JPH0749411B2 - ５−又は６−アルコキシカルボニル−２，３−ジシアノナフタレンおよびその製造法 - Google Patents
５−又は６−アルコキシカルボニル−２，３−ジシアノナフタレンおよびその製造法Info
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- JPH0749411B2 JPH0749411B2 JP63067581A JP6758188A JPH0749411B2 JP H0749411 B2 JPH0749411 B2 JP H0749411B2 JP 63067581 A JP63067581 A JP 63067581A JP 6758188 A JP6758188 A JP 6758188A JP H0749411 B2 JPH0749411 B2 JP H0749411B2
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なテトラキス（アルコキシカルボニル）
金属ナフタロシアニンの合成中間体として有用な５−又
は６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレ
ン及びその製造法に関する。
金属ナフタロシアニンの合成中間体として有用な５−又
は６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレ
ン及びその製造法に関する。
近年、レーザー光を光源とし、電子写真感光体を用いた
レーザービームプリンタ等では、半導体レーザーを光源
に用いることが種々試みられており、この場合、該光源
の波長は800nm前後であることから、800nm前後の近赤外
光を吸収する有機発生材料を有する電子写真感交体が強
く要求されている。
レーザービームプリンタ等では、半導体レーザーを光源
に用いることが種々試みられており、この場合、該光源
の波長は800nm前後であることから、800nm前後の近赤外
光を吸収する有機発生材料を有する電子写真感交体が強
く要求されている。
近赤外光を吸収する有機色素としては、従来シアニン色
素がよく知られており、またオキシムやチオールの金属
錯体，アミノ化されたキノン誘導体も近赤外光を吸収す
る色素として知れている〔有機合成化学協会誌,43巻,33
4頁（1985年），色材協会誌,53巻,197頁（1980年），色
材協会誌,58巻,220頁（1985年）〕。
素がよく知られており、またオキシムやチオールの金属
錯体，アミノ化されたキノン誘導体も近赤外光を吸収す
る色素として知れている〔有機合成化学協会誌,43巻,33
4頁（1985年），色材協会誌,53巻,197頁（1980年），色
材協会誌,58巻,220頁（1985年）〕。
しかしながら、シアニン色素は耐光堅牢性が極めて低い
ので、これを使用する場合には、多くの制約を受けざる
を得ない。また、オキシムやチオールの金属錯体もある
種の媒体中では錯体から金属が脱離して近赤外光の吸収
能力が消失する欠点がある。アミノ化されたキノン誘導
体は、近赤外光を吸収する能力が極めて低い問題があ
る。
ので、これを使用する場合には、多くの制約を受けざる
を得ない。また、オキシムやチオールの金属錯体もある
種の媒体中では錯体から金属が脱離して近赤外光の吸収
能力が消失する欠点がある。アミノ化されたキノン誘導
体は、近赤外光を吸収する能力が極めて低い問題があ
る。
一方、耐光堅牢性の高い半導体レーザー発振領域800nm
前後に感度を有する感光体として、電荷発生層に真空蒸
着法によつて周期律表のIII族若しくはIV族の金属を中
心金属に持つ金属フタロシアニンの薄膜を形成した後、
シフト化剤溶液中に浸漬するか若しくはその上記に接触
させることによつて本来700nm前後の吸収帯を800nm前後
にシフトさせ長波長感度を発現させている（特開昭61−
45249号公報，特開昭60−260054号公報）。しかしなが
ら、この場合、電荷発生層として用いられている周期律
表のIII族若しくはIV族の金属を中心金属に持つ金属フ
タロシアニン薄膜は、本質的に半導体レーザー発振領域
800nm前後に吸収がなく、シフト化剤で処理しない限
り、この薄膜を用いて形成した感光体は、800nm前後の
光に対して感度を有しないか又は低感度であるという重
大な問題がある（特開昭58−158649号公報参照）。
前後に感度を有する感光体として、電荷発生層に真空蒸
着法によつて周期律表のIII族若しくはIV族の金属を中
心金属に持つ金属フタロシアニンの薄膜を形成した後、
シフト化剤溶液中に浸漬するか若しくはその上記に接触
させることによつて本来700nm前後の吸収帯を800nm前後
にシフトさせ長波長感度を発現させている（特開昭61−
45249号公報，特開昭60−260054号公報）。しかしなが
ら、この場合、電荷発生層として用いられている周期律
表のIII族若しくはIV族の金属を中心金属に持つ金属フ
タロシアニン薄膜は、本質的に半導体レーザー発振領域
800nm前後に吸収がなく、シフト化剤で処理しない限
り、この薄膜を用いて形成した感光体は、800nm前後の
光に対して感度を有しないか又は低感度であるという重
大な問題がある（特開昭58−158649号公報参照）。
本発明者は、近赤外光吸収性色素における上記した問題
を解決するために、ナフタロシアニン誘導体に着目し、
これを形成するナフタレン環にアルコシカルボニル基を
置換することにより、近赤外光あるいは、中心金属を変
化させることで可視光をも吸収する能力に著しくすぐれ
るのみならず、種々の有機溶媒への溶解性にもすぐれる
新規なナフタロシアニン誘導体を得るための新規な合成
中間体を見出して、本発明に至つたものである。
を解決するために、ナフタロシアニン誘導体に着目し、
これを形成するナフタレン環にアルコシカルボニル基を
置換することにより、近赤外光あるいは、中心金属を変
化させることで可視光をも吸収する能力に著しくすぐれ
るのみならず、種々の有機溶媒への溶解性にもすぐれる
新規なナフタロシアニン誘導体を得るための新規な合成
中間体を見出して、本発明に至つたものである。
すなわち、本発明は、一般色（Ｉ） （ただし、式中Ｒは、炭素数１〜22個のアルキル基を示
す）で表わされる５−又は６−アルコキシカルボニル−
2,3−ジシアノナフタレンに関する。
す）で表わされる５−又は６−アルコキシカルボニル−
2,3−ジシアノナフタレンに関する。
一般式（Ｉ）で表わされる５−又は６−アルコキカルボ
ニル−2,3−ジシアノナフタレンは、金属あるいは、金
属塩と反応させて、芳香族系溶媒及びハロゲン系溶媒に
可溶であり、これを用いて用意に精製し純度を向上でき
るテトラキス（アルコキシカルボニル）金属ナフタロシ
アニンを高収量で合成することができる。
ニル−2,3−ジシアノナフタレンは、金属あるいは、金
属塩と反応させて、芳香族系溶媒及びハロゲン系溶媒に
可溶であり、これを用いて用意に精製し純度を向上でき
るテトラキス（アルコキシカルボニル）金属ナフタロシ
アニンを高収量で合成することができる。
上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン，トルエン，キシ
レン，クロロベンゼン，ジクロロベンゼン,1,2,4−トリ
メチルベンゼン,1,2,3−トリメチルベンゼン,1−クロロ
ナフタレン,1−ブロモナフタレン，キノリン等があり、
上記ハロゲン溶媒としては塩化メチレン，クロロホル
ム，四塩化炭素，トリクロロエタン等がある。
レン，クロロベンゼン，ジクロロベンゼン,1,2,4−トリ
メチルベンゼン,1,2,3−トリメチルベンゼン,1−クロロ
ナフタレン,1−ブロモナフタレン，キノリン等があり、
上記ハロゲン溶媒としては塩化メチレン，クロロホル
ム，四塩化炭素，トリクロロエタン等がある。
また、本発明は、一般式（Ｉ）で表わされる５−又は６
−（アルコキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレ
ンの製造法に関する。
−（アルコキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレ
ンの製造法に関する。
その一つは、一般式（II） （ただし式中Ｒは、炭素数１〜22個のアルキル基を示
す）で表わされる2,3−又は3,4−ジメチル安息香酸アル
キルを式（III） で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミドと反応させ一般
式（IV） （ただし式中Ｒは炭素数１〜22個のアルキル基を示す）
で表わされる化合物を得、次にこれを式（Ｖ） で表わされるフマロニトリルと反応させて上記の一般式
（Ｉ）で表わされる５−又は６−アルコキシカルボニル
−2,3−ジシアノナフタレンを合成する方法である。
す）で表わされる2,3−又は3,4−ジメチル安息香酸アル
キルを式（III） で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミドと反応させ一般
式（IV） （ただし式中Ｒは炭素数１〜22個のアルキル基を示す）
で表わされる化合物を得、次にこれを式（Ｖ） で表わされるフマロニトリルと反応させて上記の一般式
（Ｉ）で表わされる５−又は６−アルコキシカルボニル
−2,3−ジシアノナフタレンを合成する方法である。
他の一つは、上記により合成した一般式（Ｉ） （ただし式中Ｒは、前記に同じ）で表わされる５−又は
６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン
を一般式（VI） R1OH （VI） （ただし、式中R1はＲと異なる炭素数１〜22個のアルキ
ル基を示す）で表わされるアルコールと反応させて、 一般式（Ｉ′） （ただし、式中R1は一般式（VI）におけると同じ）で表
わされる５−又は６−アルコキシカルボニル−2,3−ジ
シアノナフタレンを合成する方法である。
６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン
を一般式（VI） R1OH （VI） （ただし、式中R1はＲと異なる炭素数１〜22個のアルキ
ル基を示す）で表わされるアルコールと反応させて、 一般式（Ｉ′） （ただし、式中R1は一般式（VI）におけると同じ）で表
わされる５−又は６−アルコキシカルボニル−2,3−ジ
シアノナフタレンを合成する方法である。
一般に、一般式（II）で表わされる2,3−又は、3,4−ジ
メチル安息香酸アルキルと式（III）で表わされるＮ−
ブロモこはく酸イミドとの反応は、2,3−又は3,4−ジメ
チル安息香酸アルキル0.2molとＮ−ブロモこはく酸イミ
ド0.8molを高圧水銀燈照射下、光照射に対して不活性な
溶媒中で、４〜12時間加熱還流することにより行うこと
ができる。反応は、光反応開始剤として、ラジカル発生
剤である過酸化物を添加する必要がある。過酸化物とし
ては、過酸化ベンゾイル，過酸化オクタノイル，過酸化
シクロヘキサノン，過酸化イソブチリル，過酸化2,4−
ジクロロベンゾイル，過酸化メチルエチルケトンなどが
挙げられ、通常、溶媒500mlに対して500mg〜2gの範囲で
使用される。また光照射に対して不活性な溶媒として
は、クロロホルム，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒、
または、ベンゼン，クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒
から適宜選択される。
メチル安息香酸アルキルと式（III）で表わされるＮ−
ブロモこはく酸イミドとの反応は、2,3−又は3,4−ジメ
チル安息香酸アルキル0.2molとＮ−ブロモこはく酸イミ
ド0.8molを高圧水銀燈照射下、光照射に対して不活性な
溶媒中で、４〜12時間加熱還流することにより行うこと
ができる。反応は、光反応開始剤として、ラジカル発生
剤である過酸化物を添加する必要がある。過酸化物とし
ては、過酸化ベンゾイル，過酸化オクタノイル，過酸化
シクロヘキサノン，過酸化イソブチリル，過酸化2,4−
ジクロロベンゾイル，過酸化メチルエチルケトンなどが
挙げられ、通常、溶媒500mlに対して500mg〜2gの範囲で
使用される。また光照射に対して不活性な溶媒として
は、クロロホルム，四塩化炭素などのハロゲン系溶媒、
または、ベンゼン，クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒
から適宜選択される。
また、次の一般式（IV）で表わされる化合物と式（Ｖ）
で表わされるフマロニトリルとの反応は、一般式（IV）
で表わされる化合物1molに対して式（Ｖ）で表わされる
フマロニトリルを１〜2molの比で共存させ反応温度は70
℃〜100℃とし反応時間は５〜10時間とすることが好ま
しい。溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド,N,N
−ジメチルアセトアミド，ジメチルスルホキシド,N,N−
ジエチルホルムアミド,N,N−ジメチルアセトアミド等の
極性有機溶媒が好ましい。
で表わされるフマロニトリルとの反応は、一般式（IV）
で表わされる化合物1molに対して式（Ｖ）で表わされる
フマロニトリルを１〜2molの比で共存させ反応温度は70
℃〜100℃とし反応時間は５〜10時間とすることが好ま
しい。溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド,N,N
−ジメチルアセトアミド，ジメチルスルホキシド,N,N−
ジエチルホルムアミド,N,N−ジメチルアセトアミド等の
極性有機溶媒が好ましい。
一般式（II）で表わされる2,3−または3,4−ジメチル安
息香酸アルキルは、下記式（Ａ）の経路により製造する
ことができる。
息香酸アルキルは、下記式（Ａ）の経路により製造する
ことができる。
すなわち、2,3−または3,4−ジメチル安息香酸〔式（VI
I）〕1mol当りアルコール〔ROH、ただしＲは、炭素数１
〜22個のアルキル基を示す〕を1mol以上共存させ溶媒の
存在下または、存在しない条件下、触媒としてルイス酸
を、使用する2,3−または3,4−ジメチル安息香酸25〜50
モル％共存させ、加熱して脱水することにより、2,3−
または3,4−ジメチル安息香酸アルキル〔一般式（I
I）〕を得ることができる。ここで、上記溶媒として
は、ベンゼン，トルエン，キシレン，クロロベンゼン，
ジクロロベンゼン，トリメチルベンゼン,1−クロロナフ
タレン等が好ましく、触媒としては、硫酸,p−トルエン
スルホン酸，ベンゼンスルホン酸等が好ましく、反応温
度は、80〜240℃の範囲で行うのが好ましく、反応時間
は１〜10時間が好ましい。
I）〕1mol当りアルコール〔ROH、ただしＲは、炭素数１
〜22個のアルキル基を示す〕を1mol以上共存させ溶媒の
存在下または、存在しない条件下、触媒としてルイス酸
を、使用する2,3−または3,4−ジメチル安息香酸25〜50
モル％共存させ、加熱して脱水することにより、2,3−
または3,4−ジメチル安息香酸アルキル〔一般式（I
I）〕を得ることができる。ここで、上記溶媒として
は、ベンゼン，トルエン，キシレン，クロロベンゼン，
ジクロロベンゼン，トリメチルベンゼン,1−クロロナフ
タレン等が好ましく、触媒としては、硫酸,p−トルエン
スルホン酸，ベンゼンスルホン酸等が好ましく、反応温
度は、80〜240℃の範囲で行うのが好ましく、反応時間
は１〜10時間が好ましい。
ある一般式（Ｉ）（ただし、式中Ｒは、炭素数１〜22個
のアルキル基を示す）で表わされる５−または６−アル
コキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン1molに対
して一般式（VI）で表わされるアルコール1mol以上を、
溶媒の存在下または、存在しない条件下、触媒としてル
イス酸を、原料の５−または６−アルコキシカルボニル
−2,3−ジシアノナフタレンと等モル以上共存させ、加
熱還流してエステル交換反応を行わせることにより、別
の５−または６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシア
ノナフタレンを得ることができる。ここで、上記溶媒と
しては、ベンゼン，トルエン，キシレン，クロロベンゼ
ン，ジクロロベンゼン，トリメチルベンゼン,1−クロロ
ナフタレン等が好ましく、触媒としては、硫酸,p−トル
エンスルホン酸，ベンゼンスルホン酸等が好ましく、反
応温度は、80〜240℃が好ましく、反応時間は１〜50時
間が好ましい。
のアルキル基を示す）で表わされる５−または６−アル
コキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン1molに対
して一般式（VI）で表わされるアルコール1mol以上を、
溶媒の存在下または、存在しない条件下、触媒としてル
イス酸を、原料の５−または６−アルコキシカルボニル
−2,3−ジシアノナフタレンと等モル以上共存させ、加
熱還流してエステル交換反応を行わせることにより、別
の５−または６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシア
ノナフタレンを得ることができる。ここで、上記溶媒と
しては、ベンゼン，トルエン，キシレン，クロロベンゼ
ン，ジクロロベンゼン，トリメチルベンゼン,1−クロロ
ナフタレン等が好ましく、触媒としては、硫酸,p−トル
エンスルホン酸，ベンゼンスルホン酸等が好ましく、反
応温度は、80〜240℃が好ましく、反応時間は１〜50時
間が好ましい。
一般式（Ｉ）又は一般式（Ｉ′）で表わされる５−また
は６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレ
ンの反応混合物からの単離精製は、反応混合物をクロロ
ホルムで抽出後、再結晶法，カラムクロマトグラフイー
法などによつて行うことができる。
は６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレ
ンの反応混合物からの単離精製は、反応混合物をクロロ
ホルムで抽出後、再結晶法，カラムクロマトグラフイー
法などによつて行うことができる。
一般式（Ｉ）又は一般式（Ｉ′）で表わされる５−又は
６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン1
molに対して前記した金属又は金属塩を0.1〜1mol共存さ
せて加熱反応させてテトラキス（アルコキシカルボニ
ル）金属ナフタロシアニンを得ることができる。この場
合、反応温度は150〜300℃が好ましく、反応時間は30分
〜10時間が好ましい。このためには、溶媒なしで反応さ
せるか、あるいは、溶媒として、尿素，テトラリン，キ
ノリン,1−クロロナフタレン,1−ブロモナフタレン,1,
2,4−トリメチルベンゼン,1,2,3−トリメチルベンゼ
ン，ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼン等を使用す
るのが好ましい。上記金属又は金属塩としては、Mg,Zn,
AlCl3,InCl3,SiCl4,GeCl4,SnCl2,PbCl2,TiCl4,VCl3,CrC
l2,MoCl2,Mn（Ｏ・COCH3）2,FeCl3,CoCl2,NiCl2,PtCl2,
PdCl2等がある。
６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン1
molに対して前記した金属又は金属塩を0.1〜1mol共存さ
せて加熱反応させてテトラキス（アルコキシカルボニ
ル）金属ナフタロシアニンを得ることができる。この場
合、反応温度は150〜300℃が好ましく、反応時間は30分
〜10時間が好ましい。このためには、溶媒なしで反応さ
せるか、あるいは、溶媒として、尿素，テトラリン，キ
ノリン,1−クロロナフタレン,1−ブロモナフタレン,1,
2,4−トリメチルベンゼン,1,2,3−トリメチルベンゼ
ン，ジクロロベンゼン，トリクロロベンゼン等を使用す
るのが好ましい。上記金属又は金属塩としては、Mg,Zn,
AlCl3,InCl3,SiCl4,GeCl4,SnCl2,PbCl2,TiCl4,VCl3,CrC
l2,MoCl2,Mn（Ｏ・COCH3）2,FeCl3,CoCl2,NiCl2,PtCl2,
PdCl2等がある。
テトラキス（アルコキシカルボニル）金属ナフタロシア
ニンの反応混合物からの単離，精製は、反応混合物を希
塩酸で洗浄後，水，アルコール，アセトンなどの前記ナ
フタロシアニンの貧溶媒で充分に洗浄し、ハロゲン系溶
媒または芳香族系溶媒に溶ける可溶物を濃縮乾固して固
体を採取する方法などによって行うことができる。
ニンの反応混合物からの単離，精製は、反応混合物を希
塩酸で洗浄後，水，アルコール，アセトンなどの前記ナ
フタロシアニンの貧溶媒で充分に洗浄し、ハロゲン系溶
媒または芳香族系溶媒に溶ける可溶物を濃縮乾固して固
体を採取する方法などによって行うことができる。
上記テトラキス（アルコキシカルボニル）金属ナフタロ
シアニンは、一般式（Ｉ） ［ただし、式中Ｒは、炭素数１〜22個のアルキル基であ
り、４個のＲは同一でも相異してもよく、ＭはCuなどの
I b族金属、MgなどのII a族近族、ZnなどのII b族金
属、Al,ClAl,HOAl,In,ClInなどのIII a族の金属、金属
のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Si,Clsi,（HO）2S
i,Ge,Cl2Ge,（HO）2Ge,Sn,Cl2Sn,（HO）2Sn,PbなどのIV
a族の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、
Ti,OTiなどのIV b族の金属又は金属酸化物、OVなどのV
b族の金属酸化物、Cr,MoなどのVI b族の金属、Mn,ClMn
などのVII b族の金属又は金属のハロゲン化物又はFe,Cl
Fe,Co,Ni,Pt,PdなどのVIII族の金属又は金属のハロゲン
化物の中の一種を示す］で表わされる。
シアニンは、一般式（Ｉ） ［ただし、式中Ｒは、炭素数１〜22個のアルキル基であ
り、４個のＲは同一でも相異してもよく、ＭはCuなどの
I b族金属、MgなどのII a族近族、ZnなどのII b族金
属、Al,ClAl,HOAl,In,ClInなどのIII a族の金属、金属
のハロゲン化物又は金属の水酸化物、Si,Clsi,（HO）2S
i,Ge,Cl2Ge,（HO）2Ge,Sn,Cl2Sn,（HO）2Sn,PbなどのIV
a族の金属、金属のハロゲン化物又は金属の水酸化物、
Ti,OTiなどのIV b族の金属又は金属酸化物、OVなどのV
b族の金属酸化物、Cr,MoなどのVI b族の金属、Mn,ClMn
などのVII b族の金属又は金属のハロゲン化物又はFe,Cl
Fe,Co,Ni,Pt,PdなどのVIII族の金属又は金属のハロゲン
化物の中の一種を示す］で表わされる。
テトラキス（アルコキシカルボニル）金属ナフタロシア
ニンは、電子写真感光体の電子写真感光材料（電荷発生
物質）に有用である。電子写真感光材料として用い、電
子写真感光体を製造するには、次のようにされる。
ニンは、電子写真感光体の電子写真感光材料（電荷発生
物質）に有用である。電子写真感光材料として用い、電
子写真感光体を製造するには、次のようにされる。
すなわち、テトラキス（アルコキシカルボニル）金属ナ
フタロシアニンと電荷搬送物質とを混在した単一層を導
電体層の上に光導電体層として構成することができる。
また、電荷発生物質と電荷搬送物質とを別個の層として
形成し、いわゆる２層構造を導電体層の上に光導電体層
として構成することもできる。
フタロシアニンと電荷搬送物質とを混在した単一層を導
電体層の上に光導電体層として構成することができる。
また、電荷発生物質と電荷搬送物質とを別個の層として
形成し、いわゆる２層構造を導電体層の上に光導電体層
として構成することもできる。
単一層構造を採る場合、概電荷発生物質に対する電荷搬
送物質の配合量は前者１重量部当り、後者１〜50重量部
が一般的である。また、光導電体層全体の厚さとしては
５〜100μｍとするのが一般的である。一方、２層構造
を採る場合、電荷発生層の厚さは0.1〜５μｍ、電荷搬
送層の厚さは５〜30μｍの範囲とするのが一般的であ
る。しかし、いずれの場合も最終的には光感度即ち帯電
特性を損わないように配慮して決定するのが望ましい。
光導電層の厚さがあまり厚くなりすぎると層自体の可撓
性が低下する惧れがあるので注意を要する。
送物質の配合量は前者１重量部当り、後者１〜50重量部
が一般的である。また、光導電体層全体の厚さとしては
５〜100μｍとするのが一般的である。一方、２層構造
を採る場合、電荷発生層の厚さは0.1〜５μｍ、電荷搬
送層の厚さは５〜30μｍの範囲とするのが一般的であ
る。しかし、いずれの場合も最終的には光感度即ち帯電
特性を損わないように配慮して決定するのが望ましい。
光導電層の厚さがあまり厚くなりすぎると層自体の可撓
性が低下する惧れがあるので注意を要する。
上記の電荷搬送物質としては、ピラゾリン誘導体，ヒド
ラゾリン誘導体，トリフエニルメタン誘導体，オキサジ
アゾール誘導体，オキサゾール誘導体，カルバゾール誘
導体，スチルベン誘導体などが挙げられる。光導電体層
には既知の結合剤を適用することができる。結合剤は線
状飽和ポリエステル樹脂，ポリカーボネート樹脂，アク
リル系樹脂，ブチラール樹脂，ポリケトン樹脂，ポリウ
レタン樹脂，ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール，ポリ−
（ｐ−ビニルフエニル）アントラセンなどから選ばれ
る。結合剤の使用料は単一層構造の光導電体の場合に
は、電荷発生物質１重量部に当り１〜50重量部が適当で
ある。また、二層構造の光導電体の場合には少なくとも
電荷搬送物質からなる層に加えるべきであり、この場
合、電荷搬送物質１重量部当り結合剤は１〜50重量部が
適当である。導電体層には、アルミニウム，真ちゆう，
銅，金などが用いられる。
ラゾリン誘導体，トリフエニルメタン誘導体，オキサジ
アゾール誘導体，オキサゾール誘導体，カルバゾール誘
導体，スチルベン誘導体などが挙げられる。光導電体層
には既知の結合剤を適用することができる。結合剤は線
状飽和ポリエステル樹脂，ポリカーボネート樹脂，アク
リル系樹脂，ブチラール樹脂，ポリケトン樹脂，ポリウ
レタン樹脂，ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール，ポリ−
（ｐ−ビニルフエニル）アントラセンなどから選ばれ
る。結合剤の使用料は単一層構造の光導電体の場合に
は、電荷発生物質１重量部に当り１〜50重量部が適当で
ある。また、二層構造の光導電体の場合には少なくとも
電荷搬送物質からなる層に加えるべきであり、この場
合、電荷搬送物質１重量部当り結合剤は１〜50重量部が
適当である。導電体層には、アルミニウム，真ちゆう，
銅，金などが用いられる。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、何
らこれらに限定されるものではない。
らこれらに限定されるものではない。
合成例１ 〔3,4−ジメチル安息香酸メチルの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸47.6g（0.317mol）をメタノール
200ml中に加え、約6mlの濃硫酸存在下、モレキユラーシ
ーブス3A（和光純薬工業（株）製乾燥剤）で脱水しなが
ら、約４時間還流した。放冷後、水約600mlを加え、ベ
ンゼン約200mlを用いて３回抽出した。ベンゼン溶液を
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回、続いて水で３回
洗浄後、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。ベンゼ
ン溶液を濃縮後、減圧下蒸留すると、沸点133〜134℃/3
0mmHgで49.4gの無色液体を得た。下記の分析結果から、
この液体は3,4−ジメチル安息香酸メチルであることを
確認した。
200ml中に加え、約6mlの濃硫酸存在下、モレキユラーシ
ーブス3A（和光純薬工業（株）製乾燥剤）で脱水しなが
ら、約４時間還流した。放冷後、水約600mlを加え、ベ
ンゼン約200mlを用いて３回抽出した。ベンゼン溶液を
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回、続いて水で３回
洗浄後、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。ベンゼ
ン溶液を濃縮後、減圧下蒸留すると、沸点133〜134℃/3
0mmHgで49.4gの無色液体を得た。下記の分析結果から、
この液体は3,4−ジメチル安息香酸メチルであることを
確認した。
（１）元素分析値： Ｃ Ｈ 計算値（％） 73.15 7.37 実測値（％） 73.13 7.46 （２）核磁気共鳴（NMR）スペクトル値（NMRスペクトル
を第１図に示す）:CDCl3溶媒 δ値 7.81（1H,br−ｓ） 7.76（1H,dd,J＝7.93,1.53Hz） 7.18（1H,d,J＝7.93Hz） 3.89（3H,s） 2.30（6H,s） （３）赤外吸収（IR）スペクトル（塗布法）を第２図に
示す。約1710cm-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰
因する吸収を有する。
を第１図に示す）:CDCl3溶媒 δ値 7.81（1H,br−ｓ） 7.76（1H,dd,J＝7.93,1.53Hz） 7.18（1H,d,J＝7.93Hz） 3.89（3H,s） 2.30（6H,s） （３）赤外吸収（IR）スペクトル（塗布法）を第２図に
示す。約1710cm-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰
因する吸収を有する。
合成例２ 〔3,4−ジメチル安息香酸ｎ−アミルの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸60g（0.4mol）,n−アミルアルコ
ール43ml（0.4mol）、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和
物22g（0.116mol）をベンゼン150ml中に加え、デイーン
スターク、続いてモレキユラーシーブス3Aで脱水しなが
ら、約６時間還流した。放冷後、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液100mlで、反応混合物を３回洗浄後、水で３回
洗浄した。反応混合物のベンゼン溶液を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、減圧下濃縮した。油状物を減圧下蒸留
すると、145〜148℃/8mmHgで77gの無色液体を得た。下
記の分析結果から、この液体は3,4−ジメチル安息香酸
ｎ−アミルであることを確認した。
ール43ml（0.4mol）、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和
物22g（0.116mol）をベンゼン150ml中に加え、デイーン
スターク、続いてモレキユラーシーブス3Aで脱水しなが
ら、約６時間還流した。放冷後、飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液100mlで、反応混合物を３回洗浄後、水で３回
洗浄した。反応混合物のベンゼン溶液を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、減圧下濃縮した。油状物を減圧下蒸留
すると、145〜148℃/8mmHgで77gの無色液体を得た。下
記の分析結果から、この液体は3,4−ジメチル安息香酸
ｎ−アミルであることを確認した。
（１）元素分析値： Ｃ Ｈ 計算値（％） 76.33 9.15 実測値（％） 76.22 9.25 （２）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第３図に示
す）CDCl3溶媒 δ値 7.81（1H,br−ｓ） 7.77（1H,dd,J＝7.94,1.98Hz） 7.18（1H,d,J＝7.94Hz） 4.29（2H,t,J＝6.72Hz） 2.30（6H,s） 1.76（2H,quintet,J＝6.72Hz） 1.40（4H,m） 0.93（3H,t,J＝6.72Hz） （３）IRスペクトル（塗布法）を第４図に示す。約1710
cm-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
す）CDCl3溶媒 δ値 7.81（1H,br−ｓ） 7.77（1H,dd,J＝7.94,1.98Hz） 7.18（1H,d,J＝7.94Hz） 4.29（2H,t,J＝6.72Hz） 2.30（6H,s） 1.76（2H,quintet,J＝6.72Hz） 1.40（4H,m） 0.93（3H,t,J＝6.72Hz） （３）IRスペクトル（塗布法）を第４図に示す。約1710
cm-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
合成例３ 〔3,4−ジメチル安息香酸ｎ−オクチルの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸40g（0.27mol）,n−オクタノー
ル100ml（0.635mol）,p−トルエンスルホン酸・１水和
物22g（0.116mol）をベンゼン100ml中に加え、デイーン
スターク、続いてモレキユラーシーブス3Aで脱水しなが
ら、約６時間還流した。放冷後、反応混合物を合成例２
と同様に処理し、減圧下蒸留すると、沸点148〜152℃/3
mmHgで60.5gの無色液体を得た。下記の分析結果からこ
の液体は、3,4−ジメチル安息香酸ｎ−オクチルである
ことを確認した。
ル100ml（0.635mol）,p−トルエンスルホン酸・１水和
物22g（0.116mol）をベンゼン100ml中に加え、デイーン
スターク、続いてモレキユラーシーブス3Aで脱水しなが
ら、約６時間還流した。放冷後、反応混合物を合成例２
と同様に処理し、減圧下蒸留すると、沸点148〜152℃/3
mmHgで60.5gの無色液体を得た。下記の分析結果からこ
の液体は、3,4−ジメチル安息香酸ｎ−オクチルである
ことを確認した。
（１）元素分析値： Ｃ Ｈ 計算値（％） 77.82 9.99 実測値（％） 77.21 10.07 （２）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第５図に示
す）CDCl3溶媒 δ値 7.81（1H,br−ｓ） 7.77（1H,dd,J＝7.63,1.83Hz） 7.19（1H,d,J＝7.63Hz） 4.29（2H,t,J＝6.72Hz） 2.31（6H,s） 1.76（2H,quintet,J＝6.72Hz） 1.1〜1.5（10H,m） 0.88（3H,t,J＝6.72Hz） （３）IRスペクトル（塗布法）を第６図に示す。約1710
-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を有
する。
す）CDCl3溶媒 δ値 7.81（1H,br−ｓ） 7.77（1H,dd,J＝7.63,1.83Hz） 7.19（1H,d,J＝7.63Hz） 4.29（2H,t,J＝6.72Hz） 2.31（6H,s） 1.76（2H,quintet,J＝6.72Hz） 1.1〜1.5（10H,m） 0.88（3H,t,J＝6.72Hz） （３）IRスペクトル（塗布法）を第６図に示す。約1710
-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を有
する。
実施例１ 〔６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン
の合成〕 3,4−ジメチル安息香酸メチル33.8g（0.2mol）及びＮ−
ブロモこはく酸イミド142.4g（0.8mol）の四塩化炭素50
0ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加え内部照射管中で還
流しながら８〜12時間高圧水銀灯（100W）により光照射
した。放冷後、析出した白色結晶を吸引ろ過して除き、
母液の四塩化炭素溶液を減圧下濃縮した。得られた固体
をヘキサン／塩化メチレンより再結晶すると無色の結晶
として3,4−ビス（ジブロモメチル）安息香酸メチル79g
を得た。3,4−ビス（ジブロモメチル）安息香酸メチル
の物性は下記に示すものであつた。
の合成〕 3,4−ジメチル安息香酸メチル33.8g（0.2mol）及びＮ−
ブロモこはく酸イミド142.4g（0.8mol）の四塩化炭素50
0ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加え内部照射管中で還
流しながら８〜12時間高圧水銀灯（100W）により光照射
した。放冷後、析出した白色結晶を吸引ろ過して除き、
母液の四塩化炭素溶液を減圧下濃縮した。得られた固体
をヘキサン／塩化メチレンより再結晶すると無色の結晶
として3,4−ビス（ジブロモメチル）安息香酸メチル79g
を得た。3,4−ビス（ジブロモメチル）安息香酸メチル
の物性は下記に示すものであつた。
（１）融点99.5〜100.5℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Br 計算値（％） 25.03 1.68 66.62 実測値（％） 25.07 1.54 65.72 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第７図に示
す）:CDCl3溶媒 δ 8.29（1H,br−ｓ） 8.03（1H,dd,J＝8.24,1.53Hz） 7.81（1H,d,J＝8.24Hz） 7.18（1H,br−ｓ） 7.09（1H,br−ｓ） 3.96（3H,s） （４）IRスペクトル（KBr法）を第８図に示す。約1705c
m-1付近にエステルＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を有
する。
す）:CDCl3溶媒 δ 8.29（1H,br−ｓ） 8.03（1H,dd,J＝8.24,1.53Hz） 7.81（1H,d,J＝8.24Hz） 7.18（1H,br−ｓ） 7.09（1H,br−ｓ） 3.96（3H,s） （４）IRスペクトル（KBr法）を第８図に示す。約1705c
m-1付近にエステルＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を有
する。
次に、得られた3,4−ビス（ジブロモメチル）安息香酸
メチル48g（0.1mol），フマロニトリル13.5g（0.173mo
l）の無水N,N−ジメチルホルムアミド400ml溶液に、よ
くかくはんしながらヨウ化ナトリウム100g（0.67mol）
を加え、窒素雰囲気下約75℃で約７時間かくはんした。
反応後、内容物を約2kgの氷中へ注ぎ出した。赤かつ色
水溶液が淡黄色になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウム
を加え、わずかに過剰量亜硫酸水素ナトリウムを加え、
しばらくかくはんした後、室温下一晩放置した。析出し
た淡黄色固体を吸引ろ過し充分に水、次にメタノールで
洗浄した。淡黄色固体をアセトン／メタノールから再結
晶することによつて無色針状晶が13.9g得られた。この
結晶は、下記の分析結果から６−メトキシカルボニル−
2,3−ジシアノナフタレンであることを確認した。
メチル48g（0.1mol），フマロニトリル13.5g（0.173mo
l）の無水N,N−ジメチルホルムアミド400ml溶液に、よ
くかくはんしながらヨウ化ナトリウム100g（0.67mol）
を加え、窒素雰囲気下約75℃で約７時間かくはんした。
反応後、内容物を約2kgの氷中へ注ぎ出した。赤かつ色
水溶液が淡黄色になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウム
を加え、わずかに過剰量亜硫酸水素ナトリウムを加え、
しばらくかくはんした後、室温下一晩放置した。析出し
た淡黄色固体を吸引ろ過し充分に水、次にメタノールで
洗浄した。淡黄色固体をアセトン／メタノールから再結
晶することによつて無色針状晶が13.9g得られた。この
結晶は、下記の分析結果から６−メトキシカルボニル−
2,3−ジシアノナフタレンであることを確認した。
（１）融点264〜265℃ （２）元素分析値 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 71.18 3.41 11.86 実測値（％） 71.21 3.37 11.87 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第９図に示し
た）CDCl3溶媒 δ値 8.72（1H,br−ｓ） 8.47（1H,s） 8.41（1H,s） 8.38（1H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 8.06（1H,d,J＝8.55Hz） 4.04（3H,s） （４）IRスペクトル（KBr法）を第10図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
た）CDCl3溶媒 δ値 8.72（1H,br−ｓ） 8.47（1H,s） 8.41（1H,s） 8.38（1H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 8.06（1H,d,J＝8.55Hz） 4.04（3H,s） （４）IRスペクトル（KBr法）を第10図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
実施例２ 〔６−（ｎ−アミロキシカルボニル）−2,3−ジシアノ
ナフタレンの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸ｎ−アミル44.1g（0.2mol）及び
Ｎ−ブロモこはく酸イミド142.4g（0.8mol）の四塩化炭
素500ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加え内部照射管中
で還流しながら約11時間、高圧水銀灯（100W）により光
照射した。放冷後、析出した白色結晶を吸引ろ過して除
き、母液の四塩化炭素溶液を減圧下充分に濃縮した。得
られた、淡かつ色油状物を、無水N,N−ジメチルホルム
アミド800mlに溶かし、フマロニトリル27g（0.346mol）
次いで、よくかくはんしながらヨウ化ナトリウム200g
（1.34mol）を加え、窒素雰囲気下75℃で約７時間かく
はんした。反応後、内容物を約4kgの氷中へ注ぎ出した
赤かつ色の水溶液が淡黄色になるまで徐々に亜硫酸水素
ナトリウムを加え、わずかに過剰量亜硫酸水素ナトリウ
ムを加えしばらくかくはんした後、室温下一晩放置し
た。析出した淡黄色固体を吸引ろ過し、充分に水洗した
後、数回メタノールで洗浄した。淡黄色固体を約500ml
のクロロホルムに溶かし、クロロホルム層を水層と分離
後、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。クロロホルム
溶液を減圧下濃縮後、クロロホルム／エタノールから２
度再結晶することによつて、無色針状結晶が20g得られ
た。この結晶は、下記の分析結果から６−（ｎ−アミロ
キシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレンであるこ
とを確認した。
ナフタレンの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸ｎ−アミル44.1g（0.2mol）及び
Ｎ−ブロモこはく酸イミド142.4g（0.8mol）の四塩化炭
素500ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加え内部照射管中
で還流しながら約11時間、高圧水銀灯（100W）により光
照射した。放冷後、析出した白色結晶を吸引ろ過して除
き、母液の四塩化炭素溶液を減圧下充分に濃縮した。得
られた、淡かつ色油状物を、無水N,N−ジメチルホルム
アミド800mlに溶かし、フマロニトリル27g（0.346mol）
次いで、よくかくはんしながらヨウ化ナトリウム200g
（1.34mol）を加え、窒素雰囲気下75℃で約７時間かく
はんした。反応後、内容物を約4kgの氷中へ注ぎ出した
赤かつ色の水溶液が淡黄色になるまで徐々に亜硫酸水素
ナトリウムを加え、わずかに過剰量亜硫酸水素ナトリウ
ムを加えしばらくかくはんした後、室温下一晩放置し
た。析出した淡黄色固体を吸引ろ過し、充分に水洗した
後、数回メタノールで洗浄した。淡黄色固体を約500ml
のクロロホルムに溶かし、クロロホルム層を水層と分離
後、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。クロロホルム
溶液を減圧下濃縮後、クロロホルム／エタノールから２
度再結晶することによつて、無色針状結晶が20g得られ
た。この結晶は、下記の分析結果から６−（ｎ−アミロ
キシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレンであるこ
とを確認した。
（１）融点150〜152℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Br 計算値 73.95 5.52 9.58 実測値 73.82 5.38 9.51 （３）NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.70（1H,br−ｓ） 8.49（1H,s） 8.41（1H,s） 8.38（1H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 8.06（1H,d,J＝8.55Hz） 4.43（2H,t,J＝6.72Hz） 1.84（2H,quintet,J＝6.72Hz） 1.44（4H,m） 0.96（3H,t,J＝6.72Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第11図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
実施例３ 〔６−（ｎ−オクチロキシカルボニル）−2,3−ジシア
ノナフタレンの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸ｎ−オクチル52.5g（0.2mol）、
及びＮ−ブロモこはく酸イミド142.2g（0.8mol）の四塩
化炭素500ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加え内部照射
管中で還流しながら約11時間高圧水銀灯（100W）により
光照射した。放冷後、反応混合物を実施例２と同様に処
理し、フマロニトリルと反応させ処理した後、クロロホ
ルム／エタノールから数回再結晶することによつて無色
針状結晶が約7g得られた。この結晶は、下記の分析結果
から６−（ｎ−オクチロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレンであることを確認した。
ノナフタレンの合成〕 3,4−ジメチル安息香酸ｎ−オクチル52.5g（0.2mol）、
及びＮ−ブロモこはく酸イミド142.2g（0.8mol）の四塩
化炭素500ml溶液に過酸化ベンゾイル1gを加え内部照射
管中で還流しながら約11時間高圧水銀灯（100W）により
光照射した。放冷後、反応混合物を実施例２と同様に処
理し、フマロニトリルと反応させ処理した後、クロロホ
ルム／エタノールから数回再結晶することによつて無色
針状結晶が約7g得られた。この結晶は、下記の分析結果
から６−（ｎ−オクチロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレンであることを確認した。
（１）融点142〜144℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 75.42 6.63 8.38 実測値（％） 75.20 6.41 7.99 （３）NMRスペクトル値:CDCl3溶媒 δ値 8.70（1H,br−ｓ） 8.49（1H,s） 8.42（1H,s） 8.38（1H,dd,J＝8.55,1.52Hz） 8.06（1H,d,J＝8.55Hz） 4.42（2H,t,J＝6.72Hz） 1.83（2H,quintet,J＝6.72Hz） 1.2〜1.6（10H,m） 0.89（3H,t,J＝6.72Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第12図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
比較例１ 〔テトラ（ｎ−ブトキシ）バナジルナフタロシアニンの
合成〕 ６−ｎ−ブトキシ−2,3−ジシアノナフタレン25g（0.1m
ol）、三塩化バナジウム6g（0.035mol）及び尿素75gを1
95〜200℃の温度で２時間反応させた。冷却した後、固
化した反応生成物を５％塩酸500mlに加え、80℃で30分
間かくはんした後、固形物をろ取し、再度５％塩酸500m
lで処理し、湯洗した。
合成〕 ６−ｎ−ブトキシ−2,3−ジシアノナフタレン25g（0.1m
ol）、三塩化バナジウム6g（0.035mol）及び尿素75gを1
95〜200℃の温度で２時間反応させた。冷却した後、固
化した反応生成物を５％塩酸500mlに加え、80℃で30分
間かくはんした後、固形物をろ取し、再度５％塩酸500m
lで処理し、湯洗した。
次いで、ろ取したケーキを10％水酸化ナトリウム水溶液
300mlに加えて、80℃にて30分間かくはんした後、固形
物をろ取し、再度10％水酸化ナトリウム水溶液300mlで
処理し、湯洗した。
300mlに加えて、80℃にて30分間かくはんした後、固形
物をろ取し、再度10％水酸化ナトリウム水溶液300mlで
処理し、湯洗した。
この後、このケーキをメタノール300mlに加えて、還流
した後、固形物をろ取し、乾燥して、粗製物15gを得
た。この粗製物をトルエン500mlに溶解し、不溶物をろ
別した後、カラムクロマトグラフイーにて精製し、精製
物6gを黄緑色粉末として得た。
した後、固形物をろ取し、乾燥して、粗製物15gを得
た。この粗製物をトルエン500mlに溶解し、不溶物をろ
別した後、カラムクロマトグラフイーにて精製し、精製
物6gを黄緑色粉末として得た。
比較例２ 〔テトラ−tert−アミルバナジルナフタロシアニンの製
造〕 ６−tert−アミル−2,3−ジシアノナフタレン15g,三塩
化バナジウム3.8gおよび尿素70gを195〜200℃で２時間
反応した。冷却後、固化した反応物に５％塩酸300mlを
添加、50℃に加熱すると固化物が次第にほぐれて来る。
50℃で30分かくはん後、不溶分をろ取し、ろ過ケーキを
再度５％塩酸300mlで処理後湯洗した。次いでろ過ケー
キを10％カセイソーダ200mlと70℃に３分かくはん後、
不溶分をろ取した。ろ過ケーキを再度10％カセイソーダ
200mlで処理したのち、充分湯洗した。次いでろ過ケー
キをメタノール200mlと30分加熱還流後、不溶分をろ
取、乾燥して粗生成物10gを得た。次いで粗生成物をト
ルエン300mlと80℃で30分かくはん後不溶分をろ取し、
トルエン溶液をシリカゲル上カラムクロマトグラフイー
にかけ、精製品2.4gを得た。
造〕 ６−tert−アミル−2,3−ジシアノナフタレン15g,三塩
化バナジウム3.8gおよび尿素70gを195〜200℃で２時間
反応した。冷却後、固化した反応物に５％塩酸300mlを
添加、50℃に加熱すると固化物が次第にほぐれて来る。
50℃で30分かくはん後、不溶分をろ取し、ろ過ケーキを
再度５％塩酸300mlで処理後湯洗した。次いでろ過ケー
キを10％カセイソーダ200mlと70℃に３分かくはん後、
不溶分をろ取した。ろ過ケーキを再度10％カセイソーダ
200mlで処理したのち、充分湯洗した。次いでろ過ケー
キをメタノール200mlと30分加熱還流後、不溶分をろ
取、乾燥して粗生成物10gを得た。次いで粗生成物をト
ルエン300mlと80℃で30分かくはん後不溶分をろ取し、
トルエン溶液をシリカゲル上カラムクロマトグラフイー
にかけ、精製品2.4gを得た。
実施例４ 〔６−（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）−2,3−ジ
シアノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン3.1
4g（13.3m mol）、１−オクタデカノール3.6g（13.3m m
ol）をベンゼン40ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水
和物2.2g（11.6m mol）存在下、モレキユラーシーブス3
Aで脱水，脱メタノールしながら、約６時間還流した。
放冷後、クロロホルム約150mlを加え、クロロホルム溶
液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回、水で３回洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。クロロホルム溶
液を濃縮後、ベンゼンを展開溶媒として、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーにより精製した。得られた無色
固体をエタノール／クロロホルムから再結晶することに
より、無色針状晶が0.68g得られた。下記の分析結果か
らこの無色針状晶は、６−（ｎ−オクタデシロキシカル
ボニル）−2,3−ジシアノナフタレンであることを確認
した。
シアノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン3.1
4g（13.3m mol）、１−オクタデカノール3.6g（13.3m m
ol）をベンゼン40ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水
和物2.2g（11.6m mol）存在下、モレキユラーシーブス3
Aで脱水，脱メタノールしながら、約６時間還流した。
放冷後、クロロホルム約150mlを加え、クロロホルム溶
液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回、水で３回洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。クロロホルム溶
液を濃縮後、ベンゼンを展開溶媒として、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフイーにより精製した。得られた無色
固体をエタノール／クロロホルムから再結晶することに
より、無色針状晶が0.68g得られた。下記の分析結果か
らこの無色針状晶は、６−（ｎ−オクタデシロキシカル
ボニル）−2,3−ジシアノナフタレンであることを確認
した。
（１）融点139〜140℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 78.44 8.92 5.90 実測値（％） 78.52 9.05 5.87 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第13図に示
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.71（1H,br−ｓ） 8.49（1H,s） 8.42（1H,s） 8.38（1H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 8.06（1H,d,J＝8.55Hz） 4.42（2H,t,J＝6.72Hz） 1.83（2H,quintet,J＝6.72Hz） 1.25（30H,br−ｓ） 0.88（3H,t,J＝6.72Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第14図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.71（1H,br−ｓ） 8.49（1H,s） 8.42（1H,s） 8.38（1H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 8.06（1H,d,J＝8.55Hz） 4.42（2H,t,J＝6.72Hz） 1.83（2H,quintet,J＝6.72Hz） 1.25（30H,br−ｓ） 0.88（3H,t,J＝6.72Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第14図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
実施例５ 〔６−（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）−2,3−ジ
シアノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg（1m mol）、１−テトラデカノール10.72g（50m mo
l）をベンゼン100ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水
和物1.94g（10m mol）存在下、モレキユラーシーブス3A
で脱水，脱メタノールしながら、約12時間還流した。放
冷後、ベンゼンを留去し、トルエン／クロロホルム（体
積比1:1の溶媒）を展開溶媒として、シリカゲルカラム
クロマトグラフイーにより精製した。
シアノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg（1m mol）、１−テトラデカノール10.72g（50m mo
l）をベンゼン100ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水
和物1.94g（10m mol）存在下、モレキユラーシーブス3A
で脱水，脱メタノールしながら、約12時間還流した。放
冷後、ベンゼンを留去し、トルエン／クロロホルム（体
積比1:1の溶媒）を展開溶媒として、シリカゲルカラム
クロマトグラフイーにより精製した。
さらに、アセトン／メタノールから再結晶することによ
り無色結晶が103mg得られた。下記の分析結果からこの
無色結晶は、６−（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）
−2,3−ジシアノナフタレンであることを確認した。
り無色結晶が103mg得られた。下記の分析結果からこの
無色結晶は、６−（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）
−2,3−ジシアノナフタレンであることを確認した。
（１）融点142.0〜142.5℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 77.48 8.19 6.69 実測値（％） 77.53 8.11 6.67 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第15図に示
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.68（1H,br−ｓ） 8.47（1H,s） 8.39（1H,s） 8.36（1H,dd,J＝8.55,1.52Hz） 8.04（1H,d,J＝8.55Hz） 4.40（2H,t,J＝6.71Hz） 1.81（2H,quintet,J＝6.71Hz） 1.25（22H,br−ｓ） 0.87（3H,t,J＝6.71Hz） （４）スペクトル（KBr法）を第16図に示す。約1710cm
-1付近に、エステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.68（1H,br−ｓ） 8.47（1H,s） 8.39（1H,s） 8.36（1H,dd,J＝8.55,1.52Hz） 8.04（1H,d,J＝8.55Hz） 4.40（2H,t,J＝6.71Hz） 1.81（2H,quintet,J＝6.71Hz） 1.25（22H,br−ｓ） 0.87（3H,t,J＝6.71Hz） （４）スペクトル（KBr法）を第16図に示す。約1710cm
-1付近に、エステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
実施例６ 〔６−（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）−2,3−ジ
シアノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg（1m mol）,1−ヘキサデカノール12.12g（50m mol）
をベンゼン100ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和
物1.94g（10m mol）存在下、モレキユラーシーブス3Aで
脱水、脱メタノールしながら、約12時間還流した。放冷
後、ベンゼンを留去し、トルエン／クロロホルム（体積
比1:1の溶媒）を展開溶媒として、シリカゲルカラムク
ロマトグラフイーにより精製した。さらに、アセトン／
メタノールから再結晶することにより無色結晶が247mg
得られた。下記の分析結果からこの無色結晶は、６−
（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノ
ナフタレンであることを確認した。
シアノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg（1m mol）,1−ヘキサデカノール12.12g（50m mol）
をベンゼン100ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和
物1.94g（10m mol）存在下、モレキユラーシーブス3Aで
脱水、脱メタノールしながら、約12時間還流した。放冷
後、ベンゼンを留去し、トルエン／クロロホルム（体積
比1:1の溶媒）を展開溶媒として、シリカゲルカラムク
ロマトグラフイーにより精製した。さらに、アセトン／
メタノールから再結晶することにより無色結晶が247mg
得られた。下記の分析結果からこの無色結晶は、６−
（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノ
ナフタレンであることを確認した。
（１）融点 140.5〜142.0℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 77.99 8.58 6.27 実測値（％） 78.07 8.51 6.19 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第17図に示
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.69（1H,br−ｓ） 8.47（1H,s） 8.39（1H,s） 8.37（1H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 8.04（1H,d,J＝8.55Hz） 4.41（2H,t,J＝6.72Hz） 1.81（2H,quintet,6.72Hz） 1.25（26H,br−ｓ） 0.87（3H,t,J＝6.72Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第18図に示す。約1710c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.69（1H,br−ｓ） 8.47（1H,s） 8.39（1H,s） 8.37（1H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 8.04（1H,d,J＝8.55Hz） 4.41（2H,t,J＝6.72Hz） 1.81（2H,quintet,6.72Hz） 1.25（26H,br−ｓ） 0.87（3H,t,J＝6.72Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第18図に示す。約1710c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
実施例７ 〔６−（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg（1m mol）,1−エイコサノール15.63g（50m mol）を
ベンゼン100ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物
1.94g（10m mol）存在下、モレキユラーシーブス3Aで脱
水、脱メタノールしながら、約28時間還流した。放冷
後、ベンゼンを留去し、トルエン/n−ヘキサン（体積比
4/1の溶媒）を展開溶媒として、シリカゲルカラムクロ
マトグラフイーにより精製した。さらに、アセトン／メ
タノールから再結晶することにより、無色結晶が166mg
得られた。下記の分析結果からこの無色結晶は、６−
（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナ
フタレンであることを確認した。
アノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg（1m mol）,1−エイコサノール15.63g（50m mol）を
ベンゼン100ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物
1.94g（10m mol）存在下、モレキユラーシーブス3Aで脱
水、脱メタノールしながら、約28時間還流した。放冷
後、ベンゼンを留去し、トルエン/n−ヘキサン（体積比
4/1の溶媒）を展開溶媒として、シリカゲルカラムクロ
マトグラフイーにより精製した。さらに、アセトン／メ
タノールから再結晶することにより、無色結晶が166mg
得られた。下記の分析結果からこの無色結晶は、６−
（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナ
フタレンであることを確認した。
（１）融点 138.0〜138.5℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 78.84 9.22 5.57 実測値（％） 78.89 9.31 5.52 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第19図に示
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.70（1H,br−ｓ） 8.48（1H,s） 8.41（1H,s） 8.38（1H,dd,J＝8.55,1.52Hz） 8.05（1H,d,J＝8.55Hz） 4.42（2H,t,J＝6.71Hz） 1.83（2H,quintet,J＝6.71Hz） 1.25（34H,br−ｓ） 0.88（3H,t,J＝6.71Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第20図に示す。約1710c
m-1付近に、エステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収
を有する。
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.70（1H,br−ｓ） 8.48（1H,s） 8.41（1H,s） 8.38（1H,dd,J＝8.55,1.52Hz） 8.05（1H,d,J＝8.55Hz） 4.42（2H,t,J＝6.71Hz） 1.83（2H,quintet,J＝6.71Hz） 1.25（34H,br−ｓ） 0.88（3H,t,J＝6.71Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第20図に示す。約1710c
m-1付近に、エステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収
を有する。
実施例８ 〔６−（ｎ−ドコシロキシカルボニル）−2,3−ジシア
ノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg（1m mol）,1−ドコサノール16.33g（50m mol）をベ
ンゼン100ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物1.9
4g（10m mol）存在下、モレキユラーシーブス3Aで脱
水、脱メタノールしながら、約28時間還流した。放冷
後、ベンゼンを留去し、トルエン/n−ヘキサン（体積比
4/1の溶媒）を展開溶媒として、シリカゲルカラムクロ
マトグラフイーにより精製した。さらに、アセトン／メ
タノールから再結晶することにより無色結晶が162mg得
られた。下記の分析結果からこの無色結晶は、６−（ｎ
−ドコシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレ
ンであることを確認した。
ノナフタレンの合成〕 ６−メトキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン236
mg（1m mol）,1−ドコサノール16.33g（50m mol）をベ
ンゼン100ml中、ｐ−トルエンスルホン酸・１水和物1.9
4g（10m mol）存在下、モレキユラーシーブス3Aで脱
水、脱メタノールしながら、約28時間還流した。放冷
後、ベンゼンを留去し、トルエン/n−ヘキサン（体積比
4/1の溶媒）を展開溶媒として、シリカゲルカラムクロ
マトグラフイーにより精製した。さらに、アセトン／メ
タノールから再結晶することにより無色結晶が162mg得
られた。下記の分析結果からこの無色結晶は、６−（ｎ
−ドコシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレ
ンであることを確認した。
（１）融点 135.0〜136.5℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 79.20 9.49 5.28 実測値（％） 79.12 9.57 5.14 （３）NMRスペクトル値（NMRスペクトルを第21図に示
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.70（1H,br−ｓ） 8.48（1H,s） 8.41（1H,s） 8.37（1H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 8.05（1H,d,J＝8.55Hz） 4.42（2H,t,J＝6.72Hz） 1.83（2H,quintet,6.72Hz） 1.25（38H,br−ｓ） 0.88（3H,t,J＝6.72Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第22図に示す。約1710c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
す）:CDCl3溶媒 δ値 8.70（1H,br−ｓ） 8.48（1H,s） 8.41（1H,s） 8.37（1H,dd,J＝8.55,1.53Hz） 8.05（1H,d,J＝8.55Hz） 4.42（2H,t,J＝6.72Hz） 1.83（2H,quintet,6.72Hz） 1.25（38H,br−ｓ） 0.88（3H,t,J＝6.72Hz） （４）IRスペクトル（KBr法）を第22図に示す。約1710c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例１ 〔テトラキス（ｎ−アミロキシカルボニル）バナジルナ
フタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−アミロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g（5m mol、三塩化バナジウム0.32g（2.01
m mol）、モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5g
を約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。
放冷御、固化した反応混合物に５％塩酸40mlを加え、あ
る程度ほぐした後、約50℃で30分間よくかくはんした。
かくはん後、不溶物を吸引ろ過し、水，メタノール、次
いで、アセトンで充分に洗浄した。得られた固体をソツ
クスレー抽出器で、溶媒としてメタノール／アセトン
（1/1）の混合溶媒を用いて、約50時間不純物の抽出を
行なつた。次に、溶媒をクロロホルムに変更して、ソツ
クスレー抽出を20時間行なつた。得られた濃緑色クロロ
ホルム溶液を熱時吸引ろ過した後減圧下濃縮乾固し、光
沢のある黒色結晶を861mg得た。この結晶は、下記の分
析結果から、テトラキス（ｎ−アミロキシカルボニル）
バナジルナフタロシアニンであることを確認した。
フタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−アミロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g（5m mol、三塩化バナジウム0.32g（2.01
m mol）、モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5g
を約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。
放冷御、固化した反応混合物に５％塩酸40mlを加え、あ
る程度ほぐした後、約50℃で30分間よくかくはんした。
かくはん後、不溶物を吸引ろ過し、水，メタノール、次
いで、アセトンで充分に洗浄した。得られた固体をソツ
クスレー抽出器で、溶媒としてメタノール／アセトン
（1/1）の混合溶媒を用いて、約50時間不純物の抽出を
行なつた。次に、溶媒をクロロホルムに変更して、ソツ
クスレー抽出を20時間行なつた。得られた濃緑色クロロ
ホルム溶液を熱時吸引ろ過した後減圧下濃縮乾固し、光
沢のある黒色結晶を861mg得た。この結晶は、下記の分
析結果から、テトラキス（ｎ−アミロキシカルボニル）
バナジルナフタロシアニンであることを確認した。
（１）融点＞300℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 69.95 5.22 9.06 実測値（％） 70.13 5.14 9.33 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第23図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第24図に示す。約1710c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例２ テトラキス（ｎ−アミロキシカボニル）銅ナフタロシア
ニンの合成 ６−（ｎ−アミロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g（5m mol）、塩化第二銅・２水和物273mg
（1.6m mol）モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素
5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を応用例１と同様に処理するこ
とによつて、光沢のある黒色結晶を987mg得た。この結
晶は下記の分析結果から、テトラキス（ｎ−アミロキシ
カルボニル）銅ナフタロシアニンであることを確認し
た。
ニンの合成 ６−（ｎ−アミロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g（5m mol）、塩化第二銅・２水和物273mg
（1.6m mol）モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素
5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を応用例１と同様に処理するこ
とによつて、光沢のある黒色結晶を987mg得た。この結
晶は下記の分析結果から、テトラキス（ｎ−アミロキシ
カルボニル）銅ナフタロシアニンであることを確認し
た。
（１）融点＞300℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 70.14 5.23 9.09 実測値（％） 69.45 5.20 9.17 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第25図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第26図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例３ テトラキス（ｎ−アミロキシカルボニル）亜鉛ナフタロ
シアニンの合成 ６−（ｎ−アミロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g（5m mol）、粉末亜鉛105mg（1.6m mol）
モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5gを約220℃
で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。放冷後、
反応混合物を応用例１と同様に処理することによつて、
光沢のある黒色結晶を937mg得た。この結晶は、下記の
分析結果からテトラキス（ｎ−アミロキシカルボニル）
亜鉛ナフタロシアニンであることを確認した。
シアニンの合成 ６−（ｎ−アミロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナ
フタレン1.46g（5m mol）、粉末亜鉛105mg（1.6m mol）
モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿素5gを約220℃
で約2.5時間よくかきまぜながら反応させた。放冷後、
反応混合物を応用例１と同様に処理することによつて、
光沢のある黒色結晶を937mg得た。この結晶は、下記の
分析結果からテトラキス（ｎ−アミロキシカルボニル）
亜鉛ナフタロシアニンであることを確認した。
（１）融点＞300℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 70.04 5.22 9.08 実測値（％） 69.35 5.22 9.08 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第27図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第28図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例４ テトラキス（ｎ−オクチロキシカルボニル）バナジルナ
フタロシアニンの合成 ６−（ｎ−オクチロキシカルボニル）−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g（5m mol）、三塩化バナジウム0.32mg
（1.6m mol）、モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿
素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を応用例１と同様に処理するこ
とによつて、光沢のある黒色結晶を1.33g得た。この結
晶は、下記の分析結果からテトラキス（ｎ−オクチロキ
シカルボニル）バナジルナフタロシアニンであることを
確認した。
フタロシアニンの合成 ６−（ｎ−オクチロキシカルボニル）−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g（5m mol）、三塩化バナジウム0.32mg
（1.6m mol）、モリブデン酸アンモニウム10mgおよび尿
素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応させ
た。放冷後、反応混合物を応用例１と同様に処理するこ
とによつて、光沢のある黒色結晶を1.33g得た。この結
晶は、下記の分析結果からテトラキス（ｎ−オクチロキ
シカルボニル）バナジルナフタロシアニンであることを
確認した。
（１）融点＞300℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 71.83 6.31 7.98 実測値（％） 71.99 6.18 8.29 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第29図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第30図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例５ テトラキス（ｎ−オクチロキシカルボニル）銅ナフタロ
シアニンの合成 ６−（ｎ−オクチロキシカルボニル）−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g（5m mol）、塩化第二銅・２水和物273
mg（1.6m mol）、モリブデン酸アンモニウム10mgおよび
尿素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応さ
せた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様に処理する
ことによつて、光沢のある黒色結晶を1.39g得た。この
結晶は下記の分析結果からテトラキス（ｎ−オクチロキ
シカルボニル）銅ナフタロシアニンであることを確認し
た。
シアニンの合成 ６−（ｎ−オクチロキシカルボニル）−2,3−ジシアノ
ナフタレン1.67g（5m mol）、塩化第二銅・２水和物273
mg（1.6m mol）、モリブデン酸アンモニウム10mgおよび
尿素5gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜながら反応さ
せた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様に処理する
ことによつて、光沢のある黒色結晶を1.39g得た。この
結晶は下記の分析結果からテトラキス（ｎ−オクチロキ
シカルボニル）銅ナフタロシアニンであることを確認し
た。
（１）融点＞300℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 72.00 6.33 8.00 実測値（％） 71.95 6.08 8.14 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第31図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第32図に示す。約1700c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例６ 〔テトラキス（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）バナ
ジルナフタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン42mg（0.1m mol）、三塩化バナジウム6m
g（4.0×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム0.2mg
および尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様
に処理することによつて、光沢のある黒色結晶を21mg得
た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ｎ
−テトラデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシア
ニンであることを確認した。
ジルナフタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン42mg（0.1m mol）、三塩化バナジウム6m
g（4.0×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム0.2mg
および尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様
に処理することによつて、光沢のある黒色結晶を21mg得
た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ｎ
−テトラデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシア
ニンであることを確認した。
（１）軟化点 210〜212℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 74.50 7.87 6.44 実測値（％） 74.66 7.96 6.32 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第33図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第34図に示す。約1720c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例７ 〔テトラキス（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）銅ナ
フタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン42mg（0.1m mol）、塩化第二銅・２水和
物5mg（3.2×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム
0.2mgおよび尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきま
ぜながら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と
同様に処理することによつて光沢のある黒色結晶を21mg
得た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス
（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）銅ナフタロシアニ
ンであることを確認した。
フタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン42mg（0.1m mol）、塩化第二銅・２水和
物5mg（3.2×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム
0.2mgおよび尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきま
ぜながら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と
同様に処理することによつて光沢のある黒色結晶を21mg
得た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス
（ｎ−テトラデシロキシカルボニル）銅ナフタロシアニ
ンであることを確認した。
（１）軟化点 168〜171℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 74.64 7.89 6.45 実測値（％） 74.82 7.76 6.37 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第35図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第36図に示す。約1720c
m-1付近に、エステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収
を有する。
m-1付近に、エステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収
を有する。
応用例８ 〔テトラキス（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）バナ
ジルナフタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン45mg（0.1m mol）、三塩化バナジウム6m
g（4.0×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム0.2mg
および尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様
に処理することによつて、光沢のある黒色結晶を13mg得
た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ｎ
−ヘキサデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシア
ニンであることを確認した。
ジルナフタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン45mg（0.1m mol）、三塩化バナジウム6m
g（4.0×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム0.2mg
および尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様
に処理することによつて、光沢のある黒色結晶を13mg得
た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ｎ
−ヘキサデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシア
ニンであることを確認した。
（１）軟化点 151〜154℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 75.17 8.27 6.05 実測値（％） 75.26 8.19 6.13 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第37図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第38図に示す。約1720c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例９ 〔テトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）銅ナ
フタロシアニンの合成 ６−（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン200mg（0.42m mol）、塩化第二銅・２水
和物23mg（0.13m mol）、モリブデン酸アンモニウム1mg
および尿素0.42gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様
に処理することによつて光沢のある黒緑色結晶として、
テトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）銅ナフ
タロシアニンを160mg得た。この結晶は、下記の分析結
果からテトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）
銅ナフタロシアニンであることを確認した。
フタロシアニンの合成 ６−（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン200mg（0.42m mol）、塩化第二銅・２水
和物23mg（0.13m mol）、モリブデン酸アンモニウム1mg
および尿素0.42gを約220℃で約2.5時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様
に処理することによつて光沢のある黒緑色結晶として、
テトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）銅ナフ
タロシアニンを160mg得た。この結晶は、下記の分析結
果からテトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）
銅ナフタロシアニンであることを確認した。
（１）軟化点 119〜121℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 75.90 8.63 5.71 実測値（％） 75.63 8.51 5.66 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第39図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第40図に示す。約1720c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例10 〔テトラキス（ｎ−エイコシロキシカルボニル）バナジ
ルナフタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジシア
ノナフタレン52mg（0.1m mol）、三塩化バナジウム6mg
（4.0×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム0.2mg
および尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様
に処理することによつて、光沢のある黒色結晶を26mg得
た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ｎ
−エイコシロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニ
ンであることを確認した。
ルナフタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジシア
ノナフタレン52mg（0.1m mol）、三塩化バナジウム6mg
（4.0×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム0.2mg
および尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜな
がら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様
に処理することによつて、光沢のある黒色結晶を26mg得
た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ｎ
−エイコシロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニ
ンであることを確認した。
（１）軟化点 83〜85℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 76.30 8.93 5.39 実測値（％） 76.92 8.87 5.28 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第41図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第42図に示す。約1720c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例11 〔テトラキス（ｎ−エイコシロキシカルボニル）銅ナフ
タロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジシア
ノナフタレン52mg（0.1m mol）、塩化第二銅・２水和物
5mg（3.2×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム0.2
mgおよび尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜ
ながら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同
様に処理することによつて光沢のある黒色結晶を36mg得
た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ｎ
−エイコシロキシカルボニル）銅ナフタロシアニンであ
ることを確認した。
タロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジシア
ノナフタレン52mg（0.1m mol）、塩化第二銅・２水和物
5mg（3.2×10-2m mol）、モリブデン酸アンモニウム0.2
mgおよび尿素100mgを約220℃で約2.5時間よくかきまぜ
ながら反応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同
様に処理することによつて光沢のある黒色結晶を36mg得
た。この結晶は、下記の分析結果から、テトラキス（ｎ
−エイコシロキシカルボニル）銅ナフタロシアニンであ
ることを確認した。
（１）軟化点 67〜70℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 76.43 8.94 5.40 実測値（％） 76.62 8.78 5.61 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第43図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第44図に示す。約1720c
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
m-1付近にエステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収を
有する。
応用例12 〔テトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）バナ
ジルナフタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン650mg（1.37m mol）、三塩化バナジウム
88mg（1.6m mol）、モリブデン酸アンモニウム3mgおよ
び尿素1.37gを約220℃で約2.5時間よくかきぜながら反
応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様に処理
することによつて光沢のある黒色結晶として、テトラキ
ス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）バナジルナフタ
ロシアニンを556mg得た。この結晶は、下記の分析結果
からテトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）バ
ナジルナフタロシアニンであることを確認した。
ジルナフタロシアニンの合成〕 ６−（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）−2,3−ジシ
アノナフタレン650mg（1.37m mol）、三塩化バナジウム
88mg（1.6m mol）、モリブデン酸アンモニウム3mgおよ
び尿素1.37gを約220℃で約2.5時間よくかきぜながら反
応させた。放冷後、反応混合物を応用例１と同様に処理
することによつて光沢のある黒色結晶として、テトラキ
ス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）バナジルナフタ
ロシアニンを556mg得た。この結晶は、下記の分析結果
からテトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）バ
ナジルナフタロシアニンであることを確認した。
（１）軟化点 135〜138℃ （２）元素分析値： Ｃ Ｈ Ｎ 計算値（％） 75.77 8.61 5.70 実測値（％） 75.25 8.51 6.17 （３）電子スペクトル（CHCl3溶液）を第45図に示す。
（４）IRスペクトル（KBr法）を第46図に示す。約1700c
m-1付近に、エステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収
を有する。
m-1付近に、エステルのＣ＝Ｏ伸縮振動に帰因する吸収
を有する。
試験例１ テトラキス（ｎ−オクチロキシカルボニル）バナジルナ
フタロシアニン2.5g、シリコーン樹脂（信越化学工業
（株）商品名、KR255）5.0g、テトラヒドロフラン92.5g
を配合し、この溶液をボールミル（日本化学陶業製３寸
ポツトミル）で５時間混練した。得られた顔料分散液を
アプリケータによりアルミニウム板（導電体）上に塗工
し、90℃で40分間乾燥して厚さ１μｍの電荷発生層を形
成した。
フタロシアニン2.5g、シリコーン樹脂（信越化学工業
（株）商品名、KR255）5.0g、テトラヒドロフラン92.5g
を配合し、この溶液をボールミル（日本化学陶業製３寸
ポツトミル）で５時間混練した。得られた顔料分散液を
アプリケータによりアルミニウム板（導電体）上に塗工
し、90℃で40分間乾燥して厚さ１μｍの電荷発生層を形
成した。
次に電荷搬送材であるジメチルアミノ（ｏ−エトキシ）
ベンズアルデヒドジフエニルヒドラゾン10g、結合剤と
してポイカーボネート樹脂（ユーピロンＳ−2000,三菱
瓦斯化学社製）10g並びに塩化メチレン40g及び1,1,2−
トリクロロエタン40gを均一に溶解し、上記電荷発生層
を上にアプリケータにより塗工し90℃で40分間乾燥して
厚さ15μｍの電角搬送層を形成して電子写真感光体を得
た。
ベンズアルデヒドジフエニルヒドラゾン10g、結合剤と
してポイカーボネート樹脂（ユーピロンＳ−2000,三菱
瓦斯化学社製）10g並びに塩化メチレン40g及び1,1,2−
トリクロロエタン40gを均一に溶解し、上記電荷発生層
を上にアプリケータにより塗工し90℃で40分間乾燥して
厚さ15μｍの電角搬送層を形成して電子写真感光体を得
た。
このようにして作成した電子写真感光体につき、静電記
録試験装置（川口電機（株）商品名SP−428）を用いて
電子写真特性を測定した。この場合、負5KVのコロナ放
電を10秒間行なつて帯電させ、30秒間暗所に放置後、タ
ングステン灯で、表面が２ルクスになるように露光し、
この時の表面電位の減衰及び時間を記録し、光照射前の
表面電位が1/2になるまでの時間ｔ（秒）と照度（ルク
ス）の積で感度を評価したところ、3.0ルクス・秒と良
好な感度を得た。
録試験装置（川口電機（株）商品名SP−428）を用いて
電子写真特性を測定した。この場合、負5KVのコロナ放
電を10秒間行なつて帯電させ、30秒間暗所に放置後、タ
ングステン灯で、表面が２ルクスになるように露光し、
この時の表面電位の減衰及び時間を記録し、光照射前の
表面電位が1/2になるまでの時間ｔ（秒）と照度（ルク
ス）の積で感度を評価したところ、3.0ルクス・秒と良
好な感度を得た。
試験例２ テトラキス（ｎ−オクチロキシカルボニル）銅ナフタロ
シアニンについて試験例１と同様に電子写真感光体を作
製し測定を行なつたところ、2.3ルクス・秒と良好な結
果を得た。
シアニンについて試験例１と同様に電子写真感光体を作
製し測定を行なつたところ、2.3ルクス・秒と良好な結
果を得た。
試験例３ テトラキス（ｎ−アミロキシカルボニル）バナジルナフ
タロシアニンについて試験例１と同様に電子写真感光体
を作製し測定を行なつたところ、2.8ルクス・秒と良好
な結果を得た。
タロシアニンについて試験例１と同様に電子写真感光体
を作製し測定を行なつたところ、2.8ルクス・秒と良好
な結果を得た。
試験例４ テトラキス（ｎ−アミロキシカルボニル）銅ナフタロシ
アニンについて試験例１と同様に電子写真感光体を作製
し測定を行なつたところ、2.1ルクス・秒と良好な結果
を得た。
アニンについて試験例１と同様に電子写真感光体を作製
し測定を行なつたところ、2.1ルクス・秒と良好な結果
を得た。
試験例５ テトラキス（ｎ−アミロキシカルボニル）亜鉛ナフタロ
シアニンについて試験例１と同様に電子写真感光体を作
製し測定を行なつたところ、2.6ルクス・秒と良好な結
果を得た。
シアニンについて試験例１と同様に電子写真感光体を作
製し測定を行なつたところ、2.6ルクス・秒と良好な結
果を得た。
本発明に係る一般式（Ｉ）で表わされる５−又は６−
（アルコキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレン
は新規化合物であり、これは種々の金属あるいは金属塩
と反応させることにより約600〜850nmの望みの位置に吸
収を持つテトラキス（アルコキシカルボニル）金属ナフ
タロシアニンを高収量で合成できる。このテトラキス
（アルコキシカルボニル）金属ナフタロシアニンは、芳
香族系およびハロゲン系溶媒に可溶で、容易に精製で
き、高純度のものが得られる。さらに、テトラキス（ア
ルコキシカルボニル）金属ナフタロシアニンは、金属を
変えることで、可視〜近赤外光を吸収する能力を著しく
すぐれるものであることから電子写真感光材料等として
有用である。
（アルコキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレン
は新規化合物であり、これは種々の金属あるいは金属塩
と反応させることにより約600〜850nmの望みの位置に吸
収を持つテトラキス（アルコキシカルボニル）金属ナフ
タロシアニンを高収量で合成できる。このテトラキス
（アルコキシカルボニル）金属ナフタロシアニンは、芳
香族系およびハロゲン系溶媒に可溶で、容易に精製で
き、高純度のものが得られる。さらに、テトラキス（ア
ルコキシカルボニル）金属ナフタロシアニンは、金属を
変えることで、可視〜近赤外光を吸収する能力を著しく
すぐれるものであることから電子写真感光材料等として
有用である。
第１図は3,4−ジメチル安息香酸メチルのNMRスペクトル
である。第２図は、3,4−ジメチル安息香酸メチルのIR
スペクトルである。第３図は、3,4−ジメチル安息酸ｎ
−アミルのNMRスペクトルである。第４図は、3,4−ジメ
チル安息香酸ｎ−アミルのIRスペクトルである。第５図
は、3,4−ジメチル安息香酸ｎ−オクチルのNMRスペクト
ルである。第６図は、3,4−ジメチル安息香酸ｎ−オク
チルのIRスペクトルである。第７図は3,4−ビス（ジブ
ロモメチル）安息香酸メチルのNMRスペクトルである。
第８図は3,4−ビス（ジブロモメチル）安息香酸メチル
のIRスペクトルである。第９図は、６−メトキシカルボ
ニル−2,3−ジシアノナフタレンのNMRスペクトルであ
る。第10図は、６−メトキシカルボニル−2,3−ジシア
ノナフタレンのIRスペクトルである。第11図は、６−
（ｎ−アミロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタ
レンのIRスペクトルである。第12図は、６−（ｎ−オク
チロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレンのIR
スペクトルである。第13図は、６−（ｎ−オクタデシロ
キシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレンのNMRスペ
クトルである。第14図は、６−（ｎ−オクタデシロキシ
カルボニル）−2,3−ジシアノナフタレンのIRスペクト
ルである。第15図は、６−（ｎ−テトラデシロキシカル
ボニル）−2,3−ジシアノナフタレンのNMRスペクトルで
ある。第16図は、６−（ｎ−テトラデシロキシカルボニ
ル）−2,3−ジシアノナフタレンのIRスペクトルであ
る。第17図は、６−（ｎ−ヘキサデシキシカルボニル）
−2,3−ジシアノナフタレンのNMRスペクトルである。第
18図は、６−（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）−2,
3−ジシアノナフタレンのIRスペクトルである。第19図
は、６−（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジ
シアノナフタレンのNMRスペクトルである。第20図は、
６−（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジシア
ノナフタレンのIRスペクトルである。第21図は、６−
（ｎ−ドコシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフ
タレンのNMRスペクトルである。第22図は、６−（ｎ−
ドコシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレン
のIRスペクトルである。第23図は、テトラキス（ｎ−ア
ミロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニンの電子
スペクトルである。第24図は、テトラキス（ｎ−アミロ
キシカルボニル）バナジルナフタロシアニンのIRスペク
トルである。第25図は、テトラキス（ｎ−アミロキシカ
ルボニル）銅ナフタロシアニンの電子スペクトルであ
る。第26図は、テトラキス（ｎ−アミロキシカルボニ
ル）銅ナフタロシアニンのIRスペクトルである。第27図
は、テトラキス（ｎ−アミロキカルボニル）亜鉛ナフタ
ロシアニンの電子スペクトルである。第28図は、テトラ
キス（ｎ−アミロキシカルボニル）亜鉛ナフタロシアニ
ンのIRスペクトルである。第29図は、テトラキス（ｎ−
オクチロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニンの
電子スペクトルである。第30図は、テトラキス（ｎ−オ
クチロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニンのIR
スペクトルである。第31図は、テトラキス（ｎ−オクチ
ロキシカルボニル）銅ナフタロシアニンの電子スペクト
ルである。第32図は、テトラキス（ｎ−オクチロキシカ
ルボニル）銅ナフタロシアニンのIRスペクトルである。
第33図は、テトラキス（ｎ−テトラデシロキシカルボニ
ル）バナジルナフタロシアニンの電子スペクトルであ
る。第34図は、テトラキス（ｎ−テトラデシロキカルボ
ニル）バナジルナフタロシアニンのIRスペクトルであ
る。第35図は、テトラキス（ｎ−テトラデシロキシカル
ボニル）銅ナフタロシアニンの電子スペクトルである。
第36図は、テトラキス（ｎ−テトラデシロキシカルボニ
ル）銅ナフタロシアニンのIRスペクトルである。第37図
は、テトラキス（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）バ
ナジルナフタロシアニンの電子スペクトルである。第38
図は、テトラキス（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）
バナジルナフタロシアニンのIRスペクトルである。第39
図は、テトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）
銅ナフタロシアニンの電子スペクトルである。第40図
は、テトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）銅
ナフタロシアニンのIRスペクトルである。第41図は、テ
トラキス（ｎ−エイコシロキシカルボニル）バナジルナ
フタロシアニンの電子スペクトルである。第42図は、テ
トラキス（ｎ−エイコシロキシカルボニル）バナジルナ
フタロシアニンのIRスペクトルである。第43図は、テト
ラキス（ｎ−エイコシロキシカルボニル）銅ナフタロシ
アニンの電子スペクトルである。第44図は、テトラキス
（ｎ−エイコシロキシカルボニル）銅ナフタロシアニン
のIRスペクトルである。第45図は、テトラキス（ｎ−オ
クタデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニン
の電子スペクトルである。第46図は、テトラキス（ｎ−
オクタデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニ
ンのIRスペクトルである。
である。第２図は、3,4−ジメチル安息香酸メチルのIR
スペクトルである。第３図は、3,4−ジメチル安息酸ｎ
−アミルのNMRスペクトルである。第４図は、3,4−ジメ
チル安息香酸ｎ−アミルのIRスペクトルである。第５図
は、3,4−ジメチル安息香酸ｎ−オクチルのNMRスペクト
ルである。第６図は、3,4−ジメチル安息香酸ｎ−オク
チルのIRスペクトルである。第７図は3,4−ビス（ジブ
ロモメチル）安息香酸メチルのNMRスペクトルである。
第８図は3,4−ビス（ジブロモメチル）安息香酸メチル
のIRスペクトルである。第９図は、６−メトキシカルボ
ニル−2,3−ジシアノナフタレンのNMRスペクトルであ
る。第10図は、６−メトキシカルボニル−2,3−ジシア
ノナフタレンのIRスペクトルである。第11図は、６−
（ｎ−アミロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタ
レンのIRスペクトルである。第12図は、６−（ｎ−オク
チロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレンのIR
スペクトルである。第13図は、６−（ｎ−オクタデシロ
キシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレンのNMRスペ
クトルである。第14図は、６−（ｎ−オクタデシロキシ
カルボニル）−2,3−ジシアノナフタレンのIRスペクト
ルである。第15図は、６−（ｎ−テトラデシロキシカル
ボニル）−2,3−ジシアノナフタレンのNMRスペクトルで
ある。第16図は、６−（ｎ−テトラデシロキシカルボニ
ル）−2,3−ジシアノナフタレンのIRスペクトルであ
る。第17図は、６−（ｎ−ヘキサデシキシカルボニル）
−2,3−ジシアノナフタレンのNMRスペクトルである。第
18図は、６−（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）−2,
3−ジシアノナフタレンのIRスペクトルである。第19図
は、６−（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジ
シアノナフタレンのNMRスペクトルである。第20図は、
６−（ｎ−エイコシロキシカルボニル）−2,3−ジシア
ノナフタレンのIRスペクトルである。第21図は、６−
（ｎ−ドコシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフ
タレンのNMRスペクトルである。第22図は、６−（ｎ−
ドコシロキシカルボニル）−2,3−ジシアノナフタレン
のIRスペクトルである。第23図は、テトラキス（ｎ−ア
ミロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニンの電子
スペクトルである。第24図は、テトラキス（ｎ−アミロ
キシカルボニル）バナジルナフタロシアニンのIRスペク
トルである。第25図は、テトラキス（ｎ−アミロキシカ
ルボニル）銅ナフタロシアニンの電子スペクトルであ
る。第26図は、テトラキス（ｎ−アミロキシカルボニ
ル）銅ナフタロシアニンのIRスペクトルである。第27図
は、テトラキス（ｎ−アミロキカルボニル）亜鉛ナフタ
ロシアニンの電子スペクトルである。第28図は、テトラ
キス（ｎ−アミロキシカルボニル）亜鉛ナフタロシアニ
ンのIRスペクトルである。第29図は、テトラキス（ｎ−
オクチロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニンの
電子スペクトルである。第30図は、テトラキス（ｎ−オ
クチロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニンのIR
スペクトルである。第31図は、テトラキス（ｎ−オクチ
ロキシカルボニル）銅ナフタロシアニンの電子スペクト
ルである。第32図は、テトラキス（ｎ−オクチロキシカ
ルボニル）銅ナフタロシアニンのIRスペクトルである。
第33図は、テトラキス（ｎ−テトラデシロキシカルボニ
ル）バナジルナフタロシアニンの電子スペクトルであ
る。第34図は、テトラキス（ｎ−テトラデシロキカルボ
ニル）バナジルナフタロシアニンのIRスペクトルであ
る。第35図は、テトラキス（ｎ−テトラデシロキシカル
ボニル）銅ナフタロシアニンの電子スペクトルである。
第36図は、テトラキス（ｎ−テトラデシロキシカルボニ
ル）銅ナフタロシアニンのIRスペクトルである。第37図
は、テトラキス（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）バ
ナジルナフタロシアニンの電子スペクトルである。第38
図は、テトラキス（ｎ−ヘキサデシロキシカルボニル）
バナジルナフタロシアニンのIRスペクトルである。第39
図は、テトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）
銅ナフタロシアニンの電子スペクトルである。第40図
は、テトラキス（ｎ−オクタデシロキシカルボニル）銅
ナフタロシアニンのIRスペクトルである。第41図は、テ
トラキス（ｎ−エイコシロキシカルボニル）バナジルナ
フタロシアニンの電子スペクトルである。第42図は、テ
トラキス（ｎ−エイコシロキシカルボニル）バナジルナ
フタロシアニンのIRスペクトルである。第43図は、テト
ラキス（ｎ−エイコシロキシカルボニル）銅ナフタロシ
アニンの電子スペクトルである。第44図は、テトラキス
（ｎ−エイコシロキシカルボニル）銅ナフタロシアニン
のIRスペクトルである。第45図は、テトラキス（ｎ−オ
クタデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニン
の電子スペクトルである。第46図は、テトラキス（ｎ−
オクタデシロキシカルボニル）バナジルナフタロシアニ
ンのIRスペクトルである。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） （ただし、式中Ｒは、炭素数１〜22個のアルキル基を示
す）で表わされる５−又は６−アルコキシカルボニル−
2,3−ジシアノナフタレン。 - 【請求項２】一般式（II） （ただし、式中Ｒは、炭素数１〜22個のアルキル基を示
す）で表わされる2,3−又は3,4−ジメチル安息香酸アル
キルを 式（III） で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミドと反応させ一般
式（IV） （ただし、式中Ｒは、炭素数１〜22個のアルキル基を示
す）で表わされる化合物を得、次にこれを式（Ｖ） で表わされるフマロニトリルと反応させて、一般式
（Ｉ） （ただし、式中Ｒは、炭素数１〜22個のアルキル基を示
す）で表わされる５−又は６−アルコキシカルボニル−
2,3−ジシアノナフタレンを合成すること又は一般式
（Ｉ）で表わされる化合物を、一般式（VI） R1OH （VI） （ただし、式中R1はＲとは異なる炭素数１〜22個のアル
キル基を示す）で表わされるアルコールと反応させて、 一般式（Ｉ′） （ただし、式中R1は一般式（VI）におけると同じ）で表
わされる５−又は６−アルコキシカルボニル−2,3−ジ
シアノナフタレンを合成することを特徴とする５−又は
６−アルコキシカルボニル−2,3−ジシアノナフタレン
の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6831687 | 1987-03-23 | ||
| JP62-68316 | 1987-03-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS646249A JPS646249A (en) | 1989-01-10 |
| JPH0749411B2 true JPH0749411B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=13370292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63067581A Expired - Fee Related JPH0749411B2 (ja) | 1987-03-23 | 1988-03-22 | ５−又は６−アルコキシカルボニル−２，３−ジシアノナフタレンおよびその製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4833264A (ja) |
| EP (1) | EP0284369B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0749411B2 (ja) |
| DE (1) | DE3871208D1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63186251A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属ナフタロシアニン誘導体膜及び電子写真感光体 |
| EP0502723B1 (en) * | 1991-03-05 | 1996-10-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Water-soluble tetraazaporphins and fluorochrome for labeling |
| JP2003081292A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Kyouei Kk | 商品包装袋 |
| US7122076B2 (en) | 2004-08-09 | 2006-10-17 | Silverbrook Research Pty Ltd | Synthetically expedient water-dispersible IR dyes |
| EP1778698A4 (en) | 2004-08-09 | 2009-07-15 | Silverbrook Res Pty Ltd | SYNTHETICALLY OPPORTUNITY HYDRODISPERSABLE IR COLORANTS HAVING IMPROVED SOLIDITY IN THE LIGHT |
| CN114773189B (zh) * | 2022-04-18 | 2024-04-19 | 南通大学 | 一种羧酸酯化的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61215663A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | Yamamoto Kagaku Gosei Kk | ナフタロシアニン化合物 |
| US4740620A (en) * | 1985-11-08 | 1988-04-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Alkylation of aromatic amines in the presence of acidic, crystalline molecular sieves |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP63067581A patent/JPH0749411B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-23 EP EP88302563A patent/EP0284369B1/en not_active Expired
- 1988-03-23 US US07/172,290 patent/US4833264A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-23 DE DE8888302563T patent/DE3871208D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4833264A (en) | 1989-05-23 |
| EP0284369B1 (en) | 1992-05-20 |
| EP0284369A3 (en) | 1989-10-18 |
| JPS646249A (en) | 1989-01-10 |
| EP0284369A2 (en) | 1988-09-28 |
| DE3871208D1 (de) | 1992-06-25 |
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|---|---|---|---|
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