JPH0746058A - 入力バイアス回路 - Google Patents

入力バイアス回路

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Publication number
JPH0746058A
JPH0746058A JP5188485A JP18848593A JPH0746058A JP H0746058 A JPH0746058 A JP H0746058A JP 5188485 A JP5188485 A JP 5188485A JP 18848593 A JP18848593 A JP 18848593A JP H0746058 A JPH0746058 A JP H0746058A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
bias
input
collector
resistance
Prior art date
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Pending
Application number
JP5188485A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruo Shimada
晴夫 島田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsumi Electric Co Ltd filed Critical Mitsumi Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 次段回路に供給する入力信号をバイアスする
入力バイアス回路に関し、回路的にバイアス抵抗を大き
くすることにより安価にIC化が行なえる入力バイアス
回路を提供することを目的とする。 【構成】 バイアス制御電圧VCOM と入力電圧Vi との
差に応じて実抵抗RX に流れる電流Ix を制御すること
により実抵抗Rx 間の電圧を一定とし、実抵抗R x は小
さいまま入力インピーダンスの増加を計る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は入力バイアス回路に係
り、特に次段回路に供給する入力信号をバイアスする入
力バイアス回路に関する。
【0002】
【従来の技術】各種回路に信号を入力する場合、カップ
リングコンデンサを介して前段回路の直流成分を除去
し、入力バイアス回路等で、次段回路の処理で必要とす
る分の直流成分を新めてバイアスし、入力するのが一般
的である。
【0003】図3に従来の入力回路の一例の構成図を示
す。同図中、11は信号源、CIN2はカップリングコン
デンサ、12は入力バイアス回路、13は次段回路を示
す。信号源11はカップリングコンデンサCIN2 を介し
て次段回路13に接続される。
【0004】カップリングコンデンサCIN2 と次段回路
13との接続点には入力バイアス回路12が接続され
る。入力バイアス回路12はNPNトランジスタQ21
び抵抗RIN1 ,RIN2 より構成される。
【0005】NPNトランジスタQ21はベースにバイア
ス制御電圧VCOM が供給され、コレクタに定電圧Vcc
供給され、エミッタが抵抗RIN1 を介して次段回路13
及びカップリングコンデンサCIN2 に接続されると共に
抵抗RIN2 を介して接地されていた。カップリングコン
デンサCIN2 を介して供給された入力信号はバイアス電
圧VCOM に応じてバイアスされ、次段回路13に供給さ
れていた。
【0006】このとき、次段回路13の入力信号V
i は、
【0007】
【数1】
【0008】であらわされる。したがって、カップリン
グコンデンサCIN2 を低減させようとすると抵抗RIN1
を大きくする必要があった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の入力
バイアス回路では抵抗RIN1 の抵抗値を大きくする必要
があり、したがって、IC化した場合などには高抵抗プ
ロセスが必要となり、コストが上昇してしまう等の問題
点があった。
【0010】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、回路的にバイアス抵抗を大きくすることにより安価
にIC化が行なえる入力バイアス回路を提供することを
目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、バイアス制御
信号に応じたバイアスレベルで入力信号をバイアスする
入力バイアス回路おいて、前記バイアス制御信号と前記
入力信号との間に設けられた実抵抗と、前記バイアス制
御信号と前記入力信号とのレベル差を検出する検出手段
と、前記検出手段で検出したレベル差に応じて前記実抵
抗に流れる電流を制御する電流制御手段とを具備してな
る。
【0012】
【作用】本発明によれば、バイアス制御信号と入力信号
とのレベル差に応じて実抵抗に流れる電流を制御するこ
とにより実抵抗間の電圧をバイアス電圧に保持し、回路
的に入力インピーダンスを大きくしているため、実抵抗
の値は小さいまま、入力インピーダンスのみを大きくす
ることができる。
【0013】
【実施例】図1に本発明の一実施例の構成図を示す。同
図中、1は信号源、2は入力抵抗回路、3は次段回路、
INはカップリングコンデンサを示す。
【0014】信号源1はカップリングコンデンサCIN1
を介して次段回路3の入力端子TINに接続される。カッ
プリングコンデンサCIN1 と次段回路3の入力端子TIN
と接続点には入力バイアス回路2が接続される。
【0015】入力バイアス回路2はマルチコレクタPN
PトランジスタQ3 ,Q4 、NPNトランジスタQ1
2 ,Q5 ,Q6 ,Q7 ,Q8 、抵抗Rx より構成され
る。
【0016】NPNトランジスタQ1 はベースがバイア
ス制御電圧VCOM が供給される制御端子TCOM と接続さ
れ、バイアス制御電圧VCOM に応じてコレクタ電流I1
を制御する。コレクタ電流I1 はバイアス制御電圧V
COM が大きいほど大きくなるように制御される。
【0017】NPNトランジスタQ1 のコレクタはマル
チコレクタPNPトランジスタQ4のベースに接続され
ている。マルチコレクタトランジスタQ4 は第1のコレ
クタと第2のコレクタとの電流比が1:nとなるように
コレクタ面積が形成されており、第1のコレクタは次段
回路3の入力端子TINに接続され、第2のコレクタは自
身のベースに接続される。
【0018】NPNトランジスタQ2 はベースが次段回
路3の入力端子TINに接続され、入力電圧Vi が供給さ
れる構成とされ、入力電圧に応じてコレクタ電流I2
制御する。NPNトランジスタQ2 のコレクタはマルチ
コレクタPNPトランジスタQ3 のベースに接続されて
いる。マルチコレクタトランジスタQ3 は第1のコレク
タと第2のコレクタとの電流比が1:nとなるようにコ
レクタ面積が設定されており、第1のコレクタはNPN
トランジスタQ6 と共にカレントミラー回路を構成する
NPNトランジスタQ5 のコレクタ及びベースと接続さ
れ、第2のコレクタは自身のベースに接続される。
【0019】NPNトランジスタQ5 と共にカレントミ
ラー回路を構成するNPNトランジスタQ6 のコレクタ
は次段回路3の入力端子TINに接続される。なお、カレ
ントミラー回路を構成するNPNトランジスタQ5 ,Q
6 のエミッタは共に接地される。
【0020】また、NPNトランジスタQ1 のエミッタ
とNPNトランジスタQ2 のエミッタとは定電流回路を
構成するNPNトランジスタQ7 ,Q8 のコレクタに接
続されると共に互いに実抵抗Rx を介して接続される。
定電流回路を構成するNPNトランジスタQ7 ,Q8
エミッタが共に接地され、ベースには定電圧VBBが印加
され、定電流I0 をNPNトランジスタQ7 ,Q8 のエ
ミッタに流す。
【0021】次に、本実施例の動作について説明する。
本実施例の回路においてトランジスタの電流増幅率β=
∞、各トランジスタのベースエミッタ間電圧VBB=一定
であるとすれば、実抵抗Rx に流れる電流Ix は,、 Ix =(1/Rx )(Vi −VCOM ) …(1) で表わされる。
【0022】ここで、NPNトランジスタQ1 ,Q2
コレクタ電流I1 ,I2 は定電流回路を構成するNPN
トランジスタQ7 ,Q8 に流れる電流をI0 とすると、 I1 =I0 −Ix …(2) I2 =I0 +Ix …(3) で表わされる。
【0023】また、マルチコレクタトランジスタQ3
4 のコレクタ電流比より、 Ii =(I2 /n)−(I1 /n) …(4) で表わされる。
【0024】式(4)に式(2),(3)を代入する
と、 Ii ={(I0 +Ix )−(I0 −Ix )}/n =2Ix /n …(5) したがって、式(5)より Ix =(n/2)Ii …(6) 式(6)を式(1)に代入すると、 (n/2)Ii =(1/Rx )(Vi −VCOM ) …(7) したがって、 Ii =(n/2)(1/Rx )(Vi −VCOM ) …(8) で表わされる。
【0025】ここで、VCOM =0とすれば入力インピー
ダンスZi は、 Zi =Vi /Ii =(n/2)Rx …(9) で表わされることになる。
【0026】したがって、マルチコレクタトランジスタ
3 ,Q4 のコレクタ比を適当に取れば、入力インピー
ダンスZi は実抵抗Rx のn/2の入力抵抗を実現でき
る。
【0027】これにより、カップリングコンデンサC
IN1 は2/n小さくすることができる。
【0028】なお、このとき、入力ダイナミックレンジ
DRは、 DR=2Rx 0 〔VP-P 〕 となる。
【0029】以上のように本実施例によれば、入力バイ
アス抵抗の実抵抗Rx の値を大きくすることなく、回路
的にバイアス抵抗を大きくしているため、カップリング
コンデンサの容量を小さくしても実抵抗として高抵抗が
不要となり、IC化する際に高抵抗プロセスが不要とな
り、したがって、ICを安価に製造し得、カップリング
コンデンサのコストダウン及びICのコストダウンが可
能となる。
【0030】図2に本発明の他の実施例の構成図を示
す。同図中、図1と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。
【0031】本実施例はマルチコレクタトランジスタQ
3 ,Q4 に代え、カレントミラー回路を構成するPNP
トランジスタQ11,Q12,Q13,Q14及び抵抗RE1,R
E2,RE3,RE4をトランジスタQ1 ,Q2 ,Q5 ,Q6
のコレクタ側に接続してなる。
【0032】本実施例では抵抗比RE1:RE2、RE3:R
E4の値を変えることにより電流I1,I2 の比を変え入
力インピーダンスを可変できると共に、実抵抗Rx も可
変することができ、設定の自由度も増加させることがで
きる。
【0033】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、高入力バ
イアス抵抗が不要となるため、カップリングコンデンサ
の容量を低減でき、カップリングコンデンサを安価なも
のとすることができると共に、IC化した場合にも高抵
抗プロセスが不要となるため、容易かつ、安価に製造で
きる等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成図である。
【図2】本発明の他の実施例の構成図である。
【図3】従来の一例の構成図である。
【符号の説明】
1 信号源 2 入力バイアス回路 3 次段回路 CIN カップリングコンデンサ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バイアス制御信号に応じたバイアスレベ
    ルで入力信号をバイアスする入力バイアス回路おいて、 前記バイアス制御信号と前記入力信号との間に設けられ
    た実抵抗と、 前記バイアス制御信号と前記入力信号とのレベル差を検
    出する検出手段と、 前記検出手段で検出したレベル差に応じて前記実抵抗に
    流れる電流を制御する電流制御手段とを具備することを
    特徴とする入力バイアス回路。
JP5188485A 1993-07-29 1993-07-29 入力バイアス回路 Pending JPH0746058A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5188485A JPH0746058A (ja) 1993-07-29 1993-07-29 入力バイアス回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5188485A JPH0746058A (ja) 1993-07-29 1993-07-29 入力バイアス回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0746058A true JPH0746058A (ja) 1995-02-14

Family

ID=16224564

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JP5188485A Pending JPH0746058A (ja) 1993-07-29 1993-07-29 入力バイアス回路

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