JPH08264593A - テープボンディング装置 - Google Patents
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Abstract
度のボンディングが行える。 【構成】上クランパ3にはエア又は水が流される流体通
路11が形成され、下クランパ4にはパイプ15により
エア14が吹き付けられる。
Description
に設けられた複数のリードと半導体ペレット上のバンプ
又はバンプ単体とをボンディングするテープボンディン
グ装置に関する。
例えば特公平2−3543号公報、特公平4−5818
3号公報、特開平2−273950号公報等に示すもの
が知られている。このようなテープボンディング装置
は、図5に示すような構造となっている。即ち、図6に
示すように複数のリード1が一定間隔に設けられたタブ
テープ2がボンディングポジションに設けられた上クラ
ンパ3に沿って送られ、タブテープ2のリード1がボン
ディングポジションに位置決めされると、下クランパ4
が上昇してタブテープ2を上クランパ3に押し付ける。
この状態でタブテープ2のリード1の位置が図示しない
カメラにより検出される。一方、バンプ5を有する半導
体ペレット6はステージ7に位置決め載置されており、
半導体ペレット6のバンプ5の位置は、前記したリード
1の位置を検出するカメラでリード1の位置と同時に検
出されるか、または別に設けたカメラで予め検出され
る。
ブテープ2と半導体ペレット6とを相対的に移動させて
リード1とバンプ5とを整合させる。そして、ツール8
でタブテープ2のリード1を押し下げ、リード1を半導
体ペレット6のバンプ5に押し付けてボンディングして
いる。かかるテープボンディング装置においては、前記
した公報には開示されていないが、リード1とバンプ5
との接合を良くするために、ステージ7及びツール8に
ヒータを設けて加熱している。
ディングされるリード1とバンプ5との位置がカメラで
認識された後に両者がボンディングされるが、ステージ
7及びツール8は加熱されているので、該ステージ7及
びツール8の放射熱により上クランパ3及び下クランパ
4が加熱され、上クランパ3及び下クランパ4がある温
度になるとリード1に熱が伝わり、リード1が加熱膨張
する。しかるに、リード1とバンプ5とのボンディング
は、リード1及びバンプ5の位置がカメラで認識され、
その検出結果によって位置ずれが修正された後に行うの
で、カメラによる認識時とボンディング時とでリード1
とバンプ5との合わせ状態が異なり、精度良くボンディ
ングできなくなる。特に最近、タブテープ2のリード1
のファインピッチ化によりリード幅が細く、厚さが薄く
なっていく傾向にあり、リード1の熱変形が大きな問題
となることが判明した。
えることができ、高精度のボンディングが行えるテープ
ボンディング装置を提供することにある。
の本発明の第1の手段は、タブテープを上クランパと下
クランパでクランプするテープクランプ機構と、このテ
ープクランプ機構の下方に配置され前記タブテープに設
けられたリードにボンディングされる半導体ペレット等
を載置するステージと、前記クランパ機構の上方に上下
動可能に配設されたツールとを備えたテープボンディン
グ装置において、前記上クランパ及び前記下クランパを
冷却する冷却手段を設けたことを特徴とする。
手段は、上記第1の手段において、前記上クランパを冷
却する冷却手段は、前記上クランパのボンディング窓を
囲むように該上クランパの内部に形成された流体通路
と、この流体通路に流体を供給する液供給手段とからな
り、前記下クランパを冷却する冷却手段は、前記下クラ
ンパにエアを吹き付けるエア吹き付け手段からなること
を特徴とする。
手段は、上記第1の手段において、前記上クランパを冷
却する冷却手段は、前記上クランパのボンディング窓を
囲むように該上クランパの内部に形成されたエア通路
と、このエア通路にエアを供給するエア供給手段とから
なり、前記下クランパを冷却する冷却手段は、前記上ク
ランパの下面より前記エア通路に連通するように形成さ
れたエア吹き出し穴からなることを特徴とする。
手段は、上記第1の手段において、前記上クランパを冷
却する冷却手段は、前記上クランパの上面にガイドカバ
ーを固定し、このガイドカバーの下面又は前記上クラン
パの上面の少なくとも一方に前記上クランパのボンディ
ング窓を囲むように形成された凹状溝によるエア通路
と、このエア通路にエアを供給するエア供給手段とから
なり、前記下クランパを冷却する冷却手段は、前記上ク
ランパの下面より前記エア通路に連通するように形成さ
れたエア吹き出し穴からなることを特徴とする。
手段は、上記第1の手段において、前記上クランパを冷
却する冷却手段は、前記上クランパの上面にガイドカバ
ーを固定し、このガイドカバーの下面又は前記上クラン
パの上面の少なくとも一方に前記上クランパのボンディ
ング窓を囲むように形成された凹状溝によるエア通路
と、このエア通路にエアを供給するエア供給手段とから
なり、前記下クランパを冷却する冷却手段は、前記上ク
ランパの下面より前記エア通路に連通するように形成さ
れたエア吹き出し穴からなることを特徴とする。
却手段によって冷却されるので、上クランパ及び下クラ
ンパによるリードの熱膨張が防止される。特に第3及び
第5の手段は、エア吹き出し穴により吹き出すエアによ
ってタブテープも冷却されるので、より効果的にリード
の熱膨張が防止される。
する。なお、図5と同じ又は相当部材には同一符号を付
して説明する。上クランパ3の内部には、該上クランパ
3に設けられたボンディング窓10を囲むように流体通
路11が形成され、この流体通路11の両端は上クラン
パ3の側面に伸びている。流体通路11の両端にはそれ
ぞれパイプ12、13の一端が接続され、パイプ12の
他端はエア供給源又は水供給源に接続されている。また
下クランパ4の下方には、該下クランパ4にエア14を
吹き付けるパイプ15が配設されている。
はエア又は水が常時又は定期的に供給され、上クランパ
3に設けられた流体通路11にエア又は水が流れる。ま
た下クランパ4には、常時又は定期的にパイプ15より
エア14を吹き付ける。これにより、ステージ7及びツ
ール8の加熱による放射熱によって上クランパ3及び下
クランパ4が加熱されるのが防止される。
4は冷却されるので、上クランパ3及び下クランパ4に
よってタブテープ2のリード1が加熱されて熱膨張する
のが防止される。即ち、下クランパ4が上昇してタブテ
ープ2を上クランパ3に押し付け、カメラによりタブテ
ープ2のリード1の位置ずれを検出する時と、その後ツ
ール8が下降してボンディングする時とで両者の合わせ
状態が変わらなく、高精度のボンディングが行える。
ンパ3には、ボンディング窓10を囲むようにループ状
のエア通路20が形成され、上クランパ3の上面にはエ
ア通路20にエアを供給するパイプ21、22が接続さ
れている。また上クランパ3の下面には、エア通路20
に連通する複数個のエア吹き出し穴23が設けられてい
る。このエア吹き出し穴23は、タブテープ2に設けら
れた穴、例えば図6に示すリード1間の隙間1aに対応
した位置に設ける。
エア通路20を流れるエアにより、上クランパ3は冷却
され、またエア吹き出し穴23より下方に吹き出すエア
24によって下クランパ4も冷却されるので、前記実施
例と同様の効果が得られる。また本実施例の場合は、エ
ア24によって下クランパ4のみでなくタブテープ2も
冷却されるので、より効果的にリード1の熱膨張が防止
される。
実施例は、上クランパ3の内部に流体通路11又はエア
通路20を形成した。本実施例は、上クランパ3にガイ
ドカバー30を固定し、このガイドカバー30の下面に
は、ボンディング窓10を囲むように凹状溝31と、こ
の凹状溝31より外側に伸びた凹状溝32とを形成し
た。従って、凹状溝31と上クランパ3との上面でエア
通路20を形成し、凹状溝32と上クランパ3との上面
でエア排気路33を形成する。またエア通路20にエア
を供給するパイプ21、22は、ガイドカバー30に固
定した。また下クランパ4は、前記第1実施例(図1)
と同様に、パイプ15より吹き出すエア14によって冷
却されるようになっている。このように形成しても前記
第1実施例と同様の効果が得られる。なお、凹状溝3
1、32は上クランパ3の上面に、またはガイドカバー
30の下面と上クランパ3の上面の両方に形成してもよ
い。
例は、前記第3実施例(図3)に前記第2実施例(図
2)を採り入れたものである。従って、本実施例の場合
は、凹状溝32は設けられていない。即ち、上クランパ
3にはエア通路20に連通するようにエア吹き出し穴2
3が設けられている。このように形成しても前記第2実
施例と同様の効果が得られる。
図4)においては、タブテープ2、半導体ペレット6及
びステージ7は図示省略したが、前記第1実施例(図
1)と同様に設けられていることは言うまでもない。ま
た前記第2及び第4実施例(図2及び図4)において、
エア24のみによっては下クランパ4を充分に冷却する
ことができない場合は、前記第1及び第3実施例と同様
にパイプ15を設けてもよい。また前記各実施例は、タ
ブテープ2のリード1に半導体ペレット6のバンプ5を
ボンディングする場合について説明したが、リード1に
バンプ単体をボンディングする場合にも適用できる。ま
た前記各実施例は、タブテープ2のリード1を一度にバ
ンプ5にボンディングする、所謂ギャングボンディング
の場合について説明したが、対応するリード1とバンプ
5とを個別にボンディングする、所謂シングルポイント
ボンディングの場合にも適用できる。
ンパを冷却する冷却手段を設けたので、リードの熱膨張
を極力抑えることができ、高精度のボンディングが行え
る。
を示し、(a)は要部断面図、(b)は上クランパの平
面図である。
を示し、(a)は(b)のA−A線要部断面図、(b)
は上クランパの平面図である。
を示し、(a)は要部断面図、(b)は上クランパの平
面図である。
を示し、(a)は(b)のB−B線要部断面図、(b)
は上クランパの平面図である。
ある。
手段は、上記第1の手段において、前記上クランパを冷
却する冷却手段は、前記上クランパの上面にガイドカバ
ーを固定し、このガイドカバーの下面又は前記上クラン
パの上面の少なくとも一方に前記上クランパのボンディ
ング窓を囲むように形成された凹状溝によるエア通路
と、このエア通路にエアを供給するエア供給手段とから
なり、前記下クランパを冷却する冷却手段は、前記下ク
ランパにエアを吹き付けるエア吹き付け手段からなるこ
とを特徴とする。
手段は、上記第1の手段において、前記上クランパを冷
却する冷却手段は、前記上クランパのボンディング窓を
囲むように該上クランパの内部に形成された流体通路
と、この流体通路に流体を供給する流体供給手段とから
なり、前記下クランパを冷却する冷却手段は、前記下ク
ランパにエアを吹き付けるエア吹き付け手段からなるこ
とを特徴とする。
Claims (5)
- 【請求項1】 タブテープを上クランパと下クランパで
クランプするテープクランプ機構と、このテープクラン
プ機構の下方に配置され前記タブテープに設けられたリ
ードにボンディングされる半導体ペレット等を載置する
ステージと、前記クランパ機構の上方に上下動可能に配
設されたツールとを備えたテープボンディング装置にお
いて、前記上クランパ及び前記下クランパを冷却する冷
却手段を設けたことを特徴とするテープボンディング装
置。 - 【請求項2】 前記上クランパを冷却する冷却手段は、
前記上クランパのボンディング窓を囲むように該上クラ
ンパの内部に形成された流体通路と、この流体通路に流
体を供給する液供給手段とからなり、前記下クランパを
冷却する冷却手段は、前記下クランパにエアを吹き付け
るエア吹き付け手段からなることを特徴とする請求項1
記載のテープボンディング装置。 - 【請求項3】 前記上クランパを冷却する冷却手段は、
前記上クランパのボンディング窓を囲むように該上クラ
ンパの内部に形成されたエア通路と、このエア通路にエ
アを供給するエア供給手段とからなり、前記下クランパ
を冷却する冷却手段は、前記上クランパの下面より前記
エア通路に連通するように形成されたエア吹き出し穴か
らなることを特徴とする請求項1記載のテープボンディ
ング装置。 - 【請求項4】 前記上クランパを冷却する冷却手段は、
前記上クランパの上面にガイドカバーを固定し、このガ
イドカバーの下面又は前記上クランパの上面の少なくと
も一方に前記上クランパのボンディング窓を囲むように
形成された凹状溝によるエア通路と、このエア通路にエ
アを供給するエア供給手段とからなり、前記下クランパ
を冷却する冷却手段は、前記上クランパの下面より前記
エア通路に連通するように形成されたエア吹き出し穴か
らなることを特徴とする請求項1記載のテープボンディ
ング装置。 - 【請求項5】 前記上クランパを冷却する冷却手段は、
前記上クランパの上面にガイドカバーを固定し、このガ
イドカバーの下面又は前記上クランパの上面の少なくと
も一方に前記上クランパのボンディング窓を囲むように
形成された凹状溝によるエア通路と、このエア通路にエ
アを供給するエア供給手段とからなり、前記下クランパ
を冷却する冷却手段は、前記上クランパの下面より前記
エア通路に連通するように形成されたエア吹き出し穴か
らなることを特徴とする請求項1記載のテープボンディ
ング装置。
Priority Applications (4)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030021896A (ko) * | 2001-09-10 | 2003-03-15 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임 변형 방지와 접착력 개선을 위한 다이 접착장치 및 방법 |
WO2009057482A1 (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体実装装置および半導体実装方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG91867A1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-10-15 | Casem Asia Pte Ltd | Improved apparatus and method for dispensing solder |
KR20040061250A (ko) * | 2002-12-30 | 2004-07-07 | 삼성전자주식회사 | 핀 커넥터에 접합 가능한 인쇄 회로 기판 및 그 제조 방법 |
US7026582B2 (en) * | 2003-05-07 | 2006-04-11 | Visteon Global Technologies, Inc. | Vector transient reflow of lead free solder for controlling substrate warpage |
US8698262B2 (en) * | 2004-09-14 | 2014-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip and manufacturing method of the same |
US7578423B1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-08-25 | Asm Technology Singapore Pte Ltd. | Assembly for reducing oxidation of semiconductor devices |
US8752751B2 (en) * | 2012-07-13 | 2014-06-17 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Lead frame support plate and window clamp for wire bonding machines |
KR102317839B1 (ko) * | 2018-12-27 | 2021-10-26 | 주식회사 케이티앤지 | 에어로졸 생성 장치 |
KR102253048B1 (ko) * | 2019-04-25 | 2021-05-17 | 주식회사 케이티앤지 | 에어로졸 생성 장치의 충전 시스템 |
US11826861B1 (en) * | 2020-08-12 | 2023-11-28 | Sion Power Corporation | Joining systems, clamping fixtures, and related systems and methods |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4359623A (en) * | 1981-01-05 | 1982-11-16 | Western Electric Company, Inc. | Method and apparatus for bonding terminals to electrical devices |
US4976393A (en) * | 1986-12-26 | 1990-12-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and production process thereof, as well as wire bonding device used therefor |
US4850250A (en) * | 1987-12-07 | 1989-07-25 | General Motors Corporation | Brake-initiated release of an electric motor driven cruise control system |
JPH02273950A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Shinkawa Ltd | テープボンデイング装置 |
JP3050396B2 (ja) * | 1990-06-27 | 2000-06-12 | 株式会社日立メデイコ | シンチレーシヨンカメラ |
-
1995
- 1995-03-22 JP JP08767695A patent/JP3218380B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-24 TW TW086206156U patent/TW367101U/zh unknown
- 1996-03-11 KR KR1019960006315A patent/KR100191556B1/ko not_active IP Right Cessation
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030021896A (ko) * | 2001-09-10 | 2003-03-15 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임 변형 방지와 접착력 개선을 위한 다이 접착장치 및 방법 |
WO2009057482A1 (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体実装装置および半導体実装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3218380B2 (ja) | 2001-10-15 |
US5622304A (en) | 1997-04-22 |
KR100191556B1 (ko) | 1999-06-15 |
TW367101U (en) | 1999-08-11 |
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