KR100294062B1 - 웨이퍼 처리 챔버에서의 돔형 페데스탈용 클램프 링 - Google Patents

웨이퍼 처리 챔버에서의 돔형 페데스탈용 클램프 링 Download PDF

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조셉 제이. 스위니
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Abstract

반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 챔버는 내부에 웨이퍼를 지지하기 위한 돔형 페데스탈과 시트가 형성된 클램프를 둘러 싸고 있다. 시트는 돔형 페데스탈 위에 있는 웨이퍼 외주변을 수용하여 지지하며, 웨이퍼의 외주변을 결합하고 지지하는 웨이퍼 결합면을 포함한다. 사용할 때에 웨이퍼 결합면은, 웨이퍼 외주변이 페데스탈 위에 지지되는 점에서 돔형 페데스탈에 대한 접선이 수평과 이루는 각과 크거나 같은 각을 이룬다. 통상적으로 시트와 수평이 이루는 각은 웨이퍼가 페데스탈 위에 지지되는 점에서 돔형 페데스탈에 대한 접선각보다 약 3°가 더 크다.

Description

웨이퍼 처리 챔버에서의 돔형 가열 페데스탈용 클램프 링
제1도는 종래기술에 있어서 반도체 처리용 열적 반응기 내를 부분단면으로 나타내는 분해도.
제2도는 링이 웨이퍼의 표면을 고정하는 방법을 나타내는, 제1도에 도시된 클램프 링의 상세도.
제3도는 본 발명의 한 실시예를 설명하기 위한 제2도와 유사한 단면도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예를 설명하기 위한 제3도와 유사한 도면.
제5도는 웨이펴 지지링과 돔형 페데스탈의 평면도.
제6도는 제5도의 6-6 라인을 따른 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
6 ; 절단축 10 : 웨이퍼
12 : 지지대 18, 58 : 페데스탈
14 : 편평 지지면 16, 56 : 리프트 핑거
20, 60 : 홈 19 : 공통 중심축
31 : 시트 26 : 환형 시트
34, 44 : 웨이퍼 결합면 24, 32, 42 : 클램프 링
30, 40, 50 : 에지 54 : 웨이퍼 지지면
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 반응기에 관한 것으로, 더 상세하게는 상기 처리 반응기에서 사용되는 돔형 가열 페데스탈 위에 반도체 웨이퍼를 클램핑시키기 위한 개선된 클램프 링에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼는 일반적으로 열적 반응기에서 처리되며, 웨이퍼는 많은 다른 처리 단계를 거친다. 예를 들면 스퍼터링이라 불리는 물리적 증착법(PVD)과 같은 웨이퍼 처리에서, 처리될 웨이퍼는 클램프 링과 같은 종류의 클램핑 장치에 의해 돔형 가열 페데스탈 위에 지지된다. PVD/스퍼터링 처리 그 자체와 상기 처리에 사용되는 장치에 대한 좀 더 상세한 내용은 미국 특허 제5,108,569호(길보아(Gilboa)등)에 개시되어 있다.
통상적인 PVD 웨이퍼 처리 반응기와 처리 개시 전에 웨이퍼가 반응기 안에 어떻게 장착되는지를 제 1도를 참고하여 설명하며, 제 1도는 반응기 관련 내부 부품들의 단면도이다.
웨이퍼 처리 개시 전에, 반도체 웨이퍼(10)는 로봇 팔(도시하지 않음)에 의해 반응기 내로 가로방향으로 옮겨진다. 이후 말굽 모양의 웨이퍼 지지대(12)는, 웨이퍼가 로봇 팔에서 떨어져 4개의 리프트 핑거들(16)(그 중 단 2개만 도시됨)이 편평 지지면(14)에 의해 지지될 때까지 웨이퍼(10) 아래에서부터 올라온다. 이 위치에서 로봇 팔은 말굽 모양 지지대의 개방부(17) 안에 놓인다. 그 다음 로봇 팔은 반응기로부터 떠나고 말굽 모양의 지지대(12)는 계속해서 상승한다. 동시에 웨이퍼 가열 페데스탈(18)은 웨이퍼(10) 밑면 근방 위치로 수직으로 상승한다. 이 도면에 도시된 바와 같이 말굽 모양의 지지대(12)와 페데스탈(18)은 둘 다 일점쇄선으로 표시된 공통 중심선을 따라 수직하게 상승(처리 과정 종료 시에는 하강)한다.
페데스탈(18)은 돔형의 상부면을 가지며, 웨이퍼(10)의 외부 직경보다 약간 더 작은 외부 직경을 가진다. 페데스탈(18)이 지지대(12)의 중심을 통과해 상승하고 리프트 핑거(16)들을 빠져나가도록 하기 위해, 4개의 홈(cutout; 20)이 페데스탈의 측면에 형성되어 있다. 이들 홈은 페데스탈(18)이 웨이퍼(10)의 하부에 가깝게 이동할 때 핑거(16)들을 수용하기에 충분하도록 크다.
페데스탈(18)은 통상 스테인리스강으로 만들어지며, 도시되지는 않았으나 페데스탈(18)을 가열하기 위한 히터 부재를 포함한다. 히터는 처리 공정이 이루어지는 동안 웨이퍼(10)를 가열한다. 페데스탈로부터 웨이퍼의 열전달을 균일하게 하기 위하여, 가스가 페데스탈(18)내에 형성된 가스도관(22)을 통해 페데스탈과 웨이퍼 사이의 공간에 분사되고, 페데스탈의 돔형 표면의 중앙에서 방출된다. 이와 같은 방법에 대한 좀더 상세한 설명은 이하 기술한다.
말굽 모양의 지지대(12)는 일반적으로 원형인 클램프 링(24)에 가까워질 때까지 그러나 접촉하지는 않도록 웨이퍼를 들어올린다. 이후 페데스탈(18)은 웨이퍼(10)의 아래쪽을 밀어 올려, 웨이퍼가 리프트 핑거(16)들의 평면(14)에서 떨어져 클램프 링(24)에 형성된 환형 시트(annular seat; 26)와 접촉되도록 한다.
페데스탈(18)은 클램프 링(24)이 그 지지대(도시되지 않음)에서 떨어져 들어올려지고 페데스탈(18)위에 놓여 있는 웨이퍼(10)에 의해서만 지지될 때까지 계속해서 상승한다. 클램프 링(24)은 꽤 무겁기 때문에(대략 3파운드 즉 1.35킬로그램), 페데스탈(18)의 돔의 윤곽에 웨이퍼가 들어맞도록 한다. 이러한 구성은 제 2도에서 보다 더 상세하게 도시되어 있으며, 제 2도는 클램프 링(24)이 웨이퍼(10)의 에지와 결합하는 영역을 확대한 세부도이다. 이 위치에서 PVD/스퍼터링 처리 단계가 일어난다.
제 2도는 종래기술의 클램프 링에 관련된 문제점을 명확히 예시한다. 이 도면에서 명백한 바와 같이 시트(26)는 수평인 반면, 페데스탈과 페데스탈의 형상에 적합한 웨이퍼는 곡면이다. 그 결과 무거운 클램프 링(24)과 웨이퍼(10) 사이의 접촉부는 예리한 직각 에지(30)이다. 상기 배치와 관련된 문제점은 에지(30)가 웨이퍼에 둥글게 홈을 파게되어 웨이퍼의 표면이 손상될 수 있다. 이러한 손상은 처리 과정 동안 원하지 않는 입자의 생성을 초래할 수 있고, 스테인 라인(stain line)이 형성됨으로써 표면 위에 (계속된 웨이퍼 처리 동안 증착된) 층들의 칩핑(chipping) 또는 플레이킹(flaking)이 일어나게 된다.
상기 문제점들은 가스가 가스도관(22)속으로 분사되었을 때 더 커지게 된다. 이 가스는 웨이퍼를 확실히 균일하게 가열하기 위해 사용되며 웨이퍼(10)의 뒤쪽과 페데스탈(18) 사이의 공간 속으로 강제 주입된다. 웨이퍼 뒤쪽 공간에 있는, 보통 아르곤과 같은 불활성 가스는 통상 4 내지 12 Torr의 압력인데 반해 반응기의 내부는 4 내지 10milliTorr 이다. 이와 같은 압력차 때문에, 웨이퍼는 유연하게 구부러져 페데스탈(18)로부터 떨어지며, 점선 (10')에 의해 표시된 위치인 웨이퍼의 중심에서 웨이퍼와 페데스탈 사이의 분리가 가장 크다. 이러한 유연성은 클램프 링(24)의 에지(30)에 의해 웨이퍼의 표면에 가해지는 압력이 좀 더 커지게 할뿐만 아니라, 웨이퍼의 유연성으로 인해 웨이퍼의 외부 에지가 중심부 쪽으로 움직이게 되고 그로 인해 에지(30)가 웨이퍼(10)의 표면을 긁어 흠집을 내게된다.
과거에 매우 정확한 기계 가공과, 특히 시트(26)와 직각 에지(30)의 정밀한 연마에 의해 이 문제를 극복하려는 시도가 행해졌다. 상기 기계 가공과 연마 처리는 숙련된 기술자에 의한 주의 깊은 작업이 필요하며, 따라서 매우 비용이 높다.
불행히도, 직각 에지(3)를 가장 주의 깊게 연마하고 결과적으로 깨끗하게 하여도 전체적으로 흠 없는 에지(30)를 제공하기에는 충분하지 않다. 이러한 에지(30)에 있는 불완전함은 웨이퍼를 페데스탈 위에 지지시킬 때 응력 집중점으로 작용한다 이들 집중점은 실리콘 웨이퍼가 유리조각과 흡사한 특성을 갖기 때문에 특히 문제가 될 수 있는 손상을 일으킨다; 즉 웨이퍼표면 위의 작은 칩 또는 스코어 마크는 응력 점으로부터 퍼져나가 웨이퍼를 못쓰게 만든다. 또 상기 웨이퍼 표면이 스코링(scoring)과 마킹(marking)은 그것의 평면성을 파괴한다. 그래서 예를 들어 이상적 조건 하에서도 웨이퍼의 표면에 부착되기 어려운 텅스텐-CVD와 같은 물질로 행해지는 일련의 처리과정은 텅스텐을 표면의 손상된 지점에 접착할 수가 없기 때문에 어느 정도의 신뢰성을 가지고 이루어지는 것이 불가능하다. 그 결과, 텅스텐은 이후의 처리 과정 중에 웨이퍼의 전 표면에서 들떠버리게 된다.
반응기 부품들과 관련된 다른 문제점에는 개방된 단부를 가진 말굽형 지지대(12)와 핑거(16)들의 부정확한 위치로 인한 불안정한 웨이퍼지지 상태가 포함된다. 이 두 번째 문제는 지지대(12)의 제조 방법, 즉 지지대가 먼저 가공되고 나서 핑거(16)들이 그 위에 용접되는 제조 방법에 기인한다. 불행히도 상기 용접은 정확하게 이루어지기가 매우 어려우며 따라서 핑거들이 잘못 배열된다.
그러므로 반응기 안의 다른 부품들중 몇 가지의 구성을 개선하는 것은 물론 열적 반응기안에서 돔형 페데스탈 위에 반도체 웨이퍼를 클램핑하기 위한 좀 더 개선된 방법에 대한 필요성이 존재한다.
따라서 본 발명의 목적은 반도체용 웨이퍼를 처리하기 위한 개선된 열적 반응기를 제공하는 것이다. 반응기는 웨이퍼를 지지하고 웨이퍼의 온도를 제어하기 위한 돔형 페데스탈, 및 돔형 페데스탈 위에 있는 반도체용 웨이퍼의 외주부를 수용하여 지지하기 위해 그곳에 형성된 환형 시트를 가진 클램프 링을 포함한다. 클램프 링에 형성된 시트는 웨이퍼의 외주부와 결합하여 지지되며, 사용시 웨이퍼의 외주부가 페데스탈 위에 지지되는 점에서 돔형 페데스탈에 대한 접선의 앙각(elevational angle)과 같거나 보다 더 큰 각으로 한정되도록 형성된 웨이퍼 결합면을 포함한다.
수평에 대해 4°의 각을 한정하는 것이 바람직하다. 상기 각은 웨이퍼가 페데스탈에 지지된 점에서 돔형 페데스탈에 대한 앙각보다 통상 3°가 더 크다.
이외에도, 시트의 내부 에지는 둥근 코너로 형성될 수 있고, 따라서 웨이퍼의 표면이 긁힐 가능성이 줄어들게 된다.
본 발명은 돔형 페데스탈 위에 있는 웨이퍼의 외주부를 지지하는 시트가 종래 기술장치 보다 웨이퍼의 상부면에 훨씬 더 많은 표면적을 점유하는 이점을 갖는다.
본 발명의 또 다른 이점은 클램프 링에 있는 어떤 예리한 에지도 웨이퍼 표면 위에 닿지 않는다는 것이다. 따라서, 웨이퍼 표면 손상이 최소화 된다.
본 발명의 여러 이점들은 몇 개의 도면에 도시되어 있는 바람직한 실시예에 대한 설명으로부터 당업자에게 명백할 것이다.
본 발명의 기본 원리는 제 3도에 예시되어 있는 제 3도는 반도체 웨이퍼(10)가 본 발명의 스테인리스강 클램프 링(32)에서 의해 돔형 페데스탈(18) 위에 고정되는 방법을 설명하는 단면도이다.
도시된 바와 같이 클램프 링(32)은 그 안에 환형 시트(31)를 갖는다. 시트(31)는 웨이퍼 결합면(34)과 경사진 측벽(36)을 포함한다. 웨이퍼 결합면(34)은 대략 0.071"(1.8㎜)폭이고, 웨이퍼(10)의 외주부를 제 1도에 도시된 것과 유사하게 돔형 가열 페데스탈(18) 위에 지지한다. 또한 클램프 링(32)은 웨이퍼 결합면(34)과 동심으로 형성되지만 그 내부에 위치된 지붕 부분(roof portion)을 포함한다.
제 1도 및 2도에 도시된 장치에서와 같이, 웨이퍼는 그것이 페데스탈 위에 클램핑될 때 페데스탈(18)의 돔의 윤곽에 상응하는 돔형 윤곽을 갖는다. 그러나, 본 발명에서는 웨이퍼 결합면(34)은 상기 면이 사용중일 때 수평선에 대해 α의 각도를 규정하도록 형성된다. 이 각 α는 β보다 크다. β는, 웨이퍼가 페데스탈(18) 위에 지지되는 점에서의 돔형 페데스탈에 대한 접선(tangent)과, 수평선 즉 부품들이 움직이는 중심축(19)에 수직인 면 사이의 각도이다. 이 도면에 나타난 바와 같이, 돔의 곡률은 도시를 위해 상당히 과장되어 있다. α각은 β각보다 적어도 1°이상 큰 것이 바람직하다. 실제로 β각은 약 1°이다. 통상 α각은 약 4°이다.
상기 배치의 결과로, 가스가 웨이퍼(10)의 뒤쪽과 페데스탈(18) 사이의 공간에 분사되고(참고로 종래기술에 대해 기술된 것처럼) 웨이퍼가 점선으로 표시된 위치(10')까지 부풀게 될 때, 실제 접촉 영역의 량이 웨이퍼 결합면(34)에 의해 웨이퍼의 상부면에 표시되어 있다. 또 α각은 β각보다 훨씬 크기 때문에, 웨이퍼 결합면(34)의 내부 에지(40)가 웨이퍼의 표면과 접촉하기 전 웨이퍼(10)에 상당한 유연성이 허용된다.
웨이퍼의 외주부가 종래기술장치의 예리한 에지로 지지되는 것과는 반대로 편평면에 의해 지지되기 때문에, 웨이퍼 상부면의 마킹이 현저하게 줄어든다. 게다가 본 발명의 클램프 링은 페데스탈(18) 위에서 웨이퍼의 외주부를 지지하고 그 결과 웨이퍼의 외주부와 페데스탈 사이에 밀폐가 보다 양호하게 형성되어 웨이퍼의 밑쪽으로부터 빠져나가는 가압된 가스의 양이 줄어들게 된다. 따라서 가스의 압력이 6% 내지 10%까지 증가될 수 있고, 그로 인해 웨이퍼의 표면이 보다 균일하게 가열될 수 있다.
본 도면으로부터 클램프 링의 측벽(36)은 수직에서 뒤쪽으로 각이 져있다. 통상 상기 각은 10°정도이다. 상기 각진 측벽(36)은 웨이퍼 결합면(34)의 외부 에지를 한정함과 동시에, 클램프 링(32)을 향해서 상승하는 웨이퍼와 페데스탈을 안내하는 역할을 한다.
제 3도에 설명되어 있는 것에 대한 또 다른 실시예는 제 4도에 도시되어 있다. 제 3도에서, 클램프 링(42)은 수평면에 대해서 약 1°의 각을 이룬 웨이퍼 결합면을 가진다. 상기 각은 여전히 β각(접선과 수평면 사이)보다 크거나 같고, 따라서 웨이퍼(10)가 위치(10')까지 휘어질 수 있다. 클램프 링(42)에는 제 3도에서 대응 부분들과 유사한 측벽(46)과 지붕부분(48)이 있다.
또한, 웨이퍼 결합면(44)의 내부 에지(50)는 대략 0.023"(0.58㎜) 또는 좀 더 큰 곡률 반경으로 둥글게 되어 있다. 이러한 형태 때문에 유연한 웨이퍼가 예리한 90°의 에지가 아닌 둥근 표면에 의해 지지된다. 따라서 상기 형태는 웨이퍼 상부면의 손상 가능성을 줄인다.
여기서 함께 참조된 제 5도 및 6도에서는, 개선된 웨이퍼 지지링(52)과 이와 관련된 리프트 핑거(56)에 대해 상세히 예시되어 있다. 제 5도에서 웨이퍼 지지링(52)은 종래기술에 따른 지지대의 말굽형태와 다르게 연속적인 링의 형태를 갖는 것을 알 수 있다. 그리고 히터 페데스탈(58)의 위치는 제 5도에 (점선으로)나타나 있다. 본 도면에서 페데스탈(58)에 있는 홈(60)과, 웨이퍼 리프트 핑거(56)가 이 홈에 맞추어지는 방법이 아주 명확하게 나타나 있다.
제 5 및 6도로부터, 웨이퍼 지지링(52)은 링의 한쪽에 있는 부착탭(62) 쪽에서 표준 리프팅 메커니즘(도시되지 않음)에 부착될 수 있다는 것을 알 수 있다. 상기 내용은 통상 리프팅 메커니즘에 탭(62)을 리벳 연결함으로써 이루어진다.
탭(62)에 대해 웨이퍼 지지링(52)의 반대쪽에 계단식 버팀대(brace)(64)가 말굽형 웨이퍼 지지링(52)의 팔 사이에 만들어져 있다. 상기 계단식 버팀대(64)는 이 섹션에서 웨이퍼 지지링(52)의 위쪽을 효율적으로 낮추고, 열적 반응기로부터 웨이퍼를 삽입하고 제거하는 로봇 팔을 위한 출입구를 제공한다. 상기 계단식 버팀대가 없다면 종래기술의 말굽형 지지대가 필요할 것이다. 폐쇄된 링이 개방된 단부를 갖는 말굽형보다 훨씬 더 튼튼한 지지는 제공할 것이라는 것은 명백하다.
특히 제 6도에서 볼 수 있는 리프트 핑거들은 로봇 팔에서 웨이퍼를 들어올릴 웨이퍼 지지면(54)을 가지고 있다. 상기 과정이 이루어지고 웨이퍼가 정확하게 리프트 핑거에 위치하도록 하기 위해서, 각 리프트 핑거(5^)는 웨이퍼를 웨이퍼 지지면(54) 위의 위치로 안내하는 역할을 하는 경사면(66)을 가진다. 핑거들 자체가 링 위에 정확하게 위치하도록 하기 위해서, 핑거들은 초기 가공단계 중에 링 위에 용접된다. 링은 핑거와 함께 가공되고, 그럼으로써 웨이퍼를 올리고 내리는 동안 상호 작용할 웨이퍼 지지링과, 클램프 링 양쪽에 정확하게 위치하게 된다.
본 발명은 특정 실시예에 의해서 위에 기술되었지만, 그로부터 또 다른 실시예와 변형된 실시예가 동업자에게는 의심할 것 없이 명백할 것으로 기대된다. 예를 들어 본 발명은 웨이퍼 에칭 장치에 응용될 수 있고, 상기 장치에서는 연속된 웨이퍼 결합면(34) 대신에, 단속적인(intermittent) 결합면이 제공된다. 게다다 페데스탈이 가열은 물론 냉각용으로 사용될 수 있다. 또한 돔의 정밀한 형태가 본 발명에 결정적인 요소는 아니며, 웨이퍼는 반도체 웨이퍼만이 아니고 또 다른 물질 형태의 기판일 수도 있다. 따라서 다음 특허 청구 범위들은 본 발명의 기술사상과 범위에 포함되는 모든 또 다른 실시예와 변형된 실시예를 포괄하는 것이다.

Claims (16)

  1. 처리 중인 기판을 돔형 페데스탈에 대해 지지하기 위한 클램프에 있어서, 기판의 주요부분을 노출시키기 위해 내부 구멍(inner aperture)을 규정하는 외주부(outer peripheral section); 및 돔형 페데스탈에 대해 기판의 외주부를 지지하기 위해 상기 외주부에 형성된 내부 시트면을 포함하며, 사용시 내부 시트면은, 상기 기판이 상기 돔형 페데스탈에 대해 지지되는 방향에 수직인 면으로부터 상기 페데스탈의 돔형 피크를 향해 제 1 각(α)으로 기울어지며, 상기 각(α)은, 상기 수직면으로부터, 기판이 돔형 페데스탈에 대해 지지되는 점에서의 돔형 페데스탈에 대한 접선(tangent)까지의 각(β)보다 큰 것을 특징으로 하는 클램프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 돔형 페데스탈은 둥근 형상의 위쪽 돔형 표면을 가지며, 상기 내부 시티면은 환형인 것을 특징으로 하는 클램프.
  3. 처리과정 동안 기판을 지지하기 위한 클램핑 어셈블리로서, 상기 클램핑 어셈블리는: 제 1축에 대해 대체로 대칭인 기판 수용면을 포함하는 기판 지지대; 및 상기 제 1축을 따라 상기 기판 지지대에 대해 이동가능하며, 접촉부에서 기판의 외주부를 기판 수용면에 대해 결합시켜 기판의 외주부를 유지하기 위한 결합면을 포함하는 클램프를 포함하며, 상기 결합면은 안쪽 상방으로 지지면을 향하여 0도보다 큰 각도를 가지도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 클램핑 어셈블리.
  4. 제3항에 있어서, 상기 각이 ½도와 4도 사이인 것을 특징으로 하는 클램핑 어셈블리.
  5. 제4항에 있어서, 상기 각이 1도와 3도 사이 범위에 있는 것을 특징으로 하는 클램핑 어셈블리.
  6. 기판 처리 장치로서, 챔버; 챔버 내부에서 기판을 지지하기 위한 기판 지지면을 가지는 페데스탈; 및 기판의 둘레를 규정하며, 기판의 외주부를 지지면 위에 결합시켜 유지하기 위한 기판 결합면을 가지는 시트(seat)를 포함하는 클램프를 포함하며, 사용시 상기 결합면이 지지면에 대해 0도보다 큰 상방 내측 각을 규정하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 각이 ½도와 4도 사이인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 기판 결합면이, 둥근 코너가 형성된 내부 에지를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 페데스탈과 클램프가 공통 축을 가지며, 상기 페데스탈 및 클램프는 상기 공통 축을 따라 서로에 대해 움직여, 그들 사이에 기판을 클램핑할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 상기 페데스탈과 기판 사이의 경계에서의 배출을 위해 상기 페데스탈에 형성된 가스도관을 더 포함하며, 상기 가스도관이 페데스탈과 기판 사이의 경계에서 가스를 분사하여, 가스가 기판의 적어도 일부분을 기판 지지면으로부터 들어올리는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 페데스탈은, 사용시 가스 및 기판을 가열하기 위해 페데스탈을 가열하는 히터 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제6항에 있어서, 상기 기판 지지면이 돔형인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 처리 중인 기판을 돔형 페데스탈에 대해 지지하기 위한 클램프로서, 기판의 주요부분을 노출시키기 위한 내부 구멍을 규정하는 외주부; 및 외주부에 형성되어 페데스탈에 대해 기판의 외주부를 지지하며, 코너가 둥글게 형성된 내부 에지를 포함하는 내부 시트면을 포함하며, 사용시 상기 내부 시트면은, 상기 기판이 상기 돔형 페데스탈에 대해 지지되는 방향에 대한 수직선으로부터 페데스탈의 돔형 피크를 향하여 제 1각(α)으로 기울어지며, 상기 제 1각(α)은, 상기 수직선으로부터, 기판이 돔형 페데스탈에 대해 지지되는 점에서의 돔형 페데스탈에 대한 접선까지의 각(β)보다 큰 것을 특징으로 하는 클램프.
  14. 제1항에 있어서, 상기 시트면은 둥근 코너가 형성된 내부 에지를 포함하는 것을 특징으로 하는 클램프.
  15. 제3항에 있어서, 상기 결합면은 둥근 코너가 형성된 내부 에지를 포함하는 것을 특징으로 하는 클램핑 어셈블리.
  16. 제5항에 있어서, 상기 기판 수용면이 돔형인 것을 특징으로 하는 클램핑 어셈블리.
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