DE69637387T2 - Festkörper-Pixelmatrix mit zusätzlicher Kreuzungsstruktur - Google Patents

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Description

  • Die Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf großflächige Festkörper-Bildgebungseinrichtungen und insbesondere auf Adressleitungskreuzungsstrukturen für großflächige Bildgebungseinrichtungen.
  • Festkörper-Bildgebungseinrichtungen können für die Erfassung einfallender Strahlung verwendet werden. Derartige Bildgebungseinrichtungen umfassen typischerweise ein Array von Pixeln mit einer zugehörigen Matrix aus Zeilen und Spalten von Adressleitungen für den elektrischen Zugang zu jedem Pixel. Zu jedem Pixel gehören ein lichtempfindlicher Sensor und ein Schalttransistor, wie beispielsweise ein Dünnschichttransistor (thin-film transistor, TFT), dessen Gate-Anschluss an eine Abtastleitung gekoppelt ist und dessen Source-Anschluss (oder alternativ dessen Drain-Anschluss) an eine Datenleitung gekoppelt ist. Diese Adressleitungen werden benutzt, um das von den lichtempfindlichen Sensoren der jeweiligen Pixel kommende Signal auszulesen.
  • Die verschiedenen Komponenten in einer Bildgebungseinrichtung sind derart in Schichten auf einem Substrat ausgebildet, dass die Komponenten in der fertigen Struktur in Sandwichbauweise angeordnet sind. Beispielsweise sind die Abtastleitungen und die Datenleitungen derart in einer Matrixstruktur angeordnet, dass die Datenleitungen die Abtastleitungen an Kreuzungspunkten in jedem Pixel des Arrays überlagern. Defekte in dem Array, wie beispielsweise Kurzschlüsse zwischen Abtastleitungen und Datenleitungen, erscheinen im Allgemeinen in Kreuzungsbereichen. Derartige Defekte können die Leistung der Bildgebungseinrichtung ernsthaft herabsetzen, insbesondere bei Hochleistungsbild gebungseinrichtungen, wie sie beispielsweise in der bildgebenden medizinischen Diagnostik Verwendung finden.
  • Typischerweise ist das dielektrische Material des TFT-Gate-Anschlusses so über dem Array angeordnet, dass es an Kreuzungspunkten zwischen den Abtastleitungen und den Adressleitungen angeordnet ist. Derartige Einzelschicht-Dielektrika unterliegen einer Degradierung, die zu einem leitenden Pfad zwischen den Abtastleitungen und den Datenleitungen in dem Kreuzungsbereich führen kann und dabei die Adressleitungen kurzschließt und die Leistung des Arrays herabsetzt. Typischerweise ist zusätzliches auf dem Array angeordnetes dielektrisches Material über den gesamten Bereich der Abtastleitungen und der TFT-Kanalbereiche des Arrays (beispielsweise durch Oxidation des leitenden Materials der Abtastleitung und des Gate-Anschlusses ausgebildet) angeordnet; diese Anordnung führt aufgrund einer verminderten Kapazität in dem TFT-Kanal-Bereich zu einer schlechteren TFT-Leistung (und somit zu erhöhtem Rauschen in dem Array der Bildgebungseinrichtung).
  • In der Schrift US 5,365,079 ist eine Dünnschichttransistoreinrichtung mit einer Vielzahl von Adressleitungen offenbart.
  • Eine Festkörper-Array–Einrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist in Anspruch 1 offenbart. Weitere vorteilhafte Eigenschaften sind in den abhängigen Ansprüchen 2 bis 8 beschrieben.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Die als neu angesehenen Eigenschaften der Erfindung sind im Besonderen in den im Anhang aufgeführten Ansprüchen niedergelegt. Die Erfindung selbst kann jedoch sowohl in Bezug auf ihre Struktur als auch auf ihre Funktionsweise, einschließlich weiterer Aufgaben und Vorteile derselben, am besten durch Bezugnahme auf die nachfolgende Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen verstanden werden, in denen gleiche Zeichen gleiche Teile in den Zeichnungen darstellen. Es zeigen:
  • 1(A) zeigt einen Abschnitt eines Arrays mit einem Kreuzungsbereich gemäß der vorliegenden Erfindung in Draufsicht.
  • 1(B) zeigt den Kreuzungsbereich in einer Schnittansicht entlang Linie I-I von 1(A).
  • 2(A) zeigt einen Abschnitt eines Arrays nach einer weiteren Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung in Draufsicht.
  • 2(B) zeigt den Kreuzungsbereich in einer Schnittansicht entlang Linie I-I von 2(A).
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Eine Festkörper-Array-Einrichtung 100, wie beispielsweise eine Strahlen-Bildgebungseinrichtung zur Erfassung elektromagnetischer Strahlung, zum Beispiel Röntgenstrahlen oder dergleichen, oder eine Flüssigkristallvorrichtungen umfassende Anzeigevorrichtung umfasst eine Vielzahl von Pixeln 110 (wobei ein repräsentativer Abschnitt eines Pixels in 1(A) veranschaulicht ist) sowie eine Vielzahl von ersten Adressleitungen 140 und eine Vielzahl von zweiten Adressleitungen 150, welche an die jeweiligen Pixel 110 gekoppelt sind, wie in 1(A) veranschaulicht. Die Erfindung wird in Bezug auf eine Strahlen-Bildgebungseinrichtung und unter Verwendung der einer derartigen Einrichtung zugehörigen Nomenklatur beispielhaft beschrieben, ist jedoch nicht darauf beschränkt; die Erfindung kann auf ähnliche Weise für eine in Anzeigevorrichtungen benutzte Array-Struktur verwendet werden. In einer typischen Bildgebungseinrichtung umfasst jedes Pixel 110 einen entsprechenden lichtempfindlichen Sensor 120 und einen Schalttransistor 130, wie beispielsweise einen Dünnschichttransistor (thinfilm transistor, TFT) oder dergleichen. In der Bildgebungseinrichtung 100 werden erste Adressleitungen 140 typischerweise als Abtastleitungen bezeichnet, welche an einen Gate-Anschluss 132 des TFT 130 gekoppelt sind; mit Hilfe von Signalen auf diesen Leitungen wird bewirkt, dass der TFT leitend oder nichtleitend wird. Zweite Adressleitungen 150 werden typischerweise als Datenleitungen bezeichnet, welche an die entsprechenden Drain-Anschlüsse 134 des TFT 130 gekoppelt sind; der Source-Anschluss des TFT 130 ist an einen lichtempfindlichen Sensor 120 gekoppelt (in Bezug auf die Verwendung für den TFT 130 werden sowohl der Source-Anschluss als auch der Drain-Anschluss des Transistors für eine elektrische Kopplung verwendet, wobei die spezifische Nomenklatur des Source- und Drain-Anschlusses austauschbar ist). Die Abtastleitungen 140 und die Datenleitungen 150 sind in dem Array im Wesentlichen derart in einer Matrixanordnung senkrecht zueinander angeordnet, dass die Datenleitungen 150 die Abtastleitungen in einem Kreuzungsbereich 160 bei jedem Pixel überlagern.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst die Bildgebungseinrichtung 100 ferner eine den Kreuzungsbereich ergänzende dielektrische Schicht 170, welche zwischen der Abtastleitung 140 und der Datenleitung 150 in einem Kreuzungsbereich 160 angeordnet ist. Wie in 1(B) veranschaulicht, welche den Kreuzungsbereich 160 in einer Querschnittsansicht zeigt, ist die Abtastleitung 140 auf einem Substrat 105 angeordnet, das Glas oder dergleichen umfasst. Die Abtastleitung 140 umfasst typischerweise ein leitendes Material, wie beispielsweise Aluminium, Titan, Molybdän oder dergleichen, und hat eine Dicke in einem Bereich von etwa 0,1 μm bis 1 μm.
  • Typischerweise ist eine ergänzende dielektrische Schicht 170 direkt auf der Abtastleitung 140 angeordnet, wobei eine am Gate-Anschluss befindliche dielektrische Schicht 136 über der dielektrischen Schicht 170 angeordnet ist; alternativ ist die am Gate-Anschluss befindliche dielektrische Schicht 136 direkt auf der Abtastleitung 140 angeordnet und die ergänzende dielektrische Schicht 170 ist über der am Gate-Anschluss befindlichen dielektrischen Schicht angeordnet (abhängig von der Array-Struktur und den Fertigungsverfahren kann die dielektrische Schicht 170 direkt auf der Abtastleitung 140 angeordnet sein; alternativ können Abschnitte des Halbleiter- (z. B. Silizium) oder Leitermaterials (z. B. dotiertes Silizium) der TFT-Sandwichstruktur zwischen der Abtastleitung und der dielektrischen Schicht 170 angeordnet sein). Die am Gate-Anschluss befindliche dielektrische Schicht 136 erstreckt sich über den Kreuzungsbereich 160 und einen Kanalbereich 134 des TFT 130 (der Kanalbereich umfasst die Fläche über der Gate-Elektrode 132) und ist typischerweise so auf dem Array angeordnet, dass sie die Abtastleitungen 140 von anderen Array-Komponenten elektrisch isoliert. Die am Gate-Anschluss befindliche dielektrische Schicht hat typischerweise eine Dicke in einem Bereich von etwa 0,1 μm bis 0,5 μm und umfasst ein anorganisches dielektrisches Material, wie beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxinitrid, kann aber alternativ auch Polyimid oder ein ähnliches Polymer umfassen. In dem Kreuzungsbereich 160 ist die Datenleitung 150 über der am Gate-Anschluss befindlichen dielektrischen Schicht 136 angeordnet; in manchen Anordnungen, wie beispielsweise in 1(A) veranschaulicht, ist die Datenleitung 150 auf einer Halbleiterschicht 138 angeordnet, welche typischerweise aus bei der Ausbildung des TFT 130 abgeschiedenem amorphen Silizium gebildet ist. Die Dicke der Halbleiterschicht 138 liegt typischerweise in einem Bereich von etwa 0,05 μm bis 0,5 μm. Zusätzliche Schichten (nicht zur vorliegenden Erfindung gehörig) aus leitendem, halbleitendem und dielektrischem Material (z. B. über dem Silizium abgeschiedenes dotiertes Silizium vom n+-Typ) werden bei der Ausbildung des Arrays der Bildgebungseinrichtung abgeschieden, werden jedoch aus Übersichtlichkeitsgründen nicht gezeigt.
  • Die ergänzende dielektrische Schicht 170 ist über der Abtastleitung 140 in dem Kreuzungsbereich 160 angeordnet und umfasst ein elektrisch isolierendes Material, wie beispielsweise ein anorganisches Dielektrikum, zum Beispiel Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder dergleichen, oder alternativ ein organisches Dielektrikum, zum Beispiel ein Polymermaterial, wie beispielsweise Polyimid, oder Kombinationen davon. Anorganische dielektrische Materialien, wie beispielsweise Siliziumoxid und Siliziumnitrid, werden leicht in einem plasmagestützten CVD-Verfahren (PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) abgeschieden, das mit den gegenwärtigen Array-Herstellungsverfahren kompatibel ist (z. B. für TFTs, Adressleitungen und lichtempfindliche Sensoren). Organische dielektrische Materialien, wie beispielsweise Polyimid, werden ebenfalls leicht in diesem Stadium des Herstellungsprozesses aufgeschleudert und ausgehärtet, da die Heiztemperaturen von etwa 300°C in dem Stadium des Array-Herstellungsprozesses, in dem die ergänzende dielektrische Schicht ausgebildet wird, keine nachteilige Auswirkung auf das Array haben. Die Dicke der ergänzenden dielektrischen Schicht 170 liegt bei den anorganischen dielektrischen Materialien in einem Bereich von etwa 0,1 μm bis 1 μm und reicht bei organischen dielektrischen Materialien bis zu einer Dicke von mehreren Mirometern.
  • In einem veranschaulichenden Beispiel, welches nicht Teil der Erfindung ist, erstreckt sich die ergänzende dielektrische Schicht 170 in ihren seitlichen Ausmaßen (oder Grenzen) typischerweise über die unmittelbare Kreuzungsfläche (also die Fläche der Überlappung von Abtastleitung 140 und Datenleitung 150) hinaus, so dass die ergänzende dielektrische Schicht eine mittig auf dem Kreuzungsbereich 160 angeordnete Inselstruktur bildet, welche sich um etwa 3 μm (auf jeder Seite bzw. um insgesamt 6 μm Gesamtunterschied in der Breite) über das seitliche Ausmaß der Abtastleitung 140 oder Datenleitung 150 hinaus erstreckt, wie in 1(A) veranschaulicht (in 1(A) und 2(A) ist der Abschnitt der unter der Datenleitung 150 liegenden ergänzenden dielektrischen Schicht als Phantomzeichnung dargestellt). Die Inselstruktur der ergänzenden dielektrischen Schicht 170 erstreckt sich nicht in einen Kanalbereich 134 des TFT 130; diese Struktur ermöglicht einen verbesserten Betrieb des TFT und des Arrays, weil die Dicke des Dielektrikums in dem Kanalbereich die Dicke der am Gate-Anschluss befindlichen dielektrischen Schicht nicht überschreitet. Eine über die Dicke der am Gate-Anschluss befindlichen dielektrischen Schicht hinausgehende zusätzliche Dicke des Dielektrikums bewirkt, dass die TFT-Größe erhöht werden muss, um ein akzeptables Zeitverhalten des Pixels zu erreichen. Zu den Nachteilen von größeren TFTs gehören ein erhöhtes Rauschen in dem Array und erforderliche Antriebsspannungen, die höher sind als die bei kleineren TFTs; beide Nachteile setzen die Leistung des Arrays herab.
  • Nach einer vorteilhaften Eigenschaft umfasst die in dem Kreuzungsbereich befindliche ergänzende dielektrische Schicht 170 eine erste Ebene 172 und eine zweite Ebene 174, wie in 2(3) veranschaulicht. Bei dieser Anordnung umfasst die zweite Ebene 174 ein organisches oder anorganisches dielektrisches Material, wie oben erläutert, um zwischen den Abtastleitungen 140 und den Datenleitungen 150 den stabilen zusätzlichen Isolationsschutz in dem Kreuzungsbereich bereitzustellen. Die erste Ebene 172 umfasst ein Material, welches als eine Ätzstopschicht für das die zweite Ebene 174 umfassende dielektrische Material dient. Die Ätzstopschicht reduziert jegliches Ätzen des Glassubstrats 105 während der für die Strukturierung der zweiten Ebene 174 der ergänzenden dielektrischen Schicht erforderlichen Ätzarbeiten auf ein Minimum. In diesem Dokument bezeichnet "Ätzstopschicht" oder dergleichen ein Material, dessen Ätzrate weniger als 20% der Ätzrate des darüberliegenden dielektrischen Materials in der zweiten Ebene 174 beträgt (wenn zum Beispiel die in der Technik üblicherweise oder typischerweise gebrauchten Ätzmittel für das Ätzen des dielektrischen Materials der zweiten Ebene 174 Verwendung finden). Beispielsweise werden die in der zweiten Ebene 174 enthaltenen anorganischen dielektrischen Materialien Siliziumoxid und Siliziumnitrid üblicherweise mit einer Lösung aus 10-prozentiger gepufferter HF geätzt; die Ätzstopschicht 172 umfasst vorteilhafterweise ein Halbleitermaterial, wie beispielsweise amorphes Silizium, dessen Ätzrate (Nennwert null) unter der von Siliziumnitrid oder Siliziumoxid liegt, die eine Ätzrate von etwa 100 Å/min in dem gleichen Ätzmittel aufweisen. Die Ätzstopschicht 172 der ersten Ebene umfasst alternativ ein leitendes Material, welches mit einem Ätzmittel geätzt werden kann, das zwar spezifisch für die Ätzstopschicht, aber nicht für das Barunterliegende Material der Abtastleitung ist. Somit würde ein Ätzen der Ätzstopschicht nicht zu einem Ätzen des Materials der Abtastleitung führen. Beispielsweise wird bei Ausgestaltungen, bei denen die Abtastleitungen 140 Titan, Molybdän oder Aluminium umfassen, als Ätzstopschicht 172 der ersten Ebene wirkungsvoll Chrom verwendet. Die Dicke der Ätzstopschicht 172 der ersten Ebene liegt typischerweise in einem Bereich von etwa 10 nm bis etwa 200 nm; die Gesamtdicke der in dem Kreuzungsbereich befindlichen ergänzenden dielektrischen Schicht liegt in einem Bereich von 0,1 μm bis etwa 1 μm. Bei einer weiteren alternativen Ausgestaltung erfolgt die Strukturierung des die TFT-Gate-Anschlüsse und Abtastleitungen 140 umfassenden leitenden Materials erst bei der Abscheidung der ergänzenden dielektrischen Schicht, damit es bei der Strukturierung des ergänzenden Dielektrikums als Ätzstop dienen kann; bei dieser Ausgestaltung (ohne Abbildung) liegt das Material des Gate-Anschlusses oder der Abtastleitung unter der ergänzenden dielektrischen Schicht.
  • Bei einer Ausgestaltung der Erfindung ist die in dem Kreuzungsbereich befindliche ergänzende dielektrische Schicht 170 in dem Kreuzungsbereich 160 und weiter unterhalb der Strecke der Datenleitung 150 angeordnet, wie in 2(A) veranschaulicht. Wie oben angemerkt erstreckt sich die ergänzende dielektrische Schicht 170 nicht in den Kanalbereich 134 des TFT 130 hinein. Ein Vorteil dieser Ausgestaltung besteht darin, dass bei einer Anordnung der ergänzenden dielektrischen Schicht entlang der Strecke der Datenleitung das leitende Material der Datenleitung über ihre Länge weniger Stufen (Höhenänderungen, während die Leitung über darunterliegende Komponenten geführt wird) aufweist und somit bei der Herstellung des Arrays weniger Defekte (oder Brüche) in der Leitung auftreten, so dass die Struktur daher zu einer höheren Ausbeute führt.
  • Die vorliegende Erfindung sieht somit eine stabile dielektrische Struktur vor, welche zwischen ersten Adressleitungen 140 (Abtastleitungen) und zweiten Adressleitungen 150 (Datenleitungen) in Kreuzungsbereichen 160 angeordnet ist und die Wahrscheinlichkeit elektrischer Kurzschlüsse zwischen den kreuzenden Adressleitungen verringert. Die Struktur ist ferner so ausgebildet, dass sie die Eigenschaften des TFT nicht verschlechtert, da sie sich nicht in den Kanalbereich des TFT hinein erstreckt. Die Struktur der vorliegenden Erfindung ist somit gegenüber großflächigen dielektrischen Strukturen von Vorteil, wie sie beispielsweise durch Oxidieren des oberen Abschnitts des leitenden Materials der ersten Adressleitung zum Bereitstellen der zusätzlichen dielektrischen Struktur entstehen (zusätzlich zu der am Gate-Anschluss befindlichen dielektrischen Schicht), weil ein derartiger großflächiger Oxidationsvorgang zwangsläufig eine Oxidation des Abschnittes des Materials für die erste Adressleitung bewirkt, der die Gate-Elektrode des TFT umfasst. Die Struktur der vorliegenden Erfindung verringert ferner die Kapazität der Datenleitung, die zum großen Teil zu dem Rauschen in einer großflächigen Bildgebungseinrichtung (z. B. etwa 100 cm2 oder darüber) beiträgt. Die Folge einer solchen verminderten Kapazität ist die erhöhte Trennung zwischen der Datenleitung und der Abtastleitung in Kreuzungsbereichen 160 (z. B. die der Dicke der ergänzenden dielektrischen Schicht 170 entsprechende erhöhte Trennung). Beispielsweise ermöglichen bei einer Bildgebungseinrichtung mit einer Pixelfläche von etwa 40.000 μm2 im Kreuzungsbereich befindliche ergänzende dielektrische Schichten 170 mit einer Dicke von etwa 1 μm ein Array mit einer im Vergleich zu einer gleichwertigen Array-Struktur ohne ergänzende dielektrische Schichten eine um etwa 20% verringerte Kapazität zwischen den Abtast- und Datenleitungen.

Claims (7)

  1. Festkörper-Array-Einrichtung mit einer Vielzahl von Pixeln mit entsprechenden auf einem Substrat angeordneten zugehörigen Dünnschichttransistoren (thin-film transistor, TFT), wobei die Bildgebungseinrichtung Folgendes umfasst: eine Vielzahl von ersten in einer ersten Schicht der Array-Einrichtung angeordneten Adressleitungen, welche ein leitendes Material umfassen und an die entsprechenden Pixel-TFTs gekoppelt sind, eine Vielzahl von zweiten in einer zweiten Schicht der Array-Einrichtung angeordneten leitenden Adressleitungen, wobei die entsprechenden ersten und zweiten Adressleitungen im Wesentlichen in einer Matrix-Anordnung derart senkrecht zueinander angeordnet sind, dass die entsprechenden zweiten Adressleitungen entsprechende erste Adressleitungen an entsprechenden Kreuzungsbereichen überlagern, wobei die zweiten Adressleitungen ferner an entsprechende Pixel-TFTs gekoppelt sind, eine am TFT-Gate-Anschluss befindliche dielektrische Schicht, welche in einem Kanalbereich jedes Pixel-TFTs und ferner über den ersten Adressleitungen und unter den zweiten Adressleitungen angeordnet ist, eine in dem Kreuzungsbereich befindliche ergänzende dielektrische Schicht, welche in den entsprechenden Kreuzungsbereichen angeordnet ist, sich jedoch nicht über die Kanalbereiche des TFT erstreckt, wobei die in dem Kreuzungsbereich befindliche ergänzende dielektrische Schicht ein aus der Gruppe anorganischer dielektrischer Materialien und organischer dielektrischer Materialien ausgewähltes dielektrisches Material umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass die in dem Kreuzungsbereich befindliche ergänzende dielektrische Schicht so angeordnet ist, dass sie unter dem Kreuzungsbereich zwischen den ersten und den zweiten Adressleitungen liegt, und dass sie ferner derart angeordnet ist, dass sie unter den entsprechenden Strecken der zweiten Adressleitungen liegt.
  2. Array nach Anspruch 1, wobei die anorganischen dielektrischen Materialien Siliziumoxid und Siliziumnitrid umfassen.
  3. Array nach Anspruch 1, wobei die organischen dielektrischen Materialien Polyimide umfassen.
  4. Array nach Anspruch 1, wobei die in dem Kreuzungsbereich befindliche ergänzende dielektrische Schicht ein Kreuzungsbereichsmaterial umfasst, welches sich von dem dielektrischen Material unterscheidet, aus dem die an dem TFT-Gate-Anschluss befindliche dielektrische Schicht besteht.
  5. Array nach Anspruch 1, wobei die in dem Kreuzungsbereich befindliche ergänzende dielektrische Schicht derart angeordnet ist, dass die Breite der ergänzenden dielektrischen Schicht die Breite der darüberliegenden zweiten Adressleitung nicht um mehr als 6 μm überschreitet.
  6. Array nach Anspruch 1, wobei die Dicke der in dem Kreuzungsbereich befindlichen ergänzenden dielektrischen Schicht in einem Bereich von etwa 0,1 μm bis etwa 1 μm liegt.
  7. Array nach Anspruch 1, wobei die in dem Kreuzungsbereich befindliche ergänzende dielektrische Schicht eine erste Ebene und eine zweite Ebene umfasst, wobei die zweite Ebene das organische oder anorganische dielektrische Material aufweist und die erste Ebene eine Ätzstopschicht umfasst.
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JP (1) JPH09107088A (de)
CA (1) CA2178389C (de)
DE (1) DE69637387T2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012112660B4 (de) 2011-12-21 2018-03-22 Lg Display Co., Ltd. Anzeigevorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5994155A (en) * 1994-01-20 1999-11-30 Goldstar Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor liquid crystal display
US5777355A (en) * 1996-12-23 1998-07-07 General Electric Company Radiation imager with discontinuous dielectric
US6037609A (en) * 1997-01-17 2000-03-14 General Electric Company Corrosion resistant imager
JP3208658B2 (ja) * 1997-03-27 2001-09-17 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 電気光学素子の製法
EP0926739A1 (de) * 1997-12-24 1999-06-30 Texas Instruments Incorporated Struktur und Herstellungsverfahren für MIS-Feldeffekt-Transistor
EP1058310A3 (de) * 1999-06-02 2009-11-18 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Halbleiterbauelement und deren Herstellungsverfahren
US6777685B2 (en) * 2002-04-03 2004-08-17 General Electric Company Imaging array and methods for fabricating same
US6559506B1 (en) 2002-04-03 2003-05-06 General Electric Company Imaging array and methods for fabricating same
US6740884B2 (en) * 2002-04-03 2004-05-25 General Electric Company Imaging array and methods for fabricating same
TWI228782B (en) * 2004-01-19 2005-03-01 Toppoly Optoelectronics Corp Method of fabricating display panel
KR101090253B1 (ko) * 2004-10-06 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
TW200701167A (en) * 2005-04-15 2007-01-01 Seiko Epson Corp Electronic circuit, and driving method, electrooptical device, and electronic apparatus thereof
JP4395659B2 (ja) * 2005-12-20 2010-01-13 株式会社フューチャービジョン 液晶表示装置とその製造方法
JP4297505B2 (ja) * 2006-07-28 2009-07-15 株式会社フューチャービジョン 液晶表示装置
US8114720B2 (en) 2008-12-25 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR101804589B1 (ko) * 2009-12-11 2018-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
US20130083279A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Sony Corporation Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device
KR101960813B1 (ko) * 2011-10-31 2019-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN106847829A (zh) * 2017-02-22 2017-06-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及阵列基板的制作方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5365079A (en) * 1982-04-30 1994-11-15 Seiko Epson Corporation Thin film transistor and display device including same
JPS60261174A (ja) * 1984-06-07 1985-12-24 Nippon Soken Inc マトリツクスアレ−
US4688896A (en) * 1985-03-04 1987-08-25 General Electric Company Information conversion device with auxiliary address lines for enhancing manufacturing yield
FR2585167B1 (fr) * 1985-07-19 1993-05-07 Gen Electric Structures conductrices redondantes pour affichages a cristaux liquides commandes par des transistors a effet de champ en couche mince
JP2740813B2 (ja) * 1988-02-26 1998-04-15 セイコープレシジョン株式会社 非晶質シリコン薄膜トランジシタアレイ基板
US5062690A (en) * 1989-06-30 1991-11-05 General Electric Company Liquid crystal display with redundant FETS and redundant crossovers connected by laser-fusible links
US5303074A (en) * 1991-04-29 1994-04-12 General Electric Company Embedded repair lines for thin film electronic display or imager devices
EP0523784A1 (de) * 1991-07-15 1993-01-20 Philips Electronics Uk Limited Bildgebender Detektor und Methode seiner Herstellung
US5486939A (en) * 1994-04-28 1996-01-23 Xerox Corporation Thin-film structure with insulating and smoothing layers between crossing conductive lines

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012112660B4 (de) 2011-12-21 2018-03-22 Lg Display Co., Ltd. Anzeigevorrichtungen und Verfahren zu deren Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
EP0750350B1 (de) 2008-01-02
EP0750350A2 (de) 1996-12-27
CA2178389A1 (en) 1996-12-22
US5631473A (en) 1997-05-20
CA2178389C (en) 2004-02-10
DE69637387D1 (de) 2008-02-14
EP0750350A3 (de) 1998-08-26
JPH09107088A (ja) 1997-04-22

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