JP2002151769A - パルス放電回路 - Google Patents
パルス放電回路Info
- Publication number
- JP2002151769A JP2002151769A JP2000346228A JP2000346228A JP2002151769A JP 2002151769 A JP2002151769 A JP 2002151769A JP 2000346228 A JP2000346228 A JP 2000346228A JP 2000346228 A JP2000346228 A JP 2000346228A JP 2002151769 A JP2002151769 A JP 2002151769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- capacitor
- magnetic
- magnetic switch
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パルス圧縮比を増大し、各スパークギャップ
予備電離のばらつきを低減する。 【解決手段】 パルストランス２２を並列化することで
飽和後のインダクタンスを低減し、パルス圧縮比を大き
くすると共に、パルストランス飽和後に発生する逆電圧
を利用してスパークギャップ予備電離を開始させる。
予備電離のばらつきを低減する。 【解決手段】 パルストランス２２を並列化することで
飽和後のインダクタンスを低減し、パルス圧縮比を大き
くすると共に、パルストランス飽和後に発生する逆電圧
を利用してスパークギャップ予備電離を開始させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パルス放電回路に
係り、特に、静電誘導（ＳＩ）サイリスタのような電力
用半導体スイッチ素子を用いて、炭酸ガスレーザ励起用
のパルスを形成する際に用いるのに好適な、小型で、且
つ、簡単な回路により、従来にない高い昇圧比とパルス
圧縮比を達成することが可能なパルス放電回路に関す
る。
係り、特に、静電誘導（ＳＩ）サイリスタのような電力
用半導体スイッチ素子を用いて、炭酸ガスレーザ励起用
のパルスを形成する際に用いるのに好適な、小型で、且
つ、簡単な回路により、従来にない高い昇圧比とパルス
圧縮比を達成することが可能なパルス放電回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ガスレーザ、例えば炭酸ガスレーザを励
起するためのレーザパルス放電回路は、例えば、図２に
示す如く、主にパルス発生回路部Ａと、磁気パルス圧縮
回路部Ｂと、電極部Ｃとから構成されている。
起するためのレーザパルス放電回路は、例えば、図２に
示す如く、主にパルス発生回路部Ａと、磁気パルス圧縮
回路部Ｂと、電極部Ｃとから構成されている。
【０００３】前記パルス発生回路部Ａは、充電用の電源
（充電電源と称する）１０と、該充電電源１０に対して
直列に接続された、抵抗１２及び電力用半導体スイッチ
素子（例えばＳＩサイリスタ）１４と、前記抵抗１２と
半導体スイッチ素子１４のアノードＡとの接続点に一点
を接続した、磁性体のヒテリシス特性により流れる電流
を遅らせることで、半導体スイッチ素子１４の損失を低
減するための磁気アシスト１６と、該磁気アシスト１６
の他端に接続した、前記充電電源１０から供給されるエ
ネルギーを貯えるためのチャージングキャパシタ１８
と、前記磁気アシスト１６及びチャージングキャパシタ
１８を介して半導体スイッチ素子１４の両端に一次側巻
線を接続したパルストランス２０とで構成されている。
（充電電源と称する）１０と、該充電電源１０に対して
直列に接続された、抵抗１２及び電力用半導体スイッチ
素子（例えばＳＩサイリスタ）１４と、前記抵抗１２と
半導体スイッチ素子１４のアノードＡとの接続点に一点
を接続した、磁性体のヒテリシス特性により流れる電流
を遅らせることで、半導体スイッチ素子１４の損失を低
減するための磁気アシスト１６と、該磁気アシスト１６
の他端に接続した、前記充電電源１０から供給されるエ
ネルギーを貯えるためのチャージングキャパシタ１８
と、前記磁気アシスト１６及びチャージングキャパシタ
１８を介して半導体スイッチ素子１４の両端に一次側巻
線を接続したパルストランス２０とで構成されている。
【０００４】前記磁気パルス圧縮回路部Ｂは、前記パル
ストランス２０の二次側巻線から得られるパルスを、よ
り急峻に圧縮するためのもので、前記パルストランス２
０の二次側巻線から得られる昇圧パルスによって充電さ
れるキャパシタ３０と、該キャパシタ３０と直列に接続
された磁気スイッチ３２と、該磁気スイッチ３２と並列
に接続された２段目のキャパシタ３４と、該キャパシタ
３４と並列に接続された２段目の磁気スイッチ３６と、
磁気スイッチにおける磁性体の磁束密度の変化量をでき
るだけ多くするために、予め飽和電流が流れる方向と逆
方向に定電流を流して、各磁気スイッチ３２、３６のコ
アを予めリセットするためのリセット回路（定電流源）
３８とで構成されている。
ストランス２０の二次側巻線から得られるパルスを、よ
り急峻に圧縮するためのもので、前記パルストランス２
０の二次側巻線から得られる昇圧パルスによって充電さ
れるキャパシタ３０と、該キャパシタ３０と直列に接続
された磁気スイッチ３２と、該磁気スイッチ３２と並列
に接続された２段目のキャパシタ３４と、該キャパシタ
３４と並列に接続された２段目の磁気スイッチ３６と、
磁気スイッチにおける磁性体の磁束密度の変化量をでき
るだけ多くするために、予め飽和電流が流れる方向と逆
方向に定電流を流して、各磁気スイッチ３２、３６のコ
アを予めリセットするためのリセット回路（定電流源）
３８とで構成されている。
【０００５】前記電極部Ｃは、前記磁気スイッチ３６が
飽和状態となった時に導通するスパークギャップ予備電
離ピン４０と、該スパークギャップ予備電離ピン４０が
導通した時に主放電用のエネルギーが移行するピーキン
グキャパシタ４２と、レーザを励起するための電極４４
とで構成される。
飽和状態となった時に導通するスパークギャップ予備電
離ピン４０と、該スパークギャップ予備電離ピン４０が
導通した時に主放電用のエネルギーが移行するピーキン
グキャパシタ４２と、レーザを励起するための電極４４
とで構成される。
【０００６】このパルス放電回路の動作は、次のとおり
である。まず、充電電源１０からチャージングキャパシ
タ１８に貯えられたエネルギを、半導体スイッチ素子１
４のゲートＧに外部からトリガ信号を与えてオンとする
ことによって、パルスを発生させる。発生されたパルス
を、パルストランス２０の巻数比（通常は１：８〜１２
程度）によって昇圧し、キャパシタ３０に移行させる。
その後、パルストランス２０が飽和状態となると、一次
側（パルス発生回路部Ａ側）が切離され、キャパシタ３
０に貯えられたエネルギは、次のキャパシタ３４へ移行
する。その後、磁気スイッチ３６が飽和状態になると、
スパークギャップ予備電離ピン４０に急激な電圧がかか
って導通し、ピーキングキャパシタ４２へのエネルギー
の移行が始まる。その後、ピーキングキャパシタ４２の
電圧が上昇し、電極４４間で主放電が開始する。
である。まず、充電電源１０からチャージングキャパシ
タ１８に貯えられたエネルギを、半導体スイッチ素子１
４のゲートＧに外部からトリガ信号を与えてオンとする
ことによって、パルスを発生させる。発生されたパルス
を、パルストランス２０の巻数比（通常は１：８〜１２
程度）によって昇圧し、キャパシタ３０に移行させる。
その後、パルストランス２０が飽和状態となると、一次
側（パルス発生回路部Ａ側）が切離され、キャパシタ３
０に貯えられたエネルギは、次のキャパシタ３４へ移行
する。その後、磁気スイッチ３６が飽和状態になると、
スパークギャップ予備電離ピン４０に急激な電圧がかか
って導通し、ピーキングキャパシタ４２へのエネルギー
の移行が始まる。その後、ピーキングキャパシタ４２の
電圧が上昇し、電極４４間で主放電が開始する。
【０００７】この場合、前記パルストランス２０は、昇
圧するための動作と、飽和させた時の磁気スイッチとし
ての動作を行う。
圧するための動作と、飽和させた時の磁気スイッチとし
ての動作を行う。
【０００８】前記のようなレーザパルス放電回路におい
て、電力用半導体スイッチ素子１４を用いる場合、電極
４４での主放電、及び、電離ピン４０での予備電離に必
要な電圧は数十ｋＶであるため、パルストランス２０に
よって、電圧を昇圧して使用する場合が多い。このと
き、パルストランス２０の一次側の巻数と二次側の巻数
比は１：ｎ（ｎは昇圧比）となる。
て、電力用半導体スイッチ素子１４を用いる場合、電極
４４での主放電、及び、電離ピン４０での予備電離に必
要な電圧は数十ｋＶであるため、パルストランス２０に
よって、電圧を昇圧して使用する場合が多い。このと
き、パルストランス２０の一次側の巻数と二次側の巻数
比は１：ｎ（ｎは昇圧比）となる。
【０００９】図２のような回路構成の場合、パルストラ
ンス２０は、電圧昇圧後、一次側と二次側が飽和状態と
なり、二次側の巻線は空心コイルとして働くので、低イ
ンダクタンスとなるため、パルス圧縮動作を行い、予備
電離及び電極４４へ短パルスを伝送することができる。
ンス２０は、電圧昇圧後、一次側と二次側が飽和状態と
なり、二次側の巻線は空心コイルとして働くので、低イ
ンダクタンスとなるため、パルス圧縮動作を行い、予備
電離及び電極４４へ短パルスを伝送することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２の
ような回路構成において、例えば１：２０〜２５程度の
高い昇圧比が必要な場合、パルストランス２０の二次側
巻線の巻数は、一次側巻線の巻数の昇圧比ｎ倍巻かなけ
ればならないので、巻数の増大を招き、又、パルストラ
ンス飽和後の空心コイルのインダクタンスの増大につな
がる。従って、パルス圧縮比を十分に大きくすることが
できなくなり、後段に新たに磁気パスル圧縮回路（キャ
パシタ３４及び磁気スイッチ３６）を接続することで補
わなければなくなるという問題点を有していた。
ような回路構成において、例えば１：２０〜２５程度の
高い昇圧比が必要な場合、パルストランス２０の二次側
巻線の巻数は、一次側巻線の巻数の昇圧比ｎ倍巻かなけ
ればならないので、巻数の増大を招き、又、パルストラ
ンス飽和後の空心コイルのインダクタンスの増大につな
がる。従って、パルス圧縮比を十分に大きくすることが
できなくなり、後段に新たに磁気パスル圧縮回路（キャ
パシタ３４及び磁気スイッチ３６）を接続することで補
わなければなくなるという問題点を有していた。
【００１１】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたもので、小型で、且つ、簡単な回路により、
パルス圧縮比を増大して、後段に磁気パルス圧縮回路を
追加することなく、短いパルスを発生することを第１の
課題とする。
くなされたもので、小型で、且つ、簡単な回路により、
パルス圧縮比を増大して、後段に磁気パルス圧縮回路を
追加することなく、短いパルスを発生することを第１の
課題とする。
【００１２】本発明は、又、各スパークギャップ予備電
離のばらつきを低減することを第２の課題とする。
離のばらつきを低減することを第２の課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、パルス放電回
路において、巻数比の低いパルストランスを複数個用
い、各パルストランスの一次側巻線を互いに並列に接続
すると共に、二次側巻線は直列に接続してなる電圧昇圧
回路を含むパルス発生回路部と、前記直列接続された各
パルストランスの二次側巻線から得られる昇圧パルスに
よって充電されるキャパシタ、該キャパシタと直列に接
続された磁気スイッチ、及び、該磁気スイッチをリセッ
トするためのリセット回路を含む磁気パルス圧縮回路部
と、前記磁気スイッチが飽和状態となった時に放電する
ようにされた電極部とを備え、前記パルストランスが、
昇圧するための動作と、飽和させた時の磁気スイッチと
しての動作を行うようにして、前記第１の課題を解決し
たものである。
路において、巻数比の低いパルストランスを複数個用
い、各パルストランスの一次側巻線を互いに並列に接続
すると共に、二次側巻線は直列に接続してなる電圧昇圧
回路を含むパルス発生回路部と、前記直列接続された各
パルストランスの二次側巻線から得られる昇圧パルスに
よって充電されるキャパシタ、該キャパシタと直列に接
続された磁気スイッチ、及び、該磁気スイッチをリセッ
トするためのリセット回路を含む磁気パルス圧縮回路部
と、前記磁気スイッチが飽和状態となった時に放電する
ようにされた電極部とを備え、前記パルストランスが、
昇圧するための動作と、飽和させた時の磁気スイッチと
しての動作を行うようにして、前記第１の課題を解決し
たものである。
【００１４】又、前記パルス発生回路部が、充電電源
と、該充電電源から供給されたエネルギーを貯えるチャ
ージングキャパシタと、該チャージングキャパシタに貯
えられたエネルギーをパルスとして前記パルストランス
の一次側巻線に放出するためのスイッチ素子（例えば電
力用半導体スイッチ素子）とを含むようにしたものであ
る。
と、該充電電源から供給されたエネルギーを貯えるチャ
ージングキャパシタと、該チャージングキャパシタに貯
えられたエネルギーをパルスとして前記パルストランス
の一次側巻線に放出するためのスイッチ素子（例えば電
力用半導体スイッチ素子）とを含むようにしたものであ
る。
【００１５】又、前記電極部が、前記磁気スイッチ及び
電極と並列に接続されて、前記磁気スイッチが飽和状態
となった時に導通するスパークギャップ予備電離ピン
と、該予備電離ピンが導通した時に主放電用のエネルギ
ーが移行するピーキングキャパシタとを含むようにし
て、前記第２の課題を解決したものである。
電極と並列に接続されて、前記磁気スイッチが飽和状態
となった時に導通するスパークギャップ予備電離ピン
と、該予備電離ピンが導通した時に主放電用のエネルギ
ーが移行するピーキングキャパシタとを含むようにし
て、前記第２の課題を解決したものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【００１７】本実施形態は、図１に示す如く、主に、図
２に示した従来例と同様のパルス発生回路部Ａと、磁気
パルス圧縮回路部Ｂと、電極部Ｃからなる。
２に示した従来例と同様のパルス発生回路部Ａと、磁気
パルス圧縮回路部Ｂと、電極部Ｃからなる。
【００１８】ここで、前記パルス発生回路部Ａには、巻
数比の低いパルストランス２２が複数個（図ではｎ個）
用いられ、各パルストランス２２1〜２２nの一次側巻線
を互いに並列に接続すると共に、二次側巻線は直列に接
続して電圧昇圧回路を構成している。即ち、電圧昇圧回
路として作用するｎ個の各パルストランス２２1、２２2
・・・２２nの一次側巻線は、互いに並列に接続され、
二次側巻線は直列に接続されている。該パルストランス
２２の一次側巻線と二次側巻線は、コアに絶縁を施した
線を重ねて巻く（いわゆる重ね巻）か、又は、絶縁を施
した線をより線状にしてコアに巻き（いわゆるより線
巻）、より結合係数を良くすることができる。
数比の低いパルストランス２２が複数個（図ではｎ個）
用いられ、各パルストランス２２1〜２２nの一次側巻線
を互いに並列に接続すると共に、二次側巻線は直列に接
続して電圧昇圧回路を構成している。即ち、電圧昇圧回
路として作用するｎ個の各パルストランス２２1、２２2
・・・２２nの一次側巻線は、互いに並列に接続され、
二次側巻線は直列に接続されている。該パルストランス
２２の一次側巻線と二次側巻線は、コアに絶縁を施した
線を重ねて巻く（いわゆる重ね巻）か、又は、絶縁を施
した線をより線状にしてコアに巻き（いわゆるより線
巻）、より結合係数を良くすることができる。
【００１９】ここで、前記パルストランス２２の一次側
巻線の巻数ｎ1は、発生するパルス幅Ｔw及びパルストラ
ンスのＥＴ積Ｖp・Ｔwを考慮して、次式により決定され
る。
巻線の巻数ｎ1は、発生するパルス幅Ｔw及びパルストラ
ンスのＥＴ積Ｖp・Ｔwを考慮して、次式により決定され
る。
【００２０】 Ｖp・Ｔw＝Ａ・ΔＢ・ｎ1 …（１）
【００２１】ここで、Ｖpは一次側発生電圧、Ａはコア
断面積、ΔＢは有効磁化スイング（磁性体のヒステリシ
スの高さ）である。
断面積、ΔＢは有効磁化スイング（磁性体のヒステリシ
スの高さ）である。
【００２２】又、前記パルストランス飽和後の空心コイ
ルのインダクタンスＬは、昇圧比を考慮して、次式によ
り決定される。
ルのインダクタンスＬは、昇圧比を考慮して、次式によ
り決定される。
【００２３】 Ｌ＝μo・Ｓ・ｎ2 2／ｌ …（２）
【００２４】ここで、μoは真空の透磁率、Ｓは空心コ
イルの断面積、ｎ2は二次側巻線の巻数である。
イルの断面積、ｎ2は二次側巻線の巻数である。
【００２５】この（２）式において、空心コイルのイン
ダクタンスＬは、二次側巻線の巻数ｎ2の２乗に比例し
ていることがわかる。従って、パルストランスを並列に
する場合のインダクタンスは、並列にしない場合の１／
ｎとなる。
ダクタンスＬは、二次側巻線の巻数ｎ2の２乗に比例し
ていることがわかる。従って、パルストランスを並列に
する場合のインダクタンスは、並列にしない場合の１／
ｎとなる。
【００２６】又、電力用半導体スイッチ素子１４として
は、例えば大電流、大電流増加率であるＳＩサイリスタ
を用いることができる。なお、電力用半導体スイッチ素
子の種類はこれに限定されない。
は、例えば大電流、大電流増加率であるＳＩサイリスタ
を用いることができる。なお、電力用半導体スイッチ素
子の種類はこれに限定されない。
【００２７】前記磁気パルス圧縮回路部Ｂは、ここで
は、１段目の磁気スイッチ３２と、該磁気スイッチ３２
をリセットするリセット回路４０のみで構成されてい
る。なお、磁気パルス圧縮回路の段数は、従来例と同様
に、パルス幅の圧縮率に応じて増やすこともできる。そ
の場合、リセット回路３８は、各磁気スイッチ３２・・・
毎に設けたり、あるいは、図２に示した従来例と同様
に、磁気スイッチ３２、３６・・・で共通して設けること
ができる。
は、１段目の磁気スイッチ３２と、該磁気スイッチ３２
をリセットするリセット回路４０のみで構成されてい
る。なお、磁気パルス圧縮回路の段数は、従来例と同様
に、パルス幅の圧縮率に応じて増やすこともできる。そ
の場合、リセット回路３８は、各磁気スイッチ３２・・・
毎に設けたり、あるいは、図２に示した従来例と同様
に、磁気スイッチ３２、３６・・・で共通して設けること
ができる。
【００２８】前記電極部Ｃは、従来例と同様に、スパー
クギャップ予備電離ピン４０と、ピーキングキャパシタ
４２と、電極４４とで構成されている。
クギャップ予備電離ピン４０と、ピーキングキャパシタ
４２と、電極４４とで構成されている。
【００２９】回路動作は、電圧昇圧回路として作用する
複数のパルストランス２２1、・・・２２nで昇圧する他
は、図２に示した従来例と同様で、パルストランス２２
によって、電圧昇圧及びパルス圧縮を行って、電極負荷
へ短パルスのエネルギーを伝送するものであり、次の特
徴及び利点を有する。
複数のパルストランス２２1、・・・２２nで昇圧する他
は、図２に示した従来例と同様で、パルストランス２２
によって、電圧昇圧及びパルス圧縮を行って、電極負荷
へ短パルスのエネルギーを伝送するものであり、次の特
徴及び利点を有する。
【００３０】即ち、パルストランス２２をｎ分割し、そ
れぞれを並列接続することで、パルストランス飽和後の
飽和インダクタンスを低減し、電極に伝送するパルス幅
をより短くすることができる。即ち、パルス圧縮比を増
大することができる。
れぞれを並列接続することで、パルストランス飽和後の
飽和インダクタンスを低減し、電極に伝送するパルス幅
をより短くすることができる。即ち、パルス圧縮比を増
大することができる。
【００３１】更に、これにより、後段のパルス圧縮を省
くことで、パルストランス飽和後の急激な逆電圧を発生
させ、その電圧によって予備電離ピン５２をブレークダ
ウンさせることができる。これにより、各スパークギャ
ップ予備電離のばらつきを低減することができる。
くことで、パルストランス飽和後の急激な逆電圧を発生
させ、その電圧によって予備電離ピン５２をブレークダ
ウンさせることができる。これにより、各スパークギャ
ップ予備電離のばらつきを低減することができる。
【００３２】なお、本発明は、特に炭酸ガスレーザ等
の、パルス幅が余り短くなくても良いガスレーザ用のレ
ーザパルス放電回路に適しているが、本発明の適用対象
はこれに限定されず、炭酸ガスレーザ以外のガスレーザ
や、レーザ以外の高電圧パルスを必要とする加速器、プ
ラズマ電源、電気集塵機等にも同様に適用可能である。
の、パルス幅が余り短くなくても良いガスレーザ用のレ
ーザパルス放電回路に適しているが、本発明の適用対象
はこれに限定されず、炭酸ガスレーザ以外のガスレーザ
や、レーザ以外の高電圧パルスを必要とする加速器、プ
ラズマ電源、電気集塵機等にも同様に適用可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、パルストランスを並列
化することで、飽和後のインダクタンスを低減して、パ
ルス圧縮比を大きくとることができる。従って、回路を
小型化、簡単化して、コストダウンを図ることができ
る。
化することで、飽和後のインダクタンスを低減して、パ
ルス圧縮比を大きくとることができる。従って、回路を
小型化、簡単化して、コストダウンを図ることができ
る。
【００３４】更に、パルストランス飽和後に発生する逆
電圧を利用して、スパークギャップ予備電離を開始させ
ることにより、各スパークギャップ予備電離のばらつき
を低減することができる。
電圧を利用して、スパークギャップ予備電離を開始させ
ることにより、各スパークギャップ予備電離のばらつき
を低減することができる。
【図１】本発明に係るレーザパルス放電回路の実施形態
の構成を示す回路図
の構成を示す回路図
【図２】従来の炭酸ガスレーザ用レーザパルス放電回路
の構成例を示す回路図
の構成例を示す回路図
Ａ…パルス発生回路部 Ｂ…磁気パルス圧縮回路部 Ｃ…電極部 １０…充電電源 １４…電力用半導体スイッチ素子 １８…チャージングキャパシタ ２２、２２1〜２２n…パルストランス ３０…キャパシタ ３２…磁気スイッチ ３８…リセット回路 ４０…スパークギャップ予備電離ピン ４２…ピーキングキャパシタ ４４…電極
Claims (4)
- 【請求項１】巻数比の低いパルストランスを複数個用
い、各パルストランスの一次側巻線を互いに並列に接続
すると共に、二次側巻線は直列に接続してなる電圧昇圧
回路を含むパルス発生回路部と、 前記直列接続された各パルストランスの二次側巻線から
得られる昇圧パルスによって充電されるキャパシタ、該
キャパシタと直列に接続された磁気スイッチ、及び、該
磁気スイッチをリセットするためのリセット回路を含む
磁気パルス圧縮回路部と、 前記磁気スイッチが飽和状態となった時に放電するよう
にされた電極部とを備え、 前記パルストランスが、昇圧するための動作と、飽和さ
せた時の磁気スイッチとしての動作を行うことを特徴と
するパルス放電回路。 - 【請求項２】前記パルス発生回路部が、 充電電源と、 該充電電源から供給されたエネルギーを貯えるチャージ
ングキャパシタと、 該チャージングキャパシタに貯えられたエネルギーをパ
ルスとして前記パルストランスの一次側巻線に放出する
ためのスイッチ素子と、 を含むことを特徴とする請求項１に記載のパルス放電回
路。 - 【請求項３】前記スイッチ素子が、電力用半導体スイッ
チ素子であることを特徴とする請求項２に記載のパルス
放電回路。 - 【請求項４】前記電極部が、前記磁気スイッチ及び電極
と並列に接続されて、 前記磁気スイッチが飽和状態となった時に導通するスパ
ークギャップ予備電離ピンと、 該予備電離ピンが導通した時に主放電用のエネルギーが
移行するピーキングキャパシタと、 を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記
載のパルス放電回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000346228A JP2002151769A (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | パルス放電回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000346228A JP2002151769A (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | パルス放電回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151769A true JP2002151769A (ja) | 2002-05-24 |
Family
ID=18820139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000346228A Pending JP2002151769A (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | パルス放電回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002151769A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1272011A1 (en) * | 2001-06-06 | 2003-01-02 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Pulse transformer with parallel primary windings |
-
2000
- 2000-11-14 JP JP2000346228A patent/JP2002151769A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1272011A1 (en) * | 2001-06-06 | 2003-01-02 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Pulse transformer with parallel primary windings |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03504550A (ja) | 予備電離、特に放電励起ガスレーザー、特にエキシマレーザーにおけるｘ線予備電離のための装置 | |
| JP2002151769A (ja) | パルス放電回路 | |
| JPS63501183A (ja) | ガスレ−ザ用電気的励起回路 | |
| JPH118987A (ja) | パルス電源 | |
| JP3613612B2 (ja) | 電圧昇圧回路及びこれを用いたパルス発生回路 | |
| JPH07245549A (ja) | 高電圧パルス発生装置 | |
| JPS62108588A (ja) | 充放電装置 | |
| JP4038927B2 (ja) | パルス電源 | |
| JP2828107B2 (ja) | 高電圧パルス発生回路 | |
| JP2001217492A (ja) | 放電励起ガスレーザ装置 | |
| JPH04171879A (ja) | パルスレーザ用電源装置 | |
| JP2000031569A (ja) | 可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレーザ用電源装置 | |
| JP2001327177A (ja) | 電圧昇圧回路及びこれを用いたパルスパワー回路 | |
| JP2647106B2 (ja) | 高電圧高繰返しパルス発生電源装置 | |
| JPS6276511A (ja) | 磁気スイツチおよびこの磁気スイツチを用いたガスレ−ザ装置 | |
| JPH06237153A (ja) | パルス電源 | |
| RU2107988C1 (ru) | Высоковольтный переключатель | |
| JPH03261186A (ja) | パルス電源装置 | |
| JPH05145157A (ja) | 可飽和トランスを用いた完全固体素子化磁気パルス圧縮電源回路 | |
| JPH0518050U (ja) | 高電圧パルス発生装置 | |
| JP2004064935A (ja) | 高電圧パルス発生装置及びそれを用いた放電励起ガスレーザ装置 | |
| JPS63316491A (ja) | レ−ザガス励起放電回路 | |
| JPH069267B2 (ja) | パルスガスレ−ザ | |
| JPH05218547A (ja) | 放電励起パルスレーザ装置 | |
| JPH06284701A (ja) | ゲート電力供給回路 |