JPH04171879A - パルスレーザ用電源装置 - Google Patents

パルスレーザ用電源装置

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JPH04171879A
JPH04171879A JP29965490A JP29965490A JPH04171879A JP H04171879 A JPH04171879 A JP H04171879A JP 29965490 A JP29965490 A JP 29965490A JP 29965490 A JP29965490 A JP 29965490A JP H04171879 A JPH04171879 A JP H04171879A
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JP
Japan
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voltage
transformer
capacitor
saturable transformer
pulse
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JP29965490A
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English (en)
Inventor
Satoshi Ohashi
大橋 聰
Tadao Mochizuki
望月 忠男
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、繰返し放電励起パルスレーザ、特にエキシマ
レーザ、C02レーザ等のガスを空間的に均一なグ〒−
放電により励起する必要のある/ぞルスレーザ用電源装
置に関する。
〔従来の技術〕
放電励起パルスレーザでに、ガス媒質を予備電離した後
、一対の電極間に立上りの速い急峻な高電圧ノ々ルスを
印加し、電極間の媒質ガスがグロー放電することを利用
して、これに主電流を注入。
レーザがスを励起しレーザ発振を行わせるものである。
この種のレーザがス放電Fi、放電開始後。
短時間で放電がアーク化することから、アーク化する前
に主電流の注入を行わなければならないため、・5ルス
状の電流注入が行われる。
従来、このよう々パルス電源装置に関し、容量移行回路
を基本としたものが攬々提案されている。
第6図にその1例としてサイラトロンを用いた容量移行
回路の構成を示す。この回路では、グロー放電量生成に
必要とされる急峻な高電圧パルス発/生回路と主電流の
ガス媒質への注入を行う主電流”注入回路を同一の回路
としている。このため、装置の大容量化に伴い、高電圧
パルスの立上り時間が延びる欠点があった。
また、目的の異なる2つの回路、電圧源としての高電圧
パルス発生回路と電流源としての主電流注入回路とを分
離し、それぞれ独立した2つの回路で前記の異なる作用
をさせる吃のの1例として。
特開昭63−96978号公報に記載されている本のが
知られている。第5図にその実施例を示す。
この回路は高電圧パルス発生回路に半導体スイッチ、昇
圧トランス、可飽和インダクタ及びコンデンサを組み合
せ要電流増幅型磁気・やルス幅圧縮回路の組み合せを適
用し、前記主電流注入回路と可飽和トランスにより接続
した本のである。
なお、第6図において、PSIFi直流電源、LDは放
電負荷、C,CI 、C2にコンデンサ。
τSはサイラトロン、LCはインダクタ、SI¥′i可
飽和インダクタを示す。ま79:、、第5図において。
6は調整用コンデンサ、17〜9はコンデンサ。
10〜12は可飽和インダクタ、13は半導体スイッチ
、14は磁気圧縮回路、15はプルムライン回路、Jb
は一対の電極、77は可飽和トランスを示す。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上述し九ような高電圧パルス発生回路に
半導体スイッチ素子を用いた電流増幅型磁気・臂ルス幅
圧縮回路を適用する場合は、ノ4ルス幅圧縮回路の出力
端に可飽和トランスの1次側入力波形を定めるための調
整用コンデンサが必要となる。更に、可飽和トランスの
2次側には最終負荷である放電管がある。したがって、
パルス幅圧縮回路の負荷としては調整用コンデンサと放
電管内の浮遊容量とカリ、・母ルス幅圧縮回路の容量は
調整用コンデンサの容量分大きくする必要がある。
また、パルス幅圧縮回路のパルス幅圧縮動作において、
電圧の昇圧動作はトランスを用いないため原理的にでき
ない、半導体スイッチの動作電圧は現状5 kV以下で
あるため、5kV以上のノぞルスを供給するためには、
半導体スイッチの直列運転でスイッチの耐電圧を増加さ
せるか、またはパルス幅圧縮回路の他に昇圧用トランス
が必要になる。
大容量電源では、半導体スイッチの直並列運転は段数の
増加と供にトリがタイミングの同期、均一な電流及び電
圧分配の点で技術的な難しでか増すと考えられる。従来
、用いられている方法としては第5図に示すように昇圧
トランスを用いているのが現状である。
本発明は上記のような点に鑑みなされたもので5サイリ
スタの直並列運転を不要、または昇圧トランスを不要と
し、しかも、調整用コンデンサを必要とせずにノぐルス
幅圧縮回路の容量を低減できる/4’ルスレーザ用電源
装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するだめの手段〕
本発明のノルスレーザ用電源装置は、高電圧充電電源に
対し直列に接続された複数のコンデンサ及び充電電源に
対し並列に接続された複数の可飽和トランスとからなる
電圧増幅型磁気パルス幅圧縮回路と、前記可飽和トラン
ス磁心の初期飽和方向を与えるためのバイアス電流供給
回路、さらに前記充電電源を断続的に接続するスイッチ
手段を備え、負荷に対し繰返し高電圧短ノソルスを供給
する。
可飽和トランスとコンデンサにより構成される本回路で
は、可飽和トランスのスイッチング動作によるパルス幅
圧縮作用の他に、可飽和トランスによる電圧昇圧動作が
同時に行えることが特徴である。更に2回路構成止金て
の可飽和素子に可飽和トランスを用い、これを全て並列
配置としているため、調整用コンデンサを必要とせずに
直接レーザ管を負荷できる特徴を持つ。
〔作用〕
可飽和トランスとコンデンサにより構成される本回路は
、可飽和トランスのスイッチング動作による・平ルス幅
圧縮作用の他に可飽和トランスの電圧昇圧作用を有する
。この2つの作用により、サイリスタの直並列運転が不
要、または昇圧トランスを不要とすることができる。し
かも、可飽和素子として可飽和トランスを用いているた
め、調整用コンデンサを必要とせずパルス幅圧縮回路の
容量を低減できる。
〔実施例〕
以下1図面を参照して本発明の一実施例に係るパルスレ
ーザ用電源装置を説明する。
第1図に示すように、高電圧t4ルス発生回路として、
高電圧充電電源PS1の出力端にはスイッチ手段として
のサイリスタThyが並列に1!!続されティる。更に
、コンデンサC4を介して可飽和トランスTr4の1次
側にも接続されている。可飽和トランスTr4の2次側
は、コンデンサC3を介して可飽和トランスTr3の1
次側に接続されている。
以下、同様に、コンデンサC2及び可飽和トランスTr
2 、コンデンサCノ及び可飽和トランスTriが各々
直並列接続されている。最終段可飽和トランスTriの
2次側出力端は電圧増幅型磁気・ンルス幅圧縮回路の出
力端OUTとなっており、ここに負荷として放電管と主
電流注入回路の大容量コンデンサ(PFL )が直列に
接続されている。放電管部の浮遊容量はPFLの容量に
較べ十分に小さいため。
電圧増幅型磁気パルス幅圧縮回路の出力電圧はほとんど
放電部に加わる。また、各可飽和トランスTri〜Tr
4 Kは、コアの初期飽和方向を与えるためのバイアス
電流供給端子B1〜B4が具備されている。
一方、主電流注入回路として、高電圧充電電源PS2の
出力端にはスイッチ手段としてのサイリスタThyまた
はサイラトロンが並列に接続されている。更に、コンデ
ンサC5を介して昇圧トランスTrの1次側に本接続さ
れている。外圧トランスTrの2次側は、主電流注入用
大容量コンデンサとして%PFLに接続されている。
ココで、同実施例において、可飽和トランスには、磁心
材料として非晶質磁性合金薄帯、フェライト等の材料が
用いられている。特に、最終段のトランスには、漏れイ
ンダクタンスを少なくするため、レーストラック状のコ
アを用いた第4図に示すトランス形状を採用している。
第4図において、2次側配+@2は幅広の板状絶縁被覆
金属板またはケーブル、もしくは複数本の絶縁ケーブル
を板状に並べた本ので構成され、1次側配線1は複数本
の絶縁ケーブルを板状に並べたもので構成されている。
磁心3は複数個有り。
形状はトロイダル形状のコアを一方向に押し潰したよう
な形状となっている。各磁心3に対して1次側配線1は
並列巻、2次側配線2は直列巻として必要な巻線比を持
たしている。このため、低漏れインダクタンス及び1次
、2次配線の構造インダクタンスが低減可能な構成とな
っている。なお。
図中4は非晶質磁性合金薄帯、5は絶縁用合成樹脂薄膜
を示す。
このようにして構成される可飽和トランスは、コンデン
サと供に電圧増幅型磁気・やルス幅圧縮回路を構成して
いる。各段の可飽和トランスの磁心断面積は、各段の可
飽和トランスの2次側に接続されているコンデンサの印
加電圧が最大となる時期に磁心の飽和が生じ、スイッチ
ング動作を起こすように、印加電圧V及びその立上り時
間τから以下の磁心飽和の設計式で定められる。
ここK St:)ランスの磁心断面積 Naニドランスの2次側巻線数 ΔB: 磁心の磁束密度の変化 v : トランスの2次側最大出力電圧τ : トラン
スの2次側出力電圧の立上り時間上記実施例では、各段
の可飽和トランスの1次−2次巻線比はTrlからTr
lまで各々1 : 2 、1:2゜1:4,1:4とし
ている。更に、各段のコンデンサの値は、最大蓄積エネ
ルギーが等しくなるように最大印加電圧から定められる
なお、前記スイッチング素子はサイリスタに限定される
本のではない。また、主電流注入用大容量コンデンサと
してはパルスフォーミングライン(PFL )に限定さ
れるものではなく、パルスフォーミングネットワーク(
PFN )またはコンデンサ等が使用できる。
次に、同実施例の動作を説明する。
放電管内のガスは予備電離源Pr−3oniz@rによ
り電離される。予備電離方法としては、ピン電極間のア
ーク放電からの紫外光、またはX@源からのX線による
光電離を利用するものがある。その後、以下に示す回路
動作によυ高電圧パルス発生回路から急峻な高電圧パル
スが電極間に印加される。第2図に高電圧・9ルス発生
回路の各部動作波形を示す。
初期状態では各コンデンサには充電されておらず、コン
デンサC4のみが高圧充電電源PSにより2 kVに充
電されている。サイリスタThyにトリがを与えると、
同サイリスタThy Fi導通しコンデンサC4に蓄え
られていたエネルギーは可飽和トランスTr4の1次1
11に投入される。これに伴い。
コンデンサC4の電圧V C4は低下する。可飽和トラ
ンス’rr4h、バイアス電流の印加により未飽和状態
としており、高インピーダンスとなっているため、理想
トランスとして動作する。前記エネルギーは可飽和トラ
ンスTr4の1次−2次間の磁気結合を通して、コンデ
ンサC4及びコンデンサ03間の容量移行により、2次
側のコンデンサC3に伝送される。このとき、可飽和ト
ランスTr3はバイアス電流により飽和状態としである
ため、1次、2次間の結合がほとんど無<、1次側のコ
イルによる自己インダクタンスとしてのみ働く、可飽和
トランスTf4の2次側では、可飽和トランスTr4に
より電圧は1次側の約4倍に増幅され、コンデンサC3
の電圧V CJ Fi約8 kVが得られている。この
時のコンデンサC4からコンデンサC3へのエネルギー
移行時間は約3.4μ3・Cである。
可飽和トランスTr4の電圧がピークKJjすると。
可飽和トランスTr4は飽和し、可飽和トランスTr4
の2次側は2次側コイルによる自己インダクタンスとし
てのみ働く。コンデンサC3のエネルギーは可飽和トラ
ンスTr3の1次−2次間の磁気結合を通して、コンデ
ンサC3及びコンデンサC2間の容量移行により%2次
側のコンデンサC2に伝送される。このとき、可飽和ト
ランスTrjはバイアス電流により飽和状態としである
ため%1次、2次間の結合がほとんど無く、1次側のコ
イルによる自己インダクタンスとしてのみ働く、可飽和
トランスTr3の2次側では、可飽和トランスTr3に
より電圧は1次側の約4倍IcMI幅され、コンデンサ
C2の電圧V C2は約30kVが得られている。この
時のコンデンサC3からコンデンサC2へのエネルギー
移行時間は約720 n5eeでおる。
可飽和トランスTr3の電圧がピークに達すると。
可飽和トランスTrJは飽和し、可飽和トランスTrJ
の2次側は2次側コイルによる自己インダクタンスとし
てのみ働く、コンデンサC2のエネルギーは可飽和トラ
ンスTr2の1次−2次間の磁気結合を通して、コンデ
ンサC2及びコンデンサC1間の容量移行により、2次
側のコンデンサCJに伝送される。このとき、可飽和ト
ランスTriはバイアス電流により飽和状態としである
ため、1次、2次間の結合がほとんど無<、1次側のコ
イルによる自己インダクタンスとしてのみ働く。可飽和
トランスTr2の2次側では、可飽和トランスTr2に
より電圧は1次側の約2倍に増幅され、コンデンサCJ
の電圧VCJは約50kVが得られている。この時のコ
ンデンサC2からコンデンサC1へのエネルギー移行時
間は約160 naeeである。
可飽和トランスTr2の電圧がピークに達すると。
可飽和トランスTriは飽和し、可飽和トランスTr2
の2次11i1は2次側コイルによる自己インダクタン
スとしてのみ働く。コンデンサCIのエネルギーは可飽
和トランスTrJの1次−2次間の磁気結合を通して、
コンデンサC1及び放電部の浮遊容量CO間の容量移行
により、2次側の容量Cθに伝送される。このため、可
飽和トランスTriの2次側には高電圧■。LITが発
生し、この電圧a PFLの容量に較べ放電部の浮遊容
量Cθが十分小さいため、はとんど放電部に印加される
。この電圧が放電部の絶縁破壊電圧に達すると、放電部
は絶縁破壊を起こし、電極間のがス媒質はグロー放電を
起こす。これと同時に、可飽和トランスTriが飽和を
起こすように設計されている。
この時、放電部に発生する電圧は1次側の約1.3倍に
増幅され、放電電圧V。。7は約65 kVが得られて
いる。この時の放電電圧の立上り時間は約25 tse
eである。最終的な電圧、電流パルス幅の圧縮率は13
6倍を得、また、電圧の昇圧率は32倍を得ている。更
に、各段の電流ピーク値は。
はぼ2.5kA程度で一定である。高電圧パルス発生回
路による発生電圧は、以下で説明する主電流注入回路に
より発生する電圧に重畳されて放電部に印加される。第
3図に放電部に印加される電圧VLD%電流”LDの波
形を示す。
主電流注入回路では事前に、高圧充電電源PS2により
コンデンサC5は所定の電圧に充電されており、高圧充
電電源PS2に対し並列に接続されているスイッチにト
リガを加えると、サイリスタTh7は導通し、コンデン
サC5に蓄えられていたエネルギーは昇圧トランスの1
次側に投入される。
これに伴い、 PELの電圧vPFLは上昇し所定の電
圧(約15 kV )にパルス充電される。この時、高
電圧パルス発生回路による放電部へのパルス電圧vOU
Tの印加により放電部にグロー放電が形成されると、放
電部のインピーダンスが急激に低下し、主電流回路から
主エネルギーの注入が始まる。この時、可飽和トランス
TrJは飽和状態にあるため。
この主エネルギーの注入は高速化され、グロー放電は約
100 naeeで接続し続ける。
ここで、主電流の立上少時間は約100 naec 。
電流値は約5 kAが得られている。主エネルギーによ
り励起されたガス媒質はレーザ発振を起こし。
z4ブ そのエネルギーは光として外部に取シ出される。
この装置をXeClレーザに適用した結果、レーザ発振
が確認されている。
〔発明の効果〕
以上のように本発明では、可飽和トランスのスイッチン
グ動作によるパルス幅圧縮作用の他に。
可飽和トランスの電圧昇圧作用を持つ電圧増幅型パルス
幅圧縮回路を高電圧ノ苧ルス発生回路に用いることによ
り、サイリスタの並列運転のみで昇圧トランス要せずに
負荷に対し高繰返し、高電圧短ノ4ルス供給することが
できる。従って、従来の方法に較べ、昇圧トランスを用
いたため、装置の小型化が可能となり、さらにサイリス
タの直並列運転を並列運転のみとすることで回路構成の
簡略化。
並びに信頼性向上を図ることができる。
また、可飽和トランスとコンデンサにより構成される本
回路では、可飽和トランスのスイッチング動作による/
4ルス幅圧縮作用の他に可飽和トランスの電圧昇圧動作
を同時に行うことが可能である。この2つの作用により
、サイリスタの直並列運松−−不要、または昇圧トラン
スを不要とすることができる。しかも、可飽和素子とし
て可飽和トランスを用いているため、調整用コンデンサ
を必要とせずに・母ルス幅圧縮回路の容量を低減できる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る電源装置の構成を示す
図、第2図は同実施例における高電圧ノ4ルス発生回路
の各部動作波形図、第3図は同実施例における放電部に
印加される電圧及び電流の波形図、第4図は本発明に用
いられるレーストラック状コアを用いたトランスの構造
を示す図、第5図は従来の放電励起パルスレーデ用電源
装置の構成を示す図、第6図は従来のサイラトロンスイ
ッチを用いた容量移行回路の構成を示す図である。 PSJ・・・直流電源、PS2・・・直流電源、 Th
y・・・スイッチ素子(半導体スイッチまfcはサイラ
トロy)、C1,C2,C3,C4,C5,C−i:y
デンサ、CO・・・電極部浮遊容量、 Tri + T
r2 +’fr3 、 Tr4・・・可飽和トランス、
Tr・・・昇圧トランス、LD・・・放電負荷(レーザ
管)、Bl 、B2.B3゜B4・・・バイアス電流供
給端子、VCz、VCz。 V CJ 、 V C4・・・各コンデンサ印X電圧、
vOUT・・・高圧パルス発生回路出力電圧、vPFL
・・・PFL出力電圧、vLD・・・放lL部印mt圧
” ■LD・・・放電都電流、1・・・可飽和トランス
1次側配置、2・・・可飽和トランス2次側配線、3・
・・レーストラ、り状トランス磁心、4・・・非晶質磁
性合金薄帯、5・・・絶黴用合成樹111g膜。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第3図 IT(5P) x2P  ITx2S 豐練比12 (a) (b) 第4図 第5図 第6図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電圧源として充電電源に並列に接続された可飽和
    トランス及び前記充電電源に対して直列に接続されたコ
    ンデンサの複数段の組み合せよりなり、スイッチ素子の
    ターンオン時間により決定される比較的低周波の電圧ま
    たは電流パルス波形を所定の高周波の波形まで圧縮し、
    かつ所定の電圧まで昇圧する電圧増幅機能を有するパル
    ス幅圧縮回路と、このパルス幅圧縮回路において前記充
    電電源を断続的に接続するスイッチ手段とを備え、前記
    パルス幅圧縮回路の最終段可飽和トランス2次側出力端
    に接続された負荷に急峻な高電圧短パルスを繰返し供給
    することを特徴とする電圧増幅型磁気パルス圧縮回路を
    用いたパルスレーザ用電源装置。
  2. (2)前記電流源として、パルスフォーミングライン、
    パルスフォーミングネットワークまたはコンデンサ等の
    電気エネルギー蓄積器と、この蓄積器を充電する充電回
    路とを具備した主電流注入回路を用いることを特徴とす
    る請求項(1)記載のパルスレーザ用電源装置。
  3. (3)前記可飽和トランスのコアは、非晶質磁性合金薄
    帯を多層巻きにした磁心、フェライト磁心または珪素鋼
    板の磁心を用いることを特徴とする請求項(1)記載の
    パルスレーザ用電源装置。
  4. (4)前記負荷として、エキシマレーザ等の繰返し放電
    励起パルスレーザ装置の放電管とすることを特徴とする
    請求項(1)記載のパルスレーザ用電源装置。
JP29965490A 1990-11-05 1990-11-05 パルスレーザ用電源装置 Pending JPH04171879A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108880232A (zh) * 2016-07-21 2018-11-23 泉州有刺电子商务有限责任公司 直流电无变升压的方法

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CN108880232A (zh) * 2016-07-21 2018-11-23 泉州有刺电子商务有限责任公司 直流电无变升压的方法

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