JPH0738406B2 - 半導体処理室の取り外し可能なシャッター装置 - Google Patents
半導体処理室の取り外し可能なシャッター装置Info
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- JPH0738406B2 JPH0738406B2 JP4155552A JP15555292A JPH0738406B2 JP H0738406 B2 JPH0738406 B2 JP H0738406B2 JP 4155552 A JP4155552 A JP 4155552A JP 15555292 A JP15555292 A JP 15555292A JP H0738406 B2 JPH0738406 B2 JP H0738406B2
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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Description
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には、基板面処
理装置に関し、特に、半導体処理室又は他の蒸着室もし
くはエッチング処理室の基板露光開口部を閉塞するのに
使用される取り外し可能なシャッター機構に関する。
理装置に関し、特に、半導体処理室又は他の蒸着室もし
くはエッチング処理室の基板露光開口部を閉塞するのに
使用される取り外し可能なシャッター機構に関する。
【従来の技術】スパッタリング技術を使用して、半導体
ウェーハの表面に金属又は金属酸化物を被覆すること
は、半導体処理工業では、普通に実施されることであ
り、このスパッタリング技術では、ウェーハを排気した
室の中に配置し、金属材料を陽極から電気的に離し、こ
れをウェーハ表面に被覆する。ウェーハは、通常、ロボ
ット式機構によって処理室に出し入れされる。従来は、
ウェーハを処理室の中に入れ或いは処理室から取り出す
たびに、被覆処理を中断するか、或いは、スパッタリン
グ作業が連続的である場合には、ウェーハによって通常
占められる開口部を塞ぐための或る形式のシャッター機
構を設けるかのいずれかであった。
ウェーハの表面に金属又は金属酸化物を被覆すること
は、半導体処理工業では、普通に実施されることであ
り、このスパッタリング技術では、ウェーハを排気した
室の中に配置し、金属材料を陽極から電気的に離し、こ
れをウェーハ表面に被覆する。ウェーハは、通常、ロボ
ット式機構によって処理室に出し入れされる。従来は、
ウェーハを処理室の中に入れ或いは処理室から取り出す
たびに、被覆処理を中断するか、或いは、スパッタリン
グ作業が連続的である場合には、ウェーハによって通常
占められる開口部を塞ぐための或る形式のシャッター機
構を設けるかのいずれかであった。
【発明が解決しようとする課題】最初の場合、第１の不
利な点は、被覆作業を延長したり、縮小したりして時間
を考慮しなければならないので、システムの処理量が減
少することにある。第２の場合を実施する装置は、図面
の図１に示され、ハウジング１０及び閉鎖体１２によっ
て形成された排気可能な室を有し、閉鎖体の下面は、シ
ステム陽極として役立つ金属プレートによって形成され
る。また、４本の直立したフィンガー１９を有するリフ
ト組立体１８によって加熱板１７上に支持されて示され
たウェーハ１６上にスパッタされる材料源も描かれてい
る。システム陰極は、中央開口部２２を有するボウル２
０によって形成される。内環の周りにリップ２６を形成
した環状の締付機構２４は、ボウル２０の底部にあり、
ウェーハがリフト組立体１８によって破線１６′で示す
被覆位置に持ち上げられるとき、ウェーハ１６の外周
が、このリップに係合するようになっている。加熱板１
７は、実線で示す下部位置と、破線１９′で示すウェー
ハ１６′の真上の上部位置との間を移動できる。ウェー
ハ１６の取り出し及び交換の間、被覆開口部２２を閉塞
するために、通常側部に位置決めされたシャッター３２
は、被覆イオンの進路を阻止するために、破線３２′で
示す位置に移動される。被覆材料が、シャッター３２、
陰極２０及び締付リング２４の表面上に形成するので、
シャッター３２は、その接触を防止するのに十分な間隔
をそれらの要素の上に位置決めしなければならない。従
って、効果的にするために、シャッター３２はウェーハ
よりも大きくなければならない。これは、シャッターに
よって覆われた締付機構の内周面部分を、シャッターが
所定位置にある時間中、修繕することができないことを
意味する。従って、締付けに近ずくように、室を定期的
に開放しなければならない。さらに、反応ガスを室内に
導入して、金属イオンと反応させ金属酸化物を形成する
場合、シャッターに被覆する酸化物は、多少脆く、取り
除かないで、砕けてはげ落ち、室を汚染する。従って、
特定なシャッターを一定時間のみ使用し、その後、シャ
ッターの交換のために室を開放しなければならない。こ
のことは、もちろん、装置の効率を制限し、システムの
信頼性に影響を及ぼす。同様な装置がエッチング工程や
他の蒸着工程を実施するのに使用され、上で指摘した同
じ又は同様な不利の点を受ける。
利な点は、被覆作業を延長したり、縮小したりして時間
を考慮しなければならないので、システムの処理量が減
少することにある。第２の場合を実施する装置は、図面
の図１に示され、ハウジング１０及び閉鎖体１２によっ
て形成された排気可能な室を有し、閉鎖体の下面は、シ
ステム陽極として役立つ金属プレートによって形成され
る。また、４本の直立したフィンガー１９を有するリフ
ト組立体１８によって加熱板１７上に支持されて示され
たウェーハ１６上にスパッタされる材料源も描かれてい
る。システム陰極は、中央開口部２２を有するボウル２
０によって形成される。内環の周りにリップ２６を形成
した環状の締付機構２４は、ボウル２０の底部にあり、
ウェーハがリフト組立体１８によって破線１６′で示す
被覆位置に持ち上げられるとき、ウェーハ１６の外周
が、このリップに係合するようになっている。加熱板１
７は、実線で示す下部位置と、破線１９′で示すウェー
ハ１６′の真上の上部位置との間を移動できる。ウェー
ハ１６の取り出し及び交換の間、被覆開口部２２を閉塞
するために、通常側部に位置決めされたシャッター３２
は、被覆イオンの進路を阻止するために、破線３２′で
示す位置に移動される。被覆材料が、シャッター３２、
陰極２０及び締付リング２４の表面上に形成するので、
シャッター３２は、その接触を防止するのに十分な間隔
をそれらの要素の上に位置決めしなければならない。従
って、効果的にするために、シャッター３２はウェーハ
よりも大きくなければならない。これは、シャッターに
よって覆われた締付機構の内周面部分を、シャッターが
所定位置にある時間中、修繕することができないことを
意味する。従って、締付けに近ずくように、室を定期的
に開放しなければならない。さらに、反応ガスを室内に
導入して、金属イオンと反応させ金属酸化物を形成する
場合、シャッターに被覆する酸化物は、多少脆く、取り
除かないで、砕けてはげ落ち、室を汚染する。従って、
特定なシャッターを一定時間のみ使用し、その後、シャ
ッターの交換のために室を開放しなければならない。こ
のことは、もちろん、装置の効率を制限し、システムの
信頼性に影響を及ぼす。同様な装置がエッチング工程や
他の蒸着工程を実施するのに使用され、上で指摘した同
じ又は同様な不利の点を受ける。
【課題を解決するための手段】概略的には、本発明の好
ましい実施例は、処理室内に配置され、処理すべきウェ
ーハ又は他の基板の形状のシャッタープレートを、後退
位置と延長位置の間を搬送するようになったスパッタリ
ング機構を有し、延長位置は、あたかも、それが被膜或
いは処理されるべきウェーハであるように、ウェーハが
リフト組立体によって係合され、普通の処理開口部を閉
じる位置に移動される。新しい基板が処理する準備の整
う時、リフト組立体は、シャッタープレートをシャッタ
ー搬送機構上に下げ、通常の基板取扱い及び処理作業か
らはずれて後退位置へ移動される。シャッタープレート
は処理すべき基板と幾何学的に同様であり、同じリフト
組立体によって扱われるので、基板を室に出し入れする
のに使用される同じロボット式シャッター機構が、装置
を止めないで、使用済のシャッタープレートを取り出
し、これを新しいプレートと交換するのに用いることが
できる。本発明の重要な利点は、シャッターが、基板の
処理中基板によって閉じられたちょうど同じ処理開口部
を閉塞し、かくして″影にする″、ことである。
ましい実施例は、処理室内に配置され、処理すべきウェ
ーハ又は他の基板の形状のシャッタープレートを、後退
位置と延長位置の間を搬送するようになったスパッタリ
ング機構を有し、延長位置は、あたかも、それが被膜或
いは処理されるべきウェーハであるように、ウェーハが
リフト組立体によって係合され、普通の処理開口部を閉
じる位置に移動される。新しい基板が処理する準備の整
う時、リフト組立体は、シャッタープレートをシャッタ
ー搬送機構上に下げ、通常の基板取扱い及び処理作業か
らはずれて後退位置へ移動される。シャッタープレート
は処理すべき基板と幾何学的に同様であり、同じリフト
組立体によって扱われるので、基板を室に出し入れする
のに使用される同じロボット式シャッター機構が、装置
を止めないで、使用済のシャッタープレートを取り出
し、これを新しいプレートと交換するのに用いることが
できる。本発明の重要な利点は、シャッターが、基板の
処理中基板によって閉じられたちょうど同じ処理開口部
を閉塞し、かくして″影にする″、ことである。
【実施例】今、図面の図２を参照すると、本発明の好ま
しい実施例を、半導体ウェーハ上に金属コーティングを
スパッタするようになった装置で実行している状態を示
す。そのような実施例では、ハウジング４０が、排気可
能な処理室４２を形成し、処理室４２の上部は、金属を
陽極板４４からウェーハ４６″の上面にスパッタするス
パッタリング領域を形成する。処理室４２は、頂部が開
放でき、ハウジング４０の頂部に形成された円形の開口
部４５の中へに延びる陽極板４４を含む陽極組立体４３
によって閉鎖される。閉鎖体４３は、絶縁リング４７に
よってハウジング４０から電気絶縁され、弾性Ｏ−リン
グ４９によってハウジング４０から空気的に密封される
ことを留意するべきである。スパッタリング領域４８
は、陽極板４４、底部に形成された中央開口部３６を有
する陰極形成ボウル５０、内周３７が被覆した口又は開
口部３８を構成したウェーハ締付部５２によって構成さ
れている。陽極と陰極はこの技術でよく知られている方
法で電気接続されている。ウェーハ加熱板５４及びリフ
ト組立体５６が４つの直立したウェーハ係合フィンガー
５７を含む室４２内に配置される。。加熱板５４は、実
線で示した如き下部位置と、所定箇所のウェーハ４６″
のすぐ下に位置する破線５４′で示した上部位置との間
を、アクチュエータ５８によって移動される。さらに以
下で説明するように、リフト組立体５６は実線で示した
下部位置と、破線５６′で示した上部位置との間をアク
チュエータ５８によって移動される。破線５１′で示す
ように、ウェーハをスリット５５を通し、室４２に出し
入れするロボット式ウェーハ搬送機構５３のシャッター
ブレード５１の連絡通路４１が、ハウジング４０の一方
から延びている。副室６２を形成する延長したハウジン
グ６０が、図示のように、ハウジング４０の右側から延
び、その副室６２は、スリット６４によって室４２と連
通し、シャッタープレート６６及び関連した搬送アーム
６８の引込み区画室を形成する。アーム６８は、回転ア
クチュエータ７２の回転軸７０に連結され、図３にもっ
と明瞭に示すように、図示した引込位置６８から加熱板
５４より上にある延長位置６８′まで、旋回する。今、
図２のほぼ３―３線における断面平面図である図３に戻
ると、、開示を便宜かつ明白にするために、図２にはあ
る作図的手法がとられ、図３の２―２線における断面図
を展開し二次元的に示すことを理解すべきである。図示
のように、シャッタープレート６６は、搬送アームベー
ス部分６７上に載り、直立したリブ又はリップ６９によ
って所定箇所に保持され、室６２内の引込位置６８から
加熱板５４の上に位置する延長位置６８′まで旋回され
ることができる。シャッタープレート６６は、普通、処
理すべきウェーハと実質的に同様に形成されたディスク
であり、金属、セラミック、又は他の適用可能な材料で
作られる。作動中、図２及び図３を同時に参照すると、
ロボット機構５３の搬送ブレード５１の頂部に載ったウ
ェーハ４６を、スリット５５を通し、位置４６′へ移動
させることができ、この位置で、ウェーハをリフトフィ
ンガー５７によってブレード５１から被覆位置４６″
（開口部３８内）へ持ち上げることができる。図３で、
リフト組立体５６は、ブレード５１が位置５１′にある
ときに、ブレード５１のための隙間を作るために６３で
開放するアーム６１を含むヨーク板構造物を有すること
を気付く。ブレード５１が引き込められるとすぐに、加
熱板５４は、ウェーハ４６″の底面の真下のウェーハ加
熱位置へ持ち上げられる。加熱板５４には、リフトフィ
ンガー５７のための隙間を作るために切欠き５９が設け
られていることに気付く。ウェーハ，リフト組立体及び
加熱板は、被覆工程を実施する所定時間、上昇位置にと
どまり、その被覆工程後、加熱板５４を下げられ、ロボ
ットシャッターブレード５１は位置５１′へ再び入れら
れ、リフト組立体５６によって、ウェーハ４６″を４
６′（図２）で示す如きブレード５１′上へ下げる。次
いで、組立体５６は、ウェーハ４６′がフィンガー５７
から離れ、ブレード５１によって取り出されるまで下げ
続ける。ブレード５１によって、ウェーハ４６′が加熱
板５４の頂面を離れるとすぐに、アクチュエータ７２が
付勢されて、アーム６８及びシャッタープレート６６
を、加熱板５４の上でフィンガー５７と整列した位置
へ、旋回させる。次いで、アクチュエータ５９が付勢さ
れて、リフト組立体５６を上昇させ、シャッタープレー
ト６６と係合させ、昇降プレート６６をアーム６８から
上昇させ、ウェーハ４６″によって以前占められた表面
被覆位置へ上方に移動させ続ける。これは、被覆口又は
開口部３８を効果的に閉じ、装置を運転し続けるように
する。新しいウェーハが被覆する準備が整うと、工程サ
イクルを逆転し、シャッタープレートを室６２へ後退さ
せ、新しいウェーハを被覆位置へ移動する。
しい実施例を、半導体ウェーハ上に金属コーティングを
スパッタするようになった装置で実行している状態を示
す。そのような実施例では、ハウジング４０が、排気可
能な処理室４２を形成し、処理室４２の上部は、金属を
陽極板４４からウェーハ４６″の上面にスパッタするス
パッタリング領域を形成する。処理室４２は、頂部が開
放でき、ハウジング４０の頂部に形成された円形の開口
部４５の中へに延びる陽極板４４を含む陽極組立体４３
によって閉鎖される。閉鎖体４３は、絶縁リング４７に
よってハウジング４０から電気絶縁され、弾性Ｏ−リン
グ４９によってハウジング４０から空気的に密封される
ことを留意するべきである。スパッタリング領域４８
は、陽極板４４、底部に形成された中央開口部３６を有
する陰極形成ボウル５０、内周３７が被覆した口又は開
口部３８を構成したウェーハ締付部５２によって構成さ
れている。陽極と陰極はこの技術でよく知られている方
法で電気接続されている。ウェーハ加熱板５４及びリフ
ト組立体５６が４つの直立したウェーハ係合フィンガー
５７を含む室４２内に配置される。。加熱板５４は、実
線で示した如き下部位置と、所定箇所のウェーハ４６″
のすぐ下に位置する破線５４′で示した上部位置との間
を、アクチュエータ５８によって移動される。さらに以
下で説明するように、リフト組立体５６は実線で示した
下部位置と、破線５６′で示した上部位置との間をアク
チュエータ５８によって移動される。破線５１′で示す
ように、ウェーハをスリット５５を通し、室４２に出し
入れするロボット式ウェーハ搬送機構５３のシャッター
ブレード５１の連絡通路４１が、ハウジング４０の一方
から延びている。副室６２を形成する延長したハウジン
グ６０が、図示のように、ハウジング４０の右側から延
び、その副室６２は、スリット６４によって室４２と連
通し、シャッタープレート６６及び関連した搬送アーム
６８の引込み区画室を形成する。アーム６８は、回転ア
クチュエータ７２の回転軸７０に連結され、図３にもっ
と明瞭に示すように、図示した引込位置６８から加熱板
５４より上にある延長位置６８′まで、旋回する。今、
図２のほぼ３―３線における断面平面図である図３に戻
ると、、開示を便宜かつ明白にするために、図２にはあ
る作図的手法がとられ、図３の２―２線における断面図
を展開し二次元的に示すことを理解すべきである。図示
のように、シャッタープレート６６は、搬送アームベー
ス部分６７上に載り、直立したリブ又はリップ６９によ
って所定箇所に保持され、室６２内の引込位置６８から
加熱板５４の上に位置する延長位置６８′まで旋回され
ることができる。シャッタープレート６６は、普通、処
理すべきウェーハと実質的に同様に形成されたディスク
であり、金属、セラミック、又は他の適用可能な材料で
作られる。作動中、図２及び図３を同時に参照すると、
ロボット機構５３の搬送ブレード５１の頂部に載ったウ
ェーハ４６を、スリット５５を通し、位置４６′へ移動
させることができ、この位置で、ウェーハをリフトフィ
ンガー５７によってブレード５１から被覆位置４６″
（開口部３８内）へ持ち上げることができる。図３で、
リフト組立体５６は、ブレード５１が位置５１′にある
ときに、ブレード５１のための隙間を作るために６３で
開放するアーム６１を含むヨーク板構造物を有すること
を気付く。ブレード５１が引き込められるとすぐに、加
熱板５４は、ウェーハ４６″の底面の真下のウェーハ加
熱位置へ持ち上げられる。加熱板５４には、リフトフィ
ンガー５７のための隙間を作るために切欠き５９が設け
られていることに気付く。ウェーハ，リフト組立体及び
加熱板は、被覆工程を実施する所定時間、上昇位置にと
どまり、その被覆工程後、加熱板５４を下げられ、ロボ
ットシャッターブレード５１は位置５１′へ再び入れら
れ、リフト組立体５６によって、ウェーハ４６″を４
６′（図２）で示す如きブレード５１′上へ下げる。次
いで、組立体５６は、ウェーハ４６′がフィンガー５７
から離れ、ブレード５１によって取り出されるまで下げ
続ける。ブレード５１によって、ウェーハ４６′が加熱
板５４の頂面を離れるとすぐに、アクチュエータ７２が
付勢されて、アーム６８及びシャッタープレート６６
を、加熱板５４の上でフィンガー５７と整列した位置
へ、旋回させる。次いで、アクチュエータ５９が付勢さ
れて、リフト組立体５６を上昇させ、シャッタープレー
ト６６と係合させ、昇降プレート６６をアーム６８から
上昇させ、ウェーハ４６″によって以前占められた表面
被覆位置へ上方に移動させ続ける。これは、被覆口又は
開口部３８を効果的に閉じ、装置を運転し続けるように
する。新しいウェーハが被覆する準備が整うと、工程サ
イクルを逆転し、シャッタープレートを室６２へ後退さ
せ、新しいウェーハを被覆位置へ移動する。
【発明の効果】ウェーハ４６″を取り出し、これをシャ
ッタープレート６６′で置き換え或いはその逆にシャッ
タープレートを引き込め、これをウェーハで置き換える
のにい要する時間が非常に短いので、その間、被覆材料
は開口部３８をほとんど通過しない。このことは、室の
温度及び圧力を、実質的に一定に保持することができ、
その結果、ウェーハ間の被覆の質がより均一になること
を意味する。本発明の他の利点は、リフト部材５６が、
同じ方法でウェーハとシャッタープレートの両方を持ち
上げ、両方とも実質的に同じ大きさや形状のものである
のが、交換サイクルを定期的に変更して、″飛行中″、
シャッタープレートを取り出して交換することができ
る。即ち、シャッタープレートの交換を望むときに、シ
ャッタープレートを搬送アーム６８上へ下げる代わり
に、アームを側方の空部へ旋回でき、シャッターブレー
ド５１を加熱板５４の上の位置に入れることができる。
次いで、シャッタープレートは、ブレード５１上へ下げ
られ、ブレード５１によって排出ビン又はクリーニング
室へ搬送される。次いで、新しいシャッタープレート
は、ブレード５１で室４２に戻され、ここで、組立体５
６によって新しいシャッタープレートをブレード５１か
ら持ち上げることができ、次いで、回転するために、搬
送アーム６８上に下げて、その機能的な役割を回復する
ことができる。これは、もちろん、従来得られなかった
高水準のシステムの信頼性と能率及び、低水準の汚染を
低水準に達成しかつ維持することができることを意味す
る。旋回アームの形体を、シャッタープレートをリフト
装置へ出し入れする好ましい装置として、上記に開示し
たが、変形例では、往復運動可能なブレード形式又は他
の適当な形式の、シャッター搬送装置を、シャッタープ
レートをリフト組立体に与え或いはシャッタープレート
を被覆口にそれ自身で持ち上げるのに利用してもよいこ
とが認識されるであろう。さらに、上記した機能的な要
素の新規な組合せが、スパッタリングの用途に限定され
ず、実際は、多くの他の基板蒸着及び又はエッチング工
程を実施するのに使用される同様な装置の用途を有する
ことが認識されるであろう。従って、多数の交互の用
途、用途の変更及び変形が、この明細書を読んだ後、当
業者に疑いなく明らかになるので、添付された請求の範
囲は、発明の真の精神と範囲内に入るような、すべての
そのような用途，変更及び変形に及ぶように広く解釈さ
れるべきである。
ッタープレート６６′で置き換え或いはその逆にシャッ
タープレートを引き込め、これをウェーハで置き換える
のにい要する時間が非常に短いので、その間、被覆材料
は開口部３８をほとんど通過しない。このことは、室の
温度及び圧力を、実質的に一定に保持することができ、
その結果、ウェーハ間の被覆の質がより均一になること
を意味する。本発明の他の利点は、リフト部材５６が、
同じ方法でウェーハとシャッタープレートの両方を持ち
上げ、両方とも実質的に同じ大きさや形状のものである
のが、交換サイクルを定期的に変更して、″飛行中″、
シャッタープレートを取り出して交換することができ
る。即ち、シャッタープレートの交換を望むときに、シ
ャッタープレートを搬送アーム６８上へ下げる代わり
に、アームを側方の空部へ旋回でき、シャッターブレー
ド５１を加熱板５４の上の位置に入れることができる。
次いで、シャッタープレートは、ブレード５１上へ下げ
られ、ブレード５１によって排出ビン又はクリーニング
室へ搬送される。次いで、新しいシャッタープレート
は、ブレード５１で室４２に戻され、ここで、組立体５
６によって新しいシャッタープレートをブレード５１か
ら持ち上げることができ、次いで、回転するために、搬
送アーム６８上に下げて、その機能的な役割を回復する
ことができる。これは、もちろん、従来得られなかった
高水準のシステムの信頼性と能率及び、低水準の汚染を
低水準に達成しかつ維持することができることを意味す
る。旋回アームの形体を、シャッタープレートをリフト
装置へ出し入れする好ましい装置として、上記に開示し
たが、変形例では、往復運動可能なブレード形式又は他
の適当な形式の、シャッター搬送装置を、シャッタープ
レートをリフト組立体に与え或いはシャッタープレート
を被覆口にそれ自身で持ち上げるのに利用してもよいこ
とが認識されるであろう。さらに、上記した機能的な要
素の新規な組合せが、スパッタリングの用途に限定され
ず、実際は、多くの他の基板蒸着及び又はエッチング工
程を実施するのに使用される同様な装置の用途を有する
ことが認識されるであろう。従って、多数の交互の用
途、用途の変更及び変形が、この明細書を読んだ後、当
業者に疑いなく明らかになるので、添付された請求の範
囲は、発明の真の精神と範囲内に入るような、すべての
そのような用途，変更及び変形に及ぶように広く解釈さ
れるべきである。
【図１】従来技術の処理室とシャッタ機構を概略的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明による処理室とシャッタ機構を示す断面
側面図である。
側面図である。
【図３】本発明による処理室とシャッタ機構を示す断面
平面図である。
平面図である。
３８…開口部 ４０…ハウジング ４２…処理室 ４３…閉鎖体 ４４…陽極板 ４６…ウェーハ ５０…陰極 ５１…シャッターブレート ５２…ウェーハ締付部 ５３…ウェーハ搬送機構 ５４…加熱板 ５６…リフト組立体 ５７…フィンガー ５８…アクチュエータ ６６…シャッタープレート ６８…アーム ７０…回転軸 ７２…アクチュエータ
Claims (3)
- 【請求項１】 被覆すべき又は処理すべき面を有する基
板を配置することができる開口部を有する処理室又は副
室、基板を前記開口部の中へ入れ、かつ基板を開口部か
ら出すための手段、処理すべき基板と実質的に同様な物
理的特性を有するシャッタープレートとシャッター支持
体とを有するシャッター手段を有し、前記シャッター支
持体は、基板を取り出した後、シャッタープレートを、
基板によって占められた位置の中へ入れ、かつその位置
から出すことができ、さらに、前記基板と前記シャッタ
ープレートを前記室の処理位置に移動させるリフト手段
とを有する処理装置。 - 【請求項２】 前記シャッター支持体は、前記室の中に
回動自在に取り付けられ、第１位置と、基板を取り出し
た後、基板によって占められた位置の間に前記シャッタ
ープレートを搬送するために、前記シャッター支持体を
枢着軸線を中心に回転させるための駆動手段を有する、
請求項１に記載の処理装置。 - 【請求項３】 前記シャッター支持体は、前記基板を室
の中へ、かつ室から搬送させるための手段と整列して、
前記シャッタープレートを位置決めするように作動し、
前記搬送手段は、きれいなシャッタープレートに交換す
るために、使用済又は汚れたシャッタープレートを室か
ら出すことができる、請求項１に記載の処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/693,844 US5223112A (en) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | Removable shutter apparatus for a semiconductor process chamber |
| US07/693844 | 1991-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259258A JPH05259258A (ja) | 1993-10-08 |
| JPH0738406B2 true JPH0738406B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=24786344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155552A Expired - Lifetime JPH0738406B2 (ja) | 1991-04-30 | 1992-04-30 | 半導体処理室の取り外し可能なシャッター装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5223112A (ja) |
| EP (1) | EP0511733B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0738406B2 (ja) |
| KR (1) | KR100240196B1 (ja) |
| DE (1) | DE69206312T2 (ja) |
| ES (1) | ES2080441T3 (ja) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100294062B1 (ko) * | 1992-10-27 | 2001-10-24 | 조셉 제이. 스위니 | 웨이퍼 처리 챔버에서의 돔형 페데스탈용 클램프 링 |
| DE4312014A1 (de) * | 1993-04-13 | 1994-10-20 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten und/oder Ätzen von Substraten in einer Vakuumkammer |
| JP2642849B2 (ja) * | 1993-08-24 | 1997-08-20 | 株式会社フロンテック | 薄膜の製造方法および製造装置 |
| US5382339A (en) * | 1993-09-17 | 1995-01-17 | Applied Materials, Inc. | Shield and collimator pasting deposition chamber with a side pocket for pasting the bottom of the collimator |
| US5791895A (en) * | 1994-02-17 | 1998-08-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for thermal treatment of thin film wafer |
| JPH07335552A (ja) * | 1994-06-08 | 1995-12-22 | Tel Varian Ltd | 処理装置 |
| US5705080A (en) * | 1994-07-06 | 1998-01-06 | Applied Materials, Inc. | Plasma-inert cover and plasma cleaning process |
| TW359849B (en) * | 1994-12-08 | 1999-06-01 | Tokyo Electron Ltd | Sputtering apparatus having an on board service module |
| US5772858A (en) * | 1995-07-24 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a target in a sputtering source |
| JP3005179B2 (ja) * | 1995-08-21 | 2000-01-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | スパッタリング装置用のシャッタ装置 |
| US5830272A (en) * | 1995-11-07 | 1998-11-03 | Sputtered Films, Inc. | System for and method of providing a controlled deposition on wafers |
| US5914018A (en) * | 1996-08-23 | 1999-06-22 | Applied Materials, Inc. | Sputter target for eliminating redeposition on the target sidewall |
| TW358964B (en) * | 1996-11-21 | 1999-05-21 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for improving sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
| US6451179B1 (en) | 1997-01-30 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhancing sidewall coverage during sputtering in a chamber having an inductively coupled plasma |
| US6103069A (en) * | 1997-03-31 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Chamber design with isolation valve to preserve vacuum during maintenance |
| US6042700A (en) * | 1997-09-15 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Adjustment of deposition uniformity in an inductively coupled plasma source |
| US6023038A (en) * | 1997-09-16 | 2000-02-08 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system |
| US6098637A (en) * | 1998-03-03 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | In situ cleaning of the surface inside a vacuum processing chamber |
| IT1312248B1 (it) | 1999-04-12 | 2002-04-09 | Getters Spa | Metodo per aumentare la produttivita' di processi di deposizione distrati sottili su un substrato e dispositivi getter per la |
| AT409348B (de) * | 1999-04-22 | 2002-07-25 | Thallner Erich | Vorrichtung zum auftragen von materialien auf substrate, insbesondere zum belacken von si-wafern |
| JP2002170823A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-06-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法並びにそれに使用されるカバー部材 |
| US6663333B2 (en) * | 2001-07-13 | 2003-12-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer transport apparatus |
| US6733640B2 (en) | 2002-01-14 | 2004-05-11 | Seagate Technology Llc | Shutter assembly having optimized shutter opening shape for thin film uniformity |
| US7008517B2 (en) * | 2002-02-20 | 2006-03-07 | Applied Materials, Inc. | Shutter disk and blade for physical vapor deposition chamber |
| US6921555B2 (en) | 2002-08-06 | 2005-07-26 | Tegal Corporation | Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber |
| US7153542B2 (en) * | 2002-08-06 | 2006-12-26 | Tegal Corporation | Assembly line processing method |
| US20050205209A1 (en) * | 2004-03-18 | 2005-09-22 | Aelan Mosden | Replacing chamber components in a vacuum environment |
| KR100587688B1 (ko) * | 2004-07-28 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| US7334950B2 (en) * | 2005-04-26 | 2008-02-26 | Va, Inc. | Quick-change shutter assembly |
| US20080279672A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US7496423B2 (en) * | 2007-05-11 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Method of achieving high productivity fault tolerant photovoltaic factory with batch array transfer robots |
| US20080279658A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory |
| US20080292433A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-27 | Bachrach Robert Z | Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory |
| TW201027766A (en) * | 2008-08-27 | 2010-07-16 | Applied Materials Inc | Back contact solar cells using printed dielectric barrier |
| US8807075B2 (en) * | 2008-09-22 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Shutter disk having a tuned coefficient of thermal expansion |
| US20100089315A1 (en) * | 2008-09-22 | 2010-04-15 | Applied Materials, Inc. | Shutter disk for physical vapor deposition chamber |
| WO2010061603A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置、電子デバイスの製造方法 |
| US20100304027A1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing system and methods thereof |
| DE102010000447A1 (de) * | 2010-02-17 | 2011-08-18 | Aixtron Ag, 52134 | Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte |
| KR101904146B1 (ko) * | 2011-03-01 | 2018-10-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 이송 및 라디칼 구속을 위한 방법 및 장치 |
| JP5665679B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-02-04 | 住友重機械工業株式会社 | 不純物導入層形成装置及び静電チャック保護方法 |
| CN104011882A (zh) | 2012-01-12 | 2014-08-27 | 应用材料公司 | 制造太阳能电池装置的方法 |
| US20170115657A1 (en) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Lam Research Corporation | Systems for Removing and Replacing Consumable Parts from a Semiconductor Process Module in Situ |
| US9666461B1 (en) * | 2016-02-05 | 2017-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor process and semiconductor processing device using the same |
| JP6970624B2 (ja) * | 2018-02-13 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜システム及び基板上に膜を形成する方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1301653A (ja) * | 1969-01-02 | 1973-01-04 | ||
| US4756815A (en) * | 1979-12-21 | 1988-07-12 | Varian Associates, Inc. | Wafer coating system |
| US4548699A (en) * | 1984-05-17 | 1985-10-22 | Varian Associates, Inc. | Transfer plate rotation system |
| US4718975A (en) * | 1986-10-06 | 1988-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Particle shield |
| JPH086178B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1996-01-24 | 日本真空技術株式会社 | 薄膜形成装置 |
| US4851101A (en) * | 1987-09-18 | 1989-07-25 | Varian Associates, Inc. | Sputter module for modular wafer processing machine |
-
1991
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-
1992
- 1992-03-16 DE DE69206312T patent/DE69206312T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-16 ES ES92302230T patent/ES2080441T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-16 EP EP92302230A patent/EP0511733B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-29 KR KR1019920007207A patent/KR100240196B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-04-30 JP JP4155552A patent/JPH0738406B2/ja not_active Expired - Lifetime
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