JPH03250751A - ウエハエキスパンド装置 - Google Patents
ウエハエキスパンド装置Info
- Publication number
- JPH03250751A JPH03250751A JP2048163A JP4816390A JPH03250751A JP H03250751 A JPH03250751 A JP H03250751A JP 2048163 A JP2048163 A JP 2048163A JP 4816390 A JP4816390 A JP 4816390A JP H03250751 A JPH03250751 A JP H03250751A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ring
- wafer sheet
- flange
- expander
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造プロセスで使用するウェハエキス
パンド装置に関するものである。
パンド装置に関するものである。
−ａに、この種のウェハエキスパンド装置は、ダイシン
グラインに沿ってダイシングした後の半導体ウェハを多
数のチップに分割する装置として広く用いられている。
グラインに沿ってダイシングした後の半導体ウェハを多
数のチップに分割する装置として広く用いられている。
従来、この種のウェハエキスパンド装置は例えば第２図
に示すように構成されている。これを同図に基づいて説
明すると、同図において、符号１で示すものは下側開口
端部にフランジ２を有しこのフランジ２の一部を含み上
側開口部がウェハシート３によって覆われるエキスパン
ドリング、４はこのエキスパンドリング１内にその一部
が臨む昇降用のエキスバンド台、５はこのエキスバンド
台４の上方に設けられ前記フランジ２と共にウェハシー
ト３を挟持するＸ−Ｙテーブルである。なお、このＸ−
Ｙテーブル５は各々が互いに直交する２軸方向にＮＣ制
御してチップを位置決めし得るように構成されており、
前記ウェハシート３は加熱によって伸縮性が良好になる
材料が使用されている。このウェハシート３は周縁がエ
キスバンド時にウェハリング６によって接着される。ま
た、前記エキスバンド台４上には前記ウェハシート３を
加熱するプレートヒータ７が断熱材８を介して設けられ
ており、前記エキスパンドリング１には伸張時に前記ウ
ェハシート３の滑りを良好にするための表面処理が施さ
れており、前記ウェハシート３上には第３図に示すよう
にダイシング済みの半導体ウェハ９が貼付されている。
に示すように構成されている。これを同図に基づいて説
明すると、同図において、符号１で示すものは下側開口
端部にフランジ２を有しこのフランジ２の一部を含み上
側開口部がウェハシート３によって覆われるエキスパン
ドリング、４はこのエキスパンドリング１内にその一部
が臨む昇降用のエキスバンド台、５はこのエキスバンド
台４の上方に設けられ前記フランジ２と共にウェハシー
ト３を挟持するＸ−Ｙテーブルである。なお、このＸ−
Ｙテーブル５は各々が互いに直交する２軸方向にＮＣ制
御してチップを位置決めし得るように構成されており、
前記ウェハシート３は加熱によって伸縮性が良好になる
材料が使用されている。このウェハシート３は周縁がエ
キスバンド時にウェハリング６によって接着される。ま
た、前記エキスバンド台４上には前記ウェハシート３を
加熱するプレートヒータ７が断熱材８を介して設けられ
ており、前記エキスパンドリング１には伸張時に前記ウ
ェハシート３の滑りを良好にするための表面処理が施さ
れており、前記ウェハシート３上には第３図に示すよう
にダイシング済みの半導体ウェハ９が貼付されている。
次に、このように構成されたウェハエキスパンド装置に
よるチップ分割方法につき、第４図を用いて説明する。
よるチップ分割方法につき、第４図を用いて説明する。
先ず、ウェハリング６にダイシング済みの半導体ウェハ
９が予め貼付されたウェハシート３を接着する。このと
き、Ｘ−Ｙテーブル５とエキスパンドリング１が離間し
ている。次いで、プレートヒータ７によってウェハシー
ト３を加熱して伸縮性を高める。しかる後、同図に示す
ようにエキスバンド台４を上昇させることによりウェハ
リング６をｘ−Ｙテーブル５上に押圧してウェハシート
３を伸張する。
９が予め貼付されたウェハシート３を接着する。このと
き、Ｘ−Ｙテーブル５とエキスパンドリング１が離間し
ている。次いで、プレートヒータ７によってウェハシー
ト３を加熱して伸縮性を高める。しかる後、同図に示す
ようにエキスバンド台４を上昇させることによりウェハ
リング６をｘ−Ｙテーブル５上に押圧してウェハシート
３を伸張する。
このようにして、半導体ウェハ９を多数のチップに分割
することができる。
することができる。
この後、第５図に示すようにエキスバンド台４を下降さ
せてチップを順次取り出す。そして、再度エキスバンド
台４を上昇させてエキスパンドリング１の押圧状態を解
除して第６図に示すようにエキスバンド台４を下降させ
てから、エキスパンドリング１とウェハリング６をＸ−
Ｙテーブル５から取り外し、他の専用装置（図示せず）
によってウェハリング６を取り出す。
せてチップを順次取り出す。そして、再度エキスバンド
台４を上昇させてエキスパンドリング１の押圧状態を解
除して第６図に示すようにエキスバンド台４を下降させ
てから、エキスパンドリング１とウェハリング６をＸ−
Ｙテーブル５から取り外し、他の専用装置（図示せず）
によってウェハリング６を取り出す。
ここで、第７図はエキスバンド後のウェハリング６を示
す。
す。
ところで、従来のウェハエキスパンド装置においては、
プレートヒータ７の周囲にエキスパンドリング１が配設
される構造であるため、プレートヒータ７による熱がエ
キスパンドリング１に十分に伝達されず、エキスパンド
リング１近傍にあるウェハシート３の伸縮性が低下して
いた。この結果、ウェハシー１−３に対するエキスバン
ドが均一に行われず、エキスバンド上の信軌性が低下す
るという問題があった。また、エキスバンド時にエキス
パンドリング６への熱伝達が不十分であることは、ウェ
ハシート３の一部が塑性変形してウェハシー１−３の搬
送を困難なものにするという問題もあった。
プレートヒータ７の周囲にエキスパンドリング１が配設
される構造であるため、プレートヒータ７による熱がエ
キスパンドリング１に十分に伝達されず、エキスパンド
リング１近傍にあるウェハシート３の伸縮性が低下して
いた。この結果、ウェハシー１−３に対するエキスバン
ドが均一に行われず、エキスバンド上の信軌性が低下す
るという問題があった。また、エキスバンド時にエキス
パンドリング６への熱伝達が不十分であることは、ウェ
ハシート３の一部が塑性変形してウェハシー１−３の搬
送を困難なものにするという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、エキ
スバンド上の信転性を向上させることができると共に、
エキスパンドリングの搬送を簡単に行うことができるウ
ェハエキスパンド装置を提供するものである。
スバンド上の信転性を向上させることができると共に、
エキスパンドリングの搬送を簡単に行うことができるウ
ェハエキスパンド装置を提供するものである。
本発明に係るウェハエキスパンド装置は、下側開口端部
にフランジを有しこのフランジの一部を含み上側開口部
がウェハシートによって覆われるエキスパンドリングと
、このエキスパンドリング内に臨みウェハシートを加熱
するヒートブロックと、このヒートブロックの上方に設
けられフランジと共にウェハシートを挟持するテーブル
とを備え、このテーブルとエキスパンドリングとの間に
第１の断熱材を設け、フランジの下側端面に対向する周
縁部を有する第２の断熱材をヒートブロックの下端面に
設けたものである。
にフランジを有しこのフランジの一部を含み上側開口部
がウェハシートによって覆われるエキスパンドリングと
、このエキスパンドリング内に臨みウェハシートを加熱
するヒートブロックと、このヒートブロックの上方に設
けられフランジと共にウェハシートを挟持するテーブル
とを備え、このテーブルとエキスパンドリングとの間に
第１の断熱材を設け、フランジの下側端面に対向する周
縁部を有する第２の断熱材をヒートブロックの下端面に
設けたものである。
本発明においては、エキスバンド時にヒートブロックか
ら発生する熱の放散を第１の断熱材および第２の断熱材
によって阻止し、エキスパンドリングを間接的に加熱す
ることができる。
ら発生する熱の放散を第１の断熱材および第２の断熱材
によって阻止し、エキスパンドリングを間接的に加熱す
ることができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明に係るウェハエキス
パンド装置の使用状態を示す断面図で、同図において第
２図〜第７図と同一の部材については同一の符号を付し
、詳細な説明は省略する。同図において、符号１１で示
すものは上下方向に進退するエキスバンド台で、プレー
ト１２上に固定されており、前記エキスパンドリング１
内に臨み前記ウェハシート３を加熱するヒータ１３を内
蔵し熱容量が比較的大きいブロックによって形成されて
いる。１４は前記エキスパンドリング１の外周面に適合
する段部１５を有する第１の断熱材で、前記Ｘ−Ｙテー
ブル５に設けられており、全体がリング状に形成されて
いる。１６は前記フランジ２の端面に対向する周縁部１
７を有する第２の断熱材で、前記エキスバンド台１１の
下端面に設けられており、全体が円板状に形成されてい
る。
パンド装置の使用状態を示す断面図で、同図において第
２図〜第７図と同一の部材については同一の符号を付し
、詳細な説明は省略する。同図において、符号１１で示
すものは上下方向に進退するエキスバンド台で、プレー
ト１２上に固定されており、前記エキスパンドリング１
内に臨み前記ウェハシート３を加熱するヒータ１３を内
蔵し熱容量が比較的大きいブロックによって形成されて
いる。１４は前記エキスパンドリング１の外周面に適合
する段部１５を有する第１の断熱材で、前記Ｘ−Ｙテー
ブル５に設けられており、全体がリング状に形成されて
いる。１６は前記フランジ２の端面に対向する周縁部１
７を有する第２の断熱材で、前記エキスバンド台１１の
下端面に設けられており、全体が円板状に形成されてい
る。
このように構成されたウェハエキスパンド装置において
は、ウェハエキスパンド時にエキスバンド台１１内のヒ
ータ１３から発生する熱の放散を第１の断熱材１４およ
び第２の断熱材１６によって阻止してエキスパンドリン
グ１を間接的に加熱することができる。
は、ウェハエキスパンド時にエキスバンド台１１内のヒ
ータ１３から発生する熱の放散を第１の断熱材１４およ
び第２の断熱材１６によって阻止してエキスパンドリン
グ１を間接的に加熱することができる。
したがって、本実施例においては、ウェハシート３の伸
縮性の低下を防止することができ、ウェハシー＋−３に
対するエキスバンドが均一に行うことができる。
縮性の低下を防止することができ、ウェハシー＋−３に
対するエキスバンドが均一に行うことができる。
また、本実施例において、エキスバンド時にエキスパン
ドリング１に対する熱伝達が十分であることは、ウェハ
シート３の良復元性を得ることができる。
ドリング１に対する熱伝達が十分であることは、ウェハ
シート３の良復元性を得ることができる。
以上説明したように本発明によれば、下側開口端部にフ
ランジを有しこのフランジの一部を含み上側開口部がウ
ェハシートによって覆われるエキスパンドリングと、こ
のエキスパンドリング内に臨みウェハシートを加熱する
ヒートブロックと、このヒートブロックの上方に設けら
れフランジと共にウェハシートを挟持するテーブルとを
備え、このテーブルとエキスパンドリングとの間に第１
の断熱材を設け、フランジの下側端面に対向する周縁部
を有する第２の断熱材をヒートブロックの下端面に設け
たので、エキスバンド時に昇降台から発生する熱の放散
を断熱フランジおよび断熱材によって阻止してエキスパ
ンドリングを間接的に加熱することができる。したがっ
て、ウェハシートの伸縮性の低下を防止することができ
るから、ウェハシートに対するエキスバンドが均一に行
うことができ、エキスバンド上の信頼性を向トさせるこ
とができる。また、エキスバンド時にエキスパン１゛リ
ングへの熱伝達が十分であることは、ウェハシートの良
復元性を得ることができるから、ウェハシートの塑性変
形を防止することができ、エキスパンドリングの搬送を
節単に行うこともできる。
ランジを有しこのフランジの一部を含み上側開口部がウ
ェハシートによって覆われるエキスパンドリングと、こ
のエキスパンドリング内に臨みウェハシートを加熱する
ヒートブロックと、このヒートブロックの上方に設けら
れフランジと共にウェハシートを挟持するテーブルとを
備え、このテーブルとエキスパンドリングとの間に第１
の断熱材を設け、フランジの下側端面に対向する周縁部
を有する第２の断熱材をヒートブロックの下端面に設け
たので、エキスバンド時に昇降台から発生する熱の放散
を断熱フランジおよび断熱材によって阻止してエキスパ
ンドリングを間接的に加熱することができる。したがっ
て、ウェハシートの伸縮性の低下を防止することができ
るから、ウェハシートに対するエキスバンドが均一に行
うことができ、エキスバンド上の信頼性を向トさせるこ
とができる。また、エキスバンド時にエキスパン１゛リ
ングへの熱伝達が十分であることは、ウェハシートの良
復元性を得ることができるから、ウェハシートの塑性変
形を防止することができ、エキスパンドリングの搬送を
節単に行うこともできる。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明に係るウェハエキス
パンド装置の使用状態を示す断面図、第２図は従来のエ
キスバンド装置を示す断面図、第３図はエキスバンド前
のウェハシートを示す斜視図、第４図〜第６図は従来の
ウェハエキスパンド装置による千ノブ分割を説明するた
めの断面図、第７図はエキスバンド後のウェハシートを
示す斜視図である。 １ ・ ・ ・ ジ１．３・・ フル、６・ バンド台、 断熱材、１ エキスパンドリング、２・・・フラン ・ウェハシート、５・・・Ｘ−Ｙテ ・・ウェハリング、１ｊ・・・エキス １３・・・ヒータ、１４・・・第１の ６・・・第２の断熱材。 代 理 人 大君 増 餅。 （ａ） 第 図 ４ ．６ ］ｔ：ｌ Ｔｚのｙｒｆ１ 第 ２ 図 第 図 を 第 図 第 図
パンド装置の使用状態を示す断面図、第２図は従来のエ
キスバンド装置を示す断面図、第３図はエキスバンド前
のウェハシートを示す斜視図、第４図〜第６図は従来の
ウェハエキスパンド装置による千ノブ分割を説明するた
めの断面図、第７図はエキスバンド後のウェハシートを
示す斜視図である。 １ ・ ・ ・ ジ１．３・・ フル、６・ バンド台、 断熱材、１ エキスパンドリング、２・・・フラン ・ウェハシート、５・・・Ｘ−Ｙテ ・・ウェハリング、１ｊ・・・エキス １３・・・ヒータ、１４・・・第１の ６・・・第２の断熱材。 代 理 人 大君 増 餅。 （ａ） 第 図 ４ ．６ ］ｔ：ｌ Ｔｚのｙｒｆ１ 第 ２ 図 第 図 を 第 図 第 図
Claims (1)
- 下側開口端部にフランジを有しこのフランジの一部を
含み上側開口部がウェハシートによって覆われるエキス
パンドリングと、このエキスパンドリング内に臨みウェ
ハシートを加熱するヒートブロックと、このヒートブロ
ックの上方に設けられ前記フランジと共にウェハシート
を挟持するテーブルとを備え、このテーブルと前記エキ
スパンドリングとの間に第１の断熱材を設け、前記フラ
ンジの下側端面に対向する周縁部を有する第２の断熱材
を前記ヒートブロックの下端面に設けたことを特徴とす
るウェハエキスパンド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048163A JPH03250751A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | ウエハエキスパンド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048163A JPH03250751A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | ウエハエキスパンド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250751A true JPH03250751A (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=12795716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2048163A Pending JPH03250751A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | ウエハエキスパンド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03250751A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286003A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの小片化方法 |
| JP2013125809A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Murata Mfg Co Ltd | エキスパンド装置及び部品の製造方法 |
| JP2017045898A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 株式会社村田製作所 | フィルム拡張装置およびそれを用いた電子部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2048163A patent/JPH03250751A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286003A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの小片化方法 |
| JP2013125809A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Murata Mfg Co Ltd | エキスパンド装置及び部品の製造方法 |
| JP2017045898A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 株式会社村田製作所 | フィルム拡張装置およびそれを用いた電子部品の製造方法 |
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