JPS62169340A - 半導体装置組立用ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
半導体装置組立用ワイヤボンデイング装置Info
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- JPS62169340A JPS62169340A JP61010603A JP1060386A JPS62169340A JP S62169340 A JPS62169340 A JP S62169340A JP 61010603 A JP61010603 A JP 61010603A JP 1060386 A JP1060386 A JP 1060386A JP S62169340 A JPS62169340 A JP S62169340A
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
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- H01L2924/1015—Shape
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置組立用ワイヤボンディング装置に関
する。
する。
従来、この種の半導体装置組立用ワイヤポンディグ装置
の送り装置はリードフレームを一駒づつインデエックス
送りされ、リードフレームの周辺にはインデエックス送
り用の孔と装置との相対的な位置決めをするための位置
決め孔を設けている。
の送り装置はリードフレームを一駒づつインデエックス
送りされ、リードフレームの周辺にはインデエックス送
り用の孔と装置との相対的な位置決めをするための位置
決め孔を設けている。
リードフレームの位置決めは、位置決め孔の中にテーパ
状の位置決めビンを挿入することによってリードフレー
ムの位置を決める構造を取っているのが一般的である＠ 第３図、第４図に従来のワイヤボンディング装置の一例
を示す。第３図、第４図に示すように送りづめ１は上下
運動し角穴２に挿入することでリードフレーム６を矢印
３の方向にガイドレール９に沿って送る。このときテー
パ状の位置決めビン４は下方にあるが、リードフレーム
６の送りが完了すると同時に位置決めビン４は上昇し位
置決め用の丸穴７に挿入されリードフレーム６の位置決
めが行われヒータープレート５によりリードフレームは
加熱されて半導体素子８のワイヤボンディングが開始さ
れ、以後、この一連の動作がくりかえされる。
状の位置決めビンを挿入することによってリードフレー
ムの位置を決める構造を取っているのが一般的である＠ 第３図、第４図に従来のワイヤボンディング装置の一例
を示す。第３図、第４図に示すように送りづめ１は上下
運動し角穴２に挿入することでリードフレーム６を矢印
３の方向にガイドレール９に沿って送る。このときテー
パ状の位置決めビン４は下方にあるが、リードフレーム
６の送りが完了すると同時に位置決めビン４は上昇し位
置決め用の丸穴７に挿入されリードフレーム６の位置決
めが行われヒータープレート５によりリードフレームは
加熱されて半導体素子８のワイヤボンディングが開始さ
れ、以後、この一連の動作がくりかえされる。
しかし、このような従来の装置では熱膨張の大きな材質
のリードフレームを流す場合、位置決め丸穴間１０距離
や送り角穴間１１距離がリードフレーム６の材質熱伝導
率や熱膨張係数の違いにより変化してしまうのは明白で
あり、送り精度が劣化し歩留りを低下させる。
のリードフレームを流す場合、位置決め丸穴間１０距離
や送り角穴間１１距離がリードフレーム６の材質熱伝導
率や熱膨張係数の違いにより変化してしまうのは明白で
あり、送り精度が劣化し歩留りを低下させる。
また、銅系の材料でなるリードフレームの場合はヒータ
ープレート５に接している部分だけが加熱されるため、
部分的に熱膨張する。一方、ヒータープレート５に接し
ない部分はあまり熱膨張しないため、リードフレーム６
内部に熱応力が生じ、変形を起こし全くボンディングが
不可能になったり、ボンディング後の変形によりワイヤ
の破断を起こすことがあった。
ープレート５に接している部分だけが加熱されるため、
部分的に熱膨張する。一方、ヒータープレート５に接し
ない部分はあまり熱膨張しないため、リードフレーム６
内部に熱応力が生じ、変形を起こし全くボンディングが
不可能になったり、ボンディング後の変形によりワイヤ
の破断を起こすことがあった。
特に半導体素子８が加熱されることによりＩＪ−ドフレ
ーム６のタブリード１５に熱伝導することでタブリード
１５の長さがリードフレーム６のタブリードと同等な部
分１２、すなわちタブリード１５と同等なリードフレー
ム６０幅方向の長さより熱膨張し長くなるため、熱膨張
部だけ半導体素子８が浮いてしまったり、またはタブリ
ード１５が極端に細い場合等は、矢印１３のように半導
体素子８が回転することで熱膨張分を吸収するためワイ
ヤボンディングの位置ずれが生じ歩留りを劣化させると
いう欠点があった。
ーム６のタブリード１５に熱伝導することでタブリード
１５の長さがリードフレーム６のタブリードと同等な部
分１２、すなわちタブリード１５と同等なリードフレー
ム６０幅方向の長さより熱膨張し長くなるため、熱膨張
部だけ半導体素子８が浮いてしまったり、またはタブリ
ード１５が極端に細い場合等は、矢印１３のように半導
体素子８が回転することで熱膨張分を吸収するためワイ
ヤボンディングの位置ずれが生じ歩留りを劣化させると
いう欠点があった。
本発明の目的はリードフレームの変形を抑えて良好なワ
イヤボンディングを行う半導体装置組立用ワイヤボンデ
ィング装置を提供することにある。
イヤボンディングを行う半導体装置組立用ワイヤボンデ
ィング装置を提供することにある。
本発明は１駒ずつインデックス送りされるリードフレー
ムのアイランドをボンディング処理位置に位置決めし、
リードフレームの該アイランドをヒータープレートで加
熱しつつ該アイランド上の半導体素子にワイヤボンディ
ング処理を行う半導体装置組立用ワイヤボンディング装
置において、リードフレームの送り方向に沿ってリード
フレームの外周を冷却する冷却部を設置し、かつリード
フレームのタブリードに対応するヒータープレートの加
熱面を切り取り、該ヒータープレートをボンディング処
理位置に設置するとともに、その手前のアイランドに対
応する位置に該ヒータープレートを予備加熱用として設
置したことを特徴とする半導体装置組立用ワイヤボンデ
ィング装置である。
ムのアイランドをボンディング処理位置に位置決めし、
リードフレームの該アイランドをヒータープレートで加
熱しつつ該アイランド上の半導体素子にワイヤボンディ
ング処理を行う半導体装置組立用ワイヤボンディング装
置において、リードフレームの送り方向に沿ってリード
フレームの外周を冷却する冷却部を設置し、かつリード
フレームのタブリードに対応するヒータープレートの加
熱面を切り取り、該ヒータープレートをボンディング処
理位置に設置するとともに、その手前のアイランドに対
応する位置に該ヒータープレートを予備加熱用として設
置したことを特徴とする半導体装置組立用ワイヤボンデ
ィング装置である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図、第２図において、本発明装置はリードフレーム
６の送り方向に沿ってパイプ１４を設け、パイプ１４か
ら乾燥空気またはＮ２等の気体をふき出すことでリード
フレーム６を冷却する。気体でリードフレーム６の外周
が冷却されるため、一定の温度に保持される。したがっ
て位置決め九人間１０距離や送り角穴間１１距離が変化
しないため、送り精度が極めて向上するので、歩留りが
向上する。
６の送り方向に沿ってパイプ１４を設け、パイプ１４か
ら乾燥空気またはＮ２等の気体をふき出すことでリード
フレーム６を冷却する。気体でリードフレーム６の外周
が冷却されるため、一定の温度に保持される。したがっ
て位置決め九人間１０距離や送り角穴間１１距離が変化
しないため、送り精度が極めて向上するので、歩留りが
向上する。
さらにボンディング用ヒータープレート５は長方形でな
く、リードフレーム６のタブリード１５直下のプレート
５の加熱面５αを切削して切り取っである。尚タブリー
ド真下のプレート加熱面５ｃＬを切り取るのにプレート
を切削したが、これに限らず、凹状にしてもよい。
く、リードフレーム６のタブリード１５直下のプレート
５の加熱面５αを切削して切り取っである。尚タブリー
ド真下のプレート加熱面５ｃＬを切り取るのにプレート
を切削したが、これに限らず、凹状にしてもよい。
本発明はタブリード真下にプレート５の加熱面が存在し
ないため、タブリード５が加熱されず、タブリード５が
リードフレーム６のタブリード５と同等な部分１２すな
わちタブリード以上にリードフレームの幅方向が熱膨張
するので、半導体素子８が浮いｆＣ，りまたは回転する
ことがないため、良好なボンディングが可能である。さ
らに前記ヒータープレート５と同一構造のヒータープレ
ート５をボンディング部より手前に少なくとも１つ前の
半導体素子８の加熱用として設置し、これに温度勾配を
もたせボンディング部より１つ手前の半導体素子部の温
度を低くすることによりリードフレーム６全体を徐々に
加熱しリードフレーム６全体が均一の温度に加熱する。
ないため、タブリード５が加熱されず、タブリード５が
リードフレーム６のタブリード５と同等な部分１２すな
わちタブリード以上にリードフレームの幅方向が熱膨張
するので、半導体素子８が浮いｆＣ，りまたは回転する
ことがないため、良好なボンディングが可能である。さ
らに前記ヒータープレート５と同一構造のヒータープレ
ート５をボンディング部より手前に少なくとも１つ前の
半導体素子８の加熱用として設置し、これに温度勾配を
もたせボンディング部より１つ手前の半導体素子部の温
度を低くすることによりリードフレーム６全体を徐々に
加熱しリードフレーム６全体が均一の温度に加熱する。
したがって、リードフレーム６全体の熱応力がやわらぐ
ので、曲面状に変形することなく良好なリードフレーム
の送りとボンディングが可能となる。
ので、曲面状に変形することなく良好なリードフレーム
の送りとボンディングが可能となる。
以上説明したように本発明は、リードフレームの送り方
向の外周を気体で冷却し、またボンディングヒータープ
レートはボンディング位置の手前に少なくとも１つ前の
半導体素子を予備加熱し、またタブリードが加熱されな
いようにタブリードに対応するボンディングヒータープ
レートの加熱面を切り取りボンディングヒーターに温度
勾配をもたせたことにより、リードフレームの送り精度
が向上し、かつリードフレームの変形を防止し良好なボ
ンディングができる効果がある。
向の外周を気体で冷却し、またボンディングヒータープ
レートはボンディング位置の手前に少なくとも１つ前の
半導体素子を予備加熱し、またタブリードが加熱されな
いようにタブリードに対応するボンディングヒータープ
レートの加熱面を切り取りボンディングヒーターに温度
勾配をもたせたことにより、リードフレームの送り精度
が向上し、かつリードフレームの変形を防止し良好なボ
ンディングができる効果がある。
第１図は本発明のワイヤボンディング装置を示す平面図
、第２図は本発明のワイヤボンディング装置を示す断面
図、第３図は従来のワイヤボンディング装置を示す平面
図、第４図は従来のワイヤボンディング装置を示す断面
図である。 １・・・送りづめ、２・・・角穴、４・・・位置決めビ
ン、５・・・ヒータープレート、６・・・リードフレー
ム、７・・・丸穴、８・・・半導体素子、９・・・ガイ
ドレール、１０・・・位置決め穴間、１１・・・送り角
穴間、１２・・・タブリードと同等な部分、１４・・・
パイプ、１５・・・タブリード特許出願人 日本電気
株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中 パ）・＝
、、、、Ｊ 第２図
、第２図は本発明のワイヤボンディング装置を示す断面
図、第３図は従来のワイヤボンディング装置を示す平面
図、第４図は従来のワイヤボンディング装置を示す断面
図である。 １・・・送りづめ、２・・・角穴、４・・・位置決めビ
ン、５・・・ヒータープレート、６・・・リードフレー
ム、７・・・丸穴、８・・・半導体素子、９・・・ガイ
ドレール、１０・・・位置決め穴間、１１・・・送り角
穴間、１２・・・タブリードと同等な部分、１４・・・
パイプ、１５・・・タブリード特許出願人 日本電気
株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中 パ）・＝
、、、、Ｊ 第２図
Claims (1)
- （１）１駒ずつインデックス送りされるリードフレーム
のアイランドをボンディング処理位置に位置決めし、リ
ードフレームの該アイランドをヒータープレートで加熱
しつつ該アイランド上の半導体素子にワイヤボンディン
グ処理を行う半導体装置組立用ワイヤボンディング装置
において、リードフレームの送り方向に沿つてリードフ
レームの外周を冷却する冷却部を設置し、かつリードフ
レームのタブリードに対応するヒータープレートの加熱
面を切り取り、該ヒータープレートをボンディング処理
位置に設置するとともに、その手前のアイランドに対応
する位置に該ヒータープレートを予備加熱用として設置
したことを特徴とする半導体装置組立用ワイヤボンディ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010603A JPH0646646B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置組立用ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010603A JPH0646646B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置組立用ワイヤボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169340A true JPS62169340A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0646646B2 JPH0646646B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=11754820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61010603A Expired - Lifetime JPH0646646B2 (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 半導体装置組立用ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646646B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210146410A (ko) | 2020-03-06 | 2021-12-03 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치, 프레임 피더 및 히터 유닛 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10151102A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Setsuo Tanaka | まな板洗浄容器 |
-
1986
- 1986-01-21 JP JP61010603A patent/JPH0646646B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210146410A (ko) | 2020-03-06 | 2021-12-03 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치, 프레임 피더 및 히터 유닛 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0646646B2 (ja) | 1994-06-15 |
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