JPH05144804A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05144804A JPH05144804A JP33426091A JP33426091A JPH05144804A JP H05144804 A JPH05144804 A JP H05144804A JP 33426091 A JP33426091 A JP 33426091A JP 33426091 A JP33426091 A JP 33426091A JP H05144804 A JPH05144804 A JP H05144804A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、信頼性の高い絶縁膜と半導体との
界面（例えば、酸化膜／シリコン界面）を有する半導体
装置の製造が可能な半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 絶縁膜／半導体界面を有する半導体装置の製
造方法において、該絶縁膜に、プラズマを伴わない水素
活性種を接触させることを特徴とする。上記水素活性溜
は、例えば、３００℃以上の温度に加熱したニッケルま
たはニッケルを含む材料に、水素ガスまたは水素を含む
ガスを接触させることにより生成せしめる。
界面（例えば、酸化膜／シリコン界面）を有する半導体
装置の製造が可能な半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 絶縁膜／半導体界面を有する半導体装置の製
造方法において、該絶縁膜に、プラズマを伴わない水素
活性種を接触させることを特徴とする。上記水素活性溜
は、例えば、３００℃以上の温度に加熱したニッケルま
たはニッケルを含む材料に、水素ガスまたは水素を含む
ガスを接触させることにより生成せしめる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係わり、特に信頼性の高い酸化膜／シリコン界面の形成
が可能な半導体装置の製造方法に関する。
係わり、特に信頼性の高い酸化膜／シリコン界面の形成
が可能な半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術を、絶縁膜として酸化膜を、
半導体としてシリコンを例にとり説明する。
半導体としてシリコンを例にとり説明する。
【０００３】従来、酸化膜／シリコン界面のダングリン
グボンドを終端する方法の１つとしていわゆるシンタリ
ング法が知られている。この方法は、シリコン基板上に
酸化膜あるいは酸化膜および電極、配線等を形成した
後、水素、不活性ガス等のガス体を混合した水素等を加
熱した酸化膜／シリコン基板に接触させることにより酸
化膜／シリコン界面のダングリングボンドを水素で終端
する方法である。
グボンドを終端する方法の１つとしていわゆるシンタリ
ング法が知られている。この方法は、シリコン基板上に
酸化膜あるいは酸化膜および電極、配線等を形成した
後、水素、不活性ガス等のガス体を混合した水素等を加
熱した酸化膜／シリコン基板に接触させることにより酸
化膜／シリコン界面のダングリングボンドを水素で終端
する方法である。
【０００４】また、水素ガスあるいは不活性ガスと水素
ガスとを混合した混合ガスをプラズマ化し、プラズマ中
の水素イオン及び水素活性種を、酸化膜／シリコン基板
に接触させて、ダングリングボンドを水素で終端する技
術も知られている。
ガスとを混合した混合ガスをプラズマ化し、プラズマ中
の水素イオン及び水素活性種を、酸化膜／シリコン基板
に接触させて、ダングリングボンドを水素で終端する技
術も知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の技術に
おいては、導入されたガス体が活性でないため、酸化膜
／シリコン界面のダングリングボンドの終端が不十分で
あり、高い信頼性のデバイスが製造されない。
おいては、導入されたガス体が活性でないため、酸化膜
／シリコン界面のダングリングボンドの終端が不十分で
あり、高い信頼性のデバイスが製造されない。
【０００６】一方、後者の技術は、プラズマ中の水素活
性種を用いてダングリングボンドの終端を行っているた
め、ダングリングボンドは十分に終端され、高い信頼性
を有するデバイスが得られることが期待される。しか
し、実際に後者の技術によりダングリングボンドの終端
を行った場合、必ずしも高い信頼性を有するデバイスが
得られないことが判明した。本発明者は、このように、
期待に反して高い信頼性を有するデバイスが得られない
原因を探求した。その結果、後者の技術では、プラズマ
を発生させているため、そのプラズマが酸化膜及び酸化
膜／シリコン界面に損傷を与えており、そのために新た
に欠陥及びダングリングボンドを生成していることが原
因であることを解明した。
性種を用いてダングリングボンドの終端を行っているた
め、ダングリングボンドは十分に終端され、高い信頼性
を有するデバイスが得られることが期待される。しか
し、実際に後者の技術によりダングリングボンドの終端
を行った場合、必ずしも高い信頼性を有するデバイスが
得られないことが判明した。本発明者は、このように、
期待に反して高い信頼性を有するデバイスが得られない
原因を探求した。その結果、後者の技術では、プラズマ
を発生させているため、そのプラズマが酸化膜及び酸化
膜／シリコン界面に損傷を与えており、そのために新た
に欠陥及びダングリングボンドを生成していることが原
因であることを解明した。
【０００７】結局、現在のところ、酸化膜及び酸化膜／
シリコン界面に損傷をあたえることなく、ダングリング
ボンドを十分に終端し得る技術は存在しない。
シリコン界面に損傷をあたえることなく、ダングリング
ボンドを十分に終端し得る技術は存在しない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の課題を解決すべくなされたものであり、信頼性の高
い絶縁膜と半導体との界面（例えば、酸化膜／シリコン
界面）を有する半導体装置の製造が可能な半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
術の課題を解決すべくなされたものであり、信頼性の高
い絶縁膜と半導体との界面（例えば、酸化膜／シリコン
界面）を有する半導体装置の製造が可能な半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、絶縁膜／半導体界面を有する半導体装置
の製造方法において、該絶縁膜に、プラズマを伴わない
水素活性種を接触させることを特徴とする。半導体の製
造方法少なくとも一部に絶縁膜を有する基体に、３００
℃以上の温度に加熱したニッケルまたはニッケルを含む
材料に接触させた水素または水素を含むガス体を接触さ
せることを特徴とする。
の製造方法は、絶縁膜／半導体界面を有する半導体装置
の製造方法において、該絶縁膜に、プラズマを伴わない
水素活性種を接触させることを特徴とする。半導体の製
造方法少なくとも一部に絶縁膜を有する基体に、３００
℃以上の温度に加熱したニッケルまたはニッケルを含む
材料に接触させた水素または水素を含むガス体を接触さ
せることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法においては、絶
縁膜／半導体界面（例えば、シリコン酸化膜／シリコン
界面）を有する半導体装置の該絶縁膜に、プラズマを伴
わない水素活性種（例えば、３００℃以上の温度に加熱
したニッケルまたはニッケルを含む材料に接触させて生
成せしめた水素活性種）を接触させる。水素活性種は、
絶縁膜に接触すると、絶縁膜中を拡散し、絶縁膜中およ
び絶縁膜／半導体界面のダングリングボンドを、ダメー
ジを与えることなく終端する。従って、高い信頼性の絶
縁膜、ひいては半導体装置が得られる
縁膜／半導体界面（例えば、シリコン酸化膜／シリコン
界面）を有する半導体装置の該絶縁膜に、プラズマを伴
わない水素活性種（例えば、３００℃以上の温度に加熱
したニッケルまたはニッケルを含む材料に接触させて生
成せしめた水素活性種）を接触させる。水素活性種は、
絶縁膜に接触すると、絶縁膜中を拡散し、絶縁膜中およ
び絶縁膜／半導体界面のダングリングボンドを、ダメー
ジを与えることなく終端する。従って、高い信頼性の絶
縁膜、ひいては半導体装置が得られる
【００１１】
【実施態様例】以下の本発明の実施態様例を説明する。
【００１２】（水素活性種発生手段）本発明では、水素
ガス又は水素を含むガスから、プラズマを伴うことなく
水素活性種を生成させ、この水素活性種を用いてダング
リングボンドを終端することを一つの特徴とする。かか
る水素活性種を発生させるための手段（水素活性種発生
手段）は、例えば、次のように構成すればよい。
ガス又は水素を含むガスから、プラズマを伴うことなく
水素活性種を生成させ、この水素活性種を用いてダング
リングボンドを終端することを一つの特徴とする。かか
る水素活性種を発生させるための手段（水素活性種発生
手段）は、例えば、次のように構成すればよい。
【００１３】例えば、図１に示すように、ガス導入口１
２に連通させてガス導入管２を、炉心管１に接続し、か
つ、加熱手段９をガス導入管２を加熱し得るように配置
する。その際、ガス導入管２の内面は、ニッケル又はニ
ッケルを含む材料により構成する）。
２に連通させてガス導入管２を、炉心管１に接続し、か
つ、加熱手段９をガス導入管２を加熱し得るように配置
する。その際、ガス導入管２の内面は、ニッケル又はニ
ッケルを含む材料により構成する）。
【００１４】この場合、加熱手段によりガス導入管２の
内部を３００℃以上に加熱し、ガス導入管２に水素ガス
源から水素ガスを導入すると、ガス導入管２の内面に接
触した水素ガスから水素活性種が生成する。これは、３
００℃以上の温度においては、ガス導入管２を構成する
ニッケル自体あるいはニッケルを含む材料中のニッケル
が触媒作用をなすためと考えられる。このように生成さ
れた水素活性種は当然プラズマをともなっていないため
被処理物にダメージを与えることがない。
内部を３００℃以上に加熱し、ガス導入管２に水素ガス
源から水素ガスを導入すると、ガス導入管２の内面に接
触した水素ガスから水素活性種が生成する。これは、３
００℃以上の温度においては、ガス導入管２を構成する
ニッケル自体あるいはニッケルを含む材料中のニッケル
が触媒作用をなすためと考えられる。このように生成さ
れた水素活性種は当然プラズマをともなっていないため
被処理物にダメージを与えることがない。
【００１５】また、水素ガスを他のガス（例えば、Ａｒ
等の不活性ガス）とともに炉心管内に導入する場合は、
図２に示すように、分岐管２ａ，２ｂを有するガス導入
管２をガス導入口１２に連通させて炉心管１に接続す
る。分岐管２ａが水素ガス源に接続される。図２に示し
た例は分岐管が２つの場合であるが、必要に応じ２以上
の分岐管を設けてもよい。
等の不活性ガス）とともに炉心管内に導入する場合は、
図２に示すように、分岐管２ａ，２ｂを有するガス導入
管２をガス導入口１２に連通させて炉心管１に接続す
る。分岐管２ａが水素ガス源に接続される。図２に示し
た例は分岐管が２つの場合であるが、必要に応じ２以上
の分岐管を設けてもよい。
【００１６】導入管２の内表面の一部又は全部はニッケ
ル又はニッケルを含む材料により構成する。図２に示す
例では、分岐管２ａの内表面をニッケル又はニッケルを
含む材料により構成してある。そして、加熱手段９は、
この分岐管２ａを加熱し得るように配置してある。もち
ろん、分岐管２ａ，２ｂが合流する部分（この部分がそ
れぞれの分岐管２ａ，２ｂからのガスの混合部２ｃとな
る）を加熱し得るように加熱手段９を配置してもよい。
ル又はニッケルを含む材料により構成する。図２に示す
例では、分岐管２ａの内表面をニッケル又はニッケルを
含む材料により構成してある。そして、加熱手段９は、
この分岐管２ａを加熱し得るように配置してある。もち
ろん、分岐管２ａ，２ｂが合流する部分（この部分がそ
れぞれの分岐管２ａ，２ｂからのガスの混合部２ｃとな
る）を加熱し得るように加熱手段９を配置してもよい。
【００１７】図１、図２では、導入管２を設けた例を示
したが、かかる導入管を設けず、図３に示すように、炉
心管１の内表面をニッケル又はニッケルを含む材料によ
り構成してもよい。
したが、かかる導入管を設けず、図３に示すように、炉
心管１の内表面をニッケル又はニッケルを含む材料によ
り構成してもよい。
【００１８】この場合は、図１、図２で示したような加
熱手段を設ける必要が無く、炉心管加熱手段４により加
熱を行うことができるので、炉心管１の内部において水
素活性種を生成させることができる。なお、ニッケル又
はニッケルを含む材料により構成する部分は、被処理物
５の配置されている位置よりも上流側のみでも足りる
が、残部をかかる材料により構成してもよい。
熱手段を設ける必要が無く、炉心管加熱手段４により加
熱を行うことができるので、炉心管１の内部において水
素活性種を生成させることができる。なお、ニッケル又
はニッケルを含む材料により構成する部分は、被処理物
５の配置されている位置よりも上流側のみでも足りる
が、残部をかかる材料により構成してもよい。
【００１９】なお、以上述べた実施態様では、導入管な
いし炉心管の内表面をニッケル又はニッケルを含む材料
により構成して水素活性種生成手段を構成しているが、
かかる構成以外であってもよい。例えば、水素ガス源と
炉心管との間に、内部にニッケル（例えば、繊維状ニッ
ケル、網状ニッケル、スポンジニッケル等）を充填した
容器を設けることにより水素活性種生成手段を構成して
もよい。この容器内を水素ガスあるいは水素を含むガス
を通過させれ、この容器を３００℃以上に加熱するよう
にすれば、水素活性種が得られ、この水素活性種を炉心
管に導入することができる。
いし炉心管の内表面をニッケル又はニッケルを含む材料
により構成して水素活性種生成手段を構成しているが、
かかる構成以外であってもよい。例えば、水素ガス源と
炉心管との間に、内部にニッケル（例えば、繊維状ニッ
ケル、網状ニッケル、スポンジニッケル等）を充填した
容器を設けることにより水素活性種生成手段を構成して
もよい。この容器内を水素ガスあるいは水素を含むガス
を通過させれ、この容器を３００℃以上に加熱するよう
にすれば、水素活性種が得られ、この水素活性種を炉心
管に導入することができる。
【００２０】また、半導体装置の配線部をニッケルある
いはニッケル合金により形成した場合には、この配線部
を３００℃以上に加熱し、そこに水素ガスまたは水素を
含むガスを接触させれば、水素活性種が生成する。
いはニッケル合金により形成した場合には、この配線部
を３００℃以上に加熱し、そこに水素ガスまたは水素を
含むガスを接触させれば、水素活性種が生成する。
【００２１】（ニッケル、ニッケルを含む材料）次にニ
ッケル又はニッケルを含む材料について説明する。
ッケル又はニッケルを含む材料について説明する。
【００２２】ニッケルを含む材料としては、例えば、Ｎ
ｉ基合金が好ましい。また、Ｎｉ基合金の中でも、Ｎｉ
−Ｍｏ系合金又はＮｉ−Ｗ系合金が好ましい。より具体
的には、例えば、ハステロイ（登録商標）があげられ
る。
ｉ基合金が好ましい。また、Ｎｉ基合金の中でも、Ｎｉ
−Ｍｏ系合金又はＮｉ−Ｗ系合金が好ましい。より具体
的には、例えば、ハステロイ（登録商標）があげられ
る。
【００２３】また、他のニッケルを含む材料としては、
例えば、表面粗度が、１μｍ以下の表面粗度に電解研磨
されたステンレス鋼を用いてもよい。この場合、ステン
レス鋼の表面には、不純物濃度が１０ｐｐｂ以下の酸化
性雰囲気中で熱処理することにより形成された不動態膜
が形成されているものを用いることがより好ましく、さ
らに、ステンレス鋼の表面には、酸化性雰囲気中で熱処
理した後、水素雰囲気中で還元処理を行うことにより形
成された不動態膜が形成されているもの（特願平３−２
１２５９２号にて別途提案）を用いることがさらに好ま
しい。かかる不動態膜の表面は、クロム酸化物を主成分
としており、その表面は耐食性に優れ、また、水分の吸
着がきわめて少ないためガス中への不純物の混入をきわ
めて少なくすることができる。
例えば、表面粗度が、１μｍ以下の表面粗度に電解研磨
されたステンレス鋼を用いてもよい。この場合、ステン
レス鋼の表面には、不純物濃度が１０ｐｐｂ以下の酸化
性雰囲気中で熱処理することにより形成された不動態膜
が形成されているものを用いることがより好ましく、さ
らに、ステンレス鋼の表面には、酸化性雰囲気中で熱処
理した後、水素雰囲気中で還元処理を行うことにより形
成された不動態膜が形成されているもの（特願平３−２
１２５９２号にて別途提案）を用いることがさらに好ま
しい。かかる不動態膜の表面は、クロム酸化物を主成分
としており、その表面は耐食性に優れ、また、水分の吸
着がきわめて少ないためガス中への不純物の混入をきわ
めて少なくすることができる。
【００２４】なお、不動態膜の表面粗度は、０．５μｍ
以下が好ましく、０．１μｍ以下がより好ましい。な
お、かかる不動態膜は、クロム酸化物を主成分としてい
るが、ニッケル酸化物を含んでおり、このニッケル酸化
物中のニッケルが触媒の作用をなし、不動態膜表面に接
触した水素ガスから水素活性種が生成するものと考えら
れる。
以下が好ましく、０．１μｍ以下がより好ましい。な
お、かかる不動態膜は、クロム酸化物を主成分としてい
るが、ニッケル酸化物を含んでおり、このニッケル酸化
物中のニッケルが触媒の作用をなし、不動態膜表面に接
触した水素ガスから水素活性種が生成するものと考えら
れる。
【００２５】（絶縁膜、半導体）本発明における半導体
としては、例えば、半導体ウエハ、絶縁基体あるいは半
導体ウエハ上に形成された半導体層ががあげられる。
としては、例えば、半導体ウエハ、絶縁基体あるいは半
導体ウエハ上に形成された半導体層ががあげられる。
【００２６】半導体層としては、例えば、シリコン、ゲ
ルマニウム、ＧａＡｓ等の化合物半導体があげられる。
ルマニウム、ＧａＡｓ等の化合物半導体があげられる。
【００２７】また、半導体の結晶状態としては、アモル
ファス、多結晶、単結晶のいずれでもよい。
ファス、多結晶、単結晶のいずれでもよい。
【００２８】一方、絶縁膜としては、例えば、酸化膜、
窒化膜があげられる。この絶縁膜は、加熱により形成し
たもの（例えば、熱酸化膜）、堆積により形成したもの
（堆積酸化膜）、その他の方法で形成したもののいずれ
であってもよい。
窒化膜があげられる。この絶縁膜は、加熱により形成し
たもの（例えば、熱酸化膜）、堆積により形成したもの
（堆積酸化膜）、その他の方法で形成したもののいずれ
であってもよい。
【００２９】（ニッケル、ニッケルを含む材料の温度）
ニッケル、ニッケルを含む材料の温度は、３００℃以上
である。３００℃未満では、水素活性種の発生が十分で
はない。特に、３００℃〜４５０℃が好ましく、３００
℃〜４００℃がさらに好ましい。４５０℃を越えた場
合、水素活性種の発生量は増加するが、他方、ニッケ
ル、ニッケルを含む材料の表面に不動態膜が形成されて
いないような場合にはその表面から不純物が放出され、
その不純物がガス中に混入するおそれがあるからであ
る。
ニッケル、ニッケルを含む材料の温度は、３００℃以上
である。３００℃未満では、水素活性種の発生が十分で
はない。特に、３００℃〜４５０℃が好ましく、３００
℃〜４００℃がさらに好ましい。４５０℃を越えた場
合、水素活性種の発生量は増加するが、他方、ニッケ
ル、ニッケルを含む材料の表面に不動態膜が形成されて
いないような場合にはその表面から不純物が放出され、
その不純物がガス中に混入するおそれがあるからであ
る。
【００３０】（処理温度）本発明において、水素活性種
を含むガスを絶縁膜を有する基体に接触させる際におけ
る基体温度としては、２０〜１２００℃が好ましく、２
０〜６００℃がより好ましく、２０〜４５０℃がさらに
好ましい。
を含むガスを絶縁膜を有する基体に接触させる際におけ
る基体温度としては、２０〜１２００℃が好ましく、２
０〜６００℃がより好ましく、２０〜４５０℃がさらに
好ましい。
【００３１】（ガス）本発明では、ニッケル又はニッケ
ルを含む材料に接触させるガスは、水素ガス又は水素を
含むガスである。水素を含むガスとしては、例えば、水
素ガスと不活性ガス（例えば、Ａｒガス、窒素ガス等）
とを混合したガスを用いればよい。なお、ガス流量には
特に限定されない。
ルを含む材料に接触させるガスは、水素ガス又は水素を
含むガスである。水素を含むガスとしては、例えば、水
素ガスと不活性ガス（例えば、Ａｒガス、窒素ガス等）
とを混合したガスを用いればよい。なお、ガス流量には
特に限定されない。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００３３】（実施例１）図１に、本発明の実施例で用
いたシンタリング装置を示す。
いたシンタリング装置を示す。
【００３４】本例におけるシンタリング装置は、模型単
管シンタリング炉装置である。なお、以下の各実施例の
説明においてお互いに同一又は均等の構成部材は、同一
の符号で示す。
管シンタリング炉装置である。なお、以下の各実施例の
説明においてお互いに同一又は均等の構成部材は、同一
の符号で示す。
【００３５】図１に示すように、本例の装置において、
炉心管１は、炉心管の長手方向の一端側に外部からガス
を導入するためのガス導入口１２を有し、その外側に
は、ガス導入口１２に連通させてガス導入管２が設けら
れている。
炉心管１は、炉心管の長手方向の一端側に外部からガス
を導入するためのガス導入口１２を有し、その外側に
は、ガス導入口１２に連通させてガス導入管２が設けら
れている。
【００３６】本例においては、ガス導入管２は、ニッケ
ル合金（ハステロイＣ：登録商標）で構成されており、
また、ガス導入管２の外側には加熱手段たる加熱源９が
設置されている。
ル合金（ハステロイＣ：登録商標）で構成されており、
また、ガス導入管２の外側には加熱手段たる加熱源９が
設置されている。
【００３７】なお、前記ガス導入管２の材質は、ニッケ
ル鋼の他、ステンレス鋼、ハステロイ等でもよい、すな
わち、少なくともニッケル金属を含む材料であればよ
く、望ましくは炉心管１内を汚染しないために表面処理
（例えばドライ酸素酸化不動態化処理）された材料であ
ればよいことは実施態様の項で述べた通りであり、これ
らについても本例と同様の結果が得られることが確認さ
れている。
ル鋼の他、ステンレス鋼、ハステロイ等でもよい、すな
わち、少なくともニッケル金属を含む材料であればよ
く、望ましくは炉心管１内を汚染しないために表面処理
（例えばドライ酸素酸化不動態化処理）された材料であ
ればよいことは実施態様の項で述べた通りであり、これ
らについても本例と同様の結果が得られることが確認さ
れている。
【００３８】ガス導入管２の上流側にはバルブを介して
図示省略のガス供給系が接続されている。前記加熱源９
としては、電気抵抗加熱ヒータ、赤外線ランプヒータ等
により構成すればよい。
図示省略のガス供給系が接続されている。前記加熱源９
としては、電気抵抗加熱ヒータ、赤外線ランプヒータ等
により構成すればよい。
【００３９】一方、炉心管１内の保持部材たる石英サセ
プタ６上には、被処理物、例えば、シリコン基板５が載
置され、炉心管加熱手段である加熱源４により加熱され
るようになっている。前記加熱源４としては、例えば、
電気抵抗加熱ヒータ、赤外線ランプヒータ等により構成
される。なお、炉心管１及びサセプタ６の材質は、合成
石英、溶融石英の他に、アルミナ、シリコンカーバイ
ト、窒化アルミニウム、窒化ほう素等が挙げられ、シリ
コン基板を汚染しない（例えばナトリウムイオンフリ
ー、重金属フリー、脱ガスフリー、パーティクルフリー
等）材料が望ましい。
プタ６上には、被処理物、例えば、シリコン基板５が載
置され、炉心管加熱手段である加熱源４により加熱され
るようになっている。前記加熱源４としては、例えば、
電気抵抗加熱ヒータ、赤外線ランプヒータ等により構成
される。なお、炉心管１及びサセプタ６の材質は、合成
石英、溶融石英の他に、アルミナ、シリコンカーバイ
ト、窒化アルミニウム、窒化ほう素等が挙げられ、シリ
コン基板を汚染しない（例えばナトリウムイオンフリ
ー、重金属フリー、脱ガスフリー、パーティクルフリー
等）材料が望ましい。
【００４０】以下に図１に示す装置を用いてシンタリン
グを行った例を述べる。
グを行った例を述べる。
【００４１】本例では、シリコン基板５上には、シンタ
リング処理前のＭＯＳダイオードを形成した。
リング処理前のＭＯＳダイオードを形成した。
【００４２】その後、シリコン基板５を、石英サセプタ
６上に設置し、炉心管１の開口部１１の蓋体１０を開
き、ソフトランディング搬送によって炉心管１内に搬入
し、蓋体１０を閉めた。その後、前記加熱源４によって
シリコン基板５を３００℃に加熱した。
６上に設置し、炉心管１の開口部１１の蓋体１０を開
き、ソフトランディング搬送によって炉心管１内に搬入
し、蓋体１０を閉めた。その後、前記加熱源４によって
シリコン基板５を３００℃に加熱した。
【００４３】ガス導入管２に、水素ガスとアルゴンガス
の混合ガスを導入した。なお、この混合ガスは、１０％
の水素ガスとアルゴンガスの混合ガスであり、流量は、
１０００ｃｃ／分に設定した。
の混合ガスを導入した。なお、この混合ガスは、１０％
の水素ガスとアルゴンガスの混合ガスであり、流量は、
１０００ｃｃ／分に設定した。
【００４４】水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを、
加熱源９により４００℃に加熱したガス導入管２の内表
面に接触し、水素活性種を生成させ、ガス導入口１２を
介して炉心管１内に導入した。
加熱源９により４００℃に加熱したガス導入管２の内表
面に接触し、水素活性種を生成させ、ガス導入口１２を
介して炉心管１内に導入した。
【００４５】一方、炉心管１内のシリコン基板５は３０
０℃に加熱し、混合ガスを炉心管１に導入後、３０分間
３００℃に保持することによりシンタリング処理を行っ
た。ガス導入口１２から導入された水素活性種を含む混
合ガスはこのシリコン基板５の表面に接触し、酸化膜中
を拡散し、酸化膜中及び酸化膜／シリコン界面のダング
リングボンドを終端した。
０℃に加熱し、混合ガスを炉心管１に導入後、３０分間
３００℃に保持することによりシンタリング処理を行っ
た。ガス導入口１２から導入された水素活性種を含む混
合ガスはこのシリコン基板５の表面に接触し、酸化膜中
を拡散し、酸化膜中及び酸化膜／シリコン界面のダング
リングボンドを終端した。
【００４６】シンタリング処理後、前記ソフトトランデ
ィング搬送の逆の手順によってシリコン基板５及び石英
サセプタ６を炉心管１から外部に搬出した。
ィング搬送の逆の手順によってシリコン基板５及び石英
サセプタ６を炉心管１から外部に搬出した。
【００４７】その後、シンタリング処理後のシリコン基
板５上のＭＯＳダイオードの界面準位密度を擬定容量−
電圧測定により計測した。その実測例としてシンタリン
グ後の界面−準位密度２×１０９ｃｍ−２ｅＶ−１以下
という結果を得た。
板５上のＭＯＳダイオードの界面準位密度を擬定容量−
電圧測定により計測した。その実測例としてシンタリン
グ後の界面−準位密度２×１０９ｃｍ−２ｅＶ−１以下
という結果を得た。
【００４８】（比較例）一方、前記ガス導入管２を加熱
せずに、活性水素を生成しないこと以外は、他の行程を
前述と同じ条件で、すなわちシリコン基板５の石英サセ
プタ６上への設置、ソフトランディング搬送、水素／ア
ルゴン混合ガス中でのシリコン基板５の３０分間３００
℃での加熱、ソフトランディング搬送による取り出しを
同じ条件で行なったところ、シリコン基板５上にＭＯＳ
ダイオードの界面準位密度は１×１０１０ｃｍ−２ｅＶ
−１であった。
せずに、活性水素を生成しないこと以外は、他の行程を
前述と同じ条件で、すなわちシリコン基板５の石英サセ
プタ６上への設置、ソフトランディング搬送、水素／ア
ルゴン混合ガス中でのシリコン基板５の３０分間３００
℃での加熱、ソフトランディング搬送による取り出しを
同じ条件で行なったところ、シリコン基板５上にＭＯＳ
ダイオードの界面準位密度は１×１０１０ｃｍ−２ｅＶ
−１であった。
【００４９】本発明の実施例における酸化膜／シリコン
界面の界面準位密度は前述した通り２×１０９ｃｍ−２
ｅＶ−１以下であるので、両者を比較すると、本発明の
実施例は 、酸化膜／シリコン界面のダングリングボン
ド数を低減することがわかる。
界面の界面準位密度は前述した通り２×１０９ｃｍ−２
ｅＶ−１以下であるので、両者を比較すると、本発明の
実施例は 、酸化膜／シリコン界面のダングリングボン
ド数を低減することがわかる。
【００５０】（実施例２）実施例２では、図２に示す装
置を用いた。この装置は、水素ガス又は水素活性種とア
ルゴンガスとの混合部２ｃをガス導入管２に設けたもの
である。すなわち、本例では、ガス導入管として、分岐
管２ａ，２ｂを有するガス導入管２を用いた。分岐管２
ａ，２ｂが合流する部分がガスの混合部２ｃとなる。本
例では、分岐管２ａは水素ガス源（図示せず）に接続さ
れ、分岐管２ｂはアルゴンガス源（図示せず）に接続さ
れている。また、本例では、加熱手段９は、分岐管２ａ
の近傍に設けた。もちろん混合部２ｃ近傍に設けてもよ
いことは前述した通りである。
置を用いた。この装置は、水素ガス又は水素活性種とア
ルゴンガスとの混合部２ｃをガス導入管２に設けたもの
である。すなわち、本例では、ガス導入管として、分岐
管２ａ，２ｂを有するガス導入管２を用いた。分岐管２
ａ，２ｂが合流する部分がガスの混合部２ｃとなる。本
例では、分岐管２ａは水素ガス源（図示せず）に接続さ
れ、分岐管２ｂはアルゴンガス源（図示せず）に接続さ
れている。また、本例では、加熱手段９は、分岐管２ａ
の近傍に設けた。もちろん混合部２ｃ近傍に設けてもよ
いことは前述した通りである。
【００５１】本実施例は、ガス混合部をガス導入管に設
けている以外実質的にはその構成及び作用は上記実施例
１と同様である。
けている以外実質的にはその構成及び作用は上記実施例
１と同様である。
【００５２】すなわち、本実施例の場合、上記実施例１
と同様炉心管１から取り出されたシリコン基板５上のＭ
ＯＳダイオードの界面準位密度は２×１０９ｃｍ−２ｅ
Ｖ−１以下であった。
と同様炉心管１から取り出されたシリコン基板５上のＭ
ＯＳダイオードの界面準位密度は２×１０９ｃｍ−２ｅ
Ｖ−１以下であった。
【００５３】（実施例３）実施例３では図３に示す装置
を用いた。この装置は、炉心管１をニッケル金属で構成
したものである。
を用いた。この装置は、炉心管１をニッケル金属で構成
したものである。
【００５４】なお、加熱源４は炉心管１を介して被加熱
部たるシリコン基板を加熱する。
部たるシリコン基板を加熱する。
【００５５】ガス導入管２に流す導入ガスとしての水素
とアルゴンの混合ガスは例えば１０００ｃｃ／分の流量
に設定されるが炉心管１に導入される間に加熱されたニ
ッケル金属に接触することはない。本実施例の場合、反
応処理終了後に炉心管から取り出されたシリコン基板５
上のＭＯＳダイオードの界面準位密度は２×１０９ｃｍ
− ２ｅＶ−１以下であった。
とアルゴンの混合ガスは例えば１０００ｃｃ／分の流量
に設定されるが炉心管１に導入される間に加熱されたニ
ッケル金属に接触することはない。本実施例の場合、反
応処理終了後に炉心管から取り出されたシリコン基板５
上のＭＯＳダイオードの界面準位密度は２×１０９ｃｍ
− ２ｅＶ−１以下であった。
【００５６】なお、縦型に構成されている以外は実質的
にはその構成は、上記実施例１、２、３と同様の実施例
においては、その作用はいずれも上記実施例と同様であ
る。すなわち、上記実施例と同様炉心管１から取り出さ
れたシリコン基板５上のＭＯＳダイオードの界面準位密
度は２×１０９ｃｍ−２ｅＶ−１以下であった。
にはその構成は、上記実施例１、２、３と同様の実施例
においては、その作用はいずれも上記実施例と同様であ
る。すなわち、上記実施例と同様炉心管１から取り出さ
れたシリコン基板５上のＭＯＳダイオードの界面準位密
度は２×１０９ｃｍ−２ｅＶ−１以下であった。
【００５７】図４は、実施例１に係る装置で形成したＭ
ＯＳＦＥＴと従来の装置で形成したＭＯＳＦＥＴのホッ
トエレクトロン耐性を示すグラフである。図４の横軸は
注入したホットエレクトロンの数を表し、縦軸はしきい
値電圧のシフト量を表している。酸化膜の厚さは１０ｎ
ｍである。ゲート電極としてはｎ＋型多結晶シリコンが
使用されている。
ＯＳＦＥＴと従来の装置で形成したＭＯＳＦＥＴのホッ
トエレクトロン耐性を示すグラフである。図４の横軸は
注入したホットエレクトロンの数を表し、縦軸はしきい
値電圧のシフト量を表している。酸化膜の厚さは１０ｎ
ｍである。ゲート電極としてはｎ＋型多結晶シリコンが
使用されている。
【００５８】実施例１に係る装置で形成したＭＯＳＦＥ
Ｔは、１×１０１７のホットエレクトロンを注入しても
しきい値電圧のシフト量は０．０３Ｖと小さい。一方、
従来の装置で形成したＭＯＳＦＥＴは、しきい値電圧が
０．２Ｖと大きくシフトしている。すなわち、実施例１
に係る装置で形成したＭＯＳＦＥＴは高い信頼性を示す
ことがわかった。
Ｔは、１×１０１７のホットエレクトロンを注入しても
しきい値電圧のシフト量は０．０３Ｖと小さい。一方、
従来の装置で形成したＭＯＳＦＥＴは、しきい値電圧が
０．２Ｖと大きくシフトしている。すなわち、実施例１
に係る装置で形成したＭＯＳＦＥＴは高い信頼性を示す
ことがわかった。
【００５９】図５は、実施例１に係る装置で形成したＭ
ＯＳＦＥＴ型ＴＦＴと従来の装置で形成したＭＯＳＦＥ
Ｔ型ＴＦＴのサブスレシュホールド特性を示すグラフで
ある。図５の横軸は、ゲート電圧を表し、横軸はドレイ
ン電流を表している。基板としては、シリコンウエハ上
に酸化膜を形成し、酸化膜上にｐ型多結晶シリコンを形
成している。ＭＯＳＦＥＴは、多結晶シリコン上に形成
している。前記多結晶シリコンは、酸化膜の他、ガラス
上に形成される。ゲート電極としてはｎ＋型多結晶シリ
コンが使用されている。ＭＯＳＦＥＴのチャネル長さは
２μｍ、チャネル幅は１００μｍである。ドレイン電圧
としては、５Ｖが印加されている。
ＯＳＦＥＴ型ＴＦＴと従来の装置で形成したＭＯＳＦＥ
Ｔ型ＴＦＴのサブスレシュホールド特性を示すグラフで
ある。図５の横軸は、ゲート電圧を表し、横軸はドレイ
ン電流を表している。基板としては、シリコンウエハ上
に酸化膜を形成し、酸化膜上にｐ型多結晶シリコンを形
成している。ＭＯＳＦＥＴは、多結晶シリコン上に形成
している。前記多結晶シリコンは、酸化膜の他、ガラス
上に形成される。ゲート電極としてはｎ＋型多結晶シリ
コンが使用されている。ＭＯＳＦＥＴのチャネル長さは
２μｍ、チャネル幅は１００μｍである。ドレイン電圧
としては、５Ｖが印加されている。
【００６０】実施例１に係る装置で形成したＭＯＳＦＥ
Ｔ型ＴＦＴは、ゲート電圧が０Ｖの場合ドレイン電流１
×１０−１３Ａ以下である。一方、従来の装置で形成し
たＭＯ ＳＦＥＴ型ＴＦＴは、ゲート電圧が０Ｖでも１
×１０−７Ａ以上の電流が流れている。本発明の装置で
形成したＭＯＳＦＥＴ型ＴＦＴでは、ゲート酸化膜／多
結晶シリコン界面のダングリングボンドが水素で終端さ
れ、かつチャネルを形成する多結晶シリコンの粒界のダ
ングリングボンドが水素で終端されるため、ドレイン電
流を低減できている。そのため、実施例１に係る装置で
形成したＭＯＳＦＥＴ型ＴＦＴのサブスレシュホールド
特性が向上している。すなわち、実施例１に係る装置で
形成したＭＯＳＦＥＴ型ＴＦＴは高い性能及び高い信頼
性を示すことがわかった。
Ｔ型ＴＦＴは、ゲート電圧が０Ｖの場合ドレイン電流１
×１０−１３Ａ以下である。一方、従来の装置で形成し
たＭＯ ＳＦＥＴ型ＴＦＴは、ゲート電圧が０Ｖでも１
×１０−７Ａ以上の電流が流れている。本発明の装置で
形成したＭＯＳＦＥＴ型ＴＦＴでは、ゲート酸化膜／多
結晶シリコン界面のダングリングボンドが水素で終端さ
れ、かつチャネルを形成する多結晶シリコンの粒界のダ
ングリングボンドが水素で終端されるため、ドレイン電
流を低減できている。そのため、実施例１に係る装置で
形成したＭＯＳＦＥＴ型ＴＦＴのサブスレシュホールド
特性が向上している。すなわち、実施例１に係る装置で
形成したＭＯＳＦＥＴ型ＴＦＴは高い性能及び高い信頼
性を示すことがわかった。
【００６１】なお、実施例２、実施例３に係る装置で処
理した場合においても図４、図５に示すと同様な結果が
得られている。
理した場合においても図４、図５に示すと同様な結果が
得られている。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、信頼性の高い半導体装
置を製造することができる。こうした特徴を持つ本発明
の方法により、超微細化半導体デバイスを実現すること
ができる。
置を製造することができる。こうした特徴を持つ本発明
の方法により、超微細化半導体デバイスを実現すること
ができる。
【図１】実施例１において用いた熱処理装置の概略構成
図である。
図である。
【図２】実施例２において用いたる熱処理装置の概略構
成図である。
成図である。
【図３】実施例３において用いた熱処理装置の概略構成
図である
図である
【図４】実施例１において形成したＭＯＳＦＥＴと従来
の技術で形成したＭＯＳＦＥＴのホットエレクトロン耐
性を示すグラフである。
の技術で形成したＭＯＳＦＥＴのホットエレクトロン耐
性を示すグラフである。
【図５】実施例１において形成したＭＯＳＦＥＴ型ＴＦ
Ｔトランジスタと従来の技術で形成したＭＯＳＦＥＴ型
ＴＦＴトランジスタのサブスレシュホールド特性を示す
グラフである。
Ｔトランジスタと従来の技術で形成したＭＯＳＦＥＴ型
ＴＦＴトランジスタのサブスレシュホールド特性を示す
グラフである。
１ 炉心管、 ２ ガス導入管、 ２ａ 分岐管、 ２ｂ 分岐管、 ２ｃ 混合部、 ４ 炉心管加熱手段（加熱源）、 ５ シリコン基板（被処理物）、 ６ サセプタ、 ７ バルブ、 ９ ガス導入管を加熱するための加熱手段（加熱源）
部、 １０ シャッター、 １１ 開口部、 １２ ガス導入口。
部、 １０ シャッター、 １１ 開口部、 １２ ガス導入口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/318 Ｂ 8518−4Ｍ 21/324 Ｚ 8617−4Ｍ 23/29 23/31
Claims (12)
- 【請求項１】 絶縁膜／半導体界面を有する半導体装置
の製造方法において、該絶縁膜に、プラズマを伴わない
水素活性種を接触させることを特徴とする半導体の製造
方法。 - 【請求項２】 前記プラズマを伴わない水素活性種は、
３００℃以上の温度に加熱したニッケルまたはニッケル
を含む材料に、水素ガスまたは水素を含むガスを接触さ
せて生成させることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記水素を含むガスは水素と不活性ガス
の混合ガスである請求項２に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 前記不活性ガスは窒素もしくはアルゴン
またはこれらの混合ガスである請求項３に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁膜を２０〜１２００℃の温度で
加熱することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいず
れか１項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記絶縁膜を２０〜６００℃の温度で加
熱することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項７】 前記絶縁膜をを２０〜４５０℃の温度で
加熱することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項８】 前記絶縁膜はシリコン酸化膜であること
を特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記シリコン酸化膜はシリコン熱酸化シ
リコン酸化膜もしくは堆積シリコン酸化膜またはこれら
の窒化処理された膜である請求項８に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項１０】 前記半導体は、シリコンウエハまたは
絶縁基体もしくはシリコンウエハ上に形成されたシリコ
ン層であることを特徴とする請求項１ないし請求項９の
いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記シリコン層はアモルファスシリコ
ン層、多結晶シリコン層または単結晶シリコン層である
ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１２】 半導体装置の配線部をニッケルまたは
ニッケル合金により形成し、水素ガスまたは水素を含む
ガスを該配線部に接触させることにより水素活性種を生
成せしめることを特徴とする請求項２記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33426091A JPH05144804A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
| EP19920924004 EP0614216A4 (en) | 1991-11-22 | 1992-11-24 | APPARATUS FOR FORMING AN OXIDE FILM, HOT PROCESSING APPARATUS, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF. |
| PCT/JP1992/001534 WO1993010556A1 (en) | 1991-11-22 | 1992-11-24 | Apparatus for forming oxide film, heat treatment apparatus, semiconductor device, manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33426091A JPH05144804A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144804A true JPH05144804A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18275354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33426091A Pending JPH05144804A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144804A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995005004A1 (fr) * | 1993-08-09 | 1995-02-16 | Tadahiro Ohmi | Procede et appareil de lavage de plaquettes |
| WO1995015006A1 (fr) * | 1993-11-22 | 1995-06-01 | Tadahiro Ohmi | Appareil de lavage, appareil de production de semi-conducteurs et chaine de production de semi-conducteurs |
| US5766977A (en) * | 1995-03-27 | 1998-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US6239041B1 (en) | 1997-03-05 | 2001-05-29 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7049187B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-23 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of polymetal gate electrode |
| US7053459B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP33426091A patent/JPH05144804A/ja active Pending
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995005004A1 (fr) * | 1993-08-09 | 1995-02-16 | Tadahiro Ohmi | Procede et appareil de lavage de plaquettes |
| EP0714120A1 (en) * | 1993-08-09 | 1996-05-29 | OHMI, Tadahiro | Method and apparatus for wafer washing |
| EP0714120A4 (en) * | 1993-08-09 | 1997-01-22 | Tadahiro Ohmi | WAFER WASHING METHOD AND APPARATUS |
| US6003243A (en) * | 1993-08-09 | 1999-12-21 | Ohmi; Tadahiro | Wafer cleaning apparatus and method thereof |
| WO1995015006A1 (fr) * | 1993-11-22 | 1995-06-01 | Tadahiro Ohmi | Appareil de lavage, appareil de production de semi-conducteurs et chaine de production de semi-conducteurs |
| US5766977A (en) * | 1995-03-27 | 1998-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US6596650B2 (en) | 1997-03-05 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6962880B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-11-08 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6518201B1 (en) | 1997-03-05 | 2003-02-11 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6518202B2 (en) | 1997-03-05 | 2003-02-11 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6528431B2 (en) | 1997-03-05 | 2003-03-04 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit drive using an oxygen and hydrogen catalyst |
| US6569780B2 (en) | 1997-03-05 | 2003-05-27 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6239041B1 (en) | 1997-03-05 | 2001-05-29 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6855642B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-02-15 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6962881B2 (en) | 1997-03-05 | 2005-11-08 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US6417114B2 (en) | 1997-03-05 | 2002-07-09 | Hitachi, Ltd. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7008880B2 (en) | 1997-03-05 | 2006-03-07 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7799690B2 (en) | 1997-03-05 | 2010-09-21 | Renesas Electronics Corporation | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7053007B2 (en) | 1997-03-05 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7250376B2 (en) | 1997-03-05 | 2007-07-31 | Renesas Technology Corp. | Method for fabricating semiconductor integrated circuit device |
| US7144766B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-12-05 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device having polymetal gate electrode |
| US7053459B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-30 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same |
| US7300833B2 (en) | 2001-03-12 | 2007-11-27 | Renesas Technology Corp. | Process for producing semiconductor integrated circuit device |
| US7375013B2 (en) | 2001-03-12 | 2008-05-20 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same |
| US7632744B2 (en) | 2001-03-12 | 2009-12-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same |
| US7049187B2 (en) | 2001-03-12 | 2006-05-23 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of polymetal gate electrode |
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