JPH07263495A - Tabテープ用ボンディング装置 - Google Patents

Tabテープ用ボンディング装置

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JPH07263495A
JPH07263495A JP4803294A JP4803294A JPH07263495A JP H07263495 A JPH07263495 A JP H07263495A JP 4803294 A JP4803294 A JP 4803294A JP 4803294 A JP4803294 A JP 4803294A JP H07263495 A JPH07263495 A JP H07263495A
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JP
Japan
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air
tape
tab tape
groove
bonding
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4803294A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuji Tazaki
修次 田崎
Original Assignee
Nec Kansai Ltd
関西日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by Nec Kansai Ltd, 関西日本電気株式会社 filed Critical Nec Kansai Ltd
Priority to JP4803294A priority Critical patent/JPH07263495A/ja
Publication of JPH07263495A publication Critical patent/JPH07263495A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 TABテープのリードと半導体ペレットの電
極を熱圧着ボンディングする際におけるTABテープの
熱による変形と応力発生を抑制したボンディング装置。 【構成】 TABテープ1の半導体ペレット5が配置さ
れた透孔4の周辺部を上下から一対のクランパ7、8で
挾持して、TABテープ1のリード3の先端部と半導体
ペレット5の電極6を熱圧着ボンディングする装置で、
TABテープ1の透孔4の周辺部のリード3を直接押圧
するクランパ7のテープ押圧面11に、透孔4を囲う略
矩形枠状の溝13を形成する。溝13とTABテープ1
で形成されたエア流通路14に定方向にエアを流して、
溝13に面するリード3を空冷し、この空冷部分でボン
ディング時にリード3に伝導する熱を遮断して、TAB
テープ1の部分的な熱による変形や応力発生を抑制す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】本発明は、TABテープ(Tape A
utomated Bonding)のリードと半導体ペレットの電極と
を熱圧着で、或いは、熱圧着と超音波でボンディングす
るボンディング装置に関する。

【0002】

【従来の技術】TAB式半導体装置を製造するTABテ
ープは、長尺な絶縁フィルムの片面に直接に銅箔パター
ンのリードを形成した2層型と、絶縁フィルムの片面に
接着材を介して銅箔パターンのリードを形成した3層型
がある。これらTABテープの複数のリードと、対応す
る半導体ペレットの電極とのボンディングは、熱圧着式
ボンディングツールを使って複数のボンディング箇所の
ボンディングを一括して行うギャングボンディング法、
又は、熱圧着超音波式ボンディングツールを使って複数
のボンディング箇所のボンディングを1箇所ずつ順に行
うシングルポイントボンディング法で行われている。

【0003】例えば図7に従来のギャングボンディング
法によるボンディング装置を示すと、これはTABテー
プ1の水平な搬送路のボンディングポジションの上下に
対向させて配置された上下一対のクランパ7,8と、同
ボンディングポジションの上下に対向させて配置された
加熱ステージ9及び熱圧着式ボンディングツール10を
有する。TABテープ1は、絶縁フィルム2の上面にリ
ード3を形成した2層型或いは3層型のもので、絶縁フ
ィルム2に部分的に形成された透孔4の中に半導体ペレ
ット5が配置される。絶縁フィルム2の透孔4内に延在
するリード3の先端部(インナリード)が、加熱ステー
ジ9上の半導体ペレット5の上面の電極6上に位置す
る。

【0004】一対のクランパ7,8を上クランパ7と下
クランパ8と称すると、上クランパ7は下面にTABテ
ープ1の透孔4の周辺部に対向する略矩形枠状のテープ
押圧面11を有し、下クランパ8は上クランパ7のテー
プ押圧面11に対向する略矩形枠状のテープ押圧面12
を有する。TABテープ1の半導体ペレット5の在る被
ボンディング箇所が所定のボンディングポジションに間
欠送りされてくると、上下一対のクランパ7,8が上下
動して、各テープ押圧面11,12でTABテープ1の
透孔4の周辺部を上下から挾持する。この挾持でTAB
テープ1のリード3と加熱ステージ9上の半導体ペレッ
ト5の電極6の相対位置ズレが防止されて、次の熱圧着
ボンディングが良好に行われる。

【0005】上下のクランパ7,8がTABテープ1を
挾持すると、ボンディングツール10が下降してTAB
テープ1の透孔4内に延在する複数のリード3の先端部
を、対応する半導体ペレット5の電極6に一括して加圧
する。ボンディングツール10は高温(最高で約500
℃)に加熱されており、これでリード3を加熱ステージ
9で予熱された半導体ペレット5の電極6に加圧する
と、複数のリード3と電極6が一括して熱圧着される。

【0006】

【発明が解決しようとする課題】TABテープ1のリー
ド3の先端部を半導体ペレット5の電極6に高温のボン
ディングツール10で加圧するとき、ボンディングツー
ル10でリード3の先端部が加熱され、加熱された熱が
リード3を伝導して絶縁フィルム2に伝わる。このリー
ド3を伝導する熱は、一部は上下のクランパ7,8で吸
収されるが、TABテープ1の透孔4の周辺部へと伝導
して、透孔4の周辺部を熱膨張させる。そのため、ボン
ディング後にTABテープ1の透孔4の周辺部が冷却さ
れて熱収縮するときに、TABテープ1に部分的に熱応
力が生じ、TABテープ1が部分的に変形することがあ
る。

【0007】かかるTABテープ1の熱膨張と熱収縮に
よる熱応力と変形の割合は、3層型TABテープにおい
て特に大きく目立ち、TAB式半導体装置の品質、製造
歩留まりを悪くする原因となっている。例えば、TAB
テープ1を後工程に送ってTAB式半導体装置のサイズ
に切断した際に、TABテープ1に残った熱応力でリー
ド3の内のTABテープ1の外周縁に在るアウタリード
の配列ピッチが変動して、アウタリードとこれに接続さ
れる外部機器の電極などとが位置ズレを起こし、外部機
器との接続不良の原因となる不具合が発生していた。

【0008】本発明の目的は、TABテープのリードと
半導体ペレットの電極をボンディングするときのリード
からTABテープに伝導する熱を抑制して、TABテー
プの熱による悪影響を極力少なくしたボンディング装置
を提供することにある。

【0009】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、絶縁フィルムの片面にリードを形成したTA
Bテープの絶縁フィルムに形成された透孔内に延在する
リードの端部と、透孔に配置された半導体ペレットの電
極をボンディングツールでボンディングする際に、TA
Bテープの透孔の周辺部を上下から一対のクランパで挾
持するようにしたボンディング装置において、TABテ
ープのリードを直接に押圧するテープ押圧面を有する側
のクランパのテープ押圧面に、TABテープを押圧した
ときにTABテープの透孔周辺部との間にエア流通路を
形成する略矩形枠状の溝を形成したことを特徴とする。

【0010】また、本発明においては、上記クランパの
テープ押圧面に形成された溝に、溝内にエアを供給し、
この供給されたエアを外部に排出するエア供給口及びエ
ア排出口を設けること、又は、溝に溝内のエアを外部に
吸引して排出するエア吸引口を設けることにより、溝内
にエアを積極的に流通させることを特徴とする。

【0011】

【作用】TABテープのリードに当接するクランパのテ
ープ押圧面に略矩形枠状の溝を形成して、TABテープ
を上下クランパで挾持すると、ボンディング時において
TABテープの半導体ペレットが配置される透孔の周辺
部とクランパのテープ押圧面との間に溝によるエア流通
路が形成される。このエア流通路に流れるエアの放熱作
用で、TABテープのリード先端部から絶縁フィルムへ
と伝わる熱の伝導が、エア流通路の部所で遮断されるよ
うな形となって、TABテープの透孔周辺部への熱の伝
導が大幅に抑制され、TABテープの熱による変形や応
力発生が減少する。

【0012】

【実施例】図7のボンディング装置に本発明を適用した
実施例を、図1乃至図6に基づき説明する。尚、図7を
含む全図を通じ同一又は相当部分には同一符号が付して
ある。

【0013】図1及び図2に示される実施例のボンディ
ング装置の図7の従来装置との相違点は、TABテープ
1のリード3の在る上面側を押圧する上クランパ7のテ
ープ押圧面11に、TABテープ1の透孔4を囲む略矩
形枠状の溝13を形成したことである。上クランパ7の
テープ押圧面11をTABテープ1に押圧したときに、
溝13とTABテープ1の上面とで略矩形枠状のエア流
通路14が形成される。このエア流通路14にエアを流
すことで、TABテープ1のリード3の内の溝13と対
向する部分が空冷され、このTABテープ1の空冷部分
でリード3の先端部から伝導される熱の伝導が遮断され
るように抑制される。

【0014】即ち、TABテープ1を上下一対のクラン
パ7,8で挾持しておいて、透孔4内のリード3先端部
をボンディングツール10で半導体ペレット5の電極6
に加圧し、熱圧着させると、リード3先端部の熱がリー
ド3を介して絶縁フィルム2の方向へと伝導する。リー
ド3を伝導する熱が溝13の在る箇所に達すると、溝1
3内のエア流通路14を流れるエアで空冷され、溝13
から先への熱伝導が大幅に少なくなる。その結果、TA
Bテープ1の透孔4周辺部である溝13と対向する部分
から先の部分への熱伝導が抑制されて、TABテープ1
の変形、熱応力の発生が抑制される。

【0015】溝13で形成されるエア流通路14は、エ
アが定方向に積極的に流れる構造が、TABテープ1を
効果的に空冷させる上で望ましく、その具体例を次に説
明する。

【0016】例えば図2に示すように、上クランパ7の
矩形のテープ押圧面11の4周辺に沿って蛇行状に溝1
3を形成し、テープ押圧面11の1コーナ部に位置する
溝13の片端を閉塞端として、この閉塞端近くの溝天面
にエア供給口15を形成し、同じ1コーナ部に位置する
溝13の他端に上クランパ7の側面等に開放されたエア
排出口16を形成する。エア供給口15を上クランパ7
外のエアポンプ(図示せず)などに連通させておいて、
エア供給口15から溝13内にTABテープ空冷用のエ
アを供給する。

【0017】図2の溝13を有する上クランパ7と、従
来同様な下クランパ8でTABテープ1を挾持し、上ク
ランパ7の溝13内にエア供給口15からエアを吹き込
むと、図2に破線矢印に示すように、エア流通路14に
は溝13の閉塞端から開放端のエア排出口16に向けて
エアが流れる。このエアの流れで、溝13に面するリー
ド3が効果的に空冷される。また、溝13を流れるエア
は上クランパ7自体をも空冷して、TABテープ1の熱
による応力発生と変形をより効果的に抑制する。更に、
溝13を流れるエアは、溝13の端のエア排出口16か
ら上クランパ7の外の定方向に放出されて、ボンディン
グツール10や加熱ステージ9を空冷することが無く、
ボンディングツール10による熱圧着ボンディングを邪
魔しない。

【0018】図3乃至図5は、上クランパ7の溝13で
エア吸引路を形成した実施例が示される。図3に示すよ
うに、上クランパ7の矩形のテープ押圧面11の4周辺
部に沿って口字状の溝13を形成し、溝13の天面の一
部にエア吸引口17を形成する。図4と図5は、熱圧着
ボンディング時における上クランパ7の溝13のエア吸
引口17の在る部分の拡大断面図で、エア吸引口17を
上クランパ7外のコンプレッサなどに連通させておい
て、エア吸引口17から溝13内のエアを吸引させる。

【0019】図3の溝13を有する上クランパ7と、従
来同様な下クランパ8でTABテープ1を挾持し、上ク
ランパ7の溝13内のエアをエア吸引口17から吸引す
ると、上クランパ7のテープ押圧面11とTABテープ
1の絶縁フィルム2とリード3の端面で形成される隙間
gから溝13内にエアが流入し、この流入したエアがエ
ア吸引口17から外部に放出される。このときのエアの
流れで、溝13に面するリード3が効果的に空冷され、
上クランパ7自体をも空冷されて、TABテープ1の熱
による応力発生と変形が抑制される。

【0020】図6の部分断面図に示される実施例の上ク
ランパ7は、図3と同様な口字状の溝13の内面側を開
放させて、この開放端開口18からエアを吸引するよう
にしたものである。つまり、TABテープ1の絶縁フィ
ルム2からリード3上面の高さが小さくて上記隙間gの
開口面積が小さいと、溝13内へのスムーズなエア吸引
が難しくなることがあるが、図6のように溝13の内側
を開放端開口18とすると、開放端開口18とTABテ
ープ1の間の隙間が大きくなって、溝13内へのエア吸
引がスムーズに行えるようになる。

【0021】尚、図示しないが図3のエア吸引式溝と同
一形状の溝を上クランパの下面に形成して、この溝内に
外部からエアを供給することも考えられるが、このよう
にすると上クランパとTABテープの間からボンディン
グツールと加熱ステージに向けてエアが放出され、この
放出エアてボンディングツールと加熱ステージが空冷さ
れて熱圧着ボンディング時の温度条件が変化し、良好な
ボンディングができなくなることがある。

【0022】以上の実施例は、TABテープの複数のリ
ードと半導体ペレットの電極を一括してボンディングす
るギャングボンディング装置であるが、本発明はTAB
テープのリードを1本ずつ半導体ペレットの電極に熱圧
着と超音波でボンディングするシングルポイントボンデ
ィング装置にも適用できる。

【0023】

【発明の効果】本発明によれば、TABテープのリード
に当接するクランパのテープ押圧面の溝とTABテープ
の間に、TABテープの半導体ペレットが配置される透
孔の周辺部を囲むエア流通路が形成され、このエア流通
路に流れるエアでTABテープのリード先端部から絶縁
フィルムへと伝わる熱が放熱され、TABテープの透孔
周辺部から外への熱の伝導が抑制されて、TABテープ
の熱変形、熱応力発生が大幅に減少して、TAB式半導
体装置の品質改善、製造歩留まりの向上が図れる。

【0024】また、クランパのテープ押圧面の溝にエア
供給口とエア排出口を、又は、エア吸引口を設けて、溝
内でのエアの流通方向を規制することにより、エアによ
るTABテープの空冷効果が安定して得られ、かつ、溝
内のエアがクランパと併設されるボンディングツールを
空冷してボンディング性を損なうといったことが無くな
り、信頼性の高いボンディング装置が提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の第1の実施例を示す縦断面図

【図2】図1の装置における上クランパの下面図

【図3】本発明の第2の実施例における上クランパの下
面図

【図4】図3の上クランパを使用したボンディング装置
の部分拡大縦断面図

【図5】図4のA−A線に沿う部分断面図

【図6】本発明の第3の実施例におけるボンディング装
置の部分縦断面図

【図7】TABテ−プ用ボンディング装置の従来例を示
す縦断面図

【符号の説明】

1 TABテープ 2 絶縁フィルム 3 リード 4 透孔 5 半導体ペレット 6 電極 7 クランパ 8 クランパ 10 ボンディングツール 11 テープ押圧面 12 テープ押圧面 13 溝 14 エア流通路 15 エア供給口 16 エア排出口 17 エア吸引口

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁フィルムの片面にリードを形成した
    TABテープの前記絶縁フィルムに形成された透孔内に
    延在するリードと、前記透孔に配置された半導体ペレッ
    トの電極をボンディングツールでボンディングする際
    に、TABテープの透孔の周辺部を上下から一対のクラ
    ンパで挾持するようにしたボンディング装置であって、 前記一対のクランパの、TABテープのリードを直接に
    押圧するテープ押圧面を有する側のクランパのテープ押
    圧面に、TABテープを押圧したときにTABテープの
    透孔周辺部との間にエア流通路を形成する略矩形枠状の
    溝を形成したことを特徴とするTABテープ用ボンディ
    ング装置。
  2. 【請求項2】 前記溝に、溝内にエアを供給するエア供
    給口と、溝内のエアを外部に排出するエア排出口を設け
    て、溝内にエア供給口からエア排出口に向けてエアを流
    す請求項1記載のTABテープ用ボンディング装置。
  3. 【請求項3】 前記溝に、溝内のエアを外部に吸引する
    エア吸引口を設けて、エア吸引口からのエア吸引力でク
    ランパのテープ押圧面とTABテープの隙間から溝内に
    エアを吸引してエア吸引口から外部に排出する請求項1
    記載のTABテープ用ボンディング装置。
JP4803294A 1994-03-18 1994-03-18 Tabテープ用ボンディング装置 Withdrawn JPH07263495A (ja)

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JP4803294A JPH07263495A (ja) 1994-03-18 1994-03-18 Tabテープ用ボンディング装置

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JP (1) JPH07263495A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2733354A1 (fr) * 1995-04-24 1996-10-25 Samsung Electronics Co Ltd Appareil de soudage de connexions interieures comportant un moyen de dissipation de chaleur, et procede de soudage utilisant cet appareil
JP2010267802A (ja) * 2009-05-14 2010-11-25 Sharp Corp 半導体装置の製造装置および製造方法、ならびに半導体装置

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