KR101785749B1 - 플라즈마 프로세싱 장치를 위한 동일 평면 장착 파스너 - Google Patents

플라즈마 프로세싱 장치를 위한 동일 평면 장착 파스너 Download PDF

Info

Publication number
KR101785749B1
KR101785749B1 KR1020127021804A KR20127021804A KR101785749B1 KR 101785749 B1 KR101785749 B1 KR 101785749B1 KR 1020127021804 A KR1020127021804 A KR 1020127021804A KR 20127021804 A KR20127021804 A KR 20127021804A KR 101785749 B1 KR101785749 B1 KR 101785749B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bolt
pin
section
inches
hole
Prior art date
Application number
KR1020127021804A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130005268A (ko
Inventor
그레고리 섹스턴
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20130005268A publication Critical patent/KR20130005268A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101785749B1 publication Critical patent/KR101785749B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16B—DEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
    • F16B35/00—Screw-bolts; Stay-bolts; Screw-threaded studs; Screws; Set screws
    • F16B35/04—Screw-bolts; Stay-bolts; Screw-threaded studs; Screws; Set screws with specially-shaped head or shaft in order to fix the bolt on or in an object
    • F16B35/041—Specially-shaped shafts
    • F16B35/042—Specially-shaped shafts for retention or rotation by a tool, e.g. of polygonal cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32908—Utilities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49815—Disassembling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining
    • Y10T29/49947—Assembling or joining by applying separate fastener
    • Y10T29/49963—Threaded fastener

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 챔버의 부분들을 위한 파스너 어셈블리에 관한 것이다. 파스너 어셈블리는 툴 인게이지 소켓을 갖는 볼트 및 상기 볼트의 스루 홀에 맞는 스프링-하중식 핀을 포함한다. 설치될 경우, 스프링-하중식 핀은 소켓 내의 공간을 실질적으로 채우고, 따라서 기생 플라즈마가 핀과 볼트의 대향하는 표면들 사이의 공간들에 형성되는 것을 방지한다. 6각 키와 같은 툴이 소켓 내로 삽입될 경우, 스프링-하중식 핀은 수축하고, 툴은 볼트의 스레드들을 하부 섹션 내의 나사형 홀과 인게이지함으로써 상부 섹션이 하부 섹션에 부착하도록 볼트를 회전시킨다.

Description

플라즈마 프로세싱 장치를 위한 동일 평면 장착 파스너{FLUSH MOUNTED FASTENER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 출원은 35 U.S.C.§119(e) 하에서, 발명의 명칭이 "FLUSH MOUNTED FASTENER FOR PLASMA PROCESSING APPARATUS" 이며 2010년 2월 22일자로 출원된 미국 가출원 제61/306,667호에 우선권을 주장하며, 그 전체 내용은 참조로서 통합된다.
각각의 연속적인 반도체 기술의 발생에 따라, 웨이퍼 직경들은 증가하는 추세이고, 트랜지스터 사이즈들을 감소하며, 그 결과, 웨이퍼 프로세싱에 있어 더 높은 정확도와 반복성이 요구된다. 실리콘 웨이퍼들과 같은 반도체 기판 재료들은 진공 챔버들의 이용을 포함하는 기술들에 의해 프로세싱된다. 이러한 기술들은 전자 빔 증발 (evaporation) 과 같은 비 플라즈마 애플리케이션들뿐만 아니라, 스퍼터 증착 (sputter deposition), 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (plasma enhanced chemical vapor deposition), 레지스트 스트립, 및 플라즈마 에칭과 같은 플라즈마 애플리케이션들을 포함한다.
전형적인 플라즈마 에칭 프로세스에서, 플라즈마 밀도는 기판 에지 근처에서 더 낮아지며, 이는 기판 베벨 에지의 상면 및 하면들에서 (폴리실리콘, 질화물, 금속, 등과 같은) 부산물 층의 축적물을 발생할 수도 있다. 부산물 층은 종종 이동 및 연속적인 프로세싱 단계들 동안 기판의 임계 영역들 상에서 떨어져 나가거나 벗겨질 수도 있으며, 따라서 기판으로부터 디바이스들의 수율을 감소시킨다. 그러므로, 기판이 다음 프로세싱 단계를 거치기 전에 기판 베벨 에지로부터 부산물을 제거하는 것이 매우 바람직하다. 한가지 매우 효율적인 프로세스는 베벨 에지 상에 증착된 부산물을 다른 곳으로 에칭하기 위해 플라즈마를 이용하는 것이다. 이러한 프로세스는 플라즈마 베벨 에칭이라 지칭된다. 이 프로세스를 실행하는 장치는 플라즈마 베벨 에처이다.
기생 플라즈마는 기판의 플라즈마 프로세싱 동안 요구되지 않으며, 입자들로 인한 오염을 발생할 수도 있거나, 불균일한 프로세싱을 초래하는 플라즈마에서의 불안정성들을 발생할 수도 있다. 기생 플라즈마의 제거는, 기생 플라즈마가 플라즈마 베벨 에처들을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템들에서 광범위하게 이용되는, 6각 소켓 나사들의 6각 소켓들과 같은 공극들 내에 형성될 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템에서 6각 소켓 나사들의 6각 소켓들에는 플러그들이 채워질 수도 있으며, 이러한 채움은 이러한 나사들의 설치 및 제거가 더 어렵고 시간 소비적이게 한다.
본 명세서에서 6각 소켓 (hex socket) 과 같은 툴 인게이지 소켓 (tool engaging socket) 을 갖는 볼트 및 스프링 하중식 핀 (spring-loaded pin) 을 포함하는 파스너 어셈블리가 개시된다. 설치될 경우, 스프링 하중식 핀은 본질적으로 6각 소켓 내의 공극을 채우고, 따라서 그 내부에 기생 플라즈마가 형성되는 것을 방지한다. 6각 키와 같은 툴이 6각 소켓 내에 삽입될 경우, 스프링 하중식 핀이 가압되어 그 툴이 6각 소켓에 들어가고, 나사형 홀로부터 제거하기 위해 볼트를 회전시킨다.
도 1 은 플라즈마 베벨 에처의 개략적인 단면도이다.
도 2 는 볼트의 사시도이다.
도 3 은 볼트의 상면도이다.
도 4 는 볼트의 측면도이다.
도 5 는 볼트의 단면도이고, 여기서 점선으로 표시되는 표면들은 양극-산화처리 (anodization) 에 자유롭다.
도 6 은 핀의 사시도이다.
도 7 운 핀의 측면도이고, 여기서 점선으로 표시되는 표면들은 양극-산화처리에 자유롭다.
도 8 은 도 7 의 부분 A 의 확대도이다. 점선에 의해 표시되는 표면들은 양극-산화처리에 자유롭다.
도 9 는 물체를 베이스에 고정할 때 볼트와 핀의 어셈블리의 단면도다.
도 1 은 전형적인 플라즈마 베벨 에처 (10) 의 단면 개략도이다. 하부 전극 (11) 은 전극 지지부 (20) 에 고정된다. 무선 주파수 (RF) 소스 (15) 는 하부 전극 (11) 에 전기적으로 접속된다. 하부 PEZ (plasma exclusion zone) 링 (17) 은 하부 전극 (11) 을 둘러싼다. 하부 연장 전극 (19; 하부 RF 리턴 전극) 은 하부 PEZ 링 (17) 을 둘러싼다. 기판 (13) 은 하부 전극 (11) 상에서 지지된다. 상부 PEZ 링 (16) 은 상부 절연판 (12) 을 둘러싼다. 상부 연장 전극 (18; 상부 RF 리턴 전극) 은 상부 PEZ 링 (16) 을 둘러싼다. 상부 연장 전극 (18) 과 상부 PEZ 링 (16) 사이에 갭 (14) 은 가스 소스 (비도시) 와 유체 연통하고, 기판 (13) 의 베벨 에지 부근에 프로세스 가스를 전달하도록 구성된다. 베벨 에칭 프로세스에서, 상부 절연판 (12), 상부 PEZ 링 (16) 및 상부 연장 전극 (18) 은 상부 절연판 (12) 이 기판 (13) 에 충분히 인접하여 그들 사이에 플라즈마가 형성되는 것을 방지할 때까지 낮춰진다. 프로세스 가스는 갭 (14) 을 통해 기판 (13) 의 베벨 에지 부근에 공급된다. 하부 전극 (11) 상의 RF 전력은 연장 전극들 (18 및 19) 에 커플링되고, 이 전극들 사이에 플라즈마가 생성되어 기판 (13) 의 베벨 에지를 에칭한다. 기판 (13) 의 베벨 에지만이 에칭되어야 하기 때문에, 기판 (13) 위의 중심 영역에서 플라즈마는 바람직하지 않다. 그러나, 하부 전극 (11) 은 통상적으로 6각 소켓 나사들 (21) 에 의해 전극 지지부 (20) 에 고정된다. 기생 플라즈마는 이러한 나사들 (21) 의 6각 소켓들 내의 공극에 형성될 수 있고, 기판 (13) 에 악영향을 미칠 수 있다.
본 명세서에는 툴 인게이지 소켓을 구비한 볼트 (100) 와 스프링-하중식 핀 (200) 을 포함하는 파스너 어셈블리가 개시된다. 플라즈마 프로세싱 동안, 파스너 어셈블리의 소켓은 본질적으로 스프링-하중식 핀 (200) 으로 채워진다. 이러한 파스너 어셈블리는 하부 전극 (11) 용 커버 링과 같이, 하부 전극 (11) 을 전극 지지부 (20) 에 고정하거나, 플라즈마 반응 챔버 (10) 에 다른 적합한 컴포넌트들을 고정하는데 이용될 수 있다.
도 2 내지 도 5 는 볼트 (100) 의 일 실시형태를 도시한다. 볼트 (100) 는 중앙 스루 홀 (110) 과 측벽 (120) 을 포함한다. 측벽 (120) 은 상부 섹션 (122) 과 하부 섹션 (124) 을 포함한다. 상부 섹션 (122) 은 원통형 바디 (122b) 로부터 바깥쪽으로 방사형으로 연장하는 상부 플랜지 (122a) 를 포함한다. 상부 섹션 (122) 은 비-나사형 (unthreaded) 외부 표면을 포함할 수 있다. 하부 섹션 (124) 은 나사형 외부 표면을 포함한다. 홀 (110) 은 상부 섹션 (110a) 과 하부 섹션 (110b) 을 포함한다. 상부 섹션 (110a) 은 결합 툴 (6각 키, 톡스 드라이버 (Torx driver), 등과 같은 스크류 드라이버) 을 수용하기 위한 소켓으로서 이용되는 비-원통형 공극이다. 하부 섹션 (110b) 은 원통형 공극일 수 있다.
예시적인 실시형태에서, 복수의 볼트들 (100) 은 하부 전극 (11) 을 전극 지지부 (20) 에 고정하는데 이용되고, 상부 플랜지 (122a) 는 약 0.38 인치의 외부 직경 (본 명세서에서 이용되는 "약" 은 ±10% 를 의미함) 과 약 0.08 인치의 길이를 가질 수 있고, 원통형 바디 (122b) 는 약 0.24 인치의 외부 직경과 약 0.35 인치의 길이를 가질 수 있다. 상부 플랜지 (122a) 상의 에지들은 약 0.02 인치의 반경까지 라운딩될 수도 있다. 하부 섹션 (124) 은 약 0.37 인치의 길이를 가지고, 하부 섹션 (124) 의 외부 표면은 M6×1 의 ISO 미터 나사 (metric ISO screw thread) 로 스레드될 수 있다. 홀 (110) 의 상부 섹션 (110a) 은 약 0.19 인치의 길이를 갖는 6각 기둥 공극일 수도 있다. 6각 기둥 공극의 기저부는 약 0.14 인치의 직경 (하나의 코너에서 대향하는 코너까지의 횡단 폭) 을 갖는 정육각형일 수 있다. 상부 섹션 (110a) 은 정합 6각 키 (mating hex key) 를 수용하기 위한 소켓으로서 이용된다. 하부 섹션 (110b) 은 약 0.6 인치의 길이와 약 0.14 인치의 직경을 갖는 원통형 공극일 수 있다. 홀 (110) 은 측벽 (120) 과 동심형이다.
바람직한 실시형태에서, 볼트 (100) 는 알루미늄으로 형성될 수 있다. 홀 (110) 의 하부에서 위쪽으로 약 0.57 인치 연장하는 내부 표면 (114b), 볼트 (100) 의 바닥면 (110b), 측벽 (120) 의 하부 섹션 (124) 의 외부 표면, 원통형 바디 (122b) 의 외부 표면 및 상부 플랜지 (122a) 의 바닥면은 양극-산화처리되지 않는다 (non-anodized) (베어 알루미늄). 볼트 (100) 의 모든 다른 표면들은 약 0.002 인치의 두께로 양극-산화처리될 수 있다.
도 6 내지 도 8 은 핀 (200) 의 일 실시형태를 도시한다. 핀이 볼트 (100) 내에 조립되고, 볼트가 일 부분을 다른 부분에 부착하는데 이용될 경우에, 핀 (200) 은 본질적으로 상부 섹션 (110a) 을 채운다. 핀 (200) 은 툴이 상부 섹션 (110a) 내로 삽입될 경우에 핀 (200) 이 수축하도록 (가압되도록) 스프링-하중식일 수 있다.
바람직한 실시형태에서, 핀 (200) 은 7 개의 동심의 원통형 섹션들 (210, 220, 230, 240, 250, 260, 및 270) 을 포함하며, 210 은 최상위 섹션이고, 270 은 최하위 섹션이다. 제 1 섹션 (210) 은 약 0.21 인치의 길이, 약 0.11 인치의 직경 및 그 상부 에지에서 약 0.01 인치 폭의 45°챔퍼 (chamfer) 를 가질 수 있다. 제 2 섹션 (220) 은 약 0.56 인치의 길이, 약 0.14 인치의 직경 및 그 상부 에지에서 약 0.01 인치 폭의 45°챔퍼를 가질 수 있다. 제 3 섹션 (230) 은 약 0.03 인치의 길이 및 약 0.12 인치의 직경을 가질 수 있다. 제 4 섹션 (240) 은 약 0.1 인치의 길이 및 약 0.19 인치의 직경을 가지며, 볼트 (100) 의 바닥면 (100b) 에 인게이지하는 테두리 (rim) 를 형성한다. 제 5 섹션 (250) 은 약 0.05 인치의 길이 및 약 0.13 인치의 직경을 가질 수 있다. 제 6 섹션 (260) 은 스프링이 둘러싸는 섹션 (270) 의 상위 턴 (turn) 을 고정하기 위한 유지 링 (retention ring) 이고, 약 0.025 인치의 길이 및 약 0.15 인치의 직경을 가질 수 있다. 섹션 (260) 의 상부 에지와 하부 에지 양자는 약 0.014 인치 폭의 45°챔퍼를 가질 수 있다. 제 7 섹션 (270) 은 약 0.68 인치의 길이, 약 0.13 인치의 직경 및 그 하부 에지에서 약 0.02 인치 폭의 45°챔퍼를 가질 수 있다. 섹션들 (240, 250, 260 및 270) 의 표면들은 베어 알루미늄 (양극-산화처리에 자유로움) 일 수도 있다. 핀 (200) 의 모든 다른 표면들, 예컨대 제 1 및 제 2 섹션들 (210 및 220) 의 표면들은 약 0.002 인치의 두께로 양극-산화처리될 수 있다.
도 9 는 (하부 전극 (11) 또는 커버 링과 같은) 제 1 부재 (810) 를 (전극 지지부 (20) 와 같은) 제 2 부재 (820) 에 고정하도록 구성된 파스너 어셈블리의 바람직한 실시형태를 도시한다. 제 1 부재 (810) 는 볼트 (100) 의 상부 플랜지 (122a) 와 상부 섹션 (122) 의 적어도 일부를 수용하기 위한 계단형 스루홀 (815) 을 갖는다. 계단의 높이는 본질적으로 상부 플랜지 (122a) 의 두께와 동일하다. 홀 (815) 의 상부 부분의 외부 직경은 상부 플랜지 (122a) 의 직경 보다 약간 더 크다 (예컨대, 약 0.001 내지 0.002 인치 더 크다). 기저부 (820) 는 블라인드 홀 (830) 을 갖는다. 블라인드 홀 (830) 은 하부 섹션 (124) 의 나사형 외부 표면을 인게이지하기 위한 나사형 상부 섹션 (830a) 을 갖는다. 블라인드 홀 (830) 의 길이와 스루홀 (815) 의 길이의 합은 핀 (200) 을 위한 공간이 블라인드 홀 (830) 에 들어가도록 하기 위해 핀 (200) 의 총 길이 보다 더 크다. 바람직하게, 블라인드 홀 (830) 의 길이와 스루홀 (815) 의 길이의 합은 1.8 인치보다 크다. 홀 (815) 에서 계단의 수평면 (810a) 이 전기적으로 도전성이라면, 볼트 (100) 는 적어도 상부 플랜지 (122a) 의 바닥면과 제 1 부재 (810) 의 대향하는 면 사이의 접촉을 통해 제 1 부재 (810) 에 전기적으로 접속될 수 있고; 핀 (200) 은 적어도 핀의 섹션 (240) 의 대향하는 면에 접촉하는 볼트 (100) 의 환형 바닥면 (100b) 을 통해 볼트 (100) 에 전기적으로 접속된다. 볼트가 홀 (830) 내에 스레드될 경우에, 핀 (200) 은 실질적으로 홀 (110) 을 채운다.
파스너 어셈블리의 설치는 2가지 단계들을 포함한다: (a) (바람직하게 약 1.25 인치의 자유 길이, 약 0.18 인치의 외부 직경, 적어도 약 0.13 인치이고 섹션 (260) 의 직경 보다 약간 더 작은 내부 직경 (로드 직경) 및 약 5.8 lbs/인치의 스프링 상수를 갖는) 스프링 (400) 은 섹션들 (250, 260 및 270) 위에 배치되며, 따라서 핀 (200) 의 섹션들 (250, 260 및 270) 은 스프링 (400) 의 중앙 개구부에 동축으로 맞춰지고, 핀 (200) 의 섹션 (240) 은 스프링 (400) 의 상단부에 대하여 정지부 (stop) 로서 동작하며, 스프링 (400) 의 상부 턴은 섹션 (260) 을 넘어 탄력적으로 맞춰져서 핀 (200) 이 홀 (830) 로부터 제거될 경우에도 스프링 (400) 이 핀 (200) 상에 남아있을 수 있다. (b) 핀 (200) 은 6각 키와 같은 툴에 의해 가압되고, 볼트 (100) 가 툴에 의해 회전되어 핀 (200) 을 가압하고 하부 섹션 (124) 의 스레드들을 블라인드 홀 (830) 의 스레드들과 인게이지한다. 볼트 (100) 가 홀 (815) 내에 완전히 스레드될 경우, 볼트 (100) 의 상부면 (100a) 은 제 1 부재 (810) 의 상부면 (810b) 과 동일 평면이 되고, 6각 키의 제거 이후, 핀의 면 (210a) 은 상부면 (100a) 과 동일 평면이 된다. 볼트를 제거하기 위해, 홀 섹션 (110a) 에 툴이 삽입되며, 따라서 핀 (200) 이 아래쪽으로 가압되고 스프링 (400) 이 압축된다. 툴이 소켓 (110a) 으로부터 제거되면, 스프링 (400) 은 핀 (200) 을 위쪽으로 밀어내어 핀 (200) 의 섹션 (240) 의 상부면에 의해 형성된 테두리가 볼트 (100) 의 바닥면 (110b) 과 접촉하는 것을 유지하게 하고, 따라서 핀 (200) 의 상부면 (210a) 은 볼트 (100) 의 상부면 (100a) 과 동일 평면을 유지한다.
상부 섹션 (110a) 이 6각형 또는 다른 원형이 아닌 단면을 가질 수 있고, 핀은 원통형 단면을 가질 수 있지만, 상부 섹션 (110a) 과 핀 (200) 의 대향하는 면들 사이의 허용오차들은 볼트 (100) 에서 홀 (110) 의 상부 섹션 (소켓; 110a) 이 실질적으로 핀 (200) 의 섹션 (210) 에 의해 채워지도록 한다. 그러므로, 기판들의 플라즈마 프로세싱 동안, 기생 플라즈마가 홀 (110) 의 상부 섹션 (110a) 내에 형성되는 것이 방지된다.
파스너 어셈블리, 및 볼트와 핀을 포함하는 그 컴포넌트들은 그 특정 실시형태들을 참조하여 상세하게 설명되지만, 첨부된 청구항들의 범위를 벗어나지 않고, 다양한 변경들 및 수정들이 실행될 수 있고, 등가물들이 이용될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (12)

  1. 플라즈마 프로세싱 챔버 내부에 부품들을 부착하기 위해 이용될 경우, 기생 플라즈마 형성을 회피하는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버에서 이용하기 위한 파스너 어셈블리로서,
    축 방향으로 연장하는 중앙 스루홀, 나사형 (threaded) 외부 표면, 및 상기 스루홀의 상부에서 비원통형 툴 인게이지 소켓 (tool engaging socket) 을 구비한 튜브형 바디를 갖는 볼트로서, 상기 비원통형 툴 인게이지 소켓은 나사형 홀에 상기 볼트의 삽입 동안 상기 볼트를 회전시키도록 이용되는 툴을 인게이지하도록 구성되는, 상기 볼트;
    상기 스루홀의 길이보다 긴 길이로 연장하는 샤프트 (shaft) 를 갖는 핀으로서, 상기 핀은 상기 스루홀의 상부 부분이 채워지지 않는 하위 위치로부터 상기 핀의 상부면이 상기 볼트의 상부면과 동일 평면이 되는 상위 위치로 이동가능한, 상기 핀; 및
    상기 스루홀의 상부에서 상기 툴이 상기 비원통형 툴 인게이지 소켓에 삽입되는 경우, 상기 핀이 상기 상위 위치로부터 상기 하위 위치로 삽입 가능하도록, 상기 핀을 상기 상위 위치에 바이어싱하는 스프링을 포함하고,
    상기 핀은 상기 볼트의 축 단부와 상기 스프링 사이의 테두리 (rim) 를 포함하고, 상기 핀이 상기 상위 위치에 있을 경우, 상기 테두리는 상기 볼트의 상기 축 단부와 인게이지되는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 이용하기 위한 파스너 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 볼트는 플랜지 (flange) 를 포함하고, 상기 볼트의 상부면은 상기 플랜지의 외연부로부터 안쪽으로 연장하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 이용하기 위한 파스너 어셈블리.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 스프링은 상기 핀의 하부 섹션을 둘러싸는 나선형 스프링이고, 상기 스프링은 상기 핀의 하부 섹션의 길이보다 긴 길이를 가지며, 상기 핀은 상기 스프링의 적어도 하나의 턴을 인게이지하는 유지 링 (retention ring) 및 상기 스프링이 압축될 때 상기 스프링의 상단부에 인게이지하는 정지부 (stop) 를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 이용하기 위한 파스너 어셈블리.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 핀 및 상기 볼트는 알루미늄으로 이루어지고, 상기 볼트와 상기 핀의 상부면들은 양극-산화처리된 표면들인, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 이용하기 위한 파스너 어셈블리.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 볼트는 0.38 인치의 외부 직경과 0.08 인치의 길이를 갖는 상부 플랜지, 상기 상부 플랜지로부터 연장하고 0.24 인치의 직경과 0.35 인치의 길이를 갖는 비-나사형 (un-threaded) 섹션, 상기 비-나사형 섹션으로부터 연장하고 M6×1 의 ISO 나사와 0.37 인치의 길이를 갖는 나사형 섹션을 포함하고, 상기 툴 인게이지 소켓은 상기 볼트의 상부면으로부터 연장하고 0.19 인치의 길이를 갖는 6각 소켓을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 이용하기 위한 파스너 어셈블리.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 핀은, 상기 핀의 상부면으로부터 연장하고 0.11 인치의 직경과 0.21 인치의 길이를 갖는 제 1 섹션, 상기 제 1 섹션으로부터 연장하고 0.14 인치의 직경과 0.56 인치의 길이를 갖는 제 2 섹션, 상기 제 2 섹션으로부터 연장하고 0.12 인치의 직경과 0.03 인치의 길이를 갖는 제 3 섹션, 상기 제 3 섹션으로부터 연장하고 0.19 인치의 직경과 0.1 인치의 길이를 갖는 제 4 섹션, 상기 제 4 섹션으로부터 연장하고 0.13 인치의 직경과 0.05 인치의 길이를 갖는 제 5 섹션, 상기 제 5 섹션으로부터 연장하고 0.15 인치의 직경과 0.025 인치의 길이를 갖는 제 6 섹션, 상기 제 6 섹션으로부터 연장하고 0.13 인치의 직경과 0.68 인치의 길이를 갖는 제 7 섹션을 포함하는, 7개 섹션들을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 이용하기 위한 파스너 어셈블리.
  8. 플라즈마 프로세싱 챔버 내부에 부품들을 부착하기 위해 이용될 경우, 기생 플라즈마 형성을 회피하는 파스너 어셈블리와 함께 부착된 플라즈마 챔버의 볼트 어셈블리로서, 상기 볼트 어셈블리는,
    계단형 홀을 갖는 상부 부분;
    상부 나사형 섹션과 하부 비-나사형 섹션을 갖는 블라인드홀을 포함하는 하부 부분; 및
    상기 파스너 어셈블리를 포함하고, 상기 파스너 어셈블리는,
    축 방향으로 연장하는 중앙 스루홀, 나사형 (threaded) 외부 표면, 및 상기 스루홀의 상부에서 툴 인게이지 소켓 (tool engaging socket) 을 구비한 튜브형 바디를 갖는 볼트로서, 상기 툴 인게이지 소켓은 나사형 홀에 상기 볼트의 삽입 동안 상기 볼트를 회전시키도록 이용되는 툴을 인게이지하도록 구성되는, 상기 볼트;
    상기 스루홀의 길이보다 긴 길이로 연장하는 샤프트 (shaft) 를 갖는 핀으로서, 상기 핀은 상기 스루홀의 상부 부분이 채워지지 않는 하위 위치로부터 상기 핀의 상부면이 상기 볼트의 상부면과 동일 평면이 되는 상위 위치로 이동가능한, 상기 핀; 및
    상기 스루홀의 상부에서 상기 툴이 상기 툴 인게이지 소켓에 삽입되는 경우, 상기 핀이 상기 상위 위치로부터 상기 하위 위치로 삽입 가능하도록, 상기 핀을 상기 상위 위치에 바이어싱하는 스프링을 포함하고,
    상기 핀은 상기 볼트의 축 단부와 상기 스프링 사이의 테두리 (rim) 를 포함하고, 상기 핀이 상기 상위 위치에 있을 경우, 상기 테두리는 상기 볼트의 상기 축 단부와 인게이지되고,
    상기 볼트는 상기 계단형 홀의 상부 섹션에서 수용되는 플랜지, 상기 계단형 홀의 하부 섹션에서 수용되는 비-나사형 섹션, 상기 블라인드 홀의 나사형 상부 섹션과 인게이지되는 나사형 섹션을 갖고,
    상기 스프링은 상기 핀의 하부 섹션을 둘러싸고 상기 블라인드 홀의 하부 섹션에서 수용되고,
    상기 스프링은 상기 핀 상의 정지부에 대하여 압축되고 상기 핀이 상위 위치에 있을 경우에 상기 볼트의 상기 축 단부에 대하여 상기 핀의 상기 테두리를 가압하는, 플라즈마 챔버의 볼트 어셈블리.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 소켓은 6각 소켓이고, 상기 상부 부분과 상기 하부 부분은 기판의 플라즈마 프로세싱 동안 기판이 지지되는 하부 전극 어셈블리의 알루미늄 판들인, 플라즈마 챔버의 볼트 어셈블리.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 상부 부분은 그 내부에 복수의 계단형 홀들을 갖는 커버 링을 포함하고, 각각의 계단형 홀의 상부 섹션은 상기 볼트의 상부면과 상기 핀의 상부면이 상기 커버 링의 상부 표면과 동일 평면이 되도록 상기 볼트의 플랜지를 수용하는, 플라즈마 챔버의 볼트 어셈블리.
  11. 플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트로부터 제 8 항에 기재된 볼트 어셈블리를 부착하는 방법으로서,
    상기 핀의 하단부 상에 스프링을 배치하는 단계;
    상기 볼트의 상기 스루홀에 상기 핀의 상단부를 삽입하는 단계;
    상기 볼트를 상기 볼트 내부에 맞춰진 상기 핀과 함께 상기 상부 부분의 상기 계단형 홀 내에 삽입하고, 상기 볼트를 상기 핀의 하단부 상의 상기 스프링과 함께 상기 하부 부분의 상기 블라인드 홀에 삽입하는 단계;
    상기 소켓을 상기 볼트에 정합 인게이지 (matingly engage) 하는 툴로 상기 핀을 가압하고, 상기 볼트의 상부면이 상기 상부 부분의 상부면과 동일 평면이 될 때까지 상기 툴로 상기 볼트를 회전시키는 단계; 및
    상기 툴을 제거하고 상기 스프링이 상기 핀을 상위 위치로 밀어내도록 하여 상기 핀의 상부면이 상기 볼트의 상부면과 동일 평면이 되도록 하는 단계를 포함하는, 볼트 어셈블리를 부착하는 방법.
  12. 플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트로부터 제 8 항에 기재된 볼트 어셈블리를 탈착하는 방법으로서,
    상기 소켓을 상기 볼트에 정합 인게이지하는 툴로 상기 핀을 가압하고, 상기 볼트의 스레드들이 상기 블라인드 홀의 스레드들과 디스인게이지될 (disengage) 때까지 상기 툴로 상기 볼트를 회전시키는 단계를 포함하는, 볼트 어셈블리를 탈착하는 방법.
KR1020127021804A 2010-02-22 2011-02-10 플라즈마 프로세싱 장치를 위한 동일 평면 장착 파스너 KR101785749B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30666710P 2010-02-22 2010-02-22
US61/306,667 2010-02-22
PCT/US2011/000239 WO2011102884A2 (en) 2010-02-22 2011-02-10 Flush mounted fastener for plasma processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130005268A KR20130005268A (ko) 2013-01-15
KR101785749B1 true KR101785749B1 (ko) 2017-10-16

Family

ID=44476614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127021804A KR101785749B1 (ko) 2010-02-22 2011-02-10 플라즈마 프로세싱 장치를 위한 동일 평면 장착 파스너

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8562266B2 (ko)
JP (1) JP5800835B2 (ko)
KR (1) KR101785749B1 (ko)
CN (1) CN102770941B (ko)
SG (1) SG183269A1 (ko)
TW (1) TWI533762B (ko)
WO (1) WO2011102884A2 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104382660B (zh) * 2014-11-10 2016-01-20 广州瑞通生物科技有限公司 一种定制化舌侧正畸托槽及其制造方法
DE102015009044A1 (de) * 2015-07-13 2017-01-19 Sfs Intec Holding Ag Verfahren zur Herstellung einer Verbindung
FR3039229B1 (fr) * 2015-07-21 2017-07-28 Mgi Coutier Espana Sl Dispositifs de positionnement avec compensation de tolerance, ensemble de composants automobiles comprenant un tel dispositif et procede de positionnement avec compensation de tolerance
CN106582914A (zh) * 2016-12-31 2017-04-26 合肥优亿科机电科技有限公司 一种用于超净台的电极探入装置
JP7098882B2 (ja) * 2017-04-03 2022-07-12 株式会社島津製作所 真空ポンプ
US10859108B2 (en) * 2017-05-17 2020-12-08 Hasco Vision Technology Co., Ltd. Threaded connecting member and threaded connecting structure with radiating function
US10141670B1 (en) * 2017-08-21 2018-11-27 Lam Research Corporation Substrate connector including a spring pin assembly for electrostatic chucks
TW201930737A (zh) * 2018-01-08 2019-08-01 英研智能移動股份有限公司 鎖固元件以及鎖固組件
JP7308637B2 (ja) * 2018-05-29 2023-07-14 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、シャワーヘッド、および真空処理装置の組み立て方法
JP6783844B2 (ja) * 2018-12-26 2020-11-11 本田技研工業株式会社 電装部材の締結構造、電装部材の締結方法及び電装部材の締結解除方法
JP7263172B2 (ja) * 2019-07-25 2023-04-24 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造装置
KR102200315B1 (ko) * 2019-07-29 2021-01-08 세메스 주식회사 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20210025744A (ko) 2019-08-27 2021-03-10 삼성전자주식회사 기판 가장자리의 베벨 식각 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
TW202115815A (zh) * 2019-10-04 2021-04-16 美商應用材料股份有限公司 用於易碎板以防止破裂的氣體分配組件安裝
US11905986B1 (en) 2020-09-01 2024-02-20 Blue Origin Llc Quick-access fastener assembly for high temperature applications
US20230197422A1 (en) * 2021-12-20 2023-06-22 Applied Materials, Inc. Fastening assembly for beam blocker in ion processing apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006318689A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Shimadzu Corp 表面波励起プラズマ処理装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3159075A (en) * 1961-10-16 1964-12-01 Albin W Bjork Collapsible bolt having spring actuated expaning plunger
US3130994A (en) * 1962-01-16 1964-04-28 American Hardware Corp Means for securing relatively movable members
US3405595A (en) * 1966-10-27 1968-10-15 Hardinge Brothers Inc Devices for closing wrench sockets
US4822227A (en) * 1987-07-14 1989-04-18 Avibank Mfg., Inc. Flush mounted bolt
US4930371A (en) * 1988-12-01 1990-06-05 Schneider William J Apparatus for locking a flywheel
US5017069A (en) * 1989-08-30 1991-05-21 Northrop Corporation Sleeve bolt
JPH0452607U (ko) * 1990-09-11 1992-05-06
US5074730A (en) * 1990-11-21 1991-12-24 Avibank Mfg., Inc. Adjustable flush mounted bolt
US5249556A (en) * 1991-03-08 1993-10-05 Emmitt William J Adjustable lubricating system
US5484486A (en) * 1994-05-02 1996-01-16 Applied Materials, Inc. Quick release process kit
US5603472A (en) * 1995-06-07 1997-02-18 Physical Systems, Inc. Flush mounted panel fastener
DE19623522A1 (de) * 1996-06-13 1997-12-18 Wabco Gmbh Baugruppe mit einer Schraube und einer Mutter
EP1006562A3 (en) * 1998-12-01 2005-01-19 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Two-piece clamp ring for holding semiconductor wafer or other workpiece
US6123804A (en) * 1999-02-22 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Sectional clamp ring
AU2001273537A1 (en) * 2000-07-20 2002-02-05 Tokyo Electron Limited Improved electrode for plasma processing system
US6860689B1 (en) * 2001-05-02 2005-03-01 Pilgrim Screw Corporation Fastening assemblies and components thereof
US20030000924A1 (en) * 2001-06-29 2003-01-02 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of gas injection sequencing
CN2578594Y (zh) * 2002-11-28 2003-10-08 孙生 偏牙型防松螺栓
US7582186B2 (en) * 2002-12-20 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
US6641343B1 (en) * 2002-12-23 2003-11-04 Avibank Mfg., Inc. Fastener with magnetically actuated positive lock plug insert
US20040189336A1 (en) * 2003-03-26 2004-09-30 Tokyo Electron Limited Apparatus for monitoring the connection state of connectors and a method for using the same
US7296534B2 (en) * 2003-04-30 2007-11-20 Tokyo Electron Limited Hybrid ball-lock attachment apparatus
US7604701B2 (en) * 2003-07-14 2009-10-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for removing external components from a process chamber without compromising process vacuum
US20050098106A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved electrode plate
US20050220568A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method and system for fastening components used in plasma processing
JP4702799B2 (ja) * 2006-03-17 2011-06-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ボルト及び半導体製造装置
US20080087641A1 (en) * 2006-10-16 2008-04-17 Lam Research Corporation Components for a plasma processing apparatus
JP2008103589A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd 半導体処理装置用シャワーヘッド及び半導体処理装置のシャワーヘッドに用いられる表側電極板
CN201442977U (zh) * 2007-09-27 2010-04-28 应用材料股份有限公司 用于放置在pecvd腔中的背板的夹钳机械装置
JP2009115166A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Nabeya Iron & Tool Works Ltd 締結装置
DE102007056850A1 (de) * 2007-11-26 2009-05-28 GM Global Technology Operations, Inc., Detroit Kombinationswerkzeug

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006318689A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Shimadzu Corp 表面波励起プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102770941B (zh) 2015-05-13
US20110206479A1 (en) 2011-08-25
WO2011102884A3 (en) 2011-12-08
JP5800835B2 (ja) 2015-10-28
US8562266B2 (en) 2013-10-22
KR20130005268A (ko) 2013-01-15
WO2011102884A2 (en) 2011-08-25
TWI533762B (zh) 2016-05-11
CN102770941A (zh) 2012-11-07
JP2013520793A (ja) 2013-06-06
SG183269A1 (en) 2012-09-27
TW201143543A (en) 2011-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101785749B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 장치를 위한 동일 평면 장착 파스너
US8573152B2 (en) Showerhead electrode
US7854820B2 (en) Upper electrode backing member with particle reducing features
US8628268B2 (en) Cam lock electrode clamp
CN102084475B (zh) 用于等离子体处理室中的包括真空间隙的面向等离子体的探针装置
CN1914712A (zh) 用于减少等离子体反应器蚀刻速率漂移的温控热边缘环组件
KR20180135152A (ko) 정전 척, 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
CN104716082A (zh) 用于弹性体带的安装固定架
US20230032767A1 (en) Interlocking fastening upper electrode assembly having improved fastening force, and plasma device including same
KR20140146604A (ko) 엘라스토머 밴드용 설치 고정 장치 및 이의 사용 방법
US20050224179A1 (en) Baffle plate and plasma etching device having same
CN105575874B (zh) 夹具组件
KR20150044371A (ko) 미세-홈 형성된 비-점착성 표면을 갖는 설치 픽스처
KR20140004724U (ko) 실리콘 기판들의 프로세스를 위한 고성능 및 긴 수명의 에지 링
US6695318B2 (en) Electronic device processing equipment having contact gasket between chamber parts
US6202589B1 (en) Grounding mechanism which maintains a low resistance electrical ground path between a plate electrode and an etch chamber
CN110571123A (zh) 改善刻蚀腔体缺陷的方法
KR20090012882A (ko) 반도체 식각 설비의 행거형 캐소드 전극
KR100943434B1 (ko) 전극 및 그 제조방법
CN116666182A (zh) 一种固定装置及等离子体设备
WO2002009241A2 (en) Electrode for plasma processing system
TWM469608U (zh) 一種用於電感耦合等離子處理裝置的連接卡口
KR20040096129A (ko) 반도체 식각장치의 쉴드 링

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right