つ汚染することなく収
納することができるウエーハのハンドリング方法及び装
置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明方法は、ウエーハをその研磨面を下にして水膜上に
フローティング支持し、この状態を保ったまま該ウエー
ハを反転してこれを水中に浸漬せしめることをその特徴
とする。
発明方法は、ウエーハをその研磨面を下にして水膜上に
フローティング支持し、この状態を保ったまま該ウエー
ハを反転してこれを水中に浸漬せしめることをその特徴
とする。
【００１１】又、本発明は、回動自在に支持され、複数
の水噴射ノズルを貫設して成るウエーハ受台と、該ウエ
ーハ受台に形成された前記水噴射ノズルに水を供給する
水供給源を含んでウエーハのハンドリング装置を構成し
たことをその特徴とする。
の水噴射ノズルを貫設して成るウエーハ受台と、該ウエ
ーハ受台に形成された前記水噴射ノズルに水を供給する
水供給源を含んでウエーハのハンドリング装置を構成し
たことをその特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明によれば、ウエーハ受台に貫設された水
噴射ノズルから水を噴射させてウエーハ受台の表面に水
膜を形成し、この水膜上に研磨加工されたウエーハを落
下させてこれをフローティング支持し、その後ウエーハ
を水膜上にフローティング支持したままウエーハ受台自
体を反転させてこれを水中に浸漬するため、この作業中
にウエーハの研磨面が他の物や大気に触れることがな
く、該ウエーハ研磨面が傷や汚染から有効に保護され
る。
噴射ノズルから水を噴射させてウエーハ受台の表面に水
膜を形成し、この水膜上に研磨加工されたウエーハを落
下させてこれをフローティング支持し、その後ウエーハ
を水膜上にフローティング支持したままウエーハ受台自
体を反転させてこれを水中に浸漬するため、この作業中
にウエーハの研磨面が他の物や大気に触れることがな
く、該ウエーハ研磨面が傷や汚染から有効に保護され
る。
【００１３】又、ウエーハは研磨面を上にして水中に浸
漬されるため、これをカセット等に収納する際にその研
磨面がカセット等に触れて傷付くことがない。
漬されるため、これをカセット等に収納する際にその研
磨面がカセット等に触れて傷付くことがない。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の一実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１５】図１は本発明に係るハンドリング装置の構
成及び作用説明図、図２は同装置のウエーハ受台の縦断
面図、図３は同ウエーハ受台の平面図、図４は図２の矢
視Ｘ方向の図である。
成及び作用説明図、図２は同装置のウエーハ受台の縦断
面図、図３は同ウエーハ受台の平面図、図４は図２の矢
視Ｘ方向の図である。
【００１６】本発明に係るハンドリング装置の基本構成
を図１に基づて説明すると、該装置は軸１を中心に図示
矢印方向に略１８０°回動して反転する円板状のウエー
ハ受台２と、該ウエーハ受台２に上下方向に貫設された
水噴射ノズル３…にホース４を介して水を供給する不図
示の水供給源と、水を収容した水槽５を含んで構成さ
れ、水槽５の水中にはウエーハ収納用のカセット６が収
容されている。
を図１に基づて説明すると、該装置は軸１を中心に図示
矢印方向に略１８０°回動して反転する円板状のウエー
ハ受台２と、該ウエーハ受台２に上下方向に貫設された
水噴射ノズル３…にホース４を介して水を供給する不図
示の水供給源と、水を収容した水槽５を含んで構成さ
れ、水槽５の水中にはウエーハ収納用のカセット６が収
容されている。
【００１７】ここで、前記ウエーハ受台２の具体的な構
成を図２乃至図４に基づいて説明する。
成を図２乃至図４に基づいて説明する。
【００１８】図２に示すように、垂直に立設された丸軸
状の脚７の上端には円板状の固定板８と略矩形状の装置
取付板９が複数のボルト１０…とナット１１とで共締め
されて固定されている。
状の脚７の上端には円板状の固定板８と略矩形状の装置
取付板９が複数のボルト１０…とナット１１とで共締め
されて固定されている。
【００１９】そして、上記装置取付板９の一端には左右
一対の継手１２，１２によって矩形状の水路板受１３が
前記軸１を中心に略１８０°の角度範囲で回動可能に枢
着されており、前記固定板８の一端（継手１２とは反対
側の一端）には２本のストッパボルト１４，１４が立設
されている。尚、各継手１２は、図４にも示すように装
置取付板９の上面にボルト１５，１５にて結着されたヒ
ンジ１６と水路板受１３の下面にボルト１７，１７にて
結着されたヒンジ１８とを軸１にて枢着して構成され
る。
一対の継手１２，１２によって矩形状の水路板受１３が
前記軸１を中心に略１８０°の角度範囲で回動可能に枢
着されており、前記固定板８の一端（継手１２とは反対
側の一端）には２本のストッパボルト１４，１４が立設
されている。尚、各継手１２は、図４にも示すように装
置取付板９の上面にボルト１５，１５にて結着されたヒ
ンジ１６と水路板受１３の下面にボルト１７，１７にて
結着されたヒンジ１８とを軸１にて枢着して構成され
る。
【００２０】而して、前記水路板受１３の上面には浅い
有底筒状の水路板１９が結着されており、該水路板１９
の内側には円板状の水膜板２０がリング状の支持部材２
１を介して複数のボルト２２…によって結着されてい
る。そして、水膜板２０と支持部材２１及び水路板１９
で囲まれる空間には流路２３が形成され、水膜板２０と
支持部材２１の外周側には水路板１９の側壁２４との間
に水路２５が形成されている。尚、図２図中、２６はシ
ール用のＯリングである。
有底筒状の水路板１９が結着されており、該水路板１９
の内側には円板状の水膜板２０がリング状の支持部材２
１を介して複数のボルト２２…によって結着されてい
る。そして、水膜板２０と支持部材２１及び水路板１９
で囲まれる空間には流路２３が形成され、水膜板２０と
支持部材２１の外周側には水路板１９の側壁２４との間
に水路２５が形成されている。尚、図２図中、２６はシ
ール用のＯリングである。
【００２１】又、前記水膜板２０には図３にも示すよう
に複数（本実施例では、８つ）の前記水噴射ノズル３…
が同一ピッチ円上に等角度ピッチで貫設されており、同
水膜板２０上の外周部近傍には４つのガイドピン２７…
が立設されている。尚、前記流路２３には図１に示すホ
ース４が接続されている。
に複数（本実施例では、８つ）の前記水噴射ノズル３…
が同一ピッチ円上に等角度ピッチで貫設されており、同
水膜板２０上の外周部近傍には４つのガイドピン２７…
が立設されている。尚、前記流路２３には図１に示すホ
ース４が接続されている。
【００２２】次に、本発明方法をハンドリング装置の作
用を説明しながら説明する。
用を説明しながら説明する。
【００２３】ウエーハ受台２においては、図２に示すよ
うに水路板受１３がストッパボルト１４，１４に当接し
たときに水膜板２０が水平に保持されるよう調整されて
おり、この状態で不図示の水供給源からホース４（図１
参照）を経て流路２３に水が供給されると、水は水膜板
２０に貫設された前記水噴射ノズル３…から噴出して図
示のように水膜板２０の上面に水膜２８を形成する。
尚、水膜板２０の外周部から溢れる水は水路２５に流下
し、該水路２５を経て回収される。
うに水路板受１３がストッパボルト１４，１４に当接し
たときに水膜板２０が水平に保持されるよう調整されて
おり、この状態で不図示の水供給源からホース４（図１
参照）を経て流路２３に水が供給されると、水は水膜板
２０に貫設された前記水噴射ノズル３…から噴出して図
示のように水膜板２０の上面に水膜２８を形成する。
尚、水膜板２０の外周部から溢れる水は水路２５に流下
し、該水路２５を経て回収される。
【００２４】而して、水膜板２０上に形成された水膜２
８の上方には研磨装置によってその下面Ｗａが研磨され
たウエーハＷがプレート５１に真空吸着された状態で位
置せしめられ、真空吸着が解除されるとウエーハＷはプ
レート５１から離脱してその自重で研磨面Ｗａを下にし
て水膜２８上のガイドピン２７…の内側に落下し、この
水膜２８上にフローティング支持される。尚、ウエーハ
Ｗの落下による衝撃は水膜２８によって吸収され、ウエ
ーハＷの研磨面Ｗａは水膜板２０に接触することがな
く、その損傷が効果的に防がれる。従って、ウエーハＷ
の落下距離は短い方が好都合である。
８の上方には研磨装置によってその下面Ｗａが研磨され
たウエーハＷがプレート５１に真空吸着された状態で位
置せしめられ、真空吸着が解除されるとウエーハＷはプ
レート５１から離脱してその自重で研磨面Ｗａを下にし
て水膜２８上のガイドピン２７…の内側に落下し、この
水膜２８上にフローティング支持される。尚、ウエーハ
Ｗの落下による衝撃は水膜２８によって吸収され、ウエ
ーハＷの研磨面Ｗａは水膜板２０に接触することがな
く、その損傷が効果的に防がれる。従って、ウエーハＷ
の落下距離は短い方が好都合である。
【００２５】次に、図１に示すようにウエーハＷを水膜
２８上にフローティング支持したままの状態でウエーハ
受台２（具体的には、水膜板２０、水路板１９及び水路
板受１３）を軸１を中心に矢印方向に略１８０°回動さ
せてこれを反転すれば、ウエーハＷはその外周部をガイ
ドピン２７…によって支持され、且つ水膜２８に保持さ
れた状態で反転される。そして、ウエーハＷがウエーハ
受台２と共に水槽５の水中に浸漬された時点で該ウエー
ハＷはウエーハ受台２から離脱し、研磨面Ｗａを上にし
てその自重で水中を落下し、水流等の任意の手段によっ
て水中のカセット６内に順次収納される。このとき、ウ
エーハＷは反転されてその研磨面Ｗａが上になるため、
研磨面Ｗａがカセット６に接触して傷付くことがない。
２８上にフローティング支持したままの状態でウエーハ
受台２（具体的には、水膜板２０、水路板１９及び水路
板受１３）を軸１を中心に矢印方向に略１８０°回動さ
せてこれを反転すれば、ウエーハＷはその外周部をガイ
ドピン２７…によって支持され、且つ水膜２８に保持さ
れた状態で反転される。そして、ウエーハＷがウエーハ
受台２と共に水槽５の水中に浸漬された時点で該ウエー
ハＷはウエーハ受台２から離脱し、研磨面Ｗａを上にし
てその自重で水中を落下し、水流等の任意の手段によっ
て水中のカセット６内に順次収納される。このとき、ウ
エーハＷは反転されてその研磨面Ｗａが上になるため、
研磨面Ｗａがカセット６に接触して傷付くことがない。
【００２６】又、以上のハンドリング操作中において
は、ウエーハＷの研磨面Ｗａは常時水に濡れて大気に触
れることがないため、その汚染が確実に防がれる。
は、ウエーハＷの研磨面Ｗａは常時水に濡れて大気に触
れることがないため、その汚染が確実に防がれる。
【００２７】更に、本発明方法は簡易な装置によって実
施されるため、コストアップを招くことがなく、経済的
であるというメリットもある。
施されるため、コストアップを招くことがなく、経済的
であるというメリットもある。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、ウエーハをその研磨面を下にして水膜上にフロー
ティング支持し、この状態を保ったまま該ウエーハを反
転してこれを水中に浸漬せしめるようにしたため、研磨
加工されたウエーハを保持してその研磨面を傷付けず、
且つ汚染することなく収納することができるという効果
が得られる。
れば、ウエーハをその研磨面を下にして水膜上にフロー
ティング支持し、この状態を保ったまま該ウエーハを反
転してこれを水中に浸漬せしめるようにしたため、研磨
加工されたウエーハを保持してその研磨面を傷付けず、
且つ汚染することなく収納することができるという効果
が得られる。
【図１】発明に係るハンドリング装置の構成及び作用説
明図である。
明図である。
【図２】同装置のウエーハ受台の縦断面図である。
【図３】同ウエーハ受台の平面図である。
【図４】図２の矢視Ｘ方向の図である。
【図５】毎葉式研磨装置の平面図である。
【図６】ウエーハ研磨の原理を説明するための図であ
る。
る。
【図７】水流搬送法を説明するための図である。
２ ウエーハ受台 ３ 水噴射ノズル ２５ 水路 ２７ ガイドピン Ｗ ウエーハ
Claims (3)
- 【請求項１】 ウエーハをその研磨面を下にして水膜上
にフローティング支持し、この状態を保ったまま該ウエ
ーハを反転してこれを水中に浸漬せしめることを特徴と
するウエーハのハンドリング方法。 - 【請求項２】 回動自在に支持され、複数の水噴射ノズ
ルを貫設して成るウエーハ受台と、該ウエーハ受台に形
成された前記水噴射ノズルに水を供給する水供給源を含
んで構成されることを特徴とするウエーハのハンドリン
グ装置。 - 【請求項３】 前記ウエーハ受台の上面にウエーハの外
周縁に当接すべきガイドピンを立設し、同ウエーハ受台
の周囲に水路を形成したことを特徴とする請求項２記載
のウエーハのハンドリング装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414067A JPH0770504B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | ウエーハのハンドリング方法及び装置 |
| US07/812,621 US5226758A (en) | 1990-12-26 | 1991-12-23 | Method and an apparatus for handling wafers |
| EP91312028A EP0493117B1 (en) | 1990-12-26 | 1991-12-24 | A method and an apparatus for handling wafers |
| DE69115234T DE69115234T2 (de) | 1990-12-26 | 1991-12-24 | Verfahren und Vorrichtung zur Handhabung von Wafern. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414067A JPH0770504B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | ウエーハのハンドリング方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225229A JPH04225229A (ja) | 1992-08-14 |
| JPH0770504B2 true JPH0770504B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=18522603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2414067A Expired - Lifetime JPH0770504B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | ウエーハのハンドリング方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5226758A (ja) |
| EP (1) | EP0493117B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0770504B2 (ja) |
| DE (1) | DE69115234T2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5421889A (en) * | 1993-06-29 | 1995-06-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for inverting samples in a process |
| US5733175A (en) | 1994-04-25 | 1998-03-31 | Leach; Michael A. | Polishing a workpiece using equal velocity at all points overlapping a polisher |
| US5607341A (en) | 1994-08-08 | 1997-03-04 | Leach; Michael A. | Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits |
| US7169015B2 (en) | 1995-05-23 | 2007-01-30 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Apparatus for optical inspection of wafers during processing |
| IL113829A (en) * | 1995-05-23 | 2000-12-06 | Nova Measuring Instr Ltd | Apparatus for optical inspection of wafers during polishing |
| US6516509B1 (en) * | 1996-06-07 | 2003-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a liquid jet head having a plurality of movable members |
| US5765890A (en) * | 1996-10-03 | 1998-06-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Device for transferring a semiconductor wafer |
| US5993148A (en) * | 1997-07-22 | 1999-11-30 | Micron Technology, Inc. | Article transfer methods |
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