JPH09107088A - 交差領域補助誘電体層を含む固体アレイ装置 - Google Patents
交差領域補助誘電体層を含む固体アレイ装置Info
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- JPH09107088A JPH09107088A JP8158726A JP15872696A JPH09107088A JP H09107088 A JPH09107088 A JP H09107088A JP 8158726 A JP8158726 A JP 8158726A JP 15872696 A JP15872696 A JP 15872696A JP H09107088 A JPH09107088 A JP H09107088A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アドレス線の容量を低減してノイズを少なく
した固体アレイ装置を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴスイッチング・トランジスタ１３
０を有する複数の画素１１０と、複数の第１のアドレス
線１４０と、マトリックスを構成するように第１のアド
レス線に対してほぼ直交するようにそれぞれ配設され、
それぞれの交差領域１６０において第１のアドレス線の
それぞれの上に延在している複数の第２の導電性アドレ
ス線１５０と、画素のＴＦＴの各々のチャンネル領域１
３４に配設されるともとに、第１のアドレス線の上に配
設されているＴＦＴゲート誘電体層１３６と、第１およ
び第２のアドレス線の間の交差領域に配設されている
が、ＴＦＴチャンネル領域の上には延在しないように配
設されている交差領域補助誘電体層１７０とを有する。
した固体アレイ装置を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴスイッチング・トランジスタ１３
０を有する複数の画素１１０と、複数の第１のアドレス
線１４０と、マトリックスを構成するように第１のアド
レス線に対してほぼ直交するようにそれぞれ配設され、
それぞれの交差領域１６０において第１のアドレス線の
それぞれの上に延在している複数の第２の導電性アドレ
ス線１５０と、画素のＴＦＴの各々のチャンネル領域１
３４に配設されるともとに、第１のアドレス線の上に配
設されているＴＦＴゲート誘電体層１３６と、第１およ
び第２のアドレス線の間の交差領域に配設されている
が、ＴＦＴチャンネル領域の上には延在しないように配
設されている交差領域補助誘電体層１７０とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に面積の大きな固
体イメージング装置に関し、特に面積の大きなイメージ
ング装置用のアドレス線交差構造に関する。
体イメージング装置に関し、特に面積の大きなイメージ
ング装置用のアドレス線交差構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体イメージング装置は、入射放射線の
検出に使用される。このようなイメージング装置は典型
的には多数の画素のアレイ（ａｒｒａｙ）を有し、各画
素を電気的にアクセスするために行および列のアドレス
線のマトリックスが付設されている。各画素は薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）のようなスイッチング・トランジス
タと光センサとを有し、該薄膜トランジスタのゲートは
スキャン線に結合され、ソース（またはドレイン）はデ
ータ線に結合されている。これらのアドレス線はそれぞ
れの画素の光センサから信号を読み取るために使用され
る。
検出に使用される。このようなイメージング装置は典型
的には多数の画素のアレイ（ａｒｒａｙ）を有し、各画
素を電気的にアクセスするために行および列のアドレス
線のマトリックスが付設されている。各画素は薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）のようなスイッチング・トランジス
タと光センサとを有し、該薄膜トランジスタのゲートは
スキャン線に結合され、ソース（またはドレイン）はデ
ータ線に結合されている。これらのアドレス線はそれぞ
れの画素の光センサから信号を読み取るために使用され
る。
【０００３】イメージング装置の種々の構成要素は、完
成した構造内で各構成要素がサンドイッチ状になるよう
に基板上に層状に形成されている。例えば、スキャン線
およびデータ線はマトリックス構造に配設されて、デー
タ線がアレイの各画素の交差点においてスキャン線の上
に重なるっている。スキャン線とデータ線との間の短絡
のようなアレイの欠陥は、通常交差領域に現れる。この
ような欠陥は、特に医療診断イメージングに使用される
ような高性能イメージング装置においてイメージング性
能を著しく劣化させる。
成した構造内で各構成要素がサンドイッチ状になるよう
に基板上に層状に形成されている。例えば、スキャン線
およびデータ線はマトリックス構造に配設されて、デー
タ線がアレイの各画素の交差点においてスキャン線の上
に重なるっている。スキャン線とデータ線との間の短絡
のようなアレイの欠陥は、通常交差領域に現れる。この
ような欠陥は、特に医療診断イメージングに使用される
ような高性能イメージング装置においてイメージング性
能を著しく劣化させる。
【０００４】典型的には、ＴＦＴゲート誘電体材料が、
交差点のスキャン線とアドレス線との間に配設されるよ
うにアレイ上に設けられている。このような単層の誘電
体は劣化を受けやすく、劣化により交差領域のスキャン
線とデータ線との間に導電路を形成して、これらのアド
レス線を短絡し、アレイの性能を劣化させることがあ
る。典型的には、別の誘電体材料がアレイ上に設けら
れ、この誘電体は、アレイのＴＦＴチャンネル領域およ
びスキャン線の領域全体の上に配設されている（例え
ば、スキャン線およびゲート電極導電性材料の酸化によ
って形成される）。この構成は、ＴＦＴチャンネル領域
の静電容量が低減するためにＴＦＴ性能を劣化させる
（従って、イメージング装置のアレイにおけるノイズを
増大させる）。
交差点のスキャン線とアドレス線との間に配設されるよ
うにアレイ上に設けられている。このような単層の誘電
体は劣化を受けやすく、劣化により交差領域のスキャン
線とデータ線との間に導電路を形成して、これらのアド
レス線を短絡し、アレイの性能を劣化させることがあ
る。典型的には、別の誘電体材料がアレイ上に設けら
れ、この誘電体は、アレイのＴＦＴチャンネル領域およ
びスキャン線の領域全体の上に配設されている（例え
ば、スキャン線およびゲート電極導電性材料の酸化によ
って形成される）。この構成は、ＴＦＴチャンネル領域
の静電容量が低減するためにＴＦＴ性能を劣化させる
（従って、イメージング装置のアレイにおけるノイズを
増大させる）。
【０００５】
【発明の概要】本発明によれば、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）の性能を維持しながら、アレイ内の交差領域にお
けるアドレス線相互間（データ線とスキャン線との間）
に強健な誘電体構造を設け、更にデータ線の静電容量を
低減して、アレイにおけるノイズを低減した、イメージ
ング装置または表示装置のような固体アレイ構造が提供
される。
ＦＴ）の性能を維持しながら、アレイ内の交差領域にお
けるアドレス線相互間（データ線とスキャン線との間）
に強健な誘電体構造を設け、更にデータ線の静電容量を
低減して、アレイにおけるノイズを低減した、イメージ
ング装置または表示装置のような固体アレイ構造が提供
される。
【０００６】本発明による固体アレイ装置は、それぞれ
の関連するＴＦＴスイッチング・トランジスタを有する
複数の画素と、当該アレイ装置の第１の層に配設された
複数の第１のアドレス線と、当該アレイ装置の第２の層
に配設された複数の第２の導電性アドレス線であって、
該第２のアドレス線のそれぞれはマトリックスを構成す
るように前記第１のアドレス線のそれぞれに対してほぼ
直交して配設されて、それぞれの交差領域において該第
２のアドレス線のそれぞれが前記第１のアドレス線のそ
れぞれの上に重なっている複数の第２のアドレス線と、
各画素のＴＦＴのチャンネル領域に配設され、更に前記
第１のアドレス線の上に配設されているＴＦＴゲート誘
電体層と、前記第１および第２のアドレス線の間のそれ
ぞれの交差領域に配設されているが、ＴＦＴチャンネル
領域の上には延在しないように配設されている交差領域
補助誘電体層とを有する。
の関連するＴＦＴスイッチング・トランジスタを有する
複数の画素と、当該アレイ装置の第１の層に配設された
複数の第１のアドレス線と、当該アレイ装置の第２の層
に配設された複数の第２の導電性アドレス線であって、
該第２のアドレス線のそれぞれはマトリックスを構成す
るように前記第１のアドレス線のそれぞれに対してほぼ
直交して配設されて、それぞれの交差領域において該第
２のアドレス線のそれぞれが前記第１のアドレス線のそ
れぞれの上に重なっている複数の第２のアドレス線と、
各画素のＴＦＴのチャンネル領域に配設され、更に前記
第１のアドレス線の上に配設されているＴＦＴゲート誘
電体層と、前記第１および第２のアドレス線の間のそれ
ぞれの交差領域に配設されているが、ＴＦＴチャンネル
領域の上には延在しないように配設されている交差領域
補助誘電体層とを有する。
【０００７】本発明の新規な特徴は特に特許請求の範囲
に記載されている。しかしながら、本発明自身ならびに
その他の目的および利点は、構成および動作の方法につ
いての添付図面を参照した以下の説明からより良く理解
することができよう。図面においては同じ符号は全図を
通じて同じ構成要素を表している。
に記載されている。しかしながら、本発明自身ならびに
その他の目的および利点は、構成および動作の方法につ
いての添付図面を参照した以下の説明からより良く理解
することができよう。図面においては同じ符号は全図を
通じて同じ構成要素を表している。
【０００８】
【発明の詳しい説明】Ｘ線などのような電磁放射線を検
出する放射線イメージング装置や液晶装置よりなる表示
装置などの固体アレイ装置１００は、図１に示すよう
に、複数の画素１１０（図１に１画素の代表的な部分が
示されている）、ならびに画素１１０のそれぞれに結合
されている複数の第１のアドレス線１４０および複数の
第２のアドレス線１５０を有する。一例として、限定と
してではなく、本発明はこのような装置に関する命名法
を使用して放射線イメージング装置について説明する。
勿論、本発明は表示装置に使用されるアレイ構造にも同
様に適用可能である。典型的なイメージング装置では、
各画素１１０はそれぞれ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）な
どのようなスイッチング・トランジスタ１３０および光
センサ１２０を有する。イメージング装置では、第１の
アドレス線１４０は典型的には「スキャン線」と称さ
れ、スイッチング・トランジスタ（以下、ＴＦＴと記
す）１３０のゲート１３２に結合されている。これらの
アドレス線（スキャン線）上の信号はＴＦＴを導通また
は非導通状態にするために使用される。第２のアドレス
線１５０は典型的には「データ線」と称され、ＴＦＴ１
３０のそれぞれのドレインに結合されている。ＴＦＴ１
３０のソースは光センサ１２０に結合されている（ここ
にＴＦＴ１３０に対して使用されるように、トランジス
タのソースおよびドレインの両方は電気的結合のために
使用され、ソースとドレインの特定の用語は入れ替えて
もよい）。スキャン線（１４０）およびデータ線（１５
０）はマトリックスの構成で互いにほぼ直交するように
アレイ内に配設され、データ線（１５０）は交差領域１
６０において各画素のスキャン線の上に重なる。
出する放射線イメージング装置や液晶装置よりなる表示
装置などの固体アレイ装置１００は、図１に示すよう
に、複数の画素１１０（図１に１画素の代表的な部分が
示されている）、ならびに画素１１０のそれぞれに結合
されている複数の第１のアドレス線１４０および複数の
第２のアドレス線１５０を有する。一例として、限定と
してではなく、本発明はこのような装置に関する命名法
を使用して放射線イメージング装置について説明する。
勿論、本発明は表示装置に使用されるアレイ構造にも同
様に適用可能である。典型的なイメージング装置では、
各画素１１０はそれぞれ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）な
どのようなスイッチング・トランジスタ１３０および光
センサ１２０を有する。イメージング装置では、第１の
アドレス線１４０は典型的には「スキャン線」と称さ
れ、スイッチング・トランジスタ（以下、ＴＦＴと記
す）１３０のゲート１３２に結合されている。これらの
アドレス線（スキャン線）上の信号はＴＦＴを導通また
は非導通状態にするために使用される。第２のアドレス
線１５０は典型的には「データ線」と称され、ＴＦＴ１
３０のそれぞれのドレインに結合されている。ＴＦＴ１
３０のソースは光センサ１２０に結合されている（ここ
にＴＦＴ１３０に対して使用されるように、トランジス
タのソースおよびドレインの両方は電気的結合のために
使用され、ソースとドレインの特定の用語は入れ替えて
もよい）。スキャン線（１４０）およびデータ線（１５
０）はマトリックスの構成で互いにほぼ直交するように
アレイ内に配設され、データ線（１５０）は交差領域１
６０において各画素のスキャン線の上に重なる。
【０００９】本発明によれば、イメージング装置（１０
０）は更に、交差領域１６０においてスキャン線（１４
０）とデータ線（１５０）との間に配設された交差領域
補助誘電体層１７０を有する。図２に交差領域１６０の
断面図で示すように、スキャン線（１４０）はガラスな
どからなる基板１０５上に配設されている。スキャン線
（１４０）は典型的にはアルミニウム、チタニウム、モ
リブデンなどのような導電性材料で構成され、約０．１
μｍと１μｍとの間の範囲の厚さを有する。
０）は更に、交差領域１６０においてスキャン線（１４
０）とデータ線（１５０）との間に配設された交差領域
補助誘電体層１７０を有する。図２に交差領域１６０の
断面図で示すように、スキャン線（１４０）はガラスな
どからなる基板１０５上に配設されている。スキャン線
（１４０）は典型的にはアルミニウム、チタニウム、モ
リブデンなどのような導電性材料で構成され、約０．１
μｍと１μｍとの間の範囲の厚さを有する。
【００１０】典型的な補助誘電体層１７０はスキャン線
（１４０）上に直接配設され、ゲート誘電体層１３６が
誘電体層１７０上に配設される。この代わりに、ゲート
誘電体層１３６がスキャン線（１４０）上に直接配設さ
れ、補助誘電体層１７０がゲート誘電体層上に配設され
る（すなわち、アレイの構造および製造技術に応じて、
誘電体層１７０をスキャン線（１４０）上に直接配設し
てもよいし、或いはこの代わりに、ＴＦＴサンドイッチ
構造の半導体（例えば、シリコン）または導電性材料
（例えば、ドープしたシリコン）の部分をスキャン線と
誘電体層１７０との間に配設することができる）。ゲー
ト誘電体層１３６は交差領域１６０およびＴＦＴ１３０
のチャンネル領域１３４の上に延在し（チャンネル領域
はゲート電極１３２の上の領域を含んでいる）、典型的
にはスキャン線（１４０）を他のアレイ構成要素から電
気絶縁するようにアレイを横切って配設されている。ゲ
ート誘電体層は典型的には約０．１μｍと０．５μｍの
間の範囲の厚さを有し、シリコン酸化物、シリコン窒化
物またはシリコンオキシニトリドのような無機誘電体材
料で構成されるが、代わりにポリイミドまたは同様なポ
リマで構成してもよい。交差領域１６０においては、デ
ータ線（１５０）はゲート誘電体層１３６の上に配設さ
れる。図１に示すようなある構成では、データ線（１５
０）は半導体層１３８上に配設される。この半導体層１
３８は典型的にはＴＦＴ１３０の形成において堆積され
たアモリファスシリコンで形成される。半導体層１３８
は典型的には約０．０５μｍと０．５μｍの間の範囲の
厚さを有する。導体、半導体および誘電体材料（例え
ば、シリコン上に配設され、ｎ＋型にドープされたシリ
コン）からなる（本発明に関係ない）別の層がイメージ
ング装置のアレイの形成において配設されるが、図の簡
単化のために示していない。
（１４０）上に直接配設され、ゲート誘電体層１３６が
誘電体層１７０上に配設される。この代わりに、ゲート
誘電体層１３６がスキャン線（１４０）上に直接配設さ
れ、補助誘電体層１７０がゲート誘電体層上に配設され
る（すなわち、アレイの構造および製造技術に応じて、
誘電体層１７０をスキャン線（１４０）上に直接配設し
てもよいし、或いはこの代わりに、ＴＦＴサンドイッチ
構造の半導体（例えば、シリコン）または導電性材料
（例えば、ドープしたシリコン）の部分をスキャン線と
誘電体層１７０との間に配設することができる）。ゲー
ト誘電体層１３６は交差領域１６０およびＴＦＴ１３０
のチャンネル領域１３４の上に延在し（チャンネル領域
はゲート電極１３２の上の領域を含んでいる）、典型的
にはスキャン線（１４０）を他のアレイ構成要素から電
気絶縁するようにアレイを横切って配設されている。ゲ
ート誘電体層は典型的には約０．１μｍと０．５μｍの
間の範囲の厚さを有し、シリコン酸化物、シリコン窒化
物またはシリコンオキシニトリドのような無機誘電体材
料で構成されるが、代わりにポリイミドまたは同様なポ
リマで構成してもよい。交差領域１６０においては、デ
ータ線（１５０）はゲート誘電体層１３６の上に配設さ
れる。図１に示すようなある構成では、データ線（１５
０）は半導体層１３８上に配設される。この半導体層１
３８は典型的にはＴＦＴ１３０の形成において堆積され
たアモリファスシリコンで形成される。半導体層１３８
は典型的には約０．０５μｍと０．５μｍの間の範囲の
厚さを有する。導体、半導体および誘電体材料（例え
ば、シリコン上に配設され、ｎ＋型にドープされたシリ
コン）からなる（本発明に関係ない）別の層がイメージ
ング装置のアレイの形成において配設されるが、図の簡
単化のために示していない。
【００１１】補助誘電体層１７０は、交差領域１６０に
おいてスキャン線（１４０）上に配設され、例えばシリ
コン酸化物、シリコン窒化物などの無機誘電体、または
例えばポリイミドのようなポリマ材料の有機誘電体、ま
たはそれらの組み合わせのような電気的絶縁材料で構成
される。シリコン酸化物およびシリコン窒化物のような
無機誘電体材料は現在のアレイ製造技術と両立し得るプ
ラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）法で容易に堆積され
る（例えば、ＴＦＴの場合にはアドレス線および光セン
サ）。また、ポリイミドのような有機誘電体材料は製造
処理の段階において容易に引き延ばされて硬化させられ
る。これは、補助誘電体層を形成するアレイ製造処理の
段階において、約３００゜Ｃの硬化温度がアレイに対し
て悪影響を与えないからである。補助誘電体層１７０の
厚さは、無機誘電体材料の場合には約０．１μｍと１μ
ｍの間の範囲にあり、有機誘電体材料の場合には数ミク
ロンまでの厚さである。
おいてスキャン線（１４０）上に配設され、例えばシリ
コン酸化物、シリコン窒化物などの無機誘電体、または
例えばポリイミドのようなポリマ材料の有機誘電体、ま
たはそれらの組み合わせのような電気的絶縁材料で構成
される。シリコン酸化物およびシリコン窒化物のような
無機誘電体材料は現在のアレイ製造技術と両立し得るプ
ラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）法で容易に堆積され
る（例えば、ＴＦＴの場合にはアドレス線および光セン
サ）。また、ポリイミドのような有機誘電体材料は製造
処理の段階において容易に引き延ばされて硬化させられ
る。これは、補助誘電体層を形成するアレイ製造処理の
段階において、約３００゜Ｃの硬化温度がアレイに対し
て悪影響を与えないからである。補助誘電体層１７０の
厚さは、無機誘電体材料の場合には約０．１μｍと１μ
ｍの間の範囲にあり、有機誘電体材料の場合には数ミク
ロンまでの厚さである。
【００１２】補助誘電体層１７０の横方向の範囲（また
は境界）は、典型的には直接的な交差領域（すなわち、
スキャン線（１４０）とデータ線（１５０）とのオーバ
ーラップ領域）を越えて延在し、この結果、補助誘電体
層は交差領域１６０上に中心があるアイランド構造を形
成し、図１に示すように、スキャン線（１４０）または
データ線（１５０）の横方向の範囲を超えて約３μｍま
で（片側；すなわち幅方向に両側に全体で６μｍ）延在
している（図３では、データ線（１５０）の下にある補
助誘電体層の部分は点線の斜線で示されている）。補助
誘電体層１７０のアイランド構造はＴＦＴ１３０のチャ
ンネル領域１３４の中へは延在していない。この構造
は、チャンネル領域の誘電体の厚さがゲート誘電体層の
厚さよりも大きくないために、ＴＦＴおよびアレイの動
作を向上させる。ゲート誘電体層の厚さを超える付加的
な誘電体の厚さは、画素の許容可能な過渡応答を達成す
るためにＴＦＴの大きさを増大することを必要とすると
いう影響を有する。大きさがより大きいＴＦＴの欠点は
アレイにおけるノイズを増大し、大きさがより小さいＴ
ＦＴよりもより高い駆動電圧を必要とする。その両方と
もアレイの性能を劣化させる。
は境界）は、典型的には直接的な交差領域（すなわち、
スキャン線（１４０）とデータ線（１５０）とのオーバ
ーラップ領域）を越えて延在し、この結果、補助誘電体
層は交差領域１６０上に中心があるアイランド構造を形
成し、図１に示すように、スキャン線（１４０）または
データ線（１５０）の横方向の範囲を超えて約３μｍま
で（片側；すなわち幅方向に両側に全体で６μｍ）延在
している（図３では、データ線（１５０）の下にある補
助誘電体層の部分は点線の斜線で示されている）。補助
誘電体層１７０のアイランド構造はＴＦＴ１３０のチャ
ンネル領域１３４の中へは延在していない。この構造
は、チャンネル領域の誘電体の厚さがゲート誘電体層の
厚さよりも大きくないために、ＴＦＴおよびアレイの動
作を向上させる。ゲート誘電体層の厚さを超える付加的
な誘電体の厚さは、画素の許容可能な過渡応答を達成す
るためにＴＦＴの大きさを増大することを必要とすると
いう影響を有する。大きさがより大きいＴＦＴの欠点は
アレイにおけるノイズを増大し、大きさがより小さいＴ
ＦＴよりもより高い駆動電圧を必要とする。その両方と
もアレイの性能を劣化させる。
【００１３】別の実施例においては、交差領域の補助誘
電体層１７０は図４に示すように第１の層部１７２およ
び第２の層部１７４を有する。この構成において、第２
の層部１７４は上述したように有機または無機誘電体材
料で構成されて、スキャン線（１４０）とデータ線（１
５０）との間の交差領域において強健な付加的絶縁保護
を行う。第１の層部１７２は、第２の層部１７４を構成
している誘電体材料のエッチ・ストップ層として作用す
る材料で構成される。エッチ・ストップ層は、補助誘電
体層の第２の層部１７４をパターン形成するためのエッ
チング工程の際にガラス基板１０５のエッチングを最小
にする。ここで使用されている用語「エッチ・ストップ
層」または同様な用語は、その上に延在する第２の層部
１７４の誘電体材料のエッチング速度（例えば、第２の
層部１７４の誘電体材料のエッチング用に本技術分野に
おいて通常または典型的に使用されるエッチング剤を使
用したとき）の２０％より小さいエッチング速度を有す
る材料を意味している。例えば、第２の層部１７４を構
成している無機誘電体材料のシリコン酸化物およびシリ
コン窒化物は通常１０％緩衝ＨＦ溶液でエッチングされ
る。エッチ・ストップ層１７２は、同じエッチング剤で
エッチング速度が約１００オングストローム／分のシリ
コン窒化物またはシリコン酸化物よりも遅い（公称ゼ
ロ）速度でエッチングされるアモルファスシリコンのよ
うな半導体材料で構成するのが有利である。代わりに、
第１の層部のエッチ・ストップ層１７２は特定のエッチ
ング剤でエッチング可能な導電性材料、すなわちエッチ
・ストップ層に対して有効であるが、その下に延在する
スキャン線材料に対しては有効でないエッチング剤でエ
ッチング可能である導電性材料で構成される。したがっ
て、エッチ・ストップ層のエッチングによりスキャン線
材料はエッチングされない。例えば、スキャン線（１４
０）がチタン、モリブデンまたはアルミニウムで構成さ
れる場合においては、クロムが第１の層部のエッチ・ス
トップ層１７２として有効に使用される。第１の層部の
エッチ・ストップ層１７２の厚さは典型的には約１０ｎ
ｍと約２００ｎｍの間の範囲にある。交差領域補助誘電
体層の全体の厚さは０．１μｍと約１μｍの間の範囲に
ある。他の代わりの実施例では、ＴＦＴゲートおよびス
キャン線（１４０）を構成する導電性材料を、補助誘電
体層の堆積前にパターン形成しないでおいて、補助誘電
体のパターン形成の際のエッチ・ストップとして作用さ
せる。この実施例（図示せず）では、ゲートまたはスキ
ャン線材料は補助誘電体層の下に配設される。
電体層１７０は図４に示すように第１の層部１７２およ
び第２の層部１７４を有する。この構成において、第２
の層部１７４は上述したように有機または無機誘電体材
料で構成されて、スキャン線（１４０）とデータ線（１
５０）との間の交差領域において強健な付加的絶縁保護
を行う。第１の層部１７２は、第２の層部１７４を構成
している誘電体材料のエッチ・ストップ層として作用す
る材料で構成される。エッチ・ストップ層は、補助誘電
体層の第２の層部１７４をパターン形成するためのエッ
チング工程の際にガラス基板１０５のエッチングを最小
にする。ここで使用されている用語「エッチ・ストップ
層」または同様な用語は、その上に延在する第２の層部
１７４の誘電体材料のエッチング速度（例えば、第２の
層部１７４の誘電体材料のエッチング用に本技術分野に
おいて通常または典型的に使用されるエッチング剤を使
用したとき）の２０％より小さいエッチング速度を有す
る材料を意味している。例えば、第２の層部１７４を構
成している無機誘電体材料のシリコン酸化物およびシリ
コン窒化物は通常１０％緩衝ＨＦ溶液でエッチングされ
る。エッチ・ストップ層１７２は、同じエッチング剤で
エッチング速度が約１００オングストローム／分のシリ
コン窒化物またはシリコン酸化物よりも遅い（公称ゼ
ロ）速度でエッチングされるアモルファスシリコンのよ
うな半導体材料で構成するのが有利である。代わりに、
第１の層部のエッチ・ストップ層１７２は特定のエッチ
ング剤でエッチング可能な導電性材料、すなわちエッチ
・ストップ層に対して有効であるが、その下に延在する
スキャン線材料に対しては有効でないエッチング剤でエ
ッチング可能である導電性材料で構成される。したがっ
て、エッチ・ストップ層のエッチングによりスキャン線
材料はエッチングされない。例えば、スキャン線（１４
０）がチタン、モリブデンまたはアルミニウムで構成さ
れる場合においては、クロムが第１の層部のエッチ・ス
トップ層１７２として有効に使用される。第１の層部の
エッチ・ストップ層１７２の厚さは典型的には約１０ｎ
ｍと約２００ｎｍの間の範囲にある。交差領域補助誘電
体層の全体の厚さは０．１μｍと約１μｍの間の範囲に
ある。他の代わりの実施例では、ＴＦＴゲートおよびス
キャン線（１４０）を構成する導電性材料を、補助誘電
体層の堆積前にパターン形成しないでおいて、補助誘電
体のパターン形成の際のエッチ・ストップとして作用さ
せる。この実施例（図示せず）では、ゲートまたはスキ
ャン線材料は補助誘電体層の下に配設される。
【００１４】更に別の実施例では、交差領域補助誘電体
層１７０は交差領域１６０に配設されるとともに、更に
図３に示すようにデータ線（１５０）の下にも配設され
ている。上述したように、補助誘電体層１７０はＴＦＴ
１３０のチャンネル領域１３４の中まで延在していな
い。この実施例の１つの利点は、補助誘電体層がデータ
線の長さに沿って配設されているので、データ線の導電
性材料はその長さに沿って段部（データ線がその下に存
在する構成要素の上を通過する場合の高さの変化）が少
なくなり、アレイの製造においてデータ線の欠陥（また
は破損）の発生がよく少なく、従ってこの構造により歩
どまりが高くなるということである。
層１７０は交差領域１６０に配設されるとともに、更に
図３に示すようにデータ線（１５０）の下にも配設され
ている。上述したように、補助誘電体層１７０はＴＦＴ
１３０のチャンネル領域１３４の中まで延在していな
い。この実施例の１つの利点は、補助誘電体層がデータ
線の長さに沿って配設されているので、データ線の導電
性材料はその長さに沿って段部（データ線がその下に存
在する構成要素の上を通過する場合の高さの変化）が少
なくなり、アレイの製造においてデータ線の欠陥（また
は破損）の発生がよく少なく、従ってこの構造により歩
どまりが高くなるということである。
【００１５】このように本発明は、交差領域１６０にお
いて第１のアドレス線１４０（スキャン線）と第２のア
ドレス線１５０（データ線）との間に配設されて、交差
するアドレス線相互間の電気的短絡の可能性を低減する
強健な誘電体構造を提供している。更に、この構造は、
ＴＦＴ特性を劣化させないようにパターン形成されてお
り、ＴＦＴのチャンネル領域まで延在していない。本発
明の構造はより大きな面積の誘電体構造に対して有利で
あり、これは第１のアドレス線の導電性材料の上部を酸
化させて、（ゲート誘電体層に加えて）別の誘電体構造
を形成することにより得られる。これはこのような広い
面積の酸化処理により必ずＴＦＴのゲート電極を構成す
る第１のアドレス線材料の部分が酸化するためである。
本発明の構造は更に、大きな面積（例えば、約１００ｃ
ｍ2 以上）のイメージング装置におけるノイズに大きく
寄与するデータ線の静電容量を低減する。このように静
電容量を低減することにより、交差領域１６０における
データ線とスキャン線との間の分離を増大させる（例え
ば、増大した分離は補助誘電体層１７０の厚さに対応す
る）。例えば、約４０，０００μｍ2 の画素面積を有す
るイメージング装置において、約１μｍの厚さを有する
交差領域補助誘電体層１７０を設けたことにより、補助
誘電体層のない同等のアレイ構造と比べてスキャン線と
データ線との間の静電容量を約２０％低減したアレイが
得られる。
いて第１のアドレス線１４０（スキャン線）と第２のア
ドレス線１５０（データ線）との間に配設されて、交差
するアドレス線相互間の電気的短絡の可能性を低減する
強健な誘電体構造を提供している。更に、この構造は、
ＴＦＴ特性を劣化させないようにパターン形成されてお
り、ＴＦＴのチャンネル領域まで延在していない。本発
明の構造はより大きな面積の誘電体構造に対して有利で
あり、これは第１のアドレス線の導電性材料の上部を酸
化させて、（ゲート誘電体層に加えて）別の誘電体構造
を形成することにより得られる。これはこのような広い
面積の酸化処理により必ずＴＦＴのゲート電極を構成す
る第１のアドレス線材料の部分が酸化するためである。
本発明の構造は更に、大きな面積（例えば、約１００ｃ
ｍ2 以上）のイメージング装置におけるノイズに大きく
寄与するデータ線の静電容量を低減する。このように静
電容量を低減することにより、交差領域１６０における
データ線とスキャン線との間の分離を増大させる（例え
ば、増大した分離は補助誘電体層１７０の厚さに対応す
る）。例えば、約４０，０００μｍ2 の画素面積を有す
るイメージング装置において、約１μｍの厚さを有する
交差領域補助誘電体層１７０を設けたことにより、補助
誘電体層のない同等のアレイ構造と比べてスキャン線と
データ線との間の静電容量を約２０％低減したアレイが
得られる。
【００１６】本発明について実施例を示し説明したが、
本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく、開
示した実施例に対して変更および変形を行うことができ
ることは当業者に明らかなことであろう。従って、特許
請求の範囲は本発明の真の精神内に入るこのようなすべ
ての変更および変形を含むものであることを理解された
い。
本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく、開
示した実施例に対して変更および変形を行うことができ
ることは当業者に明らかなことであろう。従って、特許
請求の範囲は本発明の真の精神内に入るこのようなすべ
ての変更および変形を含むものであることを理解された
い。
【図１】本発明による交差領域を有するアレイの一部の
平面図である。
平面図である。
【図２】図１の線Ｉ−Ｉに沿った交差領域の断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施例によるアレイの一部の平面
図である。
図である。
【図４】図３の線II−IIに沿った交差領域の断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 １０５ 基板 １１０ 画素 １２０ 光センサ １３０ スイッチング・トランジスタ １３２ ゲート １３４ チャンネル領域 １３６ ゲート誘電体層 １３８ 半導体層 １４０ 第１のアドレス線 １５０ 第２のアドレス線 １６０ 交差領域 １７０ 交差領域補助誘電体層 １７２ 第１の層部 １７４ 第２の層部
フロントページの続き (72)発明者 ロジャー・スティーブン・ソールズベリ アメリカ合衆国、ニューヨーク州、ニスカ ユナ、ポータキット・アベニュー、1925番
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に配設された関連するそれぞれの
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を有する複数の画素を含む
固体アレイ装置において、 当該アレイ装置の第１の層に配設された導電性材料で構
成された複数の第１のアドレス線であって、前記画素の
ＴＦＴのそれぞれに結合されている複数の第１のアドレ
ス線と、 当該アレイ装置の第２の層に配設され、前記画素のＴＦ
Ｔのそれぞれに結合されている複数の第２の導電性アド
レス線であって、該第２のアドレス線のそれぞれはマト
リックスを構成するように前記第１のアドレス線のそれ
ぞれに対してほぼ直交して配設されて、それぞれの交差
領域において該第２のアドレス線のそれぞれが前記第１
のアドレス線のそれぞれの上に重なっている複数の第２
のアドレス線と、 前記画素のＴＦＴの各々のチャンネル領域に配設され、
更に前記第１のアドレス線の上で且つ前記第２のアドレ
ス線の下に配設されているＴＦＴゲート誘電体層と、 前記第１および第２のアドレス線の間のそれぞれの交差
領域に配設されているが、前記ＴＦＴのチャンネル領域
の上には延在しないように配設されている交差領域補助
誘電体層とを有する固体アレイ装置。 - 【請求項２】 前記交差領域補助誘電体層が、無機誘電
体材料および有機誘電体材料からなるグループから選択
された誘電体材料で構成されている請求項１記載の固体
アレイ装置。 - 【請求項３】 前記交差領域補助誘電体層が第１の層部
および第２の層部を有し、前記第２の層部が前記有機ま
たは無機誘電体材料で構成され、前記第１の層部がエッ
チ・ストップ層で構成されている請求項２記載の固体ア
レイ装置。 - 【請求項４】 当該固体アレイ装置がＸ線イメージング
装置を構成していて、前記画素の各々が光センサを有
し、前記第１のアドレス線がスキャン線を構成し、前記
第２のアドレス線がデータ線を構成している請求項１記
載の固体アレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/493020 | 1995-06-21 | ||
| US08/493,020 US5631473A (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Solid state array with supplemental dielectric layer crossover structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107088A true JPH09107088A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=23958569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8158726A Withdrawn JPH09107088A (ja) | 1995-06-21 | 1996-06-20 | 交差領域補助誘電体層を含む固体アレイ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5631473A (ja) |
| EP (1) | EP0750350B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09107088A (ja) |
| CA (1) | CA2178389C (ja) |
| DE (1) | DE69637387T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014168061A (ja) * | 2008-12-25 | 2014-09-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2017098585A (ja) * | 1999-06-02 | 2017-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2017208550A (ja) * | 2009-12-11 | 2017-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5994155A (en) * | 1994-01-20 | 1999-11-30 | Goldstar Co., Ltd. | Method of fabricating a thin film transistor liquid crystal display |
| US5777355A (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-07 | General Electric Company | Radiation imager with discontinuous dielectric |
| US6037609A (en) * | 1997-01-17 | 2000-03-14 | General Electric Company | Corrosion resistant imager |
| JP3208658B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2001-09-17 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 電気光学素子の製法 |
| EP0926739A1 (en) | 1997-12-24 | 1999-06-30 | Texas Instruments Incorporated | A structure of and method for forming a mis field effect transistor |
| US6777685B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-08-17 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
| US6559506B1 (en) | 2002-04-03 | 2003-05-06 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
| US6740884B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-05-25 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
| TWI228782B (en) * | 2004-01-19 | 2005-03-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | Method of fabricating display panel |
| KR101090253B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| KR20060109343A (ko) * | 2005-04-15 | 2006-10-19 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전자 회로, 그 구동 방법, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 |
| JP4395659B2 (ja) | 2005-12-20 | 2010-01-13 | 株式会社フューチャービジョン | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JP4297505B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2009-07-15 | 株式会社フューチャービジョン | 液晶表示装置 |
| US20130083279A1 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device |
| KR101960813B1 (ko) * | 2011-10-31 | 2019-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
| GB2498072B (en) * | 2011-12-21 | 2015-03-18 | Lg Display Co Ltd | Display device and method for manufacturing of the same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5365079A (en) * | 1982-04-30 | 1994-11-15 | Seiko Epson Corporation | Thin film transistor and display device including same |
| JPS60261174A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-24 | Nippon Soken Inc | マトリツクスアレ− |
| US4688896A (en) * | 1985-03-04 | 1987-08-25 | General Electric Company | Information conversion device with auxiliary address lines for enhancing manufacturing yield |
| FR2585167B1 (fr) * | 1985-07-19 | 1993-05-07 | Gen Electric | Structures conductrices redondantes pour affichages a cristaux liquides commandes par des transistors a effet de champ en couche mince |
| JP2740813B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1998-04-15 | セイコープレシジョン株式会社 | 非晶質シリコン薄膜トランジシタアレイ基板 |
| US5062690A (en) * | 1989-06-30 | 1991-11-05 | General Electric Company | Liquid crystal display with redundant FETS and redundant crossovers connected by laser-fusible links |
| US5303074A (en) * | 1991-04-29 | 1994-04-12 | General Electric Company | Embedded repair lines for thin film electronic display or imager devices |
| EP0523784A1 (en) * | 1991-07-15 | 1993-01-20 | Philips Electronics Uk Limited | An image detector and a method of manufacturing such an image detector |
| US5486939A (en) * | 1994-04-28 | 1996-01-23 | Xerox Corporation | Thin-film structure with insulating and smoothing layers between crossing conductive lines |
-
1995
- 1995-06-21 US US08/493,020 patent/US5631473A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-06 CA CA002178389A patent/CA2178389C/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-13 EP EP96304426A patent/EP0750350B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-13 DE DE69637387T patent/DE69637387T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-20 JP JP8158726A patent/JPH09107088A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017098585A (ja) * | 1999-06-02 | 2017-06-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2014168061A (ja) * | 2008-12-25 | 2014-09-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2015222827A (ja) * | 2008-12-25 | 2015-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9768280B2 (en) | 2008-12-25 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10483290B2 (en) | 2008-12-25 | 2019-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10720451B2 (en) | 2008-12-25 | 2020-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US11158654B2 (en) | 2008-12-25 | 2021-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US11996416B2 (en) | 2008-12-25 | 2024-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2017208550A (ja) * | 2009-12-11 | 2017-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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