JPH07272479A - ビデオram及びそのシリアルデータ出力方法 - Google Patents
ビデオram及びそのシリアルデータ出力方法Info
- Publication number
- JPH07272479A JPH07272479A JP7075770A JP7577095A JPH07272479A JP H07272479 A JPH07272479 A JP H07272479A JP 7075770 A JP7075770 A JP 7075770A JP 7577095 A JP7577095 A JP 7577095A JP H07272479 A JPH07272479 A JP H07272479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- serial
- data
- output
- address
- data input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/106—Data output latches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1075—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Dram (AREA)
- Image Input (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 1シリアルクロックに対するサイクルタイム
が短く、より高速のデータ出力が可能で高周波数のシリ
アルクロックへの適応性に優れたビデオRAMを提供す
る。 【構成】 シリアルデータ入出力線SIOを選択可能に
2組設け、一方の組とシリアル列ゲート4Aを、他方の
組とシリアル列ゲート4Bを接続してデータレジスタ2
からデータを伝送する。マルチプレクサ14、16、セ
ンスアンプ18、20、ラッチ部22、24もシリアル
データ入出力線SIOの各組に対応させて設けてある。
2つのラッチ部22、24はシリアルクロックSCの1
周期ごとにラッチ、出力動作を交互に行う。従って、列
ゲート4Aによるデータ伝送が行われる間に列ゲート4
B対応のシリアルデータ入出力線SIOに対するプリチ
ャージ・等化を行える。
が短く、より高速のデータ出力が可能で高周波数のシリ
アルクロックへの適応性に優れたビデオRAMを提供す
る。 【構成】 シリアルデータ入出力線SIOを選択可能に
2組設け、一方の組とシリアル列ゲート4Aを、他方の
組とシリアル列ゲート4Bを接続してデータレジスタ2
からデータを伝送する。マルチプレクサ14、16、セ
ンスアンプ18、20、ラッチ部22、24もシリアル
データ入出力線SIOの各組に対応させて設けてある。
2つのラッチ部22、24はシリアルクロックSCの1
周期ごとにラッチ、出力動作を交互に行う。従って、列
ゲート4Aによるデータ伝送が行われる間に列ゲート4
B対応のシリアルデータ入出力線SIOに対するプリチ
ャージ・等化を行える。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はデュアルポートメモリ
(dual port memory)、中でも代表的
なビデオRAMに関するもので、特に、その高速システ
ムクロックへの適応性を向上させられるシルアル(se
rial)データ出力方法に関するものである。
(dual port memory)、中でも代表的
なビデオRAMに関するもので、特に、その高速システ
ムクロックへの適応性を向上させられるシルアル(se
rial)データ出力方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ノートブック形のような携帯用コンピュ
ータ等の急速な普及により、ビデオRAMの重要性がま
すます大きくなってきている。このビデオRAMは、通
常のDRAMの機能にデータの高速出力が可能なデータ
レジスタ(シリアルアクセスメモリ:serial a
ccess memoryとも呼ばれる)の機能を加
え、これらを非同期的に使用可能としたデュアルポート
メモリの1つである。このようなビデオRAM及びその
動作方式の代表例が、1985年2月5日付の米国特許
第4,498,155号“SEMICONDUCTOR
INTEGRATED CIRCUIT MEMOR
Y DEVICE WITH BOTH SERIAL
AND RANDOM ACCESS ARRAY
S”に記載されている。
ータ等の急速な普及により、ビデオRAMの重要性がま
すます大きくなってきている。このビデオRAMは、通
常のDRAMの機能にデータの高速出力が可能なデータ
レジスタ(シリアルアクセスメモリ:serial a
ccess memoryとも呼ばれる)の機能を加
え、これらを非同期的に使用可能としたデュアルポート
メモリの1つである。このようなビデオRAM及びその
動作方式の代表例が、1985年2月5日付の米国特許
第4,498,155号“SEMICONDUCTOR
INTEGRATED CIRCUIT MEMOR
Y DEVICE WITH BOTH SERIAL
AND RANDOM ACCESS ARRAY
S”に記載されている。
【0003】ビデオRAMは、ランダムアクセス可能な
RAMポートをCPUに、そして高速のシリアルポート
(SAMポート)をCRTやビデオカメラ等の外部シス
テムに接続可能で、システムに関する応用力が非常に優
れており、その応用範囲も急速に広くなってきている。
そのため、更なる機能の多用化や、より多くの情報量を
記憶可能とするための高集積化が進められ、研究されて
いる。
RAMポートをCPUに、そして高速のシリアルポート
(SAMポート)をCRTやビデオカメラ等の外部シス
テムに接続可能で、システムに関する応用力が非常に優
れており、その応用範囲も急速に広くなってきている。
そのため、更なる機能の多用化や、より多くの情報量を
記憶可能とするための高集積化が進められ、研究されて
いる。
【0004】一方最近になって、ユーザーとコンピュー
タ間のグラフィックインタフェース(graphic
interface)を効率的に遂行するために、高機
能(high performance)グラフィック
システムにおいて高周波数に応じて動作可能な各機器が
必要とされてきている。これに従ってビデオRAMも、
システムから供給される高速のシステムクロックに対応
して内部回路が動作することが要求され始めている。こ
の性能は、具体的にはビデオRAM内でシリアルデータ
入出力線を通じて伝送されるデータのシステムクロック
応答性に通じることになる。
タ間のグラフィックインタフェース(graphic
interface)を効率的に遂行するために、高機
能(high performance)グラフィック
システムにおいて高周波数に応じて動作可能な各機器が
必要とされてきている。これに従ってビデオRAMも、
システムから供給される高速のシステムクロックに対応
して内部回路が動作することが要求され始めている。こ
の性能は、具体的にはビデオRAM内でシリアルデータ
入出力線を通じて伝送されるデータのシステムクロック
応答性に通じることになる。
【0005】図3に、一般的なビデオRAMにおけるシ
リアルデータ入出力線関連部分(即ちシリアルポート)
を簡単に示し、そして図4に、その動作タイミングを信
号波形図で示す。
リアルデータ入出力線関連部分(即ちシリアルポート)
を簡単に示し、そして図4に、その動作タイミングを信
号波形図で示す。
【0006】データレジスタ2は転送ゲートを介してメ
モリセルアレイに接続されている(図示略)。データレ
ジスタ2とシリアルデータ入出力線SIOとの間には、
データ伝送制御を担当するシリアル列ゲート4が備えら
れている。例えばこのシリアル列ゲート4は、シリアル
列選択信号SCSLiの共通制御を受ける4個のシリア
ル列ゲートと、シリアル列選択信号SCSLjの共通制
御を受ける4個のシリアル列ゲートと、から構成され
る。そしてシリアルデータ入出力線SIOは、一度のシ
リアル列選択信号SCSLのエネーブルで4個のシリア
ル列ゲート4を介して伝送されるデータを受けられるよ
うに4本1組設けられている。1組のシリアルデータ入
出力線SIOに送られたデータはマルチプレクサ6でマ
ルチプレキシングされ、入出力線センスアンプ8に入力
されて電圧増幅される。この入出力線センスアンプ8か
ら出力されるデータは信号φPSOTの制御を受けるラ
ッチ部10に入力された後、信号φSOTの制御を受け
るラッチ出力部12を経て外部へ出力される。
モリセルアレイに接続されている(図示略)。データレ
ジスタ2とシリアルデータ入出力線SIOとの間には、
データ伝送制御を担当するシリアル列ゲート4が備えら
れている。例えばこのシリアル列ゲート4は、シリアル
列選択信号SCSLiの共通制御を受ける4個のシリア
ル列ゲートと、シリアル列選択信号SCSLjの共通制
御を受ける4個のシリアル列ゲートと、から構成され
る。そしてシリアルデータ入出力線SIOは、一度のシ
リアル列選択信号SCSLのエネーブルで4個のシリア
ル列ゲート4を介して伝送されるデータを受けられるよ
うに4本1組設けられている。1組のシリアルデータ入
出力線SIOに送られたデータはマルチプレクサ6でマ
ルチプレキシングされ、入出力線センスアンプ8に入力
されて電圧増幅される。この入出力線センスアンプ8か
ら出力されるデータは信号φPSOTの制御を受けるラ
ッチ部10に入力された後、信号φSOTの制御を受け
るラッチ出力部12を経て外部へ出力される。
【0007】図4に示すタイミング図を参照して、この
ビデオRAMの動作について説明する。システムから供
給されるシステムクロックであるシリアルクロックSC
の立下りエッジ(falling edge)でデコー
ダ(図示略)によるシリアルアドレスSSiが増加し、
このシリアルアドレスSSiを基準として対応するシリ
アル列選択信号SCSLが活性化する。選択対象のシリ
アル列選択信号SCSLが活性化すると、データレジス
タ2に貯蔵されている対応データがシリアル列ゲート4
を介してシリアルデータ入出力線SIOへ伝送され、そ
して入出力線センスアンプ8を通じて増幅されデータS
DOが出力される。このとき、n番目のシリアルクロッ
クSCの立下りエッジで発生するデータSDOは、n+
1番目のシリアルクロックSCの立下りエッジで発生さ
れる信号φPSOTによってラッチ部10にラッチされ
(データPSDQ)、そして、n+2番目のシリアルク
ロックSCの立上りエッジ(rising edge)
で発生される信号φSOTによりラッチ出力部12から
有効なデータSDQとして外部へ出力される。
ビデオRAMの動作について説明する。システムから供
給されるシステムクロックであるシリアルクロックSC
の立下りエッジ(falling edge)でデコー
ダ(図示略)によるシリアルアドレスSSiが増加し、
このシリアルアドレスSSiを基準として対応するシリ
アル列選択信号SCSLが活性化する。選択対象のシリ
アル列選択信号SCSLが活性化すると、データレジス
タ2に貯蔵されている対応データがシリアル列ゲート4
を介してシリアルデータ入出力線SIOへ伝送され、そ
して入出力線センスアンプ8を通じて増幅されデータS
DOが出力される。このとき、n番目のシリアルクロッ
クSCの立下りエッジで発生するデータSDOは、n+
1番目のシリアルクロックSCの立下りエッジで発生さ
れる信号φPSOTによってラッチ部10にラッチされ
(データPSDQ)、そして、n+2番目のシリアルク
ロックSCの立上りエッジ(rising edge)
で発生される信号φSOTによりラッチ出力部12から
有効なデータSDQとして外部へ出力される。
【0008】図3のようなシリアルデータ入出力線SI
Oを有するビデオRAMでは、データレジスタ2から伝
送されるデータが1組のデータ入出力線SIOを通じて
読出される方式になっているので、次のような時間を考
慮しなければならない。即ち、第一に、シリアルデータ
入出力線SIOにおけるシリアル列選択信号SCSLの
活性化からデータに基づく電位展開(develop
e)までに必要な時間、第二に、データ伝送で電位展開
したシリアルデータ入出力線SIOを次のサイクルのた
めにプリチャージ・等化するのに必要な時間、第三に、
データSDOを信号φPSOT、信号φSOTに応じて
ラッチして出力するまでに必要な時間、である。
Oを有するビデオRAMでは、データレジスタ2から伝
送されるデータが1組のデータ入出力線SIOを通じて
読出される方式になっているので、次のような時間を考
慮しなければならない。即ち、第一に、シリアルデータ
入出力線SIOにおけるシリアル列選択信号SCSLの
活性化からデータに基づく電位展開(develop
e)までに必要な時間、第二に、データ伝送で電位展開
したシリアルデータ入出力線SIOを次のサイクルのた
めにプリチャージ・等化するのに必要な時間、第三に、
データSDOを信号φPSOT、信号φSOTに応じて
ラッチして出力するまでに必要な時間、である。
【0009】図4に示すように、シリアルクロックSC
のパルス周期は、上記のような各必要時間を考慮して設
計しなければならない。そのためシリアルクロックSC
の周期はある程度長くせざるを得ず、従って1つのサイ
クルも長くなる。この場合、上記の各必要時間によりビ
デオRAM全体の動作サイクルに多くの制約が伴うの
で、シリアルクロックSC周期に対するサイクルタイム
はより長いものとなる。このような問題は、即ちデータ
レジスタ2から外部へのデータ出力の高速化に限界を与
える結果となる。
のパルス周期は、上記のような各必要時間を考慮して設
計しなければならない。そのためシリアルクロックSC
の周期はある程度長くせざるを得ず、従って1つのサイ
クルも長くなる。この場合、上記の各必要時間によりビ
デオRAM全体の動作サイクルに多くの制約が伴うの
で、シリアルクロックSC周期に対するサイクルタイム
はより長いものとなる。このような問題は、即ちデータ
レジスタ2から外部へのデータ出力の高速化に限界を与
える結果となる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来技術
に着目して本発明では、データレジスタから外部へのデ
ータ出力をより高速に行えるようなビデオRAMの提供
を目的とする。また、供給されるシリアルクロックに同
期して行われる動作サイクルをより短時間で済ませられ
るようなビデオRAMの提供を目的とする。更に、高周
波数のシリアルクロックへの適応性に優れたビデオRA
Mの提供を目的とする。
に着目して本発明では、データレジスタから外部へのデ
ータ出力をより高速に行えるようなビデオRAMの提供
を目的とする。また、供給されるシリアルクロックに同
期して行われる動作サイクルをより短時間で済ませられ
るようなビデオRAMの提供を目的とする。更に、高周
波数のシリアルクロックへの適応性に優れたビデオRA
Mの提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、入力されるシリアルクロックに応じ
てシリアルアドレスを発生し、このシリアルアドレスに
よりシリアル列ゲートを順次選択してデータレジスタか
らシリアルデータ入出力線へデータを伝送し直列出力す
るようになったシリアルポートをもつビデオRAMにつ
いて、シリアルデータ入出力線を選択可能に2組設け、
シリアル列ゲートを順次に異なる組のシリアルデータ入
出力線と交互接続することを特徴とする。
るために本発明は、入力されるシリアルクロックに応じ
てシリアルアドレスを発生し、このシリアルアドレスに
よりシリアル列ゲートを順次選択してデータレジスタか
らシリアルデータ入出力線へデータを伝送し直列出力す
るようになったシリアルポートをもつビデオRAMにつ
いて、シリアルデータ入出力線を選択可能に2組設け、
シリアル列ゲートを順次に異なる組のシリアルデータ入
出力線と交互接続することを特徴とする。
【0012】つまり、本発明によるビデオRAMは、2
組の独立的なデータ入出力線経路を有しており、連続す
るシリアルアドレスで読出されるデータを、異なるデー
タ入出力線経路を介して伝送可能とされている。そのた
め特に、一方の組のシリアルデータ入出力線でデータ伝
送を行う間に他方の組のシリアルデータ入出力線に対し
プリチャージ・等化を行うことができ、サイクルタイム
を短縮可能となる。
組の独立的なデータ入出力線経路を有しており、連続す
るシリアルアドレスで読出されるデータを、異なるデー
タ入出力線経路を介して伝送可能とされている。そのた
め特に、一方の組のシリアルデータ入出力線でデータ伝
送を行う間に他方の組のシリアルデータ入出力線に対し
プリチャージ・等化を行うことができ、サイクルタイム
を短縮可能となる。
【0013】このようなビデオRAMで、前述のように
1つのシリアルアドレスで多数のシリアル列ゲートを選
択して多数ビットを同時伝送可能とされている場合に
は、これに対応させて各組を多数本ずつとしてシリアル
データ入出力線を設け、そしてシリアルデータ入出力線
の各組ごとに、マルチプレクサ及びこのマルチプレクサ
の出力をセンスアンプを介してラッチするラッチ部をそ
れぞれ設け、1つの組のラッチ部がシリアルクロックの
2周期でラッチ動作するように制御して2組のラッチ部
がシステムクロックの1周期ごとに交互にラッチ動作す
るようにする。このとき、各組のマルチプレクサを列ア
ドレス最上位ビットの論理状態で動作制御するするよう
にしておけば、簡単にプリチャージ・等化対象のマルチ
プレクサやセンスアンプの動作を抑止しておくことがで
き、消費電力をより抑制できる。
1つのシリアルアドレスで多数のシリアル列ゲートを選
択して多数ビットを同時伝送可能とされている場合に
は、これに対応させて各組を多数本ずつとしてシリアル
データ入出力線を設け、そしてシリアルデータ入出力線
の各組ごとに、マルチプレクサ及びこのマルチプレクサ
の出力をセンスアンプを介してラッチするラッチ部をそ
れぞれ設け、1つの組のラッチ部がシリアルクロックの
2周期でラッチ動作するように制御して2組のラッチ部
がシステムクロックの1周期ごとに交互にラッチ動作す
るようにする。このとき、各組のマルチプレクサを列ア
ドレス最上位ビットの論理状態で動作制御するするよう
にしておけば、簡単にプリチャージ・等化対象のマルチ
プレクサやセンスアンプの動作を抑止しておくことがで
き、消費電力をより抑制できる。
【0014】より具体的には、シリアルクロックの入力
に基づくシリアルアドレスに応答して直列出力を行うシ
リアルポートを備えたビデオRAMについて、シリアル
アドレスのうちの奇数番目に提供されるシリアルアドレ
スに応答してシリアルポートのデータレジスタからデー
タを伝送する第1のシリアル列ゲートと、この第1のシ
リアル列ゲートにより伝送されるデータを受ける第1の
シリアルデータ入出力線と、シリアルアドレスのうちの
偶数番目に提供されるシリアルアドレスに同期して前記
データレジスタからデータを伝送する第2のシリアル列
ゲートと、この第2のシリアル列ゲートにより伝送され
るデータを受ける第2のシリアルデータ入出力線と、第
1のデータ入出力線及び第2のデータ入出力線に伝送さ
れる各データを列アドレスに応じてマルチプレキシング
し入出力線センスアンプへ送るマルチプレクサと、を備
えるようにし、シリアルアドレスに応答して第1のシリ
アルデータ入出力線と第2のシリアルデータ入出力線を
交互に用いデータアクセスすることを特徴とする。
に基づくシリアルアドレスに応答して直列出力を行うシ
リアルポートを備えたビデオRAMについて、シリアル
アドレスのうちの奇数番目に提供されるシリアルアドレ
スに応答してシリアルポートのデータレジスタからデー
タを伝送する第1のシリアル列ゲートと、この第1のシ
リアル列ゲートにより伝送されるデータを受ける第1の
シリアルデータ入出力線と、シリアルアドレスのうちの
偶数番目に提供されるシリアルアドレスに同期して前記
データレジスタからデータを伝送する第2のシリアル列
ゲートと、この第2のシリアル列ゲートにより伝送され
るデータを受ける第2のシリアルデータ入出力線と、第
1のデータ入出力線及び第2のデータ入出力線に伝送さ
れる各データを列アドレスに応じてマルチプレキシング
し入出力線センスアンプへ送るマルチプレクサと、を備
えるようにし、シリアルアドレスに応答して第1のシリ
アルデータ入出力線と第2のシリアルデータ入出力線を
交互に用いデータアクセスすることを特徴とする。
【0015】この場合のシリアルデータ出力方法は、シ
リアルアドレスのうちの奇数番目に提供されるシリアル
アドレスに同期してリアルポートのデータレジスタから
第1のデータ入出力線へデータを伝送する第1過程と、
シリアルアドレスのうちの偶数番目に提供されるシリア
ルアドレスに同期して前記データレジスタから第2のデ
ータ入出力線へデータを伝送する第2過程と、前記第1
過程で伝送されるデータを、シリアルアドレスのうちの
奇数番目に提供されるシリアルアドレスに同期してラッ
チする第3過程と、前記第2過程で伝送されるデータ
を、シリアルアドレスのうちの偶数番目に提供されるシ
リアルアドレスに同期してラッチする第4過程と、前記
第3過程と第4過程でラッチされるデータをシリアルク
ロックに同期して直列出力する第5過程と、を含んでな
るものとなる。
リアルアドレスのうちの奇数番目に提供されるシリアル
アドレスに同期してリアルポートのデータレジスタから
第1のデータ入出力線へデータを伝送する第1過程と、
シリアルアドレスのうちの偶数番目に提供されるシリア
ルアドレスに同期して前記データレジスタから第2のデ
ータ入出力線へデータを伝送する第2過程と、前記第1
過程で伝送されるデータを、シリアルアドレスのうちの
奇数番目に提供されるシリアルアドレスに同期してラッ
チする第3過程と、前記第2過程で伝送されるデータ
を、シリアルアドレスのうちの偶数番目に提供されるシ
リアルアドレスに同期してラッチする第4過程と、前記
第3過程と第4過程でラッチされるデータをシリアルク
ロックに同期して直列出力する第5過程と、を含んでな
るものとなる。
【0016】このシリアルデータ出力方法によれば、特
に、第1のシリアルデータ入出力線でデータ伝送、出力
を行っている間に第2のシリアルデータ入出力線に対す
るプリチャージ・等化を行え、サイクルタイムを短縮で
きる。
に、第1のシリアルデータ入出力線でデータ伝送、出力
を行っている間に第2のシリアルデータ入出力線に対す
るプリチャージ・等化を行え、サイクルタイムを短縮で
きる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付の図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【0018】図1に、この例のビデオRAMにおけるシ
リアルデータ出力経路(シリアルポート)の構成をブロ
ック図で示している。この例では、データレジスタ2
と、データレジスタ2から読出されるデータを伝送する
4本ずつ2組のシリアルデータ入出力線SIOと、4個
ずつのシリアル列ゲート4A、4Bと、が備えられてい
る。
リアルデータ出力経路(シリアルポート)の構成をブロ
ック図で示している。この例では、データレジスタ2
と、データレジスタ2から読出されるデータを伝送する
4本ずつ2組のシリアルデータ入出力線SIOと、4個
ずつのシリアル列ゲート4A、4Bと、が備えられてい
る。
【0019】シリアルデータ入出力線SIOは、アドレ
ス8、バー8に従い、奇数番目と偶数番目に入力される
シリアルアドレスSSiに分けて選択される4本ずつ2
組の計8本設けられている。シリアル列ゲート4Aは、
奇数番目に入力されるシリアルアドレスSSiで選択さ
れる4本のシリアルデータ入出力線SIOとデータレジ
スタ2との間に設けられる。そして、奇数番目のシリア
ルアドレスSSiで活性化されるシリアル列選択信号S
CSLodd によりスイッチング制御され、データレジス
タ2から出力されるデータを対応するシリアルデータ入
出力線SIOへ伝送する。シリアル列ゲート4Bは、偶
数番目に入力されるシリアルアドレスSSiで選択され
る4本のシリアルデータ入出力線SIOとデータレジス
タ2との間に設けられる。そして、偶数番目のシリアル
アドレスSSiで活性化されるシリアル列選択信号SC
SLevenによりスイッチング制御され、データレジスタ
2から出力されるデータを対応するシリアルデータ入出
力線SIOへ伝送する。つまり、連続するシリアルアド
レスSSi(例えば1番目と2番目のシリアルアドレス
SSi)で続けて制御されるシリアル列ゲート4A、4
Bは、互いに異なる組のシリアルデータ入出力線SIO
に接続されている。
ス8、バー8に従い、奇数番目と偶数番目に入力される
シリアルアドレスSSiに分けて選択される4本ずつ2
組の計8本設けられている。シリアル列ゲート4Aは、
奇数番目に入力されるシリアルアドレスSSiで選択さ
れる4本のシリアルデータ入出力線SIOとデータレジ
スタ2との間に設けられる。そして、奇数番目のシリア
ルアドレスSSiで活性化されるシリアル列選択信号S
CSLodd によりスイッチング制御され、データレジス
タ2から出力されるデータを対応するシリアルデータ入
出力線SIOへ伝送する。シリアル列ゲート4Bは、偶
数番目に入力されるシリアルアドレスSSiで選択され
る4本のシリアルデータ入出力線SIOとデータレジス
タ2との間に設けられる。そして、偶数番目のシリアル
アドレスSSiで活性化されるシリアル列選択信号SC
SLevenによりスイッチング制御され、データレジスタ
2から出力されるデータを対応するシリアルデータ入出
力線SIOへ伝送する。つまり、連続するシリアルアド
レスSSi(例えば1番目と2番目のシリアルアドレス
SSi)で続けて制御されるシリアル列ゲート4A、4
Bは、互いに異なる組のシリアルデータ入出力線SIO
に接続されている。
【0020】尚、この例では、4ビットを一度にデータ
レジスタ2から伝送して高速化を図る構成のため、シリ
アルデータ入出力線SIOを8本構成とした場合につい
て示しているが、これ以外の異なる本数、例えば16本
等の構成とすることも可能である。この場合でも、本実
施例と同様に8本ずつ2組とすることが可能である。当
然ながら、シリアルデータ入出力線SIOが1本で1ビ
ットずつ伝送を行うものであれば1本ずつ2組のシリア
ルデータ入出力線SIOを設ければよく、この場合に
は、少なくとも後述のマルチプレクサ14、16は必要
ない。
レジスタ2から伝送して高速化を図る構成のため、シリ
アルデータ入出力線SIOを8本構成とした場合につい
て示しているが、これ以外の異なる本数、例えば16本
等の構成とすることも可能である。この場合でも、本実
施例と同様に8本ずつ2組とすることが可能である。当
然ながら、シリアルデータ入出力線SIOが1本で1ビ
ットずつ伝送を行うものであれば1本ずつ2組のシリア
ルデータ入出力線SIOを設ければよく、この場合に
は、少なくとも後述のマルチプレクサ14、16は必要
ない。
【0021】マルチプレクサ14、16は、偶数番目対
応のシリアルデータ入出力線SIOの4本と奇数番目対
応のシリアルデータ入出力線SIOの4本とにそれぞれ
対応接続され、列アドレス最上位ビットCA8の論理状
態(ロウ/ハイ)に従いそれぞれ動作してマルチプレキ
シングを行う。即ち、例えばマルチプレクサ14は列ア
ドレスCA8の論理“ロウ”、マルチプレクサ16は列
アドレスCA8の論理“ハイ”にそれぞれ応答して該当
するシリアルデータ入出力線SIOのデータを入出力線
センスアンプ18、20へ送出する。この場合、この実
施例で偶数番目に該当する全ての制御信号は列アドレス
CA8=“ロウ”のときに活性化し、奇数番目に該当す
る全ての制御信号は列アドレスCA8=“ハイ”のとき
に活性化することになる。尚、列アドレスCAは1番目
の読出レジスタを指定するために所定のデコーダから提
供される。
応のシリアルデータ入出力線SIOの4本と奇数番目対
応のシリアルデータ入出力線SIOの4本とにそれぞれ
対応接続され、列アドレス最上位ビットCA8の論理状
態(ロウ/ハイ)に従いそれぞれ動作してマルチプレキ
シングを行う。即ち、例えばマルチプレクサ14は列ア
ドレスCA8の論理“ロウ”、マルチプレクサ16は列
アドレスCA8の論理“ハイ”にそれぞれ応答して該当
するシリアルデータ入出力線SIOのデータを入出力線
センスアンプ18、20へ送出する。この場合、この実
施例で偶数番目に該当する全ての制御信号は列アドレス
CA8=“ロウ”のときに活性化し、奇数番目に該当す
る全ての制御信号は列アドレスCA8=“ハイ”のとき
に活性化することになる。尚、列アドレスCAは1番目
の読出レジスタを指定するために所定のデコーダから提
供される。
【0022】入出力線センスアンプ18、20は、マル
チプレクサ14の出力を電圧増幅する入出力線センスア
ンプ18と、マルチプレクサ16の出力を電圧増幅する
入出力線センスアンプ20と、から構成される。そし
て、入出力線センスアンプ18によるデータSDOeven
は信号φPSOTevenに従ってラッチ部22でラッチ、
出力され、入出力線センスアンプ20によるデータSD
Oo ddは信号φPSOTodd に従ってラッチ部24でラ
ッチ、出力される。ラッチ部22、24から出力される
データPSDQは、信号φSOTの制御を受けるラッチ
出力部26を経て有効データSDQとして外部へ出力さ
れる。
チプレクサ14の出力を電圧増幅する入出力線センスア
ンプ18と、マルチプレクサ16の出力を電圧増幅する
入出力線センスアンプ20と、から構成される。そし
て、入出力線センスアンプ18によるデータSDOeven
は信号φPSOTevenに従ってラッチ部22でラッチ、
出力され、入出力線センスアンプ20によるデータSD
Oo ddは信号φPSOTodd に従ってラッチ部24でラ
ッチ、出力される。ラッチ部22、24から出力される
データPSDQは、信号φSOTの制御を受けるラッチ
出力部26を経て有効データSDQとして外部へ出力さ
れる。
【0023】シリアルデータ入出力線SIOは、図示の
ように、アドレス8に応答する4本のうちの2本とアド
レスバー8に応答する4本のうちの2本とが偶数番目対
応とされてマルチプレクサ14に接続され、また、アド
レス8に応答する4本のうちの2本とアドレスバー8に
応答する4本のうちの2本とが奇数番目対応とされてマ
ルチプレクサ16に接続される。従って、1つのデータ
レジスタ2に対し、異なるシリアルアドレスSSiによ
って選択される2組の独立したシリアルデータ入出力線
SIOを設けた構成となり、これにより、サイクルタイ
ムの短縮、データ出力高速化、高周波数シリアルクロッ
ク(システムクロック)への適応性向上が可能になる。
これについて以下説明する。
ように、アドレス8に応答する4本のうちの2本とアド
レスバー8に応答する4本のうちの2本とが偶数番目対
応とされてマルチプレクサ14に接続され、また、アド
レス8に応答する4本のうちの2本とアドレスバー8に
応答する4本のうちの2本とが奇数番目対応とされてマ
ルチプレクサ16に接続される。従って、1つのデータ
レジスタ2に対し、異なるシリアルアドレスSSiによ
って選択される2組の独立したシリアルデータ入出力線
SIOを設けた構成となり、これにより、サイクルタイ
ムの短縮、データ出力高速化、高周波数シリアルクロッ
ク(システムクロック)への適応性向上が可能になる。
これについて以下説明する。
【0024】この実施例のビデオRAMは、データレジ
スタ2から読出されるデータを2組のシリアルデータ入
出力線SIOへ奇数番目と偶数番目に分けてそれぞれ伝
送し、これらを独立的にセンシングして出力すること
で、高周波数のシリアルクロックSCへの対応を可能と
している。図2に、この例における各信号のタイミング
を波形図で示す。
スタ2から読出されるデータを2組のシリアルデータ入
出力線SIOへ奇数番目と偶数番目に分けてそれぞれ伝
送し、これらを独立的にセンシングして出力すること
で、高周波数のシリアルクロックSCへの対応を可能と
している。図2に、この例における各信号のタイミング
を波形図で示す。
【0025】本実施例のビデオRAMでは、供給される
シリアルクロックSC(external)から2倍の周期をも
つ内部用シリアルクロックSC(internal)がつくられ
(或いは両者が供給され)用いられる。これによりラッ
チ部22とラッチ部24は、シリアルクロックSCの2
周期ごとにそれぞれ活性化する信号φPSOTevenと信
号φPSOTodd がシリアルクロックSCの1周期ごと
に交互に印加されて制御され、データSDOをラッチ、
出力する。そして、ラッチ部22、24から出力される
データPSDQは、シリアルクロックSCの各周期の立
上りエッジに同期して活性化する信号φSOTに従って
ラッチ出力部26を介し有効データSDQとして直列出
力される。
シリアルクロックSC(external)から2倍の周期をも
つ内部用シリアルクロックSC(internal)がつくられ
(或いは両者が供給され)用いられる。これによりラッ
チ部22とラッチ部24は、シリアルクロックSCの2
周期ごとにそれぞれ活性化する信号φPSOTevenと信
号φPSOTodd がシリアルクロックSCの1周期ごと
に交互に印加されて制御され、データSDOをラッチ、
出力する。そして、ラッチ部22、24から出力される
データPSDQは、シリアルクロックSCの各周期の立
上りエッジに同期して活性化する信号φSOTに従って
ラッチ出力部26を介し有効データSDQとして直列出
力される。
【0026】このような出力動作が可能になるので、8
本のシリアルデータ入出力線SIOのうちの4本が電位
展開してデータ伝送を実行する間に、残りの4本に対し
てプリチャージ・等化を実行することができる。そし
て、そのプリチャージ・等化を行った4本のシリアルデ
ータ入出力線SIOが電位展開してデータ伝送が実行さ
れる段になると、今度は電位展開されていた4本に対し
てプリチャージ・等化を実行することができる。即ち、
いずれか一方の組のシリアルデータ入力線SIOを介し
てデータ伝送を行っている間に、他方の組に対するプリ
チャージ・等化を行うことが可能となる。そして、ラッ
チ出力部26による外部出力段階では、それら奇数番
目、偶数番目で交互に伝送されてくるデータをまとめて
1つの直列データとし、シリアルクロックSCの各周期
ごとに同期させて出力可能になる。
本のシリアルデータ入出力線SIOのうちの4本が電位
展開してデータ伝送を実行する間に、残りの4本に対し
てプリチャージ・等化を実行することができる。そし
て、そのプリチャージ・等化を行った4本のシリアルデ
ータ入出力線SIOが電位展開してデータ伝送が実行さ
れる段になると、今度は電位展開されていた4本に対し
てプリチャージ・等化を実行することができる。即ち、
いずれか一方の組のシリアルデータ入力線SIOを介し
てデータ伝送を行っている間に、他方の組に対するプリ
チャージ・等化を行うことが可能となる。そして、ラッ
チ出力部26による外部出力段階では、それら奇数番
目、偶数番目で交互に伝送されてくるデータをまとめて
1つの直列データとし、シリアルクロックSCの各周期
ごとに同期させて出力可能になる。
【0027】この例で示すシリアルデータ出力方法を従
来に比較すると次のような点が一番の違いとしてあげら
れる。図4を参照すると分かるように従来では、シリア
ルデータ入出力線SIOがサイクルごとに全てアクセス
されるため、1つのシリアルアドレスSSiについての
サイクルごとにプリチャージ・等化のための時間が必要
となる。一方、図2を参照すると分かるように本実施例
では、2組のシリアルデータ入出力線SIOが奇数番
目、偶数番目のシリアルアドレスSSiに応じて交互に
アクセスされるので、一方の組でデータ伝送を行ってい
る間にもう一方の組でプリチャージ・等化を実行すれば
よく、データ出力上ではプリチャージ・等化のための時
間が必要ない。このことはまた、従来においては、シリ
アル列選択信号SCSLはプリチャージ・等化用のセル
フパルス(self pulse)に基づいて発生する
必要があるが、本実施例では、シリアル列選択信号SC
SLはシリアルアドレスSSiに基づいて遷移するだけ
でよい、ということになる。従ってその分、回路構成を
簡素化できる。
来に比較すると次のような点が一番の違いとしてあげら
れる。図4を参照すると分かるように従来では、シリア
ルデータ入出力線SIOがサイクルごとに全てアクセス
されるため、1つのシリアルアドレスSSiについての
サイクルごとにプリチャージ・等化のための時間が必要
となる。一方、図2を参照すると分かるように本実施例
では、2組のシリアルデータ入出力線SIOが奇数番
目、偶数番目のシリアルアドレスSSiに応じて交互に
アクセスされるので、一方の組でデータ伝送を行ってい
る間にもう一方の組でプリチャージ・等化を実行すれば
よく、データ出力上ではプリチャージ・等化のための時
間が必要ない。このことはまた、従来においては、シリ
アル列選択信号SCSLはプリチャージ・等化用のセル
フパルス(self pulse)に基づいて発生する
必要があるが、本実施例では、シリアル列選択信号SC
SLはシリアルアドレスSSiに基づいて遷移するだけ
でよい、ということになる。従ってその分、回路構成を
簡素化できる。
【0028】また、シリアルデータ入出力線SIOの電
位展開についても、シリアルクロックSCの2周期分の
時間をとれるので、シリアルクロックSCを高周波数と
した場合でも十分に展開時間を確保可能である。しか
も、この電位展開の間に他の組でデータ伝送動作を行っ
ているので、データ出力時間に大きく影響することはな
い。このことは、信号φPSOTに応じるラッチ時間に
ついても同様である。
位展開についても、シリアルクロックSCの2周期分の
時間をとれるので、シリアルクロックSCを高周波数と
した場合でも十分に展開時間を確保可能である。しか
も、この電位展開の間に他の組でデータ伝送動作を行っ
ているので、データ出力時間に大きく影響することはな
い。このことは、信号φPSOTに応じるラッチ時間に
ついても同様である。
【0029】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明によるビデ
オRAMは、シリアルデータ出力経路を2系統設けてそ
れぞれ独立的にデータ伝送可能とする、即ち、2組のシ
リアルデータ入出力線を設けると共にそれに対応させて
マルチプレクサ、センスアンプ、ラッチ部を設けてそれ
ぞれ独立的に動作可能とした。これにより、1つのシリ
アルクロックについてのデータ出力サイクルにシリアル
データ入出力線の電位展開時間、プリチャージ・等化時
間、ラッチ時間を考慮せずに済むことになる。従って、
シリアルクロック即ちシステムクロックをより高周波数
としても適応可能となり、更に、ビデオRAMの動作サ
イクル短縮、CRT等の外部装置への更なるデータ出力
高速化が可能になる。
オRAMは、シリアルデータ出力経路を2系統設けてそ
れぞれ独立的にデータ伝送可能とする、即ち、2組のシ
リアルデータ入出力線を設けると共にそれに対応させて
マルチプレクサ、センスアンプ、ラッチ部を設けてそれ
ぞれ独立的に動作可能とした。これにより、1つのシリ
アルクロックについてのデータ出力サイクルにシリアル
データ入出力線の電位展開時間、プリチャージ・等化時
間、ラッチ時間を考慮せずに済むことになる。従って、
シリアルクロック即ちシステムクロックをより高周波数
としても適応可能となり、更に、ビデオRAMの動作サ
イクル短縮、CRT等の外部装置への更なるデータ出力
高速化が可能になる。
【図1】本発明に係るビデオRAMにおけるシリアルデ
ータ出力経路のブロック図。
ータ出力経路のブロック図。
【図2】図1に示す回路の動作タイミングを示す信号波
形図。
形図。
【図3】従来技術のビデオRAMにおけるシリアルデー
タ出力経路のブロック図。
タ出力経路のブロック図。
【図4】図3に示す回路の動作タイミングを示す信号波
形図。
形図。
2 データレジスタ 14、16 マルチプレクサ 18、20 入出力線センスアンプ 22、24 ラッチ部 26 ラッチ出力部 SIO シリアルデータ入出力線 SCSL シリアル列選択信号
Claims (6)
- 【請求項1】 シリアルクロックの入力に基づくシリア
ルアドレスに応答して直列出力を行うシリアルポートを
備えたビデオRAMにおいて、 シリアルアドレスのうちの奇数番目に提供されるシリア
ルアドレスに応答してシリアルポートのデータレジスタ
からデータを伝送する第1のシリアル列ゲートと、この
第1のシリアル列ゲートにより伝送されるデータを受け
る第1のシリアルデータ入出力線と、シリアルアドレス
のうちの偶数番目に提供されるシリアルアドレスに同期
して前記データレジスタからデータを伝送する第2のシ
リアル列ゲートと、この第2のシリアル列ゲートにより
伝送されるデータを受ける第2のシリアルデータ入出力
線と、第1のデータ入出力線及び第2のデータ入出力線
に伝送される各データを列アドレスに応じてマルチプレ
キシングし入出力線センスアンプへ送るマルチプレクサ
と、を備え、シリアルアドレスに応答して第1のシリア
ルデータ入出力線と第2のシリアルデータ入出力線を交
互に用いデータアクセスするようになっていることを特
徴とするビデオRAM。 - 【請求項2】 シリアルクロックの入力に基づくシリア
ルアドレスに応答して直列出力を行うシリアルポートを
備えたビデオRAMにおいて、 第1のシリアルデータ入出力線と第2のシリアルデータ
入出力線との2組に分けられたシリアルデータ入出力線
と、シリアルアドレスのうちの奇数番目に提供されるシ
リアルアドレスに応答し活性化するシリアル列選択信号
に従ってシリアルポートのデータレジスタから第1のシ
リアルデータ入出力線へデータを伝送する第1のシリア
ル列ゲートと、シリアルアドレスのうちの偶数番目に提
供されるシリアルアドレスに応答し活性化するシリアル
列選択信号に従って前記データレジスタから第2のシリ
アルデータ入出力線へデータを伝送する第2のシリアル
列ゲートと、第1のシリアルデータ入出力線に接続され
た第1のマルチプレクサと、第2のシリアルデータ入出
力線に接続された第2のマルチプレクサと、第1のマル
チプレクサの出力を電圧増幅する第1の入出力線センス
アンプと、第2のマルチプレクサの出力を電圧増幅する
第2の入出力線センスアンプと、シリアルアドレスのう
ちの奇数番目に提供されるシリアルアドレスの際に活性
化する第1の制御信号に従って第1の入出力線センスア
ンプの出力をラッチする第1のラッチ部と、シリアルア
ドレスのうちの偶数番目に提供されるシリアルアドレス
の際に活性化する第2の制御信号に従って第2の入出力
線センスアンプの出力をラッチする第2のラッチ部と、
第1のラッチ部及び第2のラッチ部の各出力をシリアル
クロックに同期して受け直列出力するラッチ出力部と、
を備えることを特徴とするビデオRAM。 - 【請求項3】 シリアルクロックの入力に基づくシリア
ルアドレスに応答して直列出力を行うシリアルポートを
備えたビデオRAMのシリアルデータ出力方法におい
て、 シリアルアドレスのうちの奇数番目に提供されるシリア
ルアドレスに同期してリアルポートのデータレジスタか
ら第1のデータ入出力線へデータを伝送する第1過程
と、シリアルアドレスのうちの偶数番目に提供されるシ
リアルアドレスに同期して前記データレジスタから第2
のデータ入出力線へデータを伝送する第2過程と、前記
第1過程で伝送されるデータを、シリアルアドレスのう
ちの奇数番目に提供されるシリアルアドレスに同期して
ラッチする第3過程と、前記第2過程で伝送されるデー
タを、シリアルアドレスのうちの偶数番目に提供される
シリアルアドレスに同期してラッチする第4過程と、前
記第3過程と第4過程でラッチされるデータをシリアル
クロックに同期して直列出力する第5過程と、を含んで
なることを特徴とするシリアルデータ出力方法。 - 【請求項4】 入力されるシリアルクロックに応じてシ
リアルアドレスを発生し、このシリアルアドレスにより
シリアル列ゲートを順次選択してデータレジスタからシ
リアルデータ入出力線へデータを伝送し直列出力するよ
うになったシリアルポートをもつビデオRAMにおい
て、 シリアルデータ入出力線を選択可能に2組設け、シリア
ル列ゲートを順次に異なる組のシリアルデータ入出力線
と交互接続するようにしたことを特徴とするビデオRA
M。 - 【請求項5】 1つのシリアルアドレスで多数のシリア
ル列ゲートを選択して多数ビットを同時伝送可能とさ
れ、これに対応させて各組を多数本ずつとしてシリアル
データ入出力線を設け、そしてシリアルデータ入出力線
の各組ごとに、マルチプレクサ及びこのマルチプレクサ
の出力をセンスアンプを介してラッチするラッチ部をそ
れぞれ設け、1つの組のラッチ部がシリアルクロックの
2周期でラッチ動作するように制御して2組のラッチ部
がシステムクロックの1周期ごとに交互にラッチ動作す
るようにした請求項4記載のビデオRAM。 - 【請求項6】 各組のマルチプレクサを列アドレス最上
位ビットの論理状態で動作制御するようにした請求項5
記載のビデオRAM。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1994P6760 | 1994-03-31 | ||
KR1019940006760A KR0141665B1 (ko) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 비디오램 및 시리얼데이타 출력방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07272479A true JPH07272479A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=19380169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7075770A Pending JPH07272479A (ja) | 1994-03-31 | 1995-03-31 | ビデオram及びそのシリアルデータ出力方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5572477A (ja) |
JP (1) | JPH07272479A (ja) |
KR (1) | KR0141665B1 (ja) |
CN (1) | CN1089476C (ja) |
DE (1) | DE19511259C2 (ja) |
FR (1) | FR2718272B1 (ja) |
GB (1) | GB2288046B (ja) |
RU (1) | RU2127917C1 (ja) |
TW (1) | TW274127B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000048599A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体記憶装置 |
US6414891B2 (en) | 2000-04-18 | 2002-07-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including complementary data bus pair |
US6512719B2 (en) | 2000-07-05 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device capable of outputting and inputting data at high speed |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0945079A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-14 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | デュアルポートram |
US5896335A (en) * | 1997-05-23 | 1999-04-20 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for reducing power dissipation in a precharge/discharge memory system |
US5844844A (en) * | 1997-07-09 | 1998-12-01 | Xilinx, Inc. | FPGA memory element programmably triggered on both clock edges |
GB2338808B (en) | 1998-06-23 | 2002-02-27 | Mitel Semiconductor Ltd | Semiconductor memories |
US6240031B1 (en) | 2000-03-24 | 2001-05-29 | Cypress Semiconductor Corp. | Memory architecture |
US6400642B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-06-04 | Cypress Semiconductor Corp. | Memory architecture |
US6442093B1 (en) * | 2000-06-07 | 2002-08-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Cascode barrel read |
US7009880B1 (en) * | 2004-08-17 | 2006-03-07 | Programmable Microelectronics Corporation | Non-volatile memory architecture to improve read performance |
TWI490698B (zh) * | 2013-05-10 | 2015-07-01 | Integrated Circuit Solution Inc | 高速資料傳輸架構 |
RU188935U1 (ru) * | 2018-09-13 | 2019-04-29 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации | Устройство отображения информации |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0283891A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ |
JPH04162286A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-05 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4450538A (en) * | 1978-12-23 | 1984-05-22 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Address accessed memory device having parallel to serial conversion |
US4498155A (en) * | 1979-11-23 | 1985-02-05 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor integrated circuit memory device with both serial and random access arrays |
JPS62287497A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPS63239675A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-10-05 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JPH0748301B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1995-05-24 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5121360A (en) * | 1990-06-19 | 1992-06-09 | International Business Machines Corporation | Video random access memory serial port access |
JPH05101646A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | デユアルポートメモリ |
JPH05274862A (ja) * | 1992-03-24 | 1993-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリ装置 |
KR960006271B1 (ko) * | 1993-08-14 | 1996-05-13 | 삼성전자주식회사 | 고속동작을 위한 입출력라인구동방식을 가지는 반도체메모리장치 |
-
1994
- 1994-03-31 KR KR1019940006760A patent/KR0141665B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-03-27 DE DE19511259A patent/DE19511259C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-29 GB GB9506402A patent/GB2288046B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-30 RU RU95104887A patent/RU2127917C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1995-03-31 CN CN95103172A patent/CN1089476C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-31 US US08/415,057 patent/US5572477A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-31 JP JP7075770A patent/JPH07272479A/ja active Pending
- 1995-03-31 TW TW084103136A patent/TW274127B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-03-31 FR FR9503836A patent/FR2718272B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0283891A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ |
JPH04162286A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-05 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000048599A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体記憶装置 |
US6414891B2 (en) | 2000-04-18 | 2002-07-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including complementary data bus pair |
US6512719B2 (en) | 2000-07-05 | 2003-01-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device capable of outputting and inputting data at high speed |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5572477A (en) | 1996-11-05 |
FR2718272B1 (fr) | 1997-08-08 |
CN1089476C (zh) | 2002-08-21 |
RU95104887A (ru) | 1996-12-27 |
DE19511259C2 (de) | 2001-06-07 |
RU2127917C1 (ru) | 1999-03-20 |
TW274127B (ja) | 1996-04-11 |
GB2288046A (en) | 1995-10-04 |
FR2718272A1 (fr) | 1995-10-06 |
KR0141665B1 (ko) | 1998-07-15 |
CN1121249A (zh) | 1996-04-24 |
GB2288046B (en) | 1998-07-08 |
DE19511259A1 (de) | 1995-10-05 |
GB9506402D0 (en) | 1995-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6078546A (en) | Synchronous semiconductor memory device with double data rate scheme | |
US5883855A (en) | High speed semiconductor memory with burst mode | |
KR100915554B1 (ko) | 반도체기억장치 | |
US6085300A (en) | DRAM system with simultaneous burst read and write | |
JP5261803B2 (ja) | 不揮発性メモリ用の高速ファンアウトシステムアーキテクチャおよび入出力回路 | |
US6636444B2 (en) | Semiconductor memory device having improved data transfer rate without providing a register for holding write data | |
US5088062A (en) | Memory device having common data lines for reading and writing | |
KR100362193B1 (ko) | 디디알 동기식 메모리 장치의 데이터 출력 장치 | |
JPH07272479A (ja) | ビデオram及びそのシリアルデータ出力方法 | |
US6564287B1 (en) | Semiconductor memory device having a fixed CAS latency and/or burst length | |
KR100639614B1 (ko) | 뱅크 내 셀을 테스트하기 위한 데이터 출력 컴프레스 회로및 방법 | |
JPH06202933A (ja) | 同期式大規模集積回路記憶装置 | |
US5768212A (en) | Semiconductor memory | |
KR100328594B1 (ko) | 늦은 라이트 타입 반도체 메모리 장치에서의 바이패스 동작 에러방지 및 사이클 타임구간 개선방법과 그에 따른 멀티플렉서 회로 | |
JP4828037B2 (ja) | 半導体メモリ装置及びデータ伝送方法 | |
US5307323A (en) | Dual-port memory | |
JP2817685B2 (ja) | 半導体メモリ | |
KR19990088402A (ko) | 반도체메모리장치및번인테스트방법 | |
KR100368117B1 (ko) | 레이트 선택 동기 파이프라인 타입 반도체 메모리장치에서의 데이터 코히런시 유지방법 및 그에 따른데이터 코히런시 유지회로 | |
JPS6146916B2 (ja) | ||
US5760791A (en) | Graphic RAM having a dual port and a serial data access method thereof | |
KR20030091816A (ko) | 프리페치 구조를 사용하는 집적 메모리와 그 동작 방법 | |
JPH06290584A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR0150856B1 (ko) | 반도체기억장치 및 그 데이터리드방법 | |
JPH10112200A (ja) | 半導体記憶装置及びデータ処理装置 |