JPH0815789B2

JPH0815789B2 - 発熱ヘッド、その製造方法及びこれを用いた記録装置

Info

Publication number: JPH0815789B2
Application number: JP6369289A
Authority: JP
Inventors: 津村　　誠; 安昭鈴木; 龍夫本田; 康郎堀; 廉伊藤
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Koki Co Ltd
Current assignee: Koki Holdings Co Ltd; Hitachi Ltd
Priority date: 1989-03-17
Filing date: 1989-03-17
Publication date: 1996-02-21
Anticipated expiration: 2011-02-21
Also published as: JPH02243360A; US5097272A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は感熱記録装置における記録ヘツドに係り、特
に高精度の発熱制御を伴う高精細かつ中間調記録に好適
な発熱ヘツド並びにその駆動回路の駆動方法、その製造
方法及びこれらを用いた記録装置に関する。

〔従来の技術〕

発熱ヘツドを用いた記録装置について、そのシステム
構成及び動作を第22図，第23図に示す一例によつて説明
する。第22図はシステム構成で、画像源24,信号制御部2
6,発熱ヘツド28,信号の処理と機構部の制御を実行する
マイクロプロセツシングユニツト（MPU）25,機構制御部
27,機構部29から構成されている。制御の流れとして
は、画像源24に蓄えられた画像情報がMPU25からの制御
信号によりドツトの１ライン毎に、信号制御部26により
ヘツドの記録特性に応じた２値信号に変換され、発熱ヘ
ツド28に転送される。

一方、上記の制御に応動して機構部は以下のように動
作する。インクシート31及び受像紙33は、発熱ヘツド28
の発熱抵抗体と紙送りをするプラテンローラ34との間に
挾まれている。発熱ヘツド28は転送されてきた２値信号
に応じて発熱し、受像紙33上に１ラインの画像を形成す
る。以後はプラテンローラ34の回転に同期してインクシ
ート31の巻取りローラ32及び受像紙33が回転し、以下こ
の動作を繰り返すことによつて１枚の画像が完成する。
この時、記録される画像が濃淡を表現する中間調画像で
ある場合には、インクシート自体に熱に対する階調性の
あるもの，例えば熱昇華型のインクシートまたは感熱紙
を用いる。

次に、中間調を記録する方式としては次の３通りがあ
る。

（１）２値信号のパルス幅を画像情報に対応して変え、
記録ドツト自体の濃淡を記録する濃度階調法。

（２）１画素を複数の記録ドツトで構成し、画素内に記
録するドツトの数を変えて濃淡を記録する濃度パタン
法。

（３）デイザ法Ｎ×Ｍのドツトマトリクス内の２値（例えば白黒）の数
をＮ×Ｍ種類のパターンで準備しておき、濃淡の濃度に
対応して各パタンを割合てる濃度パタン法の１種。

これらの記録方法を用いて高精細，高品位な中間調画
像を記録するには、発熱ヘツド28の発熱抵抗体の配列間
隔（ピツチ）をより細かくして解像度（単位長さ当りの
記録ドツト数）を上げたり、熱発ヘツド28自体にも記録
ドツトの面積（発熱面積）の変化する特性（中間調記録
特性）を持たせることが必要となる。

上記のような作用をする発熱ヘツドは、一般に絶縁基
板上に形成した導体電極と、これに配置された複数の発
熱抵抗体と、その発熱抵抗体を選択して発熱させるため
に電流を流す駆動素子を含む駆動回路とから構成され
る。このような構成を有する発熱ヘツドを厚膜工程によ
り製造する技術については、特公昭55−26983号公報に
記載がある。これは、櫛の刃状の共通電極及び信号電極
（独立の信号を印加する意味で個別電極とも呼ばれ
る。）とを絶縁基板上に配置し、その上に酸化ルテニウ
ムRuO₂等から成る抵抗体をペーストにしてスクリーン印
刷技術により帯状に形成する。導体層はエツチング技術
により精度の良い加工が施された電極を形成できる。ま
た抵抗体層の形成は簡単で、パタン印刷機による印刷す
るのみである。したがつて、厚膜工程では製造設備のコ
ストが安いので、ヘツド部の製造コストも安くできる利
点がある。

第24図，第25図に発熱ヘツドとその駆動回路の例を示
す。

第24図において、絶縁基板（図示していない）上に電
源３に接続される共通電極２と、駆動回路６の駆動素子
Q_n（ｎ＝1,2,3…）の出力端子に接続される信号電極４
が例えば蒸着工程とエツチング工程で形成配置され、そ
の上に帯状に抵抗体１が印刷工程により積層されてい
る。駆動回路６の駆動素子の出力、例えばQ1がON状態に
なると、電源３から共通電極２及び発熱抵抗体5a,5bを
経由し、信号電極４及び出力Q1に電流7a及び7bが流れ
る。このとき、発熱抵抗体5a,5bが発熱し、この発熱抵
抗体に接触している発熱紙を発色、またはインクシート
のインクを受像紙上に溶融転写、すなわち記録ドツトを
形成する。

しかし、上記発熱ヘツドは１つの信号電極により２つ
の発熱抵抗体を発熱させるものである。すなわち、２つ
の発熱抵抗体をもつて１画素を構成するため、発熱部の
面積が２倍となるので画像の解像度を上げることは容易
ではない。

上記解像度の向上に対応するため、第25図に示すよう
に共通電極を２系統に分割し、電源3a及び3bに共通電極
を夫々接続する方法を採つて解像度を２倍にし、次のよ
うに動作させていた。

まず、電源3bを電気的開放状態（ハイインピーダンス
状態“Z"）に、電源3bを電圧V_Hにそれぞれ設定する。駆
動回路６の駆動素子Q1がON、駆動素子Q2もONの状態の場
合は、発熱抵抗体5aに電流7aが流れ、発熱抵抗体5bには
Q1,Q2の出力が同電位なので電流が流れない。しかし、Q
2をOFFの状態にすると、電流7cが流れるが、電流の通路
の抵抗は電流7aの場合の３倍になるので電流7cは電流7a
の1/3と小さい。

２値画像記録の場合は、印字記録がされる記録濃度の
境界値がその最高値の半分程度であるため、この回り込
み電流による印字への影響は表われないでいた。

上記動作により１ライン内の半数のドツトを記録し、
次に電源3aと3bの電圧を切り替えて、電源3bをV_H、電源
3aを“Z"とする。このようにして、駆動回路６の駆動素
子Q_nの出力を２値画像信号に対応して駆動することによ
り、残りの半数のドツトを記録して１ライン全体の記録
が終了する。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記の従来例では次の問題点があつた。

（１）隣接する発熱抵抗体間の抵抗値のバラツキが大き
い抵抗体、特に厚膜抵抗体を用いる場合は解像度を上げ
ることは容易ではない。

（２）個別電極と共通電極とで挾まれた２つの発熱抵抗
体が駆動素子の１出力で同時に通電し発熱するため、前
記各発熱抵抗体の抵抗値のバラツキによる発熱特性の差
を電気的に補正することも容易ではない。

（３）解像度を２倍にすることは前述のように可能であ
るが、発熱が休止している発熱抵抗体にも不要な電流が
流れるため、高精度の発熱制御が容易でなく、消費電力
の損失も大きい。

（４）発熱ヘツド内の全ドツト（全ての発熱抵抗体）を
同時に駆動できる回路構成ではないので、全ドツト同時
駆動のできる発熱ヘツドに対しては記録速度の点で劣
る。

本発明は上記の問題点を考慮して成されたもので、本
発明の目的は高精細記録と中間調記録を両立させること
にあり、１ドツトについてその占有面積をより小さくす
ると共にドツト独立に発熱させられる発熱ヘツド並びに
その駆動回路の駆動方法、その製造方法及びこれらを用
いた記録装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は次の手段により達成される。

（１）絶縁基板上に帯状に形成した抵抗体をこれとは相
対的に抵抗値の高い複数の高抵抗化領域によつて分離
し、この高抵抗化領域によつて挾まれた複数の発熱抵抗
体部の夫々において、発熱抵抗体の帯の幅方向に貫通す
る複数の共通電極と、発熱抵抗体部に接触するように配
置した複数の信号電極とを設け、これら２種類の電極の
うち、少なくとも１つが前記高抵抗化領域に接触するよ
うに構成する。

（２）上記（１）の手段に加えて、電極と抵抗体との重
なつた部分は電流密度が小さいことから前記発熱抵抗体
部の電極によつて区画された形状を電流密度の集中する
形状とする。

（３）上記（１）の手段に加えて、高抵抗化領域の抵抗
値と電極によつて区画された発熱抵抗体部との印加電力
の比に応じて、両者間での漏れ電流（クロストーク）を
防止するため上記高抵抗化領域の帯の幅やシート抵抗を
設定する。

（４）記録画素部を共通電極と複数の信号電極で区画さ
れた発熱抵抗体部によつて構成し、信号電極に印加する
制御信号のタイミングを変える。

（５）本発熱ヘツドを絶縁基板上に、構築する際、電極
形成工程と、発熱抵抗形成工程と、発熱抵抗体部分離工
程とを有する製造工程を用いる。

（６）画像信号発生源と、制御信号発生部と、信号制御
部と、機構制御部と、記録媒体と、機構部から構成され
る記録装置に、本発熱ヘツドを用いる。

〔作用〕

本発明の目的を達成するため、前記の技術手段は次の
ように作用する。

（１）電極で区画される発熱抵抗体と高抵抗化領域とが
電気的に分離され、電源が供給される共通電極と信号電
極との間に流れる電流を画像信号の１画素に対応する発
熱抵抗体だけに流して発熱させる。また、信号電極を複
数設けて１画素を独立に発熱させる部分を複数設けて中
間調記録をする。さらに発熱抵抗体部に対して高抵抗化
領域の配置を発熱抵抗体部１つ毎に、２つ毎に、４つ毎
に、というように設けて共通電極の数を減らして発熱ヘ
ツドの１ドツトの寸法を小さくする。また高抵抗化領域
の長さを発熱抵抗体部の長さより短くしてドツト間の距
離を小さくして非発熱部の面積を小さくするように働
く。

（２）画素に対応する発熱抵抗体の形状は電極の形状で
規定され、電極間の電流経路における電流密度は１つの
発熱抵抗体の中央付近で最も高くなり、発熱抵抗体のほ
ぼ中央に発熱の中心が設定され、発熱が外側に向つて均
等に広がる。

（３）発熱抵抗体に対して高抵抗化領域の高抵抗化する
割合を決定するための設計パラメータを与え、発熱抵抗
体間の電流の回り込み（電気的クロストーク）や相互熱
干渉を抑制するように働く。

（４）１つの画素について独立に発熱する複数の発熱抵
抗体に、時間に応じて印加する電圧パルスを発熱抵抗体
に対応して設ける駆動回路の駆動素子によつて供給し、
発熱抵抗体の電流密度の制御を介して発熱量の制御をす
る。

また、通電開始時の電流密度を大きくし、記録可能な
温度に達した後の電流密度を小さく抑えるというような
温度分布を制御する。

（５）発熱抗体体が発熱する部分を１つの信号電極で１
つだけ選択して、抵抗値を測定し、発熱抵抗体と高抵抗
化領域との抵抗値を個別に補正する。

また、レーザ光線や電子線を照射して抵抗体の少なく
とも一部を欠き、確実に高抵抗化領域を形成させ、発熱
に寄与せず加工に精度が要らない高抵抗化方法を与え
る。また記録に係る発熱抵抗体の部分に悪影響を与えな
いで本発明に係る発熱ヘツドを製造方法を与える。

また、厚膜抵抗体では高電圧パルスの印加、大電流の
通電により、その部分の抵抗値が高くなる変位特性を応
用して高抵抗化領域を形成する。これは多数の高抵抗化
領域を同時に形成し発熱ヘツドの製造時間の大幅な低減
と低コスト化ができるように作用する。

さらに上記の高抵抗化領域の形成方法は発熱ヘツド製
造完了後でも、後から抵抗値を補正する工程を加えるこ
とができる。

（６）単位長さ当りの記録ドツト数を多くさせ、低階調
時の記録濃度特性を高めて高精細で、中間調記録に優れ
た感熱記録画を与える。

〔実施例〕

本発明に係る高抵抗化領域は完全に絶縁することが望
ましいが、抵抗体のシート抵抗を発熱抵抗体よりも高く
することや物理的に抵抗体部材を欠いた間瞭を形成する
ことも含まれる。したがつて以後の説明では、高抵抗化
領域に流れる電流が発熱抵抗体に流れる電流に対して発
熱量や記録特性に影響のない程度に小さければよい。高
抵抗化領域を形成することを簡単のため、以下では単に
高抵抗化する、と記述する場合がある。

次に高抵抗化領域と記録に係る発熱抵抗体部との抵抗
値の差はどの程度であれば本発明の効果が発揮されるか
について説明する。ここでは簡単のため第26図に示す構
成を用いる。すなわち発熱ヘツドは次のように構成され
ている。発熱抵抗体部５の一方の側が電源用電極２（発
熱抵抗体の配列によつては共通にできるので共通電極と
も呼ぶ）に接続され、他方の側が信号用電極８（信号は
独立に印加する必要があるので個別電極とも呼ぶ）に接
続されている。高抵抗化領域９は発熱抵抗体部５に隣接
しており、１つの信号で発熱状態を変えられる抵抗体の
単位は電源用電極２と信号用電極８との間にある抵抗体
５である。このように２つの電極で挾まれた部分の発熱
抵抗体という意味で、今後は抵抗体５を発熱抵抗体部と
呼ぶことにする。但し、発熱する抵抗体の部分が明らか
な場合は単に抵抗体と呼ぶこともある。また電極と抵抗
体とが重つている抵抗体部分の電流密度は重つていない
部分より小さいと考えられるので発熱抵抗体部とは電極
用電極２と信号用電極８との間であると考える。したが
つて以下の説明では抵抗体と電極との重なり部分を除い
た部分を発熱抵抗体部とする。

第26図において、電源用電極２と信号用電極との間に
ある発熱抵抗体部５の長さをd_r、幅をＷ（抵抗体を帯状
に形成したときの幅方向の長さである。）、シート抵抗
をρ_ｒとする。また、高抵抗化領域の長さをd_i、シート
抵抗をρ_ｉとする。以上の発熱ヘツドでは、高抵抗化領
域と発熱抵抗体部とに通電したときに、単位面積当りに
印加される電力エネルギを求めると次のようになる。ま
ず両者の抵抗は次式で求められる。

高抵抗化領域の電極間の抵抗R_iは発熱抵抗体部の電極間の抵抗R_rは電源の電圧をＶ、流れる電流をＩとすると電力Ｅは、
Ｅ＝Ｖ・Ｉ＝Ｖ・（V/R）＝V²/R …（３）（１），（２），（３）式より両者の電力は次式で求
められる。

高抵抗化領域の電力E_iは発熱抵抗体部の電力E_rはこの印加電力E_i,E_rとの比が発熱という現象を介して
記録媒体に作用し、記録体に記録して濃淡を伴つた可視
像を形成する訳であるから、発熱抵抗体部に対して高抵
抗化領域をどのくらい高抵抗化すればよいかの程度（高
抵抗化率:K）は次式で表わせる。

つまり、両者のシート抵抗比と抵抗体長比との積であ
る。

ところで、高抵抗化領域の発熱量による記録体への影
響をその発色濃度Ｄによつて評価すると、第27図に示す
ように高抵抗化率Ｋに対して、しきい値を持つているこ
とが分る。これは物理的には、高抵抗化率Ｋが１よりも
小さくなると高抵抗化領域からの漏れ熱（クロストーク
熱）による発色濃度（本来、不要である）が急激に小さ
くなることを表わしている。したがつて、E_i/E_rを１よ
りも小さい領域で本発明の効果が発揮される。

次に発熱抵抗体部の発熱量の移動が記録媒体や記録体
以外にどのように行われるかを第28図を用いて説明す
る。ここでは発熱抵抗体部について考えることにする。
また、第27図で説明したように、高抵抗化領域による発
色濃度が十分小さいように高抵抗化率を考慮しているの
で、高抵抗化領域の発熱量は無視して考えることにす
る。

第28図（ａ）は電極で区画される発熱抵抗体部が１つ
毎に、（ｂ）は２つ毎、（ｃ）は４つ毎に高抵抗化領域
を設けた構成を示す。発生した熱は挾んでいる電極には
もちろん、隣接する電極にも逃げるので、隣りの発熱抵
抗体に与える発熱量による発色濃度への影響（クロスト
ーク）は少なくなる効果がある。

本発明では、発熱抵抗体部に隣接して高抵抗化領域９
を設けることで、開閉器と駆動回路を有する発熱ヘツド
を制御する。駆動回路６の駆動素子の出力、例えば、Q1
をON状態にすると、発熱抵抗体5aには電源３から供給電
極２及び電極8aを経由して電流７が流れ発熱するが、高
抵抗化領域９により対電極8aと8bの間の電流通路を遮断
できるため、発熱抵抗体5bには電流が流れない。また、
高抵抗化領域９は高抵抗化できる最小限の幅の電極間距
離が有れば良く、ヘツド全体として非発熱部の面積がご
く僅かであるため、飽和濃度も十分高い値が得られる。

したがつて、本発明の実施例によれば、（１）画素が
独立に制御構成できる、（２）２画素について１本の共
通電極で済むので、隣接の発熱抵抗体間での電流のクロ
ストークの無い高精細の発熱ヘツドを実現できる。ま
た、（３）高抵抗化領域の数が２画素について１個と少
ないため高抵抗化に要する発熱ヘツドの製造作業時間を
大幅に短縮し、安価な発熱ヘツドを実現できる。

第２図に本発明の他の実施例の平面図を示す。

本実施例において、駆動素子と個別電極との接続状況
については、第１図と同様であるため図示を省略する。
以後の実施例についても省略する。

本実施例の基本構成は第１図の構成とほぼ同様である
が、帯状の抵抗体を電極で区画された１つの抵抗体おき
に高抵抗化領域を設けた点が異なる。対を成す電極8a及
び8bにより挾れる抵抗体９を高抵抗化したことを特徴と
する。本実施例における発熱時の電流通路も第１図の例
と同様で、個別電極8aに接続する駆動素子の（ここでは
図示していない）出力をON状態にすると、電源３から個
別電極8aに向かつて電流７が流れ発熱抵抗体5aが発熱す
る。

本実施例は共通電極8b、発熱抵抗体5a、高抵抗化領域
９を１組とする繰返しにより構成されているため、発熱
抵抗体を配置する間隔（ピツチ）、すなわち画素ピツチ
や熱の伝導系が各発熱抵抗体で同一であることも特徴で
ある。また、高抵抗化領域による非記録部で発生する白
筋が目立つほど画質が劣化するが、この白筋はピツチが
小さく、規則性が高いほど目立ちにくい性質がある。し
たがつて、本実施例は、画素ピツチ及び熱伝達系を一定
とし、ドツト間に現れる非記録部の連なつた白筋も同一
のピツチに揃えることができるので、白筋の目立たない
高品位、かつ、高精細の記録が可能な発熱ヘツドを実現
できる。

第３図は第１図の実施例の発熱抵抗体に電流密度の集
中部を設けた発熱ヘツドの平面図である。このように電
流密度の集中部を持つ発熱抵抗体に通電する時間や電
力、すなわち印加エネルギを変化させると、印加エネル
ギに応じて記録可能な高温領域が増減する。

第４図に、このように電流密度の集中部を有する発熱
抵抗体により構成した発熱ヘツドの記録濃度特性を示
す。曲線14は本実施例の発熱ヘツドの記録濃度特性で、
曲線13は比較のために図示した従来の電流密度の集中部
の無い発熱抵抗体により構成した発熱ヘツドの記録濃度
特性である。本実施例の発熱ヘツドは曲線14のように印
加エネルギを増やしていくと記録濃度が曲線13に比べて
緩やかに増加している。すなわち、高精度に発熱制御が
できることを示しており、印加エネルギに応じて記録ド
ツトの面積が増減しているものである。したがつて、ド
ツトの記録面積可変による中間調記録を実現できる。一
方、曲線13に示す従来の発熱ヘツドは電流密度の集中部
を持たないため、発熱抵抗体上のどの場所においても温
度はほぼ一定である。したがつて、記録可能な温度を超
える印加エネルギを発熱抵抗体に与えると記録濃度12が
急速に増大し、ほぼ飽和濃度に達してしまい（曲線13の
傾きが急である）、中間の記録濃度を精度良く再現する
ことが容易ではなかつた。

本実施例によれば、発熱抵抗体上に電流密度の集中部
を有するため印加エネルギに応じた高精度の発熱制御が
でき、中間調記録の可能な発熱ヘツドを実現できる。

第５図から第８図に本発明の発熱ヘツドの他の実施例
を示す。

基本構成は第３図の実施例と類似であるが、発熱抵抗
体の最高温度部を発熱中心と定義した時に、隣接の発熱
中心間の距離で表す画素ピツチが一定となるような電極
形状により構成している。

第５図の例においては、発熱抵抗体の電流密度の集中
部の形状は第３図の例と同様であるが、画素ピツチ10を
一定にするとともに発熱抵抗体の形状が左右対称となる
ように共通電極の8aと個別電極の2a、更に、共通電極の
8bと個別電極の2bを類似の形状としている。しかし、共
通電極の2aと2bは同電位であるため、この間を高抵抗化
する必要はなく、この間を電極で構成しても差し支えな
い。

本実施例によれば、高抵抗化領域の数が少ない２抵抗
体おきの高抵抗化電極構造においても画素ピツチ及び熱
伝達系一定の発熱抵抗体形状が得られるため、ドツト間
に現れる非記録部の連なつた白筋も同一のピツチに揃え
ることができるので、白筋の目立たない高精度の発熱制
御が可能な発熱ヘツドを製造時間が短く、安価な製造工
程により実現できる。

第６図の実施例では発熱抵抗体の発熱中心間のピツ
チ、すなわち画素ピツチ10が一定で発熱抵抗体の形状を
左右非対称に構成することを特徴としている。

発熱抵抗体の形状を非対称に構成し、画素ピツチを一
定にする場合の寸法上の関係について第７図により説明
する。画素ピツチ10をｐとし、各電極の直線部分の幅を
de、高抵抗化領域の幅をdi、電流密度の集中部を形成す
る電極の増加幅を高抵抗化領域側がh1、共通電極側がh
2、さらに、発熱抵抗体の最小幅（くびれの幅）をｒと
すると、画素ピツチ10は、となる。さらに、発熱中心が画素の中心と一致して画素
ピツチを一定とするためには、発熱抵抗体の中心から高
抵抗化領域の中心までの距離と、発熱抵抗体から共通電
極の中心までの距離とが等しく、1/2Xpとすることが必
要である。したがつて、 di＋de＝２（h2−h1）を満たすように設計することにより、画素ピツチ一定と
することができる。また、この条件式における最小ピツ
チはh1＝０のときで、その時の画素ピツチをpminとする
と、 pmin＝di＋2de＋ｒとなる。現状の厚膜プロセスのエツチング精度が最小の
線幅及び線間距離10μｍ程度であることを考えて、di,d
e,rをそれぞれ15μｍと仮定すると、最小の画素ピツチ
は60μｍが可能となる。1mm幅における画素数を求める
と、16.7画素となる。こうして、中間調記録と高精度の
発熱制御が可能で、しかも、記録ドツトが一定のピツチ
で記録できる16画素/mmの高精細発熱ヘツドを現状の厚
膜プロセスで実現できることが分かる。

第８図は上記で述べた最小ピツチにおける発熱ヘツド
の場合を示し、その実施例の平面図である。この実施例
では、高抵抗化領域側、すなわち、個別電極側の電極間
の増加がない構成が採れる。

この構成により、発熱ヘツドの同一幅においては、発
熱抵抗体数を多くすることができるため、解像度の高い
発熱ヘツドを実現できるし、同一の抵抗体幅とするなら
ば、発熱ヘツドのライン方向の長さを短くできる効果が
ある。

第６図から第８図の本発明の実施例によれば、発熱抵
抗体の電流集中部の形状を非対称とすることにより、画
素ピツチを一定にすることができ、記録ドツト間の白筋
の目立たない高品位の記録と、電流密度の集中部による
中間記録ができ、高精度の発熱制御が可能な発熱ヘツド
を実現できる。

第９図は、第２図の実施例において電流密度の集中部
を設けた場合の実施例の平面図を示したものである。

本実施例は共通電極8b、発熱抵抗体5a、個別電極8a、
高抵抗化領域９を１組とする繰返しにより構成されてい
る。このため、発熱抵抗体の電流密度の集中部の形状に
係りなく画素ピツチや熱の伝達系が各発熱抵抗体で全く
同一とすることができ、これが特徴となつている。画素
ピツチ及び熱伝達系が一定で、記録されるドツトも同一
のピツチで並べることができる。電流密度の集中部の形
状の自由度が高く、しかもドツト間の白筋の目立たない
高精度の発熱制御が可能な発熱ヘツドを実現できる。

第10図に本発明の他の実施例の平面図（Ａ）及び断面
図（Ｂ）を示す。

本実施例は、個別電極8aを抵抗体１の下部に配置し、
共通電極8bを個別電極にオーバーラツプするように抵抗
体の上部に配置するとともに、両電極にはさまれる抵抗
体部分を高抵抗化したことを特徴とする。発熱時の電流
通路は、第10図（Ａ）において、電流７で示すように電
源３から共通電極8b、発熱抵抗体５を経由し隣接の個別
電極8a側へ至る。この時、第10図（Ｂ）の断面図に示す
ように、対電極8aと8b間を高抵抗化して隣接する抵抗体
間にクロストーク電流（漏れ電流、または回り込み電
流）が流れることを防止し、さらに、共通電極と隣接の
個別電極との間に電流通路７を確保するように電流の一
部分と発熱抵抗体５の一部を接触する構造とすることが
重要である。

本実施例によれば、高抵抗化領域を対電極間に挾むよ
うに内蔵し、対電極の一部をオーバーラツプさせる構造
とすることにより、電極及び高抵抗化領域の占める面積
を大幅に小さくできるため、高精細発熱ヘツドを実現で
きる。

また、本実施例は並行電極の例であるが電流密度の集
中部を有する電極形状においても同様の効果が得られ
る。このため、電流密度の集中部による中間調記録が可
能な発熱ヘツドにおいても、本実施例の構造を適用でき
る。

第11図から第15図に本発明に成る発熱ヘツド及びその
駆動回路の駆動方法に係る実施例を示す。

第11図（ａ）は第１図の実施例の変形例で、電極で区
画された２つの発熱抵抗体部、すなわち２ドツトおきに
抵抗体に高抵抗化領域を設けた場合の発熱ヘツドの平面
図を示す。

電極及び抵抗体に関する基本構成は第１図の実施例と
同様であるが、１画素を２つの抵抗体5a及び5bにより構
成し、しかも、抵抗体5bを介して抵抗体5aに電流が流れ
る構成としたことを特徴とする。抵抗体5a及び5bへの通
電の有無及びその時の電流密度は２つの開閉器の出力Q1
a及びQ1bの出力により制御される。すなわち、出力Q1a
がOFF、Q1bがONの場合には、抵抗体5aは発熱停止、抵抗
体5bは高い電流密度の発熱状態となる。抵抗体5a及び5b
の抵抗体の幅が等しい時には、画素面積（5a＋5b）の約
半分の面積のドツトを安定に記録できる。さらに、出力
Q1aがON、Q1bがOFFの時には、抵抗体5aと抵抗体5bが直
列に接続されるから抵抗値が２倍になるので低い電流密
度の発熱状態となる。この時、抵抗体上の温度が記録に
必要な温度よりも高い温度に達すれば画素面積にほぼ等
しい面積のドツトを記録できる。

上記の発熱状態と実際に記録される画像との関係を第
11図（ａ）に示すように、０階調から２階調まで３通り
の濃淡状態が得られる。すなわち、この実施例では３階
調濃度の中間調記録ができる。以下、第12図（ａ）を参
照しながら階調に注目した動作について述べる。なお、
同図の横軸は発熱抵抗体の配列方向の距離、縦軸は下方
に時刻をとつている。

（１）０階調の場合（ｔ＝t₀）発熱抵抗体部は5a,5bとも発熱しない状態であり、記
録ドツトは白となる。

（２）１階調の場合（ｔ＝t₁）発熱抵抗体部は5bだけが発熱し、5aは発熱しない状態
である。発熱抵抗体部5bは最も電流密度が高く、最も速
く温度が上昇して記録可能温度T_Pに達して1/2画素のド
ツトが記録される。

（３）２階調の場合（ｔ＝t₂）発熱抵抗体部5a,5bが共に発熱する。この場合は上記
（２）の場合と異なり、発熱抵抗体部は5aと5bとが直列
につながるので全体の抵抗値は２倍になる。したがつ
て、発熱抵抗体部5bの電流密度は上記（２）の場合に比
べて半分に減少する。このときの時間に対する発熱状態
は異なる。すなわち、時刻t₁からt₂の間において、発熱
抵抗体部5aでは低温から高温へ、発熱抵抗体5bでは高温
から低温へと変化して時間の経過と共に5a,5bは均一な
温度になつていく。これを熱量の移動の観点で考える
と、発熱抵抗体部5bはこれより温度の低い発熱抵抗体5a
によつて熱を奪われ、発熱抵抗体部5aはこれより温度の
高い発熱抵抗体部5bからの供給熱と自己発熱の２つの熱
を受けて5a単独の場合に比べてより高速に記録可能温度
T_Pに達するのである。したがつて発熱抵抗体部5bが単独
に発熱する場合に比べて過剰に発熱することを抑制する
効果があり、記録媒体や記録体に焼付などの損傷や異常
記録が発生しない効果もある。さらに、熱昇華性インク
シートのようなインクシート自体に階調性のある記録媒
体を用いると、低階調時の記録特性に優れた、記録ドツ
トの高い濃度部で発生し易い焼付のない記録ができると
いう効果もある。また、上記の構成，動作，効果など全
ての記載はモノクロ記録に限るものではなく、記録媒体
を複数色のものにしたり、記録体を感熱多色発色性のあ
るものにするなどしてフルカラー（多色）の記録にも同
様に適用できる。

第12図（ａ）は、第11図の構成の発熱ヘツドを２つの
開閉器（駆動回路の駆動素子）Q1a及びQ1bで制御した時
の抵抗体5a及び5b上の温度分布を時間に対して示した特
性の例を示す図である。第12図（ｂ）は駆動回路の駆動
素子Q1a,Q1bの例で示した制御のタイアミングチヤート
である。ここで実線41は抵抗体5b,1点鎖線42は抵抗体5a
上の温度分布を示す。時間t0において、出力Q1aをOFF、
Q1bをONとすると、抵抗体5b上の温度は急速に上昇して
記録可能な温度T_Pに到達し、抵抗体5bにほぼ等しい面積
のドツトを記録する。時間t1において、出力Q1aをON、Q
1bをOFFにすると、抵抗値が5a＋5bで２倍となるので、
抵抗体5bに流れる電流密度が半減し、温度上昇が緩やか
になるため、インクを過剰に加熱することがなくインク
シートの焼き付きなどによる異常記録を防止できる。

また、隣接の抵抗体5bが高温に達しているため、抵抗
体5aも高速に記録可能な温度に達するので、高速、か
つ、安定に、ほぼ画素面積に等しいドツトを記録でき
る。したがつて、本実施例によれば、抵抗体を流れる電
流密度と発熱面積を時間の経過と共に制御できるので、
高速、かつ安定した３値記録を実現できる。

また、本実施例の発熱ヘツドおよびその制御方法をイ
ンクシート自体に階調性の有る昇華性のインクシートを
用いる記録装置に適用し、パルス幅による濃度制御を付
加した場合は、低階調用の発熱抵抗体5bを小さくできる
ので、特に、低階調の記録特性に優れる記録装置を実現
できる。

第13図に本発明に係る発熱ヘツド及びその制御方法に
ついて他の実施例を平面図で示す。

構成は第11図の実施例とほぼ同様であるが、１画素を
成す発熱抵抗体を異なる抵抗幅で構成したことを特徴と
する。本実施例では、発熱抵抗体5aの電極幅を発熱抵抗
体5bの電極幅よりも短くすることにより、発熱エネルギ
の微小な調整が可能となり、３値記録や第12図に示す過
剰な発熱を防止する効果の外、抵抗値の違いによる発熱
特性のばらつきを各画素毎に補正する（例えば電気パル
スを印加して抵抗体部の抵抗値を変化させること）こと
もできる。

第14図に電極で区画される４つの抵抗体おきに高抵抗
化領域を設けた実施例を平面図で示す。

構成は第13図の実施例とほぼ同様で２個の発熱抵抗体
により１画素を構成しているが、共通電極と高抵抗化領
域の数を２画素に付き１個としているため、ヘツド−ラ
イン分の幅を節約するので、高精細の発熱ヘツドを実現
できる。

本実施例は、２抵抗体により１画素を構成したが、３
抵抗体以上により１画素を構成し、電源を供給する電極
側に電源系統を切り替える開閉器を設けることにより、
安定した４値以上の記録を実現できる。

第15図に４抵抗体おきに抵抗体を高抵抗化した実施例
の変形例を平面図で示す。

構成は第14図の実施例とほぼ同様である。２個の発熱
抵抗体5a及び5bにより１画素を構成するが、電極5aを第
２の共通電極とし、開閉器43を通じて第１の共通電極２
に接続することを特徴としている。開閉器43はトランジ
スタスイツチでも良いし、リレー等の機械式の開閉器で
も良い。また、本実施例では、開閉器43を発熱ヘツド全
体で開閉器を１個設けているが、各画素毎に設けても良
い。開閉器43のON/OFFにより、第14図の実施例と同様
に、駆動回路６の駆動素子の出力がON状態のとき、すな
わち発熱抵抗体が通電状態であるときの画素の電流密度
を制御することができる。

本実施例によれば、開閉器43を付加することにより、
駆動回路６の出力数を増やすことなく、画素数に等しい
出力数で、発熱抵抗体上の電流密度の制御が可能であ
る。しかも、一ラインの全ての画素を同時に制御するこ
とができる効果がある。簡単な構成により高精度の発熱
制御ができる発熱ヘツド及びその駆動方法を実現でき
る。

開閉器43の接続位置は、２系統の共通電極の一方に供
給するか、両方に供給するか（加算型）に限らず、どち
らか一方に供給するか（バイパス型）であつても同様の
効果がある。また、上記２系統の共通電極に電圧を供給
する電源が１つの場合に限らず、２つ設けてそれぞれに
スイツチを接続して、異なるタイミングで電源電圧を印
加してもよいし、同じタイミングであつてもよい。

第16図から第21図に本発明に成る発熱ヘツドの製造方
法に係る実施例を示す。

発熱ヘツドの製造方法の内、本発明における特徴は発
熱抵抗体部に隣接する高抵抗化領域を高抵抗化すること
にある。

第16図および第17図は対電極間の抵抗体の一部をレー
ザーあるいは電子線の照射により除去することにより高
抵抗化することを特徴としている。第16図は抵抗体を線
状に除去した例で対電極間を完全に高抵抗化することが
できる。第17図の例はレーザーあるいは電子線の照射を
パルス状に行つた例で、少ない印加エネルギと短い時間
で高抵抗化することができる。この時、対電極間の一部
に抵抗体が残つても対電極間の抵抗値が十分高い値であ
ればクロストークは小さいので実用上問題ない。また、
発熱に寄与しない電極間の抵抗体を高抵抗化するため、
レーザーや電子線の加工精度に影響されず、発熱抵抗体
に損傷を与えることもない。

本実施例によれば不要な抵抗体を除去することにより
対電極間を高抵抗化するため、確実に高抵抗化できるこ
とと、高抵抗化を目視により確認することができるとと
もに、発熱抵抗体に損傷を与えることもない。

第18図及び第19図に本発明の前例とは異なる高抵抗化
方法について述べる。

第19図のパルス印加数17に対する抵抗変化率18の特性
曲線19に示すように、酸化ルテニウム等を主成分とする
厚膜抵抗体は一定の値を超える電圧パルスを繰返し印加
すると、当初、抵抗値が低下するが更にパルス印加数17
を増していくと、電界による抵抗体粒子間の電気的接続
が切り離され急速に抵抗値が上昇し遂には絶縁状態に達
する性質を有している。

第18図（Ａ）はこのような厚膜抵抗体の性質を利用し
て対電極間を高抵抗化する方法を模式的に示している。
第18図（Ａ）に示すように、対電極8a及び8bにパルス電
源16の出力を接続して電圧パルスを印加する。高抵抗化
に必要な電圧及び印加パルス数は予め特性を求めておい
て与えるか、或いは、対電極間の抵抗値を測定しながら
電圧パルスを印加し、所望の抵抗値に達したことを判定
してパルスの印加を停止する。ここで言う所望の抵抗値
とは、記録特性に与える影響が少ないことを意味し、例
えば、高抵抗化領域が発熱抵抗体の幅よりも十分小さい
時には、発熱抵抗体よりも抵抗値が大きくなければ効果
がある。また、パルス電源16の出力インピーダンスを下
げて出力容量を上げるとともに、複数の対電極をパルス
電源16に接続することにより複数の対電極を同時に高抵
抗化処理することができる。

第18図（Ｂ）に前記過程により高抵抗化した後の発熱
ヘツドの断面図を示す。

電圧パルス印加による高抵抗化には、微小な放電が伴
い、この放電の発生した場所が高抵抗化される。一般
に、放電路はほぼ高電界部に沿つて発生するが、まれに
不規則となり、高抵抗化領域のばらつきの原因となる。
しかし、本実施例では、高抵抗化領域と発熱領域を電極
により分離することができるため、発熱抵抗体と高抵抗
化領域が重なることがなく、発熱抵抗体が損傷されるこ
とがない。

本実施例によれば、複数の対電極間の抵抗体を同時に
高抵抗化することができるので、高抵抗化処理に要する
時間を大幅に削減することができる。また、発熱に無関
係な対電極間の抵抗体のみを高抵抗化するため、記録に
重要な発熱抵抗体を損傷することがない。

他の方法により対電極間を高抵抗化する方法について
述べる。電源と対電極の接続については第18図の例と同
様であるため省略する。第18図の例においては抵抗体粒
子間の接続を電界印加による放電により切り離したが、
本実施例においては通電による自己発熱により抵抗体粒
子間の接続を切り離すことにより対電極間を高抵抗化す
ることを特徴としている。

第20図は通電時間40とその時の抵抗体の抵抗変化率18
の特性曲線20を示す。通電時間40を長くすることにより
抵抗変化率18は急速に上昇し高抵抗状態に達する。

本実施例によれば、低電圧の直流或いは交流電源によ
り高抵抗化処理を行うことができるので、安価な装置に
より本発明の発熱ヘツドを製造できる。

第21図に第１図，第３図，第５図，第６図、及び第８
図のように隣接する対電極間に新たな共通電極を設ける
構成において対電極間を高抵抗化する方法について述べ
る。

高抵抗化処理時において第21図（Ａ）に示すように、
共通電極を予め接続した状態で対電極間に電圧を印加す
ると、高抵抗化領域９以外に個別電極8b、発熱抵抗体5
b、共通電極２、発熱抵抗体5aおよび共通電極8aを経由
して電流23が流れ発熱抵抗体に損傷を与える。したがつ
て、高抵抗化処理時には第21図（Ｂ）に示すように共通
電極21を分離した状態で高抵抗化し、その後、共通電極
を接続する。このような構成にすることにより、高抵抗
化処理時には共通電極21はフローテイング状態となるた
め、不要な電圧印加及び電流通路は発生しない。

本実施例によれば、高抵抗化処理時に発熱抵抗体に不
要な電圧印加及び電流通路は発生しないため、発熱抵抗
体に損傷を与えることなく高抵抗化処理を実現できる。

第１図から第10図に示す本発明の実施例は、所望の抵
抗体の高抵抗化により、１画素を１ドツトで構成できる
ようにしたことを特徴としている。従来の発熱ヘツドは
２ドツトを並列に接続して１画素を構成しているため、
ヘツド製造の最終工程において、対を成す各抵抗体の抵
抗値を測定することができないことに加え、各ドツト毎
に抵抗値を補正することができない。

しかし、本発明の発熱ヘツドは、１画素を１ドツトで
構成しているため、例えば、電圧パルス印加により抵抗
値が変化する特性を利用した抵抗値の補正処理を、ヘツ
ド製造の最終工程で行うことができる。また、このよう
な発熱ヘツドを用いた記録装置においては、抵抗値のば
らつきによる発熱特性の違いをパルス幅制御などにより
電気的、かつ、高精度に補正することができる。

〔発明の効果〕

本発明の発熱ヘツドは、１画素を１つの発熱抵抗体に
より構成できることと、発熱抵抗体の形状がエツチング
プロセスにより決まるため、高精度のパターン形成が可
能であることと、発熱抵抗体に電流集中部を設けること
により印加エネルギに応じた記録ドツト面積の制御が可
能であることから、高精細記録と中間調記録の両立に必
要な高精度の発熱制御が可能な厚膜プロセスによる発熱
ヘツドを実現できる。

また、１画素を複数の発熱抵抗体により構成し、１画
素の抵抗体中を流れる電流密度を、複数の開閉器により
制御することにより、多値記録をはじめ、１画素を構成
する抵抗体の総合抵抗値の補正や、抵抗体上の温度変化
の制御ができるため、高精度の発熱制御が可能な発熱ヘ
ツド及びその制御方法を実現できる。

更に、本発明の発熱ヘツドの製造方法は発熱抵抗体に
不要な電圧印加や電流通電をすることなく対電極間を高
抵抗化することができるため、高精度の発熱制御が可能
な発熱ヘツドを厚膜プロセスにより容易に製造すること
ができる。

また、本発明の発熱ヘツドを用いた記録装置は、各個
別電極により１個の発熱抵抗体を制御するため、抵抗値
の違いによる各記録画素の記録濃度のばらつきを電気的
に高精度に補正することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す図、第２図，第３図は本
発明の他の実施例を示す図、第４図は本発明に係る発熱
ヘツドの特性を示す図、第５図から第11図は本発明のそ
の他の実施例を示す図、第12図は本発明に係る発熱ヘツ
ドの制御方法を示す図、第13図から第18図は本発明のさ
らに他の実施例を示す図、第19図と第20図は本発明に係
る発熱ヘツドの高抵抗化特性を示す図、第21は本発明の
さらに他の実施例、第22図と第23図は本発明の発熱ヘツ
ドを用いた記録装置を示す図、第24図と第25図は発熱ヘ
ツドの従来例を示す図、第26図と第27図は本発明の発熱
ヘツドの特性を示す図、第28図は本発明の発熱ヘツドの
放熱経路を示す図である。１……抵抗体、2,2a,2b……共通電極、3,3a,3b……電
源、４……個別電極、5a,5b……発熱抵抗体、６……駆
動素子、7,7a,7b,23……電流、8a,8b……対電極、９…
…高抵抗化領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者本田龍夫茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者堀康郎茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者伊藤廉東京都千代田区大手町２丁目６番２号日立工機株式会社内 (56)参考文献特開平１−214453（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−20163（ＪＰ，Ａ) 特開平２−112952（ＪＰ，Ａ) 実開昭63−100239（ＪＰ，Ｕ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に配置された複数の発熱抵抗体
部と、前記発熱抵抗体部に電流を前記発熱抵抗体部の一端から
供給する第１の電極と、前記発熱抵抗体部を流れる電流を、前記発熱抵抗体部の
他端から外部へ流出させる第２の電極と、互いに隣接する前記発熱抵抗体部の間に設けられ、前記
発熱抵抗体部より電気抵抗が高い物質からなる高抵抗化
領域とを有する発熱ヘツド。
【請求項２】絶縁基板上に配置された複数の発熱抵抗体
部と、前記発熱抵抗体部に電流を、前記発熱抵抗体部のほぼ中
央部から供給する第１の電極と、前記発熱抵抗体部を流れる電流を、前記発熱抵抗体部の
両端部から外部へ流出させる第２の電極と、互いに隣接する前記発熱抵抗体部の間に、前記発熱抵抗
体部より電気抵抗が高い物質からなる高抵抗化領域とを有する発熱ヘツド。
【請求項３】絶縁基板上に配置された複数の発熱抵抗体
部と、前記発熱抵抗体部に電流を、前記発熱抵抗体部の一端か
ら供給する第１の電極と、前記発熱抵抗体部を流れる電流を、前記発熱抵抗体部の
他端から外部へ流出させる第２の電極と、互いに隣接する前記発熱抵抗体部の間に設けられ、前記
発熱抵抗体部より電気抵抗が高い物質からなる高抵抗化
領域と前記第２の電極に接続されたスイツチ素子と、前記スイツチ素子の開閉を制御する回路とを有する発熱ヘツド。
【請求項４】絶縁基板上に配置された複数の発熱抵抗体
部と、前記発熱抵抗体部に電流を、前記発熱抵抗体部のほぼ中
央から供給する第１の電極と、前記発熱抵抗体部を流れる電流を、前記発熱抵抗体部の
他端から外部へ流出させる第２の電極と、互いに隣接する前記発熱抵抗体部の間に設けられ、前記
発熱抵抗体部より電気抵抗が高い物質からなる高抵抗化
領域と前記第２の電極に接続されたスイツチ素子と、前記スイツチ素子の開閉を制御する回路とを有する発熱ヘツド。
【請求項５】絶縁基板上に配置された発熱抵抗体部から
形成された複数の画素部と、前記画素部に電流を、前記画素部の一端から供給する第
１の電極と、前記画素部を流れる電流を、前記画素部の他端から外部
へ流出させる第２の電極と、互いに隣接する前記画素部の間に、前記画素部より電気
抵抗が高い物質からなる高抵抗化領域とを有する発熱ヘツド。
【請求項６】絶縁基板上に配置された発熱抵抗体部から
形成された複数の画素部と、前記画素部に電流を、前記画素部のほぼ中央から供給す
る第１の電極と、前記画素部を流れる電流を、前記画素部の両端部から外
部へ流出させる第２の電極と、互いに隣接する前記画素部の間に、前記画素部より電気
抵抗が高い物質からなる高抵抗化領域と、を有する発熱ヘツド。
【請求項７】絶縁基板上に配置された発熱抵抗体部から
形成された複数の画素部と、前記画素部に電流を、前記画素部の一端から供給する第
１の電極と、前記画素部を流れる電流を、前記画素部の他端から外部
へ流出させる第２の電極と、互いに隣接する前記画素部の間に設けられ、前記画素部
より電気抵抗が高い物質からなる高抵抗化領域と前記第２の電極に接続されたスイツチ素子と、前記スイツチ素子の開閉を制御する回路とを有する発熱ヘツド。
【請求項８】絶縁基板上に配置された発熱抵抗体部から
形成された複数の画素部と、前記画素部に電流を、前記画素部のほぼ中央から供給す
る第１の電極と、前記画素部を流れる電流を、前記画素部の両端から外部
へ流出させる第２の電極と、互いに隣接する前記画素部の間に設けられ、前記画素部
より電気抵抗が高い物質からなる高抵抗化領域と前記第２の電極に接続されたスイツチ素子と、前記スイツチ素子の開閉を制御する回路とを有する発熱ヘツド。
【請求項９】前記高抵抗化領域に挾まれ、かつ前記第１
の電極と前記第２の電極との間に挾まれて区画された発
熱抵抗体部の前記区画数が偶数であることを特徴とする
特許請求の範囲第１ないし第４項記載の発熱ヘツド。
【請求項１０】前記発熱抵抗体部の区画の数が２である
ことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の発熱ヘツ
ド。
【請求項１１】前記発熱抵抗体部の区画の数が４である
ことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の発熱ヘツ
ド。
【請求項１２】前記発熱抵抗体部に電流密度の集中する
部分を有することを特徴とする特許請求の範囲第１ない
し第４項記載の発熱ヘツド。
【請求項１３】前記複数の画素部が発熱する時の最高温
度部を発熱中心とし、前記発熱中心間の距離が隣接する
画素部において実質的に同一であることを特徴とする特
許請求の範囲第５ないし第８項記載の発熱ヘツド。
【請求項１４】前記画素部の形状が対称であることを特
徴とする特許請求の範囲第５ないし第８項記載の発熱ヘ
ツド。
【請求項１５】前記画素部の形状が非対称であることを
特徴とする特許請求の範囲第５ないし第８項記載の発熱
ヘツド。
【請求項１６】前記第１及び第２の電極間の距離で決定
される発熱抵抗体部の幅は、前記電極間方向の高抵抗化
領域の幅とは異なることを特徴とする特許請求の範囲第
１ないし第４項記載の発熱ヘツド。
【請求項１７】前記項抵抗化領域の幅は前記発熱抵抗体
部の幅よりも狭いことを特徴とする特許請求の範囲第１
ないし第４項記載の発熱ヘツド。
【請求項１８】通電して電力を供給する前記高抵抗化領
域及び発熱抵抗体部の夫々に、単位面積当りに印加する
エネルギは前記発熱抵抗体部の単位面積当りに印加する
エネルギよりも小さいことを特徴とする特許請求の範囲
第１ないし第４項記載の発熱ヘツド。
【請求項１９】前記第１及び第２の電極を前記発熱抵抗
体部の主要面を介して互いに異なる平面上に配置するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１ないし第４項記載の
発熱ヘツド。
【請求項２０】前記高抵抗化領域の主要面を挾むよう
に、前記第１及び第２の電極の少なくとも一部が互いに
重なることを特徴とする特許請求の範囲第１ないし第４
項記載の発熱ヘツド。
【請求項２１】前記画素部への通電を制御する前記複数
の第１の電極に対して、信号の供給系統を切替える複数
の開閉器を有することを特徴とする特許請求の範囲第５
ないし第８項記載の発熱ヘツド。
【請求項２２】前記画素部の夫々の画素部配列方向の幅
が少なくとも１つは他と異なることを特徴とする特許請
求の範囲第21項記載の発熱ヘツド。
【請求項２３】前記開閉器の少なくとも２つを接地電位
及び夫々別の前記第２の電極に接続することを特徴とす
る特許請求の範囲第21項記載の発熱ヘツド。
【請求項２４】前記開閉器の少なくとも１つは前記開閉
器の一端を固定電位、他端を前記第２の電極に接続する
ことを特徴とする特許請求の範囲第21項記載の発熱ヘツ
ド。
【請求項２５】絶縁基板上に、少なくとも２つが共通で
ある信号を印加し得る複数の第１の電極と、夫々独立の
画像信号を印加し得る複数の第２の電極とを設ける電極
形成工程と、少なくとも一主表面の一方の側から他方の側に達して前
記第１の電極と電気的に接触し、かつ前記第２の電極に
電気的に接触する抵抗体を設ける抵抗体形成工程と、前記抵抗体とは相対的に高い抵抗値を有する高抵抗化領
域を設けることによつて、前記抵抗体を複数の発熱抵抗
体部に分離する発熱抵抗体部分離工程と、を有する発熱ヘツドの製造方法。
【請求項２６】前記発熱抵抗体部分離工程は前記抵抗体
の少なくとも一部を除去して前記高抵抗化領域を形成す
る抵抗体除去工程を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第25項記載の発熱ヘツドの製造方法。
【請求項２７】前記抵抗体除去工程はレーザ光を照射す
る工程を含むことを特徴とする特許請求の範囲第26項記
載の発熱ヘツドの製造方法。
【請求項２８】前記抵抗体除去工程は電子線を照射する
工程を含むことを特徴とする特許請求の範囲第26項記載
の発熱ヘツドの製造工程。
【請求項２９】前記発熱抵抗体部分離工程は前記高抵抗
化領域に隣接する前記第２の電極に電圧パルスを印加す
る電圧パルス印加工程を含むことを特徴とする特許請求
の範囲第25項記載の発熱ヘツドの製造方法。
【請求項３０】前記発熱抵抗体部分離工程は前記抵抗体
を発熱させて前記高抵抗化領域を形成する工程を含むこ
とを特徴とする特許請求の範囲第25項記載の発熱ヘツド
の製造方法。
【請求項３１】前記電極形成工程は、あらかじめ前記第
１の電極を電気的に独立に構成し、前記高抵抗化領域を
形成した後、前記第１の電極に少なくとも２つの共通の
信号を印加できるように前記第１の電極を接続する共通
電極形成工程を含むことを特徴とする特許請求の範囲第
25項記載の発熱ヘツドの製造方法。
【請求項３２】画像を記録体に印刷するための画像信号
発生源と、前記印刷をするための制御信号を発生する制御信号発生
部と、前記画像信号発生源または前記制御信号発生部からの信
号を受けて処理する信号制御部と、前記制御信号発生部からの制御信号を受けて前記印刷を
するための機構を制御する機構制御部と、前記信号制御部からの信号を受けて画像パターンに応じ
た発熱点を発生する請求項１から請求項25の何れかに記
載される発熱ヘツドと、前記発熱点の熱が伝達されて前記記録体に作用する記録
媒体と、前記記録体、前記発熱ヘツド、前記記録媒体を夫々、相
対的に変位させる機構部とから成る記録装置。