JP5683777B2 - 高電圧航空機イグニションシステム用スイッチング組立体、およびスイッチング組立体 - Google Patents
高電圧航空機イグニションシステム用スイッチング組立体、およびスイッチング組立体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5683777B2 JP5683777B2 JP2008210694A JP2008210694A JP5683777B2 JP 5683777 B2 JP5683777 B2 JP 5683777B2 JP 2008210694 A JP2008210694 A JP 2008210694A JP 2008210694 A JP2008210694 A JP 2008210694A JP 5683777 B2 JP5683777 B2 JP 5683777B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- cathode
- lead
- switching assembly
- potting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- ZQISRDCJNBUVMM-YFKPBYRVSA-N L-histidinol Chemical compound OC[C@@H](N)CC1=CNC=N1 ZQISRDCJNBUVMM-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
- H01L23/49844—Geometry or layout for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Geometry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
高電圧回路で使用されるスイッチは、電流漏洩なく高電圧を維持することができなければならない。したがって、スイッチがそれを通る電流を漏洩することなく扱うことができる電圧を最大にするために考慮すべき物理的パラメータがある。米国特許第5,592,118号にはパルスパワーサイリスタ(PPT)半導体スイッチング装置が開示されており、それは、漏洩を制御するようスイッチの縁を機械的に面取りすることにより、その縁を越える電流漏洩を制御するよう設計されている。PPTスイッチの縁はサンドブラストまたは鋸切断によって面取り可能であり、面取りされた縁は次に化学エッチングによって滑らかにされ得る。表面漏洩を低減させるために、ポリイミド膜または他の誘電体層が面取りされた面に施される。
この発明の一局面によれば、高電圧航空機イグニションシステム用スイッチング組立体が提供される。このスイッチング組立体は、陽極パッドを支持する基板と、陽極パッドに接続された半導体装置と、組立体への電気的接続のための複数のリードと、半導体装置およびリードの少なくとも一部を覆う注封とを備える。半導体装置は高電圧ゲートおよび陰極を有する。リードは、高電圧ゲートに電気的に接続された第1のリード、陰極に電気的に接続された第2のリード、および陽極パッドに電気的に接続された第3のリードを含む。
図1〜図4を参照して、スイッチ組立体の一実施例は概して10で示される。スイッチ組立体は、その縁を越える電流漏洩を低減させるよう設計されている。加えて、スイッチ組立体10は、実質的に自動化された組立ラインを用いて製造されるよう設計されてきた。スイッチング組立体10を作製するための方法を次により詳細に説明する。
破断されていない陰極パッド24とゲートパッド22とは、パッド22、24がゲート50および陰極52とそれぞれ接する、半導体フレーム20を通る点を表わす溶接点56を示している。
えば、セラミック12に接合される銅パッド14を用いる代わりに、メタルペーストがセラミックを覆ってもよく、それは次にオーブン硬化される。次にスイッチダイ16が、通常のはんだ付け手法を用いてこの硬化したペースト上にはんだ付けされ得る。別の例として、完成した構成部品が図2Aに示すような目に見える下側リップ部を持たないように、注封シェル44の外径寸法は基板12の外径寸法と同じであってもよい。さらに別の例として、図1〜図4に示すリード34、36および42は、図示された三角構成ではなく、互いに沿って配向され得る。そのような他の実施例、変更および修正はすべて、添付された特許請求の範囲内に該当するよう意図されている。
Claims (8)
- 高電圧航空機イグニションシステム用スイッチング組立体であって、前記スイッチング組立体は、
基板と、
前記基板によって支持される陽極パッドと、
前記陽極パッドに接続された半導体装置とを備え、前記半導体装置は高電圧ゲートおよび陰極を有し、前記スイッチング組立体はさらに、
前記高電圧ゲートに電気的に接続された第1のリード、前記陰極に電気的に接続された第2のリード、および前記陽極パッドに電気的に接続された第3のリードを含む複数のリードと、
前記リード、前記高電圧ゲート、前記陰極および前記陽極パッドの少なくとも一部を覆う注封とを備え、
前記第1リードは、前記高電圧ゲートに接続され、前記注封に封入された第1パッド受け端子と、前記注封の外側に露出する第1延在部とを含み、前記第1パッド受け端子と前記第1延在部とは1つの部材からなり、
前記第2リードは、前記陰極に接続され、前記注封に封入された第2パッド受け端子と、前記注封の外側に露出する第2延在部とを含み、前記第2パッド受け端子と前記第2延在部とは1つの部材からなり、
前記第3リードは、前記陽極パッドに接続され、前記注封に封入された第3パッド受け端子と、前記注封の外側に露出する第3延在部とを含み、前記第3パッド受け端子と前記第3延在部とは1つの部材からなり、
前記高電圧ゲートと前記第1のリードとを相互接続するゲートパッドをさらに備え、前記陰極と前記第2のリードとを相互接続する陰極パッドをさらに備え、
前記陽極パッドは前記半導体装置の下側に配置され、前記ゲートおよび陰極パッドは前記半導体装置の上側に配置され、前記リードは前記上側から遠ざかって上向きに延在し、
前記半導体装置は、半導体装置の裏側に接合された前記陽極パッドを有し、かつ前記半導体装置の上部に搭載されたセラミックキャップを有する前記半導体装置を含むスイッチダイを備え、前記ゲートパッドおよび陰極パッドは前記セラミックキャップ上に搭載され、
前記陰極パッドは第1の陰極パッドであり、前記セラミックキャップは第2の陰極パッドをさらに含み、
前記陰極パッドは双方とも前記第2のリードに接続されている、スイッチング組立体。 - 前記基板は、前記基板の上面上に電気パッドを有するセラミック基板であり、前記陽極パッドは前記半導体装置に接合され、前記電気パッドにはんだ付けされており、前記第3のリードは前記電気パッドにはんだ付けされている、請求項1に記載のスイッチング組立体。
- 高電圧航空機イグニションシステム用スイッチング組立体であって、前記スイッチング組立体は、
セラミック基板と、
前記セラミック基板に接合された陽極パッドと、
複数のゲートおよび複数の陰極を含む半導体フレームを有するスイッチダイと、
前記スイッチダイに接合され、前記複数のゲートに電気的に接続されているゲートパッドと、
前記スイッチダイに接合され、前記複数の陰極に電気的に接続されている陰極パッドと、
前記ゲートパッドにはんだ付けされた第1のリード、前記陰極パッドにはんだ付けされた第2のリード、および前記陽極パッドにはんだ付けされた第3のリードを含む複数の個々のリードを備え、高電圧航空機イグニションシステムと前記スイッチング組立体とを電気的に接続せしめるリードフレームと、
前記スイッチダイを覆う注封とを備え、
前記第1のリードは、前記ゲートパッドにはんだ付けされ、前記注封に封入された第1パッド受け端子と、前記注封の外側に露出する第1延在部とを含み、前記第1パッド受け端子と前記第1延在部とは1つの部材からなり、
前記第2のリードは、前記陰極パッドにはんだ付けされ、前記注封に封入された第2パッド受け端子と、前記注封の外側に露出する第2延在部とを含み、前記第2パッド受け端子と前記第2延在部とは1つの部材からなり、
前記第3のリードは、前記陽極パッドにはんだ付けされ、前記注封に封入された第3パッド受け端子と、前記注封の外側に露出する第3延在部とを含み、前記第3パッド受け端子と前記第3延在部とは1つの部材からなり、
前記陽極パッドは前記スイッチダイの下側に配置され、前記ゲートパッドおよび前記陰極パッドは、前記スイッチダイの上側に配置され、前記リードは前記上側から遠ざかって上向きに延在し、
前記スイッチダイは、前記複数のゲートおよび陰極の上方で前記半導体フレームに取付けられたセラミックキャップをさらに備え、前記ゲートパッドおよび前記陰極パッドは前記セラミックキャップの上面に取付けられ、それぞれのゲートおよび陰極とそれぞれ接続され、
前記陰極パッドは第1の陰極パッドであり、前記セラミックキャップは第2の陰極パッドをさらに含み、
前記陰極パッドは双方とも前記第2のリードに接続されている、スイッチング組立体。 - 前記複数のゲートは前記スイッチダイ内に固定されている、請求項3に記載のスイッチング組立体。
- 前記複数の陰極は前記スイッチダイ内に固定されている、請求項4に記載のスイッチング組立体。
- 前記複数の陰極の各々は、前記複数のゲートのうちの2つに隣接して配置されている、請求項5に記載のスイッチング組立体。
- 前記ゲートは、前記陰極と平行な方向に延在している、請求項6に記載のスイッチング組立体。
- 前記ゲートパッドおよび前記陰極パッドは、前記複数のゲートおよび前記複数の陰極と垂直な方向に延在している、請求項7に記載のスイッチング組立体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US95680107P | 2007-08-20 | 2007-08-20 | |
US60/956,801 | 2007-08-20 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009049414A JP2009049414A (ja) | 2009-03-05 |
JP2009049414A5 JP2009049414A5 (ja) | 2011-08-18 |
JP5683777B2 true JP5683777B2 (ja) | 2015-03-11 |
Family
ID=39812202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008210694A Active JP5683777B2 (ja) | 2007-08-20 | 2008-08-19 | 高電圧航空機イグニションシステム用スイッチング組立体、およびスイッチング組立体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7880281B2 (ja) |
JP (1) | JP5683777B2 (ja) |
CN (1) | CN101373753A (ja) |
FR (2) | FR2920263B1 (ja) |
GB (1) | GB2452594B (ja) |
HK (1) | HK1131257A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9622331B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-04-11 | Unison Industries, Llc | Discharge switch device for ignition excitation system |
US10030584B2 (en) | 2016-01-21 | 2018-07-24 | Champion Aerospace Llc | Solid state spark device and exciter circuit using such a device |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5787139A (en) * | 1980-11-19 | 1982-05-31 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
DE3309679A1 (de) * | 1983-03-17 | 1984-09-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterbauelement mit giessharzfuellung |
JPS6148947A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPS61148845A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH07118514B2 (ja) * | 1989-04-24 | 1995-12-18 | 株式会社東芝 | 半田バンプ型半導体装置 |
US5731970A (en) * | 1989-12-22 | 1998-03-24 | Hitachi, Ltd. | Power conversion device and semiconductor module suitable for use in the device |
JP2883787B2 (ja) * | 1993-07-20 | 1999-04-19 | 富士電機株式会社 | パワー半導体装置用基板 |
US5592118A (en) | 1994-03-09 | 1997-01-07 | Cooper Industries, Inc. | Ignition exciter circuit with thyristors having high di/dt and high voltage blockage |
JP2988243B2 (ja) * | 1994-03-16 | 1999-12-13 | 株式会社日立製作所 | パワー混成集積回路装置 |
JPH11330283A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Toshiba Corp | 半導体モジュール及び大型半導体モジュール |
JP3557143B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2004-08-25 | 三洋電機株式会社 | スイッチング素子のベアチップの実装構造 |
FR2811475B1 (fr) * | 2000-07-07 | 2002-08-23 | Alstom | Procede de fabrication d'un composant electronique de puissance, et composant electronique de puissance ainsi obtenu |
JP3923716B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2007-06-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP4085639B2 (ja) * | 2002-01-28 | 2008-05-14 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003258180A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2003258179A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003264265A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
JP2004088022A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Toshiba Corp | 大電力用半導体装置 |
US7285849B2 (en) * | 2005-11-18 | 2007-10-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor die package using leadframe and clip and method of manufacturing |
US8198712B2 (en) * | 2006-06-07 | 2012-06-12 | International Rectifier Corporation | Hermetically sealed semiconductor device module |
-
2008
- 2008-08-19 GB GB0815061.7A patent/GB2452594B/en active Active
- 2008-08-19 JP JP2008210694A patent/JP5683777B2/ja active Active
- 2008-08-20 CN CNA2008102108640A patent/CN101373753A/zh active Pending
- 2008-08-20 FR FR0855649A patent/FR2920263B1/fr active Active
- 2008-08-20 US US12/194,933 patent/US7880281B2/en active Active
-
2009
- 2009-01-26 FR FR0950465A patent/FR2927762B1/fr active Active
- 2009-09-11 HK HK09108363.3A patent/HK1131257A1/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB0815061D0 (en) | 2008-09-24 |
FR2927762B1 (fr) | 2011-07-15 |
US20090050931A1 (en) | 2009-02-26 |
FR2927762A1 (fr) | 2009-08-21 |
GB2452594A (en) | 2009-03-11 |
CN101373753A (zh) | 2009-02-25 |
JP2009049414A (ja) | 2009-03-05 |
FR2920263B1 (fr) | 2019-07-12 |
FR2920263A1 (fr) | 2009-02-27 |
US7880281B2 (en) | 2011-02-01 |
HK1131257A1 (en) | 2010-01-15 |
GB2452594B (en) | 2012-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101106116B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
US20120244697A1 (en) | Method for fabricating a semiconductor device | |
JP2003086737A (ja) | 半導体装置 | |
US7847316B2 (en) | Semiconductor device and its manufacture | |
JP7160797B2 (ja) | 電子部品および半導体装置 | |
WO2007027790A2 (en) | Reversible-multiple footprint package and method of manufacturing | |
US6841865B2 (en) | Semiconductor device having clips for connecting to external elements | |
CN1763933B (zh) | 印刷电路板与结合其的电路单元 | |
JP5683777B2 (ja) | 高電圧航空機イグニションシステム用スイッチング組立体、およびスイッチング組立体 | |
JP2006319203A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP4057407B2 (ja) | 半導体パワーモジュール | |
JP2004111745A (ja) | 半導体装置 | |
CN114420649A (zh) | 芯片封装结构与电子器件 | |
US20030107049A1 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JP2003124251A5 (ja) | ||
JP2006100481A (ja) | 半導体装置 | |
WO2014179122A1 (en) | Voidlessly encapsulated semiconductor die package | |
JPH1187558A (ja) | 外部接続端子付半導体素子 | |
JP4962409B2 (ja) | 半導体装置及びその製法 | |
JP4749181B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2725719B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP2003142651A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2003332507A (ja) | 表面実装型半導体装置及びその製造方法 | |
KR20150056520A (ko) | 대면적 반도체 다이들을 위한 낮은 열응력 패키지 | |
KR20040098591A (ko) | 단일 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110706 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110706 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121030 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121102 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121129 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130917 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131216 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5683777 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |