FR2927762A1 - Ensemble de commutation pour un systeme d'allumage d'avion - Google Patents

Ensemble de commutation pour un systeme d'allumage d'avion Download PDF

Info

Publication number
FR2927762A1
FR2927762A1 FR0950465A FR0950465A FR2927762A1 FR 2927762 A1 FR2927762 A1 FR 2927762A1 FR 0950465 A FR0950465 A FR 0950465A FR 0950465 A FR0950465 A FR 0950465A FR 2927762 A1 FR2927762 A1 FR 2927762A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
switching
anode
cathode
switching matrix
assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR0950465A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2927762B1 (fr
Inventor
Steve J Kempinski
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Champion Aerospace LLC
Original Assignee
Champion Aerospace LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Champion Aerospace LLC filed Critical Champion Aerospace LLC
Publication of FR2927762A1 publication Critical patent/FR2927762A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2927762B1 publication Critical patent/FR2927762B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H01L23/49844—Geometry or layout for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

L'invention concerne un ensemble de commutation (10) comprenant une carte de circuit imprimé ayant une première, une seconde et une troisième surfaces de circuit sur une surface de ladite carte de circuit imprimé ainsi qu'une matrice de commutation (16) ayant une anode (18), un port (20) et une cathode (24) dans laquelle ladite anode (18) est soudée directement à ladite première surface et lesdits port et cathode sont connectés électriquement aux dites seconde et troisième surfaces, respectivement via des bornes de conducteurs.

Description

ENSEMBLE DE COMMUTATION POUR UN SYSTEME D'ALLUMAGE D'AVION
La présente invention concerne en général des ensembles de commutation. La présente invention concerne plus particulièrement des ensembles de commutation utilisés dans des circuits haute tension comme des systèmes d'allumage d'avion. Les commutateurs utilisés dans des circuits haute tension doivent pouvoir maintenir la haute tension sans fuite de courant. Par conséquent, certains paramètres physiques doivent être pris en considération pour maximiser la tension que le commutateur est capable de traiter sans entraîner de fuite de courant. Le brevet US 5 592 118 décrit un dispositif de commutation semi-conducteur de thyristor à courant pulsé (PPT) qui est conçu pour réguler la fuite de courant à travers le bord de celui-ci par biseautage mécanique du bord du commutateur afin de réguler la fuite. Le bord du commutateur PPT peut être biseauté par décapage au sable ou découpe à la scie et le bord biseauté est ensuite lissé par décapage chimique. Un film de polyirnide ou une autre couche diélectrique est appliquée au biseau pour réduire la fuite de surface.
Selon un aspect de l'invention, existe un ensemble de commutation pour un système d'allumage d'avion haute tension. L'ensemble de commutation comprend un substrat supportant une surface d'anode, un semi-conducteur connecté à la surface d'anode, une pluralité de conducteurs pour la connexion électrique à l'ensemble et une imprégnation couvrant au moins une partie du semi-conducteur et des conducteurs. Le semi-conducteur a un port et une cathode haute tension. Les conducteurs comprennent un premier conducteur raccordé électriquement au port haute tension, un second conducteur raccordé électriquement à la cathode et un troisième conducteur raccordé électriquement à la surface d'anode. Des modes de réalisation préférés de l'invention seront décrits ci-après en rapport avec les dessins associés dans lesquels des désignations similaires indiquent des éléments similaires et dans lesquels : La figure 1 est une vue en perspective en éclaté d'un mode de réalisation d'un ensemble de commutation construit selon l'invention ; La figure 2 est une vue en perspective de l'ensemble de commutation de la figure 1 dans un état partiellement monté La figure 2a est une vue en perspective de l'ensemble de commutation de la figure avant imprégnation des composants de l'ensemble ; La figure 3 est une vue en perspective de l'ensemble de commutation de la figure 1 après imprégnation ; la figure 4 est une vue en perspective de l'ensemble de commutation fini de la figure 1 ; La figure 5 est une vue de dessus, partiellement coupée, d'une matrice de 10 commutation utilisée dans l'ensemble de commutation de la figure 1 ; La figure 6 est une vue latérale de la matrice de commutation ; La figure 7 est une vue en perspective de la matrice de commutation et La figure 8 est une vue partielle, en perspective d'un second mode de réalisation de l'invention dans lequel un ensemble de commutation est monté en 15 surface directement sur une carte de circuit imprimé et ensuite imprégné sur place. Si l'on se réfère aux figures 1 à 4, un mode de réalisation de l'ensemble de commutation porte en général la référence 10. L'ensemble de commutation est conçu pour réduire la fuite de courant à travers les bords de celui-ci. De plus, l'ensemble de commutation 10 a été conçu de telle manière qu'il peut être fabriqué en utilisant une 20 ligne de montage essentiellement automatisée. Le procédé de fabrication de l'ensemble de commutation 10 fera ensuite l'objet d'une discussion plus détaillée. L'ensemble de commutation 10 comprend une base ou substrat céramique en nitrure d'aluminium 12. Les figures montrent que le substrat céramique 12 est un carré. Les hommes du métier apprécieraient que le substrat céramique 12 puisse 25 définir toute forme nécessaire ou souhaitable en fonction des paramètres de l'espace dans lequel l'ensemble de commutation 10 sera monté. Une surface de cuivre 14 est reliée au substrat céramique 12. La surface de cuivre 14 est fixée au substrat céramique 12 par des méthodes traditionnelles. Une matrice de commutation, en général avec la référence 16, est soudée à la 30 surface de cuivre 14. La matrice de commutation 16 comprend une surface d'anode soudable 18 qui est disposée au fond de la matrice de commutation 16. La surface d'anode 18 est soudée à la surface de cuivre 14, ce qui peut être fait par des techniques traditionnelles comme le soudage par refusion. Les hommes du métier peuvent apprécier que, dans certains modes de réalisation, la surface de cuivre 14 puisse agir comme la surface d'anode, ce qui supprimerait la nécessité d'avoir une surface d'anode séparée 18 sur la matrice de commutation 16. Dans le mode de réalisation montré, la matrice de commutation 16 comprend principalement une grille de semi-conducteur 20 avec la surface d'anode 18 fixée à l'arrière de ce semi-conducteur 20. Un capuchon en céramique 21 est placé sur le dessus de la grille de semi-conducteur 20, avec une surface de port 22 et deux surfaces de cathode 24 sur le dessus. La surface de port 22 est disposée entre les deux surfaces de cathode 24. Toutes les surfaces 22, 24 sont parallèles les unes aux autres.
Une grille de connexion, portant en général la référence 26, est soudée aux surfaces de port 22 et de cathode 24. La grille de connexion 26 comprend des bornes de réception de surface 28 pour chacune des surfaces de cathode 24 et une seule borne de réception de surface simple 30 pour la surface de port 22. Les deux bornes de réception de surfaces 28 sont connectées l'une à l'autre électriquement via un pont cathodique 32. Il existe des prolongateurs de port 36 et de cathode 34 s'étendant vers le haut depuis la borne de réception de surface simple 30 pour la surface de port 22 et le pont cathodique 32. Les extrémités distales des prolongateurs 34, 36 sont connectées par une entretoise de grille de connexion 38. De manière similaire, une borne de réception de surface 40 est soudée à une surface d'anode 18. Un prolongateur d'anode 42 s'étend vers le haut à partir de la borne de réception de surface 40 pour la surface d'anode 18 et est éventuellement connecté à l'entretoise de la grille de connexion 38 à l'extrémité distale de celle-ci. La borne de réception de surface 40 pour la surface d'anode 18 est en réalité soudée à la surface de cuivre 14. Les hommes du métier apprécieraient que, si la surface d'anode 18 est conçue de manière à ce qu'une bride s'étende vers l'extérieur au-delà de la matrice de commutation 16, la borne de réception de la surface 40 pour la surface d'anode 18 pourrait être soudée directement à la surface d'anode 18 et non à la surface de cuivre 14. Il est prévu que les bornes de réception de surfaces 28, 30, 42, les prolongateurs 34, 36, 42 et l'entretoise de grille de connexion 38 soient toutes fabriquées comme une structure unitaire. Une coque d'imprégnation 44 est fixée au substrat cél antique 12 autour de la surface de cuivre complète 14. Un couvercle partiel 46 s'ctcnd sur une partie de l'ensemble de commutation 10. Les prolongateurs de cathode 34, de port 36 et d'anode 42 s'étendent vers l'extérieur au-delà du couvercle partiel à travers une ouverture définie par le couvercle partiel 46. Un matériau d'imprégnation 48 est versé à l'intérieur de la coque d'imprégnation 44 et peut durcir pour étanchéifier l'ensemble de commutation 10 dedans. Lorsque le matériau d'imprégnation 48 est durci à l'intérieur de la coque d'imprégnation 44, seuls les prolongateurs 34, 36, 42 et l'entretoise de la grille de connexion 38 sont visibles. Suite au durcissement du matériau d'imprégnation 48, l'entretoise de la grille de connexion 38 est enclenchée ou retirée des prolongateurs 34, 36, 42 pour fournir des connexions électriques indépendantes à chaque surface d'anode 18, surface de port 22 et surface de cathode 24. Si l'on se réfère aux figures 5 à 7, elles montrent en général la matrice de commutation 16. La matrice de commutation 16 est montrée avec la surface de port 22 et les deux surfaces de cathode 24 fixées dessus. Dans la grille de semi-conducteurs 20 se trouvent une pluralité de ports 50 et une pluralité de cathodes 52.
La pluralité de port 50 et de cathodes 52 est formée à l'intérieur d'une grille de semi-conducteurs 20 pendant les phases d'imprégnation de celle-ci. Chaque pluralité de cathodes 52 est entourée de deux pluralités de ports 50. Chaque pluralité de cathodes 52 et chaque pluralité de ports 50 sont disposées adjacente l'une à l'autre et s'étendent parallèlement l'une à l'autre. La pluralité de ports 50 et de cathodes 52 s'étend perpendiculairement à la surface de port 22 et aux deux surfaces de cathodes 24. Des points de soudage 54 sont montrés sur trois des cathodes 52 qui sont montrées à travers la partie découpée sur la figure 5. Ces points de soudage s'étendent vers le haut à travers la couche céramique supérieure 21 et sont physiquement connectés aux surfaces de cathode 24 aux points de soudage 56. Les ports 50 comprennent aussi des points de soudage 54 qui s'étendent vers le haut et sont connectés physiquement à la surface de port 22. La surface de cathode 24 qui n'est pas coupée et la surface de port 22 présentent des points de soudure 56 qui représentent les points à travers la grille de semi-conducteurs 20 où les surfaces 22, 24 rencontrent respectivement les ports 50 et les cathodes 52. atrice de commutation 16 est fabriquée à l'aide d'une structure de type flaire similaire à celle utilisée dans les dispositifs l'v'IOSFET et 1GBT. La matrice de commutation 16 utilise une technologie planaire standard par opposition à une diffusion en profondeur et est fabriquée à l'aide d'une technique d'amélioration d'extrémité de raccordement JTE qui maintient le courant de fuite du bord à un niveau bas et prévisible. La matrice de commutation 16 avec son capuchon céramique 21 et les surfaces de port et de cathode 22, 24 peuvent être obtenues auprès de Silicon Power Corp. de Malvern, Pennsylvanie, USA (www.siliconpower.com) qui produit ce composant utilisant une matrice de commutation JTE disponible chez Micrel Inc. de San Jose, Californie, USA (www.micrel.com). L'ensemble de commutation fini 10 peut être fixé à une carte de circuit imprimé et soudé dans un circuit à l'aide de techniques traditionnelles. Cependant, en plus de l'imprégnation de l'ensemble de commutation 10 dans un paquet pour être utilisé comme un composant distinct qui est ensuite soudé à une carte de circuit imprimé via les prolongateurs de bornes 34, 36, 42, la configuration de la matrice de commutation 16 lui permet d'être montée directement sur une carte de circuit imprimé en tant que dispositif de surface par soudage de l'anode directement à une surface sur la carte de circuit imprimé et en utilisant ensuite des bornes de conducteurs pour connecter la surface de port 22 et les surfaces de cathode 24 aux surfaces de dessus sur la carte de circuit imprimé. Ceci est illustré sur la figure 8. Une bague d'étanchéité 60 en plastique par exemple peut être placée sur la carte de circuit imprimé 62 autour de la matrice de commutation 16 et des bornes de conducteurs 64, 66 et ensuite du matériau d'imprégnation versé dans la bague d'étanchéité pour encastrer complètement la matrice de commutation et les bornes de conducteurs dans le matériau d'imprégnation directement sur la carte de circuit imprimé. Comme avec d'autres composants de la carte de circuit imprimé, la matrice de commutation peut être placée et soudée d'une manière automatisée en utilisant, par exemple, une machine bras-transfert. Dans n'importe lequel des modes de réalisation, l'imprégnation des composants peut être effectuée par du matériau d'imprégnation doté d'un faible coefficient de dilatation thermique de manière à s'adapter étroitement aux propriétés de la matrice de commutation 16. Par exemple, des matériaux d'imprégnation disponibles sur le marché comme Henkel HysolTM FP4651 et HysolTm FP445OLV p: ent être utilisés à cet effet. L'ensemble de commutation 10 peut être utilisé dans diverses applications haute tension pour lesquelles un faible courant de fuite est souhaitable. Par exemple, st utile dans des systèmes d'allumage d'avion, comme des systèmes d'allumage à décharge capacitive pour moteurs d'avion à turbine. On pense que l'utilisation des bornes de conducteurs illustrées pour toutes les connexions à la matrice de commutation, plutôt que par micro-câblage, contribue à la capacité de l'ensemble de commutation à présenter des vitesses de commutation de courant très élevées (di/dt) en procurant à la matrice de commutation des connexions inductives très faibles. Les bornes et prolongateurs de conducteurs utilisés dans la grille de connexion 26, ainsi que les bornes de conducteurs illustrés sur la figure 8 peuvent être faits par un estampage traditionnel et/ou d'autres techniques de formation du métal.
Il faut comprendre que la description précédente n'est pas une définition de l'invention mais une description d'un ou de plusieurs modes de réalisation préférés de l'invention. L'invention n'est pas limitée au(x) mode(s) de réalisation particulier(s) décrits ici mais est plutôt définie uniquement par les revendications ci-dessous. En outre, les déclarations contenues dans la description précédente concernent des modes de réalisation particuliers et ne sont pas construites comme des limites au domaine de l'invention ou sur la définition des termes utilisés dans les revendications, sauf lorsqu'un terme ou une phrase sont expressément définis ci-dessus. Divers autres modes de réalisation et divers changements et modifications apportés au(x) mode(s) de réalisation décrit(s) deviendront évidents pour les hommes du métier. Par exemple plutôt que d'utiliser une surface en cuivre 14 fixée à la céramique 12, une pâte métallique peut être écrantée sur la céramique qui est durcie au four. La matrice de commutation 16 peut ensuite être soudée sur cette pâte durcie par des techniques de soudage courantes. Un autre exemple est donné par les dimensions de la coque d'imprégnation 44 qui peut être la même que celle du substrat 12 de sorte que le composant fini n'a pas le bec inférieur visible comme le montre la figure 2A. Autre exemple encore : les conducteurs 34, 36 et 42 illustrés sur les figures 1 - 4 peuvent être orientés dans l'alignement les uns des autres plutôt que dans la configuration angulaire indiquée. Tous ces autres modes de réalisation, changements modifications ont pour but d'entrer dans le domaine des revendications associées.
Comme cela est utilisé dans cette spécification et dans ces revendications, les termes par exemple et tel que et les verbes comprenant , ayant , incluant et leurs autres formes verbales, en coordination avec une liste d'un ou de plusieurs composants ou autres articles, doivent être construits chacun de manière extensible, ce qui signifie que la liste ne doit pas exclure d'autres composants ou articles supplémentaires. D'autres termes doivent être construits au sens raisonnable le plus large, sauf s'ils sont utilisés dans un contexte qui requiert une interprétation différente.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation ci-dessus décrits et représentés, à partir desquels on pourra prévoir d'autres modes et d'autres formes de réalisation, sans pour autant sortir du cadre de l'invention.

Claims (2)

REVENDICATIONS
1. Ensemble de commutation (IO) comprenant : une carte de circuit imprimé ayant une première, une seconde et une troisième surfaces de circuit sur une surface de ladite carte de circuit imprimé et une matrice de commutation (16) ayant une anode (18), un port (20) et une cathode (24) dans laquelle ladite anode (18) est soudée directement à ladite première surface et lesdits port et cathode sont connectés électriquement aux dites seconde et troisième surfaces, respectivement via des bornes de conducteurs.
2. Ensemble de commutation (10) selon la revendication 1, dans lequel ladite 0 matrice de commutation (16) et les bornes de conducteurs sont encapsulées dans un matériau d'imprégnation (48).
FR0950465A 2007-08-20 2009-01-26 Ensemble de commutation pour un systeme d'allumage d'avion Active FR2927762B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US95680107P 2007-08-20 2007-08-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2927762A1 true FR2927762A1 (fr) 2009-08-21
FR2927762B1 FR2927762B1 (fr) 2011-07-15

Family

ID=39812202

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0855649A Active FR2920263B1 (fr) 2007-08-20 2008-08-20 Ensemble de commutation pour un systeme d'allumage d'avion
FR0950465A Active FR2927762B1 (fr) 2007-08-20 2009-01-26 Ensemble de commutation pour un systeme d'allumage d'avion

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR0855649A Active FR2920263B1 (fr) 2007-08-20 2008-08-20 Ensemble de commutation pour un systeme d'allumage d'avion

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7880281B2 (fr)
JP (1) JP5683777B2 (fr)
CN (1) CN101373753A (fr)
FR (2) FR2920263B1 (fr)
GB (1) GB2452594B (fr)
HK (1) HK1131257A1 (fr)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9622331B2 (en) 2012-12-26 2017-04-11 Unison Industries, Llc Discharge switch device for ignition excitation system
US10030584B2 (en) 2016-01-21 2018-07-24 Champion Aerospace Llc Solid state spark device and exciter circuit using such a device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5787139A (en) * 1980-11-19 1982-05-31 Hitachi Ltd Semiconductor device
DE3309679A1 (de) * 1983-03-17 1984-09-20 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement mit giessharzfuellung
JPS6148947A (ja) * 1984-08-16 1986-03-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS61148845A (ja) * 1984-12-21 1986-07-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH07118514B2 (ja) * 1989-04-24 1995-12-18 株式会社東芝 半田バンプ型半導体装置
US5731970A (en) * 1989-12-22 1998-03-24 Hitachi, Ltd. Power conversion device and semiconductor module suitable for use in the device
JP2883787B2 (ja) * 1993-07-20 1999-04-19 富士電機株式会社 パワー半導体装置用基板
US5592118A (en) * 1994-03-09 1997-01-07 Cooper Industries, Inc. Ignition exciter circuit with thyristors having high di/dt and high voltage blockage
JP2988243B2 (ja) * 1994-03-16 1999-12-13 株式会社日立製作所 パワー混成集積回路装置
JPH11330283A (ja) * 1998-05-15 1999-11-30 Toshiba Corp 半導体モジュール及び大型半導体モジュール
JP3557143B2 (ja) * 2000-01-19 2004-08-25 三洋電機株式会社 スイッチング素子のベアチップの実装構造
FR2811475B1 (fr) * 2000-07-07 2002-08-23 Alstom Procede de fabrication d'un composant electronique de puissance, et composant electronique de puissance ainsi obtenu
JP3923716B2 (ja) * 2000-09-29 2007-06-06 株式会社東芝 半導体装置
JP4085639B2 (ja) * 2002-01-28 2008-05-14 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2003258180A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003258179A (ja) * 2002-02-28 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2003264265A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Mitsubishi Electric Corp 電力用半導体装置
JP2004088022A (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Toshiba Corp 大電力用半導体装置
US7285849B2 (en) * 2005-11-18 2007-10-23 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor die package using leadframe and clip and method of manufacturing
US8198712B2 (en) * 2006-06-07 2012-06-12 International Rectifier Corporation Hermetically sealed semiconductor device module

Also Published As

Publication number Publication date
GB2452594A (en) 2009-03-11
HK1131257A1 (en) 2010-01-15
US20090050931A1 (en) 2009-02-26
CN101373753A (zh) 2009-02-25
GB0815061D0 (en) 2008-09-24
JP2009049414A (ja) 2009-03-05
JP5683777B2 (ja) 2015-03-11
US7880281B2 (en) 2011-02-01
GB2452594B (en) 2012-04-25
FR2927762B1 (fr) 2011-07-15
FR2920263A1 (fr) 2009-02-27
FR2920263B1 (fr) 2019-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2192612B1 (fr) Procédé pour empiler et interconnecter des circuits intégrés
EP0221616B1 (fr) Composant opto-électronique pour montage en surface et son procédé de fabrication
FR2842352A1 (fr) Dispositif a semiconducteur de puissance
FR2837022A1 (fr) Dispositif a semiconducteur de puissance
WO2006032611A1 (fr) Dispositif electronique avec repartiteur de chaleur integre
EP0673068B1 (fr) Dispositif de protection contre des surtensions dans des circuits intégrés
FR2829874A1 (fr) Systeme a semi-conducteur a boitier et enveloppe
EP0593330B1 (fr) Procédé d'interconnexion 3D de boítiers de composants électroniques, et composant 3D en résultant
EP3176919B1 (fr) Connecteur electrique destine a etre connecte electriquement a une source d'energie electrique
FR2720190A1 (fr) Procédé de raccordement des plages de sortie d'une puce à circuit intégré, et module multipuces ainsi obtenu.
JP2011192847A (ja) 電極構造及び当該電極構造を備えたマイクロデバイス用パッケージ
FR2920263B1 (fr) Ensemble de commutation pour un systeme d'allumage d'avion
FR2559956A1 (fr) Boitier en metal et resine pour dispositif a semi-conducteur, susceptible d'etre fixe sur un dissipateur non parfaitement plan, et son procede de fabrication
FR3093230A1 (fr) Boîtier de puce électronique
FR2503526A1 (fr) Boitier et procede de montage et d'interconnexion de composants semiconducteurs de moyenne puissance en boitier unique.
FR2556916A1 (fr) Procede pour fabriquer un substrat de circuit electronique presentant une ou plusieurs ouvertures traversantes
FR3055166A1 (fr) Procede de connection intercomposants a densite optimisee
FR3085576A1 (fr) Couvercle pour boitier de circuit integre
FR2793990A1 (fr) Boitier electronique sur plaque et procede de fabrication d'un tel boitier
FR2516311A1 (fr) Socle pour le montage d'une pastille semi-conductrice sur l'embase d'un boitier d'encapsulation, et procede de realisation de ce socle
FR2777385A1 (fr) Eclateur vertical pour circuits microelectroniques et son procede de fabrication
EP1192592A1 (fr) Dispositif et procede de fabrication de dispositifs electroniques comportant au moins une puce fixee sur un support
FR2574594A1 (fr) Structure integree de triac a commande par diac
FR3041147A1 (fr) Procede d'integration d'au moins une interconnexion 3d pour la fabrication de circuit integre
FR3015855A1 (fr) Boiter pour carte electronique

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 8

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 9

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 10

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 11

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 12

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 13

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 14

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 15

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 16