JP2012084671A - 検出方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】露出面に凹凸が存在するワークであっても、露出面側から撮像してワークの内部または非露出面に形成されたパターンなどの被検出対象を検出すること。
【解決手段】露出面に凹凸を有するワークの内部又は非露出面に形成された被検出対象を、ワークの露出面側から撮像手段を用いて検出する検出方法であって、該撮像手段が検出する光の波長を透過する液状樹脂を、ワークの露出面に塗布して該ワークの露出面を平坦化する平坦化工程と、該平坦化工程の後に、該液状樹脂が塗布されたワークの露出面側から該撮像手段を用いてワークの内部又は非露出面に形成された被検出対象を検出する検出工程とを含む。
【選択図】図5

Description

本発明は、半導体ウェーハ等のワークの内部または非露出面に形成されたパターンなどの被検出対象を検出する検出方法に関するものである。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状であるワークの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にICやLSI等の回路が形成される。そして、分割予定ラインに沿ってワークを切断して回路が形成された領域を分割することにより、個々の半導体チップが製造される。
ストリートに沿ったワークの切断は、例えば、ダイサーと呼ばれる切削装置によって行われている。この切削装置では、ストリートで区画された矩形のチップ領域の特殊なパターン(たとえばチップ領域の中心位置を認識するために付されたパターン)を被検出対象として設定し、分割すべき半導体ウェーハの露出面を撮像手段によって撮像し走査しながら、画像処理によりパターンを検出する。そして、検出したパターンと、予め記憶されている被検出対象のパターンとストリートとの位置関係とに基づいてストリートを認識し、認識したストリートに沿ってワークを切削している。
このようなパターン検出方法は、ワークのパターンが形成されている表面側が露出している場合には有効であるが、ワークの表裏を反転して切削する場合やパターンが内部に形成されているような特殊なワークを切削する場合には、パターンを検出できない。そこで本出願人は、例えばワークがシリコンウェーハの場合はシリコンに対する赤外線の透過性を利用して半導体ウェーハの露出面側から非露出面や内部を撮像可能な撮像手段を開発した(特許文献1参照)。
特開平7−75955号公報
しかしながら、ワークの露出面に凹凸が存在していると、ワークに対して透過性を有する波長に感度がある撮像手段によっても、被検出対象のパターンを撮像できずに検出できない場合があった。すなわち、図10において、一点鎖線で示すように、レンズを介してパターンに焦点を合わせると、パターンの像がCCDカメラで結像されて撮像できるが、焦点深度が長い低倍レンズを用いて撮像した場合には、ワークの内部や露出面の反対面である非露出面のパターンに焦点を合わせても、ワークの露出面の凹凸も撮像してしまい、パターンの画像がぼやけてしまう。また、焦点深度が短い高倍率レンズを用いて撮像した場合には、ワークの内部や非露出面のパターンに焦点を合わせても、図10中矢印A3で示すようにワーク非露出面の凹凸で光が散乱してしまい、やはりパターンの画像がぼやけてしまう。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、露出面に凹凸が存在するワークであっても、その露出面側から撮像してワークの内部または非露出面に形成されたパターンなどの被検出対象を検出できる検出方法を提供することを目的とする。
上記した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる検出方法は、露出面に凹凸を有するワークの内部又は非露出面に形成された被検出対象を、ワークの露出面側から撮像手段を用いて検出する検出方法であって、該撮像手段が検出する光の波長を透過する液状樹脂を、ワークの露出面に塗布して該ワークの露出面を平坦化する平坦化工程と、該平坦化工程の後に、該液状樹脂が塗布されたワークの露出面側から該撮像手段を用いてワークの内部又は非露出面に形成された被検出対象を検出する検出工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、ワークの凹凸が存在する露出面に、液状樹脂(ワークを透過し撮像手段が検出する波長の光を透過するとともに、その波長に対する屈折率がワークに近いもの)を塗布することでワーク露出面を液状樹脂で平坦化し、ワーク露出面と液状樹脂との界面において光の屈折の度合いを小さくして光を透過することができる。これによれば、ワーク露出面の凹凸による光の散乱を低減させてワーク内部または非露出面に形成されたパターンに焦点を合わせて撮像することができるので、露出面に凹凸が存在するワークの露出面側から撮像してワークの内部または非露出面に形成されたパターンなどの被検出対象を検出した際の画像のぼやけが従来よりも低減される。
図1は、シリコンウェーハの構成およびシリコンウェーハをストリートに沿って切削する切削装置の主要部の構成を説明する概略斜視図である。 図2は、図1に示した切削手段周りの構成を抽出して示す斜視図である。 図3は、図1に示した塗布手段を構成するチャックテーブルの収納位置を説明する概略斜視図である。 図4は、図1に示した撮像手段の構成を示す図である。 図5は、検出工程を説明する説明図である。 図6は、本発明にかかる検出方法を適用したワークを例示する図である。 図7は、本発明にかかる検出方法を適用したワークを例示する図である。 図8は、図6に示したワークで撮像されたパターンの画像例を示す図である。 図9は、図7に示したワークで撮像されたパターンの画像例を示す図である。 図10は、従来の問題点を説明する説明図である。
以下に、図面を参照して、本発明にかかる検出方法の実施の形態について説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
図1は、ワークの一例であるシリコンウェーハ11の構成および本発明の検出方法を適用してこのシリコンウェーハ11をストリートに沿って切削するための切削装置10の主要部の構成を説明する概略斜視図である。図1に示すように、本実施の形態で検出対象とするシリコンウェーハ11は、略円板形状を有し、図1中に破線で示すように表面側が互いに直交する分割予定ラインL(L1,L2)によって格子状に区画されており、これら区画された領域内にデバイス(本実施形態においては、デバイスのパターンが被検出対象となる)が形成された構成となっている。また、裏面側には微小な凹凸が存在している。そして、本実施形態においてはデバイスが形成された表面側に保持テープTに貼着されるので、表面が非露出面となり、裏面が露出面となる。
なお、ワークの具体例は、シリコンウェーハに限定されるものではなく、例えばガリウムヒ素(GaAs)等の半導体ウェーハ、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるDAF(Die Attach Film)等の粘着部材、あるいは半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア(Al23)系の無機材料基板、LCDドライバー等の各種電子部品、さらにはμmオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料が挙げられる。
切削装置10は、切削手段20と、チャックテーブル12と、塗布手段30と、撮像手段40と、図示しない切削送り手段と、図示しない移動手段と、搬出入手段50と、制御手段Cとを含んで構成される。
切削手段20は、図2に示すように、切削ブレード22を装着したスピンドルユニット23を有して構成される。切削ブレード22は、例えば、リング形状を有する切削砥石である。この切削手段20は、スピンドルユニット23の回転駆動力により切削ブレード22を高速回転させて、切削ブレード22を被検出物(ワーク)11に切り込ませながら相対移動させることができ、チャックテーブル12上のワーク11を切削する。
チャックテーブル12は、例えば、ポーラス部材により形成されており、保持テープTによりフレームFに支持された状態のワーク11が搬出入手段50により図1中矢印A1で示す方向に搬入され、例えば真空吸着されてチャックテーブル12上に保持される。
塗布手段30は、例えば、図3に示すように、塗布部材供給手段31と、チャックテーブル32とを有して構成される。このチャックテーブル32は、上述のチャックテーブル12と同様にワーク11を吸引保持するもので、円筒状の回転部33の上端に配設されている。チャックテーブル32は、この回転部33により、内部に配設されたパルスモータなどにより鉛直方向(Z軸方向)を回転軸として回転自在に構成されるとともに、回転部33を介して昇降部(図示せず)により鉛直方向(Z軸方向)に上下動自在に支持されている。これにより、切削装置10の作業面高さとなる塗布位置と、内部に収納された収納位置とに選択的に位置づけられる。
塗布部材供給手段31は、切削装置10の作業面の開口近傍に配設されて鉛直方向を回転軸とする回転を自在に行う支軸131と、この支軸131の上端側に一端が連結されたアーム132と、このアーム132の他端側に噴出口が下を向くようにして設けられたノズル133とを備える他に、塗布部材供給源やこの塗布部材供給源からの塗布部材をノズル133に導くパイプ等を含む。この塗布部材供給手段31は、後述する塗布工程において支軸131の回転によってアーム132が回動し、塗布位置に位置付けられたチャックテーブル32の中心近傍上方にノズル133が移動するようになっており、ノズル133から塗布部材を噴出してチャックテーブル32上のワーク11の凹凸を有する裏面に供給する。
撮像手段40は、例えば、図4に示すように、シリコンを透過する赤外波長域において感度を有する赤外線カメラ41と照明装置42と顕微鏡43とを有して構成される。撮像手段40は、例えば、図2に示すように、切削手段20を構成するスピンドルユニット23の側部に固定されており、下方(図1におけるZ軸の下方向)に向けて配設されている。また、撮像手段40と切削ブレード22とは、X軸方向に一直線上に並ぶように配設されている。この撮像手段40により、チャックテーブル12に載置されたワーク11に付されているパターンを撮像する。撮像に際しては、照明装置42からワーク11の裏面に照射された赤外線が、ワーク11の内部まで透過し、ワーク11の表面で反射した後に顕微鏡43を介して赤外線カメラによって撮像される。
切削送り手段は、チャックテーブル12と切削手段20とを相対的に移動させるためのものである。この切削送り手段により、X軸移動テーブルを切削方向(すなわちX軸方向)に移動させることができる。また、移動手段もまた、切削手段20とチャックテーブル12とを相対的に移動させるものである。この移動手段により、切削手段20をY軸方向に移動させることができる。なお、この切削送り手段と移動手段とを用いて、撮像手段40のX軸方向/Y軸方向の移動を自在に行なうことができる。
搬出入手段50は、ワーク11をウェーハ収納位置13から取り出して、チャックテーブル(12,32)に載置させたり、加工済みのワーク11を収納位置に戻したりする際にワーク11の搬出入を行うものであり、ウェーハ搬出入手段51、旋回アーム52、搬送手段53などを含む。そして、塗布手段30により塗布部材を塗布される前のワーク11は、フレームFが装着されたウェーハ収納位置13からウェーハ搬出入手段51により搬出入領域14に取り出され、旋回アーム52により塗布手段30のチャックテーブル32に位置づけられる。また、塗布手段30により液状樹脂としての塗布部材が塗布されたワーク11は、搬送手段53によりチャックテーブル12に搬送される。
切削装置10は、チャックテーブル12上に載置され真空吸着され保持されたワーク11を切削する。このとき、切削する前に、まず、切削すべきストリート(分割予定ライン)と切削ブレード22とのY軸方向の位置合わせ(アライメント)を行う。この位置合わせの際に、後述する検出処理によりパターンを検出し、あらかじめ記憶されている被検出対象のパターンと分割予定ラインとの位置関係に基づいて分割予定ラインLを認識し、切削送り手段により、チャックテーブル12をX軸方向に移動させて行う。そして、1つの分割予定ラインLについて切削が終了すると、次にY軸方向に隣接する切削ラインに切削ブレード22を位置合わせして切削を行う。このように、切削ブレード22の位置合わせとワーク11の切削とを繰り返し行い、ワーク11の一の方向に対する切削を行う。
以上のように構成される切削装置10は、切削装置10を構成する各部の動作を制御して切削装置10を統括的に制御する制御手段Cを備える。制御手段Cは、切削装置10の動作に必要な各種データを保持するメモリを内蔵したマイクロコンピュータ等で構成される。この制御手段Cの制御のもとで、切削装置10は、平坦化工程と検出工程とを実施する。
ここで、本実施の形態に係る平坦化工程について説明する。平坦化工程は、裏面に凹凸が存在するワーク11の裏面に塗布部材を塗布して平坦化する工程である。平坦化工程は、ワーク11を塗布手段30の塗布位置に位置づける保持工程と、ワーク11の表面に塗布部材を塗布する塗布工程からなる。
(保持工程)
塗布手段30において不図示の昇降部がチャックテーブル32を上昇させ塗布位置に位置付けるとともに、搬入出手段50がワーク11を塗布面(裏面)を上にした状態でチャックテーブル32に搬入し載置する。そして、チャックテーブル32の吸引手段(不図示)が駆動し、ワーク11を吸引保持する。これにより、ワーク11は、凹凸が存在する裏面が露出するように保持される。また、この保持工程では、塗布部材供給手段31が駆動し、支軸131を回転させることによってアーム132を回動させ、チャックテーブル32の保持面の中心近傍上方にノズル133を移動させる。
(塗布工程)
続く塗布工程では、塗布部材供給手段31が駆動し、ノズル133から所定量の塗布部材の一例としてPVA(Poly Vinyl Alcohol)を噴出させることでチャックテーブル32の保持面上のワーク11の凹凸が存在する裏面に塗布部材を供給する。続いて、不図示の昇降部が駆動してチャックテーブル32を下降させ、チャックテーブル32を収納位置に位置付ける。その後、回転部33が駆動し、チャックテーブル32を所定の回転速度で所定の時間回転させることで、遠心力によって凹凸が存在する裏面の全面に塗布部材を広げる。チャックテーブル32の回転速度および回転時間は、塗布部材の膜厚に応じて適宜設定する。
塗布部材の膜厚についても適宜設定できるが、薄すぎると凹凸を吸収しきれないこと、また厚すぎると塗布部材が光を吸収してしまうことから、ワーク11の裏面の凹凸を平坦化するために必要な最小限の膜厚であることが望ましく、ワーク11の裏面の面状態にもよるが、例えば0.5μmから3.0μmまでの厚みが好ましく、0.8μmから1.5μmまでの厚みがより好ましい。この結果、凹凸が存在する裏面の全面に所望の膜厚で塗布部材が塗布され、凹凸が存在する裏面側が平坦化される。なお、ワーク11の裏面に供給された塗布部材の大半はチャックテーブル32の回転による遠心力によってワーク11外に飛散するが、このとき、チャックテーブル32は切削装置10の筐体内部の位置である収納位置に位置付けられており、塗布部材が筐体外に飛散することがない。
つぎに、本実施の形態にかかる検出工程について説明する。検出工程では、ワーク11の表面に形成されたパターンとしてのデバイスを検出する。ワーク11は、搬出入手段50によりチャックテーブル12に搬送され、その保持面上に塗布部材を塗布した裏面が露出するように保持されている。したがって、撮像手段40を用いて保持面上のワーク11の裏面側から、ワーク11を透過させてワーク11の表面側のデバイスを撮像し、得られた画像データにパターンマッチング等の画像処理を施すことでパターンを検出する。
なお、本実施の形態ではシリコンウェーハに対して赤外線カメラを用いたが、ワーク11内部または非露出面のパターンを検出できればよく、ワーク11の種類に応じて例えば可視光のカメラ等を適宜選択して用いることとしてよい。すなわち、シリコンウェーハの場合は赤外線カメラを用いるが、サファイア等、可視光を透過するウェーハに対しては可視光のカメラを用いればよい。
以上の検出工程によりパターンを検出した後、あらかじめメモリに保持された被検出対象のパターンと分割予定ラインとの位置関係に基づいて、分割予定ラインLを認識し、切削ブレード22の鉛直下方に加工対象の分割予定ラインを位置付け、分割予定ラインLに沿って切削する。
以上に説明した方法により、裏面に凹凸が存在するワーク11の裏面を、液状樹脂(ワーク11を透過し撮像手段が検出する波長の光を透過するとともに、屈折率がワーク11に近いもの)で平坦化したことにより、ワーク11裏面と液状樹脂との界面において光の屈折の度合いをワーク11の裏面と空気との界面における屈折の度合いよりも小さくして光を透過することができ、図5に示すようにワーク11の裏面での光の散乱を低減できる。すなわち、図5において、一点鎖線で示すように、レンズを介してパターンに焦点を合わせるとパターンの像がCCDカメラで結像されて撮像できるが、ワーク11の裏面が塗布部材により平坦化されたことにより、矢印A2で示すようにパターンの結像を妨げることが低減されて赤外線が透過する。したがって、ワーク11の凹凸が存在する裏面側からワーク11の内部や裏面に存在する被検出対象としてのパターンを塗布部材を塗布しない場合に比べて鮮明に撮像し、検出することができる。
また、本実施の形態によれば、ワーク11の凹凸が存在する裏面に塗布された塗布部材が保護膜となり、ワーク11の凹凸が存在する裏面を切削屑から保護する役割も果たす。
また、ワーク11の切削後には、塗布部材の材料に応じた洗浄液で洗浄して塗布部材を除去するが、本実施形態においては塗布部材として水溶性であるPVA(Poly Vinyl Alcohol)を用いているので、切削後に水で洗浄すれば塗布部材および切削屑を同時に除去することができる。
なお、本実施の形態では、切削装置10としてブレードダイサーを例示しているが、レーザーダイサーにも同様にして本発明の検出方法を適用可能である。
なお、液状樹脂としては、撮像手段40が検出する波長の光に対しての空気の屈折率とワーク11の屈折率との差よりも、液状樹脂の屈折率とワーク11の屈折率との差が小さくなる様な液状樹脂であれば良い。
例えば、実施形態の様に赤外線の波長(例えば700〜800nm付近)を検出する撮像手段40を使用して露出面側からシリコンウェーハ11の内部又は非露出面を撮像する場合には、赤外線の波長に対する空気(0℃,1気圧)の屈折率を約1.0と考え、シリコンの屈折率が4.0前後であることを踏まえると、赤外線の波長に対して大体1.0以上7.0未満の屈折率を持つ液状樹脂を採用することで検出精度を向上させることができると考えられる。例えば液状樹脂として、ポリイミド、光学プラスチック、PVA(Poly Vinyl Alcohol)等を用いることが出来る。もちろん、液状樹脂の屈折率が4.0に近づくほど検出精度の向上が期待できる。
また、可視光(例えば400〜700nm付近)の波長を検出する撮像手段40を使用して露出面側からサファイアウェーハの内部又は非露出面を撮像する場合には、可視光の波長に対する空気(0℃,1気圧)の屈折率を約1.0と考え、サファイアの屈折率が1.8前後であることを踏まえると、可視光の波長に対して大体1.0以上2.6未満の屈折率を持つ液状樹脂を採用することで検出精度を向上させることができると考えられる。例えば液状樹脂として、ポリイミド、光学プラスチック、PVA(Poly Vinyl Alcohol)等を用いることが出来る。もちろん、液状樹脂の屈折率が1.8に近づくほど検出精度の向上が期待できる。
また、本発明は裏面が梨地状のダイシングテープ等が設けられたワーク11についてテープ越しにパターンを検出する際にも適用できる。この場合、露出面としてのテープの梨地面に液状樹脂を塗布してパターンを撮像する。なお、テープの梨地面に塗布する膜厚は、薄すぎると凹凸を吸収しきれないこと、また厚すぎると塗布部材が光を吸収してしまうことから、0.5〜10μm、好ましくは0.5〜7μm、さらに好ましくは0.5〜5μmであることが望ましい。
テープ越しにワーク11のパターンを撮像する場合には、撮像手段40が検出する波長の光に対しての空気の屈折率とテープの屈折率との差よりも、液状樹脂の屈折率とテープの屈折率との差が小さくなる様な液状樹脂であれば良い。
例えば、可視光(例えば400〜700nm付近)の波長を検出する撮像手段を使用してPVC(Poly Vinyl Chloride)などからなる可視光を透過するテープ越しにワークのパターンを撮像する場合には、可視光の波長に対する空気(0℃,1気圧)の屈折率を約1.0と考え、テープの屈折率が1.4〜1.7程度であることを踏まえると、大体1.0以上2.0未満の屈折率を持つ液状樹脂を採用することで加工精度を向上させることができると考えられる。例えば液状樹脂として、ポリイミド、光学プラスチック、PVA(Poly Vinyl Alcohol)等を用いることが出来る。もちろん、液状樹脂の屈折率が使用しているテープの屈折率に近づくほど検出精度の向上が期待できる。
(実施例)
図6に示すように、サファイアウェーハのパターンを露出面から検出した結果を図8に例示する。なお、サファイアウェーハの厚みは200μmであり、凹凸が存在するサファイアウェーハの露出面に、液状樹脂としてPVA(Poly Vinyl Alcohol)を膜厚約1.0μmになるように塗布した。図8に示すように、液状樹脂を塗布せずサファイアウェーハの露出面側から撮像した場合には、レンズの倍率に関係なくパターンの画像がぼやけてしまう。一方、サファイアウェーハの露出面に液状樹脂を塗布して表面を平坦化した場合には、低倍レンズ・高倍レンズのいずれによっても、液状樹脂を塗布しない場合に比べてパターンの画像を鮮明に撮像することができる。
図7に示すように、露出面であるテープの梨地面越しにワークのパターンを検出した結果を図9に例示する。なお、テープはPVC(Poly Vinyl Chloride)からなる厚み90μmのテープであり、テープの梨地面に液状樹脂としてPVA(Poly Vinyl Alcohol)を膜厚約1.0μmになるように塗布した。この場合にも、図9に示すように、液状樹脂を塗布せずテープの梨地面側から撮像した場合には、レンズの倍率に関係なくパターンの画像がぼやけてしまう。一方、テープの梨地面に液状樹脂を塗布して表面を平坦化した場合には、低倍レンズ・高倍レンズのいずれによっても、液状樹脂を塗布しない場合に比べてパターンの画像を鮮明に撮像することができる。
10 切削装置
11 ワーク
20 切削手段
30 塗布手段
40 撮像手段
C 制御手段

Claims (1)

  1. 露出面に凹凸を有するワークの内部又は非露出面に形成された被検出対象を、ワークの露出面側から撮像手段を用いて検出する検出方法であって、
    該撮像手段が検出する光の波長を透過する液状樹脂を、ワークの露出面に塗布して該ワークの露出面を平坦化する平坦化工程と、
    該平坦化工程の後に、該液状樹脂が塗布されたワークの露出面側から該撮像手段を用いてワークの内部又は非露出面に形成された被検出対象を検出する検出工程と、を含む検出方法。
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