JPH0784328B2 - ガラス質シリカ製容器又はパイプの品質改良法 - Google Patents

ガラス質シリカ製容器又はパイプの品質改良法

Info

Publication number
JPH0784328B2
JPH0784328B2 JP60504860A JP50486085A JPH0784328B2 JP H0784328 B2 JPH0784328 B2 JP H0784328B2 JP 60504860 A JP60504860 A JP 60504860A JP 50486085 A JP50486085 A JP 50486085A JP H0784328 B2 JPH0784328 B2 JP H0784328B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
container
vitreous silica
silica
pipe
boundary surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60504860A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62501067A (ja
Inventor
ウインターバーン，ジヨン・アレキサンダー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Publication of JPS62501067A publication Critical patent/JPS62501067A/ja
Publication of JPH0784328B2 publication Critical patent/JPH0784328B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B32/00—Thermal after-treatment of glass products not provided for in groups C03B19/00, C03B25/00 - C03B31/00 or C03B37/00, e.g. crystallisation, eliminating gas inclusions or other impurities; Hot-pressing vitrified, non-porous, shaped glass products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
    • C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
    • C03B5/06—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in pot furnaces
    • C03B5/08—Glass-melting pots
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/009—Poling glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C30B15/18—Heating of the melt or the crystallised materials using direct resistance heating in addition to other methods of heating, e.g. using Peltier heat

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガラス質シリカ体から製造された、またはこれ
と接して製造された製造の品質を改良する方法に関す
る。
一観点においては、本発明は不純物含有量の低い改良さ
れたガラス質シリカ製品、例えばるつぼ、チューブまた
はプレートの製法、ならびにこの方法により製造された
製品に関する。
また本発明はガラス質シリカ容器を、その中に入れた材
料の高温処理に用いるための改良法に関する。この本発
明方法の特に価値ある用途は、溶融した半導体材料をガ
ラス質シリカるつぼ内で処理することにある。
先行技術の考案 アーク・モールデットるつぼ（AMC）は通常、電弧の影
響下、粉末材料の溶融により製造される。その間粉末材
料（例えば石英粉末）は遠心力により、回転している鋳
型（例えば水冷金属製のもの）内の適当な位置に保持さ
れる。この時、鋳型壁を経由して真空をかけることもで
きるし、かけなくてもよい。
ガラス質シリカるつぼは、一般にそれから単結晶を引き
上げるための溶融体を収容する目的で通常用いられる。
半導体材料の場合、高純度であることがきわめて重要で
あり、結晶の引き出し操作中に不純物汚染を避けるため
に、従来多大の努力が払われてきたが、今も尚同様の努
力が続けられている。るつぼはこの種の汚染の一つの可
能な源泉である。
ガラス質シリカるつぼに入れた溶融体からシリコン結晶
を引き上げる場合には、アルカリ不純物がるつぼの壁か
ら溶融シリコンに移行する可能性があり、このためガラ
ス質シリカるつぼ用として使用される出発物質を精製し
て含有されるアルカリ不純物を減少させるための多種多
様な方法が提案されているが、これらは往々にして時間
がかかるか、さもなければ費用のかかるものであった。
本発明者らは、るつぼが少なくとも700℃を越える温度
にある時、各不純物またはそのイオンがるつぼの内側表
面から離れてるつぼの壁部を通過して移動するようにす
るために必要な時間と分極を与えて、るつぼの壁を通し
て電圧をかけるという簡単な手段によって、ガラス質シ
リカるつぼ内で溶融された物質中の不純物濃度を低下さ
せうることを見出した。
不純物の移動は、るつぼが出発物質から最初に溶融され
る時に起こさせることができる。アルカリ不純物のイオ
ンの場合、るつぼの内面が正極、外面が負極となる電圧
をかけることが必要である。るつぼの壁はアルカリ金属
（例えばNa,KまたはLi）の移動に対してそれほどの障壁
ではない。移動速度は温度およびかけられた電圧の関数
であり、るつぼ壁の内側表面は900℃を越える温度、電
圧は１〜2000Vであれば十分である（例えばサーマルシ
ンジケート社カアログVITREOS〜（Revision No.1 June
1978）の２頁および７頁に単結晶引き上げるるつぼにと
ってこれらのアルカリ金属の低減が課題であることが記
載されている。）。
本発明はガラス質シリカ容器を使用して製品を高温製造
する領域およびアルカリ不純物含有量の低いこの種の容
器を製造する領域において、商業上重要な影響をもつと
考えられるが、電解によって不純物含有量を低下させた
ガラス質シリカチューブはガラス質シリカ容器の製造に
際しての中間体としての用途以外にも有用な用途をもつ
可能性があることは認められるであろう。
それゆえ、本発明は改良されたガラス質シリカ製品（例
えばチューブ）の製造にも及ぶと考えるべきである。そ
の方法は、製造中の製品にイオン移動電位をかける１段
法、あるいは加熱されたビレットを通してイオン移動電
位をかけた後引き上げる２段法（引き上げ時にさらに電
解を行う場合も行わない場合もある）のいずれであって
もよい。
ここに述べる原理によりガラス質シリカ体におけるイオ
ンの移動が行われると、イオンが高濃度になった部分を
除去することがしばしば望ましい。そうすれば、後に逆
拡散が起ったとしても、ガラス質シリカ本体の不純物濃
度は実質的に改善されることになるであろう。
発明の要約 従って、本発明の最も広い観点においては、ガラス質シ
リカ体を700℃を越える温度に保持した状態でガラス質
シリカ体の２つの境界面を通り抜ける方向の分極電位を
与えることにより、不純物イオンがガラス質シリカ体の
一つの境界面から遠ざかって反対側の境界面へ向って移
動するようにすることを特徴とする、ガラス質シリカ体
から製造された、またはこれと接して製造された製品の
品質を改良する方法に関する。
分極電位は、一般にアルカリ金属イオンを上記の一つの
境界面から遠ざける方向に移動させる状態の極性にあ
る。一般に温度は800〜2000℃であり、一般的な処理時
間はこの下限においては１時間ないし数十時間、高い方
の温度においては数分ないし１時間であり、一般的な分
極電位は数十ボルトないし数キロボルトである。
本方法を用いて、改善された純度をもつチューブその他
のガラス質シリカ製品を製造することができる。
従って溶融中のチューブを電解処理して一つの壁面から
遠ざけるようにイオンを移動を生ぜしめ、次いでイオン
濃度が低下した部分（例えばイオンが濃縮した部分を削
り取ることにより得られた部分）からとった粉末の出発
物質から、あるいはイオンを低下せしめた部分を内壁と
して用いて直接に電解処理チューブから、目的の製品を
製造することもできる。幾分の逆拡散も起すべきでない
から、壁材が750℃を越えて加熱されている時に、特に9
00℃を越えて加熱されている時には常に、分極電位を再
びかける必要があることはもちろんであるが、製品また
はその出発原料の製造に際して不純物が十分に排除され
ている場合は、このような逆拡散は問題とならないであ
ろう。しかし実際上は使用中にガラス質シリカ製容器を
電解処理することは困難でもなく、費用もかからないの
で、製造に際してアルカリ不純物含有量の低いガラス質
シリカ材料を用いている場合であっても、この処理を採
用しうる。
図面の簡単な説明 ここで、添付の図面を参照して本発明をより十分に記述
する。
第１図には、本発明方法により後記実施例１および２の
記載に従って処理されることによって純度が改善された
ガラス質シリカるつぼを示す。
第２図には、本発明に従って後記実施例３および４に記
載の様式でガラス質シリカるつぼが製造される状態を示
す。
第３図および第４図は、それぞれ後記の実施例５〜７お
よび実施例８に記載の様式でるつぼが製造される状態を
示す。
第５図は後記の実施例９に従ってガラス質シリカチュー
ブの品質を改良する方法を示す。
発明の実施例 実施例1:（第１図参照） あらかじめ製造された直径300mm、壁厚6mmのるつぼを窒
素中で1050℃に加熱した。高純度炭素粉末からなる内部
電極21をるつぼ20にゆるく充填し、るつぼ20がゆるくは
め込まれるグラファイト製ホリダー22によって外部電極
を与えた。ホルダー22とるつぼ20の間隙には高純度炭素
粉末23が充填された。過剰の炭素粉末により短絡が生じ
ないように注意を払った。るつぼの上部10mmはホルダー
および内側の粉末充填物よりも上方へ突出していて、か
けられた電圧による表面トラッキングに対するバリヤー
として作用する。ホルダーは負電極とされた。
電解電流を50mA以下に保つために、るつぼに徐々に電圧
をかけて1050℃に到達させた。40分後に最大電圧2.5kV
をかけることができた。
電解を４時間続け、次いてなお最大電圧をかけたままで
温度を室温にまで低下させた。
この処理後のるつぼ材料の分析を表１にAMC3として示
す。
実施例2: 第２のるつぼを実施例１の場合と同様に処理し、ただし
るつぼが1050℃での電解の後冷却するのに伴って、800
℃で分極電圧をかけるのを止めた。
このるつぼの分析を表１にAMC4として示す。この結果か
ら、800℃以下ではアルカリイオンの逆拡散は有意でな
いことがわかる。
実施例3:（第２図参照） 他のるつぼ30を回転グラファイト鋳型31内で、酸素プロ
パン炎32を用いて直接に加熱し、これによりるつぼは軟
化して鋳型と密着した。3.8kVの電圧を用いて鋳型を負
に、バーナーを正にした。火炎のインピーダンスが高い
ため、電解に使われる電圧は大幅に低下したが、表１に
AMC10として示す数字からわかるように、ある程度の改
善が測定された。電解時間は５分であった。
実施例4: 他のるつぼを実施例３の場合と同様にして、ただし火炎
32の代わりに高周波誘導プラズマを用いて処理した。処
理されたこのるつぼの分析をAMC14として表１に示す。
実施例5:（第３図参照） 回転鋳型法を用いて高純度石英粉末を適所に保持するこ
とによりるつぼ40を製造した。加熱はアーク41により行
われ、鋳型42は水冷金属製であった。加熱の最後２分間
にアーク41を正の電極、鋳型42を負の電極として用いて
10kVの電解電圧をかけた。分析結果をAMC21として表１
に示す。
実施例6: 実施例５と同様にして、ただし水冷式の鋳型42の代わり
に非冷却式グラファイト鋳型を用いて、るつぼを製造し
た。分析結果を表１にAMC23として示す。実施例５と比
較して結果が改善されているのは、実施例５では水冷式
の鋳型により低温に保たれた石英粉末の電気抵抗がより
高く、これにより電解に使われる電圧が低下することに
よると考えられる。
実施例7: 実施例６と同様にしてるつぼを製造した。ただし溶融に
際し、鋳型42と成形されるるつぼ40の間にパイプ45によ
り８〜7kPaの部分真空を与えた。
分析結果をAMC31として示す。この場合の法が不純物濃
度が低いのは、鋳型と成形されるるつぼとの間隙にある
気体が部分真空のため一部イオン化し、このイオン化し
た気体が負の電極として作用するためと考えられる。
実施例8:（第４図参照） 製造されたるつぼ50をぴったり合うグラファイト製内型
51に、外部から酸素−プロパン用リボンバーナー52で加
熱した。るつぼ表面に得られた温度はこれを再溶融させ
るのに十分であった。
バーナー52と型51の間に4.5kVの電位差を与えた。型を1
RPMで回転させ、これにより火炎はるつぼ全体に及ん
だ。型は正の電極であった。処理中に火炎がるつぼから
電解されたイオンによって着色するのが認められた。
加熱により得られる他の結果は、るつぼの外側が光沢を
生じたことであった。
分析結果を表１にAMC33として示す。
実施例9:（第５図参照） 外形200mm、長さ1500mm、壁厚25mmの溶融石英製円筒パ
イプ60を電位差10kVで壁部を通して電解処理した。
低アルカリ二酸化チタン（ブリティッシュ・チタン・プ
ロダクツ社−等級Ａ−HR）および登録低アルカリシリカ
ゾル（ナルフロック社−ナルコアグ（Nalcoa）1034A）
のペーストからなる厚さ約2mmの層で内面を被覆するこ
とにより内部電極61（正極）を作成した。この電極への
接続は、内腔にばね留めされたニッケル−クロム合金バ
ンド62によってなされた。
外部電極（負極）は、両端を除く外面全体を被覆する酸
化第二鉄およびシリカゾルのペーストからなる厚さ約2m
mの層63からなっていた。この電極への接続は、ニッケ
ル−クロム製耐熱ワイヤのオープンピッチコイル64によ
ってなされた。
1050℃で電解を行った。この温度に達した時点で、電源
の電流制限（100mA）を越えないように徐々に高めた。
８時間40分後に10kVの最大電圧に達した。
電解を30時間続け、この時点で炉を自然に冷却させた。
パイプが800℃に冷却した時点で電圧をかけるのを止め
た。
電解の結果をB4として表２に示す。
以上の実施例から、電解の温度および時間の条件は相互
に関連があり、かつ分極電圧が与えられる壁部の厚さに
関連があることが認められるであろう。要約すると、こ
れらの処理条件はガラス質シリカ体が800〜1200℃の温
度範囲では少なくとも１時間/mm（壁厚）、1201〜2000
℃の温度範囲では少なくとも１分/mm（壁厚）の期間維
持されることが好ましい。境界面に与えられる有効分極
電位は10V/mm（厚さ）を越え、1kV/mm（厚さ）を越えな
いことが好ましい。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ガラス質シリカ製容器を700℃を越える温
    度を保持した状態でガラス質シリカ製容器の２つの境界
    面を通り抜ける方向の分極電位を与え、不純物イオンを
    ガラス質シリカ製容器の一つの境界面から反対側の境界
    面へ向って移動させるガラス質シリカ製容器の品質改良
    法において、 前記容器をグラファイト製ホルダーに嵌め込み、この容
    器内部に高純度炭素粉末を充填し、このホルダー及び炭
    素粉末をそれぞれ外部電極及び内部電極として使用する
    ことにより不純物イオンを容器の一方の境界面へ移動さ
    せることを特徴とするガラス質シリカ製容器の品質改良
    法。
  2. 【請求項２】ガラス質シリカ容器の温度が900℃を越え
    ており、分極電位がアルカリ金属イオンを一つの境界面
    から遠ざける方向に移動させる状態の極性にあることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  3. 【請求項３】ガラス質シリカ容器が1000℃以上の温度か
    ら冷却され、ガラス質シリカ容器の温度が800℃以下に
    なるまで分極電位が２つの境界面を通過する方向にみて
    同一極性に維持されることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項又は第２項に記載の方法。
  4. 【請求項４】ガラス質シリカ容器が分極される壁の厚さ
    に応じて適切な時間保持され、その時間は800−1200℃
    の温度範囲では少なくとも１時間/mm（厚さ）、1201−2
    000℃の温度範囲では少なくとも１分/mm（厚さ）であ
    り、２つの境界面を通過して与えられる有効分極電位は
    10V/mm（厚さ）を越える電位であることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１つに記載の
    方法。
  5. 【請求項５】境界面を通して与えられる分極電位が1KV/
    mm（厚さ）よりも低いことを特徴とする特許請求の範囲
    第４項に記載の方法。
  6. 【請求項６】ガラス質シリカ製パイプを700℃を越える
    温度に保持した状態でガラス質シリカパイプの２つの境
    界面を通り抜ける方向の分極電位を与え、不純物イオン
    をガラス質シリカ製パイプの一つの境界面から反対側の
    境界面を向って移動させるガラス質シリカ製パイプの品
    質改良法において、 前記パイプの壁を通過して半径方向に分極電圧をかけて
    半径方向に不純物イオンを移動させた後、少なくともイ
    オンが移動して行ったパイプ表面部のパイプ材料を除去
    することによりパイプ壁厚を減少させることを特徴とす
    るガラス質シリカ製パイプの品質改良法。
  7. 【請求項７】パイプ壁を通して、パイプの内外壁に施さ
    れた導電性被膜間に500−10、000Vの分極電圧をかけ、
    パイプの電解処理が終了した時点で両壁面部からガラス
    質シリカ材料を除去することを特徴とする、特許請求の
    範囲第６項に記載の方法。
  8. 【請求項８】ガラス質シリカ製容器を700℃を越える温
    度に保持した状態でガラス質シリカ製容器の２つの境界
    面を通り抜ける方向の分極電位を与え、不純物イオンを
    ガラス質シリカ製容器の一つの境界面から反対側の境界
    面へ向って移動させるガラス質シリカ製容器の品質改良
    法において、 回転グラファイト製鋳型に前記容器を嵌め込むか、或い
    は回転グラファイト製鋳型内面に高純度石英粉末を供給
    してガラス質シリ製容器を形成させ、この容器内面を熱
    ガス又はアークにより加熱熔融しながら、この鋳型及び
    熱ガス又はアークを外部電極又は内部電極として使用す
    ることにより不純物イオンを容器の一つの境界面から反
    対側の境界面へ移動させることを特徴とするガラス質シ
    リカ製容器の品質改良法。
  9. 【請求項９】熔融したガラス質シリカ層を通して分極電
    位を与えられるためのもう一方の電極がガラス質シリカ
    の層を熔融させるために用いられる熱ガス又はアークで
    あることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】熱ガスが燃焼ガスバーナーにより発生す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の方
    法。
  11. 【請求項１１】熱ガスがプラズマトーチ又はアークによ
    り発生することを特徴とする特許請求の範囲第８項に記
    載の方法。
  12. 【請求項１２】ガラス質シリカが不活性ガス又は還元性
    ガスの雰囲気下にある状態でイオンの移動が行われるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の方法。
  13. 【請求項１３】ガラス質シリカが大気圧と異なる圧力下
    にある状態でイオンの移動が行われることを特徴とする
    特許請求の範囲第８項に記載の方法。
  14. 【請求項１４】ガラス質シリカ製容器を700℃を越える
    温度に保持した状態でガラス質シリカ製容器の２つの境
    界面を通り抜ける方向の分極電位を与え、不純物イオン
    をガラス質シリカ製容器の一つの境界面から反対側の境
    界面へ向って移動させるガラス質シリカ製容器の品質改
    良法において、 前記容器を回転グラファイト製内型に乗せ、容器外面を
    熱ガス又はアークにより加熱熔融し、この鋳型及び熱ガ
    ス又はアークを外部電極又は内部電極として使用するこ
    とにより不純物イオンを容器の内面から外面を通してガ
    ス中へ移動させることを特徴とする、ガラス質シリカ製
    容器の品質改良法。
JP60504860A 1984-11-05 1985-11-04 ガラス質シリカ製容器又はパイプの品質改良法 Expired - Lifetime JPH0784328B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8427915 1984-11-05
GB848427915A GB8427915D0 (en) 1984-11-05 1984-11-05 Vitreous silica products
PCT/GB1985/000499 WO1986002919A1 (en) 1984-11-05 1985-11-04 Vitreous silica

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62501067A JPS62501067A (ja) 1987-04-30
JPH0784328B2 true JPH0784328B2 (ja) 1995-09-13

Family

ID=10569253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60504860A Expired - Lifetime JPH0784328B2 (ja) 1984-11-05 1985-11-04 ガラス質シリカ製容器又はパイプの品質改良法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US4759787A (ja)
EP (1) EP0199787B1 (ja)
JP (1) JPH0784328B2 (ja)
DE (1) DE3576813D1 (ja)
GB (2) GB8427915D0 (ja)
WO (1) WO1986002919A1 (ja)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8427915D0 (en) * 1984-11-05 1984-12-12 Tsl Thermal Syndicate Plc Vitreous silica products
JPH06104577B2 (ja) * 1987-07-14 1994-12-21 東芝セラミックス株式会社 電解装置
JP2577587B2 (ja) * 1987-12-15 1997-02-05 東芝セラミックス株式会社 石英ガラスルツボ製造装置
DE3815974C1 (ja) * 1988-05-10 1989-08-24 Heraeus Quarzschmelze
GB8819693D0 (en) * 1988-08-18 1988-09-21 Tsl Group Plc Improved vitreous silica articles
DE3836934A1 (de) * 1988-10-29 1990-05-03 Heraeus Schott Quarzschmelze Verfahren zum reinigen von teilchenfoermigem siliziumdioxid
US5076902A (en) * 1989-01-12 1991-12-31 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Electrolysis apparatus
US5055958A (en) * 1989-03-31 1991-10-08 Tdk Corporation Surface-reinforced glass and magnetic head having surface-reinforced glass
GB8911441D0 (en) * 1989-05-18 1989-07-05 Tetronics Res & Dev Co Ltd A process for the treatment of molten materials
JP2866115B2 (ja) * 1989-09-25 1999-03-08 東芝セラミックス株式会社 石英ガラス容器の製造装置
US5201927A (en) * 1990-10-26 1993-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing the optical element
JP2830987B2 (ja) * 1994-07-19 1998-12-02 信越石英株式会社 石英ガラスルツボ及びその製造方法
AU715081B2 (en) * 1996-03-18 2000-01-13 Dynelec Corporation Method of making glass
US6182237B1 (en) 1998-08-31 2001-01-30 International Business Machines Corporation System and method for detecting phase errors in asics with multiple clock frequencies
US6395085B2 (en) 1999-07-14 2002-05-28 Seh America, Inc. Purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices
US6632277B2 (en) 1999-07-14 2003-10-14 Seh America, Inc. Optimized silicon wafer gettering for advanced semiconductor devices
US6454852B2 (en) 1999-07-14 2002-09-24 Seh America, Inc. High efficiency silicon wafer optimized for advanced semiconductor devices
US6228165B1 (en) 1999-07-28 2001-05-08 Seh America, Inc. Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential
DE19943103A1 (de) 1999-09-09 2001-03-15 Wacker Chemie Gmbh Hochgefüllte SiO2-Dispersion, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung
US6510707B2 (en) 2001-03-15 2003-01-28 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Methods for making silica crucibles
DE10117818C2 (de) * 2001-04-10 2003-03-20 Schott Glas Verfahren zur Verminderung der Verklebungsneigung bei der Heißformgebung von Glas
US20050081565A1 (en) * 2002-08-12 2005-04-21 Sumitomo Electric Industrial Co. Ltd, Method of producing higher-purity glass element, high-purity glass element, and production method and device for glass tube
JP4339003B2 (ja) * 2003-04-02 2009-10-07 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボの製造方法
DE10319300B4 (de) * 2003-04-29 2006-03-30 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers aus Kieselglas
JP4526311B2 (ja) * 2004-06-30 2010-08-18 ジャパンスーパークォーツ株式会社 石英ガラスルツボの製造方法
JP5213356B2 (ja) * 2007-05-31 2013-06-19 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびその製造方法
TWI382963B (zh) 2007-11-30 2013-01-21 Japan Super Quartz Corp 石英玻璃坩堝之製造方法及製造裝置
US20100000465A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-07 Japan Super Quartz Corporation Method for producing vitreous silica crucible
JP5142912B2 (ja) 2008-09-22 2013-02-13 ジャパンスーパークォーツ株式会社 アーク放電方法、アーク放電装置、石英ガラスルツボ製造装置
JP5397857B2 (ja) * 2009-10-20 2014-01-22 株式会社Ｓｕｍｃｏ 石英ガラスルツボの製造方法および製造装置
US8713966B2 (en) 2011-11-30 2014-05-06 Corning Incorporated Refractory vessels and methods for forming same
CN107250064A (zh) 2014-12-11 2017-10-13 康宁股份有限公司 处理陶瓷体的方法
CN106587071B (zh) * 2016-12-30 2018-09-04 大连理工大学 一种横向凝固叠加电场提高多晶硅提纯得率的设备和方法
CN112341006B (zh) * 2020-10-13 2022-12-23 江苏太平洋石英股份有限公司 石英管/棒的高纯度化方法、装置、石英管/棒及用途

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2897126A (en) * 1955-03-05 1959-07-28 Quartz & Silice S A Vitreous silica and its manufacture
JPS4929430A (ja) * 1972-07-17 1974-03-15
JPS54146294A (en) * 1978-05-08 1979-11-15 Showa Denko Kk Pefining method for carbon molded body
JPS5849516A (ja) * 1981-09-16 1983-03-23 Toyota Motor Corp エンジン支持装置
JPS5888129A (ja) * 1981-11-19 1983-05-26 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス容器類の製造方法
JPS5934659A (ja) * 1982-08-20 1984-02-25 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS59129421A (ja) * 1983-01-14 1984-07-25 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体熱処理用部材
JPS59169956A (ja) * 1983-03-17 1984-09-26 Seiko Epson Corp ガラス体精製法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1910017A (en) * 1927-12-21 1933-05-23 Alais & Froges & Camarque Cie Electrolytio extraction of light metals contained in alloys
DE1047390B (de) * 1957-08-02 1958-12-24 Dr Joachim Lietz Verfahren zur Verbesserung von handelsueblichem, durch kurzwellige Strahlung verfaerbbarem Quarzglas
US3051915A (en) * 1958-11-17 1962-08-28 Corning Glass Works Ultrasonic delay line
US3058915A (en) * 1960-01-18 1962-10-16 Westinghouse Electric Corp Crystal growing process
FR1363233A (fr) * 1963-04-16 1964-06-12 Corning Glass Works Procédé de fabrication de masses pleines, notamment de verres et céramiques, et appareil de mise en oeuvre
US3811855A (en) * 1972-10-10 1974-05-21 Rca Corp Method of treating a glass body to provide an ion-depleted region therein
US4014772A (en) * 1975-04-24 1977-03-29 Rca Corporation Method of radiation hardening semiconductor devices
GB1490809A (en) * 1975-12-18 1977-11-02 Standard Telephones Cables Ltd Optical waveguide structures
DE3014311C2 (de) * 1980-04-15 1982-06-16 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zur Herstellung von Quarzglastiegeln und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
US4466820A (en) * 1983-07-18 1984-08-21 Rockwell International Corporation Electrolysis treatment for drawing ions out of a ceramic
GB8427915D0 (en) * 1984-11-05 1984-12-12 Tsl Thermal Syndicate Plc Vitreous silica products

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2897126A (en) * 1955-03-05 1959-07-28 Quartz & Silice S A Vitreous silica and its manufacture
JPS4929430A (ja) * 1972-07-17 1974-03-15
JPS54146294A (en) * 1978-05-08 1979-11-15 Showa Denko Kk Pefining method for carbon molded body
JPS5849516A (ja) * 1981-09-16 1983-03-23 Toyota Motor Corp エンジン支持装置
JPS5888129A (ja) * 1981-11-19 1983-05-26 Toshiba Ceramics Co Ltd 石英ガラス容器類の製造方法
JPS5934659A (ja) * 1982-08-20 1984-02-25 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS59129421A (ja) * 1983-01-14 1984-07-25 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体熱処理用部材
JPS59169956A (ja) * 1983-03-17 1984-09-26 Seiko Epson Corp ガラス体精製法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0199787B1 (en) 1990-03-28
US4759787A (en) 1988-07-26
GB8427915D0 (en) 1984-12-12
JPS62501067A (ja) 1987-04-30
GB2166434A (en) 1986-05-08
WO1986002919A1 (en) 1986-05-22
DE3576813D1 (de) 1990-05-03
EP0199787A1 (en) 1986-11-05
GB8527116D0 (en) 1985-12-11
US4874417A (en) 1989-10-17
GB2166434B (en) 1989-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0784328B2 (ja) ガラス質シリカ製容器又はパイプの品質改良法
US3775091A (en) Induction melting of metals in cold, self-lined crucibles
US20220267878A1 (en) Method for Preparing High-purity Nickel-based Superalloy by Electron Beam Induced Refining and Casting Technology
JPH01320234A (ja) 石英ガラスからなる管または棒の連続的製造方法
JPS63149337A (ja) 反応性金属装入物を誘導溶融する方法
EP0429527B1 (en) Method of enhancing the purity of fused quartz
JP2004307222A (ja) 電解精製による高純度石英ルツボとその製造方法および引き上げ方法
JPH04325425A (ja) 石英ガラスの製造方法、及びその製造装置
EP1344751B1 (en) Process and apparatus for producing a quartz glass crucible by arc fusion
JPH0729871B2 (ja) 単結晶引き上げ用石英るつぼ
JPS6163513A (ja) シリコンの融解方法及びその装置
JPS62212234A (ja) ガラスの製造法
JPH0520367B2 (ja)
US4575401A (en) Method of and apparatus for the drawing of bars of monocrystalline silicon
JPH0692779A (ja) 単結晶引き上げ用石英るつぼ
JP3770566B2 (ja) シリンダー状石英ガラスの製造方法
JP2000159593A (ja) 石英ガラスるつぼの製造方法
JP2736865B2 (ja) 高純度石英ガラスルツボの製造方法
JP3699778B2 (ja) 石英ガラスるつぼの製造方法
JPH02175687A (ja) シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ
JP3719452B2 (ja) 単結晶銅の製造方法
JP2001089167A (ja) 石英ガラスの製造方法及びその製造装置
JPS644967B2 (ja)
JP3138495B2 (ja) シリコン精製装置
JPH0859261A (ja) シリカガラス加工品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term