JPH07254759A - パワー混成集積回路装置 - Google Patents

パワー混成集積回路装置

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JPH07254759A
JPH07254759A JP6045367A JP4536794A JPH07254759A JP H07254759 A JPH07254759 A JP H07254759A JP 6045367 A JP6045367 A JP 6045367A JP 4536794 A JP4536794 A JP 4536794A JP H07254759 A JPH07254759 A JP H07254759A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】複数のパワー半導体素子と、それらをドライブ
する回路とのパワー混成集積回路装置において、これら
のパワー半導体素子の大電流化に伴うノイズ及び入出力
配線部分の配線抵抗の低減を図る。 【構成】パワー混成集積回路装置の金属基板上にパワー
回路用の入出力配線，グランド層が形成され、ドライバ
用ＩＣやチップ抵抗等電子部品が接続された回路基板の
所望の位置に複数の窓が開けられ、前記窓内の露出する
金属基板表面にはんだを介してセラミックスチップが接
続されており、パワー半導体素子は前記セラミックスチ
ップ上に金属橋を介して接続されている。隣接するパワ
ー半導体素子の下部電極同志或いはパワー半導体素子の
下部と入出力配線とが連結されるものは、前記金属橋の
一部に依ってなされる。 【効果】放熱効率（熱抵抗）が向上し、ノイズ低下し、
半導体素子の効率が向上して信頼性の高いパワー混成集
積回路が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパワー素子が搭載された
混成集積回路に関し、特にパワー素子のスイッチングノ
イズの低減と配線部分の絶縁耐圧を向上させた混成集積
回路構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワー素子を混成集積回路内に取
り込んだパワーモジュールは、Ｃｕ或いはＡｌを主成分
とする金属基板上にＳｉＯ2 等無機質フィラーを添加し
たエポキシ樹脂或いはポリイミド等樹脂で絶縁した回路
基板或いは金属基板上をセラミックスで絶縁した回路基
板の２種類が用いられている。前者は６００Ｖ／３０Ａ
以下の製品に多くみられ、後者は６００Ｖ／３０Ａを越
える製品が対象となっている。
【０００３】一方、上記した両者をあわせたようなパワ
ーモジュールとして、公開特許公報（Ａ）平3−195053
号に開示されているように、一枚の金属基板上がセラミ
ックスとエポキシ樹脂等有機膜で絶縁された回路基板が
ある。図１０はそれらを説明する断面図である。パワー
半導体素子６は良熱伝導性の窒化アルミニウム等セラミ
ックスチップ１０を介して金属基板１に接続されてい
る。前記金属基板１は、Ｃｕが選択されている。ドライ
バＩＣ等小信号素子９は、金属基板１にコーティングさ
れた絶縁層２.２ 上に形成された配線上に接続されてい
る。この場合の絶縁層としては、ポリイミド樹脂が用い
られている。このパワーモジュールは、小信号回路及び
パワー半導体素子の入出力配線がポリイミド樹脂上に形
成され、パワー半導体素子のみセラミックスチップ１０
を介して金属基板１に接続されており、小信号回路とパ
ワー半導体素子との間はＡｌワイヤ７で接続されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
パワーモジュールは、パワー半導体素子搭載部にセラミ
ックスを用いることにより、放熱性が向上するものの、
パワー半導体素子の大電流化に伴うスイッチング時に生
ずるノイズや入出力配線からのノイズがパワー素子の近
傍に配置された小信号用配線に乗りドライバＩＣ或いは
マイコン等の誤動作の原因となる。また、セラミックス
チップとポリイミドの２種類の絶縁材料を用いており、
パワー半導体素子の下地電極、つまり、コレクタ電極と
入出力配線がＡｌワイヤーで連結されている。従って、
この構造を大電力用に適用するとき配線抵抗が大きくな
り、半導体素子の損失が大きくなるという問題が生じ
る。
【０００５】更に、このパワー混成集積回路の金属基板
はＣｕが用いられており、この場合、セラミックスチッ
プを接続する際、はんだ付けが容易であり、放熱性も良
好である反面、Ｃｕ自体が重く、この混成集積回路を用
いたシステム全体の重量が大きなものとなる等の問題も
ある。
【０００６】本発明の目的は、複数のパワー半導体素子
とそれらをドライブする回路とを同一基板上に搭載した
パワー混成集積回路装置において、これらのパワー半導
体素子の大電流化に伴うノイズ及び入出力配線部分の配
線抵抗の低減を図ることにある。
【０００７】本発明の他の目的は、このようなパワー混
成集積回路装置全体のコンパクト化、及び、軽量化を図
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のパワー混成集積
回路装置によれば、金属基板上に接着される有機樹脂か
らなる絶縁体層は複数の窓を有しており、複数の窓のそ
れぞれの領域内で、セラミックチップが金属基板上に固
着される。セラミックスチップ上には金属箔が形成さ
れ、金属箔を介してパワー半導体素子がセラミックスチ
ップに固着される。絶縁体層の表面の所望位置には小信
号回路素子と、絶縁体層の表面の他の所望位置にパワー
半導体素子用の導電路が形成される。隣接するパワー半
導体素子の電極同志の電気的接続は金属箔によりされ
る。
【０００９】金属箔はパワー半導体素子の電極を兼ねて
いる。パワー半導体素子の下部電極同志が複数個連結さ
れる場合は、それぞれが分割されたセラミックスチップ
の表面に金属箔を橋上に貼付けると共に、前記金属箔の
一部を入出力配線に連結する。パワー半導体素子の下部
電極がそれぞれ独立した場合であっても、パワー半導体
チップとセラミックスチップ間に金属箔が挿入され、こ
の金属箔の一部を入出力配線に接続する。
【００１０】本発明の好ましい実施態様によれば、パワ
ー半導体素子を搭載するセラミックスチップ以外の絶縁
材料に有機多層膜を用い、信号線等小信号配線を多層膜
の内側に形成し、多層膜の両主表面にはグランド層を設
け、ノイズを除去する構成とする。前記多層膜の表面の
一部に入出力配線を形成しても良い。なお、この多層膜
の材料はエポキシ樹脂或いはポリイミド樹脂が選ばれ、
金属基板とは接着剤で固着されることが好ましい。
【００１１】また、金属基板にＡｌ又はＡｌ合金を用
い、軽量化を図る。この場合、Ａｌ又はＡｌ合金とセラ
ミックスチップを直接はんだ付けが困難であるため、Ａ
ｌ又はＡｌ合金をはんだ付け可能な表面に改善する必要
があり、ＮｉやＣｕ等のめっき膜で覆う。ところが、Ａ
ｌ又はＡｌ合金の表面は酸化膜で覆われており、一般的
にはめっき膜の形成が困難である。そこで、本発明の好
ましい実施態様によれば、Ａｌ又はＡｌ合金の表面をエ
ッチングして酸化膜を除去すると共にＺｎ膜で覆った表
面にＮｉめっき膜を施すというＺｎ置換法を用いてＡｌ
又はＡｌ合金をはんだ付け可能な表面とする。
【００１２】
【作用】本発明では、パワー半導体素子の下部電極同志
が複数個連結される場合、それぞれが分割されたセラミ
ックスチップの表面に金属箔を橋上に貼付けると共に、
前記金属箔の一部を入出力配線に連結する。パワー半導
体素子の下部電極がそれぞれ独立した場合であっても、
パワー半導体チップとセラミックスチップ間に金属箔が
挿入され、この金属箔の一部を入出力配線に接続する。
セラミックスチップの表面にダイレクトボンド法或いは
活性化金属法で金属箔を貼り、前記金属箔の一部を入出
力端子に接続するなどして電気的な導通を図る。これに
よって、前記Ａｌワイヤで連結したものに比べ断面積が
増し、これまで問題になっていた半導体素子の損失が問
題とはならず、また、これまで多数連結されていたＡｌ
ワイヤの本数を少なくできる。
【００１３】一方、パワー半導体素子、特に大電流をオ
ン・オフすることにより生じるノイズや入出力配線から
小信号配線に乗るノイズは、前記小信号配線を多層基板
内部に形成し表面をグランド層とすることで、ノイズ成
分をグランド層に落とし吸収できる。
【００１４】
【実施例】図１は、表面の樹脂ケース１３や外部導出端
子１４及び封止樹脂１２或いは１１ゲルの一部を取り外
した本発明の混成集積回路の斜視図である。本発明の混
成集積回路は、金属基板１上が回路基板２で覆われてい
る。この回路基板２の所望の位置に開けられた窓２.１
内で金属基板１が固着されたセラミックスチップ１０に
固着されている。セラミックスチップ１０は良熱伝導性
の窒化アルミニウムが用いられ、窒化アルミニウムの表
面にはパワー半導体素子のコレクタ電極同志を連結する
ため、或いは、パワー半導体素子６のコレクタ電極とパ
ワー回路用導電路入出力配線３.２とを連結するために
金属箔からなる金属橋３.３が貼付けられ、パワー半導
体素子は前記金属橋上に固着されている。
【００１５】回路基板２上には前記パワー回路用導電路
入出力配線３.２ が貼付けられているほか、表面にグラ
ンド層３.５ 或いはパワー半導体素子６のゲート信号の
送受信のためのパット３.４ が形成されている。なお、
回路基板２はエポキシ樹脂或いはポリイミド樹脂等から
なる多層基板からなり、内部にはビアホール或いはイン
ナーリードからなる信号線が形成され、前記金属基板と
は接着剤で固着されている。
【００１６】図２は図１で述べた混成集積回路の内部を
示す図である。回路基板２上には複数の窓２.１ が形成
され、この窓内にセラミックスチップ１０を介してパワ
ー半導体素子６が金属基板１に固着されている。パワー
半導体素子６のコレクタ同志が連結される場合、或い
は、パワー半導体素子６のコレクタ電極とパワー回路用
導電路からなる入出力配線３.２とが連結される場合に
は、金属橋３.３を用いて行われる。隣あうＩＧＢＴ等
のパワー半導体素子６.１と高速ダイオード６.２の上部
電極同志が連結される場合、或いは、ＩＧＢＴ等のパワ
ー半導体素子６.１の上部電極とＩＧＢＴ等パワー半導
体素子６.１ の下部電極同志が連結される場合にはＡｌ
ワイヤー７が用いられる。パワー回路用導電路入出力配
線３.２ 近傍の回路基板２表面には小信号回路用の配線
を形成せず、グランド層３.５ が形成される。ＩＧＢＴ
等のパワー半導体素子６.１のゲート信号はグランド層
３.５内に形成されたパット３.４にＡｌワイヤー７によ
り連結される。パット３.４と制御用ドライバＩＣ９或
いは抵抗チップ８等電子部品とはグランド層の下部の樹
脂層に形成されたインナーリード或いはビアホール等小
信号回路用導電路（図示せず）に依って連結されてい
る。
【００１７】図３は前記図２のＡ−Ａ′断面図であり、
隣接するパワー半導体素子の下部電極即ちコレクタ電極
同志が連結された部分を説明する図である。金属基板１
上にはパワー半導体素子搭載部に窓２.１ 開けられた回
路基板２が接着剤４で固着されている。回路基板２には
内部に小信号回路用導電路３.１ 或いはグランド層３.
５ が予め形成されている。前記回路基板に開けられた
窓内は前記金属基板の表面が露出しており、セラミック
スチップ１０は低温はんだ５.２ によって固着される。
高速ダアイオード等のパワー半導体素子６.２は金属橋
３.３上に高温はんだ５.１で接続される。なお、金属橋
の一部はパワー回路用導電路３.２と低温はんだ５.２で
連結される。
【００１８】図４は前記図２のＢ−Ｂ′断面図であり、
パワー半導体素子のコレクタが隣接するパワー半導体素
子と絶縁分離され、金属橋３.３ を介してパワー回路用
導電路３.２ に接続されている部分を説明する図であ
る。この部分でもセラミックス１０は低温はんだ５.２
で、多層基板は接着剤で固着されていることは図３と同
じである。また、パワー回路用の導電路が交わるような
場合は、金属橋が折り曲げられ電気的には連結されない
ようにしている。
【００１９】図５は、パワー半導体素子が搭載された回
路基板近傍で、ドライバＩＣや抵抗チップ等電子部品が
搭載された小信号回路部分の断面を説明する図である。
この部分の回路基板２はパワー半導体素子を制御する部
分であり、表面にはドライバＩＣ９や抵抗チップ８等電
子部品が表面実装されている。また、ドライバＩＣ９や
抵抗チップ８等電子部品は、回路基板表面上に形成され
たパット３.４ にはんだ付けされている。ここで回路基
板２には小信号回路用の導電路が形成されず、前記ドラ
イバＩＣや抵抗チップ等電子部品とは回路基板、つま
り、多層基板内部に形成されたインナーリードやビアホ
ール等導電路３.１ で連結されている。なお、回路基板
２の表面或いは裏面に形成されたグランド層３.５ は所
望の部所で連結され、外部端子の一部に接続される。
【００２０】図６は、本発明のパワー混成集積回路装置
の製法を説明する図である。図６（ａ）において、予め
導電路３が形成され、窓２.１ が開けられたプリント基
板等多層基板をアルミニウム等の金属基板１に接着剤４
で固着し回路基板２を形成する。この回路基板２の窓
２.１ 内の金属表面が露出した部分にはんだ付け可能な
金属膜１.１ 、例えばニッケル膜等を形成する。図６
（ｂ）において、金属橋３.３の表面にはパワー半導体
素子６がはんだ５により固着される。金属橋３.３の裏
面にはメタライズ層１０.１ が貼付けられたセラミック
スチップ１０が接着される。セラミックスチップ１０の
メタライズ層１０.１ 部分には予備のはんだ５が施され
る。その後、窓開けされた露出する金属基板１の表面
に、パワー半導体素子６が固着されたセラミックスチッ
プ１０をあわせ再溶融して固着させる。図７は本発明の
パワー混成集積回路装置の他の製法を説明する図であ
る。まず図７（ａ）において、予め金属基板１にセラミ
ックスチップ１０をはんだで固着する。ここでは高温は
んだ５.１ が用いられる。次いで、図７（ｂ）で内部配
線等回路形成や窓開けのすんだプリント基板等多層基板
２.３ を接着剤４を用いて、図７（ａ）で示したセラミ
ックスチップ１０が固着された前記金属基板１上に貼付
ける。図７（ｃ）では更に、セラミックスチップ１０及
び回路配線が形成された多層基板２.３ が貼付けられた
回路基板１上に、あらかじめパワー半導体素子６が固着
された金属橋３.３を低温はんだ５.２で固着する。
【００２１】以上、２つの製法を述べたが、本発明のい
ずれもパワー半導体素子はセラミックスチップ上に固着
され、小信号回路を含む配線回路は有機樹脂からなる多
層基板上に形成されるなど、２つの絶縁基板が用いられ
る。また、セラミックスチップは、１個又は一対のパワ
ー半導体素子が固着される大きさであって、それぞれが
独立して金属基板上にはんだで固着されており、それぞ
れ独立したパワー半導体素子間或いは前記パワー半導体
素子と入出力配線等パワーの導電路との連結はセラミッ
クスチップとパワー半導体素子間に挿入された金属橋に
よるという特徴を有している。これらの構造によると発
熱する半導体素子の熱は金属基板に速やかに放出でき、
また前記した半導体素子の熱を小信号回路等に伝えない
という利点がある。本発明のパワー混成半導体装置の製
法においては、上述を満たすものであれば良く上述の２
種類に限るものではない。
【００２２】図８は、パワー半導体素子の入出力配線用
導電路の断面構造を説明する図である。この導電路は小
信号用の導電路とは異なり半導体素子の損失を防ぐた
め、電気抵抗をできるだけ小さくする必要がある。これ
には、配線部分の断面積を大きく取ってやればよいが、
限られた大きさの回路基板であるため表面積を大きくす
るには困難がある。従って、図ではつぎの３つを提案し
ている。図８（ａ）では、比較的厚い銅又は銅−アルミ
ニウムの金属箔３.６ を接着剤４で貼付ける構成をとっ
ている。この構成は、予め小信号用の導電路が形成され
た多層基板２.３の所望の位置に、プレス又はパンチン
グ或いはエッチング法等で所望の形状に仕上げた金属箔
３.６を多層基板２.３上の所望の位置に接着剤４を介し
て貼付ければ実現出来る。また、図８（ｂ）又は（ｃ）
に示す構成では、多層基板２.３ 内に予め小信号用、或
いは、パワー用入出力配線を形成する、そして、多層基
板２.３ 表面にパワー用入出力配線の導電路３.２を形
成後、その導電路３.２上に前記したプレス又はパンチ
ング或いはエッチング法等で所望の形状に仕上げた金属
箔３.６ をはんだ５又は接着剤４で接続する方法により
実現出来る。これらの方法によってパワー回路の導電路
は、その表面積を増やすことなく断面積を大きく取れ半
導体素子の損失を低減できた。
【００２３】図９は小信号回路或いはパワー回路等の導
電路が形成される回路基板２に開けられる窓２.１ の大
きさを説明する図である。回路基板２に開けられる窓の
大きさは、本発明のパワー混成集積回路装置をコンパク
トにするためにはセラミックスチップ１０の大きさと等
価であることが望ましい。しかしながら、セラミックス
チップ１０と金属基板１とは一般的には熱膨張係数がこ
となるため、両者を固着するためのはんだ層５、或い
は、メタライズ層１０.１ 又は金属基板表面１に形成し
たはんだ付け可能な金属層１.１ を破壊する心配があ
る。この原因は、図９（ｂ）に示した如く、熱膨張係数
の大きな金属基板１がセラミックスチップ１０の貼付後
収縮・変形するとき、矢印方向、つまり金属基板とセラ
ミックスチップス１０の接続部に両者を引き裂くような
応力が働くからである。ただし、はんだ５はやわらかい
金属であり、他の金属に比べて変形も可能である。従っ
て、はんだ５の厚さを厚くすれば良好な応力緩和材とも
なるが、はんだ５は熱伝導率が、例えば窒化アルミニウ
ムセラミックスに比べて十分小さく放熱体としては好ま
しくない。そこで本実施例では、はんだ５の厚みを増し
て金属基板１とセラミックスチップ１０との縁面距離を
伸ばす代わりにはんだの接続面積をセラミックスチップ
１０の表面より広げて縁面距離を伸ばす方法を取る。実
験によれば、はんだ５の接続面積、即ちぬれ広がりの面
積をはんだの厚み分から１.５ 倍以内とすることで接続
部の破壊が防止できた。従って、回路基板２に開けられ
る窓2.1の面積をセラミックスチップ１０の面積にはん
だの広がり分、つまり、はんだの厚みを加えればよいこ
とになる。このことは、はんだのぬれ広がりを回路基板
２によって制限できるためはんだの厚みのばらつきや外
観上の不良を防止できる効果もある。
【００２４】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明に依れば発熱
を伴うパワー半導体素子のみを良熱伝導性の金属基板に
はんだで接続したセラミックスチップに固着し、パワー
回路或いは小信号回路用の導電路を有機樹脂からなる多
層回路基板を用いることで、パワー半導体素子の放熱特
性を向上させることが出来る。また、配線密度を高める
ことが出来パワー混成集積回路の外形寸法を小さくする
ことが出来る。
【００２５】従来表面のみに回路形成を行っていた小信
号回路用の導電路を樹脂多層基板を用い、電子部品の接
続部分を除く配線部分の大部分は内部に、表面層はグラ
ンド層とすることでパワー回路からのノイズを大幅に低
減できる。
【００２６】更には、パワーの入出力配線用導電路を小
信号回路用導電路とことなる形状・製法とすることによ
り導体抵抗を低減し、配線部分の電圧降下による半導体
の効率低下を防止することができる。
【００２７】また、本発明のパワー半導体素子はそれぞ
れがセラミックスチップで絶縁分離され、独立した構造
であり、これらを下地電極同志或いは入出力配線との連
結には金属箔からなる金属橋を用いている。このため、
従来アルミワイヤを用いた混成集積回路に比べプロセス
の煩雑さからくるコストアップが防止でき、導体抵抗の
低減に効果が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を説明する斜視図である。
【図２】図１に示した実施例の平面図である。
【図３】図２に示した平面図のＡ−Ａ′断面図である。
【図４】図２に示した平面図のＢ−Ｂ′断面図である。
【図５】図２に示した平面図の小信号回路部分の断面図
である。
【図６】本発明のパワー混成集積回路装置の製法の一実
施例である。
【図７】本発明のパワー混成集積回路装置の製法の他の
一実施例である。
【図８】入出力配線用導電路の構造を説明する断面であ
る。
【図９】回路基板上に形成する窓とセラミックスチップ
の大きさとの関係を説明する図である。
【図１０】従来例を説明する図である。
【符号の説明】
１…金属基板、１.１ …はんだ付け可能な金属膜、２…
回路基板、２.１ …窓、２.２ …絶縁層、２.３ …多層
基板、３…導電路、３.１ …小信号回路用導電路、３.
２ …パワー回路用導電路、３.３ …金属橋、３.４ …
パット、３.５ …グランド層、３.６ …パワー回路用導
電路、４…接着剤、５…はんだ、５.１ …高温はんだ、
５.２ …低温はんだ、６…パワー半導体素子、６.１ …
ＩＧＢＴ等のパワー半導体素子、６.２ …高速ダイオー
ド、７…Ａｌワイヤ、８…抵抗チップ等電子部品、９…
ドライバＩＣ、１０…セラミックスチップ、１０.１ …
メタライズ層、１１…ゲル、１１.１ …メタライズ膜、
１２…封止樹脂、１３…ケース、１４…外部端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 和男 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】金属基板と、 上記金属基板上に接着される有機樹脂からなる絶縁体層
    であって、複数の窓を有している絶縁体層と、 上記複数の窓のそれぞれの領域内で、上記金属基板上に
    固着される複数のセラミックスチップと、 上記複数のセラミックスチップ上に形成された金属箔
    と、 上記複数のセラミックスチップ上に上記金属箔を介して
    固着された複数のパワー半導体素子と、 上記絶縁体層の表面の所望位置に固着された複数の小信
    号回路素子と、 上記絶縁体層の表面の他の所望位置に形成された上記パ
    ワー半導体素子用の導電路とを有し、 隣接する上記パワー半導体素子の電極同志の電気的接続
    は上記金属箔によりされることを特徴とするパワー混成
    集積回路装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載のパワー混成集積回路装置に
    おいて、隣接する上記パワー半導体素子の電極同志間を
    電気的に接続する上記金属箔は所定形状を有する一枚の
    箔であることを特徴とするパワー混成集積回路装置。
  3. 【請求項３】請求項２記載のパワー混成集積回路装置に
    おいて、上記所定形状の金属箔は上記絶縁体層上空を橋
    状に配置形成されていることを特徴とするパワー混成集
    積回路装置。
  4. 【請求項４】請求項１記載のパワー混成集積回路装置に
    おいて、上記パワー半導体素子と上記導電路との電気的
    接続はこのパワー半導体素子が固着される上記セラミッ
    クスチップ上に形成された上記金属箔によりされること
    を特徴とするパワー混成集積回路装置。
  5. 【請求項５】請求項１記載のパワー混成集積回路装置に
    おいて、上記絶縁体層の内部に上記小信号回路素子用の
    配線が形成され、この絶縁体層の両主平面にはグランド
    層が形成されていることを特徴とするパワー混成集積回
    路装置。
  6. 【請求項６】請求項４記載のパワー混成集積回路装置に
    おいて、上記絶縁体層は多層膜から構成されていること
    を特徴とするパワー混成集積回路装置。
  7. 【請求項７】請求項１，２，３，４，５、または、６記
    載のパワー混成集積回路装置において、上記金属基板は
    Ａｌ又はＡｌ合金から構成されていることを特徴とする
    パワー混成集積回路装置。
  8. 【請求項８】請求項６記載のパワー混成集積回路装置に
    おいて、上記金属基板上の上記セラミックスチップスが
    固着される領域の表面は金属膜が形成されていることを
    特徴とするパワー混成集積回路装置。
  9. 【請求項９】請求項８記載のパワー混成集積回路装置に
    おいて、上記金属基板の表面上に形成される金属膜がニ
    ッケル−リン又はニッケル−ボロンからなることを特徴
    とするパワー混成集積回路装置。
  10. 【請求項１０】請求項８記載のパワー混成集積回路装置
    において、上記金属基板の表面上に形成される金属膜が
    ニッケル−リン及びニッケル−ボロンのいずれかの膜と
    金又は銅との２層膜からなることを特徴とするパワー混
    成集積回路装置。
  11. 【請求項１１】請求項１記載のパワー混成集積回路装置
    において、上記絶縁体層はアルミナ，ガラス，シリカ，
    窒化硼素、または、窒化アルミニウムからなる粉末又は
    繊維を含んだエポキシ又はポリイミド系の樹脂から構成
    されることを特徴とするパワー混成集積回路装置。
  12. 【請求項１２】請求項１記載のパワー混成集積回路装置
    において、上記小信号回路素子は上記パワー半導体素子
    を制御するドライバＩＣ，チップ抵抗，チップコンデン
    サー、及び、ホトカプラのうち少なくとも一つを含むこ
    とを特徴とするパワー混成集積回路装置。
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