JPH08176079A - ジヒドロキシスチルベン化合物とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基本的な電子写真特性を満足する積層型感光
体に用いられる電荷搬送物質として有用で、高分子型の
電荷搬送物質に誘導することもできるジヒドロキシスチ
ルベン化合物とその製造方法を提供すること。 【構成】 下記一般式IIで表わされることを特徴とする
スチルベン化合物。一般式II 【化１】 （式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は置換もしくは無置換の炭素環式
芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なってい
てもよい。Ｒ¹，Ｒ²、水素又は置換もしくは無置換のア
ルキル基、置換もしくは無置換のアシル基を表し、それ
ぞれ同一でも異なっていてもよい）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は新規なスチルベン化合物
及びその製造方法に関し、詳しくは有機電荷搬送物質と
して有用なジヒドロキシスチルベン化合物及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体の光導電性素材として用いられているものにセレ
ン、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機物質がある。
ここにいう「電子写真方式」とは、一般に光導電性の感
光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電せし
め、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に逸散
せしめて静電潜像を得、この潜像部を染料、顔料などの
着色材と高分子物質などの結着剤とから構成される検電
微粒子（トナー）で現像し可視化して画像を形成するよ
うにした画像形成法の一つである。この様な電子写真法
において感光体に要求される基本的な特性としては、
（１）暗所で適当な電位に帯電できること、（２）暗所
において電荷の逸散が少ないこと、（３）光照射によっ
て速やかに電荷を逸散せしめうることなどが挙げられ
る。

【０００３】ところで前記の無機物質はそれぞれが多く
の長所を持っていると同時に、さまざまな欠点をも有し
ているのが実状である。例えば現在広く用いられている
セレンは前記（１）から（３）の条件は十分に満足する
が、製造する条件はむずかしく、製造コストが高くな
り、可撓性がなく、ベルト状に加工することが難しく、
熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要するな
どの欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は、結着剤
としての樹脂に分散させて感光体として用いられている
が、平滑性、硬度、引張り強度、耐摩擦性などの機械的
な欠点があるためにそのままでは反復して使用すること
ができない。近年、これら無機物質の欠点を排除するた
めにいろいろな有機物質を用いた電子写真用感光体が提
案され、実用に供されているものもある。例えばポリ−
Ｎ−ビニルカルバゾールと２，４，７−トリニトロフル
オレン−９−オンとからなる感光体（米国特許第３４８
４２３７号明細書に記載）、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ールをピリリウム塩系色素で増感してなる感光体（特公
昭４８−２５６５８号公報に記載）、有機顔料を主成分
とする感光体（特開昭４７−３７５４３号公報に記
載）、染料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感
光体（特開昭４７−１０７３５号公報に記載）、トリフ
ェニルアミン化合物を色素増感してなる感光体（米国特
許第３，１８０，７３０号）、トリアリールアミン誘導
体を電荷輸送材料として用いる感光体（特開昭５８−６
５４４０）、アミン誘導体を電荷輸送材料として用いる
感光体（特開昭５７−１９５２５４号公報）、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾールとアミン誘導体を電荷輸送材料と
して用いる感光体（特開昭５８−１１５５号公報）、多
官能第３アミン化合物の中でもベンジジン化合物を光導
電材料として用いる感光体（米国特許第３，２６５，４
９６号、特公昭３９−１１５４６号公報、特開昭５３−
２７０３３号公報）などである。これらの感光体は優れ
た特性を有しており実用的にも価値が高いと思われるも
のであるが、電子写真法において、感光体に対するいろ
いろな要求を考慮すると、まだ、これらの要求を十分に
満足するものが得られていないのが実状である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は先に述
べた従来の感光体のもつ種々の欠点を解消し、電子写真
法において要求される条件を十分満足しうる電子写真感
光体、特に積層型感光体に用いられる電荷搬送物質とし
て有用なスチルベン化合物を提供することにある。更に
本発明の他の目的は製造が容易でかつ比較的安価に行
え、耐久性にも優れた電子写真用感光体を提供すること
にある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりのジ
ヒドロキシスチルベン化合物とその製造方法である。す
なわち、（１）下記一般式Ｉで表わされるジヒドロキシ
スチルベン化合物。 一般式Ｉ

【０００６】

【化１０】

【０００７】（式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は置換もしくは無置
換の炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一で
も異なっていてもよい） （２）下記一般式IIで表わされるスチルベン化合物。 一般式II

【０００８】

【化１１】

【０００９】（式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は置換もしくは無置
換の炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一で
も異なっていてもよい。Ｒ¹，Ｒ²は脱アルキル化または
脱アシル化によって容易にＨに置き換わる基であればよ
く、例えば、置換もしくは無置換のアルキル基、好まし
くは低級アルキル基、置換もしくは無置換のアシル基を
表し、同一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ¹，Ｒ²
が同時にアルキル基の場合は除く。） （３）下記一般式IIIで表されることを特徴とするヒド
ロキシ基を有するスチルベン化合物。 一般式III

【００１０】

【化１２】

【００１１】（式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無
置換の炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一
でも異なっていてもよい。Ｒ¹は脱アルキル化または脱
アシル化によって容易にＨに置き換わる基であればよ
く、例えば置換もしくは無置換のアルキル基、好ましく
は低級アルキル基、置換もしくは無置換のアシル基を表
す。） （４）下記一般式IVで表されることを特徴とするジアセ
トキシスチルベン化合物。 一般式IV

【００１２】

【化１３】

【００１３】（式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無
置換の炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一
でも異なっていてもよい。） （５）下記一般式Ｖ 一般式Ｖ

【００１４】

【化１４】

【００１５】（式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無
置換の炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一
でも異なっていてもよい。Ｒ¹，Ｒ²は脱アルキル化また
は脱アシル化によって容易にＨに置き換わる基であれば
よく、例えば水素原子、置換もしくは無置換のアルキル
基、好ましくは低級アルキル基、置換もしくは無置換の
アシル基を表し、同一でも異なっていてもよい。ただ
し、Ｒ¹，Ｒ²は同時に水素原子の場合はのぞく。）で表
されるスチルベン化合物を脱アルキル化または脱アシル
化させることを特徴とする下記一般式VI 一般式VI

【００１６】

【化１５】

【００１７】（式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無
置換の炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一
でも異なっていてもよい。Ｒ¹は水素原子、置換もしく
は無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアシル基
を表す。）で表されるヒドロキシ基を有するスチルベン
化合物の製造方法。 （６）下記一般式VII 一般式VII

【００１８】

【化１６】

【００１９】（式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無
置換の炭素環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一
でも異なっていてもよい。）で表されるアルデヒド化合
物と下記一般式VIII 一般式VIII

【００２０】

【化１７】

【００２１】〔式中、Ｒ¹，Ｒ²は水素原子、置換もしく
は無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアシル基
を表し、同一でも異なっていてもよい。Ｙは−Ｐ+
（Ｒ³）₃Ｘ^-（ここでＲ³はフェニル基または低級アルキ
ル基、Ｘはハロゲン原子を表す。）で表されるホスホニ
ウム塩または−ＰＯ（ＯＲ⁴）₂（ここでＲ⁴は低級アル
キル基を表す。）で表されるジアルキル亜燐酸基であ
る。〕で表されるリン化合物とを反応させることを特徴
とする上記（１）または（２）記載のスチルベン化合物
の製造方法。 （７）下記一般式IX 一般式ＩＸ

【００２２】

【化１８】

【００２３】（式中、Ｒ^１，Ｒ²は置換もしくは無置換
のアルキル基を表わし、同一でも異なっていてもよ
い。）で表されるアミノ化合物と下記一般式Ｘ 一般式Ｘ Ａｒ¹Ｘ （式中、Ａｒ¹は、置換もしくは無置換の炭素環式芳香
族基の一価基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）およ
び下記一般式XI 一般式XI Ａｒ²Ｘ （式中、Ａｒ²は、置換もしくは無置換の炭素環式芳香
族基の一価基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）で表
されるハロゲン化合物とを反応させることを特徴とする
上記（２）に記載のスチルベン化合物の製造方法。

【００２４】本発明における前記一般式Ｉで示されるジ
ヒドロキシスチルベン化合物及び前記一般式IIないし一
般式IVで示されるスチルベン化合物は何れも新規物質で
あり、前記一般式Ｉで示されるジヒドロキシスチルベン
化合物は前記一般式IIの化合物の脱アルキル化もしくは
脱アシル化によって得られる。詳しくは脱アルキル化の
場合、酸性試薬による開裂反応、塩基性試薬による開裂
反応が挙げられ、酸性試薬としては臭化水素、ヨウ化水
素、トリフルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、濃塩酸、ヨ
ウ化マグネシウムエーテラート、塩化アルミニウム、臭
化アルミニウム、三臭化ホウ素、三塩化ホウ素、三ヨウ
化ホウ素等が、塩基性試薬としては水酸化カリウム、リ
チウムジフェニルホスフィド、ナトリウムチオラート等
を挙げることができる。溶媒としてはジクロロメタン、
ＴＨＦ、ＤＭＦ、ピリジン、ブタノール等を挙げること
ができ、反応温度は用いる試薬の反応性によるが、一般
的には室温〜２００℃の間で行われる。また脱アシル化
の場合は、酸性またはアルカリ性下で脱アシル化するこ
とによって製造される。この時の酸性及び塩基性試薬と
して、例えば塩酸、硫酸、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム等を挙げることができ、反応溶媒としてはメタノ
ール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、２
−メトキシエタノール、１，２−ジメトキシエタン、ビ
ス（２−メトキシエチル）エーテル、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメ
チルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ
−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノンなどを挙げることができる。又、前記一般式II
で表わされるスチルベン化合物は前記一般式IXで表わさ
れるアミノ化合物と前記一般式Ｘ及び前記一般式XIで表
わされるハロゲン化合物とを、銅粉、酸化銅あるいはハ
ロゲン化銅等と、縮合反応中に生ずるハロゲン化水素を
中和するのに充分な量のアルカリ性物質を加え、溶媒の
存在下または無溶媒下で、窒素雰囲気下、１５０〜２５
０℃程度の温度において反応させることによって製造さ
れる。

【００２５】この場合、アルカリ性物質としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム、水素化ナトリウム等を挙げることができる。
また、反応溶媒としてはニトロベンゼン、ジクロルベン
ゼン、キノリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジ
メチル−２−イミダゾリジノン、テトラヒドロフラン、
二硫化炭素等を挙げることができる。更に前記一般式Ｉ
ないし前記一般式IIは前記一般式VIIで表わされるアル
デヒド化合物と前記一般式VIIIで表されるリン化合物と
を塩基性触媒の存在下、室温から１００℃程度の温度に
おいて反応させることによっても製造される。この場
合、塩基性触媒としてはフェニルリチウム、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、ナトリウムアミド、水素化ナ
トリウム及びナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブ
トキサイドなどのアルコラートを挙げることができる。
また反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ブタノール、２−メトキシエタノール、
１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチ
ル）エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホキシド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどを挙
げることができる。中でも極性溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド及びメチルスルホキシドが好適であ
る。

【００２６】反応温度は１）使用する溶媒の塩基性触媒
に対する安定性、２）縮合成分（前記一般式VII及びVII
Iの化合物）の反応性、３）前記塩基性触媒の溶媒中に
おける縮合剤としての反応性によって広範囲に選択する
ことができる。例えば極性溶媒を用いるときは、実際に
は室温から１００℃、好ましくは室温から８０℃であ
る。しかし、反応時間の短縮または活性の低い縮合剤を
使用するときは更に高い温度でもよい。又、前記一般式
IIにおけるアルキル基の具体例として例えば、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が炭素環式芳香
族基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、ピレニル基等が、アシル基としては
アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基を挙げること
ができる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。 実施例１ ４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジ
メトキシスチルベンの製造 ３，５−ジメトキシ−４’−アミノスチルベン４．１１
ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）をパラヨードトルエン６０ｇに
採り、これに銅粉２．０５ｇ（３２．２ｍｍｏｌ）と炭
酸カリウム８．９０ｇ（６４．４ｍｍｏｌ）を加え、窒
素気流下、２０９℃で６時間撹拌した。この反応液を５
０℃まで冷却した後、セライトと共に熱濾過し、濾液を
クロロホルムで抽出した。この抽出物の溶媒を留去し、
シリカゲルカラムクロマト処理（溶離液；トルエン）し
た結果、白黄色粉末５．０７ｇ（収率７２．３％）を得
た。これを酢酸エチル−エタノールの混合溶媒から再結
晶して、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−
３，５−ジメトキシスチルベンの白黄色板状晶４．５８
ｇ（収率６５．３％）を得た。融点は１３４．０〜１３
５．０℃、元素分析値はＣ₃₀Ｈ₂₉ＮＯ₂として下記のと
おりであった。

【００２８】

【表１】

【００２９】また、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤
法）を図１に示したが以下のような吸収が認められた。 δＣＨ（トランスオレフィン）＝９６５ｃｍ^-1 実施例２ ４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジ
ヒドロキシスチルベンの製造 ４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジ
メトキシスチルベン４．３６ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）と
９０％ナトリウムチオエチラート１４．０２ｇ（１５
０．２ｍｍｏｌ）をモレキュラーシブス４Ａ処理した
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍｌに加え、窒素気
流下、１４５〜１５５℃で１２時間撹拌した。この反応
液を室温まで冷却した後、氷水５００ｍｌに注ぎ、濃塩
酸を加えて酸性とし、エーテル抽出を行った。この抽出
物の溶媒を留去して、シリカゲルカラムクロマト処理
（溶離液；トルエン／酢酸エチル５／１ｖｏｌ．）した
結果、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，
５−ジヒドロキシスチルベン１．６５ｇ（収率４０．５
％）の黄色針状晶を得た。融点は１６１．３℃（ＴＧ−
ＤＴＡ吸熱ピーク）であった。元素分析値はＣ₂₈Ｈ₂₅Ｎ
Ｏ₂として下記のとおりであった。

【００３０】

【表２】

【００３１】また赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤
法）を図２に示したが以下のような吸収が認められた。 νｓＯＨ＝３４５０ｃｍ^-1 δＣＨ（トランスオレフィン）＝９６５ｃｍ^-1 実施例３ Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−（１−ピレニル）−
４’−アミノ−３，５−ジアセトキシスチルベンの製造 トリフェニル−３，５−ジアセトキシベンジルホスホニ
ウムブロミド２．７５ｇ（５．０ｍｍｏｌ）と６０％水
素化ナトリウム０．６０ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）を乾燥
したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｍｌに採り、室
温で２時間撹拌した。これにＮ−（４−ホルミルフェニ
ル）−Ｎ−（４−メチルフェニル）−１−アミノピレン
２．０６ｇ（５．０ｍｍｏｌ）を先のＴＨＦ２０ｍｌに
採り、この溶液を３０分かけて滴下した。室温で４時間
撹拌した後、氷水６００ｍｌに注ぎ、塩酸を加え中和
し、更に１時間撹拌した。これを酢酸エチルを用いて抽
出し、３回水洗した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶
媒を減圧下留去して赤色油状物を得た。この油状物に無
水酢酸３０ｍｌとトルエン３０ｍｌを加え、４時間加熱
還流した後、放冷しトルエンを用いて抽出、水洗を行
い、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して
赤色油状物を得た。この油状物をシリカゲルカラムクロ
マト処理（溶離液トルエン／酢酸エチル２０／１ｖｏ
ｌ）し、未反応アルデヒド１．１５ｇとＮ−（４−メチ
ルフェニル）−Ｎ−（１−ピレニル）−４’−アミノ−
３，５−ジアセトキシスチルベン１．０１ｇ（収率３
３．６％）を得た。これをノルマルヘキサンで晶析し
て、Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−（１−ピレニ
ル）−４’−アミノ−３，５−ジアセトキシスチルベン
０．９０ｇ（収率２９．９％）、融点１８５．５−１８
８．５℃の白黄色粉末を得た。元素分析値はＣ₄₁Ｈ₃₁Ｎ
Ｏ₄として下記のとおりであった。

【００３２】

【表３】

【００３３】また、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠
法）を図３に示したが、以下のような吸収が認められ
た。 νＣＯ １７６５ｃｍ^-1 νＣＯＯ １１９５ｃｍ^-1 δＣＨ（トランスオレフィン）９６５ｃｍ^-1 実施例４ ４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジ
メトキシスチルベンの製造 Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ−（４−ホル
ミルフェニル）アミン８７．４０ｇ（０．２９ｍｏｌ）
と３，５−ジメトキシベンジルホスホン酸ジエチル８
９．３７ｇ（０．３１ｍｏｌ）をＤＭＦ６００ｍｌに採
り、撹拌しながらカリウム−ｔ−ブトキシサイド５１．
６１ｇ（０．４６ｍｏｌ）を１０分かけて投入し、室温
で３時間反応させた。この内容物を氷水３０００ｍｌに
あけ、酢酸を加えて中和し、生成した沈殿物を濾取し、
水洗し、さらにメタノール洗浄後、乾燥して粗製物１２
４．７３ｇ（収率９８．７％）を得た。これをシリカゲ
ルカラムクロマト処理（溶離液；トルエン／シクロヘキ
サン３／２ｖｏｌ）した後、酢酸エチル／エタノールの
混合溶媒から再結晶して、４’−ビス（４−メチルフェ
ニル）アミノ−３，５−ジメトキシスチルベンの白黄色
立方晶１０８．４３ｇ（収率８５．８％）を得た。融点
は１３５．５〜１３６．５℃、元素分析値はＣ₃₀Ｈ₂₉Ｎ
Ｏ₂として下記のとおりであった。

【００３４】

【表４】

【００３５】また、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤
法）を測定したが、実施例１で得られた図１と同じもの
が得られた。

【００３６】実施例５ ４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジ
アセトキシスチルベンの製造 Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メ
チルフェニル）アミン１．２１ｇ（４．０ｍｍｏｌ）と
３，５−ジアセトキシベンジルホスホン酸ジエチル１．
６５ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を乾燥したＴＨＦ２５ｍｌに
採り、６０％水素化ナトリウム０．３８ｇ（９．６ｍｍ
ｏｌ）を加えて、室温で３６時間撹拌した。この内容物
を氷水３００ｍｌにあけ、酢酸で中和し、酢酸エチルを
用いて３回抽出し、この抽出層を６回水洗浄し、硫酸マ
グネシウムで乾燥してから溶媒を減圧下留去して黄褐色
油状物を得た。油状物をシリカゲルカラムクロマト処理
（溶離液；トルエン／酢酸エチル２０／１ｖｏｌ．）
し、黄色粉末を得た。これをｎ−ヘキサンより再結晶し
て４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−
ジアセトキシスチルベン０．１１ｇ（５．６％）、融点
１２２．５−１２３．５℃の黄色針状晶を得た。元素分
析値はＣ₃₂Ｈ₂₉ＮＯ₄として下記のとおりであった。ま
た、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を図４に示
した以下のような吸収が認められた。

【００３７】

【表５】

【００３８】ＩＲ Ｖ_co１７７０ｃｍ^-1 δＣＨ（トランスオレフィン）＝９６５ｃｍ^-1 実施例６ ４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジ
ヒドロキシスチルベンの製造 ４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジ
アセトキシスチルベン０．３６ｇ（０．７ｍｍｏｌ）を
メタノール２０ｍｌに採り、加熱還流下、３６％塩酸水
溶液１．５ｍｌを滴下し、３０分間撹拌した。この内容
物を水１００ｍｌに注ぎ、酢酸エチルで２回抽出を行
い、この抽出層を３回水洗、硫酸マグネシウムで乾燥
し、シリカゲルカラムクロマト処理（溶離液；トルエン
／酢酸エチル５／１ｖｏｌ．）した結果、４’−ビス
（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジヒドロキシ
スチルベン０．２７ｇ（収率９０．０％）の黄色針状晶
を得た。融点は１６１．０〜１６５．５℃であった。元
素分析値はＣ₂₈Ｈ₂₅ＮＯ₂として下記のとおりであっ
た。

【００３９】

【表６】

【００４０】また、赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤
法）を測定したが、実施例２で得られた図２と同じもの
が得られた。

【００４１】実施例７ ４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３−ヒドロ
キシ−５−メトキシスチルベンの製造 ４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−３，５−ジ
メトキシスチルベン３１．０７ｇ（７１．３４ｍｍｏ
ｌ）をモレキュラーシブス４Ａ処理したＮ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド１７５ｍｌに採り、窒素気流下、９０％
ナトリウムチオエチラート２０．００ｇ（２１４．０１
ｍｍｏｌ）を加え、１３０℃で３時間撹拌した。この反
応液を室温まで冷却した後、氷水１５００ｍｌに注ぎ、
濃塩酸を加えて酸性とし、２回エーテル抽出を行った。
この抽出物の溶媒を留去して、シリカゲルカラムクロマ
ト処理（溶離液；トルエン／酢酸エチル５／１ｖｏ
ｌ．）した結果、４’−ビス（４−メチルフェニル）ア
ミノ−３−ヒドロキシ−５−メトキシスチルベン２８．
０６ｇ（収率９３．３％）の黄色粉末を得た。非晶質で
あった。元素分析値はＣ₂₉Ｈ₂₇ＮＯ₂として下記のとお
りであった。

【００４２】

【表７】

【００４３】また赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤
法）を図５に示したが以下のような吸収が認められた。 νｓＯＨ＝３４４０ｃｍ^-1 δＣＨ（トランスオレフィン）＝９６０ｃｍ^-1 〔応用例〕電荷発生物質としてダイアンブルー（シーア
イピグメントブルー２５、Ｃ．Ｉ．Ｎo.２１１８０）７
６部、ポリエステル樹脂〔バイロン２００，（株）東洋
紡績製〕の２％テトラヒドロフラン溶液１２６０部およ
びテトラヒドロフラン３７００部をボールミル中で粉砕
混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着したポリエ
ステルベースよりなる導電性支持体のアルミニウム面上
にドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して厚さ
約１μｍの電荷発生層を形成した。

【００４４】一方、電荷搬送物質としては実施例２のス
チルベン化合物２部、ポリカーボネート樹脂〔パンライ
トＫ１３００、（株）帝人製〕２部およびテトラヒドロ
フラン１６部を混合溶解して溶液とした後、これを前記
電荷発生層上にドクターブレードを用いて塗布し、８０
℃で２分間、ついで１２０℃で５分間乾燥して厚さ約２
μｍの電荷搬送層を形成せしめて感光体を作製した。 ＶＰＯ（ボルト）−１０６８、Ｅ１／２（ルックス・
秒）１．３２

【００４５】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によっ
て、新規なジヒドロキシスチルベン化合物とその製造方
法が提供できる。この化合物はジヒドロキシル基を高分
子化の官能基として利用することにより、高分子型の電
荷搬送物質に誘導することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で製造した化合物の赤外線吸収スペク
トル図、

【図２】実施例２で製造した化合物の赤外線吸収スペク
トル図、

【図３】実施例３で製造した化合物の赤外線吸収スペク
トル図、

【図４】実施例５で製造した化合物の赤外線吸収スペク
トル図、

【図５】実施例７で製造した化合物の赤外線吸収スペク
トル図。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式Ｉで表わされることを特徴と
   するジヒドロキシスチルベン化合物。一般式Ｉ 【化１】 （式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無置換の炭素環
   式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なって
   いてもよい）
2. 【請求項２】 下記一般式IIで表わされることを特徴と
   するスチルベン化合物。一般式II 【化２】 （式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無置換の炭素環
   式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なって
   いてもよい。Ｒ¹，Ｒ²は置換もしくは無置換のアルキル
   基、置換もしくは無置換のアシル基を表し、同一でも異
   なっていてもよい。）
3. 【請求項３】 下記一般式IIIで表されることを特徴と
   するヒドロキシ基を有するスチルベン化合物。 一般式ＩＩＩ 【化３】 （式中、Ａｒ^１，Ａｒ²は、置換もしくは無置換の炭素
   環式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なっ
   ていてもよい。Ｒ¹は置換もしくは無置換のアルキル
   基、置換もしくは無置換のアシル基を表す。）
4. 【請求項４】 下記一般式IVで表されることを特徴とす
   るジアセトキシスチルベン化合物。 一般式IV 【化４】 （式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無置換の炭素環
   式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なって
   いてもよい。）
5. 【請求項５】 下記一般式Ｖ一般式Ｖ 【化５】 （式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無置換の炭素環
   式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なって
   いてもよい。Ｒ¹，Ｒ²は水素原子、置換もしくは無置換
   のアルキル基、置換もしくは無置換のアシル基を表し、
   同一でも異なっていてもよい。ただし、Ｒ¹，Ｒ²は同時
   に水素原子の場合はのぞく。）で表されるスチルベン化
   合物を脱アルキル化または脱アシル化させることを特徴
   とする下記一般式VI一般式VI 【化６】 （式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無置換の炭素環
   式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なって
   いてもよい。Ｒ¹は水素原子、置換もしくは無置換のア
   ルキル基、置換もしくは無置換のアシル基を表す。）で
   表されるヒドロキシ基を有するスチルベン化合物の製造
   方法。
6. 【請求項６】 下記一般式VII一般式VII 【化７】 （式中、Ａｒ¹，Ａｒ²は、置換もしくは無置換の炭素環
   式芳香族基の一価基を表し、それぞれ同一でも異なって
   いてもよい。）で表されるアルデヒド化合物と下記一般
   式VIII 一般式ＶＩＩＩ 【化８】 〔式中、Ｒ^１，Ｒ²は水素原子、置換もしくは無置換の
   アルキル基、置換もしくは無置換のアシル基を表し、同
   一でも異なっていてもよい。Ｙは−Ｐ+（Ｒ³）₃Ｘ^-（こ
   こでＲ³はフェニル基または低級アルキル基、Ｘはハロ
   ゲン原子を表す。）で表されるホスホニウム塩または−
   ＰＯ（ＯＲ⁴）₂（ここでＲ⁴は低級アルキル基を表
   す。）で表されるジアルキル亜燐酸基である。〕で表さ
   れるリン化合物とを反応させることを特徴とする請求項
   １または請求項２記載のスチルベン化合物の製造方法。
7. 【請求項７】 下記一般式IX 一般式IX 【化９】 （式中、Ｒ¹，Ｒ²は、置換もしくは無置換のアルキル基
   であって同一でも異なっていてもよい。）で表されるア
   ミノ化合物と下記一般式Ｘ 一般式Ｘ Ａｒ¹Ｘ （式中、Ａｒ¹は、置換もしくは無置換の炭素環式芳香
   族基の一価基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）およ
   び下記一般式XI 一般式XI Ａｒ²Ｘ （式中、Ａｒ²は、置換もしくは無置換の炭素環式芳香
   族基の一価基を表し、Ｘはハロゲン原子を表す。）で表
   されるハロゲン化合物とを反応させることを特徴とする
   請求項２に記載のスチルベン化合物の製造方法。