JPH07245549A - 高電圧パルス発生装置 - Google Patents
高電圧パルス発生装置Info
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- JPH07245549A JPH07245549A JP3273794A JP3273794A JPH07245549A JP H07245549 A JPH07245549 A JP H07245549A JP 3273794 A JP3273794 A JP 3273794A JP 3273794 A JP3273794 A JP 3273794A JP H07245549 A JPH07245549 A JP H07245549A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＯＮ，ＯＦＦのタイミングのずれによるスイ
ッチ手段の破損をなくし、高電圧・大容量化を容易にす
る。 【構成】 高電圧ＶH／２で充電されるコンデンサ２Ｃ
０と、コンデンサ２Ｃ０からパルス電圧を出力させる半
導体スイッチＱと、このパルス電圧を昇圧するパルスト
ランスＰＴからなる回路を複数用い、複数のパルストラ
ンスＰＴの二次側Ｓを直列に接続し、二次側Ｓ＋Ｓの高
電圧で磁気スイッチＳＩ１を介してコンデンサＣ１を充
電する。コンデンサＣ１に電荷を移行すると同時に飽和
される磁気スイッチＳＩ１２を介してコンデンサＣ１か
らコンデンサＣＰに電荷が移行しパルス圧縮され、負荷
Ｌに高電圧・大電流パルスを出力する。半導体スイッチ
Ｑを直列又は並列に接続することなく使用できるので、
ＯＮ，ＯＦＦのタイミングにずれがあっても過電圧，過
電流は発生しないので故障することはない。
ッチ手段の破損をなくし、高電圧・大容量化を容易にす
る。 【構成】 高電圧ＶH／２で充電されるコンデンサ２Ｃ
０と、コンデンサ２Ｃ０からパルス電圧を出力させる半
導体スイッチＱと、このパルス電圧を昇圧するパルスト
ランスＰＴからなる回路を複数用い、複数のパルストラ
ンスＰＴの二次側Ｓを直列に接続し、二次側Ｓ＋Ｓの高
電圧で磁気スイッチＳＩ１を介してコンデンサＣ１を充
電する。コンデンサＣ１に電荷を移行すると同時に飽和
される磁気スイッチＳＩ１２を介してコンデンサＣ１か
らコンデンサＣＰに電荷が移行しパルス圧縮され、負荷
Ｌに高電圧・大電流パルスを出力する。半導体スイッチ
Ｑを直列又は並列に接続することなく使用できるので、
ＯＮ，ＯＦＦのタイミングにずれがあっても過電圧，過
電流は発生しないので故障することはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種パルスレーザやパ
ルスプラズマ発生器、パルス応用装置のパルス発生用電
源回路、特に、コロナ予備電離方式の励起回路に適する
高電圧パルス発生装置に関する。
ルスプラズマ発生器、パルス応用装置のパルス発生用電
源回路、特に、コロナ予備電離方式の励起回路に適する
高電圧パルス発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】パルスレーザ励起やパルスプラズマ発生
用のパルス電源には、（１）サイラトロンやトリガトロ
ンスイッチ等の放電スイッチを用いて直接高電圧・大電
流をスイッチしてパルスを発生させる方法と、（２）半
導体スイッチと可飽和リアクトル等の磁気スイッチを組
み合わせてパルス圧縮を行いパルスを発生させる方法が
ある。
用のパルス電源には、（１）サイラトロンやトリガトロ
ンスイッチ等の放電スイッチを用いて直接高電圧・大電
流をスイッチしてパルスを発生させる方法と、（２）半
導体スイッチと可飽和リアクトル等の磁気スイッチを組
み合わせてパルス圧縮を行いパルスを発生させる方法が
ある。
【０００３】後者の磁気スイッチには、（１）電圧・電
流を変換するパルストランス、（２）鉄心の飽和を利用
した磁気スイッチ、及び（３）電流反転をブロックする
ブロッキングリアクトル（可飽和リアクトル）がある。
これらの磁気スイッチの初期状態の設定は外部電源によ
り、各磁気スイッチを貫通又は巻回したりセット巻線に
直流電流を流して行う。
流を変換するパルストランス、（２）鉄心の飽和を利用
した磁気スイッチ、及び（３）電流反転をブロックする
ブロッキングリアクトル（可飽和リアクトル）がある。
これらの磁気スイッチの初期状態の設定は外部電源によ
り、各磁気スイッチを貫通又は巻回したりセット巻線に
直流電流を流して行う。
【０００４】従来磁気圧縮回路方式の高電圧パルス発生
装置の例を図５〜図７に示す。図５の装置は、直流高電
圧ＶHにより充電されているコンデンサＣ０の充電電荷
を直列に接続された半導体スイッチＱのＯＮにより磁気
スイッチＳＩ０を介して昇圧用パルストランスＰＴの一
次側Ｐに放電させ、パルストランスＰＴの二次側Ｓに磁
気スイッチＳＩ１を介して接続されたコンデンサＣ１に
移行させ、移行と同時に磁気スイッチＳＩ０及びＳＩ１
をＯＦＦ状態とすると共に、磁気スイッチＳＩ２を磁気
飽和させＯＮ状態としてコンデンサＣ１の電荷をピーキ
ングコンデンサＣＰに移行させて圧縮し、負荷のレーサ
装置Ｌに高電圧パルスを供給する。
装置の例を図５〜図７に示す。図５の装置は、直流高電
圧ＶHにより充電されているコンデンサＣ０の充電電荷
を直列に接続された半導体スイッチＱのＯＮにより磁気
スイッチＳＩ０を介して昇圧用パルストランスＰＴの一
次側Ｐに放電させ、パルストランスＰＴの二次側Ｓに磁
気スイッチＳＩ１を介して接続されたコンデンサＣ１に
移行させ、移行と同時に磁気スイッチＳＩ０及びＳＩ１
をＯＦＦ状態とすると共に、磁気スイッチＳＩ２を磁気
飽和させＯＮ状態としてコンデンサＣ１の電荷をピーキ
ングコンデンサＣＰに移行させて圧縮し、負荷のレーサ
装置Ｌに高電圧パルスを供給する。
【０００５】また、図６に示す装置は、一次側Ｐ１が図
５の場合と同様に構成されている昇圧用パルストランス
ＰＴの二次側Ｓ１に電圧・電流を変換する可飽和トラン
スＳＴを接続し、その二次側Ｓ２の電圧により磁気スイ
ッチＳＩ１を介してコンデンサＣ１を充電し、充電後可
飽和トランスＳＴを飽和させると共に、磁気スイッチＳ
Ｉ１をＯＦＦ状態としてコンデンサＣ１の電荷をピーキ
ングコンデンサＣＰに移行させて圧縮し、負荷のレーザ
装置Ｌに高電圧パルスを供給する。
５の場合と同様に構成されている昇圧用パルストランス
ＰＴの二次側Ｓ１に電圧・電流を変換する可飽和トラン
スＳＴを接続し、その二次側Ｓ２の電圧により磁気スイ
ッチＳＩ１を介してコンデンサＣ１を充電し、充電後可
飽和トランスＳＴを飽和させると共に、磁気スイッチＳ
Ｉ１をＯＦＦ状態としてコンデンサＣ１の電荷をピーキ
ングコンデンサＣＰに移行させて圧縮し、負荷のレーザ
装置Ｌに高電圧パルスを供給する。
【０００６】図７に示す装置は、図６の回路のパルスト
ランスＰＴの一次側に大きなパルス電流を流すためを断
続する半導体スイッチＱを並列にしたものである。
ランスＰＴの一次側に大きなパルス電流を流すためを断
続する半導体スイッチＱを並列にしたものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来装置において
半導体スイッチを直列又は並列に接続して使用している
のは、高電圧・大電流のパルスを出力させるためであ
る。
半導体スイッチを直列又は並列に接続して使用している
のは、高電圧・大電流のパルスを出力させるためであ
る。
【０００８】しかし、半導体スイッチを直列に接続した
場合、半導体スイッチのゲートに分担電圧が生じたり、
タイミングのずれから一つのスイッチがすべての電圧を
分担する状態が生じ、絶縁対策が必要になる。また、並
列接続の場合、素子のターンオンのタイミングがずれた
場合や一つのスイッチが故障した時他のスイッチが電流
容量の限界を越えて破壊する。
場合、半導体スイッチのゲートに分担電圧が生じたり、
タイミングのずれから一つのスイッチがすべての電圧を
分担する状態が生じ、絶縁対策が必要になる。また、並
列接続の場合、素子のターンオンのタイミングがずれた
場合や一つのスイッチが故障した時他のスイッチが電流
容量の限界を越えて破壊する。
【０００９】本発明は、従来のこのような問題点に鑑み
てなされたものであり、その目的とするところは、Ｏ
Ｎ，ＯＦＦのタイミングのずれ等に基くスイッチ手段の
破損をなくしうる高電圧パルス発生装置を提供すること
にある。
てなされたものであり、その目的とするところは、Ｏ
Ｎ，ＯＦＦのタイミングのずれ等に基くスイッチ手段の
破損をなくしうる高電圧パルス発生装置を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高電圧パルス発生装置は、高電圧に充電さ
れる第１のコンデンサの電圧をスイッチ手段を介して昇
圧用パルストランスの一次側に印加し、このパルストラ
ンスの二次側電圧により逆流を防止する磁気スイッチ又
は可飽和トランスを介して第２のコンデンサを充電する
回路を備えた高電圧パルス発生装置において、第１のコ
ンデンサ，スイッチ手段及び昇圧用パルストランスから
なる回路を複数使用し、複数のパルストランスの二次側
を直列に接続し、又は複数のパルストランスの二次側に
それぞれ可飽和トランスを接続してこの複数の可飽和ト
ランスの二次側を直列接続し、直列に接続したパルスト
ランスの二次側又は可飽和トランスの二次側電圧により
前記第２のコンデンサを充電する。または、複数のパル
ストランスの二次側を並列に接続し、可飽和トランスを
介して第２のコンデンサを充電する。
に、本発明の高電圧パルス発生装置は、高電圧に充電さ
れる第１のコンデンサの電圧をスイッチ手段を介して昇
圧用パルストランスの一次側に印加し、このパルストラ
ンスの二次側電圧により逆流を防止する磁気スイッチ又
は可飽和トランスを介して第２のコンデンサを充電する
回路を備えた高電圧パルス発生装置において、第１のコ
ンデンサ，スイッチ手段及び昇圧用パルストランスから
なる回路を複数使用し、複数のパルストランスの二次側
を直列に接続し、又は複数のパルストランスの二次側に
それぞれ可飽和トランスを接続してこの複数の可飽和ト
ランスの二次側を直列接続し、直列に接続したパルスト
ランスの二次側又は可飽和トランスの二次側電圧により
前記第２のコンデンサを充電する。または、複数のパル
ストランスの二次側を並列に接続し、可飽和トランスを
介して第２のコンデンサを充電する。
【００１１】
【作用】複数のパルストランスの二次側、又は複数のパ
ルストランスに接続される可飽和トランスの二次側を直
列に接続した場合は、直列に接続されたパルストランス
又は可飽和トランスの二次側電圧は、１個のパルストラ
ンス又は可飽和トランスから出力される電圧の複数倍と
なるので、装置の出力は複数倍となる。
ルストランスに接続される可飽和トランスの二次側を直
列に接続した場合は、直列に接続されたパルストランス
又は可飽和トランスの二次側電圧は、１個のパルストラ
ンス又は可飽和トランスから出力される電圧の複数倍と
なるので、装置の出力は複数倍となる。
【００１２】このため、パルストランス回路を素子数１
のスイッチ手段使用回路としても高電圧・大電流パルス
の出力が可能となる。スイッチ手段毎にパルストランス
が設けられているので、ＯＮ，ＯＦＦタイミングのずれ
による故障がなくなる。
のスイッチ手段使用回路としても高電圧・大電流パルス
の出力が可能となる。スイッチ手段毎にパルストランス
が設けられているので、ＯＮ，ＯＦＦタイミングのずれ
による故障がなくなる。
【００１３】また、複数のパルストランスの二次側を並
列に接続し、可飽和トランスを介して第２のコンデンサ
を充電する場合は、複数のパルストランスの並列に接続
された二次側から可飽和トランスの一次側に入力する電
荷は１個のパルストランスを使用した場合の複数倍とな
り、第２のコンデンサに充電させる電荷は複数倍となる
ので、装置の出力は複数倍となる。
列に接続し、可飽和トランスを介して第２のコンデンサ
を充電する場合は、複数のパルストランスの並列に接続
された二次側から可飽和トランスの一次側に入力する電
荷は１個のパルストランスを使用した場合の複数倍とな
り、第２のコンデンサに充電させる電荷は複数倍となる
ので、装置の出力は複数倍となる。
【００１４】このため、パルストランス回路を素子数１
のスイッチ手段使用回路としても高電圧・大電流パルス
の出力が可能となる。スイッチ手段毎にパルストランス
が設けられているのでＯＮ，ＯＦＦタイミングのずれに
よる故障がなくなる。
のスイッチ手段使用回路としても高電圧・大電流パルス
の出力が可能となる。スイッチ手段毎にパルストランス
が設けられているのでＯＮ，ＯＦＦタイミングのずれに
よる故障がなくなる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１〜図４に各実施例の高電圧パルス発生装置の
回路構成を示す。なお、各実施例において、同一構成部
分には同一符号を付してその重複する説明を省略する。
する。図１〜図４に各実施例の高電圧パルス発生装置の
回路構成を示す。なお、各実施例において、同一構成部
分には同一符号を付してその重複する説明を省略する。
【００１６】実施例１ 図１について、パルストランスＰＴを２個使用し、その
一次側の回路は、それぞれ直流高電圧ＶH／２で充電さ
れるコンデンサ２Ｃ０と、このコンデンサ２Ｃ０に接続
された磁気スイッチＳＩ０とＥ１／２：Ｅ２／２のパル
ストランスＰＴの一次側Ｐ及び１ケの半導体スイッチＱ
からなる直列回路で構成されている。
一次側の回路は、それぞれ直流高電圧ＶH／２で充電さ
れるコンデンサ２Ｃ０と、このコンデンサ２Ｃ０に接続
された磁気スイッチＳＩ０とＥ１／２：Ｅ２／２のパル
ストランスＰＴの一次側Ｐ及び１ケの半導体スイッチＱ
からなる直列回路で構成されている。
【００１７】各パルストランスＰＴの二次側Ｓは出力パ
ルスが加算されるように直列に接続し、この直列に接続
された二次側Ｓ＋Ｓに、従来図５の回路同様に、磁気ス
イッチＳＩ１を介してコンデンサＣ１が接続され、この
コンデンサＣ１には磁気スイッチＳＩ２を介してピーキ
ングコンデンサと負荷としてのレーザ装置Ｌが接続され
ている。
ルスが加算されるように直列に接続し、この直列に接続
された二次側Ｓ＋Ｓに、従来図５の回路同様に、磁気ス
イッチＳＩ１を介してコンデンサＣ１が接続され、この
コンデンサＣ１には磁気スイッチＳＩ２を介してピーキ
ングコンデンサと負荷としてのレーザ装置Ｌが接続され
ている。
【００１８】次に、この実施例の動作について説明す
る。各半導体スイッチＱがＯＮすると、コンデンサ２Ｃ
０の充電電荷がパルストランスＰＴの一次側Ｐに放電す
る。
る。各半導体スイッチＱがＯＮすると、コンデンサ２Ｃ
０の充電電荷がパルストランスＰＴの一次側Ｐに放電す
る。
【００１９】コンデンサ２Ｃ０の容量及び直流高電圧Ｖ
H／２は従来図５のコンデンサＣ０容量の２倍及び直流
高電圧ＶHの１／２となっているので、上記放電により
コンデンサ２Ｃ０からパルストランスＰＴの二次側Ｓに
移行するパルス電圧，電流は、従来図５のコンデンサＣ
０からパルストランスＰＴの二次側Ｓに移行するパルス
電圧の１／２で電流は同じくなる。
H／２は従来図５のコンデンサＣ０容量の２倍及び直流
高電圧ＶHの１／２となっているので、上記放電により
コンデンサ２Ｃ０からパルストランスＰＴの二次側Ｓに
移行するパルス電圧，電流は、従来図５のコンデンサＣ
０からパルストランスＰＴの二次側Ｓに移行するパルス
電圧の１／２で電流は同じくなる。
【００２０】このため、２個のパルストランスの直列に
接続された二次側Ｓ＋Ｓから出力されるパルス電圧，電
流は従来図５の場合と同じくなる。そして、このパルス
トランスＰＴの二次側Ｓ＋Ｓに接続されている回路は従
来図５の場合と同じであるので、従来同様の高電圧パル
スを出力する。
接続された二次側Ｓ＋Ｓから出力されるパルス電圧，電
流は従来図５の場合と同じくなる。そして、このパルス
トランスＰＴの二次側Ｓ＋Ｓに接続されている回路は従
来図５の場合と同じであるので、従来同様の高電圧パル
スを出力する。
【００２１】実施例２ 図２について、パルストランスＰＴを２個使用し、その
一次側Ｐ１の回路は、それぞれ実施例１（図１）と同様
に構成され、その各二次側Ｓ1にそれぞれ可飽和トラン
スＳＴを接続されている。
一次側Ｐ１の回路は、それぞれ実施例１（図１）と同様
に構成され、その各二次側Ｓ1にそれぞれ可飽和トラン
スＳＴを接続されている。
【００２２】各可飽和トランスＳＴの二次側Ｓ2は出力
パルス電圧が加算されるように直列に接続され、この直
列に接続された二次側Ｓ2＋Ｓ2に、従来図６の回路と同
様に、コンデンサＣ１と磁気スイッチＳＩ１が直列に接
続され、この磁気スイッチＳＩ１と並列にピーキングコ
ンデンサＣＰ及び負荷のレーザ装置Ｌが接続されてい
る。
パルス電圧が加算されるように直列に接続され、この直
列に接続された二次側Ｓ2＋Ｓ2に、従来図６の回路と同
様に、コンデンサＣ１と磁気スイッチＳＩ１が直列に接
続され、この磁気スイッチＳＩ１と並列にピーキングコ
ンデンサＣＰ及び負荷のレーザ装置Ｌが接続されてい
る。
【００２３】各パルストランスＰＴの一次側Ｐ1の回路
は実施例１同様に構成されているので、各パルストラン
スＰＴの二次側Ｓ１に移行するパルス電圧，電流は従来
図５のコンデンサＣ０からパルストランスＰＴの二次側
Ｓ1に移行するパルス電圧の１／２で電流は同じくな
る。この各パルストランスＰＴの二次側Ｓ1のパルス電
圧はそれぞれ可飽和トランスＳＴにより昇圧され、直列
に接続された二次側Ｓ2＋Ｓ2により加算される。
は実施例１同様に構成されているので、各パルストラン
スＰＴの二次側Ｓ１に移行するパルス電圧，電流は従来
図５のコンデンサＣ０からパルストランスＰＴの二次側
Ｓ1に移行するパルス電圧の１／２で電流は同じくな
る。この各パルストランスＰＴの二次側Ｓ1のパルス電
圧はそれぞれ可飽和トランスＳＴにより昇圧され、直列
に接続された二次側Ｓ2＋Ｓ2により加算される。
【００２４】可飽和パルストランスＳＴの二次側Ｓ1＋
Ｓ1に接続されている回路は従来図６の場合と同じであ
るので、従来図６と同様に動作して高電圧パルスを出力
する。なお、可飽和トランスＳＴがコンデンサＣ１の充
電後飽和制御されると同時に磁気スイッチＳＩ１はオフ
する。
Ｓ1に接続されている回路は従来図６の場合と同じであ
るので、従来図６と同様に動作して高電圧パルスを出力
する。なお、可飽和トランスＳＴがコンデンサＣ１の充
電後飽和制御されると同時に磁気スイッチＳＩ１はオフ
する。
【００２５】実施例３ 図３について、この回路は、実施例２（図２）の２個の
パルストランスＰＴの二次側Ｓ1及び２個の可飽和トラ
ンスＳＴの一次側Ｐ2をそれぞれパルス電圧が加算され
るように直列に接続したものである。したがって、各パ
ルストランスＰＴの出力パルス電圧及び各可飽和トラン
スの入力パルス電圧は実施例２の場合と変りがないの
で、この実施例は実施例２と同様に動作する。
パルストランスＰＴの二次側Ｓ1及び２個の可飽和トラ
ンスＳＴの一次側Ｐ2をそれぞれパルス電圧が加算され
るように直列に接続したものである。したがって、各パ
ルストランスＰＴの出力パルス電圧及び各可飽和トラン
スの入力パルス電圧は実施例２の場合と変りがないの
で、この実施例は実施例２と同様に動作する。
【００２６】上記実施例１〜３によれば、従来半導体ス
イッチＱを直列に接続して使用しなければ出力し得なか
った高電圧・大電流の高電圧パルスを、半導体スイッチ
を直列に使用することなく出力させることができる。
イッチＱを直列に接続して使用しなければ出力し得なか
った高電圧・大電流の高電圧パルスを、半導体スイッチ
を直列に使用することなく出力させることができる。
【００２７】実施例４ 図４について、パルストランスＰＴを２個使用し、その
一次側回路を、それぞれ直流高電圧ＶHで充電されるコ
ンデンサＣ０／２と、このコンデンサに直列に接続され
た磁気スイッチＳＩ０とパルストランスＰＴの一次側及
び１ケの半導体スイッチＱで構成する。
一次側回路を、それぞれ直流高電圧ＶHで充電されるコ
ンデンサＣ０／２と、このコンデンサに直列に接続され
た磁気スイッチＳＩ０とパルストランスＰＴの一次側及
び１ケの半導体スイッチＱで構成する。
【００２８】２個のパルストランスの二次側Ｓ1は並列
に接続され、この二次側Ｓ1に可飽和トランスＳＴが接
続され、その二次側Ｓ2には、従来図６の回路と同様
に、コンデンサＣ１と磁気スイッチＳＩ１が直列に接続
され、この磁気スイッチＳＩ１と並列にピーキングコン
デンサＣＰ及び負荷のレーザ装置Ｌが接続されている。
に接続され、この二次側Ｓ1に可飽和トランスＳＴが接
続され、その二次側Ｓ2には、従来図６の回路と同様
に、コンデンサＣ１と磁気スイッチＳＩ１が直列に接続
され、この磁気スイッチＳＩ１と並列にピーキングコン
デンサＣＰ及び負荷のレーザ装置Ｌが接続されている。
【００２９】次に、この実施例の動作について説明す
る。各半導体スイッチＱがＯＮすると、コンデンサＣ０
／２の充電電荷がパルストランスＰＴの一次側Ｐ1に放
電する。
る。各半導体スイッチＱがＯＮすると、コンデンサＣ０
／２の充電電荷がパルストランスＰＴの一次側Ｐ1に放
電する。
【００３０】コンデンサ２０／２の容量は従来図６のコ
ンデンサＣ０の１／２で直流高電圧ＶHの電圧は同じで
あるので、上記放電によりコンデンサＣ０／２からパル
ストランスＰＴの二次側Ｓ1に移行するパルスの電圧，
電流は従来図６のコンデンサＣ０からパルストランスＰ
Ｔの二次側Ｓ1に移行するパルスの電圧と同じで電流は
１／２となる。
ンデンサＣ０の１／２で直流高電圧ＶHの電圧は同じで
あるので、上記放電によりコンデンサＣ０／２からパル
ストランスＰＴの二次側Ｓ1に移行するパルスの電圧，
電流は従来図６のコンデンサＣ０からパルストランスＰ
Ｔの二次側Ｓ1に移行するパルスの電圧と同じで電流は
１／２となる。
【００３１】２個のパルストランスＰＴの二次側Ｓ1は
並列に接続されているので、可飽和トランスＳＴの一次
電流は従来図６の場合と同じくなる。そして、この可飽
和トランスの二次側に接続されている回路は従来図６と
同じであるので、従来同様の高電圧パルスを出力する。
並列に接続されているので、可飽和トランスＳＴの一次
電流は従来図６の場合と同じくなる。そして、この可飽
和トランスの二次側に接続されている回路は従来図６と
同じであるので、従来同様の高電圧パルスを出力する。
【００３２】上記実施例４によれば、従来半導体スイッ
チＱを並列に接続して使用しなければ出力し得なかった
高電圧・大電流の高電圧パルスを、半導体スイッチを並
列に使用することなく出力させることができる。
チＱを並列に接続して使用しなければ出力し得なかった
高電圧・大電流の高電圧パルスを、半導体スイッチを並
列に使用することなく出力させることができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明は、上述のとおり構成されている
ので、次に記載する効果を奏する。
ので、次に記載する効果を奏する。
【００３４】（１）スイッチ手段毎にパルストランス設
けているので、各スイッチング手段間にＯＮ，ＯＦＦの
タイミングのずれがあっても過電圧又は過電流が発生し
て故障することはない。
けているので、各スイッチング手段間にＯＮ，ＯＦＦの
タイミングのずれがあっても過電圧又は過電流が発生し
て故障することはない。
【００３５】（２）このため高電圧・大容化が容易とな
る。
る。
【図１】実施例１回路構成図。
【図２】実施例２を示す回路構成図。
【図３】実施例３を示す回路構成図。
【図４】実施例４を示す回路構成図。
【図５】従来例１を示す回路構成図。
【図６】従来例２を示す回路構成図。
【図７】従来例３を示す回路構成図。
Ｃ０，Ｃ１，２Ｃ０，Ｃ０／２…コンデンサ ＣＰ…ピーキングコンデンサ Ｌ…レーザ装置（負荷） ＰＴ…パルストランス Ｑ…半導体スイッチ ＳＩ０，ＳＩ１，ＳＩ２…磁気スイッチ（可飽和リアク
トル） ＳＴ…可飽和トランス ＶH，ＶH／２…直流高電圧
トル） ＳＴ…可飽和トランス ＶH，ＶH／２…直流高電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 喜芳 東京都品川区大崎２丁目１番17号 株式会 社明電舎内 (72)発明者 佐久川 貴志 東京都品川区大崎２丁目１番17号 株式会 社明電舎内
Claims (4)
- 【請求項１】 それぞれ高電圧に充電される複数の第１
のコンデンサと、この複数の第１のコンデンサからそれ
ぞれパルス電圧を出力させる各のスイッチ手段と、前記
各パルス電圧をそれぞれ昇圧しかつ二次側が直列に接続
された複数のパルストランスと、この複数のパルストラ
ンスの直列に接続された二次側電圧で充電される第２の
コンデンサと、この第２のコンデンサの電荷の逆流を防
ぐ第１の磁気スイッチと、前記第１のコンデンサの電荷
が第２のコンデンサに移行と同時に磁気飽和させられる
第２の磁気スイッチと、この第２の磁気スイッチを介し
前記第２のコンデンサから移行する電荷をパルス圧縮し
て出力する第３のコンデンサとを備えてなることを特徴
とした高電圧パルス発生装置。 - 【請求項２】 それぞれ高電圧に充電される複数の第１
のコンデンサと、この複数の第１のコンデンサからそれ
ぞれパルス電圧を出力させる各スイッチ手段と、前記各
パルス電圧をそれぞれ昇圧する複数のパルストランス
と、この複数のパルストランスにそれぞれ接続され、か
つ二次側が直列に接続された充電出力完了時間で磁気飽
和される複数の可飽和トランスと、この複数の可飽和ト
ランスの直列に接続された二次側電圧で充電される第２
のコンデンサとを備えてなることを特徴とした高電圧パ
ルス発生装置。 - 【請求項３】 それぞれ高電圧に充電される複数の第１
のコンデンサと、この複数の第１のコンデンサからそれ
ぞれパルス電圧を出力させる各スイッチ手段と、前記各
パルス電圧をそれぞれ昇圧し、かつ二次側が直列に接続
された複数のパルストランスと、この複数のパルストラ
ンスの直列に接続された二次側に、一次側を直列にして
接続され、かつ二次側が直列に接続された出力完了時間
で磁気飽和される複数の可飽和トランスと、この複数の
可飽和トランスの直列に接続された二次側電圧により充
電される第２のコンデンサとを備えてなることを特徴と
する高電圧パルス発生装置。 - 【請求項４】 それぞれ高電圧に充電される複数の第１
のコンデンサと、この複数の第１のコンデンサからそれ
ぞれパルス電圧を出力させる各スイッチ手段と、前記各
パルス電圧をそれぞれ昇圧する二次側が並列に接続され
た複数のパルストランスと、この複数のパルストランス
の並列に接続された二次側に接続された充電出力完了時
間で磁気飽和される可飽和トランスと、この可飽和トラ
ンスの二次側電圧で充電される第２のコンデンサとを備
えてなることを特徴とする高電圧パルス発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273794A JPH07245549A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 高電圧パルス発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3273794A JPH07245549A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 高電圧パルス発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07245549A true JPH07245549A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12367154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3273794A Pending JPH07245549A (ja) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 高電圧パルス発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07245549A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002046726A (ja) * | 2000-05-26 | 2002-02-12 | Kanazawa Inst Of Technology | 高分子化合物製容器の表面改質方法とその装置 |
| JP2002280648A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Gigaphoton Inc | 高電圧パルス発生装置及び露光用放電励起ガスレーザ装置 |
| JP2007288466A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Meidensha Corp | パルス電源 |
| JP2009099472A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Shishido Seidenki Kk | 送風式イオン生成装置 |
| JP2013172493A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Meidensha Corp | パルス電源装置 |
| WO2016152738A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 国立大学法人長岡技術科学大学 | 高電圧パルス発生装置及びガスレーザ装置 |
-
1994
- 1994-03-03 JP JP3273794A patent/JPH07245549A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2016151796A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 国立大学法人長岡技術科学大学 | 高電圧パルス発生装置及びガスレーザ装置 |
| JPWO2016152738A1 (ja) * | 2015-03-25 | 2018-01-11 | 国立大学法人長岡技術科学大学 | 高電圧パルス発生装置及びガスレーザ装置 |
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