TWI382963B - 石英玻璃坩堝之製造方法及製造裝置 - Google Patents

Description

石英玻璃坩堝之製造方法及製造裝置

本發明係關於在利用旋轉鑄模法之石英玻璃坩堝之製造方法中，可將坩堝內表面均勻地加熱之製造方法，更詳言之，係有關於可藉由將坩堝內表面均勻地加熱，而將坩堝的直胴部至彎曲部及底部之透明層的層厚均勻地形成之石英玻璃坩堝之製造方法。

本申請案係就2007年11月30日提出申請之日本國專利申請第2007-310193號主張優先權，並在此引用其內容。

作為使用於矽單晶之提拉的石英玻璃坩堝之製造方法，旋轉鑄模法乃周知者。該方法係於旋轉之中空鑄模的內表面將石英粉沉積成特定的層厚，並藉由設置於鑄模上方之電極的電弧放電而將上述石英粉熔融，於電弧熔融中將石英粉沉積層內進行抽吸減壓(真空抽吸)，一邊將內部的空氣除氣，一邊將上述石英粉予以玻璃化，而成形成沿著鑄模內表面之坩堝形狀的製造方法(專利第1257513號公報(特公昭59-34659號公報))。

在習知之上述製造方法中，一般係如第8圖所示般，複數電極13係對旋轉鑄模之中心軸線設置成對稱(點對稱或線對稱)，並藉由產生於鑄模中心軸線L上附近之中央電弧(center arc)，將與坩堝內表面對應之位置的石英粉11加以熔融。在第8圖所示之電極配置中，於電極13前端產生的高溫氣體係如第8圖所示般左右均等地對中心軸線L對稱地流動，一部分係成為沿著鑄模內表面朝外部流出的外循環氣流Gout，其他的高溫氣體則成為在電極的兩側循環於鑄模內空間的內循環氣流Gin。

由於在第8圖所示之中央電弧中產生的內循環氣流，在高溫氣體沿著電極流動時會再度被加熱，故熱效率非常良好，惟會有在鑄模內空間於內循環氣流部分和外循環氣流部分之間產生很大的溫度差，致使被內循環氣流過度加熱的部分因黏度降低而崩潰之情形。

本發明係提供一種：於上述石英玻璃坩堝之製造中，可解決因習知之中央電弧的內循環氣流而產生之過度加熱的問題，並可將坩堝內表面均勻地加熱，且可將坩堝的直胴部至彎曲部及底部之透明層的層厚均勻地形成之石英玻璃坩堝之製造方法。

本發明係有關於藉由具有以下之構成，而解決上述課題之石英玻璃坩堝之製造方法。

[1]一種石英玻璃坩堝之製造方法，係將沉積於旋轉鑄模內表面的石英粉進行電弧熔融以製造石英玻璃坩堝之方法，其特徵為：將由複數電極形成的電弧火燄噴出方向設置於對鑄模旋轉中心線位移的位置以進行電弧熔融。

[2]如[1]之石英玻璃坩堝之製造方法，其中，作為將電極設置於對鑄模中心線位移的位置以進行電弧熔融的方法，係將電極設置於鑄模中心線的側邊以進行電弧熔融，或變更通電至電弧中之電極的根數，或在電弧中變更電極的配置以進行電弧熔融。

[3]如[1]之石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由將電極設置於對鑄模中心線位移的位置以進行電弧熔融，而將石英玻璃坩堝之直胴部、彎曲部、及底部之熔融中之玻璃溫度的差控制成300℃以下。

[4]如[1]之石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由將電極設置於對鑄模中心線位移的位置以進行電弧熔融，而將石英玻璃坩堝之直胴部及底部之透明層的層厚控制成，相對於彎曲部之透明層的層厚為70～120%。

[5]一種石英玻璃坩堝之製造裝置，係藉由[1]至[4]中之任一石英玻璃坩堝之製造方法，將沉積於旋轉鑄模內表面的石英粉進行電弧熔融以製造石英玻璃坩堝之石英玻璃坩堝製造裝置，其特徵為具有：旋轉鑄模，用以充填石英粉；複數電極，用以產生電弧火燄；電弧方向位移手段，可使上述旋轉鑄模的旋轉軸線之鑄模旋轉中心線與上述電弧火燄的產生方向之電弧火燄噴出方向相對地位移。

[6]如[5]之石英玻璃坩堝之製造裝置，其中，上述電弧方向位移手段係具備：可控制上述電極對上述旋轉鑄模之位置設定的電極位置設定手段、或可將旋轉鑄模中心線位移之鑄模位置設定手段之任一者或兩者而構成。

[A]一種石英玻璃坩堝之製造方法，係將沉積於旋轉鑄模內表面的石英粉進行電弧熔融以製造石英玻璃坩堝之方法，其特徵為：將電極設置於對鑄模中心線偏移的位置以進行電弧熔融

[B]如上述[A]之石英玻璃坩堝之製造方法，其中，作為將電極設置於對鑄模中心線偏移的位置以進行電弧熔融的方法，係將電極設置於鑄模中心線的側邊以進行電弧熔融，或變更通電至電弧中之電極的根數，或在電弧中變更電極的配置以進行電弧熔融。

[C]如上述[A]之石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由將電極設置於對鑄模中心線偏移的位置以進行電弧熔融，而將石英玻璃坩堝之直胴部、彎曲部、及底部之熔融中之玻璃溫度的差控制成300℃以下。

[D]如上述[A]之石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由將電極設置於對鑄模中心線偏移的位置以進行電弧熔融，而將石英玻璃坩堝之直胴部及底部之透明層的層厚控制成，相對於彎曲部之透明層的層厚為70～120%。

本發明之製造方法係將沉積於旋轉鑄模內表面的石英粉進行電弧熔融以製造石英玻璃坩堝之方法，其中，由於係將電極設置於對鑄模中心線偏移的位置以進行電弧熔融，故電極自鑄模內表面分離側的空間變廣，使高溫氣體變得容易通過該空間而流出至外部。因此，高溫氣體的內循環氣流大幅減少，幾乎不會產生因內循環氣流所致之過度加熱。

另一方面，於將電極設置於對鑄模中心線位移的位置(偏移的位置)以進行電弧熔融之情況，由於鑄模會旋轉，故坩堝內表面會週期性地重複而接近電極，最後可將坩堝整體均勻地加熱。

本發明中，將電極設置於對鑄模中心線位移的位置(偏移的位置)以進行電弧熔融意指：使自電極產生之電弧的噴出方向對鑄模旋轉中心線位移，與後述之內循環氣流相比較，可實現外循環氣流為較佔優勢的狀態之鑄模與電極的位置狀態，具體而言，包括：電弧噴出方向與鑄模旋轉軸線為平行且其位置偏移之狀態、或電弧噴出方向與鑄模旋轉軸線相對地具有角度或成為扭轉的位置之狀態等。

作為將電極設置於對鑄模中心線位移的位置(偏移的位置)以進行電弧熔融的方法，係包括：將電極設置於鑄模中心線的側邊以進行電弧熔融，或變更通電至電弧中之電極的根數之方法，或在電弧中變更電極的配置之方法等。藉由此等的任一方法，均可減少高溫氣體的內循環氣流。

根據本發明之製造方法，由於可抑制因內循環氣流所致之局部的過度加熱，故可使坩堝整體均勻地加熱，而可將石英玻璃坩堝之直胴部、彎曲部、及底部之熔融中之玻璃溫度的差控制成300℃以下。

根據本發明之製造方法，由於可抑制因內循環氣流所致之局部的過度加熱，故可使坩堝整體之透明層的層厚均一，例如，可將坩堝之直胴部及底部之透明層的層厚控制成，相對於彎曲部之透明層的層厚為70～120%。

根據本發明之石英玻璃坩堝之製造裝置，可將電極與旋轉鑄模的位置關係控制成，如上所述般自電極產生之電弧的噴出方向對鑄模旋轉軸線位移，與後述之內循環氣流相比較，可實現外循環氣流為較佔優勢的狀態之位置狀態。

以下，依據實施型態，具體地說明本發明。

本發明之製造方法係石英玻璃坩鍋之製造方法，係將沉積於旋轉鑄模之內表面的石英粉進行電弧熔融以製造石英玻璃坩鍋之方法，其特徵為：以可抑制因內循環氣流所致之局部的過度加熱之方式，將電極設置於對鑄模中心線位移的位置(偏移的位置)以進行電弧熔融。

以下，參照圖面，詳細說明在電弧中變更電極的配置之方法。

第1圖係表示本實施型態之石英玻璃坩鍋製造裝置的正剖面圖。圖中，符號1係表示石英玻璃坩鍋製造裝置。

本發明之石英玻璃坩堝之製造方法，係利用使用第1圖所示之石英玻璃坩堝製造裝置1之旋轉鑄模法而製造，石英玻璃坩堝製造裝置1係如第1圖所示般，具有可藉由未圖示之旋轉手段旋轉且用以制定石英玻璃坩鍋的外形之鑄模(mold)10，且在鑄模10的內部將原料粉(二氧化矽粉)充填成特定厚度而形成石英粉成形體11。於該鑄模10的內部，設有複數貫通至其內表面並且與未圖示之減壓手段連接的通氣口12，其可將石英粉成形體11的內部減壓。於鑄模上側位置，設有與未圖示之電力供給手段連接之電弧加熱用碳電極13、13、13，其可將石英粉成形體11加熱。碳電極13、13、13係藉由電極位置設定手段20，如圖中箭頭T及箭頭D所示般形成可上下移動及可設定電極間距離D。

石英玻璃坩堝製造裝置1係在300kVA～12000kVA的輸出範圍，藉由複數碳電極13、13、13透過電弧放電而將非導電性對象物(石英粉)予以加熱熔融的高輸出裝置。

第2圖、第3圖係表示本實施型態之電弧放電裝置之碳電極位置的模式側面圖。

碳電極13、13、13係為例如：進行三相交流(R相、S相、T相)的電弧放電之同形狀的電極棒，且如第2圖、第3圖所示，係以成為於下方具有頂點之倒三角錐狀的方式，使各軸線13L成為角度θ1的方式分別設置。又，對各電極13的通電可藉由未圖示的控制手段來控制。於第2圖、第3圖中，作為電極13的位置設定狀態，係電弧噴出方向與電極位置中心線LL一致的狀態。

如第1圖所示，電極位置設定手段20具有：支持部21，將碳電極13、13、13以可設定其電極間距離D的方式予以支持；和水平移動手段，可將該支持部21移動於水平方向；上下移動手段，可將複數支持部21及其水平移動手段一體地朝上下方向移動；和旋轉角度設定手段，可變更電極的支持角度，並且，在支持部21中，碳電極13係以可繞著角度設定軸22轉動的方式被支持，且具有用來控制角度設定軸22之旋轉角度的旋轉手段。欲調節碳電極13、13的電極間距離D及電極位置狀態時，係如第1圖中的箭頭T3所示般藉由旋轉角度設定手段控制碳電極13的角度，並同時藉由水平移動手段如第1圖中的箭頭T2所示般控制支持部21的水平位置。再者，藉由水平移動手段控制電極位置中心線LL與鑄模旋轉中心L的水平方向位置。又，藉由上下移動手段如第1圖中的箭頭T所示般地控制支持部21的高度位置，以控制電極前端部13a相對於石英粉成形體11底部位置的高度位置。同時，如第9圖所示般，藉由旋轉角度設定手段可個別地設定電極13的角度，以將電弧火燄的產生方向(電極位置中心線)LL控制成，僅自垂直方向位移角度Ψ1。

此外，在第1圖及第4圖中，雖僅於左端的碳電極13顯示支持部21等，但其他的電極亦藉由同樣的構成被支持，藉由組合此等設定手段，亦可個別地控制各碳電極13的高度(箭頭T)、水平方向位置(箭頭T2)、角度(箭頭T3)及長度尺寸(箭頭T4)。

電極位置設定手段20係如第11圖所示般，在鑄模10上側，於將石英玻璃製造爐之內部空間與外部空間分離的頂部，基台24係以可移動於水平方向(XY方向)的方式設置。於該基台24，垂設有：藉由齒條與小齒輪等的機構，限制支持部21之上下方向位置的上下位置限制部25，且支持部21係可移動自如地設置於上下方向T1。電極支持部23係以旋轉軸線22為中心可旋轉自如地設置於支持部21。該電極支持部23係作為挾持手段而支持電極13，其可對該電極13設定長度方向T4的尺寸及對該電極13進行裝卸。此等支持部21與電極支持部23的旋轉角度、基台24的水平方向位置、上下位置限制部25與支持部21的上下方向位置，可分別藉由未圖示之位置限制手段與用以驅動該位置限制手段之驅動手段而設定。

此外，本發明中，只要可進行電極13的位置狀態控制，亦可為上述以外的構造。具體而言，亦可為此等構成外的其他構成，或於此等構成中增設，如第10圖所示般藉由可使鑄模10的旋轉軸線(旋轉鑄模中心線)L自垂直方向位移的鑄模位置設定手段30，使旋轉鑄模中心線L繞著水平方向之旋轉軸31的軸，自垂直方向僅傾斜角度Ψ2的方式進行位置設定，依此，可變更旋轉狀態之鑄模10的角度，藉此可進行電極13與鑄模10的相對位置狀態控制。

首先，就電弧開始時的電極位置狀態進行說明。

於電弧放電開始前及電弧放電開始時，碳電極13作為中央電弧(center arc)而言，係對與鑄模旋轉中心L之中心軸L一致的垂線之電極位置中心線LL設定成軸線對稱。具體而言，如第2圖、第3圖所示般，係以成為於下方具有頂點之倒三角錐狀的方式，以各軸線13L彼此成為角度θ1的方式設定。

其次，使充填有原料之石英粉成形體11的鑄模10旋轉，並且開始供給電力，於電弧放電開始後，使穩定的電弧火燄產生。

於該狀態下，藉由電極位置設定手段20，如第4圖所示般將電極13設定於對鑄模中心線偏移的位置。亦即，電極位置中心線LL係以對鑄模旋轉軸線L平行，且從平面看起來於鑄模10之石英粉成形體11的內側位於分離距離L0之處的方式設定。此外，此時，亦可使電極13與鑄模10的高度位置改變，亦可不使電極13與鑄模10的高度位置改變。

利用該電極位置設定手段20的位置設定，可設定成：距離L0相對於鑄模10的半徑R為0.03～0.9，較佳為0.05～0.4、更佳為0.1～0.3、特佳為0.25。依此，如第5圖模式地顯示，藉由將電極13設置於對鑄模中心線L偏移的位置以進行電弧熔融，可使電極13自鑄模內表面分離側的空間變廣，使氣流變得容易通過該空間而流出至外部，外循環氣流Gout可增大。

因此，自電極13前端產生的高溫氣體，大部分會成為沿著坩堝內表面(石英成形體內表面)朝向該空間流動的單向氣流，高溫氣體的內循環氣流Gin大幅減少，幾乎不會產生因內循環氣流所致之過度加熱。此外，於第9圖或第10圖所示的狀態下，藉由設定角度Ψ1、Ψ2及鑄模與電極的高度位置，可實現與上述距離L0之控制狀態同樣的狀態。

本發明之製造方法中，由於幾乎不會產生因內循環氣流所致之過度加熱，故如第5圖所示般，在與石英玻璃坩堝之直胴部、彎曲部、底部對應之石英粉成形體11之直胴部11a、彎曲部11b、底部11c的各位置，可將熔融中之玻璃溫度的差控制成300℃以下。藉由此種均一加熱，如第6圖所示般，可將坩鍋C之直胴部C1及底部C3之透明層C0的層厚控制成，相對於彎曲部C2之透明層C0的層厚為70～120%。

如上所述，藉由本發明之方法製造的石英玻璃坩鍋C，係如第6圖所示般坩鍋之直胴部C1、彎曲部C2及底部C3之透明層C0的層厚係在一定範圍內，且具有具均一特性的透明層。

因此，於矽單晶的提拉中，由於外部加熱所致之熱輻射均等，坩鍋表面溫度均一，故使用該石英玻璃坩鍋進行矽單晶的提拉時，可使單結晶良率提升。又，藉由將熔融中的玻璃溫度控制成上述範圍，亦可使提拉中之坩堝內表面之透明層CO的熔損速度均一，於所提拉的矽單晶中縱向(提拉軸向)之氧濃度的偏差會變少，可提拉高品質的矽單晶。

在本發明中，作為將電極設置於對鑄模中心線偏移的位置以進行電弧熔融的方法，除了在電弧中變更電極的配置之方法外，還可採用：將旋轉鑄模搬入至電極的下側時，以使鑄模的旋轉中心線位於電極的側邊之方式定位旋轉鑄模，以將電極設置於鑄模中心線的側邊之方法。

又，作為將電極設置於鑄模中心線的側邊之方法，除了將電極設置於鑄模中心線的側邊之方法外，作為中心電弧狀態的電極配置而言，還可採用變更通電至電弧中之電極的根數之方法。於此情況，例如，電極的根數可為3根以上20根左右以下，可具有：二相交流4根電極、二相交流6根電極、二相交流8根電極、二相交流10根電極、三相交流3根電極、三相交流6根電極、三相交流9根電極、三相交流12根電極、三相交流15根電極、四相交流4根電極、四相交流8根電極、四相交流12根電極、或四相交流16根電極之任一電極構造。又，只要電極根數為4根以上，則可設定成不同時對複數根電極通電。

變更通電至電弧中之電極根數的方法，係可就複數電極將通電的電極交互地切換。依此，可降低因電弧放電所致之電極的消耗量。由於在具體之通電電極的切換中，係依實際機器的規格而異，故以設定成可防止因與上述偏心電弧同樣的內循環氣流所致之過度加熱為佳。

更且，作為於電弧中變更電極的配置之方法，除了如上所述般將電極移動至側邊的手段外，亦可如第7圖所示般使電極傾斜於坩堝內表面的單側而設置，亦即，亦可以藉由電極位置設定手段20使電極13的電極位置中心線LL傾斜以變更與坩堝內表面之距離的方式來進行位置設定。此時，電極位置設定手段20為使電極傾斜的手段。由於在具體的角度設定中，係依實際機器的規格而異，故以設定成可防止因與上述偏心電弧同樣的內循環氣流所致之過度加熱為佳。

再者，作為在電弧中變更電極的配置之方法，亦可藉由電極位置設定手段20改變電極13彼此的間隔以變更與坩堝內表面的距離。此時，所謂亦應稱為電極重心之電極位置中心線LL的位置會移動。由於在具體的設定中，係依實際機器的規格而異，故以設定成可防止因與上述偏心電弧相同的內循環氣流所致之過度加熱為佳。

[實施例]

以下，顯示本發明的實施例與比較例。在實施例及比較例中，依據旋轉鑄模法製造石英玻璃坩堝。鑄模的口徑為28吋，沉積於鑄模內表面之石英粉層的平均層厚為28mm。通電時間為60min，於自通電開始後的120分鐘期間進行石英粉沉積層(石英粉成形體)的真空抽吸。

[實施例1～6]

使用表1所示之根數的電極，將此等電極對鑄模旋轉中心線配置成非對稱，將沉積於鑄模內表面的石英粉進行電弧熔融予以玻璃化。將電弧熔融中的坩堝直胴部、彎曲部、底部之熔融溫度及溫度差顯示於表1。又，針對所製造的石英玻璃坩堝，將直胴部及底部之透明層的層厚相對於彎曲部之透明層的層厚的比(將彎曲部透明層的層厚設為100時的層厚比)顯示於表1。

[比較例1～6]

使用表1所示之根數的電極，除了此等電極對鑄模旋轉中心線配置成點對稱(比較例1～3)、或配置成線對稱(比較例4～6)外，係與實施例同樣地將沉積於鑄模內表面的石英粉進行電弧熔融予以玻璃化。將該結果顯示於表1。

如表1所示，在實施例中，坩堝直胴部、彎曲部、底部之熔融溫度的差為50℃～200℃，溫度差很小。因此，坩堝整體之透明層的厚度係在一定範圍內，具體而言，直胴部及底部之透明層的層厚相對於彎曲部之透明層的層厚的比為90～100，坩堝整體之透明層層厚的均質性較高。

另一方面，在比較例1～6中，坩堝直胴部、彎曲部、底部之熔融溫度的差為350℃～500℃，溫度差非常大。因此，直胴部及底部之透明層的層厚相對於彎曲部之透明層的層厚的比為31～57，直胴部及底部的透明層大幅薄於彎曲部的透明層，坩堝整體之透明層層厚的均質性較低。

在表1中，電極配置為「非對稱」意指：電極排列為非正三角形。

又，電極配置為「偏心」意指：以電極前端作為頂點形成之正多角形(三角形、五角形、七角形)的重心LL未與鑄模中心線LL一致的配置；此時，平面看起來電極中心LL的重心與鑄模中心線L，僅分離相對於坩堝口徑半徑為50%的距離L0，電極間距離係設定為100mm。

又，電極配置為「點對稱」意指：在鑄模中心線與重心位置一致之正多角形的各頂點，配置有電極(電極間距離100mm)的狀態。

又，電極配置為「線對稱」意指：將電極配置於通過鑄模中心線的水平一直線上(電極間距離100mm)的狀態，或意指：在通過鑄模中心線的水平一直線上至少配置一根電極(電極間距離100mm)，並且以對該直線成為線對稱的方式設定其他電極位置的狀態。

此處，單結晶良率(單晶化率)為矽單晶提拉的單結晶產率，為無結晶位錯之矽單晶的晶圓可採取的直胴部重量/投入坩堝之原料多晶矽的總重量，若該單晶化率相差1%時，可採取的晶圓相差20片左右。

10．．．鑄模

13．．．電極

11．．．石英粉成形體

11a．．．側壁部(直胴部)

11b．．．彎曲部

11c．．．底部

L．．．旋轉中心線

LL．．．電極位置中心線

C．．．石英玻璃坩堝

C1．．．側壁部(直胴部)

C2．．．彎曲部

C3．．．底部

C0．．．透明層

第1圖係表示本發明之石英玻璃坩堝製造裝置之模式正剖面圖。

第2圖係表示本發明之石英玻璃坩堝製造裝置之電極配置狀態之模式俯視圖。

第3圖係表示本發明之石英玻璃坩堝製造裝置之電極配置狀態之模式正面圖。

第4圖係表示本發明之石英玻璃坩堝製造裝置之偏心電弧電極配置狀態之模式正面圖。

第5圖係表示本發明之偏心電弧之高溫氣流之模式剖面圖。

第6圖係表示本發明之石英玻璃坩堝之正剖面圖。

第7圖係表示使本發明之石英玻璃坩堝製造裝置之電極傾斜的偏心電弧電極配置狀態之模式正面圖。

第8圖係表示習知之中央電弧之模式正剖面圖。

第9圖係表示使本發明之石英玻璃坩堝製造裝置之電極位移的電弧狀態之模式正面圖。

第10圖係表示使本發明之石英玻璃坩堝製造裝置之電極與鑄模位移的電弧狀態之模式正面圖。

第11圖係表示本發明之石英玻璃坩堝製造裝置之電極位置設定手段之模式正面圖。

10．．．鑄模

11．．．石英粉

11a．．．直胴部

11b．．．彎曲部

11c．．．底部

13．．．碳電極

Claims (6)

1. 一種石英玻璃坩堝之製造方法，係將沉積於旋轉鑄模內表面的石英粉進行電弧熔融以製造石英玻璃坩堝之方法，其特徵為：將由複數電極形成的電弧火燄噴出方向設置於對鑄模旋轉中心線位移的位置以進行電弧熔融。
2. 如申請專利範圍第1項之石英玻璃坩堝之製造方法，其中，作為將電極設置於對鑄模中心線位移的位置以進行電弧熔融的方法，係將電極設置於鑄模中心線的側邊以進行電弧熔融，或變更通電至電弧中之電極的根數，或在電弧中變更電極的配置以進行電弧熔融。
3. 如申請專利範圍第1項之石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由將電極設置於對鑄模中心線位移的位置以進行電弧熔融，而將石英玻璃坩堝之直胴部、彎曲部、及底部之熔融中之玻璃溫度的差，控制成300℃以下。
4. 如申請專利範圍第1項之石英玻璃坩堝之製造方法，其中，藉由將電極設置於對鑄模中心線位移的位置以進行電弧熔融，而將石英玻璃坩堝之直胴部及底部之透明層的層厚控制成，相對於彎曲部之透明層的層厚為70～120%。
5. 一種石英玻璃坩堝之製造裝置，係藉由申請專利範圍第1至4項中任一項之石英玻璃坩堝之製造方法，將沉積於旋轉鑄模內表面的石英粉進行電弧熔融以製造石英玻璃坩堝之石英玻璃坩堝製造裝置，其特徵為具有：旋轉鑄模，用以充填石英粉；複數電極，用以產生電弧火燄；電弧方向位移手段，可使上述旋轉鑄模的旋轉軸線之鑄模旋轉中心線與上述電弧火燄的產生方向之電弧火燄噴出方向相對地位移。
6. 如申請專利範圍第5項之石英玻璃坩堝之製造裝置，其中，上述電弧方向位移手段係具備：可控制上述電極對上述旋轉鑄模之位置設定的電極位置設定手段、或可將旋轉鑄模中心線位移之鑄模位置設定手段之任一者或兩者而構成。