JP4615659B2 - 組合せクランプリング - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体処理に関する。より詳細には、本発明は、処理チャンバ内でワークピースまたは基板を固定するクランプリングに関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路その他の電子デバイスの製造では、誘電体、導体、および半導体材料の多重層が堆積されて基板の表面からエッチングされる。通常、基板は真空処理チャンバ内に配置され、そこで、プラズマ反応が行なわれて基板上に材料を堆積させるか、基板から材料をエッチングする。処理中に基板のエッジを保護するためと、基板を支持部材に固定するために、クランプリングを使って処理中に基板のエッジを接触させることがある。長時間の作業の後、通常は数百時間で、クランプリングの上面がエッチングプロセスによって浸食されたり、堆積プロセスで堆積材料を集積する場合がある。その結果、クランプリングを交換しなければならない。
【0003】
図1は、この分野で使用されるクランプリングの一つのタイプの斜視図である。クランプリング100は一般に、エッチングプロセスで処理チャンバの各部を保護する下方に延びるフランジ102を含む。クランプリングは、処理チャンバ内でペデスタルなどの支持部材の上に配置される基板24のエッジと係合する別名「フィンガー」として知られるタブ104も含む。タブ104はクランプリングの半径方向内方に延びて、処理中の基板を保持するために使用される。クランプリングは、孔108と穴ぐり106とを通してねじなどのファスナを挿入することによって、チャンバ内のリフト機構に取り付けられる。キャップ110を使ってファスナを覆ってエッチングプロセスからファスナを保護するようにしてもよい。クランプリングの上面112は主としてエッチングプロセスに曝され、連続的使用によって浸食して、結局は交換しなければならない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
残念ながら、プロセスによっては、クランプリングが製作される素材は非常に高価である。一例として、VESPEL(登録商標)クランプリングがいくつかのエッチングプロセスで通常的に使用される。そのクランプリングはシールド用およびクランプ用部分ばかりでなく、クランプリング用サポートおよび/またはシールドとして働く環状リング部分も含む。難しい機械加工もクランプリングのコストを高くする。
【0005】
従って、交換容易で、難しい機械加工を必要としないクランプリングに対するニーズが存在する。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電子デバイス製作におけるプラズマ支援その他のプロセスで使用可能で、エッチングまたは堆積プロセスでの使用に特に適した多ピースクランプリングを提供する。クランプリングは、通常はエッチングプロセスで消費されるか堆積プロセスでは堆積材料で覆われる上部シールド部分と、再使用可能な上部シールド部分によって保護される下部リング部分とを含む。上部シールド部分は下部シールド部分をエッチングプロセスから保護する。上部シールド部分はチャンバ部材に固定されて、エッチングプロセス中の基板との位置合わせを保つようになっている。下部リング部分は移動可能で、それ自体を上部シールド部分と位置合わせできるようになっているか、上部シールド部分と取り外し可能に締付けできるようになっている。
【0007】
一局面では、本発明は、U字形の環状下部リング部分と、処理中に当接状態で当該下部リング部分を受けるようにした環状上部シールド部分とを有する、処理チャンバ内で使用される多ピース消耗クランプリングを含む。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明の上述の特長利点、および目的を達成するとともに詳しく理解できるように、添付の図面で示すその実施態様を参照して、上記に簡単に要約した発明の、より詳細な説明を行なうものである。
【0009】
しかしながら、添付の図面はもっぱら本発明の典型的な実施態様を図示するもので、本発明の範囲を制限すると見做すべきでないことは言うまでもない。というのも、本発明は他の同様に有効な実施態様を認める可能性があるからである。
【0010】
本発明は、電子デバイス製作におけるプラズマ支援その他のプロセスで使用可能で、エッチングまたは堆積プロセスでの使用に特に適した多ピースクランプリングを提供する。クランプリングは、通常はエッチングプロセスで消費される上部シールド部分と、再使用可能な上部シールド部分によって保護される下部リング部分とを含む。上部シールド部分は下部シールド部分をエッチングプロセスから保護する。上部シールド部分はチャンバ部材に固定されて、エッチングプロセス中の基板との位置合わせを保つようになっている。下部リング部分は移動可能で、それ自体を上部シールド部分と位置合わせできるようになっているか、上部シールド部分と取り外し可能に締付けできるようになっている。言うまでもなく、本発明のクランプリングは、エッチングと堆積の両プロセスを含むいくつものチャンバとプロセスで有利に使用できる。エッチングと堆積プロセスはエッチングチャンバ、物理蒸着(PVD)チャンバ、化学蒸着(CVD)チャンバその他の、デバイスの製造に使用する処理チャンバを含む。リングの中には、基板を定位置にクランプするものもあれば、基板を通常は基板エッジの位置でシールドするか、基板に対する「シャドー」の働きをするものもある。従って、「クランプリング」の用語は、本明細書ではクランプリングとシャドーリングを含む。
【0011】
例として、図2は、本発明を有利に使用できるカリフォルニア州サンタクララのApplied Materials,Inc.から入手可能なMxP+(登録商標)チャンバなどのプラズマエッチングチャンバの概略図である。チャンバは側壁4、底部壁6、および蓋8を含む。側壁4は、基板をチャンバに対して出入するためのスリット26を持つ。カソード17は絶縁フランジ14の上方に位置して、カソード電源5に接続されている。カソード電源5は通常、プラズマからのイオンが基板24に誘引されるように、カソードを負電圧にバイアスする。絶縁フランジ14は、接地されたチャンバをカソード17の基部から電気的に分離する。ペデスタル18はカソード17に取り付けられて、基板24用の支持面を提供する。基板24はペデスタルの上面に配置されるとともに、カラー48内に水平に配置される。クランプリング60は、ヘリウムや別の不活性ガスがガスチャンネル7を通って基板の裏側に加えられるときに、基板をペデスタル表面に保持する。チャンバ壁、蓋、および底部は通常、接地される。RF電源9は、チャンバ壁と帯電したペデスタル18間の反応ゾーン19でプラズマを発生させるために、蓋8の上に配置される。余分のプロセスガスと処理中に生じた揮発性化合物はガス出口36を通して排気される。
【0012】
一部のチャンバでは、外部チューブ45がカソードその他のコンポーネントを囲み、通常はそのチャンバと接地されている。外部チューブ45は、「クオーツパイプ」として知られる絶縁ライナ50によってカソードから絶縁されている。
カソードとの接触を介して帯電した内部シリンダ47は、絶縁ライナ50の内方に置かれる。カソード、絶縁ライナ、外部チューブ、および内部シリンダは通常、チャンバに固定して取り付けられて、処理中は静止したままである。
【0013】
リフト機構13によって、クランプリング60を、チャンバへの基板の出入のために上下させることができる。リフトアクチュエータ(図示せず)は、リフト台43を上下させるシャフト3に取り付けられる。複数のリフトピン21がリフト台に連結されて、ペデスタル18のリフトピン孔と移動可能に係合する。クランプリング60は、環状下部リング部分62と環状上部シールド部分64とを含む。環状上部シールド部分64は装着リング44に取り付けられ、装着リングはリフト台43に連結される。
【0014】
運転時には、ロボットアーム(図示せず)が基板24を、スリット24を介してチャンバに挿入する。リフト機構13は、クランプリングとリフトピンの垂直方向分離部分の間でロボットアームから基板24を受け取るために、クランプリング60とリフトピン21とを持ち上げる。リフトピンが基板と接触して上昇を続けるので、基板はロボットアームから取り外される。ロボットアームはチャンバから後退して、ドア(図示せず)がチャンバをシールする。リフト機構は次に、ピン、基板、およびクランプリングを下降させて、基板をペデスタル18上に供給する。リフト機構が下降を続けると、リフトピンはリフトピン孔22を通って後退して、クランプリング60が基板24の上面と接触する。プロセスが完了すると、リフト機構はクランプリングとリフトピンとを上昇させ、基板をペデスタルから上部の位置に持ち上げてロボットアームがチャンバに入って基板を取り出せるようにする。
【0015】
図3は本発明の一つのクランプリングの斜視図である。クランプリング60は一般に、2つのピース、すなわち環状下部リング部分62と環状上部シールド部分64とから成る。上部シールド部分64は、下部リング部分の半径方向内方で、上部シールド部分の肩部67によって形成される境界面66に配置される。肩部67は、下部リング部分に対する上部シールド部分の位置決めに役立つ。タブ68は上部シールド部分の半径方向内方に延びて、処理中に基板24をペデスタル上にクランプするために使用される。穴ぐり70は上部シールド部分に部分的に形成されて、ファスナ42用の凹部を提供する。ファスナは、図4に示すように、上部シールド部分を装着リング42に連結するために、孔72を通って挿入されることが望ましい。
【0016】
図4は、基板をペデスタル18上に配置した状態の、本発明のクランプリングの断面図である。この実施態様では、ペデスタル18はほぼ平らな上面(内部に一つ以上の溝を含んで、ペデスタル18を通ってペデスタルに装着された基板24の裏側に導かれる熱伝達ガスを分配するようにしてもよい)と、その上面の周辺を囲んで延びるエッジリングまたはカラー48を含む。リップシールなどのシール65がカラーの半径方向内方に配置されて、基板がクランプリングによってシールに押し付けられると、基板の裏側とペデスタル18の平らな基板装着面の間の領域をシールするのに役立つ。基板24は、ペデスタル18上に配置されるとカラー48の上に延びて、クランプリング60によってペデスタルに押し付けられると、シール65を変形させて基板とペデスタル間の領域をシールする。
【0017】
クランプリングを形成するために、上部シールド部分64は、装着リング44の装着穴46に締め付けられる複数のファスナ42によって、下部リング部分62に対して正位置に保持される。ファスナは、装着リングに対する上部シールド部分の位置合わせも確定できる。下部リング部分は絶縁ライナ50上に「浮上する」ことができる。すなわち、下部リング部分をそのチャンバ部材に取り付けずに、上部シールド部分がファスナ42によって装着リング44に連結されたときに、下部リング部分が、それ自体を上部シールド部分の肩部67に位置合わせされるように横方向に移動できるようにしてもよい。その他に、下部リング部分をチャンバにフレキシブルに取り付けて、下部リング部分が、許容限度内で横方向に移動して、それ自体を上部シールド部分の肩部67に位置合わせできるようにしてもよい。カバー52を各ファスナ42の上に配置して、ファスナ42をエッチングプロセスから保護する。
【0018】
下部リング部分62は、絶縁ライナ50にオーバーラップする2つの下方に延びるフランジ61を持つ。外部チューブ45と内部シリンダ47とは絶縁ライナ50の両側に配置される。下方に延びるフランジ61は、チューブ45とシリンダ47間のアークを防ぐためのバリヤとして機能する。
【0019】
図2に示すリフト台43と装着リング44と共にリフト機構13を使ってクランプリングをペデスタルの上に上昇させるチャンバでは、上部シールド部分64を絶縁ライナ50の上方に持ち上げてもよい。フランジ61は、下部リング部分が絶縁ライナ50の真上の相対位置に止まるように充分な距離だけ下方に延びるように寸法決めできる。
【0020】
一部の例では、図5に示すように、上部シールド部分が上げ下げされるときに2つのピースが位置合わせの状態にあるように、下部リング部分を上部シールド部分に固定することが望ましい場合もある。境界面66で、処理中は下部リング部分と上部シールド部分とが連結されたままで、上部シールド部分の交換のためには取り外し可能にできるだろう。また、境界面66は、リング部分を互いに固定するために、一方のリング部分にリブまたは突起71を含み、もう一方のリング部分に移動止め69を含むことができるだろう。リング部分はまた、ピン、接着剤、ファスナによって、また、後日の上部シールド部分の交換のためにリング部分を分離できるような他の方法でも取り付けできるだろう。
【0021】
図6は、図3と4に示すようなファスナとタブ用の穴ぐりと孔を持たないクランプリングの別の実施態様を示す。図6の実施態様はPVDチャンバなどの、クランプリングの装着を必要としない処理チャンバで使用できるだろう。クランプリングをペデスタルの上のシールドで支持してもよいし、ペデスタルがクランプリングの下方の位置に基板を上下させる。
【0022】
本発明のクランプリングはVespel(登録商標)などの消耗材料、高密度プラスチック材料、ポリイミド、ポリマーその他の、エッチングと堆積プロセスに役立つ材料から形成されたクランプリングのために特に有用である。
【0023】
上記は本発明の好ましい実施態様に向けられたが、本発明の他の更なる実施態様をその基本的範囲から逸脱することなく考案可能で、その範囲は特許請求の範囲によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】エッチング処理チャンバ内で基板と共に使用される標準クランプリングの斜視図である。
【図2】本発明が使用できるエッチングチャンバの概略図である。
【図3】本発明のクランプリングの斜視図である。
【図4】本発明の上記クランプリングの断面図である。
【図5】上記クランプリングの別の実施態様の断面図である。
【図6】本発明のクランプリングの別の実施態様の斜視図である。
Claims (11)
- 処理チャンバで使用される多ピースクランプリングであって:
(a)前記処理チャンバ内で基板支持面の周りに配置されたU字形環状下部リング部分であって、下方に延びる2つのフランジを含むU字形環状下部リング部分;および
(b)前記U字形環状下部リング部分から分離し、前記U字形環状下部リング部分を保護する消耗環状上部シールド部分;を備え、前記U字形環状下部リング部分及び前記消耗環状上部シールド部分は、取り外し可能に互いに連結されているクランプリング。 - 更に、前記消耗環状上部シールド部分と前記U字形環状下部リング部分とを互いに位置合わせするために前記消耗環状上部シールド部分に肩部を備えた請求項1に記載のクランプリング。
- 前記消耗環状上部シールド部分は、前記消耗環状上部シールド部分を前記U字形環状下部リングとは独立に前記処理チャンバ内の装着リングに取り付けるようにした複数の孔を含んでいる、請求項1に記載のクランプリング。
- 更に、ファスナの頭部を前記消耗環状上部シールド部分に少なくとも部分的に埋め込めるようにした、前記消耗環状上部シールド部分の埋め込み部分を備えた請求項3に記載のクランプリング。
- 更に、前記ファスナを覆うようにしたキャップを備えた請求項4に記載のクランプリング。
- 前記U字形環状下部リング部分を前記チャンバに取り付けないで、前記U字形環状下部リング部分を前記消耗環状上部シールド部分と位置合わせできるようにした請求項3に記載のクランプリング。
- 前記U字形環状下部リング部分と前記消耗環状上部シールド部分とは互いに結合されている請求項1に記載のクランプリング。
- 処理システムであって、
(a)底部、側壁、および頂部を有するチャンバ;
(b)前記チャンバ内部の基板支持面;
(c)前記チャンバ内でプラズマを発生させるようにした電源;及び
(d)消耗環状上部シールド部分と、処理システムでの処理から少なくとも部分的にシールドされるU字形環状下部リング部分とを有する多ピースクランプリング;
を備え、前記U字形環状下部リング部分は、下方に延びる2つのフランジを有し、
前記U字形環状下部リング部分及び前記消耗環状上部シールド部分は、取り外し可能に互いに連結されている処理システム。 - 更に、前記多ピースクランプリングを上下させるようにしたリフト機構を備えた請求項8に記載のシステム。
- 前記下方に延びる2つのフランジは、前記基板支持面の周りに配置された絶縁ライナとオーバーラップする、請求項8に記載のシステム。
- 前記U字形環状下部リング部分及び前記消耗環状上部シールド部分を互いに結合するために、前記U字形環状下部リング部分は突起を備え、前記消耗環状上部シールド部分は移動止めを備える、請求項8に記載のシステム。
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