JP2000243744A - 組合せクランプリング - Google Patents

組合せクランプリング

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JP2000243744A JP2000044560A JP2000044560A JP2000243744A JP 2000243744 A JP2000243744 A JP 2000243744A JP 2000044560 A JP2000044560 A JP 2000044560A JP 2000044560 A JP2000044560 A JP 2000044560A JP 2000243744 A JP2000243744 A JP 2000243744A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、電子デバイス製作におけるプラズ
マ支援その他のプロセスで使用可能で、エッチングまた
は堆積プロセスでの使用に特に適した多ピースクランプ
リングを提供する。 【解決手段】 クランプリングは、通常はエッチングプ
ロセスで消費される上部シールド部分と、再使用可能な
上部シールド部分によって保護される下部リング部分と
を含む。上部シールド部分は下部シールド部分をエッチ
ングプロセスから保護する。上部シールド部分はチャン
バ部材に固定されて、エッチングプロセス中の基板との
位置合わせを保つようになっている。下部リング部分は
移動可能で、それ自体を上部シールド部分と位置合わせ
できるようになっているか、上部シールド部分と取り外
し可能に締付けできるようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体処理に関す
る。より詳細には、本発明は、処理チャンバ内でワーク
ピースまたは基板を固定するクランプリングに関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路その他の電子デバイスの製造で
は、誘電体、導体、および半導体材料の多重層が堆積さ
れて基板の表面からエッチングされる。通常、基板は真
空処理チャンバ内に配置され、そこで、プラズマ反応が
行なわれて基板上に材料を堆積させるか、基板から材料
をエッチングする。処理中に基板のエッジを保護するた
めと、基板を支持部材に固定するために、クランプリン
グを使って処理中に基板のエッジを接触させることがあ
る。長時間の作業の後、通常は数百時間で、クランプリ
ングの上面がエッチングプロセスによって浸食された
り、堆積プロセスで堆積材料を集積する場合がある。そ
の結果、クランプリングを交換しなければならない。
【０００３】図１は、この分野で使用されるクランプリ
ングの一つのタイプの斜視図である。クランプリング１
００は一般に、エッチングプロセスで処理チャンバの各
部を保護する下方に延びるフランジ１０２を含む。クラ
ンプリングは、処理チャンバ内でペデスタルなどの支持
部材の上に配置される基板２４のエッジと係合する別名
「フィンガー」として知られるタブ１０４も含む。タブ
１０４はクランプリングの半径方向内方に延びて、処理
中の基板を保持するために使用される。クランプリング
は、孔１０８と穴ぐり１０６とを通してねじなどのファ
スナを挿入することによって、チャンバ内のリフト機構
に取り付けられる。キャップ１１０を使ってファスナを
覆ってエッチングプロセスからファスナを保護するよう
にしてもよい。クランプリングの上面１１２は主として
エッチングプロセスに曝され、連続的使用によって浸食
して、結局は交換しなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】残念ながら、プロセス
によっては、クランプリングが製作される素材は非常に
高価である。一例として、ＶＥＳＰＥＬ（登録商標）ク
ランプリングがいくつかのエッチングプロセスで通常的
に使用される。そのクランプリングはシールド用および
クランプ用部分ばかりでなく、クランプリング用サポー
トおよび／またはシールドとして働く環状リング部分も
含む。難しい機械加工もクランプリングのコストを高く
する。
【０００５】従って、交換容易で、難しい機械加工を必
要としないクランプリングに対するニーズが存在する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、電子デバイス
製作におけるプラズマ支援その他のプロセスで使用可能
で、エッチングまたは堆積プロセスでの使用に特に適し
た多ピースクランプリングを提供する。クランプリング
は、通常はエッチングプロセスで消費されるか堆積プロ
セスでは堆積材料で覆われる上部シールド部分と、再使
用可能な上部シールド部分によって保護される下部リン
グ部分とを含む。上部シールド部分は下部シールド部分
をエッチングプロセスから保護する。上部シールド部分
はチャンバ部材に固定されて、エッチングプロセス中の
基板との位置合わせを保つようになっている。下部リン
グ部分は移動可能で、それ自体を上部シールド部分と位
置合わせできるようになっているか、上部シールド部分
と取り外し可能に締付けできるようになっている。
【０００７】一局面では、本発明は、Ｕ字形の環状下部
リング部分と、処理中に当接状態で当該下部リング部分
を受けるようにした環状上部シールド部分とを有する、
処理チャンバ内で使用される多ピース消耗クランプリン
グを含む。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の上述の特長利点、および
目的を達成するとともに詳しく理解できるように、添付
の図面で示すその実施態様を参照して、上記に簡単に要
約した発明の、より詳細な説明を行なうものである。
【０００９】しかしながら、添付の図面はもっぱら本発
明の典型的な実施態様を図示するもので、本発明の範囲
を制限すると見做すべきでないことは言うまでもない。
というのも、本発明は他の同様に有効な実施態様を認め
る可能性があるからである。
【００１０】本発明は、電子デバイス製作におけるプラ
ズマ支援その他のプロセスで使用可能で、エッチングま
たは堆積プロセスでの使用に特に適した多ピースクラン
プリングを提供する。クランプリングは、通常はエッチ
ングプロセスで消費される上部シールド部分と、再使用
可能な上部シールド部分によって保護される下部リング
部分とを含む。上部シールド部分は下部シールド部分を
エッチングプロセスから保護する。上部シールド部分は
チャンバ部材に固定されて、エッチングプロセス中の基
板との位置合わせを保つようになっている。下部リング
部分は移動可能で、それ自体を上部シールド部分と位置
合わせできるようになっているか、上部シールド部分と
取り外し可能に締付けできるようになっている。言うま
でもなく、本発明のクランプリングは、エッチングと堆
積の両プロセスを含むいくつものチャンバとプロセスで
有利に使用できる。エッチングと堆積プロセスはエッチ
ングチャンバ、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ、化学蒸着
（ＣＶＤ）チャンバその他の、デバイスの製造に使用す
る処理チャンバを含む。リングの中には、基板を定位置
にクランプするものもあれば、基板を通常は基板エッジ
の位置でシールドするか、基板に対する「シャドー」の
働きをするものもある。従って、「クランプリング」の
用語は、本明細書ではクランプリングとシャドーリング
を含む。
【００１１】例として、図２は、本発明を有利に使用で
きるカリフォルニア州サンタクララのApplied Material
s,Inc.から入手可能なＭｘＰ＋（登録商標）チャンバな
どのプラズマエッチングチャンバの概略図である。チャ
ンバは側壁４、底部壁６、および蓋８を含む。側壁４
は、基板をチャンバに対して出入するためのスリット２
６を持つ。カソード１７は絶縁フランジ１４の上方に位
置して、カソード電源５に接続されている。カソード電
源５は通常、プラズマからのイオンが基板２４に誘引さ
れるように、カソードを負電圧にバイアスする。絶縁フ
ランジ１４は、接地されたチャンバをカソード１７の基
部から電気的に分離する。ペデスタル１８はカソード１
７に取り付けられて、基板２４用の支持面を提供する。
基板２４はペデスタルの上面に配置されるとともに、カ
ラー４８内に水平に配置される。クランプリング６０
は、ヘリウムや別の不活性ガスがガスチャンネル７を通
って基板の裏側に加えられるときに、基板をペデスタル
表面に保持する。チャンバ壁、蓋、および底部は通常、
接地される。ＲＦ電源９は、チャンバ壁と帯電したペデ
スタル１８間の反応ゾーン１９でプラズマを発生させる
ために、蓋８の上に配置される。余分のプロセスガスと
処理中に生じた揮発性化合物はガス出口３６を通して排
気される。
【００１２】一部のチャンバでは、外部チューブ４５が
カソードその他のコンポーネントを囲み、通常はそのチ
ャンバと接地されている。外部チューブ４５は、「クオ
ーツパイプ」として知られる絶縁ライナ５０によってカ
ソードから絶縁されている。カソードとの接触を介して
帯電した内部シリンダ４７は、絶縁ライナ５０の内方に
置かれる。カソード、絶縁ライナ、外部チューブ、およ
び内部シリンダは通常、チャンバに固定して取り付けら
れて、処理中は静止したままである。
【００１３】リフト機構１３によって、クランプリング
６０を、チャンバへの基板の出入のために上下させるこ
とができる。リフトアクチュエータ（図示せず）は、リ
フト台４３を上下させるシャフト３に取り付けられる。
複数のリフトピン２１がリフト台に連結されて、ペデス
タル１８のリフトピン孔と移動可能に係合する。クラン
プリング６０は、環状下部リング部分６２と環状上部シ
ールド部分６４とを含む。環状上部シールド部分６４は
装着リング４４に取り付けられ、装着リングはリフト台
４３に連結される。
【００１４】運転時には、ロボットアーム（図示せず）
が基板２４を、スリット２４を介してチャンバに挿入す
る。リフト機構１３は、クランプリングとリフトピンの
垂直方向分離部分の間でロボットアームから基板２４を
受け取るために、クランプリング６０とリフトピン２１
とを持ち上げる。リフトピンが基板と接触して上昇を続
けるので、基板はロボットアームから取り外される。ロ
ボットアームはチャンバから後退して、ドア（図示せ
ず）がチャンバをシールする。リフト機構は次に、ピ
ン、基板、およびクランプリングを下降させて、基板を
ペデスタル１８上に供給する。リフト機構が下降を続け
ると、リフトピンはリフトピン孔２２を通って後退し
て、クランプリング６０が基板２４の上面と接触する。
プロセスが完了すると、リフト機構はクランプリングと
リフトピンとを上昇させ、基板をペデスタルから上部の
位置に持ち上げてロボットアームがチャンバに入って基
板を取り出せるようにする。
【００１５】図３は本発明の一つのクランプリングの斜
視図である。クランプリング６０は一般に、２つのピー
ス、すなわち環状下部リング部分６２と環状上部シール
ド部分６４とから成る。上部シールド部分６４は、下部
リング部分の半径方向内方で、上部シールド部分の肩部
６７によって形成される境界面６６に配置される。肩部
６７は、下部リング部分に対する上部シールド部分の位
置決めに役立つ。タブ６８は上部シールド部分の半径方
向内方に延びて、処理中に基板２４をペデスタル上にク
ランプするために使用される。穴ぐり７０は上部シール
ド部分に部分的に形成されて、ファスナ４２用の凹部を
提供する。ファスナは、図４に示すように、上部シール
ド部分を装着リング４２に連結するために、孔７２を通
って挿入されることが望ましい。
【００１６】図４は、基板をペデスタル１８上に配置し
た状態の、本発明のクランプリングの断面図である。こ
の実施態様では、ペデスタル１８はほぼ平らな上面（内
部に一つ以上の溝を含んで、ペデスタル１８を通ってペ
デスタルに装着された基板２４の裏側に導かれる熱伝達
ガスを分配するようにしてもよい）と、その上面の周辺
を囲んで延びるエッジリングまたはカラー４８を含む。
リップシールなどのシール６５がカラーの半径方向内方
に配置されて、基板がクランプリングによってシールに
押し付けられると、基板の裏側とペデスタル１８の平ら
な基板装着面の間の領域をシールするのに役立つ。基板
２４は、ペデスタル１８上に配置されるとカラー４８の
上に延びて、クランプリング６０によってペデスタルに
押し付けられると、シール６５を変形させて基板とペデ
スタル間の領域をシールする。
【００１７】クランプリングを形成するために、上部シ
ールド部分６４は、装着リング４４の装着穴４６に締め
付けられる複数のファスナ４２によって、下部リング部
分６２に対して正位置に保持される。ファスナは、装着
リングに対する上部シールド部分の位置合わせも確定で
きる。下部リング部分は絶縁ライナ５０上に「浮上す
る」ことができる。すなわち、下部リング部分をそのチ
ャンバ部材に取り付けずに、上部シールド部分がファス
ナ４２によって装着リング４４に連結されたときに、下
部リング部分が、それ自体を上部シールド部分の肩部６
７に位置合わせされるように横方向に移動できるように
してもよい。その他に、下部リング部分をチャンバにフ
レキシブルに取り付けて、下部リング部分が、許容限度
内で横方向に移動して、それ自体を上部シールド部分の
肩部６７に位置合わせできるようにしてもよい。カバー
５２を各ファスナ４２の上に配置して、ファスナ４２を
エッチングプロセスから保護する。
【００１８】下部リング部分６２は、絶縁ライナ５０に
オーバーラップする２つの下方に延びるフランジ６１を
持つ。外部チューブ４５と内部シリンダ４７とは絶縁ラ
イナ５０の両側に配置される。下方に延びるフランジ６
１は、チューブ４５とシリンダ４７間のアークを防ぐた
めのバリヤとして機能する。
【００１９】図２に示すリフト台４３と装着リング４４
と共にリフト機構１３を使ってクランプリングをペデス
タルの上に上昇させるチャンバでは、上部シールド部分
６４を絶縁ライナ５０の上方に持ち上げてもよい。フラ
ンジ６１は、下部リング部分が絶縁ライナ５０の真上の
相対位置に止まるように充分な距離だけ下方に延びるよ
うに寸法決めできる。
【００２０】一部の例では、図５に示すように、上部シ
ールド部分が上げ下げされるときに２つのピースが位置
合わせの状態にあるように、下部リング部分を上部シー
ルド部分に固定することが望ましい場合もある。境界面
６６で、処理中は下部リング部分と上部シールド部分と
が連結されたままで、上部シールド部分の交換のために
は取り外し可能にできるだろう。また、境界面６６は、
リング部分を互いに固定するために、一方のリング部分
にリブまたは突起７１を含み、もう一方のリング部分に
移動止め６９を含むことができるだろう。リング部分は
また、ピン、接着剤、ファスナによって、また、後日の
上部シールド部分の交換のためにリング部分を分離でき
るような他の方法でも取り付けできるだろう。
【００２１】図６は、図３と４に示すようなファスナと
タブ用の穴ぐりと孔を持たないクランプリングの別の実
施態様を示す。図６の実施態様はＰＶＤチャンバなど
の、クランプリングの装着を必要としない処理チャンバ
で使用できるだろう。クランプリングをペデスタルの上
のシールドで支持してもよいし、ペデスタルがクランプ
リングの下方の位置に基板を上下させる。
【００２２】本発明のクランプリングはＶｅｓｐｅｌ
（登録商標）などの消耗材料、高密度プラスチック材
料、ポリイミド、ポリマーその他の、エッチングと堆積
プロセスに役立つ材料から形成されたクランプリングの
ために特に有用である。
【００２３】上記は本発明の好ましい実施態様に向けら
れたが、本発明の他の更なる実施態様をその基本的範囲
から逸脱することなく考案可能で、その範囲は特許請求
の範囲によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】エッチング処理チャンバ内で基板と共に使用さ
れる標準クランプリングの斜視図である。
【図２】本発明が使用できるエッチングチャンバの概略
図である。
【図３】本発明のクランプリングの斜視図である。
【図４】本発明の上記クランプリングの断面図である。
【図５】上記クランプリングの別の実施態様の断面図で
ある。
【図６】本発明のクランプリングの別の実施態様の斜視
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デイヴィッド ハトニック アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ミルピタス， カナダ ドライヴ 850

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理チャンバで使用される多ピース消耗
    クランプリングであって： （ａ）Ｕ字形環状下部リング部分；および （ｂ）前記下部リング部分から分離した環状上部シール
    ド部分；を備えたクランプリング。
  2. 【請求項２】 更に、前記上部シールド部分と下部リン
    グ部分とを互いに位置合わせするために前記上部シール
    ド部分に肩部を備えた請求項１に記載のクランプリン
    グ。
  3. 【請求項３】 前記Ｕ字形下部リング部分は２つの帯電
    部材の間に配置される請求項１に記載のクランプリン
    グ。
  4. 【請求項４】 更に、前記上部シールド部分を前記下部
    リングとは独立に前記処理チャンバ内のチャンバ部材に
    取り付けるようにした、前記上部シールド部分の複数の
    孔を備えた請求項１に記載のクランプリング。
  5. 【請求項５】 更に、ファスナの頭部を前記上部シール
    ド部分に少なくとも部分的に埋め込めるようにした、前
    記上部シールド部分の埋め込み部分を備えた請求項４に
    記載のクランプリング。
  6. 【請求項６】 更に、前記ファスナを覆うようにしたキ
    ャップを備えた請求項５に記載のクランプリング。
  7. 【請求項７】 前記下部リング部分を前記チャンバに取
    り付けないで、前記下部リング部分を前記上部シールド
    部分と位置合わせできるようにした請求項４に記載のク
    ランプリング。
  8. 【請求項８】 前記リング部分を前記上部シールド部分
    の肩部と位置合わせできるようにした請求項８に記載の
    クランプリング。
  9. 【請求項９】 前記下部リング部分と上部シールド部分
    とは互いに結合されている請求項１に記載のクランプリ
    ング。
  10. 【請求項１０】 処理システムであって、 （ａ）底部、側壁、および頂部を有するチャンバ； （ｂ）前記チャンバ内部の基板支持面； （ｃ）前記チャンバ内でプラズマを発生させるようにし
    た電源； （ｄ）上部シールド部分と、処理システムでの処理から
    少なくとも部分的にシールドされるＵ字形下部リング部
    分とを有する多ピースクランプリング；を備えた処理シ
    ステム。
  11. 【請求項１１】 更に、前記クランプリングを上下させ
    るようにしたリフト機構を備えた請求項１０に記載のシ
    ステム。
  12. 【請求項１２】 前記Ｕ字形下部リング部分は、絶縁ラ
    イナとオーバーラップする下方に延びるフランジを有す
    る請求項１０に記載のシステム。
  13. 【請求項１３】 前記下部リング部分と上部シールド部
    分とは、前記リング部分を互いに結合するために突起と
    移動止めとを備えた請求項１０に記載のシステム。
JP2000044560A 1999-02-22 2000-02-22 組合せクランプリング Expired - Lifetime JP4615659B2 (ja)

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US09/255,033 US6123804A (en) 1999-02-22 1999-02-22 Sectional clamp ring
US09/255033 1999-02-22

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SG (1) SG83776A1 (ja)
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014175535A (ja) * 2013-03-11 2014-09-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック装置
JP2014528155A (ja) * 2012-04-05 2014-10-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ フリップエッジシャドーフレーム

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1006562A3 (en) * 1998-12-01 2005-01-19 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Two-piece clamp ring for holding semiconductor wafer or other workpiece
US6123804A (en) * 1999-02-22 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Sectional clamp ring
KR20010062209A (ko) 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
DE60106577T8 (de) * 2001-05-31 2006-04-27 Alcatel Abnehmbare Schirmvorrichtung für Plasmareaktoren
US7147749B2 (en) 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
US7166166B2 (en) 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US6798519B2 (en) 2002-09-30 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
US6837966B2 (en) 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7166200B2 (en) 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
US7137353B2 (en) 2002-09-30 2006-11-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
US7204912B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system
KR100772740B1 (ko) 2002-11-28 2007-11-01 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 용기 내부재
CN100495413C (zh) 2003-03-31 2009-06-03 东京毅力科创株式会社 用于邻接在处理元件上的相邻覆层的方法
WO2004095532A2 (en) 2003-03-31 2004-11-04 Tokyo Electron Limited A barrier layer for a processing element and a method of forming the same
US20050079729A1 (en) * 2003-10-08 2005-04-14 Woo-Sung Jang High density plasma oxide film deposition apparatus having a guide ring and a semiconductor device manufacturing method using the same
US7128806B2 (en) * 2003-10-21 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Mask etch processing apparatus
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
EP2029789A4 (en) * 2006-05-13 2016-04-27 Polyteknik As VACUUM COATING DEVICE
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
DE102007023970A1 (de) * 2007-05-23 2008-12-04 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten einer Vielzahl in dichtester Packung auf einem Suszeptor angeordneter Substrate
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US8449679B2 (en) 2008-08-15 2013-05-28 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly
US8888072B1 (en) * 2009-12-14 2014-11-18 T&T Engineering Services, Inc. Underwater fairlead assembly
WO2011094230A2 (en) 2010-01-27 2011-08-04 Applied Materials, Inc. Life enhancement of ring assembly in semiconductor manufacturing chambers
JP5800835B2 (ja) * 2010-02-22 2015-10-28 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ プラズマ処理装置のための埋め込み型留め具
KR101273635B1 (ko) * 2011-03-09 2013-06-17 주식회사 탑 엔지니어링 척 구조체 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 장치
JP5934939B2 (ja) * 2013-05-09 2016-06-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN104342758B (zh) * 2013-07-24 2017-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 压环及等离子体加工设备
US11195756B2 (en) * 2014-09-19 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Proximity contact cover ring for plasma dicing
GB201419210D0 (en) * 2014-10-29 2014-12-10 Spts Technologies Ltd Clamp assembly
KR102363678B1 (ko) * 2019-10-01 2022-02-17 피에스케이홀딩스 (주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102340104B1 (ko) * 2020-01-06 2021-12-20 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11996315B2 (en) * 2020-11-18 2024-05-28 Applied Materials, Inc. Thin substrate handling via edge clamping

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0444317A (ja) * 1990-06-11 1992-02-14 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ処理装置の電極装置
JPH06204323A (ja) * 1992-10-27 1994-07-22 Applied Materials Inc ウェハプロセスチャンバ内のドーム状加熱ペディスタルのためのクランプリング
KR960006958B1 (ko) * 1993-02-06 1996-05-25 현대전자산업주식회사 이시알 장비
JPH06310435A (ja) * 1993-04-20 1994-11-04 Sony Corp プラズマ処理装置
JPH06333877A (ja) * 1993-05-18 1994-12-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> エッチング装置
US5534110A (en) * 1993-07-30 1996-07-09 Lam Research Corporation Shadow clamp
US5437757A (en) * 1994-01-21 1995-08-01 Applied Materials, Inc. Clamp ring for domed pedestal in wafer processing chamber
US5421401A (en) * 1994-01-25 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Compound clamp ring for semiconductor wafers
US5888304A (en) * 1996-04-02 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Heater with shadow ring and purge above wafer surface
US5860640A (en) * 1995-11-29 1999-01-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer alignment member and clamp ring
KR200173947Y1 (ko) * 1996-07-25 2000-03-02 윤종용 반도체 웨이퍼 클램프 조립체
US5810931A (en) * 1996-07-30 1998-09-22 Applied Materials, Inc. High aspect ratio clamp ring
US5885428A (en) * 1996-12-04 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for both mechanically and electrostatically clamping a wafer to a pedestal within a semiconductor wafer processing system
JPH11307513A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Sony Corp 絶縁体基板対応プラズマ処理装置
US6123804A (en) * 1999-02-22 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Sectional clamp ring

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014528155A (ja) * 2012-04-05 2014-10-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ フリップエッジシャドーフレーム
JP2014175535A (ja) * 2013-03-11 2014-09-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック装置

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