CN104716082A - 用于弹性体带的安装固定架 - Google Patents

用于弹性体带的安装固定架 Download PDF

Info

Publication number
CN104716082A
CN104716082A CN201410790043.4A CN201410790043A CN104716082A CN 104716082 A CN104716082 A CN 104716082A CN 201410790043 A CN201410790043 A CN 201410790043A CN 104716082 A CN104716082 A CN 104716082A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mounting
substrate
elastomeric band
support
annular ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410790043.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104716082B (zh
Inventor
理什·查哈特
大卫·斯彻尔弗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN104716082A publication Critical patent/CN104716082A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104716082B publication Critical patent/CN104716082B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining
    • Y10T29/49863—Assembling or joining with prestressing of part
    • Y10T29/4987—Elastic joining of parts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/53657—Means to assemble or disassemble to apply or remove a resilient article [e.g., tube, sleeve, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于弹性体带的安装固定架，具体公开了一种安装固定架，该安装固定架适于将弹性体带安装在围绕半导体衬底支撑件的安装沟槽中，所述半导体衬底支撑件用于在等离子体处理室中支撑半导体衬底，所述安装固定架包括：环形环，其在所述环的外边缘上具有垂直延伸部并适于接纳所述弹性体带；以及被配置成附接到所述环形环的基板，所述基板具有多个径向延伸部，所述多个径向延伸部适于在与所述半导体衬底支撑件中的安装孔对应的位置接纳多个机械紧固件。

Description

用于弹性体带的安装固定架
技术领域
本发明涉及用于将弹性体带安装在衬底支撑件周围的安装固定架及使用该安装固定架的方法。
背景技术
集成半导体电路已经成为大部分电子系统的主要元件。这些微型电子装置可以包括构成微机的中央处理单元及其他集成电路的存储器和逻辑子系统的成千上万个晶体管和其他电路。这些电路的低成本、高可靠度和高速度已经使这些电路成为现代数字电子产品的普遍特征。
通常在例如平行板反应器或电感耦合等离子体反应器之类的反应离子蚀刻系统中制造集成半导体电路。反应离子蚀刻系统可以由蚀刻室组成，该蚀刻室中具有上电极或阳极和下电极或阴极。阴极相对于阳极和容器壁具有负偏。将要蚀刻的晶片覆盖合适的掩模并且直接放置于阴极上。例如将CF4、CHF3、CClF3、HBr、Cl2和SF6或它们与O2、N2、He或Ar的混合物引入蚀刻室中并且维持在通常在毫乇范围内的压强。上电极具有允许气体穿过电极均匀地分配到蚀刻室中的气孔。阳极与阴极之间形成的电场会离解反应气体，从而形成等离子体。晶片表面通过与活性离子的化学交互作用并且通过撞击晶片表面的离子的动量转移而被蚀刻。由电极所产生的电场将吸引离子到阴极，导致离子沿占优势的垂直方向撞击表面，使得工艺产生界限清楚的垂直蚀刻侧壁。
用于反应性离子蚀刻的等离子体为高度腐蚀性物质，且暴露于等离子体的室部件表面可能快速退化。这种室部件的退化代价高昂，且可能导致室部件的污染，或导致室中正在处理的衬底污染。这种退化要求更换受污染的室部件并且/或者清理受污染的室部件。该室部件的更换和/或清理导致处理室的停工时间。
包括静电卡盘(ESC)的衬底支撑件是由于暴露于等离子体环境而可能退化的这种室部件之一，其中该静电卡盘(ESC)用于静电式地将衬底夹持在该支撑件上。这些类型的衬底支撑件典型地包括彼此粘附的多个部件。例如，支撑件可包括通过合适的粘合剂彼此粘合的冷却板、加热器元件和/或陶瓷板。为了使由于暴露于等离子体环境造成的退化减小到最低，通常在这些部件周围设置弹性体带以保护粘合剂，使其不直接暴露于等离子体环境，例如共有的美国公布申请No.2013/0097840、No.2013/0117986和No.2013/0263427中所述。然而，弹性体带则直接暴露于等离子体环境且由于暴露而退化。弹性体带也由于来自操作条件下的压缩力而退化。
弹性体带安装于衬底支撑件周围的方式也可能在弹性体带中产生局部应力，这导致弹性体带更容易由于暴露于等离子体环境而退化。典型地，弹性体带以五点星状形式手工安装在衬底支撑件周围。此安装形式在弹性体中产生高度局部应力区域，这些应力区域是弹性体中的较弱区域，且当暴露于等离子体环境时使这些区域经受更大的质量损失，从而通常导致弹性体的破裂。
因此，需要将弹性体带安装在衬底支撑件周围的改进方法，使弹性体带对于缘自暴露于等离子体环境的退化表现出增加的抗性。
发明内容
公开了一种安装固定架，其适于将弹性体带安装在围绕半导体衬底支撑件的安装沟槽中，所述半导体衬底支撑件用于在等离子体处理室中支撑半导体衬底，所述安装固定架包括：环形环，其具有在所述环的外边缘上的垂直延伸部并适于接纳所述弹性体带；以及被配置成附接到所述环形环的基板，所述基板具有多个径向延伸部，所述多个径向延伸部适于在与所述半导体衬底支撑件中的安装孔对应的位置接纳多个机械紧固件。
公开了一种弹性体带安装套件，该套件包括：安装固定架，其适于将弹性体带安装在围绕半导体衬底支撑件的安装沟槽中，所述半导体衬底支撑件用于在等离子体处理室中支撑半导体衬底，所述安装固定架包括：环形环，其具有在所述环的外边缘上的垂直延伸部并适于接纳所述弹性体带；以及被配置成附接到所述环形环的基板，所述基板具有多个径向延伸部，所述多个径向延伸部适于在与所述半导体衬底支撑件中的安装孔对应的位置接纳多个机械紧固件；以及多个机械紧固件，每个机械紧固件适于配合穿过衬底支撑件的通孔并穿过所述安装固定架的通孔。
公开了一种弹性体带的安装方法，所述弹性体带作为半导体衬底支撑件的一部分周围的保护性边缘密封件，所述半导体衬底支撑件用于在等离子体处理室中支撑半导体衬底，所述方法包括：使弹性体带围绕安装固定架的垂直延伸部设置，所述安装固定架包括：环形环，其具有在所述环的外边缘上的垂直延伸部并适于接纳所述弹性体带；以及被配置成附接到所述环形环的基板，所述基板具有多个径向延伸部，所述多个径向延伸部适于在与所述半导体衬底支撑件中的安装孔对应的位置接纳多个机械紧固件；以及使所述弹性体带滑离所述所述安装固定架的所述垂直延伸部并进入所述衬底支撑件中的适于接纳所述弹性体带的安装沟槽中。
附图说明
图1是适于等离子体蚀刻半导体衬底的处理室的剖视图。
图2是衬底支撑件的剖视图，该衬底支撑件具有位于安装沟槽中的弹性体带。
图3是根据示例性实施方式的位于半导体衬底支撑件上的弹性体带安装固定架的透视图。
图4是根据示例性实施方式的弹性体带安装固定架的透视图。
图5是根据示例性实施方式的弹性体带安装固定架的剖视图。
图6是根据示例性实施方式的弹性体带安装固定架的剖视图。
具体实施方式
用于反应性离子蚀刻处理室的衬底支撑件典型地包括下电极组件，该下电极组件包括静电夹持层，在等离子体处理室中处理期间衬底或晶片被夹持在该静电夹持层上面。该下电极组件还可以包括结合在温度受控基板上的多个层。例如，该组件可包括上陶瓷层，该上陶瓷层包含黏附地粘合在加热器板的上侧的一个或多个静电电极、黏附地粘合在加热器板底部的一个或多个加热器、以及黏附地粘合在加热器和加热器板的温度受控基板(以下称为冷却板)。为了保护暴露于等离子体的粘合剂粘合层，例如弹性体带之类的边缘密封件可设置在衬底支撑件的粘合层周围。
图1示出了用于蚀刻衬底的示例性等离子体反应器10的剖视图。如图1所示，等离子体反应器10包括等离子体处理室12、设置在处理室12上方以产生等离子体的天线，天线由平面线圈16来实现。RF线圈16典型地由RF发生器18经由匹配网络(未示出)激励。这种处理室被称为电感耦合等离子体(ICP)处理室。为了供应工艺气体到处理室12的内部，设有气体分配板或喷头14，该气体分配板或喷头14优选地包括多个孔，该多个孔用于释放气源材料(如蚀刻剂源气体)至喷头14与半导体衬底或晶片30之间的RF感应等离子体区域，该半导体衬底或晶片30被支撑在包括下电极组件28的衬底支撑件100上。尽管图1示出了电感耦合等离子体反应器，但该等离子体反应器10可在省略天线的情况中结合其他等离子体产生源，如电容耦合等离子体(CCP)、微波、磁控管、螺旋波、或其他合适的等离子体产生设备。
气源材料还可通过其他装置引入处理室12中，该其他装置例如延伸经过上壁的一个或多个气体注入器和/或内嵌在处理室12的壁中的气体喷射端口。当蚀刻剂源化学品蚀刻穿过铝或其合金之一时，该蚀刻剂源化学品包括例如：如Cl2和BCl3等卤素。还可以使用针对蚀刻特征的侧壁钝化的其他蚀刻剂化学品(如CH4、HBr、HCl、CHCl3)以及如碳氢化合物、氟碳化合物和氢氟碳化合物之类的聚合物形成物质。这些气体可与任选的惰性和/或非反应性气体一起使用。
在使用中，将晶片30引入由室壁32所定义的室12中且配置在下电极组件28上。晶片30优选地通过射频发生器24(还典型地经由匹配网络)施加偏置。晶片30可包括在其上制造的多个集成电路(IC)。例如，这些IC可包括如PLA、FPGA及ASIC之类的逻辑设备或例如随机存取内存(RAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、或只读存储器(ROM)之类的存储装置。当施加RF功率时，反应性物质(由来源气体形成)蚀刻晶片30的暴露表面。可能是挥发性的副产物接着经由排出口26排出。在处理完成之后，可对晶片30进行进一步的处理，且最后划片从而使IC分成单个芯片。
可以理解，反应器10还可以用于金属、电介质及其他蚀刻处理。在等离子体蚀刻处理中，气体分配板可以是位于ICP反应器中的介电窗正下方的圆板、或形成被称为平行板反应器的CCP反应器中的上电极组件的一部分，其中该气体分配板是定向成平行于半导体衬底或晶片30的喷头电极。气体分配板/喷头电极包括具备特定直径和空间分布的孔阵列以优化待蚀刻层(如晶片上的光致抗蚀剂层、二氧化硅层及下方层材料)的蚀刻均匀性。
可使用的示例性平行板等离子体反应器为双频等离子体蚀刻反应器(参见例如共有的美国专利No.6,090,304，该专利其全部内容通过引用并入本文中)。在此反应器中，蚀刻气体可从气体供给器供应到喷头电极，并且可以通过供给来自两RF源的不同频率下的RF能量到喷头电极和/或底部电极而在反应器中产生等离子体。可替代地，喷头电极可电气地接地且可将在两种不同频率下的RF能量供给到底部电极。
图2示出了衬底支撑件100的一部分的剖视图，该衬底支撑件100具有与暴露的粘合层结合在一起的多个层，暴露的粘合层位于适于接纳诸如弹性体带160之类的边缘密封件的安装沟槽中。衬底支撑件100还可以适于接纳多个机械紧固件。衬底支撑件100包括由金属或陶瓷组成的加热器板130。粘合剂粘合层120设置在加热器板130下方并使加热器板130粘合至冷却板110。另一个粘合剂粘合层125设置在加热器板130上方并使加热器板130粘合至结合一个或多个静电夹持电极的陶瓷板135。陶瓷板135和冷却板110可具有延伸超过加热器板130和粘合层120、125的最外部分的部分以形成安装沟槽145。加热器板130和粘合层120、125的最外部分基本上彼此相互对齐。优选地，陶瓷板135具有大于加热器板130和粘合层120、125的直径的直径。
在一示例性实施方式中，冷却板110可以被配置成通过包括在其中的流体通道(未示出)来提供温度控制，温度受控液体可以通过该流体通道循环。冷却板110典型地是在等离子体室中充当下RF电极的金属基板。冷却板110优选地包括阳极化的铝或铝合金。然而，可以理解，可使用包括金属、陶瓷、导电及介电材料的任何合适的材料。在一示例性实施方式中，冷却板110由阳极化机加工铝块形成。可替代地，冷却板110可以是其内和/或其上表面上设置有一个或多个电极的陶瓷材料。此外，冷却板110优选地具有从其中心到外缘或其直径的均匀厚度，且优选地是薄圆板。冷却板110可包括一系列通孔140，通孔140用于接纳将衬底支撑件100固定在处理室中的机械固定件。
加热器板130可以是金属或陶瓷板的形式，其中至少一个膜加热器耦合至金属或陶瓷板的底部。该膜加热器可以是包括第一绝缘层(如介电层)、电阻加热层(如一个或多个电阻材料条)和第二绝缘层(如介电层)的箔叠层(未示出)。绝缘层优选地由具有在宽温度范围内维持其物理、电气及机械特性(包括在等离子体环境中对腐蚀气体的抗性)的能力的材料组成，例如Kapton或其他合适的聚酰亚胺膜。电阻加热层优选地由如Incone1或其他合适的合金之类的高强度合金或抗腐蚀且电阻加热的材料组成。典型地，膜加热器可以是具有约0.005英寸至约0.009英寸的总厚度且更优选地是约0.007英寸厚的Kapton、Incone1及Kapton的层合板形式。
陶瓷层135优选地为具有由如W、Mo等金属材料组成的嵌入式电极的陶瓷材料的静电夹持层。此外，陶瓷层135优选地具有从其中心到外缘或其直径的均匀厚度，且优选地是适用于支撑200mm、300mm或450mm直径晶片的薄圆板。共有的美国专利No.8,038,796中公开了具有上静电夹持层、加热器层及粘合层的下电极组件的细节，其中上静电夹持层具有约0.04英寸的厚度，上粘合层具有约0.004英寸的厚度，加热器板包括具有约0.04英寸厚度的金属或陶瓷板以及具有约0.01英寸厚度的加热器膜，且下粘合层具有约0.013英寸至0.04英寸的厚度。然而，可选择夹持层、粘合层及加热器层的不同厚度以获得所需的处理结果。
粘合剂粘合层120和125优选地由例如弹性体硅酮或硅橡胶材料之类的低模量材料形成。然而，可使用任何合适的粘合材料。可以理解，粘合层120和125的厚度根据所需的热传系数不同而改变。因此，粘合层120和125的厚度可以均匀或不均匀以基于粘合剂粘合层120和125的制造公差提供所需的热传系数。粘合剂粘合层120和125的厚度通过加上或减去具体变量而在粘合剂粘合层120和125的施加区域上变化。优选地，假如粘合层厚度改变不大于l.5％，就可以使衬底支撑件100的构件之间的热传系数实质上均匀。例如，对于包括用于半导体工业中的电极组件的衬底支撑件100而言，粘合剂粘合层120和125优选地具有可承受宽温度范围的化学结构。因此，可以理解，低模量材料可包括任何合适的材料或材料的组合，如与真空环境兼容并在高温(如高达到500℃)下耐热降解的聚合物材料。在一个实施方式中，粘合剂粘合层120和125可以包括硅酮并在约0.001英寸至约0.050英寸的厚度之间，且更优选地在约0.003英寸至约0.030英寸的厚度之间。
如图2所示，冷却板110及陶瓷板135的一部分可延伸超过加热器板130、粘合剂粘合层120和125的最外部分，从而在衬底支撑件100中形成安装沟槽145。粘合剂粘合层120和125的材料典型地对半导体等离子体处理反应器的反应性蚀刻化学过程不具抗性，且因此必须加以保护以完成有效的操作寿命。为了保护粘合剂粘合层120和125，将弹性体带160形式的边缘密封件设置在安装沟槽145中，以形成预防半导体等离子体处理反应器的腐蚀性气体穿透的紧密密封。例如，共有的美国公布申请No.2013/0097840，No.2013/0117986和No.2013/0263427中所述。
弹性体带160可以用手以5点星形拉伸模式安装。通常，将弹性体带160的一部分插入到安装沟槽中，而将弹性体带160的另一部分拉伸并插入到安装沟槽145中。对于弹性体带160的远离先前插入部分的后续部分重复这种拉伸过程，直到将弹性体带160完全插入安装沟槽145。然而，这种插入弹性体带160的方法导致弹性体带160内的高度局部化的受力区域。这些受力区域比弹性体带160内的其它区域脆弱，并且当暴露于等离子体环境中时会遭受较大的质量损失。较大的质量损失进而导致弹性体带160的退化，如开裂，从而迫使更换弹性体带160。
图3示出了安装固定架200，安装固定架200可以用来解除定位在半导体衬底支撑件100上的弹性体带160的这种受力区域。如图3中所示，安装固定架200可以包括具有内边缘212、外边缘214、上表面216和下表面218(图4)的环形环210。根据一个示例性实施方式，环形环210还可以包括在环形环210的外边缘214上并适于接纳弹性体带160的垂直延伸部220。
安装固定架200还可包括具有外凹部232(图4)的基板230，外凹部232被配置成附接到环形环210。基板230还可以包括多个径向延伸部240，多个径向延伸部240适于在与半导体衬底支撑件100中的安装孔140对应的位置接纳多个机械紧固件260。根据示例性实施方式，基板230优选具有上表面234、外凹部232(图4)，上表面234具有上部内表面236，外凹部232通过将内表面236连接到下部外表面238的垂直壁237形成。下部外表面238是相对平坦的。根据一示例性实施方式，基板230优选是实心阶梯板。
根据一示例性实施方式，基板230还包括具有圆形外直径的形成在基板230的下表面233上的内凹部239(图6)。基板230的下表面233可包括环形外表面235、向上方延伸到下部内表面243的垂直壁241。凹部239适于定位在衬底支撑件100的上表面的外部或外围上方。例如，根据一示例性实施方式，基板230的外环形表面235可适于在陶瓷层135的外部或外围接纳并接触所述陶瓷层135。根据一示例性实施方式，凹部239的深度没有特别的限制，只要在设置为最接近陶瓷层135的表面的下部内表面243与陶瓷层135的表面之间提供有足够的间隔即可。例如，凹部239可以具有介于约0.01英寸至0.05英寸之间的深度，例如，约0.025英寸的深度。基板230例如可具有介于上部内表面236和下部内表面243之间的大约0.50至0.60英寸的厚度，例如约0.524英寸的厚度。
根据一示例性实施方式，安装固定架200优选具有其环形形状并适于将弹性体带160安装在半导体衬底支撑件100周围的安装沟槽145中。例如，根据一示例性实施方式，使用安装固定架200将弹性体带160安装在衬底支撑件100周围可以减少在弹性体带160中的局部应力，并降低弹性体带160在操作条件下(例如，当暴露于等离子体的环境时)开裂的概率。此外，相比于用手以5点星形拉伸模式安装弹性体带160，利用安装固定架200可导致弹性体带160具有较长的工作寿命。另外，在此公开的两件式设计可以提供可更换的环形环210，其尺寸可以取决于半导体衬底支撑件100的外径。另外，单一的基板230可用于不同尺寸的环形环210。例如，根据一示例性实施方式，环形环210可以在使用一定次数后和/或如果在使用或运输过程中损坏的情况下更换。本文所公开的安装固定架200还可以使围绕半导体衬底支撑件100的弹性体带160的对准改善，从而可以改善等离子体反应器10的性能。
根据一示例性实施方式，多个径向延伸部240中的每个可包括通孔242。根据一示例性实施方式，径向延伸部240适于在与半导体衬底支撑件100中的安装孔对应的位置接纳多个机械紧固件260。优选地，安装固定架200的基板230包括四个径向延伸部240。每个安装固定架200围绕径向延伸部240的间隔没有特别限制，例如，每个径向延伸部240可设置为与相邻的径向延伸部240相隔约45°至约135°。可替代地，例如，每个径向延伸部240可以设置成与相邻的径向延伸部240相隔约90°。
安装固定架200的环形环210的内径211和外径213没有特别限定，只要安装固定架200相对于所述衬底支撑件100相应地设定尺寸即可。例如，相对于被设计用于处理直径为300mm的衬底或晶片的衬底支撑件，环形环210可以具有相对于垂直延伸部220的最外表面的在约11.0至12.0英寸之间的外径213。优选地，外径213为约11.7英寸。相对于处理直径小于300mm(例如200mm)或大于300mm(例如450mm)的衬底或晶片，安装固定架200的直径可以相应地缩放。环形环210的外径213也可以由弹性体带160(未示出)的直径和该带的拉伸公差确定。
图4示出了安装固定架200另一透视图，该安装固定架200包括环形环210和基板230以及保护盖300。如图4所示，环形环210具有在环形环210的上表面216的内侧部分228上的环形凹部226。环形凹部226适于被定位于衬底支撑件100的上表面的外侧部分或外围上方。例如，环形环210的上表面216可适于在陶瓷层135的外侧部分或外围接纳并接触陶瓷层135。根据一示例性实施方式，上表面216的未凹进部分224可接触陶瓷层135的外围。根据一示例性实施方式，凹部226的深度没有特别的限制，只要在内侧部分228的设置为与陶瓷层135的最外表面最接近的水平表面与陶瓷层135的最外表面之间提供有足够的间隔即可。例如，凹部226可以具有介于约0.01至0.05英寸之间的深度，例如，约0.025英寸的深度。
根据一示例性实施方式，垂直延伸部220在其自由端221可以包括成角度的尖端(未示出)。优选地，成角度的尖端的角度为在约10°至约45°之间，最优选地在约20°。基板230的径向延伸部240的通孔242适于与冷却板110的通孔140对齐。
根据一示例性实施方式，例如在不使用固定架200和/或在运输固定架200的过程中，保护盖300可以装有安装固定架200，以保护环形环210的垂直延伸部220(或唇部)。保护盖300优选地具有凹部310，凹部310被构造成配合在环形环210的垂直延伸部220和外边缘214的周围和上面。此外，凹部310可被构造成与环形环210的上表面216接触。
如图4所示，可以使用机械紧固件260来相对于基板支撑件100旋转地约束安装固定架200。机械紧固件260可以是适于配合穿过衬底支撑件100的通孔140并穿过安装固定架200的通孔242的锁定销或螺栓。根据示例性实施方式，机械紧固件260的形状可以是圆柱形或半圆柱形。机械紧固件260可以包括沿其长度具有不同直径的多个部分。例如，机械紧固件260的一个端部266可包括最大直径，机械紧固件260的一个端部262可以包括最小直径，而中心部264可以包括中等直径。然而，机械紧固件260可以设计成不同于圆柱形的形状，如正方形、锥形或多边形。优选地，所述机械紧固件260的端面是凹陷的并且适于接纳将衬底支撑件100固定到工件(如工作台或室壁)的螺栓的头部。例如，如果将衬底支撑件100固定到工件的螺栓是圆顶形的，那么机械固定件260的端部表面可以凹陷成类似圆顶形或类似的凹部。如果将衬底支撑件100固定到工件的螺栓是六边形，则机械紧固件260的端部表面可以凹陷成类似六边形的形状。
当通孔140和242对准时，机械紧固件260可插入穿过每一组对准的通孔140、242，使得可以相对于衬底支撑件100旋转地约束安装固定架200。机械紧固件260的尺寸没有特别的限制，只要其在安装时能充分旋转地约束安装固定架200即可。
图5示出了根据一示例性实施方式的弹性体带安装固定架200的剖视图。如图5所示，基板230可包括多个被配置成接纳螺钉(或紧固件)250的孔252，螺钉(或紧固件)250通过在环形环210的下表面218上的相应凹部222将基板230附接到环形环210。例如，根据一示例性实施方式，基板230可以包括三个或更多个等间距的与在环形环210的下表面218上的相应凹部222对准的孔252。围绕基板230的每个孔252之间的间隔没有特别的限定，优选地，例如，每个孔252可设置成与相邻的孔252及环形环210的下表面中的相应的对准的凹部222相隔约120°。根据一示例性实施方式，紧固件250由聚醚醚酮(PEEK)制成。
图6示出了根据一示例性实施方式的弹性体带安装固定架200的剖视图。根据一示例性实施方式，环形环210被配置成配合在外部垂直壁237的周围，外部垂直壁237将基板230的上表面236连接到基板230的外部下表面238并且连接在基板230的凹部232的上部。如图6所示，基板230还包括形成在基板230的下表面233上的内侧凹部239。
根据一示例性实施方式，安装固定架200的环形环210和基板230各自可由低摩擦的塑料材料制成，例如聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)或碳氟化合物，例如，(PTFE或聚四氟乙烯，DuPont公司制造)。可替代地，安装固定架200的环形环210和基板230可以由其它材料(例如石英、陶瓷、金属或硅)制成。制造安装固定架200的方法没有特别的限制。例如，安装固定架200的环形环210与基板230可以由块状起始材料或环形片状起始材料机加工制成。可替代地，安装固定架200的环形环210和基板230可以通过注射成型制得。根据一示例性实施方式，环形环210由PTFE或特氟隆(聚四氟乙烯)制成，并且基板230由聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)制成。
在使用中，每个机械紧固件260的具有最大直径的端部可被固定到冷却板110的每个通孔140中。接下来，安装固定架200可以定位于衬底支撑件100的陶瓷层135上方，使得具有通孔242的每个径向延伸部240与放置到冷却板110的每个通孔140中的各机械紧固件260对准，且内侧部分228的未凹进部分224接触陶瓷层135的外围。该安装固定架200然后可以设置在陶瓷层135上方，其中垂直延伸部220的自由端221面向远离陶瓷层135的方向，使得安装固定架200的通孔242被设置在机械紧固件260的中央部分264的周围。可以相对于衬底支撑件100可旋转地约束安装固定架200。
根据一示例性实施方式，可以通过拉伸弹性体带160以配合垂直延伸部220的最外围，从而将弹性体带160放置在该最外围。优选地，当弹性体带160放置在垂直延伸部220的最外围时，不要拉伸超过其周长的2％，拉伸超过其周长的2％会永久地改变其弹性。可以将弹性体带160围绕安装固定架200来回旋转而释放其局部的内应力。可以将弹性体带160围绕安装固定架200来回旋转至少约20°。可以将弹性体带160围绕安装固定架200来回旋转至少约20°-90°，更优选，至少约180°。例如，来回旋转进行至少2次，更优选至少4-5次。
在弹性体带160已被来回旋转并且其局部内应力释放之后，将固定架200与机械紧固件260围绕安装固定架200的水平平面反转180°安装并重新固定到衬底支撑件100。可以将安装固定架200和机械紧固件260颠倒，使得自由端221向下面向并靠近安装沟槽145。内侧部分228的未凹陷部分接触陶瓷层135的外围的上表面。弹性体带160然后滑出安装固定架200的垂直延伸部220并进入安装沟槽145中。
在弹性体带160已被放入安装沟槽145之后，可能会要求将弹性体带160进一步压进安装沟槽145中。应当注意，上述方法在衬底支撑件布置在处理室内部或外部时，使弹性体带160安装在衬底支撑件100的周围。由于易于安装，优选的是，当衬底支撑件100布置在处理室外部时，将弹性体带160安装在衬底支撑件100的周围。例如，当衬底支撑件100在处理室外部时，衬底支撑件100可以机械地紧固到工件(如工作台)上，以便安装弹性体带160。当衬底支撑件100在处理室内部时，衬底支撑件100可以机械地紧固到工件(如室壁)上，以便安装弹性体带160。
弹性体带160可以由任何合适的半导体工艺兼容材料构成。例如，弹性体带160优选由能够被固化以形成含氟弹性体的可固化含氟弹性体含氟聚合物(FKM)构成，或者可使用可固化全氟弹性体全氟聚合物(FFKM)。弹性体带160优选由具有高耐化学性、低温和高温性能、在等离子体反应器中耐等离子体侵蚀、低摩擦性、以及电绝缘性能和热绝缘性能的材料制成。优选的材料是具有包括但不限于60到85的肖氏A硬度计硬度和包括但不限于1.9至2.1的比重的全氟弹性体，如可从Perlast有限公司得到的PERLAST。另一带材料是可从DuPont Performance Elastomers得到的KALREZ。PERLAST和KALREZ是FFKM弹性体。弹性体带160的形状也没有特别限制，并且所述弹性体带可以是圆形、方形或矩形的横截面。弹性体带160还可以具有不规则形状的横截面，例如有凹形外表面的矩形横截面，如共同拥有的美国申请专利公开No.2013/0097840中所公开的。
当词语“约”结合数值用于本说明书中时，其意指相关数值包括所述数值的±10％的公差。
此外，当词语“大致”、“相对地”和“基本上”与几何形状结合使用时，其意指不要求几何形状精确，该形状的变动范围(latitude)也是在本公开的范围内。当与几何术语一起使用时，词语“大致”、“相对地”和“基本上”意在不仅包括符合严格定义的特征，而且还包括相当逼似严格定义的特征。
尽管本发明已结合其优选实施方式加以描述，但本领域技术人员应当理解，可在不脱离由所附权利要求书中所定义的本发明的精神及范围的情况下，进行未具体说明的增加、删除、修改和替换。

Claims (20)

1.一种安装固定架，其适于将弹性体带安装在围绕半导体衬底支撑件的安装沟槽中，所述半导体衬底支撑件用于在等离子体处理室中支撑半导体衬底，所述安装固定架包括：
环形环，其具有在所述环的外边缘上的垂直延伸部并适于接纳所述弹性体带；以及
被配置成附接到所述环形环的基板，所述基板具有多个径向延伸部，所述多个径向延伸部适于在与所述半导体衬底支撑件中的安装孔对应的位置接纳多个机械紧固件。
2.根据权利要求1所述的安装固定架，其包括：
所述基板的上表面上的外凹部，其被配置为接纳所述环形环的下表面。
3.根据权利要求1所述的安装固定架，其包括：
在所述环形环的上表面的内侧部分上的环形凹部。
4.根据权利要求3所述的安装固定架，其中环形沟槽适于定位在所述半导体衬底支撑件的上表面上方。
5.根据权利要求1所述的安装固定架，其中所述基板具有在所述基板的下表面上的内凹部，且其中所述内凹部适于定位在所述半导体衬底支撑件的上表面上方。
6.根据权利要求1所述的安装固定架，其中所述基板包括多个孔，每个孔构造成接纳紧固件，所述紧固件将所述基板附接到所述环形环。
7.根据权利要求1所述的安装固定架，其中所述垂直延伸部在其自由端具有有角度的尖端。
8.根据权利要求1所述的安装固定架，其中所述基板具有大致环形的外径。
9.根据权利要求1所述的安装固定架，其中所述环形环由PTFE-聚四氟乙烯制成，而所述基板由聚对苯二甲酸乙酯(PET)制成。
10.一种弹性体带安装套件，该套件包括：
安装固定架，其适于将弹性体带安装在围绕半导体衬底支撑件的安装沟槽中，所述半导体衬底支撑件用于在等离子体处理室中支撑半导体衬底，所述安装固定架包括：
环形环，其具有在所述环的外边缘上的垂直延伸部并适于接纳所述弹性体带；以及
被配置成附接到所述环形环的基板，所述基板具有多个径向延伸部，所述多个径向延伸部适于在与所述半导体衬底支撑件中的安装孔对应的位置接纳多个机械紧固件；以及
多个机械紧固件，每个机械紧固件适于配合穿过所述衬底支撑件的通孔并穿过所述安装固定架的通孔。
11.根据权利要求10所述的弹性体带安装套件，其包括：
所述基板的上表面上的外凹部，其被配置为支撑所述环形环的下表面。
12.根据权利要求10所述的弹性体带安装套件，其包括：
在环形环的上表面的内侧部分上的环形凹部。
13.根据权利要求12所述的弹性体带安装套件，其中环形沟槽适于定位在所述半导体衬底支撑件的上表面上方。
14.根据权利要求10所述的弹性体带安装套件，其中所述基板具有在所述基板的下表面上的内凹部，且其中所述内凹部适于定位在所述半导体衬底支撑件的上表面上方。
15.根据权利要求10所述的弹性体带安装套件，其中所述基板包括多个孔，每个孔构造成接纳紧固件，所述紧固件将所述基板附接到所述环形环。
16.根据权利要求10所述的弹性体带安装套件，其中所述垂直延伸部在其自由端具有有角度的尖端。
17.根据权利要求10所述的弹性体带安装套件，其中所述基板具有大致环形的外径。
18.根据权利要求10所述的弹性体带安装套件，其中所述环形环由PTFE-聚四氟乙烯制成，而所述基板由聚对苯二甲酸乙酯(PET)制成。
19.根据权利要求10所述的弹性体带安装套件，其包括：
保护盖，其被构造成配合在所述环形环的所述垂直延伸部和所述外边缘的周围和上面。
20.一种弹性体带的安装方法，所述弹性体带作为半导体衬底支撑件的一部分周围的保护性边缘密封件，所述半导体衬底支撑件用于在等离子体处理室中支撑半导体衬底，所述安装方法包括：
使弹性体带围绕安装固定架的垂直延伸部设置，所述安装固定架包括：
环形环，其具有在所述环的外边缘上的垂直延伸部并适于接纳所述弹性体带；以及
被配置成附接到所述环形环的基板，所述基板具有多个径向延伸部，所述多个径向延伸部适于在与所述半导体衬底支撑件中的安装孔对应的位置接纳多个机械紧固件；以及
使所述弹性体带滑离所述所述安装固定架的所述垂直延伸部并进入所述衬底支撑件中的适于接纳所述弹性体带的安装沟槽中。
CN201410790043.4A 2013-12-17 2014-12-17 用于弹性体带的安装固定架 Active CN104716082B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/109,400 2013-12-17
US14/109,400 US9583377B2 (en) 2013-12-17 2013-12-17 Installation fixture for elastomer bands

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104716082A true CN104716082A (zh) 2015-06-17
CN104716082B CN104716082B (zh) 2019-04-09

Family

ID=53369378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410790043.4A Active CN104716082B (zh) 2013-12-17 2014-12-17 用于弹性体带的安装固定架

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9583377B2 (zh)
KR (1) KR102282723B1 (zh)
CN (1) CN104716082B (zh)
SG (1) SG10201408291PA (zh)
TW (1) TWI647784B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109075063A (zh) * 2016-04-21 2018-12-21 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN111261487A (zh) * 2018-12-03 2020-06-09 应用材料公司 具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9282592B2 (en) * 2009-02-27 2016-03-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rotatable heating-cooling plate and element in proximity thereto
US9502279B2 (en) * 2013-06-28 2016-11-22 Lam Research Corporation Installation fixture having a micro-grooved non-stick surface
US9583377B2 (en) * 2013-12-17 2017-02-28 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands
US10020211B2 (en) * 2014-06-12 2018-07-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer-level molding chase design
US10208380B2 (en) * 2015-12-04 2019-02-19 Applied Materials, Inc. Advanced coating method and materials to prevent HDP-CVD chamber arcing
JP6664298B2 (ja) 2016-09-09 2020-03-13 株式会社バルカー シール材
US10943808B2 (en) * 2016-11-25 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic electrostatic chuck having a V-shape seal band
US10199252B2 (en) 2017-06-30 2019-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal pad for etch rate uniformity
US20190259647A1 (en) * 2018-02-17 2019-08-22 Applied Materials, Inc. Deposition ring for processing reduced size substrates

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101223000A (zh) * 2005-07-19 2008-07-16 朗姆研究公司 保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法
WO2013059590A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
CN103117242A (zh) * 2011-11-10 2013-05-22 朗姆研究公司 用于弹性体带的安装固定件及使用该安装固定件的方法
US20130263427A1 (en) * 2012-04-04 2013-10-10 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5636098A (en) 1994-01-06 1997-06-03 Applied Materials, Inc. Barrier seal for electrostatic chuck
US5740009A (en) 1996-11-29 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for improving wafer and chuck edge protection
JP3231659B2 (ja) 1997-04-28 2001-11-26 日本電気株式会社 自動研磨装置
US6090304A (en) 1997-08-28 2000-07-18 Lam Research Corporation Methods for selective plasma etch
JP3665188B2 (ja) 1997-09-03 2005-06-29 不二越機械工業株式会社 研磨装置
US6364957B1 (en) 1997-10-09 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Support assembly with thermal expansion compensation
US6073577A (en) 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6346038B1 (en) 1998-12-15 2002-02-12 Mitsubishi Materials Corporation Wafer loading/unloading device and method for producing wafers
US6390894B1 (en) 1998-12-21 2002-05-21 Derlan Aerospace Canada Face gear manufacturing method and apparatus
JP2000254857A (ja) 1999-01-06 2000-09-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd 平面加工装置及び平面加工方法
US6435941B1 (en) 2000-05-12 2002-08-20 Appllied Materials, Inc. Apparatus and method for chemical mechanical planarization
EP1391140B1 (en) 2001-04-30 2012-10-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support
US6771482B2 (en) 2001-07-30 2004-08-03 Unaxis Usa Inc. Perimeter seal for backside cooling of substrates
AU2003254871A1 (en) 2002-10-25 2004-05-13 Nok Corporation Plasma resistant seal
US6944006B2 (en) 2003-04-03 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Guard for electrostatic chuck
US7514506B2 (en) 2004-03-31 2009-04-07 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Fast curing fluoroelastomeric compositions, adhesive fluoroelastomeric compositions and methods for bonding fluoroelastomeric compositions
US8038796B2 (en) 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
US7319316B2 (en) 2005-06-29 2008-01-15 Lam Research Corporation Apparatus for measuring a set of electrical characteristics in a plasma
US8789493B2 (en) 2006-02-13 2014-07-29 Lam Research Corporation Sealed elastomer bonded Si electrodes and the like for reduced particle contamination in dielectric etch
US20090179366A1 (en) 2008-01-16 2009-07-16 Sokudo Co., Ltd. Apparatus for supporting a substrate during semiconductor processing operations
US7884925B2 (en) 2008-05-23 2011-02-08 Lam Research Corporation Electrical and optical system and methods for monitoring erosion of electrostatic chuck edge bead materials
WO2010021890A2 (en) 2008-08-19 2010-02-25 Lam Research Corporation Edge rings for electrostatic chucks
WO2010036707A2 (en) 2008-09-26 2010-04-01 Lam Research Corporation Adjustable thermal contact between an electrostatic chuck and a hot edge ring by clocking a coupling ring
KR101701101B1 (ko) 2008-10-31 2017-01-31 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버의 하부 전극 어셈블리
US20100117309A1 (en) 2008-11-13 2010-05-13 Applied Materials, Inc. Sealing apparatus for a process chamber
JP2012129845A (ja) 2010-12-16 2012-07-05 Jvc Kenwood Corp 画像処理装置
US9859142B2 (en) 2011-10-20 2018-01-02 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
KR101986547B1 (ko) * 2012-12-17 2019-06-07 삼성전자주식회사 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US9583377B2 (en) * 2013-12-17 2017-02-28 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101223000A (zh) * 2005-07-19 2008-07-16 朗姆研究公司 保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法
WO2013059590A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Lam Research Corporation Edge seal for lower electrode assembly
CN103117242A (zh) * 2011-11-10 2013-05-22 朗姆研究公司 用于弹性体带的安装固定件及使用该安装固定件的方法
US20130263427A1 (en) * 2012-04-04 2013-10-10 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109075063A (zh) * 2016-04-21 2018-12-21 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN111261487A (zh) * 2018-12-03 2020-06-09 应用材料公司 具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计
US11682574B2 (en) 2018-12-03 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck design with improved chucking and arcing performance

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150070970A (ko) 2015-06-25
TWI647784B (zh) 2019-01-11
US20150170942A1 (en) 2015-06-18
SG10201408291PA (en) 2015-07-30
TW201535582A (zh) 2015-09-16
CN104716082B (zh) 2019-04-09
KR102282723B1 (ko) 2021-07-28
US9583377B2 (en) 2017-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104716082A (zh) 用于弹性体带的安装固定架
US20240077138A1 (en) Edge seal for lower electrode assembly
US9859142B2 (en) Edge seal for lower electrode assembly
TWI415165B (zh) 保護在用於一電漿處理系統中之一基材支承內的結合層之方法
TWI688028B (zh) 下電極組裝用邊緣密封
US8677586B2 (en) Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
US9355884B2 (en) Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
TWI622123B (zh) 具有微溝槽不黏表面之安裝夾具及安裝彈性體帶的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant