JPS59169956A - ガラス体精製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガラス体の精製法に係り、とりわけ石英基板中
のＮａ量　イオンの除去法に関する。

従来、石英基板には高純度石英においても３　ｐｐｍ程
度のＮａが含有されるのが通例であった。

しかし、上記従来石英基板を用いて、その上に薄膜半導
体装置を作成すると、薄膜半導体装置の電気的特性が、
下地石英基板中のＮａ量に応じて変化するという欠点が
あった。

本発明はかかる従来技術の欠点をなくシ、電気的特性の
安定した薄膜半導体装置用のＮａのない石英基板あるい
はガラス基板を提供することを目的とする。

上記目的を達成するための本発明の基本的構成は、ガラ
ス体の精製法において、ガラス体には静電位を付与し、
加熱し、そしてガラス体表面をエツチング除去すること
を特徴とする。

以下、実施例により本発明を詳述する。

−第１図は本発明の説明のために描いたガラス体精製法
の一例を示す模式図である。いま、ステンレス支持台１
上には石英ガラス基板２がのせられ、該石英ガラス基板
２には、グリッド３．外壁電極４よりなるコロナ放電装
置より負の電荷がふりそそいで、負の静電位が表面から
構成される装置４静電位は１万乃至１０万ボルト／α程
度である。静電位を付与しつつ、あるいは静電位を付与
後、ヒーター５により石英ガラス基板を２５０℃以上に
加熱すると、石英ガラス基板中に散在するＮａ＋　イオ
ンは負電位表面の方へ移動し、表面部にＮａ　　イオン
の濃度の高い層が形成される。このＮａ＋　イオン濃度
の高い層をＮａイオンを移動させながら、あるいは移動
後に、研摩、あるいはＨＦによる化学王ツチング、ある
いはプラズマエツチング等により除去することにより、
Ｎａの無い高純度の石英ガラス基板を製造することがで
きる。

尚、静電位はコロナ放電による帯電のみならずガラス体
をステンレス等の２電極で挟み、該電極に静電位を付与
しても同等の効果が得られる。

更に、ガラス体は平板である必要はなく、円柱状、角形
等信の形の塊状であっても良い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を説明するために描いたガラス体精製法
の一例を示す模式図である。 １・・・・・・電極 ２・・・・・・ガラス体 ６・・・・・・グリッド ４・・・・・・外壁電極 ５・・・・・・ヒーター 以　　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 代理人　弁理士　最上　　務 第１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　ガラス体には静電位を付加し、加熱し、そしてガ
   ラス体表面をエツチング除去することを特徴とするガラ
   ス体内精製法。 ２、　ガラス体には電極により静電位を付与することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のガラス体得精製
   法。 ３、　ガラス体にはコロナ放電により静電位を付与する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のガラス体
   桑精製法。