JPH08264800A - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の信頼性を高める。
【構成】 珪素半導体を用いた半導体装置の特性や信頼
性を高めるために、加熱された水素雰囲気中での加熱処
理を行う。この際、水素を加熱されたニッケル材料に触
れさせることにより、活性水素を発生させる。例えば、
ニッケル材料で内面が覆われた配管１０２をヒーター１
０４で加熱し、その内部に水素ガスを流すことによっ
て、活性水素を生成し、試料１０７に対してアニールを
行う。
性を高めるために、加熱された水素雰囲気中での加熱処
理を行う。この際、水素を加熱されたニッケル材料に触
れさせることにより、活性水素を発生させる。例えば、
ニッケル材料で内面が覆われた配管１０２をヒーター１
０４で加熱し、その内部に水素ガスを流すことによっ
て、活性水素を生成し、試料１０７に対してアニールを
行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本明細書で開示する発明は、半導
体装置の信頼性を向上させる技術に関する。
体装置の信頼性を向上させる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＯＳ型の半導体装置の作製工程等にお
いて、水素雰囲気中での熱処理を行い、作製される半導
体装置の信頼性を向上させる技術が知られている。特
に、非晶質珪素や多結晶珪素を用いた半導体装置では、
この効果が大きい。これは、非晶質または多結晶という
ような結晶状態に原因がある。即ち、これらの結晶状態
においては、不対結合手が高い密度で存在し、それらト
ラップ準位を形成するので、水素による終端化（ターミ
ネイト）が大きな効果を呈するからである。
いて、水素雰囲気中での熱処理を行い、作製される半導
体装置の信頼性を向上させる技術が知られている。特
に、非晶質珪素や多結晶珪素を用いた半導体装置では、
この効果が大きい。これは、非晶質または多結晶という
ような結晶状態に原因がある。即ち、これらの結晶状態
においては、不対結合手が高い密度で存在し、それらト
ラップ準位を形成するので、水素による終端化（ターミ
ネイト）が大きな効果を呈するからである。
【０００３】一方、近年薄膜半導体を用いた半導体装置
が注目されている。特に多結晶珪素薄膜を用いた薄膜ト
ランジスタは注目されている。この多結晶珪素薄膜を用
いた薄膜トランジスタの応用分野は、現在のところ主に
アクティブマトリクス型の液晶表示装置である。
が注目されている。特に多結晶珪素薄膜を用いた薄膜ト
ランジスタは注目されている。この多結晶珪素薄膜を用
いた薄膜トランジスタの応用分野は、現在のところ主に
アクティブマトリクス型の液晶表示装置である。
【０００４】この多結晶珪素薄膜を用いた薄膜トランジ
スタの作製工程においては、その特性の向上と信頼性の
向上のために最終工程において、水素雰囲気中での加熱
処理が行われる。このような技術に関しては、特開平４
─３５５９２４号公報に記載されている。この技術によ
ればＭＯＳ型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜とチャ
ネル形成領域との界面における準位を減少させるために
は、２５０℃〜３５０℃の水素雰囲気中での加熱処理が
有用である旨が記載されている。特にその図５を見れば
分かるように、３００℃〜３５０℃の温度による水素熱
処理が最も効果的であることが示されている。
スタの作製工程においては、その特性の向上と信頼性の
向上のために最終工程において、水素雰囲気中での加熱
処理が行われる。このような技術に関しては、特開平４
─３５５９２４号公報に記載されている。この技術によ
ればＭＯＳ型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜とチャ
ネル形成領域との界面における準位を減少させるために
は、２５０℃〜３５０℃の水素雰囲気中での加熱処理が
有用である旨が記載されている。特にその図５を見れば
分かるように、３００℃〜３５０℃の温度による水素熱
処理が最も効果的であることが示されている。
【０００５】一方、アクティブマトリクス型の液晶表示
装置においては、その面積が大きいので、配線の抵抗の
影響を抑制するために、配線としてアルミニウムまたは
アルミニウムを主成分とする材料を用いることが有用で
ある。しかし、アルミニウムは、耐熱性がないという問
題がある。例えば、アルミニウムを用いて配線を形成し
た半導体装置を３００℃以上の温度雰囲気下に放置する
と、アルミニウムが絶縁膜中た半導体中に拡散してしま
い、装置の信頼性を著しく損なわしてしまう。
装置においては、その面積が大きいので、配線の抵抗の
影響を抑制するために、配線としてアルミニウムまたは
アルミニウムを主成分とする材料を用いることが有用で
ある。しかし、アルミニウムは、耐熱性がないという問
題がある。例えば、アルミニウムを用いて配線を形成し
た半導体装置を３００℃以上の温度雰囲気下に放置する
と、アルミニウムが絶縁膜中た半導体中に拡散してしま
い、装置の信頼性を著しく損なわしてしまう。
【０００６】この問題を解決するのは、配線の形成後に
３００℃以上の温度雰囲気に曝さず、好ましくは２００
℃以下に雰囲気下で処理を行えばよい。しかし、前述の
ように、３００℃〜３５０℃程度の加熱処理が有用であ
ることが一方で判明している。また、さらに樹脂基板の
ように、２００℃以下の温度での熱処理にしか耐えられ
ない材料を用いた半導体装置に対する水素熱処理方法も
求められている。
３００℃以上の温度雰囲気に曝さず、好ましくは２００
℃以下に雰囲気下で処理を行えばよい。しかし、前述の
ように、３００℃〜３５０℃程度の加熱処理が有用であ
ることが一方で判明している。また、さらに樹脂基板の
ように、２００℃以下の温度での熱処理にしか耐えられ
ない材料を用いた半導体装置に対する水素熱処理方法も
求められている。
【０００７】低温で水素熱処理をする技術としては、特
開平５−１４４８０４号公報に記載された技術が知られ
ている。これには、プラズマを用いない水素活性種を用
いて水素熱処理を加える方法が開示されている。しか
し、加熱に弱い樹脂基板上に配置された薄膜トランジス
タのような半導体装置に水素熱処理を加える技術を開示
するものではない。
開平５−１４４８０４号公報に記載された技術が知られ
ている。これには、プラズマを用いない水素活性種を用
いて水素熱処理を加える方法が開示されている。しか
し、加熱に弱い樹脂基板上に配置された薄膜トランジス
タのような半導体装置に水素熱処理を加える技術を開示
するものではない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、半導
体装置の作製の最終段階における水素熱処理は、その特
性の向上や信頼性の向上に非常に有用であるが、配線材
料た電極材料にアルミニウムを利用する場合は、熱処理
時の温度を高くすることができないという問題がある。
具体的には、熱処理温度を３００℃以上に高めることが
できない。その結果、水素熱処理の効果を十分に得るこ
とができない。
体装置の作製の最終段階における水素熱処理は、その特
性の向上や信頼性の向上に非常に有用であるが、配線材
料た電極材料にアルミニウムを利用する場合は、熱処理
時の温度を高くすることができないという問題がある。
具体的には、熱処理温度を３００℃以上に高めることが
できない。その結果、水素熱処理の効果を十分に得るこ
とができない。
【０００９】そこで、本明細書で開示する発明では、ア
ルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする配線や電
極が耐える温度での効果的な水素熱処理の技術を提供す
ることを課題とする。
ルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする配線や電
極が耐える温度での効果的な水素熱処理の技術を提供す
ることを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の一つは、半導体装置の作製工程において、１５０℃±
２０℃の温度範囲において、試料を保持することを特徴
とする。
の一つは、半導体装置の作製工程において、１５０℃±
２０℃の温度範囲において、試料を保持することを特徴
とする。
【００１１】他の発明の構成は、加熱したニッケルまた
はニッケルを含む材料に水素または水素を含むガスを触
れさせて水素活性種を形成し、該水素活性種でもって、
樹脂基板上に配置された半導体装置をアニールすること
を特徴とする。
はニッケルを含む材料に水素または水素を含むガスを触
れさせて水素活性種を形成し、該水素活性種でもって、
樹脂基板上に配置された半導体装置をアニールすること
を特徴とする。
【００１２】また以上の構成において、半導体装置の配
線の少なくとも一部をニッケルまたはニッケル合金によ
って構成することは有効である。
線の少なくとも一部をニッケルまたはニッケル合金によ
って構成することは有効である。
【００１３】本明細書に開示する発明におけるニッケル
を含む材料またはニッケル合金としては、Ｎｉと他の材
料との積層膜、Ｎｉ−Ｍｏ系合金、Ｎｉ−Ｗ系合金を挙
げることができる。
を含む材料またはニッケル合金としては、Ｎｉと他の材
料との積層膜、Ｎｉ−Ｍｏ系合金、Ｎｉ−Ｗ系合金を挙
げることができる。
【００１４】
【作用】加熱されたニッケルに水素ガスを触れさせるこ
とで、低温で水素活性種を生成することができる。そし
て、樹脂基板ような加熱に弱い基板上に配置された半導
体材料に対して水素熱処理を加えることができる。
とで、低温で水素活性種を生成することができる。そし
て、樹脂基板ような加熱に弱い基板上に配置された半導
体材料に対して水素熱処理を加えることができる。
【００１５】
〔実施例１〕本実施例では、ガラス基板上に形成される
ＭＯＳ型の薄膜トランジスタの作製工程において、本明
細書で開示する発明を利用する技術を説明する。図２に
本実施例に示す薄膜トランジスタの作製工程を示す。
ＭＯＳ型の薄膜トランジスタの作製工程において、本明
細書で開示する発明を利用する技術を説明する。図２に
本実施例に示す薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【００１６】まず、ガラス基板２０１上に下地膜として
酸化珪素膜２０２を３０００Åの厚さに成膜する。ここ
では、下地膜２０２として酸化珪素膜を用いる。この酸
化珪素膜は、スパッタ法で成膜する。次に非晶質珪素膜
をプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法で成膜する。
この非晶質珪素膜の厚さは５００Åとする。次にこの非
晶質珪素膜に対してレーザー光の照射を行い結晶性珪素
膜に変成する。この結果、珪素膜は概略多結晶構造を有
する結晶性珪素膜となる。
酸化珪素膜２０２を３０００Åの厚さに成膜する。ここ
では、下地膜２０２として酸化珪素膜を用いる。この酸
化珪素膜は、スパッタ法で成膜する。次に非晶質珪素膜
をプラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法で成膜する。
この非晶質珪素膜の厚さは５００Åとする。次にこの非
晶質珪素膜に対してレーザー光の照射を行い結晶性珪素
膜に変成する。この結果、珪素膜は概略多結晶構造を有
する結晶性珪素膜となる。
【００１７】そして、得られた結晶性珪素膜に対してパ
ターニングを施すことにより、薄膜トランジスタの活性
層２０３を形成する。そして、ゲイト絶縁膜として機能
する酸化珪素膜２０４をプラズマＣＶＤ法を用いて１０
００Åの厚さに成膜する。こうして図２（Ａ）に示す状
態を得る。
ターニングを施すことにより、薄膜トランジスタの活性
層２０３を形成する。そして、ゲイト絶縁膜として機能
する酸化珪素膜２０４をプラズマＣＶＤ法を用いて１０
００Åの厚さに成膜する。こうして図２（Ａ）に示す状
態を得る。
【００１８】次にアルミニウムを主成分とする膜を電子
ビーム蒸着法またはスパッタ法でもって成膜する。ここ
では、電子ビーム蒸着法を用い、スカンジウムを0.2 ｗ
ｔ％含有したアルミニウムを膜を５０００Åの厚さに成
膜する。さらにパターニングを施すことにより、ゲイト
電極２０５を形成する。
ビーム蒸着法またはスパッタ法でもって成膜する。ここ
では、電子ビーム蒸着法を用い、スカンジウムを0.2 ｗ
ｔ％含有したアルミニウムを膜を５０００Åの厚さに成
膜する。さらにパターニングを施すことにより、ゲイト
電極２０５を形成する。
【００１９】次にゲイト電極の周囲に陽極酸化工程によ
り、酸化物層２０６を形成する。この酸化物層２０６を
形成することで、後の不純物イオンの注入工程におい
て、オフセットゲイト領域を形成することができる。
り、酸化物層２０６を形成する。この酸化物層２０６を
形成することで、後の不純物イオンの注入工程におい
て、オフセットゲイト領域を形成することができる。
【００２０】陽極酸化は、電解溶液中において、ゲイト
電極を陽極として行う。この工程において、ゲイト電極
２０５の露呈した周囲には、陽極酸化物層２０６が形成
される。この陽極酸化物層２０６は２０００Å程度の厚
さに形成する。（図２（Ｂ））
電極を陽極として行う。この工程において、ゲイト電極
２０５の露呈した周囲には、陽極酸化物層２０６が形成
される。この陽極酸化物層２０６は２０００Å程度の厚
さに形成する。（図２（Ｂ））
【００２１】次にソース／ドレイン領域を形成するため
に不純物イオンの注入を行う。ここでは、Ｎチャネル型
の薄膜トランジスタを形成するために、Ｐ（リン）イオ
ンの注入を行う。この際、ゲイト電極２０５とその周囲
の陽極酸化物層２０６とがマスクとなることによって、
ソース領域２０７とドレイン領域２１０とが自己整合的
に形成される。また、陽極酸化物層２０６がマスクとな
ることによって、オフセットゲイト領域２０８が形成さ
れる。また、ゲイト電極の下にはチャネル形成領域２０
９が形成される。また、イオンの注入後、レーザー光の
照射を行い、イオンの注入された領域のアニールと注入
されたイオンの活性化とを行う。（図２（Ｃ））
に不純物イオンの注入を行う。ここでは、Ｎチャネル型
の薄膜トランジスタを形成するために、Ｐ（リン）イオ
ンの注入を行う。この際、ゲイト電極２０５とその周囲
の陽極酸化物層２０６とがマスクとなることによって、
ソース領域２０７とドレイン領域２１０とが自己整合的
に形成される。また、陽極酸化物層２０６がマスクとな
ることによって、オフセットゲイト領域２０８が形成さ
れる。また、ゲイト電極の下にはチャネル形成領域２０
９が形成される。また、イオンの注入後、レーザー光の
照射を行い、イオンの注入された領域のアニールと注入
されたイオンの活性化とを行う。（図２（Ｃ））
【００２２】次に層間絶縁膜として酸化珪素膜２１３を
プラズマＣＶＤ法で６０００Åの厚さに成膜する。そし
てコンタクトホールの形成を行い、ソース電極２１２と
ドレイン電極２１３の形成を行う。また図示されていな
が、ゲイト電極の形成も同時に行われる。ここでは、こ
れら電極の形成を１０００Å厚さのチタン膜と４０００
Åのアルミニウム膜（珪素を１％wt含有）との積層で構
成する。
プラズマＣＶＤ法で６０００Åの厚さに成膜する。そし
てコンタクトホールの形成を行い、ソース電極２１２と
ドレイン電極２１３の形成を行う。また図示されていな
が、ゲイト電極の形成も同時に行われる。ここでは、こ
れら電極の形成を１０００Å厚さのチタン膜と４０００
Åのアルミニウム膜（珪素を１％wt含有）との積層で構
成する。
【００２３】次に水素雰囲気中での加熱処理を行い、活
性層とゲイト絶縁膜との界面を中心とした領域における
不対結合手の中和を行う。ここでは、この水素熱処理を
図１に示す装置を用い、１５０℃雰囲気化で１時間行
う。
性層とゲイト絶縁膜との界面を中心とした領域における
不対結合手の中和を行う。ここでは、この水素熱処理を
図１に示す装置を用い、１５０℃雰囲気化で１時間行
う。
【００２４】図１に示す装置は、ニッケル金属で表面が
覆われたステンレスで構成された処理室１０１と、この
処理室１０１に水素ガスを導入するためのものであっ
て、さらにその内面がニッケル金属で覆われている配管
１０２、配管１０２をから導入される水素ガスの量を制
御するバルブ１０３、配管１０２を加熱するヒーター１
０４、処理室１０１自体を加熱するヒーター１０８、水
素熱処理の対象となる試料（基板）１０７が配置された
ホルダー１０６、不要な気体を排気するための配管１０
５を備えている。
覆われたステンレスで構成された処理室１０１と、この
処理室１０１に水素ガスを導入するためのものであっ
て、さらにその内面がニッケル金属で覆われている配管
１０２、配管１０２をから導入される水素ガスの量を制
御するバルブ１０３、配管１０２を加熱するヒーター１
０４、処理室１０１自体を加熱するヒーター１０８、水
素熱処理の対象となる試料（基板）１０７が配置された
ホルダー１０６、不要な気体を排気するための配管１０
５を備えている。
【００２５】配管１０２に導入された水素ガスは、ヒー
タ─１０４によって加熱される配管１０２の部分で、活
性水素となる。即ち、加熱された配管１０４の配管内面
のニッケルと水素ガスとが反応して活性水素が生成れ
る。この際のヒーター１０４による加熱温度は、１５０
℃±２０℃することが好ましいことが判明している。
タ─１０４によって加熱される配管１０２の部分で、活
性水素となる。即ち、加熱された配管１０４の配管内面
のニッケルと水素ガスとが反応して活性水素が生成れ
る。この際のヒーター１０４による加熱温度は、１５０
℃±２０℃することが好ましいことが判明している。
【００２６】さらに配管１０２を進んだ水素ガスは、処
理室１０１内に導入される。処理室１０１もまたヒータ
１０８によって１５０℃±２０℃に加熱される。そし
て、尻室１０１内は、活性水素で満たされる。この状態
を所定の時間保つことにとって、水素熱処理が行われ
る。
理室１０１内に導入される。処理室１０１もまたヒータ
１０８によって１５０℃±２０℃に加熱される。そし
て、尻室１０１内は、活性水素で満たされる。この状態
を所定の時間保つことにとって、水素熱処理が行われ
る。
【００２７】〔実施例２〕本実施例では、液晶表示装置
に必要とされる半導体集積回路を液晶表示装置を構成す
る基板とは別の基板上で形成し、それを液晶表示装置を
構成する基板上にはりつける構成を作製する際に、本明
細書で開示する発明を適用する例を示す。
に必要とされる半導体集積回路を液晶表示装置を構成す
る基板とは別の基板上で形成し、それを液晶表示装置を
構成する基板上にはりつける構成を作製する際に、本明
細書で開示する発明を適用する例を示す。
【００２８】このような表示装置の作製順序の概略は、
図３に示される。図３はパッシブマトリクス型の表示装
置の作製手順を示す。まず、多数の半導体集積回路２２
が、酸化珪素でなる剥離層を介して支持基板２１の上に
形成される。（図３（Ａ））
図３に示される。図３はパッシブマトリクス型の表示装
置の作製手順を示す。まず、多数の半導体集積回路２２
が、酸化珪素でなる剥離層を介して支持基板２１の上に
形成される。（図３（Ａ））
【００２９】この支持基板としては、単結晶ウエハーや
ガラス基板を用いることができる。特に単結晶ウエハー
を用いた場合には、高い特性を有する半導体集積回路を
形成することができる。
ガラス基板を用いることができる。特に単結晶ウエハー
を用いた場合には、高い特性を有する半導体集積回路を
形成することができる。
【００３０】そして、これを分断して、スティック・ク
リスタル２３、２４を得る。得られたスティック・クリ
スタルは、次の工程に移る前に電気特性をテストして、
良品・不良品に選別するとよい。（図３（Ｂ））
リスタル２３、２４を得る。得られたスティック・クリ
スタルは、次の工程に移る前に電気特性をテストして、
良品・不良品に選別するとよい。（図３（Ｂ））
【００３１】次に、スティック・クリスタル２３、２４
の回路の形成された面を、それぞれ、別の基板２５、２
７の透明導電膜による配線のパターンの形成された面２
６、２８上に接着し、電気的な接続を取る。（図３
（Ｃ）、図３（Ｄ））
の回路の形成された面を、それぞれ、別の基板２５、２
７の透明導電膜による配線のパターンの形成された面２
６、２８上に接着し、電気的な接続を取る。（図３
（Ｃ）、図３（Ｄ））
【００３２】基板２５、２７は、透光性を有する樹脂基
板であって、液晶表示装置を構成する一対の基板を構成
する。このような樹脂基板としては、ＰＥＳ（ポリエー
テルサルフォン）を利用するとができる。
板であって、液晶表示装置を構成する一対の基板を構成
する。このような樹脂基板としては、ＰＥＳ（ポリエー
テルサルフォン）を利用するとができる。
【００３３】その後、ハロゲンを含む気体によって、剥
離層をエッチングし、よって、スティック・クリスタル
２３、２４の支持基板をはがし、半導体集積回路２９、
３０のみを前記基板の面２６、２８上に残す。（図３
（Ｅ）、図３（Ｆ））
離層をエッチングし、よって、スティック・クリスタル
２３、２４の支持基板をはがし、半導体集積回路２９、
３０のみを前記基板の面２６、２８上に残す。（図３
（Ｅ）、図３（Ｆ））
【００３４】最後に、このようにして得られた基板を向
かい合わせることにより、パッシブマトリクス型表示装
置が得られる。なお、面２６は、面２６の逆の面、すな
わち、配線パターンの形成されていない方の面を意味す
る（図３（Ｇ））
かい合わせることにより、パッシブマトリクス型表示装
置が得られる。なお、面２６は、面２６の逆の面、すな
わち、配線パターンの形成されていない方の面を意味す
る（図３（Ｇ））
【００３５】上記の場合には、ロー・スティック・クリ
スタル（ロー配線を駆動するドライバー回路用のスティ
ック・クリスタル）とカラム・スティック・クリスタル
（カラム配線を駆動するドライバー回路用のスティック
・クリスタル）を同じ基板２１から切りだしたが、別の
基板から切りだしてもよいことは言うまでもない。ま
た、図３ではパッシブマトリクス型表示装置の例を示し
たが、アクティブマトリクス型表示装置でも、同様にお
こなえることは言うまでもない。
スタル（ロー配線を駆動するドライバー回路用のスティ
ック・クリスタル）とカラム・スティック・クリスタル
（カラム配線を駆動するドライバー回路用のスティック
・クリスタル）を同じ基板２１から切りだしたが、別の
基板から切りだしてもよいことは言うまでもない。ま
た、図３ではパッシブマトリクス型表示装置の例を示し
たが、アクティブマトリクス型表示装置でも、同様にお
こなえることは言うまでもない。
【００３６】最終的な配線が終了した段階で、本明細書
に開示する水素熱処理を行う。詳細は、実施例１に示し
たものと同様である。この工程において、基板が加熱に
極めて弱い樹脂基板であるが、１５０℃程度の加熱処理
には、耐えることができる。即ち、樹脂基板を利用した
場合でも、本明細書に開示する発明を利用することによ
って、水素熱処理を行うことができ、半導体装置の特性
を信頼性を高めることができる。
に開示する水素熱処理を行う。詳細は、実施例１に示し
たものと同様である。この工程において、基板が加熱に
極めて弱い樹脂基板であるが、１５０℃程度の加熱処理
には、耐えることができる。即ち、樹脂基板を利用した
場合でも、本明細書に開示する発明を利用することによ
って、水素熱処理を行うことができ、半導体装置の特性
を信頼性を高めることができる。
【００３７】
【発明の効果】本明細書に開示する発明を利用すること
で、樹脂基板ような加熱に弱い基板上に配置された半導
体装置に対して、水素熱処理を加えることができる。そ
して、そのような半導体装置の特性や信頼性を高いもの
とすることができる。
で、樹脂基板ような加熱に弱い基板上に配置された半導
体装置に対して、水素熱処理を加えることができる。そ
して、そのような半導体装置の特性や信頼性を高いもの
とすることができる。
【図１】 水素熱処理を行うための装置の概要を示す。
【図２】 薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【図３】 液晶表示装置を構成する基板の作製工程を示
す。
す。
１０１ 処理室 １０２ 水素ガスを導入するための配
管 １０３ バルブ １０４ ヒーター １０５ 排気のための配管 １０６ ホルダー １０７ 試料 １０８ ヒーター ２０１ ガラス基板 ２０２ 下地膜（酸化珪素膜） ２０３ 活性層 ２０４ ゲイト絶縁膜（酸化珪素膜） ２０５ ゲイト電極 ２０６ 陽極酸化物層 ２０７ ソース領域 ２０８ オフセットゲイト領域 ２０９ チャネル形成領域 ２１０ ドレイン領域 ２１１ 層間絶縁膜（酸化珪素膜） ２１２ ソース電極 ２１３ ドレイン電極 ２１ 支持基板 ２２ 半導体集積回路 ２３、２４ スティッククリスタル ２５、２７ 基板
管 １０３ バルブ １０４ ヒーター １０５ 排気のための配管 １０６ ホルダー １０７ 試料 １０８ ヒーター ２０１ ガラス基板 ２０２ 下地膜（酸化珪素膜） ２０３ 活性層 ２０４ ゲイト絶縁膜（酸化珪素膜） ２０５ ゲイト電極 ２０６ 陽極酸化物層 ２０７ ソース領域 ２０８ オフセットゲイト領域 ２０９ チャネル形成領域 ２１０ ドレイン領域 ２１１ 層間絶縁膜（酸化珪素膜） ２１２ ソース電極 ２１３ ドレイン電極 ２１ 支持基板 ２２ 半導体集積回路 ２３、２４ スティッククリスタル ２５、２７ 基板
Claims (4)
- 【請求項１】半導体装置の作製工程において、 １５０℃±２０℃の温度範囲において、試料を保持する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 【請求項２】加熱したニッケルまたはニッケルを含む材
料に水素または水素を含むガスを触れさせて水素活性種
を形成し、該水素活性種でもって、樹脂基板上に配置さ
れた半導体装置をアニールすることを特徴とする半導体
装置の作製方法。 - 【請求項３】請求項１において、アニールは１５０℃±
２０℃の範囲内において行うことを特徴とする半導体装
置の作製方法。 - 【請求項４】請求項１または請求項２において、半導体
装置の配線の少なくとも一部がニッケルまたはニッケル
合金によって構成されていることを特徴とする半導体装
置の作製方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09440995A JP3499327B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 表示装置の作製方法 |
| TW085103374A TW289848B (ja) | 1995-03-27 | 1996-03-20 | |
| KR1019960008240A KR100306833B1 (ko) | 1995-03-27 | 1996-03-26 | 반도체장치제작방법 |
| US08/622,827 US5766977A (en) | 1995-03-27 | 1996-03-27 | Method for producing semiconductor device |
| CN96107222A CN1091947C (zh) | 1995-03-27 | 1996-03-27 | 制造半导体器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09440995A JP3499327B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 表示装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264800A true JPH08264800A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3499327B2 JP3499327B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=14109453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09440995A Expired - Fee Related JP3499327B2 (ja) | 1995-03-27 | 1995-03-27 | 表示装置の作製方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5766977A (ja) |
| JP (1) | JP3499327B2 (ja) |
| KR (1) | KR100306833B1 (ja) |
| CN (1) | CN1091947C (ja) |
| TW (1) | TW289848B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7855107B2 (en) | 2006-07-14 | 2010-12-21 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, electro-optical device, and method for manufacturing semiconductor device |
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|---|---|---|---|---|
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| US5757456A (en) * | 1995-03-10 | 1998-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other |
| US5834327A (en) | 1995-03-18 | 1998-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
| KR100265179B1 (ko) | 1995-03-27 | 2000-09-15 | 야마자끼 순페이 | 반도체장치와 그의 제작방법 |
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| US6501094B1 (en) | 1997-06-11 | 2002-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising a bottom gate type thin film transistor |
| JPH11160734A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JP2000174282A (ja) | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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