JPH0878509A - ウエハ処理チャンバ内の丸屋根状基部用クランプリング - Google Patents
ウエハ処理チャンバ内の丸屋根状基部用クランプリングInfo
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- JPH0878509A JPH0878509A JP819495A JP819495A JPH0878509A JP H0878509 A JPH0878509 A JP H0878509A JP 819495 A JP819495 A JP 819495A JP 819495 A JP819495 A JP 819495A JP H0878509 A JPH0878509 A JP H0878509A
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- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体ウエハを処理するための熱リアクタ内
で使用するクランプリング。 【構成】 リアクタは、ウエハ１０を支持しその温度を
制御するための丸屋根状基部１８と、ウエハの周辺部を
丸屋根状基部の上に受容し保持するための、環状シ−ト
１０２を含んだクランプリング１００とを含む。クラン
プリング内に形成されたシ−トは、リング状に並べた球
１１４を支持している。それらの球は、稼働している際
には、ウエハの周辺部に係合しそれを抑えつけている。
各球は、クランプリングの本体内に形成されたポケット
１１２の中に回転可能に支えられている。各球の一部
は、シ−トを越えて出っ張っており、ウエハの表面が球
の凸状面によって接触されるようになっている。このこ
とによりウエハの表面とシ−ト状の鋭いエッジは離れた
状態に保持され、これによってシ−トによるウエハ表面
の損傷を低減している。球はポケット内で回転すること
ができ、それ故ウエハの表面上で転がることができるの
で、ウエハの表面を損傷する機会は更に低減される。
で使用するクランプリング。 【構成】 リアクタは、ウエハ１０を支持しその温度を
制御するための丸屋根状基部１８と、ウエハの周辺部を
丸屋根状基部の上に受容し保持するための、環状シ−ト
１０２を含んだクランプリング１００とを含む。クラン
プリング内に形成されたシ−トは、リング状に並べた球
１１４を支持している。それらの球は、稼働している際
には、ウエハの周辺部に係合しそれを抑えつけている。
各球は、クランプリングの本体内に形成されたポケット
１１２の中に回転可能に支えられている。各球の一部
は、シ−トを越えて出っ張っており、ウエハの表面が球
の凸状面によって接触されるようになっている。このこ
とによりウエハの表面とシ−ト状の鋭いエッジは離れた
状態に保持され、これによってシ−トによるウエハ表面
の損傷を低減している。球はポケット内で回転すること
ができ、それ故ウエハの表面上で転がることができるの
で、ウエハの表面を損傷する機会は更に低減される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ処理リアク
タ（ｒｅａｃｔｏｒｓ）に関し、特にそのような処理リ
アクタ内で使用される基部（ｐｅｄｅｓｔａｌ）上に半
導体ウエハをクランプ（ｃｌａｍｐｉｎｇ）するための
改良されたクランプリング（ｃｌａｍｐ ｒｉｎｇ）に
関する。
タ（ｒｅａｃｔｏｒｓ）に関し、特にそのような処理リ
アクタ内で使用される基部（ｐｅｄｅｓｔａｌ）上に半
導体ウエハをクランプ（ｃｌａｍｐｉｎｇ）するための
改良されたクランプリング（ｃｌａｍｐ ｒｉｎｇ）に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハは、一般的に熱リアクタ
（ｔｈｅｒｍａｌ ｒｅａｃｔｏｒｓ）内で処理され、
ウエハはそのリアクタの中で多くの異なった処理工程を
施される。ある種のウエハ処理においては、例えばプラ
ズマエッチングやスパッタリングであるが、処理される
べきウエハはクランプリングのようなクランプ装置によ
って丸屋根状の基部（ｄｏｍｅｄ ｐｅｄｅｓｔａｌ）
に保持される。
（ｔｈｅｒｍａｌ ｒｅａｃｔｏｒｓ）内で処理され、
ウエハはそのリアクタの中で多くの異なった処理工程を
施される。ある種のウエハ処理においては、例えばプラ
ズマエッチングやスパッタリングであるが、処理される
べきウエハはクランプリングのようなクランプ装置によ
って丸屋根状の基部（ｄｏｍｅｄ ｐｅｄｅｓｔａｌ）
に保持される。
【０００３】ウエハがプラズマリアクタの中でどのよう
に搭載されているかという例が図１に図解されている。
図１はリアクタの関連する内部部品の分解断面図であ
る。この図は、半導体ウエハ１０、四つの（その内二つ
だけが示されている）リフトフィンガ（ｌｉｆｔ ｆｉ
ｎｇｅｒｓ）１６が搭載される円形のウエハサポ−ト１
２、丸屋根状基部１８及びクランプリング２４を示して
いる。
に搭載されているかという例が図１に図解されている。
図１はリアクタの関連する内部部品の分解断面図であ
る。この図は、半導体ウエハ１０、四つの（その内二つ
だけが示されている）リフトフィンガ（ｌｉｆｔ ｆｉ
ｎｇｅｒｓ）１６が搭載される円形のウエハサポ−ト１
２、丸屋根状基部１８及びクランプリング２４を示して
いる。
【０００４】ウエハの処理が始まる前に、半導体ウエハ
１０はリアクタの中にロボットア−ム（図示せず）によ
って横方向から持ち込まれる。それからウエハサポ−ト
１２が、ウエハ１０の下から上がってきて、四つのリフ
トフィンガ１６の平らなサポ−ト面１４の上にそれを支
持することによって、それをロボットア−ムから持ち上
げる。それからロボットア−ムはリアクタから離れ、サ
ポ−ト１２は下方向に移動し、ウエハ１０を基部１８の
丸屋根状の上面に接触するようにする。この図に示され
ているように、サポ−ト１２は基部と共通の中心軸１９
に沿って移動する。その中心軸１９は破線で示されてい
る。その後、クランプリング２４はウエハの所まで降り
て行き、ウエハ１０はクランプリングの下側に形成され
た平面の環状シ−ト（ａｎｎｕｌａｒ ｓｅａｔ）２６
に受容される。
１０はリアクタの中にロボットア−ム（図示せず）によ
って横方向から持ち込まれる。それからウエハサポ−ト
１２が、ウエハ１０の下から上がってきて、四つのリフ
トフィンガ１６の平らなサポ−ト面１４の上にそれを支
持することによって、それをロボットア−ムから持ち上
げる。それからロボットア−ムはリアクタから離れ、サ
ポ−ト１２は下方向に移動し、ウエハ１０を基部１８の
丸屋根状の上面に接触するようにする。この図に示され
ているように、サポ−ト１２は基部と共通の中心軸１９
に沿って移動する。その中心軸１９は破線で示されてい
る。その後、クランプリング２４はウエハの所まで降り
て行き、ウエハ１０はクランプリングの下側に形成され
た平面の環状シ−ト（ａｎｎｕｌａｒ ｓｅａｔ）２６
に受容される。
【０００５】クランプリング２４は引き続き下方向に移
動し、ウエハ１０を、基部１８の丸屋根状の面の輪郭に
ほぼ沿うように押し付ける。プラズマエッチング処理工
程が行われるのはこの形態に於いてである。この形態は
図２に更に詳細に図解されている。
動し、ウエハ１０を、基部１８の丸屋根状の面の輪郭に
ほぼ沿うように押し付ける。プラズマエッチング処理工
程が行われるのはこの形態に於いてである。この形態は
図２に更に詳細に図解されている。
【０００６】図２を詳細に説明する前に、図１或いは図
２からは明確には判らないが、基部１８はウエハ１０の
外形よりも大きな外形を有しているという事に注意すべ
きである。更に、サポ−ト１２及びフィンガ１６が基部
１８を通過して動くことができるように、四つの切り欠
き部分（ｃｕｔｏｕｔｓ）２０が基部の側面に形成され
ている。典型的には、基部１８はアルミニウムで出来て
おり、その丸屋根状の表面を冷却するために冷却水を通
過させるための水の通路を含んでいる。基部は、ウエハ
処理の間ウエハ１０を冷却するように働く。それはま
た、プラズマエッチング処理の間、正確なウエハエッチ
ングを確実に行うように、陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）とし
て働くように荷電（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｈａ
ｒｇｅｄ）することもできる。ウエハから丸屋根状の面
への熱伝達を高めこの熱伝達の一様性を改善するため
に、ガス導管２２を経てウエハと丸屋根状面の間の空間
にガスが吹き込まれる。その導管は基部１８の中心軸１
９に沿って形成されており、丸屋根の中央に出口を有し
ている。
２からは明確には判らないが、基部１８はウエハ１０の
外形よりも大きな外形を有しているという事に注意すべ
きである。更に、サポ−ト１２及びフィンガ１６が基部
１８を通過して動くことができるように、四つの切り欠
き部分（ｃｕｔｏｕｔｓ）２０が基部の側面に形成され
ている。典型的には、基部１８はアルミニウムで出来て
おり、その丸屋根状の表面を冷却するために冷却水を通
過させるための水の通路を含んでいる。基部は、ウエハ
処理の間ウエハ１０を冷却するように働く。それはま
た、プラズマエッチング処理の間、正確なウエハエッチ
ングを確実に行うように、陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）とし
て働くように荷電（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｈａ
ｒｇｅｄ）することもできる。ウエハから丸屋根状の面
への熱伝達を高めこの熱伝達の一様性を改善するため
に、ガス導管２２を経てウエハと丸屋根状面の間の空間
にガスが吹き込まれる。その導管は基部１８の中心軸１
９に沿って形成されており、丸屋根の中央に出口を有し
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図２は、クランプリン
グ２４がウエハ１０のエッジに噛み合っている領域の拡
大詳細図であり、従来技術のクランプリングにおける問
題を図解している。この図から明らかなように、シ−ト
２６の平面は水平であり、一方基部の表面はカ−ブして
おり、従ってウエハが基部の丸屋根に沿った時にはその
ウエハもカ−ブする。結果として、クランプリング２４
はウエハ１０とエッジ３０において線でのみ接触する。
このやり方の問題は、ウエハの表面が、それを擦る（ｓ
ｃｒａｐｉｎｇ）エッジ３０によって損傷されうるとい
うことである。逆に、ウエハがクランプリング２４より
もずっと硬い場合には、クランプリングがウエハによっ
て損傷されうる。ウエハ或いはリングに対する損傷は、
処理操作中の望ましくない粒子発生につながりうる。
グ２４がウエハ１０のエッジに噛み合っている領域の拡
大詳細図であり、従来技術のクランプリングにおける問
題を図解している。この図から明らかなように、シ−ト
２６の平面は水平であり、一方基部の表面はカ−ブして
おり、従ってウエハが基部の丸屋根に沿った時にはその
ウエハもカ−ブする。結果として、クランプリング２４
はウエハ１０とエッジ３０において線でのみ接触する。
このやり方の問題は、ウエハの表面が、それを擦る（ｓ
ｃｒａｐｉｎｇ）エッジ３０によって損傷されうるとい
うことである。逆に、ウエハがクランプリング２４より
もずっと硬い場合には、クランプリングがウエハによっ
て損傷されうる。ウエハ或いはリングに対する損傷は、
処理操作中の望ましくない粒子発生につながりうる。
【０００８】この問題は、ガスがガス導管２２の中に吹
き込まれ、ウエハ１０の裏側と基部１８の丸屋根状表面
との間の空間に強制的に押し込まれた時に更に大きくな
る。そのガスは、通常はヘリウムのような不活性ガスで
あるが、典型的には４から１８ト−ル（Ｔｏｒｒ）の間
の圧力に維持されており、一方処理工程中、リアクタの
内部圧力は２から１０ミリト−ル（ｍｉｌｌｉＴｏｒ
ｒ）になっている。この圧力差の結果、ウエハは基部１
８から離れるようにたわみ（ｆｌｅｘｅｓ）またしなる
（ｂｏｗｓ）。その形態は破線１０’で示されている。
このたわみは、クランプリング２４のエッジ３０による
ウエハの表面上に於ける圧力を更に大きくするだけでな
く、エッジ３０によるウエハ１０の表面のスクレ−ピン
グ（ｓｃｒａｐｉｎｇ）を悪化させる。
き込まれ、ウエハ１０の裏側と基部１８の丸屋根状表面
との間の空間に強制的に押し込まれた時に更に大きくな
る。そのガスは、通常はヘリウムのような不活性ガスで
あるが、典型的には４から１８ト−ル（Ｔｏｒｒ）の間
の圧力に維持されており、一方処理工程中、リアクタの
内部圧力は２から１０ミリト−ル（ｍｉｌｌｉＴｏｒ
ｒ）になっている。この圧力差の結果、ウエハは基部１
８から離れるようにたわみ（ｆｌｅｘｅｓ）またしなる
（ｂｏｗｓ）。その形態は破線１０’で示されている。
このたわみは、クランプリング２４のエッジ３０による
ウエハの表面上に於ける圧力を更に大きくするだけでな
く、エッジ３０によるウエハ１０の表面のスクレ−ピン
グ（ｓｃｒａｐｉｎｇ）を悪化させる。
【０００９】過去に於いて、シ−ト２６を、特に直角に
角度をつけられたエッジ３０を正確に機械加工し精密に
研磨することによってこの問題を克服しようとする試み
が種々なされてきた。この機械加工し研磨するプロセス
は、熟練したオペレ−タ−による細心の注意を要求し、
それ故に非常にコストがかかる。しかしながら、不幸に
も、直角に角度のついたエッジ３０を細心の注意を払っ
て研磨し、その結果としてのばり取り（ｄｅｂｕｒｒｉ
ｎｇ）を行っても、まだ完全に欠陥のないエッジを提供
するには十分ではない。このエッジ３０のどのような欠
陥も、それがウエハを基部に抑えつける時に、クランプ
リングによって発生する応力に対する集中点として作用
する。これらの応力集中点は損傷を引き起こし、その損
傷は、シリコンウエハがガラス片のように挙動する際に
特に問題となりうる。即ち、ウエハの表面上の小さな削
り跡（ｃｈｉｐ）或いは傷の痕跡（ｓｃｏｒｅ ｍａｒ
ｋ）が応力点から伝播しウエハを破壊する。更に、ウエ
ハ表面のそのような傷跡や痕跡はその平面度を損なわせ
る。このようにして、その後のプロセス、例えばタング
ステンＣＶＤ（理想的な条件下であってもウエハの表面
に固着しがたい）のような材料によるプロセスは、いか
なる信頼性のおける方法をもってしても可能ではない。
タングステンはウエハの表面の損傷した部分に付着する
ことができないからである。結果として、タングステン
は更にその先のプロセスの間に、ウエハの表面から浮き
上がりがちになる。
角度をつけられたエッジ３０を正確に機械加工し精密に
研磨することによってこの問題を克服しようとする試み
が種々なされてきた。この機械加工し研磨するプロセス
は、熟練したオペレ−タ−による細心の注意を要求し、
それ故に非常にコストがかかる。しかしながら、不幸に
も、直角に角度のついたエッジ３０を細心の注意を払っ
て研磨し、その結果としてのばり取り（ｄｅｂｕｒｒｉ
ｎｇ）を行っても、まだ完全に欠陥のないエッジを提供
するには十分ではない。このエッジ３０のどのような欠
陥も、それがウエハを基部に抑えつける時に、クランプ
リングによって発生する応力に対する集中点として作用
する。これらの応力集中点は損傷を引き起こし、その損
傷は、シリコンウエハがガラス片のように挙動する際に
特に問題となりうる。即ち、ウエハの表面上の小さな削
り跡（ｃｈｉｐ）或いは傷の痕跡（ｓｃｏｒｅ ｍａｒ
ｋ）が応力点から伝播しウエハを破壊する。更に、ウエ
ハ表面のそのような傷跡や痕跡はその平面度を損なわせ
る。このようにして、その後のプロセス、例えばタング
ステンＣＶＤ（理想的な条件下であってもウエハの表面
に固着しがたい）のような材料によるプロセスは、いか
なる信頼性のおける方法をもってしても可能ではない。
タングステンはウエハの表面の損傷した部分に付着する
ことができないからである。結果として、タングステン
は更にその先のプロセスの間に、ウエハの表面から浮き
上がりがちになる。
【００１０】この問題を解決するもう一つの方法が、バ
ンホルツア（Ｂａｎｈｏｌｚｅｒ）他の名前で１９９３
年３月２４日に提出された米国特許出願第０８／０３
７，９８８号に教示されている。この出願はシ−ト面
が、基部の丸屋根状表面の傾斜と少なくとも同じ勾配を
持った角度で上の方向に向かって角度がつけられたクラ
ンプリングの使用を教示している。
ンホルツア（Ｂａｎｈｏｌｚｅｒ）他の名前で１９９３
年３月２４日に提出された米国特許出願第０８／０３
７，９８８号に教示されている。この出願はシ−ト面
が、基部の丸屋根状表面の傾斜と少なくとも同じ勾配を
持った角度で上の方向に向かって角度がつけられたクラ
ンプリングの使用を教示している。
【００１１】これらの解決策が提案されているにもかか
わらず、半導体ウエハを熱リアクタの中で丸屋根状基部
の上にクランプするための必要性がまだ存在する。
わらず、半導体ウエハを熱リアクタの中で丸屋根状基部
の上にクランプするための必要性がまだ存在する。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、半導
体ウエハを処理するための熱リアクタ内において使用す
るための改良されたクランプリングを提供する。そのリ
アクタは、ウエハを支持しその温度を制御するための、
丸屋根状の基部及びクランプリングを含み、そのクラン
プリングはウエハの周辺部を丸屋根状の基部の上に受容
し保持するために、その中に形成された環状シ−トを含
む。クランプリング内に形成されたシ−トは、ウエハの
周辺部に係合し（ｅｎｇａｇｉｎｇ）抑えつけるための
少なくとも一つの凸状の（ｃｏｎｖｅｘ）ウエハ係合面
を含む。
体ウエハを処理するための熱リアクタ内において使用す
るための改良されたクランプリングを提供する。そのリ
アクタは、ウエハを支持しその温度を制御するための、
丸屋根状の基部及びクランプリングを含み、そのクラン
プリングはウエハの周辺部を丸屋根状の基部の上に受容
し保持するために、その中に形成された環状シ−トを含
む。クランプリング内に形成されたシ−トは、ウエハの
周辺部に係合し（ｅｎｇａｇｉｎｇ）抑えつけるための
少なくとも一つの凸状の（ｃｏｎｖｅｘ）ウエハ係合面
を含む。
【００１３】この形状は、クランプリングの鋭いエッジ
が、ウエハ表面上に乗らないという利点を有する。従っ
て、ウエハの表面の損傷が最小限に押さえられる。
が、ウエハ表面上に乗らないという利点を有する。従っ
て、ウエハの表面の損傷が最小限に押さえられる。
【００１４】その凸状のウエハ係合面は、クランプリン
グによって回転可能に支持された少なくとも三つのロ−
ラ−によって画成される（ｄｅｆｉｎｅｄ）のが好まし
い。これらのロ−ラ−の特筆すべき利点は、クランプリ
ングがウエハの周辺部を基部に抑えつける時に回転する
ことができるということである。
グによって回転可能に支持された少なくとも三つのロ−
ラ−によって画成される（ｄｅｆｉｎｅｄ）のが好まし
い。これらのロ−ラ−の特筆すべき利点は、クランプリ
ングがウエハの周辺部を基部に抑えつける時に回転する
ことができるということである。
【００１５】典型的には、各ロ−ラ−はクランプリング
の本体中に形成されたポケットの中に置かれた球（ｓｐ
ｈｅｒｅ）の形をとる。各球の一部は、シ−トを越えて
出っ張っており、球の表面がウエハの表面に接触するよ
うになっている。このことによりウエハの表面とシ−ト
状の鋭いエッジは離れて保持され、それによってシ−ト
によるウエハ表面の損傷を軽減する。
の本体中に形成されたポケットの中に置かれた球（ｓｐ
ｈｅｒｅ）の形をとる。各球の一部は、シ−トを越えて
出っ張っており、球の表面がウエハの表面に接触するよ
うになっている。このことによりウエハの表面とシ−ト
状の鋭いエッジは離れて保持され、それによってシ−ト
によるウエハ表面の損傷を軽減する。
【００１６】球はポケットの中で回転することができ、
それ故にウエハの表面上を転がることができる。このこ
とが、ウエハがクランプリングによって損傷を受ける機
会を更に低減している。
それ故にウエハの表面上を転がることができる。このこ
とが、ウエハがクランプリングによって損傷を受ける機
会を更に低減している。
【００１７】本発明の以上述べた利点や更なる詳細が、
図面に示される好ましい実施例の詳細な説明を読めば、
当業者にとって疑いもなく明らかとなるであろう。
図面に示される好ましい実施例の詳細な説明を読めば、
当業者にとって疑いもなく明らかとなるであろう。
【００１８】
【実施例】プラズマリアクタのような処理リアクタ内で
使用するための、本発明のクランプリングが、図３及び
４に示されている。図３は、クランプリングを単独で示
しており、図４はクランプリングがウエハ１０を丸屋根
状の基部１８に抑えつけているところを示している。こ
れら両方の図に於いては、クランプリングの概要が、図
解の便のために幾つかの特徴が誇張されて示されてい
る。
使用するための、本発明のクランプリングが、図３及び
４に示されている。図３は、クランプリングを単独で示
しており、図４はクランプリングがウエハ１０を丸屋根
状の基部１８に抑えつけているところを示している。こ
れら両方の図に於いては、クランプリングの概要が、図
解の便のために幾つかの特徴が誇張されて示されてい
る。
【００１９】クランプリングは、一般的に（ｇｅｎｅｒ
ａｌｌｙ）１００として示されているが、その稼働する
下側に形成された環状（ａｎｎｕｌａｒ）のウエハ受容
（ｒｅｃｅｉｖｉｎｇ）シ−ト１０２を有する円錐曲線
回転体の（ｔｏｒｏｉｄａｌ）（ド−ナツ形の）本体に
よって構成されている。そのシ−ト１０２は階段状に
（ｓｔｅｐ−ｓｈａｐｅｄ）なっており、ウエハと重な
る一般的に水平の（ｈｏｒｉｚｏｎａｌ）ル−フ（ｒｏ
ｏｆ）１０４及び側壁（ｓｉｄｅｗａｌｌ）１０６を含
む。その側壁１０６は垂直線から後方向に角度がついて
おり、典型的にはその角度は１１０度である。この角度
のついた側壁１０６は、ウエハ受容シ−ト１０２の外側
エッジを画成することに加えて、クランプリング１００
が基部に向かって下方向に動いて行く際、ウエハがシ−
ト１０２内に正確に受容されるように働く。
ａｌｌｙ）１００として示されているが、その稼働する
下側に形成された環状（ａｎｎｕｌａｒ）のウエハ受容
（ｒｅｃｅｉｖｉｎｇ）シ−ト１０２を有する円錐曲線
回転体の（ｔｏｒｏｉｄａｌ）（ド−ナツ形の）本体に
よって構成されている。そのシ−ト１０２は階段状に
（ｓｔｅｐ−ｓｈａｐｅｄ）なっており、ウエハと重な
る一般的に水平の（ｈｏｒｉｚｏｎａｌ）ル−フ（ｒｏ
ｏｆ）１０４及び側壁（ｓｉｄｅｗａｌｌ）１０６を含
む。その側壁１０６は垂直線から後方向に角度がついて
おり、典型的にはその角度は１１０度である。この角度
のついた側壁１０６は、ウエハ受容シ−ト１０２の外側
エッジを画成することに加えて、クランプリング１００
が基部に向かって下方向に動いて行く際、ウエハがシ−
ト１０２内に正確に受容されるように働く。
【００２０】クランプリング１００の本体は二部品構成
となっており、好ましくは石英（ｑｕａｒｔｚ）で形成
された上部キャップ（ｃａｐ）１０８、及び好ましくは
アルミナセラミックで形成された下部ウエハ係合リング
（ｅｎｇａｇｉｎｇ ｒｉｎｇ）１１０とを含む。キャ
ップ１０８は、四本のネジ１１１（その内一本だけが示
されている）によって係合リング１１０の上に保持され
ている。これらのネジ１１１は、キャップ１０８及び係
合リング１１０の穴を貫通しており、クランプリング用
マウント（ｍｏｕｎｔｓ）（図示せず）にネジ止めされ
ている。次に、そのマウントは、リアクタ内にクランプ
リングを支持するように働く。
となっており、好ましくは石英（ｑｕａｒｔｚ）で形成
された上部キャップ（ｃａｐ）１０８、及び好ましくは
アルミナセラミックで形成された下部ウエハ係合リング
（ｅｎｇａｇｉｎｇ ｒｉｎｇ）１１０とを含む。キャ
ップ１０８は、四本のネジ１１１（その内一本だけが示
されている）によって係合リング１１０の上に保持され
ている。これらのネジ１１１は、キャップ１０８及び係
合リング１１０の穴を貫通しており、クランプリング用
マウント（ｍｏｕｎｔｓ）（図示せず）にネジ止めされ
ている。次に、そのマウントは、リアクタ内にクランプ
リングを支持するように働く。
【００２１】各々が球１１４を保持するように形成され
たポケット１１２のリングが、クランプリング１００の
シ−ト１０２のル−フ１０４内に形成されている。各ポ
ケット１１２は、それが保持する球１１４よりも僅かに
大きい直径を有する円形穴の形をとっており、ル−フ１
０４の中に上方から形成されている。更に、各ポケット
１１２は球を受容するに十分な大きさの開口をもって、
頂部に（キャップ１０８と係合リング１１０との間の界
面に於いて）開いている。図示されているように、各ポ
ケットはル−フ１０４の下の空間に向かって下方向にも
開いている。しかしながらそのポケット１１２が下方向
に開いている点に於いて、その開口は、球の直径よりも
小さいが、球がル−フ１０４の面を越えて出っ張ること
ができるのに十分な大きさに制限されている。従って、
そのポケットは各球を、それがプロセスチャンバ内に出
っ張るように保持している。
たポケット１１２のリングが、クランプリング１００の
シ−ト１０２のル−フ１０４内に形成されている。各ポ
ケット１１２は、それが保持する球１１４よりも僅かに
大きい直径を有する円形穴の形をとっており、ル−フ１
０４の中に上方から形成されている。更に、各ポケット
１１２は球を受容するに十分な大きさの開口をもって、
頂部に（キャップ１０８と係合リング１１０との間の界
面に於いて）開いている。図示されているように、各ポ
ケットはル−フ１０４の下の空間に向かって下方向にも
開いている。しかしながらそのポケット１１２が下方向
に開いている点に於いて、その開口は、球の直径よりも
小さいが、球がル−フ１０４の面を越えて出っ張ること
ができるのに十分な大きさに制限されている。従って、
そのポケットは各球を、それがプロセスチャンバ内に出
っ張るように保持している。
【００２２】更に、図面から直接知ることはできない
が、ル−フ１０４の厚さは球の直径よりも僅かに小さ
く、また各ポケットはその中に保持された球がポケット
内で僅かに上下に動くことができるように形成されてい
ることに注意すべきである。しかしながらこの運動の範
囲は、その球が完全にポケットの中に戻ってしまう程大
きくはないので、それは常にル−フ１０４を越えて出っ
張っている。
が、ル−フ１０４の厚さは球の直径よりも僅かに小さ
く、また各ポケットはその中に保持された球がポケット
内で僅かに上下に動くことができるように形成されてい
ることに注意すべきである。しかしながらこの運動の範
囲は、その球が完全にポケットの中に戻ってしまう程大
きくはないので、それは常にル−フ１０４を越えて出っ
張っている。
【００２３】その球は典型的には直径が約１．６ｍｍ
（０．０６２５インチ）であり、セラミックボ−ルベア
リングに商業的に使用されている種類のものである。そ
れらはシリコンカ−バイド（ＳｉＣ）、アルミナセラミ
ック（Ａｌ2 Ｏ3 ）、石英（ＳｉＯ2 ）あるいは窒化ケ
イ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）のような対摩耗性材料で作るのが好
ましい。これらの材料は、対摩耗性があるという理由だ
けではなく、処理チャンバの化学的に活性のある環境内
で比較的安定しているという理由で選ばれる。ここに図
示した例では、そのクランプリングは２００ｍｍのウエ
ハを保持するのに適しており、典型的には円形のウエハ
重複部分に沿って配置された３２個の球を有している。
しかしながら原理的には、球の数は２を越える数であれ
ばどのような数でもよい。
（０．０６２５インチ）であり、セラミックボ−ルベア
リングに商業的に使用されている種類のものである。そ
れらはシリコンカ−バイド（ＳｉＣ）、アルミナセラミ
ック（Ａｌ2 Ｏ3 ）、石英（ＳｉＯ2 ）あるいは窒化ケ
イ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）のような対摩耗性材料で作るのが好
ましい。これらの材料は、対摩耗性があるという理由だ
けではなく、処理チャンバの化学的に活性のある環境内
で比較的安定しているという理由で選ばれる。ここに図
示した例では、そのクランプリングは２００ｍｍのウエ
ハを保持するのに適しており、典型的には円形のウエハ
重複部分に沿って配置された３２個の球を有している。
しかしながら原理的には、球の数は２を越える数であれ
ばどのような数でもよい。
【００２４】クランプリング１００の稼働状態が図４に
示されている。クランプリング１００がウエハ１０をシ
−ト１０２に受容するように降りていくと、ウエハ１０
はその周辺ゾ−ンに於いて球１１４によって係合され
る。球１１４は、ウエハの表面に周辺から約１．５ｍｍ
（０．０６０インチ）の所で係合する。これは先行技術
のクランプリング２４が、ウエハの表面に接触するであ
ろう点と、ほぼ同じ点である。
示されている。クランプリング１００がウエハ１０をシ
−ト１０２に受容するように降りていくと、ウエハ１０
はその周辺ゾ−ンに於いて球１１４によって係合され
る。球１１４は、ウエハの表面に周辺から約１．５ｍｍ
（０．０６０インチ）の所で係合する。これは先行技術
のクランプリング２４が、ウエハの表面に接触するであ
ろう点と、ほぼ同じ点である。
【００２５】以上述べたように、球１１４はポケット１
１２内で自由であり僅かに上下に動くことができる。こ
のことは、その球はウエハと接触するとすぐに下方向に
動かなくなり、クランプリング１００の上部キャップ１
０８がそれらを圧迫するに至るところまで、ポケット１
１２内で相対的に上の方向に動くことを意味する。この
ことが起ると、球は、クランプリング１００が更に下方
向に動くにつれて、クランプリング１００と一緒に下方
向に動かされる。次にこれは、ウエハ１０を基部の丸屋
根に沿うように曲げる。このことが起ると、ウエハ上に
乗った球１１４は、ウエハの表面上で転がり、その上を
引きずることがない。球は、ウエハの表面上に沿って約
０．０５から０．０８ｍｍ（０．００２から０．００３
インチ）転がるだけであるが、これはウエハの表面上を
滑りそれを擦るのを防ぐのに十分である。
１２内で自由であり僅かに上下に動くことができる。こ
のことは、その球はウエハと接触するとすぐに下方向に
動かなくなり、クランプリング１００の上部キャップ１
０８がそれらを圧迫するに至るところまで、ポケット１
１２内で相対的に上の方向に動くことを意味する。この
ことが起ると、球は、クランプリング１００が更に下方
向に動くにつれて、クランプリング１００と一緒に下方
向に動かされる。次にこれは、ウエハ１０を基部の丸屋
根に沿うように曲げる。このことが起ると、ウエハ上に
乗った球１１４は、ウエハの表面上で転がり、その上を
引きずることがない。球は、ウエハの表面上に沿って約
０．０５から０．０８ｍｍ（０．００２から０．００３
インチ）転がるだけであるが、これはウエハの表面上を
滑りそれを擦るのを防ぐのに十分である。
【００２６】同様に、処理工程中に丸屋根状基部１８と
ウエハ１０との間にガスが吹き込まれ、ウエハを位置１
０’（破線で示す）のようにたわませるときにも、球は
転がる。このことによって、ウエハの表面のスクレ−ピ
ングが防止される。
ウエハ１０との間にガスが吹き込まれ、ウエハを位置１
０’（破線で示す）のようにたわませるときにも、球は
転がる。このことによって、ウエハの表面のスクレ−ピ
ングが防止される。
【００２７】図４はまたクランプリングの詳細を図示し
ている。ここに見られるように、キャップ１０８は、係
合リング１１０に被いかぶさるように出っ張っている内
外のリップ（ｌｉｐｓ）１１６、１１８を含んでいる。
この形状の理由の一つは、係合リング１１０は、フッ素
を使用するエッチングプロセスの間に、フッ化アルミニ
ウム（ＡｌＦ3 ）粒子を形成することのあるアルミナセ
ラミックで製造される場合があることである。この粒子
は、汚染という観点から望ましくない。一方、石英（Ｓ
ｉＯ2 ）は、フッ素中でエッチングされる際、粒子の出
ないフッ化シリコン（ＳｉＦ4 ）及び一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）あるいは二酸化炭素（ＣＯ2 ）ガスを形成する。そ
れ故、比較的汚染を生じない石英のリップが、クランプ
リングの下部をプロセス化学物質からシ−ルドするよう
に作用する。
ている。ここに見られるように、キャップ１０８は、係
合リング１１０に被いかぶさるように出っ張っている内
外のリップ（ｌｉｐｓ）１１６、１１８を含んでいる。
この形状の理由の一つは、係合リング１１０は、フッ素
を使用するエッチングプロセスの間に、フッ化アルミニ
ウム（ＡｌＦ3 ）粒子を形成することのあるアルミナセ
ラミックで製造される場合があることである。この粒子
は、汚染という観点から望ましくない。一方、石英（Ｓ
ｉＯ2 ）は、フッ素中でエッチングされる際、粒子の出
ないフッ化シリコン（ＳｉＦ4 ）及び一酸化炭素（Ｃ
Ｏ）あるいは二酸化炭素（ＣＯ2 ）ガスを形成する。そ
れ故、比較的汚染を生じない石英のリップが、クランプ
リングの下部をプロセス化学物質からシ−ルドするよう
に作用する。
【００２８】示されるように、内側リップ１１６は約１
ｍｍ（０．０４０インチ）の厚さであり、外側リップ１
１８は６．３５ｍｍ（０．２５インチ）の厚さである。
また、本発明の図示された実施例においては、外側リッ
プ１１８は係合リングの外形よりも僅かに大きい内径を
有している。それは石英とアルミナが異なる熱膨張係数
を有するからである。アルミナは石英よりも多く膨張す
るので、石英とアルミナとの間の空間が、外側に膨張す
るセラミックの係合リング１１０が外側リップ１１８を
圧迫しないようにするために必要である。
ｍｍ（０．０４０インチ）の厚さであり、外側リップ１
１８は６．３５ｍｍ（０．２５インチ）の厚さである。
また、本発明の図示された実施例においては、外側リッ
プ１１８は係合リングの外形よりも僅かに大きい内径を
有している。それは石英とアルミナが異なる熱膨張係数
を有するからである。アルミナは石英よりも多く膨張す
るので、石英とアルミナとの間の空間が、外側に膨張す
るセラミックの係合リング１１０が外側リップ１１８を
圧迫しないようにするために必要である。
【００２９】キャップ部分１０８は、クランプリング１
００がウエハ１０と基部１８の上に乗る際に発生する力
の下でのたわみを、最小限に抑えるに十分なだけ剛であ
る（ｒｉｇｉｄ）ということが重要である。ここで明ら
かなように、このたわみは、ウエハ１０の上面とシ−ト
１０２の水平（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）ル−フ１０４の
水平面との間の空間ｄよりも、小さくなければならな
い。もしたわみがｄよりも大きいと、シ−トのル−フ１
０４はウエハの表面に接触し、転がり球の利益が失われ
る。典型的にはこの要件は、キャップ部分が石英製であ
るとき、約６．３５ｍｍ（０．２５インチ）の厚さであ
れば満たされる。更に、寸法ｄはウエハがたわんだ際
に、そのウエハがル−フ１０４の内側エッジに接触する
程小さくない範囲で、最小限に保たれるのが好ましい。
以上説明したクランプリングでは、ｄが約２５ミクロン
（０．００１インチ）であれば、これは達成される。
００がウエハ１０と基部１８の上に乗る際に発生する力
の下でのたわみを、最小限に抑えるに十分なだけ剛であ
る（ｒｉｇｉｄ）ということが重要である。ここで明ら
かなように、このたわみは、ウエハ１０の上面とシ−ト
１０２の水平（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）ル−フ１０４の
水平面との間の空間ｄよりも、小さくなければならな
い。もしたわみがｄよりも大きいと、シ−トのル−フ１
０４はウエハの表面に接触し、転がり球の利益が失われ
る。典型的にはこの要件は、キャップ部分が石英製であ
るとき、約６．３５ｍｍ（０．２５インチ）の厚さであ
れば満たされる。更に、寸法ｄはウエハがたわんだ際
に、そのウエハがル−フ１０４の内側エッジに接触する
程小さくない範囲で、最小限に保たれるのが好ましい。
以上説明したクランプリングでは、ｄが約２５ミクロン
（０．００１インチ）であれば、これは達成される。
【００３０】以上示したように、本発明はウエハの表面
が凸状の面によって接触されるという利点を有する。示
されるように、凸状面は転がり球によって提供される
が、円筒状のロ−ラ−、或いは固定した凸状突起物によ
っても可能である。凸状面の効果は、ウエハの表面が、
接触点において球の表面に対して接線方向に保たれると
いうことである。更に、ロ−ラ−を使えば、それはウエ
ハが曲がりそしてたわむ際に、ウエハの表面に沿って転
がることができる。このことは、ウエハ表面に損傷を与
えるスクレ−ピング及びその結果としての粒子の発生を
低減する。この利益は、球の代わりに円筒形のロ−ラ−
を使っても達成することができる。
が凸状の面によって接触されるという利点を有する。示
されるように、凸状面は転がり球によって提供される
が、円筒状のロ−ラ−、或いは固定した凸状突起物によ
っても可能である。凸状面の効果は、ウエハの表面が、
接触点において球の表面に対して接線方向に保たれると
いうことである。更に、ロ−ラ−を使えば、それはウエ
ハが曲がりそしてたわむ際に、ウエハの表面に沿って転
がることができる。このことは、ウエハ表面に損傷を与
えるスクレ−ピング及びその結果としての粒子の発生を
低減する。この利益は、球の代わりに円筒形のロ−ラ−
を使っても達成することができる。
【００３１】もう一つの利益は、クランプリングからウ
エハへ伝達される熱量が実質的に低減されることであ
る。これは、熱伝達は接触面積に比例し、その接触面積
が各球の一点に低減されるからである。従って、クラン
プリングはウエハのエッジを加熱することがなく、ウエ
ハの温度が更にうまくコントロ−ルできる。その結果と
して、ウエハ上の温度分布が更に一様になり、従って処
理操作が更に信頼性のおけるものとなる。
エハへ伝達される熱量が実質的に低減されることであ
る。これは、熱伝達は接触面積に比例し、その接触面積
が各球の一点に低減されるからである。従って、クラン
プリングはウエハのエッジを加熱することがなく、ウエ
ハの温度が更にうまくコントロ−ルできる。その結果と
して、ウエハ上の温度分布が更に一様になり、従って処
理操作が更に信頼性のおけるものとなる。
【００３２】以上、本発明は特定の実施例によって説明
されたが、その変更や改変は当業者とって疑いもなく明
らかである。例えば、クランプリング１０２の係合リン
グ１１０はアルミナの代わりに窒化珪素で作ることがで
きる。また基部は、冷却は勿論のこと加熱のためにも使
用することができる。更に、基部の細かな形状は重要で
はなく、本発明ではそれは平面であってもよい。またウ
エハは半導体ウエハである必要はなく、また円形である
必要もない。それは別の種類の材料の基板であってもよ
いし、また非円形の形状をしていてもよい。同様に、本
発明の原理は上で述べた半導体ウエハプラズマエッチン
グ処理以外の処理操作に適用することもできる。それ
故、特許請求の範囲は、本発明の真の精神と範囲内にあ
るそれらの全ての改変や変更をカバ−するものと解釈す
べきである。
されたが、その変更や改変は当業者とって疑いもなく明
らかである。例えば、クランプリング１０２の係合リン
グ１１０はアルミナの代わりに窒化珪素で作ることがで
きる。また基部は、冷却は勿論のこと加熱のためにも使
用することができる。更に、基部の細かな形状は重要で
はなく、本発明ではそれは平面であってもよい。またウ
エハは半導体ウエハである必要はなく、また円形である
必要もない。それは別の種類の材料の基板であってもよ
いし、また非円形の形状をしていてもよい。同様に、本
発明の原理は上で述べた半導体ウエハプラズマエッチン
グ処理以外の処理操作に適用することもできる。それ
故、特許請求の範囲は、本発明の真の精神と範囲内にあ
るそれらの全ての改変や変更をカバ−するものと解釈す
べきである。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、基板
が凸状座面で保持されるので、ウエハ表面が損傷され
ず、汚染源となる粒子の発生も防止できる。
が凸状座面で保持されるので、ウエハ表面が損傷され
ず、汚染源となる粒子の発生も防止できる。
【図１】図１は、従来技術の半導体ウエハ処理用熱リア
クタの幾つかの内部部品の部分断面分解図である。
クタの幾つかの内部部品の部分断面分解図である。
【図２】図２は、図１のクランプリングの詳細図であ
り、リングのウエハ表面への係合の仕方を示した図であ
る。
り、リングのウエハ表面への係合の仕方を示した図であ
る。
【図３】図３は、本発明のクランプリングの断面斜視図
である。
である。
【図４】図４は、本発明のクランプリングの詳細断面図
であり、それがどのようにウエハを丸屋根状ヒ−タ−基
部に保持しているかということを示した図である。
であり、それがどのようにウエハを丸屋根状ヒ−タ−基
部に保持しているかということを示した図である。
１０…半導体ウエハ、１２…ウエハサポ−ト、１８…丸
屋根状基部、２４…クランプリング、２６…環状シ−
ト、３０…エッジ、１００…クランプリング、１０２…
ウエハ受容シ−ト、１０４…ル−フ、１０６…側壁、１
０８…上部キャップ、１１０…係合リング、１１１…ネ
ジ、１１２…ポケット、１１４…球、１１６…内側リッ
プ、１１８…外側リップ。
屋根状基部、２４…クランプリング、２６…環状シ−
ト、３０…エッジ、１００…クランプリング、１０２…
ウエハ受容シ−ト、１０４…ル−フ、１０６…側壁、１
０８…上部キャップ、１１０…係合リング、１１１…ネ
ジ、１１２…ポケット、１１４…球、１１６…内側リッ
プ、１１８…外側リップ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 (72)発明者 ジョン モーン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95070， サラトガ， パセオ プレサダ 13179
Claims (21)
- 【請求項１】 基板処理用リアクタ内で使用するための
クランプであって、 該クランプ内に形成された座を含む剛性のある本体を備
え、 前記リアクタが前記基板を支持するための基部を含み、 前記座が、前記基板の周辺部を前記基部に係合させ保持
するための、少なくとも一つの凸状座面を有する、 クランプ。 - 【請求項２】 前記凸状内部座面が、少なくとも一つの
ころがり面によって画成されている、請求項１記載のク
ランプ。 - 【請求項３】 各ころがり面が、前記クランプの前記本
体によって回転支持された球によって画成されている、
請求項２記載のクランプ。 - 【請求項４】 各球が、前記クランプの前記本体内に形
成されたポケット内の支持され、前記凸状座面を画成し
ている、請求項３記載のクランプ。 - 【請求項５】 前記クランプの前記本体が、内部開口を
有する外部周辺部分を含み、該開口は、前記基板の前記
周辺部が前記座面と係合したとき、前記基板の主要部を
露出させるためのものである、請求項４記載のクラン
プ。 - 【請求項６】 前記内部開口が、一般的に円形であり、
前記クランプの前記本体が少なくとも三つの球を支持し
ている、請求項５記載のクランプ。 - 【請求項７】 前記基板が前記丸屋根状基部に係合し保
持されているとき、前記座面が、前記基板との接触点の
少なくとも二つの側にて凸状である、請求項１記載のク
ランプ。 - 【請求項８】 前記剛性のある本体が、前記座を含む第
１の係合部と、使用中に該係合部の少なくとも一部をカ
バーするように配置された第２の帽子状部とをさらに含
む、請求項３記載のクランプ。 - 【請求項９】 前記係合部と前記帽子状部とが異なる材
料で作られている、請求項８記載のクランプ。 - 【請求項１０】 前記帽子状部が石英で作られており、
前記係合部がアルミナで作られている、請求項８記載の
クランプ。 - 【請求項１１】 各球が、前記係合部の前記本体を越え
て出っ張っており、それによって前記凸状座面を画成す
るように、前記係合部に形成されたポケット内に支持さ
れている、請求項８記載のクランプ。 - 【請求項１２】 各ポケットが球を受容するように寸法
が決められており、それが、前記基板が前記基部に対し
て保持されている方向と平行な方向に、相対的に前記ポ
ケットに入りまた出るように動くことができるようにな
っている、請求項１１記載のクランプ。 - 【請求項１３】 前記剛性のある本体が、稼働中に、前
記球が前記クランプの前記本体の内部に完全に入り込む
ことを防止する止め部を、さらに含んでおり、それによ
って前記球の前記面の少なくとも一部が前記係合部の前
記本体を越えて突き出るように保たれている、請求項１
２記載のクランプ。 - 【請求項１４】 前記帽子状部が前記止め部を含む、請
求項１３記載のクランプ。 - 【請求項１５】 基板処理中に、該基板を基部に保持す
るためのクランプであって、 前記基板の外周に一般的に沿う形状を有し、前記基板を
前記基部にクランプするために該基部に対して相対的に
可動な環状リングと、 前記基板の前記外周に接触するために、前記リングに付
着した複数の圧迫面とを備え、 前記圧迫面が、前記基板とのそれぞれの接触部に関して
少なくとも二つの側において凸である、 クランプ。 - 【請求項１６】 前記環状リング内に保持され、前記圧
迫面をそれぞれ含む、回転可能部材をさらに備える、請
求項１５記載のクランプ。 - 【請求項１７】 前記回転可能部材が球形である、請求
項１６記載のクランプ。 - 【請求項１８】 前記環状リングが、 第１の環状部であって、前記回転可能部材がそれを通し
て第１の側に突き出ている、第１の環状部と、 前記第１の環状部の第２の側に付着した第２の環状部と
を含む、 請求項１６記載のクランプ。 - 【請求項１９】 前記第１の環状部が、その前記第１の
側から前記第２の側にわたった開口を含み、該開口の中
に前記回転可能部材が保持されている、 請求項１８記載のクランプ。 - 【請求項２０】 前記第１及び第２の環状部が、それぞ
れ第１と第２の材料を含み、前記第２の環状部が、前記
第１の環状部の半径方向内方に且つ実質的に前記第１の
環状部の前記第１の側に伸延した内部環状リップを有す
る、 請求項１８記載のクランプ。 - 【請求項２１】 前記第１の材料がアルミナを含み、前
記第２の材料が石英を含む、請求項２０記載のクラン
プ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/184,125 US5437757A (en) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | Clamp ring for domed pedestal in wafer processing chamber |
| US08/184125 | 1994-01-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878509A true JPH0878509A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=22675646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP819495A Withdrawn JPH0878509A (ja) | 1994-01-21 | 1995-01-23 | ウエハ処理チャンバ内の丸屋根状基部用クランプリング |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5437757A (ja) |
| JP (1) | JPH0878509A (ja) |
| KR (1) | KR950034651A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100656727B1 (ko) * | 1999-02-22 | 2006-12-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 조합 클램프 링 |
| US11255011B1 (en) | 2020-09-17 | 2022-02-22 | United Semiconductor Japan Co., Ltd. | Mask structure for deposition device, deposition device, and operation method thereof |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855687A (en) * | 1990-12-05 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate support shield in wafer processing reactors |
| KR100294062B1 (ko) * | 1992-10-27 | 2001-10-24 | 조셉 제이. 스위니 | 웨이퍼 처리 챔버에서의 돔형 페데스탈용 클램프 링 |
| US5695568A (en) * | 1993-04-05 | 1997-12-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
| TW357404B (en) * | 1993-12-24 | 1999-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for processing of plasma |
| US5766365A (en) * | 1994-02-23 | 1998-06-16 | Applied Materials, Inc. | Removable ring for controlling edge deposition in substrate processing apparatus |
| JP2713276B2 (ja) * | 1995-12-07 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US5810931A (en) * | 1996-07-30 | 1998-09-22 | Applied Materials, Inc. | High aspect ratio clamp ring |
| US5883522A (en) * | 1996-11-07 | 1999-03-16 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for retaining a semiconductor wafer during testing |
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