JPH08181048A - 半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品 - Google Patents
半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品Info
- Publication number
- JPH08181048A JPH08181048A JP7208130A JP20813095A JPH08181048A JP H08181048 A JPH08181048 A JP H08181048A JP 7208130 A JP7208130 A JP 7208130A JP 20813095 A JP20813095 A JP 20813095A JP H08181048 A JPH08181048 A JP H08181048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- article
- magnesium
- layer
- corrosion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 178
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 167
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 44
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 159
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 151
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 131
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 97
- -1 magnesium halide Chemical class 0.000 claims abstract description 68
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 44
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 48
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 34
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 34
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 26
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 22
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 abstract description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 241000894007 species Species 0.000 description 13
- 239000002585 base Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 5
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000272470 Circus Species 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000000109 continuous material Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N polonium atom Chemical compound [Po] HZEBHPIOVYHPMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12729—Group IIA metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
我々は、半導体プロセス装置内においてハロゲン含有化
学種に晒された（サセプター等の）アルミニウム物品の
腐食が、該物品を最適なマグネシウム含有量を有するア
ルミニウム−マグネシウム合金から該物品を製作するこ
とによって避け得ることを発見した。該物品をハロゲン
含有化学種に晒した際には、該物品の表面下にハロゲン
化マグネシウムの保護層が形成される。該保護層は、ハ
ロゲンが基部アルミニウムに浸透するのを防止し、これ
により該物品を腐食および「ひび割れ」から保護する。
ハロゲン化マグネシウム層を摩耗から保護するために
は、該物品は、該ハロゲン化マグネシウム層の上に、硬
い凝集性のコーティングを有していることが好ましい。
好ましい凝集性のコーティングは、酸化アルミニウムま
たは窒化アルミニウムである。アルミニウム物品のマグ
ネシウム含有量は、該物品全体で、あるいは少なくとも
耐腐食性とされるべき表面下の領域で、約０．１重量％
〜１．５重量％であるべきである。該アルミニウムの不
純物含有量は、０．２％未満であるべきであり、これよ
り遥かに低いことが好ましい。
学種に晒された（サセプター等の）アルミニウム物品の
腐食が、該物品を最適なマグネシウム含有量を有するア
ルミニウム−マグネシウム合金から該物品を製作するこ
とによって避け得ることを発見した。該物品をハロゲン
含有化学種に晒した際には、該物品の表面下にハロゲン
化マグネシウムの保護層が形成される。該保護層は、ハ
ロゲンが基部アルミニウムに浸透するのを防止し、これ
により該物品を腐食および「ひび割れ」から保護する。
ハロゲン化マグネシウム層を摩耗から保護するために
は、該物品は、該ハロゲン化マグネシウム層の上に、硬
い凝集性のコーティングを有していることが好ましい。
好ましい凝集性のコーティングは、酸化アルミニウムま
たは窒化アルミニウムである。アルミニウム物品のマグ
ネシウム含有量は、該物品全体で、あるいは少なくとも
耐腐食性とされるべき表面下の領域で、約０．１重量％
〜１．５重量％であるべきである。該アルミニウムの不
純物含有量は、０．２％未満であるべきであり、これよ
り遥かに低いことが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチングまたは
クリーニングのためのハロゲン含有化学種（halogen-co
ntaining species）を用いる半導体プロセス装置内にお
いて該物品を腐食（corrosion ）から保護するハロゲン
化マグネシウム（magnesium halide）層を有するアルミ
ニウム物品に関する。
クリーニングのためのハロゲン含有化学種（halogen-co
ntaining species）を用いる半導体プロセス装置内にお
いて該物品を腐食（corrosion ）から保護するハロゲン
化マグネシウム（magnesium halide）層を有するアルミ
ニウム物品に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体プロセス（semicoductor process
ing ）は、数多くの異なる化学的および物理的プロセス
を含み、これにより微細な集積回路（integrated circu
its ）が基板上に形成される。この集積回路は、種々の
材料の相互に関係づけられた（interrelated）パターン
の多層を使用して構成されている。該集積回路内の材料
は、化学的気相堆積（cmemical vapor deposition ）、
物理的気相堆積、およびエピタキシャル成長によって形
成される。該材料層のいくつかは、ホトレジスト・マス
ク、およびウエットないしドライエッチング技術を用い
てパターンニングされる。パターンは、特別な位置にお
けるドーパントの注入（implantation）によって層の範
囲内で形成される。該集積回路がその上に形成されてい
る基板は、シリコン、ガリウム砒素、ガラス、ないし他
の適当な材料であってもよい。
ing ）は、数多くの異なる化学的および物理的プロセス
を含み、これにより微細な集積回路（integrated circu
its ）が基板上に形成される。この集積回路は、種々の
材料の相互に関係づけられた（interrelated）パターン
の多層を使用して構成されている。該集積回路内の材料
は、化学的気相堆積（cmemical vapor deposition ）、
物理的気相堆積、およびエピタキシャル成長によって形
成される。該材料層のいくつかは、ホトレジスト・マス
ク、およびウエットないしドライエッチング技術を用い
てパターンニングされる。パターンは、特別な位置にお
けるドーパントの注入（implantation）によって層の範
囲内で形成される。該集積回路がその上に形成されてい
る基板は、シリコン、ガリウム砒素、ガラス、ないし他
の適当な材料であってもよい。
【０００３】集積回路を製造するために用いられるプロ
セスの多くは、ハロゲンガス、ハロゲン含有ガス、また
はハロゲン含有液体を利用している。これに加え、集積
回路を形成するために使われるプロセスは、プロセス装
置の表面上に、汚染堆積物（contaminant deposits）を
残すので、そのような堆積物は、通常、少くとも１つの
ハロゲン含有ガスを用いるプラズマ・クリーニングやド
ライエッチングを用いて除去される。
セスの多くは、ハロゲンガス、ハロゲン含有ガス、また
はハロゲン含有液体を利用している。これに加え、集積
回路を形成するために使われるプロセスは、プロセス装
置の表面上に、汚染堆積物（contaminant deposits）を
残すので、そのような堆積物は、通常、少くとも１つの
ハロゲン含有ガスを用いるプラズマ・クリーニングやド
ライエッチングを用いて除去される。
【０００４】アルミニウムは、時にはその導電性に基づ
き、そして一般的には加工の容易性および妥当な価格に
おける利用性に基づき、半導体製作装置のための構成材
料（construction material ）として広く使用されてい
る。しかしながら、アルミニウムは、塩素、弗素、臭素
等のハロゲンとの反応を受け易く、例えばＡｌＣｌ
3 （または、Ａｌ2 Ｃｌ6 ）またはＡｌＦ3 、またはＡ
ｌＢｒ3 （またはＡｌ2Ｂｒ6 ）を生成する。該アルミ
ニウム−弗素化合物が、プロセス装置部分（parts ）の
表面からフレーキングにより落ちる（flake off ）可能
性があり、該部分自体の侵食（eroding away）を起こ
し、そしてプロセス・チャンバー（および、該チャンバ
ーの中で生産される部品）の粒子コンタミネーションの
源として作用する。アルミニウムおよび塩素を含む化合
物の大部分、およびアルミニウムと臭素を含む化合物の
多くは、半導体プロセス条件下で気体状（gaseous ）で
あり、アルミニウム構造を残し、且つ該構造を不安定に
し、疑わしい保全性（integrity ）を有する表面を与え
る空隙（voids ）を形成する。
き、そして一般的には加工の容易性および妥当な価格に
おける利用性に基づき、半導体製作装置のための構成材
料（construction material ）として広く使用されてい
る。しかしながら、アルミニウムは、塩素、弗素、臭素
等のハロゲンとの反応を受け易く、例えばＡｌＣｌ
3 （または、Ａｌ2 Ｃｌ6 ）またはＡｌＦ3 、またはＡ
ｌＢｒ3 （またはＡｌ2Ｂｒ6 ）を生成する。該アルミ
ニウム−弗素化合物が、プロセス装置部分（parts ）の
表面からフレーキングにより落ちる（flake off ）可能
性があり、該部分自体の侵食（eroding away）を起こ
し、そしてプロセス・チャンバー（および、該チャンバ
ーの中で生産される部品）の粒子コンタミネーションの
源として作用する。アルミニウムおよび塩素を含む化合
物の大部分、およびアルミニウムと臭素を含む化合物の
多くは、半導体プロセス条件下で気体状（gaseous ）で
あり、アルミニウム構造を残し、且つ該構造を不安定に
し、疑わしい保全性（integrity ）を有する表面を与え
る空隙（voids ）を形成する。
【０００５】プロセス装置内のアルミニウム表面を保護
する好ましい手段は、陽極処理（anodized）アルミニウ
ムコーティングであった。陽極処理は、アルミニウム表
面上に多孔性酸化アルミニウムの一体化された（integr
al）コーティングを生成する電解酸化（electrolytic o
xidation）プロセスである。陽極処理されたアルミニウ
ムコーティングの使用にもかかわらず、陽極処理された
アルミニウム部分（例えば、ＣＶＤリアクター・チャン
バー中のサセプター）の寿命は、プラズマクリーニング
環境における陽極処理された膜の分解ないし劣化（degr
adation ）のために制限される。アルミニウム表面上の
陽極処理された膜保護層の故障ないし破壊（failure ）
は、該リアクター・チャンバー中におけるパーティクル
（particulate ）の過剰発生をもたらし、故障したアル
ミニウム部分を置換するための、および該チャンバーの
残りの部分からパーティクルをクリーニングするための
メンテナンス停止時間（downtime）が必要となる。１９
９１年８月１３日に発行されたMiyashita らの米国特許
第５, ０３９, ３８８は、半導体処理チャンバー内でペ
アとして（in pairs）用いられるプラズマ形成電極を記
述している。該電極は、電極表面上にクロム酸陽極膜
（chromic acid anodic film）を有するアルミニウム合
金または高純度アルミニウムから形成される。該クロム
酸陽極処理された表面は、弗素含有ガスの存在下でプラ
ズマ処理プロセス中で用いられた際の耐久性を、著しく
改善すると言われている。該電極は、ＪＩＳ１０５０、
１１００、３００３、５０５２、５０５３および６０６
１等の高純度アルミニウム、または２〜６重量％のマグ
ネシウムを含むＡｇ−Ｍｇ合金等の同様の合金から形成
されていると記述されている。
する好ましい手段は、陽極処理（anodized）アルミニウ
ムコーティングであった。陽極処理は、アルミニウム表
面上に多孔性酸化アルミニウムの一体化された（integr
al）コーティングを生成する電解酸化（electrolytic o
xidation）プロセスである。陽極処理されたアルミニウ
ムコーティングの使用にもかかわらず、陽極処理された
アルミニウム部分（例えば、ＣＶＤリアクター・チャン
バー中のサセプター）の寿命は、プラズマクリーニング
環境における陽極処理された膜の分解ないし劣化（degr
adation ）のために制限される。アルミニウム表面上の
陽極処理された膜保護層の故障ないし破壊（failure ）
は、該リアクター・チャンバー中におけるパーティクル
（particulate ）の過剰発生をもたらし、故障したアル
ミニウム部分を置換するための、および該チャンバーの
残りの部分からパーティクルをクリーニングするための
メンテナンス停止時間（downtime）が必要となる。１９
９１年８月１３日に発行されたMiyashita らの米国特許
第５, ０３９, ３８８は、半導体処理チャンバー内でペ
アとして（in pairs）用いられるプラズマ形成電極を記
述している。該電極は、電極表面上にクロム酸陽極膜
（chromic acid anodic film）を有するアルミニウム合
金または高純度アルミニウムから形成される。該クロム
酸陽極処理された表面は、弗素含有ガスの存在下でプラ
ズマ処理プロセス中で用いられた際の耐久性を、著しく
改善すると言われている。該電極は、ＪＩＳ１０５０、
１１００、３００３、５０５２、５０５３および６０６
１等の高純度アルミニウム、または２〜６重量％のマグ
ネシウムを含むＡｇ−Ｍｇ合金等の同様の合金から形成
されていると記述されている。
【０００６】上述した種類の装置メンテナンスには重大
な費用がかかるのみならず、現在では例えば、約５００
〜５, ０００のシリコン・ウエハのどこかにおいて、処
理後のＣＶＤチャンバー中でサセプターを置き換えるこ
とが必要となる。サセプターは典型的には、約５, ００
０ドル〜６, ０００ドル程度にまで高いコストがかか
る。該サセプター中で有意な（significant ）表面欠陥
が発達するならば、これらの欠陥は、該サセプター頂上
の（atop）のシリコン・ウエハを通して翻訳（translat
e ）され、該シリコン・ウエハ上に堆積された膜の中に
ストレスを発生させる可能性がある。堆積された膜中の
ストレスは、ウエハ上に製作されたデバイスを仕様（sp
ecification ）外のものとする可能性がある。ウエハの
上のすべてのデバイスの損失は、５万ドル〜６万ドル程
度に高いコストとなる可能性がある。
な費用がかかるのみならず、現在では例えば、約５００
〜５, ０００のシリコン・ウエハのどこかにおいて、処
理後のＣＶＤチャンバー中でサセプターを置き換えるこ
とが必要となる。サセプターは典型的には、約５, ００
０ドル〜６, ０００ドル程度にまで高いコストがかか
る。該サセプター中で有意な（significant ）表面欠陥
が発達するならば、これらの欠陥は、該サセプター頂上
の（atop）のシリコン・ウエハを通して翻訳（translat
e ）され、該シリコン・ウエハ上に堆積された膜の中に
ストレスを発生させる可能性がある。堆積された膜中の
ストレスは、ウエハ上に製作されたデバイスを仕様（sp
ecification ）外のものとする可能性がある。ウエハの
上のすべてのデバイスの損失は、５万ドル〜６万ドル程
度に高いコストとなる可能性がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ハロゲン原子とイオン
による、およびハロゲン含有化合物による攻撃からアル
ミニウム表面を保護するための手段を有することは、非
常に望ましい。これは、アルミニウムから製作された半
導体装置部分の寿命を増大させ、装置メンテナンスの費
用を減らし、そしてこのような装置がプロセス操作の間
に故障した際に生じる、デバイスの損失を減らす。
による、およびハロゲン含有化合物による攻撃からアル
ミニウム表面を保護するための手段を有することは、非
常に望ましい。これは、アルミニウムから製作された半
導体装置部分の寿命を増大させ、装置メンテナンスの費
用を減らし、そしてこのような装置がプロセス操作の間
に故障した際に生じる、デバイスの損失を減らす。
【０００８】
【課題を解決するための手段】我々は、半導体プロセス
装置内で腐食性のハロゲン含有化学種に晒されたアルミ
ニウム物品（サセプター等）の腐食は、最適のマグネシ
ウム含有量を有する高純度アルミニウム−マグネシウム
合金から、該物品を製作することによって避けられるこ
とを見出した。該物品をハロゲン含有化学種に晒した際
には、保護性のハロゲン化マグネシウム層が該物品の表
面の下に（beneath ）形成される。該保護性の層は、ハ
ロゲンが基部（base）アルミニウム・ベースに浸透する
（penetrating ）のを防いで、腐食とひび割れ(crackin
g ）から該物品を保護する。
装置内で腐食性のハロゲン含有化学種に晒されたアルミ
ニウム物品（サセプター等）の腐食は、最適のマグネシ
ウム含有量を有する高純度アルミニウム−マグネシウム
合金から、該物品を製作することによって避けられるこ
とを見出した。該物品をハロゲン含有化学種に晒した際
には、保護性のハロゲン化マグネシウム層が該物品の表
面の下に（beneath ）形成される。該保護性の層は、ハ
ロゲンが基部（base）アルミニウム・ベースに浸透する
（penetrating ）のを防いで、腐食とひび割れ(crackin
g ）から該物品を保護する。
【０００９】ハロゲン化マグネシウム層を摩耗（abrasi
on）から保護するために、該物品は、該ハロゲン化マグ
ネシウム層の上に（over、に硬い凝集性（cohesive）の
コーティングをも含むことが好ましい。好ましい凝集性
のコーティングは、酸化アルミニウムまたは窒化アルミ
ニウムであり、これは、該アルミニウム物品がハロゲン
含有化学種に晒されて上記ハロゲン化マグネシウム層を
形成する前に、従来の陽極処理プロセスによって形成す
ることができる。
on）から保護するために、該物品は、該ハロゲン化マグ
ネシウム層の上に（over、に硬い凝集性（cohesive）の
コーティングをも含むことが好ましい。好ましい凝集性
のコーティングは、酸化アルミニウムまたは窒化アルミ
ニウムであり、これは、該アルミニウム物品がハロゲン
含有化学種に晒されて上記ハロゲン化マグネシウム層を
形成する前に、従来の陽極処理プロセスによって形成す
ることができる。
【００１０】アルミニウム物品のマグネシウム含有量
は、該物品の全体にわたって（throughout）、または、
少くとも耐腐食性とされるべき表面下の物品の領域にお
いて、約０. １％〜１. ５重量％の範囲にあるべきであ
る。該アルミニウムの不純物含有量は、０. ２％未満で
あるべきであり、好ましくは、これより遥かに少なくあ
るべきである。
は、該物品の全体にわたって（throughout）、または、
少くとも耐腐食性とされるべき表面下の物品の領域にお
いて、約０. １％〜１. ５重量％の範囲にあるべきであ
る。該アルミニウムの不純物含有量は、０. ２％未満で
あるべきであり、好ましくは、これより遥かに少なくあ
るべきである。
【００１１】
（発明の解析的基礎）図１は、化学的気相堆積（ＣＶ
Ｄ）またはエッチング等の半導体基板製作プロセスのた
めに使用される、従来のリアクター・チャンバー１００
を示す。このようなプロセスは、典型的には、該チャン
バー内の構成要素（components）を腐食性のハロゲン含
有化学種に晒す。特に腐食性のものは、チャンバー構成
要素をプラズマ・クリーニングするために用いられるガ
ス混合物、例えば、ＣＦ4 とＮ2Ｏとの混合物、または
Ｃ2 Ｆ6 とＯ2 との混合物である。チャンバー構成要素
は、ＣＶＤまたはエッチング・プロセスにおける高温
（典型的には２００℃〜５００℃）と、定期的な（peri
odic）チャンバー・クリーニングにおける腐食性のハロ
ゲンガス混合物とに、交互に晒される。
Ｄ）またはエッチング等の半導体基板製作プロセスのた
めに使用される、従来のリアクター・チャンバー１００
を示す。このようなプロセスは、典型的には、該チャン
バー内の構成要素（components）を腐食性のハロゲン含
有化学種に晒す。特に腐食性のものは、チャンバー構成
要素をプラズマ・クリーニングするために用いられるガ
ス混合物、例えば、ＣＦ4 とＮ2Ｏとの混合物、または
Ｃ2 Ｆ6 とＯ2 との混合物である。チャンバー構成要素
は、ＣＶＤまたはエッチング・プロセスにおける高温
（典型的には２００℃〜５００℃）と、定期的な（peri
odic）チャンバー・クリーニングにおける腐食性のハロ
ゲンガス混合物とに、交互に晒される。
【００１２】ある種のチャンバー構成要素、例えば、穴
あき（perforated）プレート１１０（これは、プロセス
・ガスをチャンバー内に供給（deliver ）する機能、お
よびプラズマを励起するためのＲＦ電極としての機能の
双方を果たす）、およびサセプター１１２（これは、半
導体基板１１４を支持し、そして、しばしばＲＦ電極と
しても機能する）は、従来においては陽極処理されたア
ルミニウムで構成される。一般に使用されるアルミニウ
ム材料は、Ａｌ１１００とＡｌ６０６１である。
あき（perforated）プレート１１０（これは、プロセス
・ガスをチャンバー内に供給（deliver ）する機能、お
よびプラズマを励起するためのＲＦ電極としての機能の
双方を果たす）、およびサセプター１１２（これは、半
導体基板１１４を支持し、そして、しばしばＲＦ電極と
しても機能する）は、従来においては陽極処理されたア
ルミニウムで構成される。一般に使用されるアルミニウ
ム材料は、Ａｌ１１００とＡｌ６０６１である。
【００１３】アルミニウム上の陽極処理コーティング
（酸化アルミニウム）は、該アルミニウムを腐食から保
護することを意図している。しかしながら、我々は、酸
化物保護層が比較的に多孔性であることを見出した。図
２は、アルミニウム基部２１６上の、１０〜１４ミクロ
ンの厚さを有する酸化アルミニウム層２００を示す。該
酸化物は、従来の電解陽極処理プロセスによって形成さ
れた。アルミニウム基部２１６のすぐ上に横たわってい
る（immediately overlying ）該酸化物層の部分は、ほ
んの１００〜５０００オングストロームの厚さを有する
密な（dense ）バリヤー層２１０である。該酸化物層の
残りの部分は、直径で１００〜２０００オングストロー
ム程度の孔（pores ）２１４を有する六角形（hexagona
l ）のセル２１２のマトリックスである。これらの孔
は、大部分のハロゲン原子よりより大きい。例えば、弗
素原子は、直径で約５オングストローム程である。この
ように、多孔性セル２１２のマトリックス下の薄いバリ
ヤー層２１０のみが、半導体プロセスチャンバー内で一
般に使用される腐食性のハロゲン含有ガス混合物から、
基部アルミニウム合金２１６を保護する。
（酸化アルミニウム）は、該アルミニウムを腐食から保
護することを意図している。しかしながら、我々は、酸
化物保護層が比較的に多孔性であることを見出した。図
２は、アルミニウム基部２１６上の、１０〜１４ミクロ
ンの厚さを有する酸化アルミニウム層２００を示す。該
酸化物は、従来の電解陽極処理プロセスによって形成さ
れた。アルミニウム基部２１６のすぐ上に横たわってい
る（immediately overlying ）該酸化物層の部分は、ほ
んの１００〜５０００オングストロームの厚さを有する
密な（dense ）バリヤー層２１０である。該酸化物層の
残りの部分は、直径で１００〜２０００オングストロー
ム程度の孔（pores ）２１４を有する六角形（hexagona
l ）のセル２１２のマトリックスである。これらの孔
は、大部分のハロゲン原子よりより大きい。例えば、弗
素原子は、直径で約５オングストローム程である。この
ように、多孔性セル２１２のマトリックス下の薄いバリ
ヤー層２１０のみが、半導体プロセスチャンバー内で一
般に使用される腐食性のハロゲン含有ガス混合物から、
基部アルミニウム合金２１６を保護する。
【００１４】陽極処理（酸化アルミニウム）コーティン
グの故障は、典型的には、ピンホールおよび「ひび割
れ」の形で起こる。該「ひび割れ」は、次に、該保護性
コーティングのフレーキング（flaking off ）をもたら
す。
グの故障は、典型的には、ピンホールおよび「ひび割
れ」の形で起こる。該「ひび割れ」は、次に、該保護性
コーティングのフレーキング（flaking off ）をもたら
す。
【００１５】酸化物コーティングの付加的な故障メカニ
ズムは、該酸化物下の析出（precipitates）のノジュー
ル（nodule）の形成であり、これは結局は、該酸化物層
にストレスを与え、ひびを入れる。図３〜６は、標準的
な市販のアルミニウム−マグネシウム合金Ａｌ６０６１
から形成されたアルミニウムサセプターを、ＣＶＤチャ
ンバーの構成要素をクリーニングするために用いられる
標準のプロセスに長時間供された際の、故障モード（fa
ilure modes ）の研究において撮影された、実際の顕微
鏡写真に基づいている。具体的には、テスト下のサセプ
ターは、ＣＦ4およびＮ2 Ｏを供給された真空チャンバ
ー内で約４２５℃に維持された。高周波電源（RF power
supply ）は、該ガス混合物をプラズマ状態に励起し、
そして負のＤＣバイアス電圧が該サセプター上に維持さ
れた。
ズムは、該酸化物下の析出（precipitates）のノジュー
ル（nodule）の形成であり、これは結局は、該酸化物層
にストレスを与え、ひびを入れる。図３〜６は、標準的
な市販のアルミニウム−マグネシウム合金Ａｌ６０６１
から形成されたアルミニウムサセプターを、ＣＶＤチャ
ンバーの構成要素をクリーニングするために用いられる
標準のプロセスに長時間供された際の、故障モード（fa
ilure modes ）の研究において撮影された、実際の顕微
鏡写真に基づいている。具体的には、テスト下のサセプ
ターは、ＣＦ4およびＮ2 Ｏを供給された真空チャンバ
ー内で約４２５℃に維持された。高周波電源（RF power
supply ）は、該ガス混合物をプラズマ状態に励起し、
そして負のＤＣバイアス電圧が該サセプター上に維持さ
れた。
【００１６】上記Ａｌ６０６１の合金は、約０. ８重量
％のマグネシウム、および合計量が約１. ８〜２. ２重
量％他の不純物とを含有している。主要な不純物は、優
勢（prevalence）な順に、シリコン、鉄、銅、クロム、
マンガン、および亜鉛である。図３〜６は、上部（over
lying ）酸化物コーティング３１４中のピンホールを浸
透して、該アルミニウム中の不純物と反応して弗化物ま
たは塩化物化合物を形成する、弗素（または、塩素）原
子によって引き起こされた、アルミニウム物品３００内
のノジュールの形成を説明している。ノジュールの成長
は、該酸化物コーティングにストレスを与え、更には、
より大きなひび割れをもたらし、該酸化物下に、より多
くの弗素または塩素の侵入を許し、より大きなノジュー
ルの成長さえ許容する可能性もある。
％のマグネシウム、および合計量が約１. ８〜２. ２重
量％他の不純物とを含有している。主要な不純物は、優
勢（prevalence）な順に、シリコン、鉄、銅、クロム、
マンガン、および亜鉛である。図３〜６は、上部（over
lying ）酸化物コーティング３１４中のピンホールを浸
透して、該アルミニウム中の不純物と反応して弗化物ま
たは塩化物化合物を形成する、弗素（または、塩素）原
子によって引き起こされた、アルミニウム物品３００内
のノジュールの形成を説明している。ノジュールの成長
は、該酸化物コーティングにストレスを与え、更には、
より大きなひび割れをもたらし、該酸化物下に、より多
くの弗素または塩素の侵入を許し、より大きなノジュー
ルの成長さえ許容する可能性もある。
【００１７】図３は、弗素（または、塩素）原子が、ピ
ンホールを通して、あるいは拡散のいずれかによって、
酸化アルミニウムコーティング３１４のバリア層３１３
を浸透して、該アルミニウム３１２の中のシリコン不純
物と反応して、四弗化珪素（または、四塩化珪素）のノ
ジュール３１０を形成する、ノジュールの開始を示す。
図４中で示されるように、ノジュール３１０の成長は、
酸化物層３１４にストレスを与え、ひび割れ３１８を引
き起こす可能性がある。このようなストレスは、ＣＶＤ
プロセスのために用いられる高温、典型的には２００°
〜５００℃、によって更に悪化する。該ひび割れ３１８
は、矢印３１９で示されるように、揮発性のＳｉＦ
4 （またはＳｉＣｌ4 ）が蒸発することを許容し、図５
中に示されるように、該アルミニウム中でより大きな空
隙（void）３２０さえも形成する。該ひび割れは、ま
た、矢印３１６で示されるように、より多くの弗素（ま
たは塩素）が該アルミニウムを浸透することを許容す
る。
ンホールを通して、あるいは拡散のいずれかによって、
酸化アルミニウムコーティング３１４のバリア層３１３
を浸透して、該アルミニウム３１２の中のシリコン不純
物と反応して、四弗化珪素（または、四塩化珪素）のノ
ジュール３１０を形成する、ノジュールの開始を示す。
図４中で示されるように、ノジュール３１０の成長は、
酸化物層３１４にストレスを与え、ひび割れ３１８を引
き起こす可能性がある。このようなストレスは、ＣＶＤ
プロセスのために用いられる高温、典型的には２００°
〜５００℃、によって更に悪化する。該ひび割れ３１８
は、矢印３１９で示されるように、揮発性のＳｉＦ
4 （またはＳｉＣｌ4 ）が蒸発することを許容し、図５
中に示されるように、該アルミニウム中でより大きな空
隙（void）３２０さえも形成する。該ひび割れは、ま
た、矢印３１６で示されるように、より多くの弗素（ま
たは塩素）が該アルミニウムを浸透することを許容す
る。
【００１８】図５は、ひび割れ３１８を通じた弗素また
は塩素３１６の更なる浸透により、陽極処理された層３
１４の下に弗化アルミニウムＡｌＦ3 （または塩化アル
ミニウムＡｌＣｌ3 ）ノジュール３２２を生成する、ノ
ジュール３２２の更なる発達を示す。結局は、該ノジュ
ール３２２は、陽極処理された層３１４に充分な力を及
ぼし、陽極処理された層３１４からのフレーキングを起
こして、図６中に示されるように、ノジュール３２２を
露出させる。
は塩素３１６の更なる浸透により、陽極処理された層３
１４の下に弗化アルミニウムＡｌＦ3 （または塩化アル
ミニウムＡｌＣｌ3 ）ノジュール３２２を生成する、ノ
ジュール３２２の更なる発達を示す。結局は、該ノジュ
ール３２２は、陽極処理された層３１４に充分な力を及
ぼし、陽極処理された層３１４からのフレーキングを起
こして、図６中に示されるように、ノジュール３２２を
露出させる。
【００１９】これらのテストに用いられるアルミニウム
基部３１２は、酸化物層を浸透した弗素が該酸化物の下
に弗化マグネシウム３２４の層を形成するのに充分なマ
グネシウム含有量（約０. ８重量％）を有していた。し
かしながら、該アルミニウム中の他の不純物（約２重量
％）の過大な濃度のために、損害を与えるノジュール３
１０および３２２が形成され、基部アルミニウム中への
弗素の浸透を防ぐのに充分な弗化マグネシウム層が構築
されることが可能となる前に、該酸化物中にひび割れ３
１８を引き起こした。このようなテストから、我々は、
腐食の防止は、以下に述べる最適なマグネシウム含有量
のみならず、基部アルミニウム中の低い不純物含有量を
必要とする、との結論に達した。
基部３１２は、酸化物層を浸透した弗素が該酸化物の下
に弗化マグネシウム３２４の層を形成するのに充分なマ
グネシウム含有量（約０. ８重量％）を有していた。し
かしながら、該アルミニウム中の他の不純物（約２重量
％）の過大な濃度のために、損害を与えるノジュール３
１０および３２２が形成され、基部アルミニウム中への
弗素の浸透を防ぐのに充分な弗化マグネシウム層が構築
されることが可能となる前に、該酸化物中にひび割れ３
１８を引き起こした。このようなテストから、我々は、
腐食の防止は、以下に述べる最適なマグネシウム含有量
のみならず、基部アルミニウム中の低い不純物含有量を
必要とする、との結論に達した。
【００２０】該アルミニウム中の鉄、銅、クロムおよび
亜鉛不純物の存在も、該不純物がアルミニウムの表面の
近くで拡散して、酸化物層を浸透した弗素または塩素原
子と反応する際に、問題を起こす。結果として生ずる金
属弗化物または塩化物化合物は、上述したＳｉＦ4 また
はＳｉＣｌ4 化合物ほどには揮発性でない。しかしなが
ら、それらは、ＭｇＦ2 またはＭｇＣ１2 のそれと大き
く異なるそれらの熱膨張係数のために、ストレスを発生
させる。これらのストレスは、上述したそれらに似てい
る酸化物層の中で、ひび割れに引き起こす可能性があ
る。
亜鉛不純物の存在も、該不純物がアルミニウムの表面の
近くで拡散して、酸化物層を浸透した弗素または塩素原
子と反応する際に、問題を起こす。結果として生ずる金
属弗化物または塩化物化合物は、上述したＳｉＦ4 また
はＳｉＣｌ4 化合物ほどには揮発性でない。しかしなが
ら、それらは、ＭｇＦ2 またはＭｇＣ１2 のそれと大き
く異なるそれらの熱膨張係数のために、ストレスを発生
させる。これらのストレスは、上述したそれらに似てい
る酸化物層の中で、ひび割れに引き起こす可能性があ
る。
【００２１】図７は、上記したＡｌ６０６１より遥かに
低いマグネシウム含有量（我々のサンプル中では０. ０
２３重量％）を有し、且つ、若干より高い不純物含有量
たる約３重量％を有し、主要な不純物が約０. ５重量％
の鉄を有するアルミニウムであるＡｌ１１００から製作
されたサセプター４００上における、同様のＣＦ4 およ
びＮ2 Ｏプラズマクリーニング・プロセスの影響をテス
トした際に、我々が観察した故障メカニズムを説明して
いる。Ａｌ１１００は、酸化物層４１４を浸透して基部
アルミニウム４１０中に至るハロゲン原子の量を制限す
ることが可能な、ＭｇＦ2 （またはＭｇＣ１2 ）の保護
層を形成するたに充分なマグネシウムを含有していな
い。したがって、弗素（または、塩素）が酸化物層中の
ピンホールを浸透して、その下の（underlying）アルミ
ニウム４１０と反応する時間の間（over time ）、Ａｌ
Ｆ3 （または、ＡｌＣｌ3 ）の厚い層４１２が構築され
る。該酸化物中のピンホールの分布は不均一であるた
め、ハロゲン化アルミニウム層４１２の厚さは、これに
対応して不均一となる。この厚さの不均一性は、ストレ
スを引き起こし；実際に、該ハロゲン化アルミニウム層
の輪郭（contour ）が速く変化する点（points）で、該
ストレスは圧縮性（compressive ）から張力性（tensil
e ）に変化する可能性がある。このようなストレスは、
該酸化物層４１４の部分４１６をフレーキングさせ、こ
れにより、その下にあるアルミニウムを、加速された腐
食に晒す可能性がある。
低いマグネシウム含有量（我々のサンプル中では０. ０
２３重量％）を有し、且つ、若干より高い不純物含有量
たる約３重量％を有し、主要な不純物が約０. ５重量％
の鉄を有するアルミニウムであるＡｌ１１００から製作
されたサセプター４００上における、同様のＣＦ4 およ
びＮ2 Ｏプラズマクリーニング・プロセスの影響をテス
トした際に、我々が観察した故障メカニズムを説明して
いる。Ａｌ１１００は、酸化物層４１４を浸透して基部
アルミニウム４１０中に至るハロゲン原子の量を制限す
ることが可能な、ＭｇＦ2 （またはＭｇＣ１2 ）の保護
層を形成するたに充分なマグネシウムを含有していな
い。したがって、弗素（または、塩素）が酸化物層中の
ピンホールを浸透して、その下の（underlying）アルミ
ニウム４１０と反応する時間の間（over time ）、Ａｌ
Ｆ3 （または、ＡｌＣｌ3 ）の厚い層４１２が構築され
る。該酸化物中のピンホールの分布は不均一であるた
め、ハロゲン化アルミニウム層４１２の厚さは、これに
対応して不均一となる。この厚さの不均一性は、ストレ
スを引き起こし；実際に、該ハロゲン化アルミニウム層
の輪郭（contour ）が速く変化する点（points）で、該
ストレスは圧縮性（compressive ）から張力性（tensil
e ）に変化する可能性がある。このようなストレスは、
該酸化物層４１４の部分４１６をフレーキングさせ、こ
れにより、その下にあるアルミニウムを、加速された腐
食に晒す可能性がある。
【００２２】（発明性のある耐腐食性材料および製作
法：概観）本発明によれば、アルミニウム（または、ア
ルミニウム−マグネシウム合金）物品は、ハロゲン化マ
グネシウム（好ましくは弗化マグネシウム）の耐腐食性
保護層を備えている。本発明は、更に、アルミニウム物
品にわたって（throughout）または少くとも該物品の表
面に隣接する領域中で、該アルミニウムが可動性の不純
物（mobile impurity ）原子の非常に低い濃度を有する
ことを要求する。
法：概観）本発明によれば、アルミニウム（または、ア
ルミニウム−マグネシウム合金）物品は、ハロゲン化マ
グネシウム（好ましくは弗化マグネシウム）の耐腐食性
保護層を備えている。本発明は、更に、アルミニウム物
品にわたって（throughout）または少くとも該物品の表
面に隣接する領域中で、該アルミニウムが可動性の不純
物（mobile impurity ）原子の非常に低い濃度を有する
ことを要求する。
【００２３】本発明のアルミニウム物品は、半導体製作
装置中でエッチング・プロセスおよびＣＶＤチャンバー
・クリーニングプロセスにおいて典型的に用いられるハ
ロゲン含有化学種（Ｃ１2 、Ｆ2 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ
ＨＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 、ＨＦ、ＢＣｌ3 等）によって引き起
こされる腐食に耐える。ハロゲン化マグネシウム層は、
ハロゲン原子またはイオンが該層を浸透して、その下の
アルミニウムと反応して上述したような化合物であっ
て、アルミニウム物品中でストレスおよびひび割れを起
こす可能性がある化合物を形成することを防止する。
装置中でエッチング・プロセスおよびＣＶＤチャンバー
・クリーニングプロセスにおいて典型的に用いられるハ
ロゲン含有化学種（Ｃ１2 、Ｆ2 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、Ｃ
ＨＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 、ＨＦ、ＢＣｌ3 等）によって引き起
こされる腐食に耐える。ハロゲン化マグネシウム層は、
ハロゲン原子またはイオンが該層を浸透して、その下の
アルミニウムと反応して上述したような化合物であっ
て、アルミニウム物品中でストレスおよびひび割れを起
こす可能性がある化合物を形成することを防止する。
【００２４】（アルミニウムの不純物含有量）上述した
ように、アルミニウムとマグネシウム以外の可動性不純
物の低い濃度は、該物品表面のひび割れおよびフレーキ
ングをもたらす可能性のある、アルミニウム内のノジュ
ールおよび空隙の形成を防止する。可動性の不純物と
は、本発明において、アルミニウム・マトリックスの中
で容易に拡散する可能性がある、アルミニウムまたはマ
グネシウム以外の化学種を意味する。このような可動性
の不純物は、半導体化合物を形成する可能性がある金
属、遷移金属、半導体および元素、例えば、ガリウム、
アンチモン、テルル、砒素およびポロニウム等を含む。
ように、アルミニウムとマグネシウム以外の可動性不純
物の低い濃度は、該物品表面のひび割れおよびフレーキ
ングをもたらす可能性のある、アルミニウム内のノジュ
ールおよび空隙の形成を防止する。可動性の不純物と
は、本発明において、アルミニウム・マトリックスの中
で容易に拡散する可能性がある、アルミニウムまたはマ
グネシウム以外の化学種を意味する。このような可動性
の不純物は、半導体化合物を形成する可能性がある金
属、遷移金属、半導体および元素、例えば、ガリウム、
アンチモン、テルル、砒素およびポロニウム等を含む。
【００２５】理想的には、可動性の不純物濃度は、アル
ミニウム物品の表面に拡散する不純物の確率が低くなる
のに充分な程度に、低くあるべきである。該物品が操作
されるであろう温度が高くなれば、不純物の可動性は高
くなる。したがって、不純物がより深くから該表面に拡
散しそうになるため、不純物含有量は、より低くなけれ
ばならない。与えられた不純物化学種のアルミニウム中
での可動性が高くなる程、または、半導体プロセスに使
用される温度におけるその蒸気圧が高くなる程、その濃
度は低くなければならない。もちろん、特に半導体プロ
セスにダメージを与えると考えられる化学種、例えば、
ナトリウム、亜鉛、貴金属、アルカリ土類金属等、は特
に低い濃度であるべきである。
ミニウム物品の表面に拡散する不純物の確率が低くなる
のに充分な程度に、低くあるべきである。該物品が操作
されるであろう温度が高くなれば、不純物の可動性は高
くなる。したがって、不純物がより深くから該表面に拡
散しそうになるため、不純物含有量は、より低くなけれ
ばならない。与えられた不純物化学種のアルミニウム中
での可動性が高くなる程、または、半導体プロセスに使
用される温度におけるその蒸気圧が高くなる程、その濃
度は低くなければならない。もちろん、特に半導体プロ
セスにダメージを与えると考えられる化学種、例えば、
ナトリウム、亜鉛、貴金属、アルカリ土類金属等、は特
に低い濃度であるべきである。
【００２６】与えられた不純物濃度において、同じ濃度
がより数多くの異なる不純物化学種からなるよりも、単
一の不純物化学種がこの濃度の大部分を構成すること
は、一般には、より有害である。同じ種類の不純物は、
いくつかの異なる種類の不純物の同じ量に比べて、より
集合（aggregate ）して単一の大きなノジュールを形成
し易い。
がより数多くの異なる不純物化学種からなるよりも、単
一の不純物化学種がこの濃度の大部分を構成すること
は、一般には、より有害である。同じ種類の不純物は、
いくつかの異なる種類の不純物の同じ量に比べて、より
集合（aggregate ）して単一の大きなノジュールを形成
し易い。
【００２７】許容しうる不純物濃度に影響を及ぼすもう
一つのファクターは、該不純物がアルミニウム材料中で
均一な空間的分布を一般には有しないということであ
る。したがって、もし物品がそれから製作されるべきア
ルミニウムが、ある包括的（overall ）不純物濃度を有
しているならば、該物品中の不純物が表面付近で平均的
濃度よりも高い濃度を有し、これにより不純物が表面に
移行（migrating ）して欠陥を生じるという統計的な危
険があることとなる。この統計的な危険を減らすために
は、他の場合に必要とされるより、更に低い不純物濃度
が好ましい。
一つのファクターは、該不純物がアルミニウム材料中で
均一な空間的分布を一般には有しないということであ
る。したがって、もし物品がそれから製作されるべきア
ルミニウムが、ある包括的（overall ）不純物濃度を有
しているならば、該物品中の不純物が表面付近で平均的
濃度よりも高い濃度を有し、これにより不純物が表面に
移行（migrating ）して欠陥を生じるという統計的な危
険があることとなる。この統計的な危険を減らすために
は、他の場合に必要とされるより、更に低い不純物濃度
が好ましい。
【００２８】我々は、約０. ６重量％のシリコン、およ
び次第に（progressively ）より小さい量の鉄、銅、お
よびクロムを不純物として有するＡｌ６０６１を用い
て、１２のサセプターを製作することによって、本発明
をテストした。我々は、シリコンが表面に拡散して欠陥
を生じたため、大部分のサセプターが短い寿命しか有し
なかったことを見出した。しかしながら、いくつかのサ
セプターは、統計的変動（statistical variation ）に
より、遥かに低い不純物含有量を有しており、そしてそ
れらは例外的に長い寿命を有していた。したがって、我
々は、本発明を実践するために使われるアルミニウム
は、０. ２重量％より悪くない可動性の不純物の濃度を
有するべきであり、不純物によって引き起こされる欠陥
のより低い確率には０. １％、更には０. ０５％を有す
るべきであると推定した。好ましくは、どれか１つの可
動性の不純物化学種も、これらの量の半分を越える構成
とするべきではない。
び次第に（progressively ）より小さい量の鉄、銅、お
よびクロムを不純物として有するＡｌ６０６１を用い
て、１２のサセプターを製作することによって、本発明
をテストした。我々は、シリコンが表面に拡散して欠陥
を生じたため、大部分のサセプターが短い寿命しか有し
なかったことを見出した。しかしながら、いくつかのサ
セプターは、統計的変動（statistical variation ）に
より、遥かに低い不純物含有量を有しており、そしてそ
れらは例外的に長い寿命を有していた。したがって、我
々は、本発明を実践するために使われるアルミニウム
は、０. ２重量％より悪くない可動性の不純物の濃度を
有するべきであり、不純物によって引き起こされる欠陥
のより低い確率には０. １％、更には０. ０５％を有す
るべきであると推定した。好ましくは、どれか１つの可
動性の不純物化学種も、これらの量の半分を越える構成
とするべきではない。
【００２９】（ハロゲン化マグネシウム保護層を形成た
めのプロセス）本発明の新規なプロセスによれば、アル
ミニウム物品のためのハロゲン化マグネシウム保護層
は、該アルミニウム内の特定の（specified ）最適範囲
の内にマグネシウムの濃度を取り込み、次いで、該マグ
ネシウムがハロゲンと反応してハロゲン化マグネシウム
層を形成するように、該物品をハロゲン含有化学種に晒
すことにより、形成される。マグネシウムは該物品全体
に取り込まれてもよく、あるいは、マグネシウムは該物
品の表面に隣接して保護層が形成されるべき領域のみに
組み込まれてもよい。ハロゲン化マグネシウム層が形成
されている方法の説明の後、マグネシウムの最適な濃度
範囲を以下に説明する。
めのプロセス）本発明の新規なプロセスによれば、アル
ミニウム物品のためのハロゲン化マグネシウム保護層
は、該アルミニウム内の特定の（specified ）最適範囲
の内にマグネシウムの濃度を取り込み、次いで、該マグ
ネシウムがハロゲンと反応してハロゲン化マグネシウム
層を形成するように、該物品をハロゲン含有化学種に晒
すことにより、形成される。マグネシウムは該物品全体
に取り込まれてもよく、あるいは、マグネシウムは該物
品の表面に隣接して保護層が形成されるべき領域のみに
組み込まれてもよい。ハロゲン化マグネシウム層が形成
されている方法の説明の後、マグネシウムの最適な濃度
範囲を以下に説明する。
【００３０】ハロゲン化マグネシウム層は、最初は、該
物品をハロゲン含有反応性化学種、最も好ましくは弗
素、または、次に好ましくは塩素を含む環境にさらすこ
とによって形成される。以下の記載においては、塩素あ
るいは他のハロゲンが弗素に置き代わり得ると理解のも
とで、弗素について言及する。
物品をハロゲン含有反応性化学種、最も好ましくは弗
素、または、次に好ましくは塩素を含む環境にさらすこ
とによって形成される。以下の記載においては、塩素あ
るいは他のハロゲンが弗素に置き代わり得ると理解のも
とで、弗素について言及する。
【００３１】我々は、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ3 等の弗
素前駆体（precursor ）を含むエッチングまたはクリー
ニング・ガス混合物を用いる、プラズマエッチングまた
はプラズマクリーニング・プロセスを行うように設計さ
れた従来型の反応チャンバーを好ましく用いる。弗化マ
グネシウム層の形成の速度は、弗素の利用可能度（avai
lability）によってでなく、該表面へのマグネシウム拡
散の速度によって制限されるため、同じリアクター・チ
ャンバーを同じガス混合物を使用してクリーニングする
ことに通常用いるであろうレベルの約半分のＲＦパワー
レベルで、弗素含有プラズマを励起させる。弗素イオン
が物品の表面に向かって加速され、そしてよりよく浸透
するように、負のバイアス電圧をアルミニウムに印加す
ることが好ましい。よく知られているように、負のバイ
アス電圧は、該物品に直列接続（series−connected ）
キャパシタを介して連結された高周波電源、またはＤＣ
電源のいずれによっても、印加することが可能である。
素前駆体（precursor ）を含むエッチングまたはクリー
ニング・ガス混合物を用いる、プラズマエッチングまた
はプラズマクリーニング・プロセスを行うように設計さ
れた従来型の反応チャンバーを好ましく用いる。弗化マ
グネシウム層の形成の速度は、弗素の利用可能度（avai
lability）によってでなく、該表面へのマグネシウム拡
散の速度によって制限されるため、同じリアクター・チ
ャンバーを同じガス混合物を使用してクリーニングする
ことに通常用いるであろうレベルの約半分のＲＦパワー
レベルで、弗素含有プラズマを励起させる。弗素イオン
が物品の表面に向かって加速され、そしてよりよく浸透
するように、負のバイアス電圧をアルミニウムに印加す
ることが好ましい。よく知られているように、負のバイ
アス電圧は、該物品に直列接続（series−connected ）
キャパシタを介して連結された高周波電源、またはＤＣ
電源のいずれによっても、印加することが可能である。
【００３２】最初の弗化マグネシウム層形成中の物品の
温度は、物品の表面に拡散するマグネシウムが、それが
弗素と反応する前に蒸発することを防ぐために、マグネ
シウムの蒸発温度より充分に下であることが好ましい。
マグネシウムの蒸発は、アルミニウム物品（例えば、サ
セプター）の保全性（integrity ）にとって有害ではな
い。しかしながら、蒸発したマグネシウムは、真空チャ
ンバー内で表面上に黒い膜を堆積させる。もし生産エッ
チングまたはＣＶＤチャンバーが最初の弗化マグネシウ
ム層を堆積させるために使われるならば、黒い膜がチャ
ンバー表面上に堆積することは、容認できなくなる可能
性がある。
温度は、物品の表面に拡散するマグネシウムが、それが
弗素と反応する前に蒸発することを防ぐために、マグネ
シウムの蒸発温度より充分に下であることが好ましい。
マグネシウムの蒸発は、アルミニウム物品（例えば、サ
セプター）の保全性（integrity ）にとって有害ではな
い。しかしながら、蒸発したマグネシウムは、真空チャ
ンバー内で表面上に黒い膜を堆積させる。もし生産エッ
チングまたはＣＶＤチャンバーが最初の弗化マグネシウ
ム層を堆積させるために使われるならば、黒い膜がチャ
ンバー表面上に堆積することは、容認できなくなる可能
性がある。
【００３３】より重要なことには、もしチャンバー内に
いくらかでも酸素が存在すると、蒸発したマグネシウム
は酸化されて好ましくないパーティクルを形成する。し
たがって、最初のＭｇＦ2 層を形成するために用いられ
るハロゲン含有ガス混合物は、可能な限り少量の酸素を
含むべきである。他の不純物も、弗化マグネシウム層中
への他の化合物の取込みを防止するために、最小化され
るべきである。好ましくは、これは１Ｔｏｒｒ未満（be
low ）の圧力で該チャンバーを操作することによって、
容易化される。
いくらかでも酸素が存在すると、蒸発したマグネシウム
は酸化されて好ましくないパーティクルを形成する。し
たがって、最初のＭｇＦ2 層を形成するために用いられ
るハロゲン含有ガス混合物は、可能な限り少量の酸素を
含むべきである。他の不純物も、弗化マグネシウム層中
への他の化合物の取込みを防止するために、最小化され
るべきである。好ましくは、これは１Ｔｏｒｒ未満（be
low ）の圧力で該チャンバーを操作することによって、
容易化される。
【００３４】以下でより充分に記述されるように、我々
は、弗化マグネシウム層が形成されるより前に、酸化ア
ルミニウム層または他の凝集性の保護層をアルミニウム
物品の表面上に適用することが、マグネシウムの蒸発を
著しく阻害し、該弗化マグネシウム層を形成している間
に、より高い温度の使用を許容することを見出した。
は、弗化マグネシウム層が形成されるより前に、酸化ア
ルミニウム層または他の凝集性の保護層をアルミニウム
物品の表面上に適用することが、マグネシウムの蒸発を
著しく阻害し、該弗化マグネシウム層を形成している間
に、より高い温度の使用を許容することを見出した。
【００３５】逆に、該温度を低減することは、物品のア
ルミニウム本体内でのマグネシウムの可動性を低減さ
せ、２つの好ましくない結果をもたらす。第一に、該温
度がマグネシウム蒸発点より下に低減されるにつれて、
マグネシウムの可動性は、鉄、シリコン等のより可動性
の小さい不純物のそれぞれの可動性より速く減退するよ
うに見える。したがって、該温度をできる限り高く維持
しておくことは、マグネシウムの表面への拡散を優先的
に最大化させ、弗素が該不純物よりもむしろマグネシウ
ムと反応するようになるように見える。第２に、該マグ
ネシウムの可動性を低減させることは、最初の弗化マグ
ネシウム層を形成するために必要とされる時間を延長さ
せる。反応チャンバーは高価な資本機器（capital equi
pment ）であるため、該チャンバーが半導体ウエハ処理
より最初のハロゲン化マグネシウム層の形成に貢献して
いる（dedicated to）時間を最小化することは、望まし
い。
ルミニウム本体内でのマグネシウムの可動性を低減さ
せ、２つの好ましくない結果をもたらす。第一に、該温
度がマグネシウム蒸発点より下に低減されるにつれて、
マグネシウムの可動性は、鉄、シリコン等のより可動性
の小さい不純物のそれぞれの可動性より速く減退するよ
うに見える。したがって、該温度をできる限り高く維持
しておくことは、マグネシウムの表面への拡散を優先的
に最大化させ、弗素が該不純物よりもむしろマグネシウ
ムと反応するようになるように見える。第２に、該マグ
ネシウムの可動性を低減させることは、最初の弗化マグ
ネシウム層を形成するために必要とされる時間を延長さ
せる。反応チャンバーは高価な資本機器（capital equi
pment ）であるため、該チャンバーが半導体ウエハ処理
より最初のハロゲン化マグネシウム層の形成に貢献して
いる（dedicated to）時間を最小化することは、望まし
い。
【００３６】したがって、該アルミニウム中の可動性不
純物のハロゲン化物の形成によって引き起こされるハロ
ゲン化マグネシウム層中の欠陥を避けるため、および保
護層形成プロセスの速度を最大にするために、制御され
たヒータは、該物品をマグネシウムの蒸発を防止するた
めに充分な、ちょうど低い温度に、好ましく該物品を維
持する。我々は、１５０°〜３２５℃の温度範囲をより
好む。
純物のハロゲン化物の形成によって引き起こされるハロ
ゲン化マグネシウム層中の欠陥を避けるため、および保
護層形成プロセスの速度を最大にするために、制御され
たヒータは、該物品をマグネシウムの蒸発を防止するた
めに充分な、ちょうど低い温度に、好ましく該物品を維
持する。我々は、１５０°〜３２５℃の温度範囲をより
好む。
【００３７】特に、もし最初の弗化マグネシウム層が形
成される前に、アルミニウム物品を（以下に記述するよ
うに）陽極処理するならば、我々は最初のＭｇＦ2 層の
形成の間、２５０°ないし３００℃の温度をむしろ好
む。しかしながら、陽極処理を行わず、あるいは他の保
護コーティングを該アルミニウムに適用しないならば、
我々は、マグネシウムの過大な蒸発を避けるために、最
初のＭｇＦ2 層の形成の間、約１７５℃の温度を好む。
成される前に、アルミニウム物品を（以下に記述するよ
うに）陽極処理するならば、我々は最初のＭｇＦ2 層の
形成の間、２５０°ないし３００℃の温度をむしろ好
む。しかしながら、陽極処理を行わず、あるいは他の保
護コーティングを該アルミニウムに適用しないならば、
我々は、マグネシウムの過大な蒸発を避けるために、最
初のＭｇＦ2 層の形成の間、約１７５℃の温度を好む。
【００３８】最初の、連続的な弗化マグネシウムの層が
形成された後、この連続の層はマグネシウムの蒸発を抑
制し、このゆえに該物品の温度は上昇する可能性があ
る。我々は、低い最初の温度で約２５オングストローム
のＭｇＦ2 の層を形成するのを好む。ＭｇＦ2 が層が形
成する速度は、アルミニウム物品中のマグネシウム濃度
および該物品の温度を強力に増大させる機能である。２
重量％のマグネシウム含有量を有するアルミニウム・サ
セプター上で実行されたテストにおいては、ＭｇＦ2 の
２５オングストロームの層を形成するのに約７０分かか
った。このプロセスは、それがアルミニウム物品の本体
からＭｇＦ2 層が形成されるべき表面へのマグネシウム
の拡散に依存するために、非常に遅い。
形成された後、この連続の層はマグネシウムの蒸発を抑
制し、このゆえに該物品の温度は上昇する可能性があ
る。我々は、低い最初の温度で約２５オングストローム
のＭｇＦ2 の層を形成するのを好む。ＭｇＦ2 が層が形
成する速度は、アルミニウム物品中のマグネシウム濃度
および該物品の温度を強力に増大させる機能である。２
重量％のマグネシウム含有量を有するアルミニウム・サ
セプター上で実行されたテストにおいては、ＭｇＦ2 の
２５オングストロームの層を形成するのに約７０分かか
った。このプロセスは、それがアルミニウム物品の本体
からＭｇＦ2 層が形成されるべき表面へのマグネシウム
の拡散に依存するために、非常に遅い。
【００３９】最初の連続的なＭｇＦ2 層が形成された
後、アルミニウム物品は、ＣＶＤまたはエッチング反応
チャンバー等の半導体プロセス・チャンバー中の生産サ
ービス（production service）中に置くことができる。
ＭｇＦ2 層は、ＣＶＤおよびエッチングプロセスにおい
て典型的な高温（２００°〜５００℃）でのマグネシウ
ムと不純物の脱ガス（outgassing）を抑制し、これによ
り、このような脱ガスによって引き起こされるパーティ
クルを低減する。さらに、エッチング・プロセスないし
チャンバークリーニング・プロセスの間に、ハロゲン含
有エッチング剤に晒された際に、ＭｇＦ2 層は、該ハロ
ゲンがアルミニウム本体に浸透して欠陥を引き起こすこ
とを防止する。
後、アルミニウム物品は、ＣＶＤまたはエッチング反応
チャンバー等の半導体プロセス・チャンバー中の生産サ
ービス（production service）中に置くことができる。
ＭｇＦ2 層は、ＣＶＤおよびエッチングプロセスにおい
て典型的な高温（２００°〜５００℃）でのマグネシウ
ムと不純物の脱ガス（outgassing）を抑制し、これによ
り、このような脱ガスによって引き起こされるパーティ
クルを低減する。さらに、エッチング・プロセスないし
チャンバークリーニング・プロセスの間に、ハロゲン含
有エッチング剤に晒された際に、ＭｇＦ2 層は、該ハロ
ゲンがアルミニウム本体に浸透して欠陥を引き起こすこ
とを防止する。
【００４０】特に、該物品が弗素含有エッチング剤に晒
された際には、弗素は、アルミニウム本体からマグネシ
ウム弗化物層の境界に移行する如何なるマグネシウムと
も反応して、これにより保護性の弗化マグネシウム層の
厚さを次第に（progressively ）増大させる。数百の弗
素チャンバークリーニングサイクルに晒された後、アル
ミニウムの隣接する領域においてフリーのマグネシウム
が枯渇するため、該弗化マグネシウム層は成長をストッ
プする。例えば、２重量％のマグネシウムを有するアル
ミニウムでは、該層が約２ミクロンに厚くなったときに
ＭｇＦ2 層は成長を停止し、そして、フリーのマグネシ
ウムが枯渇したその下の領域は、１００〜２００ミクロ
ン程度の厚さであった。
された際には、弗素は、アルミニウム本体からマグネシ
ウム弗化物層の境界に移行する如何なるマグネシウムと
も反応して、これにより保護性の弗化マグネシウム層の
厚さを次第に（progressively ）増大させる。数百の弗
素チャンバークリーニングサイクルに晒された後、アル
ミニウムの隣接する領域においてフリーのマグネシウム
が枯渇するため、該弗化マグネシウム層は成長をストッ
プする。例えば、２重量％のマグネシウムを有するアル
ミニウムでは、該層が約２ミクロンに厚くなったときに
ＭｇＦ2 層は成長を停止し、そして、フリーのマグネシ
ウムが枯渇したその下の領域は、１００〜２００ミクロ
ン程度の厚さであった。
【００４１】（マグネシウム含有量）前述したように、
ハロゲン化マグネシウム層（好ましくはＭｇＦ2 層）を
表面に隣接するアルミニウム物品の領域に形成するため
の上記プロセスは、該マグネシウムが弗素と反応する前
に、該領域に取り込まれるべき一定の最適範囲内でのマ
グネシウム濃度を必要とする。該マグネシウム濃度は、
以下の要件に基づく。もし該濃度が低過ぎるならば、弗
化マグネシウム層は不連続となるか、あるいはその下の
アルミニウム層を腐食から保護するのに不充分な密度と
なる（すなわち、ハロゲン化学種がＭｇＦ2 層を浸透し
てその下のアルミニウムと反応するのを妨ぐためには不
充分となる）。該アルミニウム物品の中で存在しなけれ
ばならないマグネシウム量の上の絶対的な下限は、所望
の厚さ（例えば、１ミクロン）のＭｇＦ2 層の質量（ma
ss）から計算することができる。ＭｇＦ2 は約７０重量
％のＭｇであるため、アルミニウム物品は、所望のＭｇ
Ｆ2 層の質量の少なくとも７０％に等しい合計のＭｇ質
量を含まなければならない。この計算は、アルミニウム
中の１００％のＭｇが該表面に移行してＭｇＦ2 層中に
取り込まれて、それによって該アルミニウムのフリーの
マグネシウムを完全に枯渇させると、この計算は仮定し
ている。この仮定は現実的でないため、実際にはより高
いＭｇ含有量を用いるべきである。
ハロゲン化マグネシウム層（好ましくはＭｇＦ2 層）を
表面に隣接するアルミニウム物品の領域に形成するため
の上記プロセスは、該マグネシウムが弗素と反応する前
に、該領域に取り込まれるべき一定の最適範囲内でのマ
グネシウム濃度を必要とする。該マグネシウム濃度は、
以下の要件に基づく。もし該濃度が低過ぎるならば、弗
化マグネシウム層は不連続となるか、あるいはその下の
アルミニウム層を腐食から保護するのに不充分な密度と
なる（すなわち、ハロゲン化学種がＭｇＦ2 層を浸透し
てその下のアルミニウムと反応するのを妨ぐためには不
充分となる）。該アルミニウム物品の中で存在しなけれ
ばならないマグネシウム量の上の絶対的な下限は、所望
の厚さ（例えば、１ミクロン）のＭｇＦ2 層の質量（ma
ss）から計算することができる。ＭｇＦ2 は約７０重量
％のＭｇであるため、アルミニウム物品は、所望のＭｇ
Ｆ2 層の質量の少なくとも７０％に等しい合計のＭｇ質
量を含まなければならない。この計算は、アルミニウム
中の１００％のＭｇが該表面に移行してＭｇＦ2 層中に
取り込まれて、それによって該アルミニウムのフリーの
マグネシウムを完全に枯渇させると、この計算は仮定し
ている。この仮定は現実的でないため、実際にはより高
いＭｇ含有量を用いるべきである。
【００４２】逆に、アルミニウム中の最も好ましいマグ
ネシウム含有量は、もしマグネシウム濃度があまりに高
いならば、半導体デバイス製作のためのＣＶＤまたはエ
ッチングチャンバーに用いられるアルミニウム物品（サ
セプター等）が典型的に遭遇する高温時および減圧下で
は特に、マグネシウム原子は該物品の表面から脱ガス、
あるいは蒸発する。
ネシウム含有量は、もしマグネシウム濃度があまりに高
いならば、半導体デバイス製作のためのＣＶＤまたはエ
ッチングチャンバーに用いられるアルミニウム物品（サ
セプター等）が典型的に遭遇する高温時および減圧下で
は特に、マグネシウム原子は該物品の表面から脱ガス、
あるいは蒸発する。
【００４３】更なる考察は、連続的なＭｇＦ2 層を形成
するには低過ぎるＭｇ含有量の極端な限界と、マグネシ
ウムの脱ガスによるプロセス・チャンバーのコンタミネ
ーションを避けるには高過ぎるＭｇ含有量との間の、マ
グネシウム含有量の選択に影響を及ぼす。これらの限界
の間では、より高いＭｇ含有量が、該物品に好適な”自
己回復性”（self-healing property ）を与え、そこに
おいては、該物品の表面の小さな傷（scratches ）は、
アルミニウム物品がエッチングまたはチャンバークリー
ニングプロセスにおいて弗素に晒された際の、該傷にお
ける新たなＭｇＦ2 層の形成により治癒される。逆に、
より低いＭｇ含有量は、該物品がＭｇを脱ガスする傾向
を低減し、それにより、該物品がＣＶＤまたはエッチン
グプロセスチャンバーないで生産サービスに供される前
に形成されなければならない最初の連続的なＭｇＦ2 層
の厚さを低減ないし除去する。
するには低過ぎるＭｇ含有量の極端な限界と、マグネシ
ウムの脱ガスによるプロセス・チャンバーのコンタミネ
ーションを避けるには高過ぎるＭｇ含有量との間の、マ
グネシウム含有量の選択に影響を及ぼす。これらの限界
の間では、より高いＭｇ含有量が、該物品に好適な”自
己回復性”（self-healing property ）を与え、そこに
おいては、該物品の表面の小さな傷（scratches ）は、
アルミニウム物品がエッチングまたはチャンバークリー
ニングプロセスにおいて弗素に晒された際の、該傷にお
ける新たなＭｇＦ2 層の形成により治癒される。逆に、
より低いＭｇ含有量は、該物品がＭｇを脱ガスする傾向
を低減し、それにより、該物品がＣＶＤまたはエッチン
グプロセスチャンバーないで生産サービスに供される前
に形成されなければならない最初の連続的なＭｇＦ2 層
の厚さを低減ないし除去する。
【００４４】我々は、重量で約０. １％から約１. ５％
へののマグネシウム濃度が、これらの要求を満たすこと
を見出した。我々のテストによれば、約１５０℃を越え
る温度、約１Ｔｏｒｒ未満の圧力では、半導体プロセス
チャンバー内に放出される許容されると考えられるマグ
ネシウムまたは酸化マグネシウムの量に依存して、マグ
ネシウムの表面蒸発が約１. ２％から約１. ５％の濃度
で問題となることが示されている。逆に、我々は、重さ
で約０. １％未満のマグネシウム濃度は、適切な腐食保
護性を与えるＭｇＦ2 層を生成しないと考える。好まし
くは、該物品のこの表面隣接領域におけるマグネシウム
濃度が、約０. ３重量％から約１. ２重量％まで、より
好ましくは約０. ３重量％から０. ８重量％であるべき
である。
へののマグネシウム濃度が、これらの要求を満たすこと
を見出した。我々のテストによれば、約１５０℃を越え
る温度、約１Ｔｏｒｒ未満の圧力では、半導体プロセス
チャンバー内に放出される許容されると考えられるマグ
ネシウムまたは酸化マグネシウムの量に依存して、マグ
ネシウムの表面蒸発が約１. ２％から約１. ５％の濃度
で問題となることが示されている。逆に、我々は、重さ
で約０. １％未満のマグネシウム濃度は、適切な腐食保
護性を与えるＭｇＦ2 層を生成しないと考える。好まし
くは、該物品のこの表面隣接領域におけるマグネシウム
濃度が、約０. ３重量％から約１. ２重量％まで、より
好ましくは約０. ３重量％から０. ８重量％であるべき
である。
【００４５】前述したように、必要なマグネシウム含有
量は、該アルミニウム物品全体、または表面に隣接する
アルミニウム物品の領域の中だけに取り込まれることが
できる。もっとも単純で現在好ましい代替手段（altern
ative ）は、必要なマグネシウム含有量を有するアルミ
ニウム−マグネシウム合金の物品全体を作ることであ
る。該合金も、上記で特定された低い可動性不純物濃
度、すなわち、約０. ２重量％未満、より好ましくは遥
かに少ない濃度を有しなければならない。現在、標準の
合金が不適当なため、このような合金は、特別にアルミ
ニウム供給元へ注文する必要がある。例えば、そのマグ
ネシウム含有量が０. ０２５％だけであり、且つその不
純物含有量は過大であるため、Ａｌ１１００は不適当で
ある。Ａｌ６０６１は、過大なマグネシウム含有量と過
大な不純物とを有する。
量は、該アルミニウム物品全体、または表面に隣接する
アルミニウム物品の領域の中だけに取り込まれることが
できる。もっとも単純で現在好ましい代替手段（altern
ative ）は、必要なマグネシウム含有量を有するアルミ
ニウム−マグネシウム合金の物品全体を作ることであ
る。該合金も、上記で特定された低い可動性不純物濃
度、すなわち、約０. ２重量％未満、より好ましくは遥
かに少ない濃度を有しなければならない。現在、標準の
合金が不適当なため、このような合金は、特別にアルミ
ニウム供給元へ注文する必要がある。例えば、そのマグ
ネシウム含有量が０. ０２５％だけであり、且つその不
純物含有量は過大であるため、Ａｌ１１００は不適当で
ある。Ａｌ６０６１は、過大なマグネシウム含有量と過
大な不純物とを有する。
【００４６】必要なマグネシウム濃度を該アルミニウム
の中に取り込む一つの可能な方法は、該物品を従来のキ
ャスティング方法によって製作し、その供給原料（feed
stock）として、高純度マグネシウム材料および高純度
アルミニウム材料の両方を使用することである。好まし
くは、該アルミニウム材料は、０．０５％以下の不純物
を有するべきであり、該マグネシウム材料は０. １％以
下の不純物を有するべきである。このような高純度材料
は、商業的に容易に入手可能である。マグネシウムのア
ルミニウムに対する割合は、上述した好ましいマグネシ
ウム濃度に等しくあるべきである。
の中に取り込む一つの可能な方法は、該物品を従来のキ
ャスティング方法によって製作し、その供給原料（feed
stock）として、高純度マグネシウム材料および高純度
アルミニウム材料の両方を使用することである。好まし
くは、該アルミニウム材料は、０．０５％以下の不純物
を有するべきであり、該マグネシウム材料は０. １％以
下の不純物を有するべきである。このような高純度材料
は、商業的に容易に入手可能である。マグネシウムのア
ルミニウムに対する割合は、上述した好ましいマグネシ
ウム濃度に等しくあるべきである。
【００４７】好ましさではやや劣る代替手段は、高純度
アルミニウム合金の物品を作り、そして、表面隣接の物
品の領域中でマグネシウム濃度を増大させることであ
る。例えば、スパッタリング、熱的蒸発等のマグネシウ
ム物理的気相堆積（ＰＶＤ）により、またはマグネシウ
ム・イオン注入によってさえも、該物品の外層（outerl
ayer ）にマグネシウムを取り込むことができる。注入
ないし堆積されたマグネシウムの質量は、所望のＭｇＦ
2 層の質量の少なくとも７０％、より好ましくは、前述
した理由に基づき、これより遥かに大きくあるべきであ
る。
アルミニウム合金の物品を作り、そして、表面隣接の物
品の領域中でマグネシウム濃度を増大させることであ
る。例えば、スパッタリング、熱的蒸発等のマグネシウ
ム物理的気相堆積（ＰＶＤ）により、またはマグネシウ
ム・イオン注入によってさえも、該物品の外層（outerl
ayer ）にマグネシウムを取り込むことができる。注入
ないし堆積されたマグネシウムの質量は、所望のＭｇＦ
2 層の質量の少なくとも７０％、より好ましくは、前述
した理由に基づき、これより遥かに大きくあるべきであ
る。
【００４８】（ハロゲン化マグネシウム層上の保護層）
図８に示すように、該アルミニウム物品５１０の最大保
護のために、上記ハロゲン化マグネシウム保護層５１２
と、従来の陽極処理層（酸化アルミニウムＡｌ2 ２
０3 ）等の凝集性の材料５１４の上層（overlying laye
r ）とを組合せることが好ましい。該ハロゲン化マグネ
シウム層を無保護のままににしておく不利益は、およそ
１０００オングストローム（０. １ミクロン）を超える
厚さでは、該ハロゲン化マグネシウムは比較的柔らかく
て非凝集性であるため、機械的摩耗または温度ストレス
を受けた際にはハロゲン化マグネシウム粒子が容易にフ
レーキング（flaking off ）することである。ハロゲン
化マグネシウム上に強く、凝集性の材料の層を設けるこ
とは、ハロゲン含有環境による腐食へのハロゲン化マグ
ネシウムの優れた抵抗性の利益を保持しつつ、該ハロゲ
ン化マグネシウムをダメージから保護する。
図８に示すように、該アルミニウム物品５１０の最大保
護のために、上記ハロゲン化マグネシウム保護層５１２
と、従来の陽極処理層（酸化アルミニウムＡｌ2 ２
０3 ）等の凝集性の材料５１４の上層（overlying laye
r ）とを組合せることが好ましい。該ハロゲン化マグネ
シウム層を無保護のままににしておく不利益は、およそ
１０００オングストローム（０. １ミクロン）を超える
厚さでは、該ハロゲン化マグネシウムは比較的柔らかく
て非凝集性であるため、機械的摩耗または温度ストレス
を受けた際にはハロゲン化マグネシウム粒子が容易にフ
レーキング（flaking off ）することである。ハロゲン
化マグネシウム上に強く、凝集性の材料の層を設けるこ
とは、ハロゲン含有環境による腐食へのハロゲン化マグ
ネシウムの優れた抵抗性の利益を保持しつつ、該ハロゲ
ン化マグネシウムをダメージから保護する。
【００４９】該ハロゲン化マグネシウムの柔らかさにも
かかわらず、図８に示された構造は、ハロゲン化マグネ
シウム層がハロゲン含有環境に晒された際に再生する
（regrow）ため、保護層における小さい傷（scratches
）ないし切り傷（nicks ）が自己回復的であるという
利点を有する。
かかわらず、図８に示された構造は、ハロゲン化マグネ
シウム層がハロゲン含有環境に晒された際に再生する
（regrow）ため、保護層における小さい傷（scratches
）ないし切り傷（nicks ）が自己回復的であるという
利点を有する。
【００５０】最も好ましくは、該凝集性の層は酸化アル
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）であり、そして、次に好ましく
は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である。Ａｌ2 Ｏ3 層
は、従来の電解的陽極処理プロセスによって形成するこ
とができる。ＡｌＮ層は、窒素ガスの存在下の高温また
は窒素プラズマでのスパッタリングまたは蒸気堆積によ
り物品上にアルミニウム膜を堆積する従来の反応性アル
ミニウム堆積プロセスによってアルミニウム上に堆積す
ることができる。（以下の説明にわたって、我々は、
「陽極処理（anodize ）」という用語を、ＡｌＮが従来
の「陽極処理」の用語の意味には含まれないけれども、
アルミニウム物品上のＡｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮコーティ
ング形成を含むように用いる。） アルミニウム物品を陽極処理することの更なる長所は、
Ａｌ2 Ｏ3 およびＡｌＮが酸素に対して非透過性だとい
うことである。酸素の浸透を防止することは、該アルミ
ニウムの表面拡散するマグネシウムが所望のハロゲン化
マグネシウムよりはむしろ酸化マグネシウムを形成する
ことを防止するために有利である。Ａｌ2 Ｏ3 およびＡ
ｌＮは、チャンバー中で作られる半導体を汚染する可能
性のあるマグネシウムおよび他の不純物の、半導体プロ
セス・チャンバー中への脱ガスを抑制する。
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）であり、そして、次に好ましく
は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である。Ａｌ2 Ｏ3 層
は、従来の電解的陽極処理プロセスによって形成するこ
とができる。ＡｌＮ層は、窒素ガスの存在下の高温また
は窒素プラズマでのスパッタリングまたは蒸気堆積によ
り物品上にアルミニウム膜を堆積する従来の反応性アル
ミニウム堆積プロセスによってアルミニウム上に堆積す
ることができる。（以下の説明にわたって、我々は、
「陽極処理（anodize ）」という用語を、ＡｌＮが従来
の「陽極処理」の用語の意味には含まれないけれども、
アルミニウム物品上のＡｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮコーティ
ング形成を含むように用いる。） アルミニウム物品を陽極処理することの更なる長所は、
Ａｌ2 Ｏ3 およびＡｌＮが酸素に対して非透過性だとい
うことである。酸素の浸透を防止することは、該アルミ
ニウムの表面拡散するマグネシウムが所望のハロゲン化
マグネシウムよりはむしろ酸化マグネシウムを形成する
ことを防止するために有利である。Ａｌ2 Ｏ3 およびＡ
ｌＮは、チャンバー中で作られる半導体を汚染する可能
性のあるマグネシウムおよび他の不純物の、半導体プロ
セス・チャンバー中への脱ガスを抑制する。
【００５１】（前述したように、「ハロゲン化マグネシ
ウム保護層形成のためのプロセス」の下で）ハロゲン化
マグネシウム層を形成する前に、アルミニウム物品上
に、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムのコーテ
ィングを形成することが特に好ましい。先行するパラグ
ラフ中で説明したように、酸化アルミニウムおよび窒化
アルミニウムは高度に酸素非透過性であり、そして、そ
れらはマグネシウムの脱ガスを抑制する。したがって、
もしハロゲン化マグネシウム層が形成される前のアルミ
ニウム物品に、Ａｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮコーティングが
適用されるならば、該酸化または窒化アルミニウムは、
該物品の表面へ拡散するマグネシウムが、所望のハロゲ
ン化マグネシウム保護層よりはむしろ酸化マグネシウム
を形成することを防止する。したがって、最初の低温ハ
ロゲン化マグネシウム層形成のステップは、この最初の
ステップのために必要な時間を低減するために、より高
い温度で実行されてもよい。特に、この最初のステップ
のための我々の現在好ましい温度は、もし該物品が陽極
処理をされないならば１７５℃であり、それが陽極処理
をされるならば、２５０°〜３００℃である。
ウム保護層形成のためのプロセス」の下で）ハロゲン化
マグネシウム層を形成する前に、アルミニウム物品上
に、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムのコーテ
ィングを形成することが特に好ましい。先行するパラグ
ラフ中で説明したように、酸化アルミニウムおよび窒化
アルミニウムは高度に酸素非透過性であり、そして、そ
れらはマグネシウムの脱ガスを抑制する。したがって、
もしハロゲン化マグネシウム層が形成される前のアルミ
ニウム物品に、Ａｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮコーティングが
適用されるならば、該酸化または窒化アルミニウムは、
該物品の表面へ拡散するマグネシウムが、所望のハロゲ
ン化マグネシウム保護層よりはむしろ酸化マグネシウム
を形成することを防止する。したがって、最初の低温ハ
ロゲン化マグネシウム層形成のステップは、この最初の
ステップのために必要な時間を低減するために、より高
い温度で実行されてもよい。特に、この最初のステップ
のための我々の現在好ましい温度は、もし該物品が陽極
処理をされないならば１７５℃であり、それが陽極処理
をされるならば、２５０°〜３００℃である。
【００５２】実際は、上層たるＡｌ2 Ｏ3 かＡｌＮは、
この最初の低温ハロゲン化マグネシウム層形成ステップ
の必要性をも排除でき、最初のハロゲン化マグネシウム
層を形成するために低温で該物品の処理を開始する非生
産的な活動に該チャンバーを流用（diverting ）するこ
となく、陽極処理されたアルミニウム物品がチャンバー
中で半導体プロセスのために直ちに使用されるようにも
できる。該物品は半導体プロセス・チャンバー内で（例
えば、クリーニングまたはエッチング・プロセスの間）
ハロゲンに晒されているため、該ハロゲンは、該酸化ま
たは窒化アルミニウム層を通して拡散して、アルミニウ
ム中のマグネシウムと反応してＡｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮ
のすぐ下にハロゲン化マグネシウム層を形成する。
この最初の低温ハロゲン化マグネシウム層形成ステップ
の必要性をも排除でき、最初のハロゲン化マグネシウム
層を形成するために低温で該物品の処理を開始する非生
産的な活動に該チャンバーを流用（diverting ）するこ
となく、陽極処理されたアルミニウム物品がチャンバー
中で半導体プロセスのために直ちに使用されるようにも
できる。該物品は半導体プロセス・チャンバー内で（例
えば、クリーニングまたはエッチング・プロセスの間）
ハロゲンに晒されているため、該ハロゲンは、該酸化ま
たは窒化アルミニウム層を通して拡散して、アルミニウ
ム中のマグネシウムと反応してＡｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮ
のすぐ下にハロゲン化マグネシウム層を形成する。
【００５３】他方、アルミニウム物品を半導体基板処理
に必要とされる高温に晒す前に、比較的低い温度で最初
に弗化マグネシウム層を形成することのよい理由があ
る。弗化マグネシウムは、アルミニウムと酸化アルミニ
ウムの中間の熱膨張係数を有するため、酸化アルミニウ
ム・コーティングと基部アルミニウムとの間の弗化マグ
ネシウム層は、温度変化によるストレスの傾き（gradie
nt）を低減する。したがって、温度ストレスによって陽
極処理コーティングがひび割れする危険を低減するため
には、アルミニウム物品を半導体基板処理温度に晒す前
に、低い温度、例えば２５０℃で約２５オングストロー
ムの厚さの弗化マグネシウムの層を酸化アルミニウムの
下に形成することが好ましい。
に必要とされる高温に晒す前に、比較的低い温度で最初
に弗化マグネシウム層を形成することのよい理由があ
る。弗化マグネシウムは、アルミニウムと酸化アルミニ
ウムの中間の熱膨張係数を有するため、酸化アルミニウ
ム・コーティングと基部アルミニウムとの間の弗化マグ
ネシウム層は、温度変化によるストレスの傾き（gradie
nt）を低減する。したがって、温度ストレスによって陽
極処理コーティングがひび割れする危険を低減するため
には、アルミニウム物品を半導体基板処理温度に晒す前
に、低い温度、例えば２５０℃で約２５オングストロー
ムの厚さの弗化マグネシウムの層を酸化アルミニウムの
下に形成することが好ましい。
【００５４】酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウム
は弗素に対して透過性であるため、Ａｌ2 Ｏ3 またはＡ
ｌＮ層の下にＭｇＦ2 層を形成することは容易である。
第１に、アルミニウム物品は、従来の陽極処理プロセス
によって陽極処理をされる。次いで、該陽極処理物品
は、「ハロゲン化マグネシウム保護層形成のためのプロ
セス」の下で前述したプロセスにしたがって、弗素含有
環境に晒される。該弗素は陽極処理層に浸透し、表面へ
拡散するマグネシウムと反応して、該陽極処理コーティ
ングのすぐ下に（directly underneath ）ＭｇＦ2 層を
形成する.もし、何等かの理由によって、該酸化または
窒化アルミニウムコーティングを形成する前にハロゲン
化マグネシウム層を形成することが望まれるならば、こ
れは以下に述べるようにして達成することが可能であ
る。第１に、該物品を前述した「ハロゲン化マグネシウ
ム保護層形成のためのプロセス」の下でハロゲン含有化
学種に晒すことによって、ハロゲン化マグネシウム層を
形成する。第２に、従来のスパッタリングまたは気相堆
積プロセスを使用して、ハロゲン化マグネシウム層上に
アルミニウム膜か酸化アルミニウム膜を堆積する。もし
アルミニウム膜が堆積されたならば、それは従来の陽極
処理プロセスを使用して陽極処理されるべきである。
は弗素に対して透過性であるため、Ａｌ2 Ｏ3 またはＡ
ｌＮ層の下にＭｇＦ2 層を形成することは容易である。
第１に、アルミニウム物品は、従来の陽極処理プロセス
によって陽極処理をされる。次いで、該陽極処理物品
は、「ハロゲン化マグネシウム保護層形成のためのプロ
セス」の下で前述したプロセスにしたがって、弗素含有
環境に晒される。該弗素は陽極処理層に浸透し、表面へ
拡散するマグネシウムと反応して、該陽極処理コーティ
ングのすぐ下に（directly underneath ）ＭｇＦ2 層を
形成する.もし、何等かの理由によって、該酸化または
窒化アルミニウムコーティングを形成する前にハロゲン
化マグネシウム層を形成することが望まれるならば、こ
れは以下に述べるようにして達成することが可能であ
る。第１に、該物品を前述した「ハロゲン化マグネシウ
ム保護層形成のためのプロセス」の下でハロゲン含有化
学種に晒すことによって、ハロゲン化マグネシウム層を
形成する。第２に、従来のスパッタリングまたは気相堆
積プロセスを使用して、ハロゲン化マグネシウム層上に
アルミニウム膜か酸化アルミニウム膜を堆積する。もし
アルミニウム膜が堆積されたならば、それは従来の陽極
処理プロセスを使用して陽極処理されるべきである。
【図１】金属性のサセプターのみならず、穴あきガス入
口およびＲＦ電極の組合せとして作用する金属性のプレ
ートを含むＣＶＤリアクター・チャンバーを模式的に示
す図面である。これらの半導体装置部分の個々は、本発
明のハロゲン化マグネシウム保護層を含むように製作す
ることができる。この該代替手段として、これらの部分
は、本発明の保護層を形成可能なアルミニウム−マグネ
シウム合金から製作することができる。
口およびＲＦ電極の組合せとして作用する金属性のプレ
ートを含むＣＶＤリアクター・チャンバーを模式的に示
す図面である。これらの半導体装置部分の個々は、本発
明のハロゲン化マグネシウム保護層を含むように製作す
ることができる。この該代替手段として、これらの部分
は、本発明の保護層を形成可能なアルミニウム−マグネ
シウム合金から製作することができる。
【図２】陽極処理されたアルミニウム膜の構造を説明す
る図である。
る図である。
【図３】半導体装置の製作に使用される標準的なアルミ
ニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保
護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノ
ジュールの発達を説明する図である。
ニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保
護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノ
ジュールの発達を説明する図である。
【図４】半導体装置の製作に使用される標準的なアルミ
ニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保
護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノ
ジュールの発達を説明する図である。
ニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保
護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノ
ジュールの発達を説明する図である。
【図５】半導体装置の製作に使用される標準的なアルミ
ニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保
護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノ
ジュールの発達を説明する図である。
ニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保
護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノ
ジュールの発達を説明する図である。
【図６】半導体装置の製作に使用される標準的なアルミ
ニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保
護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノ
ジュールの発達を説明する図である。
ニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保
護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノ
ジュールの発達を説明する図である。
【図７】均一でなく、構造的に安定してもいない弗化ア
ルミニウム膜であって、該アルミニウム部分の使用によ
りフレーキング脱落する弗化アルミニウム膜の形成によ
るアルミニウム部分表面の漸進的な浸食を説明する図で
ある。
ルミニウム膜であって、該アルミニウム部分の使用によ
りフレーキング脱落する弗化アルミニウム膜の形成によ
るアルミニウム部分表面の漸進的な浸食を説明する図で
ある。
【図８】陽極処理されたアルミニウムの最上層、その下
（underlying）のハロゲン化マグネシウムの層、および
基部表面としてのアルミニウム−マグネシウム合金を含
む、本発明の最も好ましい構造を示す図である。
（underlying）のハロゲン化マグネシウムの層、および
基部表面としてのアルミニウム−マグネシウム合金を含
む、本発明の最も好ましい構造を示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 ラックスマン ムージス アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95051， サンタ クララ， バッキンガ ム ドライヴ ナンバー119， 100 (72)発明者 ジョシュア イー． バーン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94024， ロス アルトス， モートン アヴェニュー 1374
Claims (51)
- 【請求項１】 ハロゲン含有化学種（halogen-containi
ng species）による腐食（corrosion ）に対して抵抗性
の表面を有する、半導体プロセスにおいて有用な製品
（article of manufacture）であって、 ａ）ゼロないし約１．５重量％の範囲内のマグネシウム
濃度を有し、且つ、合計で約０．２重量％以下（no gre
ater than ）のマグネシウム以外の不純物濃度を有する
アルミニウムからなる本体（body）と； ｂ）該本体の上（overlying ）で物品の表面の下（bene
ath ）のハロゲン化マグネシウム化合物からなる層、該
層は、物品の表面から本体内へのハロゲン原子の浸透
（penetration ）を抑制するように充分に厚く、且つ連
続的（continuous）である；とからなることを特徴とす
る製品。 - 【請求項２】 前記ハロゲン化マグネシウム層が、弗化
マグネシウムからなる請求項１記載の製品。 - 【請求項３】 前記層の上に、硬く、凝集性の膜であっ
て、弗素に対して透過性であるが酸素に対しては実質的
に非透過性である膜を更に有する請求項１記載の製品。 - 【請求項４】 前記膜が、酸化アルミニウムまたは窒化
アルミニウムからなる請求項１記載の製品。 - 【請求項５】 ハロゲン含有化学種による腐食に対して
抵抗性の表面を有する、半導体プロセスにおいて有用な
製品であって、 ａ）約０．１重量％〜１．５重量％の範囲内のマグネシ
ウム濃度を有し、且つ、合計で約０．２重量％以下のマ
グネシウム以外の不純物濃度を有するアルミニウムから
なる外部領域（exterior region ）を有するアルミニウ
ム本体（body）と； ｂ）該本体の外部領域の上（overlying ）の膜であっ
て、弗素に対して透過性であるが酸素に対しては実質的
に非透過性である膜とを含み；且つ該物品がハロゲン含
有化学種に晒された際に、前記外部領域内で該膜の下
（underneath）にハロゲン化マグネシウム層が形成され
て、本体をハロゲンによる腐食から保護することを特徴
とする製品。 - 【請求項６】 前記外部領域が、アルミニウム本体の表
面全体を包囲（encompass ）している請求項５記載の製
品。 - 【請求項７】 前記膜が、酸化アルミニウムまたは窒化
アルミニウムからなる請求項５記載の製品。 - 【請求項８】 前記ハロゲン化マグネシウム層が、弗化
マグネシウムからなる請求項５記載の製品。 - 【請求項９】 ハロゲン含有化学種による腐食に対して
抵抗性の部分を少なくとも一部に有する外部表面（exte
rior surface）を有する、半導体プロセスにおいて有用
なアルミニウム製の（aluminum-comprising ）物品であ
って；ハロゲン含有化学種による腐食に対して抵抗性の
前記外部表面の部分の上（upon）、または下（underlyi
ng）のハロゲン化マグネシウム保護層であって、該ハロ
ゲン化マグネシウム層が少なくとも０．００２５ミクロ
ンの厚さを有し；少なくとも、前記ハロゲン化マグネシ
ウム層に直ちに隣接する（immediately adjacent）前記
アルミニウム製の物品の部分が、可動性（mobile）不純
物原子の非常に低い濃度を示すことを特徴とする該アル
ミニウム製の物品。 - 【請求項１０】 前記ハロゲン化マグネシウム層が、厚
さ約０．００２５ミクロンないし約２ミクロンの範囲に
ある請求項９記載のアルミニウム製の物品。 - 【請求項１１】 前記物品の外部表面の全体が、前記腐
食に対して抵抗性である請求項９記載のアルミニウム製
の物品。 - 【請求項１２】 前記物品の外部表面の腐食に対して抵
抗性である部分が、該外部表面上を覆う（overlies）酸
化アルミニウムまたは窒化アルミニウムからなる膜を含
む請求項９記載のアルミニウム製の物品。 - 【請求項１３】 前記物品の外部表面の全体が、前記腐
食に対して抵抗性であり、且つ前記外部表面の全体の上
を覆う（overlies）請求項１２記載のアルミニウム製の
物品。 - 【請求項１４】 前記アルミニウム製の物品中のマグネ
シウム含有量が、約ゼロないし約１．５重量％の範囲で
ある請求項９記載のアルミニウム製の物品。 - 【請求項１５】 前記マグネシウム含有量が、約０．３
重量％〜約１．２重量％の範囲である請求項１４記載の
アルミニウム製の物品。 - 【請求項１６】 前記マグネシウム含有量が、約０．３
重量％〜約０．８重量％の範囲である請求項１５記載の
アルミニウム製の物品。 - 【請求項１７】 前記アルミニウム製の物品中のマグネ
シウム含有量が、約ゼロないし約１．５重量％の範囲で
ある請求項１２記載のアルミニウム製の物品。 - 【請求項１８】 前記マグネシウム含有量が、約０．３
重量％〜約１．２重量％の範囲である請求項１７記載の
アルミニウム製の物品。 - 【請求項１９】 前記マグネシウム含有量が、約０．３
重量％〜約０．８重量％の範囲である請求項１８記載の
アルミニウム製の物品。 - 【請求項２０】 前記物品中のシリコン、鉄、銅、クロ
ム、および亜鉛からなる群から選ばれた不純物原子の含
有量が、０．２重量％未満である請求項９記載のアルミ
ニウム製の物品。 - 【請求項２１】 前記不純物原子が、マグネシウム以外
の金属原子、遷移金属、半導体、および半導体化合物を
形成可能な原子を含むように拡張される（expanded）請
求項２０記載のアルミニウム製の物品。 - 【請求項２２】 前記物品中のシリコン、鉄、銅、クロ
ム、および亜鉛からなる群から選ばれた不純物原子の含
有量が、０．２重量％未満である請求項１４記載のアル
ミニウム製の物品。 - 【請求項２３】 前記不純物原子が、マグネシウム以外
の金属原子、遷移金属、半導体、および半導体化合物を
形成可能な原子を含むように拡張される（expanded）請
求項２２記載のアルミニウム製の物品。 - 【請求項２４】 前記物品中のシリコン、鉄、銅、クロ
ム、および亜鉛からなる群から選ばれた不純物原子の含
有量が、０．２重量％未満である請求項１７記載のアル
ミニウム製の物品。 - 【請求項２５】 前記不純物原子が、マグネシウム以外
の金属原子、遷移金属、半導体、および半導体化合物を
形成可能な原子を含むように拡張される（expanded）請
求項２４記載のアルミニウム製の物品。 - 【請求項２６】 前記ハロゲン化アルミニウムが、弗化
アルミニウムである請求項９記載のアルミニウム製の物
品。 - 【請求項２７】 前記ハロゲン化アルミニウムが、弗化
アルミニウムである請求項１２記載のアルミニウム製の
物品。 - 【請求項２８】 前記ハロゲン化アルミニウムが、弗化
アルミニウムである請求項１４記載のアルミニウム製の
物品。 - 【請求項２９】 前記ハロゲン化アルミニウムが、弗化
アルミニウムである請求項１７記載のアルミニウム製の
物品。 - 【請求項３０】 前記ハロゲン化アルミニウムが、弗化
アルミニウムである請求項２２記載のアルミニウム製の
物品。 - 【請求項３１】 前記ハロゲン化アルミニウムが、弗化
アルミニウムである請求項２３記載のアルミニウム製の
物品。 - 【請求項３２】 前記ハロゲン化アルミニウムが、弗化
アルミニウムである請求項２４記載のアルミニウム製の
物品。 - 【請求項３３】 前記ハロゲン化アルミニウムが、弗化
アルミニウムである請求項２５記載のアルミニウム製の
物品。 - 【請求項３４】 ハロゲン含有化学種による腐食に対し
て抵抗性の部分を少なくとも一部に有する外部表面（ex
terior surface）を有する、半導体プロセスにおいて有
用なアルミニウム製の（aluminum-comprising ）物品を
製作する方法であって、 ａ） マグネシウムを約０．１重量％〜約１．５重量％
の範囲の濃度で含み、且つ、シリコン、鉄、銅、クロ
ム、および亜鉛からなる群から選ばれた不純物原子を約
０．２重量％未満含有するアルミニウム製の物品を用意
（providing ）し； ｂ） 少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム
製物品の外部表面の部分を、厚さが少なくとも０．００
２５ミクロンのハロゲン化マグネシウム層の形成を許容
するのに充分な時間の間および充分な温度においてハロ
ゲン含有化学種と接触させる；ことを特徴とする方法。 - 【請求項３５】 前記ハロゲン含有化学種が、弗素を含
有する請求項３４記載の方法。 - 【請求項３６】 ｃ） 少なくとも、耐腐食性とすべき
前記アルミニウム製物品の外部表面の部分の上に（ove
r）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を
設ける（applying）ステップを更に含む請求項３４記載
の方法。 - 【請求項３７】 ｃ） 少なくとも、耐腐食性とすべき
前記アルミニウム製物品の外部表面の部分の上に（ove
r）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を
設ける（applying）ステップを更に含む請求項３５記載
の方法。 - 【請求項３８】 前記不純物原子が、マグネシウム以外
の金属原子、遷移金属、半導体、および半導体化合物を
形成可能な原子を含むように拡張される（expanded）請
求項３４記載の方法。 - 【請求項３９】 前記ハロゲン含有化学種が、弗素を含
有する請求項３８記載の方法。 - 【請求項４０】 ｃ） 少なくとも、耐腐食性とすべき
前記アルミニウム製物品の外部表面の部分の上に（ove
r）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を
設ける（applying）ステップを更に含む請求項３８記載
の方法。 - 【請求項４１】 ｃ） 少なくとも、耐腐食性とすべき
前記アルミニウム製物品の外部表面の部分の上に（ove
r）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を
設ける（applying）ステップを更に含む請求項３９記載
の方法。 - 【請求項４２】 ハロゲン含有化学種による腐食に対し
て抵抗性の部分を少なくとも一部に有する外部表面（ex
terior surface）を有する、半導体プロセスにおいて有
用なアルミニウム製の（aluminum-comprising ）物品を
製作する方法であって、 ａ） マグネシウムを約０．１重量％〜約１．５重量％
の範囲の濃度で含み、且つ、シリコン、鉄、銅、クロ
ム、および亜鉛からなる群から選ばれた不純物原子を約
０．２重量％未満含有するアルミニウム製の物品を用意
（providing ）し； ｂ） 少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム
製物品の外部表面の部分の上に（over）、酸化アルミニ
ウムまたは窒化アルミニウムの層を設け（applying）； ｃ） 少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム
製物品の外部表面の部分を、厚さが少なくとも０．００
２５ミクロンのハロゲン化マグネシウム層の形成を許容
するのに充分な時間の間および充分な温度においてハロ
ゲン含有化学種と接触させる；ことを特徴とする方法。 - 【請求項４３】 前記不純物原子が、マグネシウム以外
の金属原子、遷移金属、半導体、および半導体化合物を
形成可能な原子を含むように拡張される（expanded）請
求項４２記載の方法。 - 【請求項４４】 前記ハロゲン含有化学種が、弗素を含
有する請求項４３記載の方法。 - 【請求項４５】 ハロゲン含有化学種による腐食に対し
て抵抗性の部分を少なくとも一部に有する外部表面（ex
terior surface）を有する、半導体プロセスにおいて有
用なアルミニウム製の（aluminum-comprising ）物品を
製作する方法であって、 ａ） マグネシウムを約０．１重量％〜約１．５重量％
の範囲の濃度で含み、且つ、シリコン、鉄、銅、クロ
ム、および亜鉛からなる群から選ばれた不純物原子を約
０．２重量％未満含有するアルミニウム製の物品を用意
（providing ）し； ｂ） 少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム
製物品の外部表面の部分の上に（on）ハロゲン化マグネ
シウムの保護上層（overlying layer ）を形成し、該ハ
ロゲン化アルミニウム層は少なくとも０．００２５ミク
ロンの厚さを有する；ことを特徴とする方法。 - 【請求項４６】 前記ハロゲン化マグネシウムの上層
が、 ａ） 少なくとも、ハロゲン含有化学種による腐食に対
して抵抗性とすべき前記外部表面の部分の上に（upo
n）、物理的気相堆積およびイオン注入からなる群から
選ばれる手法を用いて、マグネシウムの層を堆積し； ｂ） 前記マグネシウム層を、厚さが少なくとも０．０
２５ミクロンのハロゲン化マグネシウム層の形成を許容
するのに充分な時間の間および充分な温度においてハロ
ゲン含有化学種と接触させる；ことにより形成される請
求項４５記載の方法。 - 【請求項４７】 前記ハロゲン含有化学種が、弗素を含
有する請求項４６記載の方法。 - 【請求項４８】 ｃ） 少なくとも、耐腐食性とすべき
前記アルミニウム製物品の外部表面の部分の上に（ove
r）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を
設ける（applying）ステップを更に含む請求項４６記載
の方法。 - 【請求項４９】 ｃ） 少なくとも、耐腐食性とすべき
前記アルミニウム製物品の外部表面の部分の上に（ove
r）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を
設ける（applying）ステップを更に含む請求項４７記載
の方法。 - 【請求項５０】 前記不純物原子が、マグネシウム以外
の金属原子、遷移金属、半導体、および半導体化合物を
形成可能な原子を含むように拡張される（expanded）請
求項４６記載の方法。 - 【請求項５１】 ｃ） 少なくとも、耐腐食性とすべき
前記アルミニウム製物品の外部表面の部分の上に（ove
r）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を
設ける（applying）ステップを更に含む請求項５０記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/291367 | 1994-08-15 | ||
| US08/291,367 US5756222A (en) | 1994-08-15 | 1994-08-15 | Corrosion-resistant aluminum article for semiconductor processing equipment |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009128191A Division JP5138637B2 (ja) | 1994-08-15 | 2009-05-27 | 半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181048A true JPH08181048A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=23120019
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7208130A Pending JPH08181048A (ja) | 1994-08-15 | 1995-08-15 | 半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品 |
| JP2009128191A Expired - Lifetime JP5138637B2 (ja) | 1994-08-15 | 2009-05-27 | 半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009128191A Expired - Lifetime JP5138637B2 (ja) | 1994-08-15 | 2009-05-27 | 半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5756222A (ja) |
| EP (1) | EP0702098B1 (ja) |
| JP (2) | JPH08181048A (ja) |
| KR (1) | KR100259679B1 (ja) |
| DE (1) | DE69506064T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006134737A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Tohoku University | 金属酸化物膜、積層体、金属部材並びにその製造方法 |
| CN1330452C (zh) * | 2002-02-26 | 2007-08-08 | 应用材料有限公司 | 用于半导体处理设备中的抗等离子体的焊接铝结构 |
| JP2007197835A (ja) * | 2007-02-26 | 2007-08-09 | Tocalo Co Ltd | 耐ハロゲンガス性の半導体加工装置用部材 |
| DE102009004402A1 (de) | 2008-02-26 | 2009-09-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Oberflächen-Behandlungsmaterial für Halbleiter-Herstellungssystem und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US8124240B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-02-28 | Tohoku University | Protective film structure of metal member, metal component employing protective film structure, and equipment for producing semiconductor or flat-plate display employing protective film structure |
| WO2019167971A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | アルミナの保護液、保護方法及びこれを用いたアルミナ層を有する半導体基板の製造方法 |
| WO2021070529A1 (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | 昭和電工株式会社 | 耐食性部材 |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0792951B1 (en) * | 1994-11-16 | 2001-09-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Vacuum chamber made of aluminum or its alloys |
| JP3362113B2 (ja) * | 1997-07-15 | 2003-01-07 | 日本碍子株式会社 | 耐蝕性部材、ウエハー設置部材および耐蝕性部材の製造方法 |
| JP3094000B2 (ja) * | 1997-09-12 | 2000-10-03 | 昭和電工株式会社 | フッ化表面層を有する金属材料もしくは金属皮膜ならびにフッ化方法 |
| US6280597B1 (en) | 1997-09-12 | 2001-08-28 | Showa Denko K.K. | Fluorinated metal having a fluorinated layer and process for its production |
| US6287436B1 (en) | 1998-02-27 | 2001-09-11 | Innovent, Inc. | Brazed honeycomb collimator |
| US6182603B1 (en) * | 1998-07-13 | 2001-02-06 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber |
| US6265779B1 (en) * | 1998-08-11 | 2001-07-24 | International Business Machines Corporation | Method and material for integration of fuorine-containing low-k dielectrics |
| JP4194143B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2008-12-10 | 株式会社神戸製鋼所 | ガス耐食性とプラズマ耐食性に優れたアルミニウム合金材 |
| US6379492B2 (en) | 1998-10-31 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Corrosion resistant coating |
| EP1144722B1 (en) * | 1998-10-31 | 2003-05-14 | Applied Materials, Inc. | Improved corrosion resistant coating |
| US6228774B1 (en) * | 1998-12-29 | 2001-05-08 | Lam Research Corporation | High aspect ratio sub-micron contact etch process in an inductively-coupled plasma processing system |
| JP4054148B2 (ja) | 1999-02-01 | 2008-02-27 | 日本碍子株式会社 | 耐食性部材の製造方法及び耐食性部材 |
| JP4166386B2 (ja) | 1999-09-30 | 2008-10-15 | 日本碍子株式会社 | 耐蝕性部材およびその製造方法 |
| US6699375B1 (en) | 2000-06-29 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method of extending process kit consumable recycling life |
| JP2002038252A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-06 | Ngk Insulators Ltd | 耐熱性構造体、耐ハロゲン系腐食性ガス材料および耐ハロゲン系腐食性ガス性構造体 |
| GB0026276D0 (en) * | 2000-10-27 | 2000-12-13 | Univ Ulster | Method for chlorine plasma modification of silver electrodes |
| TW553822B (en) * | 2000-11-22 | 2003-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnesium alloy moldings and method for manufacturing thereof |
| US6579579B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-06-17 | Alcan Technology & Management Ltd. | Container made of a light metal alloy and process for its manufacture |
| DE10106999C1 (de) * | 2000-12-29 | 2002-07-11 | Alusuisse Tech & Man Ag | Behälter aus einer Leichtmetalllegierung und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US20020162507A1 (en) * | 2001-05-01 | 2002-11-07 | Applied Materials, Inc. | Self-renewing coating for plasma enhanced processing systems |
| JP2003166047A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-06-13 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | ハロゲン化合物の成膜方法及び成膜装置、並びにフッ化マグネシウム膜 |
| DE10163107C1 (de) * | 2001-12-24 | 2003-07-10 | Univ Hannover | Magnesium-Werkstück und Verfahren zur Ausbildung einer korrosionsschützenden Deckschicht eines Magnesium-Werkstücks |
| US6632325B2 (en) * | 2002-02-07 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same |
| US7033447B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-04-25 | Applied Materials, Inc. | Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus |
| US7048814B2 (en) * | 2002-02-08 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus |
| KR100478744B1 (ko) * | 2002-05-02 | 2005-03-28 | 주성엔지니어링(주) | 서셉터 및 이의 제조방법 |
| US6565984B1 (en) | 2002-05-28 | 2003-05-20 | Applied Materials Inc. | Clean aluminum alloy for semiconductor processing equipment |
| US8372205B2 (en) * | 2003-05-09 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor |
| US20040221959A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Anodized substrate support |
| US7323230B2 (en) * | 2004-08-02 | 2008-01-29 | Applied Materials, Inc. | Coating for aluminum component |
| US7728823B2 (en) * | 2004-09-24 | 2010-06-01 | Apple Inc. | System and method for processing raw data of track pad device |
| US7732056B2 (en) * | 2005-01-18 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Corrosion-resistant aluminum component having multi-layer coating |
| US20060196023A1 (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-07 | Min-Lyul Lee | Reduced cost process modules |
| JP4603402B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-12-22 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体およびその製造方法 |
| CN101208457B (zh) * | 2005-06-29 | 2010-12-29 | 欧瑞康太阳Ip股份公司（特吕巴赫） | 制造平板基体的方法 |
| US8679252B2 (en) | 2005-09-23 | 2014-03-25 | Lam Research Corporation | Actively heated aluminum baffle component having improved particle performance and methods of use and manufacture thereof |
| US20110005922A1 (en) * | 2009-07-08 | 2011-01-13 | Mks Instruments, Inc. | Methods and Apparatus for Protecting Plasma Chamber Surfaces |
| US8603648B2 (en) * | 2010-02-01 | 2013-12-10 | Kobe Steel, Ltd. | Reflective film laminate |
| US8888982B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-11-18 | Mks Instruments Inc. | Reduction of copper or trace metal contaminants in plasma electrolytic oxidation coatings |
| US20150016030A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | Apple Inc. | Reducing appearance of physical damage on cosmetic surfaces |
| US10192717B2 (en) | 2014-07-21 | 2019-01-29 | Applied Materials, Inc. | Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates |
| KR101550439B1 (ko) * | 2014-10-17 | 2015-09-08 | (주)씨엠코리아 | 반도체 웨이퍼용 세라믹히터 및 그 제조방법 |
| CN104443271A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-03-25 | 常熟市常连船舶设备有限公司 | 体积小的舱口盖 |
| KR20200103890A (ko) | 2015-02-13 | 2020-09-02 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 기판 제품 및 장치의 특성 및 성능을 향상시키기 위한 코팅 |
| US10409295B2 (en) * | 2016-12-31 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for enhanced flow detection repeatability of thermal-based mass flow controllers (MFCS) |
| DE102018104935B4 (de) * | 2018-03-05 | 2023-02-09 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Verfahren, System und Batteriemodul zur Kühlung einer mittels Federwirkung kontaktierten Leistungselektronik |
| JP7090486B2 (ja) * | 2018-06-21 | 2022-06-24 | 株式会社アルバック | アルミニウム表面処理方法 |
| KR20210006229A (ko) * | 2019-07-08 | 2021-01-18 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리 장치의 챔버 클리닝 방법 |
| JPWO2021065327A1 (ja) * | 2019-10-04 | 2021-04-08 | ||
| EP4085157A4 (en) * | 2019-12-30 | 2024-01-17 | Entegris, Inc. | METAL BODY WITH MAGNESIUM FLUORIDE AREA FORMED THEREOF |
| US20220243072A1 (en) * | 2020-03-11 | 2022-08-04 | Showa Denko K.K. | Corrosion-resistant member |
| TWI743991B (zh) * | 2020-09-14 | 2021-10-21 | 晨豐光電股份有限公司 | 具防撞膜層的玻璃板 |
| CN112853323A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-28 | 拓荆科技股份有限公司 | 一种电极板的表面处理方法及电极板 |
| CN118176322A (zh) * | 2021-09-30 | 2024-06-11 | 恩特格里斯公司 | 具可去除式涂层的物件和相关方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3784371A (en) * | 1971-12-27 | 1974-01-08 | Dow Chemical Co | Corrosion resistant frozen wall |
| US4551211A (en) * | 1983-07-19 | 1985-11-05 | Ube Industries, Ltd. | Aqueous anodizing solution and process for coloring article of magnesium or magnesium-base alloy |
| US4872947A (en) * | 1986-12-19 | 1989-10-10 | Applied Materials, Inc. | CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process |
| US5158644A (en) * | 1986-12-19 | 1992-10-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| DE3808609A1 (de) * | 1988-03-15 | 1989-09-28 | Electro Chem Eng Gmbh | Verfahren zur erzeugung von korrosions- und verschleissbestaendigen schutzschichten auf magnesium und magnesiumlegierungen |
| EP0352061B1 (en) * | 1988-07-20 | 1994-09-21 | Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. | Metal material with film passivated by fluorination and apparatus composed of the metal material |
| JPH02213480A (ja) * | 1989-02-14 | 1990-08-24 | Nippon Light Metal Co Ltd | 高周波プラズマ発生用アルミニウム電極 |
| JPH0347981A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-28 | Tokyo Kasoode Kenkyusho:Kk | 半導体ウェハーのエッチング用電極の製造方法 |
| US5192610A (en) * | 1990-06-07 | 1993-03-09 | Applied Materials, Inc. | Corrosion-resistant protective coating on aluminum substrate and method of forming same |
| US5069938A (en) * | 1990-06-07 | 1991-12-03 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a corrosion-resistant protective coating on aluminum substrate |
| EP0460700B1 (en) * | 1990-06-07 | 1997-04-16 | Applied Materials, Inc. | Corrosion-resistant protective coating on aluminum substrate or surface and method of forming same |
| JP2986859B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1999-12-06 | 三菱アルミニウム株式会社 | アルミニウム合金材およびその製造方法 |
| JP2963169B2 (ja) * | 1990-08-10 | 1999-10-12 | アプライド・マテリアルズ・ジャパン株式会社 | 高周波プラズマ発生用電極 |
| JP3017528B2 (ja) * | 1990-11-27 | 2000-03-13 | アプライドマテリアルズジャパン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CH683188A5 (de) * | 1991-01-11 | 1994-01-31 | Alusuisse Lonza Services Ag | Aluminiumoberflächen. |
| JPH04340905A (ja) * | 1991-05-17 | 1992-11-27 | Tokyo Tokushu Glass Kk | 表面反射鏡 |
| JPH0673596A (ja) * | 1992-08-26 | 1994-03-15 | Kobe Steel Ltd | 高耐食性ＭｇまたはＭｇ合金材 |
| US5364496A (en) * | 1993-08-20 | 1994-11-15 | Hughes Aircraft Company | Highly durable noncontaminating surround materials for plasma etching |
-
1994
- 1994-08-15 US US08/291,367 patent/US5756222A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-07-10 US US08/499,983 patent/US5811195A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-08 KR KR1019950024370A patent/KR100259679B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-08-11 EP EP95112722A patent/EP0702098B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-11 DE DE69506064T patent/DE69506064T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-15 JP JP7208130A patent/JPH08181048A/ja active Pending
-
2009
- 2009-05-27 JP JP2009128191A patent/JP5138637B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1330452C (zh) * | 2002-02-26 | 2007-08-08 | 应用材料有限公司 | 用于半导体处理设备中的抗等离子体的焊接铝结构 |
| US9476137B2 (en) | 2005-06-17 | 2016-10-25 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
| EP1918427A1 (en) * | 2005-06-17 | 2008-05-07 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
| WO2006134737A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Tohoku University | 金属酸化物膜、積層体、金属部材並びにその製造方法 |
| EP1918427A4 (en) * | 2005-06-17 | 2012-01-04 | Univ Tohoku | METAL OXIDE FILM, LAMINATE, METAL ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| US8124240B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-02-28 | Tohoku University | Protective film structure of metal member, metal component employing protective film structure, and equipment for producing semiconductor or flat-plate display employing protective film structure |
| US8206833B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-06-26 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
| JP5019391B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2012-09-05 | 国立大学法人東北大学 | 金属酸化物膜、積層体、金属部材並びにその製造方法 |
| JP2007197835A (ja) * | 2007-02-26 | 2007-08-09 | Tocalo Co Ltd | 耐ハロゲンガス性の半導体加工装置用部材 |
| JP4512603B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2010-07-28 | トーカロ株式会社 | 耐ハロゲンガス性の半導体加工装置用部材 |
| DE102009004402A1 (de) | 2008-02-26 | 2009-09-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe | Oberflächen-Behandlungsmaterial für Halbleiter-Herstellungssystem und Verfahren zur Herstellung desselben |
| WO2019167971A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | アルミナの保護液、保護方法及びこれを用いたアルミナ層を有する半導体基板の製造方法 |
| JPWO2019167971A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2021-03-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | アルミナの保護液、保護方法及びこれを用いたアルミナ層を有する半導体基板の製造方法 |
| WO2021070529A1 (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | 昭和電工株式会社 | 耐食性部材 |
| TWI751701B (zh) * | 2019-10-07 | 2022-01-01 | 日商昭和電工股份有限公司 | 耐蝕性構件 |
| EP4043613A4 (en) * | 2019-10-07 | 2022-08-17 | Showa Denko K.K. | CORROSION RESISTANT ELEMENT |
| US11859288B2 (en) | 2019-10-07 | 2024-01-02 | Resonac Corporation | Corrosion-resistant member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960009051A (ko) | 1996-03-22 |
| DE69506064T2 (de) | 1999-07-15 |
| DE69506064D1 (de) | 1998-12-24 |
| US5811195A (en) | 1998-09-22 |
| KR100259679B1 (ko) | 2000-06-15 |
| US5756222A (en) | 1998-05-26 |
| EP0702098B1 (en) | 1998-11-18 |
| JP2009256800A (ja) | 2009-11-05 |
| JP5138637B2 (ja) | 2013-02-06 |
| EP0702098A1 (en) | 1996-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5138637B2 (ja) | 半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品 | |
| US6713188B2 (en) | Clean aluminum alloy for semiconductor processing equipment | |
| US7033447B2 (en) | Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus | |
| US7048814B2 (en) | Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus | |
| US7732056B2 (en) | Corrosion-resistant aluminum component having multi-layer coating | |
| US5494713A (en) | Method for treating surface of aluminum material and plasma treating apparatus | |
| US5785877A (en) | Dry etching method | |
| JP2943634B2 (ja) | ＡｌまたはＡｌ合金製真空チャンバ部材の表面処理方法 | |
| TW202231899A (zh) | 塗佈抗腐蝕金屬氟化物的製品、其製備方法及使用方法 | |
| US6027792A (en) | Coating film excellent in resistance to halogen-containing gas corrosion and halogen-containing plasma corrosion, laminated structure coated with the same, and method for producing the same | |
| JP7460771B2 (ja) | フッ化マグネシウム領域が形成させる金属体 | |
| JP2004068145A (ja) | 半導体処理装置のための無菌アルミニウム合金 | |
| JP3908291B2 (ja) | 耐ハロゲン系ガス腐食性及び耐ハロゲン系プラズマ腐食性に優れたコーティング膜並びに該コーティング膜を施した積層構造体 | |
| KR20220062697A (ko) | 내부식성 및 절연특성이 우수한 알루미늄 합금 부재의 제조방법 및 표면처리된 반도체 장치 | |
| CN116635565A (zh) | 碳掺杂金属氟氧化物(c:m-0-f)层作为氟等离子体蚀刻过程中的保护层 | |
| JPH09162146A (ja) | 半導体用治工具の清浄化方法 | |
| JPS61159736A (ja) | Ａｌまたはアルミニウム−シリコン合金のドライエツチング方法 | |
| JPH06338499A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63216975A (ja) | 薄膜処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060606 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060904 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060907 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061206 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090127 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090527 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090714 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090807 |