JP2000031569A - 可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレーザ用電源装置 - Google Patents
可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレーザ用電源装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】導通状態と磁気スイッチ機能とを電流の方向に
対応してもたせた可飽和リアクトルおよびこれを用いた
パルスレーザ用電源装置を提供する。 【解決手段】可飽和磁芯である磁芯１と、磁芯１に巻回
された主巻線２と、磁芯１に巻回された副巻線３と、副
巻線３自体で磁芯１を非飽和状態から飽和状態に遷移さ
せるときの電流ｉｂを副巻線３に流す電流源４とを有
し、主巻線２に電流ｉ２の方向に流した場合、導通状態
となり、主巻線２に電流ｉ１の方向から流した場合、非
飽和状態の初期状態から所定の電圧時間積に達した時点
で飽和状態に遷移する状態となる。
対応してもたせた可飽和リアクトルおよびこれを用いた
パルスレーザ用電源装置を提供する。 【解決手段】可飽和磁芯である磁芯１と、磁芯１に巻回
された主巻線２と、磁芯１に巻回された副巻線３と、副
巻線３自体で磁芯１を非飽和状態から飽和状態に遷移さ
せるときの電流ｉｂを副巻線３に流す電流源４とを有
し、主巻線２に電流ｉ２の方向に流した場合、導通状態
となり、主巻線２に電流ｉ１の方向から流した場合、非
飽和状態の初期状態から所定の電圧時間積に達した時点
で飽和状態に遷移する状態となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の方向によっ
て、高インダクタンス状態および低インダクタンス状態
を切り換える磁気スイッチ機能と、低インダクタンスの
導通機能とをもった高速かつ大電力用の整流作用を実現
する可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレーザ
用電源装置に関する。
て、高インダクタンス状態および低インダクタンス状態
を切り換える磁気スイッチ機能と、低インダクタンスの
導通機能とをもった高速かつ大電力用の整流作用を実現
する可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレーザ
用電源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フェライトやアモルファス磁性体
等の磁芯を用いた可飽和リアクトルは、その透磁率の非
直線性を使用した磁気スイッチとして用いられている。
この可飽和リアクトルは、主巻線が磁芯に所定回数巻回
された構成となっている。主巻線に流れる電流量Ｉを増
加させると、図５に示すように磁束密度Ｂも増大し、磁
束密度ＢがＢ０に達すると、磁芯はその後電流の増加に
かかわらず、一定の磁束密度Ｂ０を維持する飽和状態と
なる。この飽和状態では、磁芯のインダクタンスは非常
に小さい値となる。この結果により、可飽和リアクトル
は磁気スイッチ機能を提供することになる。なお、主巻
線に対して異なる方向から電流を流した場合において
も、同様の磁気スイッチ機能を提供し、非飽和状態から
飽和状態に遷移する電流値の絶対値と磁束密度の値は同
じで、いわゆるＢ−Ｈ特性は原点に関して点対称となっ
ている。
等の磁芯を用いた可飽和リアクトルは、その透磁率の非
直線性を使用した磁気スイッチとして用いられている。
この可飽和リアクトルは、主巻線が磁芯に所定回数巻回
された構成となっている。主巻線に流れる電流量Ｉを増
加させると、図５に示すように磁束密度Ｂも増大し、磁
束密度ＢがＢ０に達すると、磁芯はその後電流の増加に
かかわらず、一定の磁束密度Ｂ０を維持する飽和状態と
なる。この飽和状態では、磁芯のインダクタンスは非常
に小さい値となる。この結果により、可飽和リアクトル
は磁気スイッチ機能を提供することになる。なお、主巻
線に対して異なる方向から電流を流した場合において
も、同様の磁気スイッチ機能を提供し、非飽和状態から
飽和状態に遷移する電流値の絶対値と磁束密度の値は同
じで、いわゆるＢ−Ｈ特性は原点に関して点対称となっ
ている。
【０００３】このような可飽和リアクトルの改良とし
て、特開昭６２−７６５１１号公報には、可飽和鉄心に
主導線の他に補助導線を巻回し、この補助導線に主導線
の電流に応じてバイアス電流を流すことにより主導線の
電流に対するスイッチング作用を制御する磁気スイッチ
が記載され、これにより、補助導線の電流量を変化させ
ることで、主導線の電流量とは無関係に所望のタイミン
グでスイッチング作用を行うことができる。
て、特開昭６２−７６５１１号公報には、可飽和鉄心に
主導線の他に補助導線を巻回し、この補助導線に主導線
の電流に応じてバイアス電流を流すことにより主導線の
電流に対するスイッチング作用を制御する磁気スイッチ
が記載され、これにより、補助導線の電流量を変化させ
ることで、主導線の電流量とは無関係に所望のタイミン
グでスイッチング作用を行うことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、特開昭６２
−７６５１１号公報に記載された磁気スイッチのような
補助導線を有する従来の可飽和リアクトルは磁気リセッ
ト用に補助巻線を設けている。
−７６５１１号公報に記載された磁気スイッチのような
補助導線を有する従来の可飽和リアクトルは磁気リセッ
ト用に補助巻線を設けている。
【０００５】例えば、図６に示すパルスレーザ用電源装
置では、充電用電流源であるチャージャ１１によってコ
ンデンサＣ１１に電荷が直接蓄積される。このコンデン
サＣ１１に蓄積された電荷は、スイッチＳＷ１のオンを
契機として電荷エネルギーの転送が開始される。すなわ
ち、スイッチＳＷ１のオンに伴って可飽和リアクトルＳ
Ｌ１１の両端子間の発生電圧が増大し、所定のアシスト
時間経過後電圧時間積に達して飽和状態となってオンと
なり、コンデンサＣ１１に蓄積された電荷は、可飽和リ
アクトルＳ１１、スイッチＳＷ１を介し、電流Ｉ１１と
してコンデンサＣ１１の反対側に転送される。その後、
可飽和リアクトルＳＬ１２の両端子間電圧の発生により
その電圧でのアシスト時間経過後の時点で可飽和リアク
トルＳＬ１２が飽和状態となってオンとなり、コンデン
サＣ１１に転送された電荷を電流Ｉ１２としてピーキン
グコンデンサＣＰ１に転送する。ピーキングコンデンサ
ＣＰ１に転送された電荷は、電流Ｉ１３としてレーザ放
電部ＬＤ１を放電させ、レーザパルス発振を実現させ
る。
置では、充電用電流源であるチャージャ１１によってコ
ンデンサＣ１１に電荷が直接蓄積される。このコンデン
サＣ１１に蓄積された電荷は、スイッチＳＷ１のオンを
契機として電荷エネルギーの転送が開始される。すなわ
ち、スイッチＳＷ１のオンに伴って可飽和リアクトルＳ
Ｌ１１の両端子間の発生電圧が増大し、所定のアシスト
時間経過後電圧時間積に達して飽和状態となってオンと
なり、コンデンサＣ１１に蓄積された電荷は、可飽和リ
アクトルＳ１１、スイッチＳＷ１を介し、電流Ｉ１１と
してコンデンサＣ１１の反対側に転送される。その後、
可飽和リアクトルＳＬ１２の両端子間電圧の発生により
その電圧でのアシスト時間経過後の時点で可飽和リアク
トルＳＬ１２が飽和状態となってオンとなり、コンデン
サＣ１１に転送された電荷を電流Ｉ１２としてピーキン
グコンデンサＣＰ１に転送する。ピーキングコンデンサ
ＣＰ１に転送された電荷は、電流Ｉ１３としてレーザ放
電部ＬＤ１を放電させ、レーザパルス発振を実現させ
る。
【０００６】しかし、図６に示すパルスレーザ用電源装
置においてスイッチＳＷ１をオンにしてコンデンサＣ１
１に充電された電荷を転送する際、コンデンサＣ１１に
充電された電荷はこの電荷転送によって充電時に正であ
ったコンデンサＣ１１の端子電位Ｐ０は負に急激に変化
する極性反転が起こり、端子電位Ｐ０が負になった時点
からチャージャ１１から電流Ｉ０１が吸い出される。こ
の結果、チャージャ１１による充電電流が設計値以上に
増加する場合が生じ、チャージャ１１を壊し、またチャ
ージ精度を悪化させる場合があるという問題点があっ
た。
置においてスイッチＳＷ１をオンにしてコンデンサＣ１
１に充電された電荷を転送する際、コンデンサＣ１１に
充電された電荷はこの電荷転送によって充電時に正であ
ったコンデンサＣ１１の端子電位Ｐ０は負に急激に変化
する極性反転が起こり、端子電位Ｐ０が負になった時点
からチャージャ１１から電流Ｉ０１が吸い出される。こ
の結果、チャージャ１１による充電電流が設計値以上に
増加する場合が生じ、チャージャ１１を壊し、またチャ
ージ精度を悪化させる場合があるという問題点があっ
た。
【０００７】一方、図７に示すパルスレーザ用電源装置
では、チャージャ１２は、可飽和リアクトルＳＬ２１を
介して少なくともコンデンサＣ１２を充電する。スイッ
チＳＷ２のオンに伴って可飽和リアクトルＳＬ２１の両
端子間電圧が発生し、所定の電圧時間積に達して可飽和
リアクトルＳＬ２１がオンになると、電流Ｉ２１として
コンデンサＣ１２に蓄積されている電荷はコンデンサＣ
１２の反対側の端子に転送される極性反転が行われる。
その後、可飽和リアクトルＳＬ２２の両端子間電圧の発
生によりその電圧でのアシスト時間経過後の時点で可飽
和リアクトルＳＬ２２がオンとなり、電流Ｉ２２として
コンデンサＣ１２に転送された電荷はピーキングコンデ
ンサＣＰ２に転送される。ピーキングコンデンサＣＰ２
に転送された電荷は、電流Ｉ２３としてレーザ放電部Ｌ
Ｄ２を放電させ、レーザパルス発振を実現させる。
では、チャージャ１２は、可飽和リアクトルＳＬ２１を
介して少なくともコンデンサＣ１２を充電する。スイッ
チＳＷ２のオンに伴って可飽和リアクトルＳＬ２１の両
端子間電圧が発生し、所定の電圧時間積に達して可飽和
リアクトルＳＬ２１がオンになると、電流Ｉ２１として
コンデンサＣ１２に蓄積されている電荷はコンデンサＣ
１２の反対側の端子に転送される極性反転が行われる。
その後、可飽和リアクトルＳＬ２２の両端子間電圧の発
生によりその電圧でのアシスト時間経過後の時点で可飽
和リアクトルＳＬ２２がオンとなり、電流Ｉ２２として
コンデンサＣ１２に転送された電荷はピーキングコンデ
ンサＣＰ２に転送される。ピーキングコンデンサＣＰ２
に転送された電荷は、電流Ｉ２３としてレーザ放電部Ｌ
Ｄ２を放電させ、レーザパルス発振を実現させる。
【０００８】しかし、図７に示すパルスレーザ用電源装
置においてチャージャ１２が可飽和リアクトルＳＬ２１
を介してコンデンサＣ１２を充電する際、チャージャ１
２からの充電電流にリップルがある場合、このリップル
周波数によって可飽和リアクトルＳＬ２１のインダクタ
ンスが大きくなり、コンデンサＣ１２への充電が抑制さ
れ、可飽和リアクトルＳＬ２１のチャージャ１２側の点
Ｐ１にサージ電圧が発生する。このサージ電圧は、スイ
ッチＳＷ２の耐電圧を超えて該スイッチＳＷ２を破損す
る場合があるとともに、このサージ電圧によってコンデ
ンサＣ１１の端子電圧を正確に検出することができない
という問題点があった。
置においてチャージャ１２が可飽和リアクトルＳＬ２１
を介してコンデンサＣ１２を充電する際、チャージャ１
２からの充電電流にリップルがある場合、このリップル
周波数によって可飽和リアクトルＳＬ２１のインダクタ
ンスが大きくなり、コンデンサＣ１２への充電が抑制さ
れ、可飽和リアクトルＳＬ２１のチャージャ１２側の点
Ｐ１にサージ電圧が発生する。このサージ電圧は、スイ
ッチＳＷ２の耐電圧を超えて該スイッチＳＷ２を破損す
る場合があるとともに、このサージ電圧によってコンデ
ンサＣ１１の端子電圧を正確に検出することができない
という問題点があった。
【０００９】この場合、可飽和リアクトルＳＬ２１が、
充電電流の方向を導通状態とし、充電された電荷の磁気
圧縮動作に対して磁気スイッチ機能をもつと、サージ電
圧が生じないでスイッチＳＷ２を保護することができ、
しかもリップルをもつ電流を充電電流として用いること
ができる。
充電電流の方向を導通状態とし、充電された電荷の磁気
圧縮動作に対して磁気スイッチ機能をもつと、サージ電
圧が生じないでスイッチＳＷ２を保護することができ、
しかもリップルをもつ電流を充電電流として用いること
ができる。
【００１０】そこで、本発明はかかる問題点を除去し、
導通状態と磁気スイッチ機能とを電流の方向に対応して
もたせた可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレ
ーザ用電源装置を提供することを目的とする。
導通状態と磁気スイッチ機能とを電流の方向に対応して
もたせた可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレ
ーザ用電源装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段および効果】第１の発明
は、可飽和磁芯と、前記可飽和磁芯に巻回された主巻線
と、前記可飽和磁芯に巻回された副巻線と、前記副巻線
自体で前記可飽和磁芯を非飽和状態から飽和状態に遷移
するときの電流を前記副巻線に流す電源とを具備し、前
記可飽和磁芯は、前記主巻線に前記副巻線の電流と同方
向に電圧を印加した場合に該電圧を印加した直後から飽
和状態を呈し、前記主巻線に前記副巻線の電流と逆方向
に電圧を印加した場合に非飽和状態の初期状態から所定
の電圧時間積に達した時点で飽和状態に遷移することを
特徴とする。
は、可飽和磁芯と、前記可飽和磁芯に巻回された主巻線
と、前記可飽和磁芯に巻回された副巻線と、前記副巻線
自体で前記可飽和磁芯を非飽和状態から飽和状態に遷移
するときの電流を前記副巻線に流す電源とを具備し、前
記可飽和磁芯は、前記主巻線に前記副巻線の電流と同方
向に電圧を印加した場合に該電圧を印加した直後から飽
和状態を呈し、前記主巻線に前記副巻線の電流と逆方向
に電圧を印加した場合に非飽和状態の初期状態から所定
の電圧時間積に達した時点で飽和状態に遷移することを
特徴とする。
【００１２】第１の発明では、副巻線に流す電流を該副
巻線自体で可飽和磁芯を非飽和状態から飽和状態に丁度
遷移するときの値に設定しているため、この副巻線に流
れる電流によって生じる磁束の方向と同じ方向に磁束を
生じさせる方向で主巻線に電圧が印加された場合、飽和
状態が維持されて主巻線は低インダクタンス状態、すな
わち導通状態となる。一方、この副巻線に流れる電流に
よって生じる磁束を打ち消す方向に磁束を生じさせる方
向で主巻線に電圧が印加された場合、非飽和状態の初期
状態、すなわち高インダクタンス状態から所定の電圧時
間積に達した時点で飽和状態、すなわち低インダクタン
ス状態に遷移する。この結果、主巻線に流れる電流方向
によって導通状態と磁気スイッチ機能状態との両状態を
併せ持った可飽和リアクトルが実現される。換言すれ
ば、主巻線に流れる一電流方向のみに可飽和リアクトル
の磁気スイッチ機能を持たせ、他電流方向は導通させる
という整流的作用をもった素子が実現される。
巻線自体で可飽和磁芯を非飽和状態から飽和状態に丁度
遷移するときの値に設定しているため、この副巻線に流
れる電流によって生じる磁束の方向と同じ方向に磁束を
生じさせる方向で主巻線に電圧が印加された場合、飽和
状態が維持されて主巻線は低インダクタンス状態、すな
わち導通状態となる。一方、この副巻線に流れる電流に
よって生じる磁束を打ち消す方向に磁束を生じさせる方
向で主巻線に電圧が印加された場合、非飽和状態の初期
状態、すなわち高インダクタンス状態から所定の電圧時
間積に達した時点で飽和状態、すなわち低インダクタン
ス状態に遷移する。この結果、主巻線に流れる電流方向
によって導通状態と磁気スイッチ機能状態との両状態を
併せ持った可飽和リアクトルが実現される。換言すれ
ば、主巻線に流れる一電流方向のみに可飽和リアクトル
の磁気スイッチ機能を持たせ、他電流方向は導通させる
という整流的作用をもった素子が実現される。
【００１３】特に本可飽和リアクトルは、可飽和リアク
トル自体がもつ、高電力特に高電圧に耐え得る高速デバ
イスであることから、半導体電力デバイスでは耐えるこ
とができない高電圧部署に用いることができる。
トル自体がもつ、高電力特に高電圧に耐え得る高速デバ
イスであることから、半導体電力デバイスでは耐えるこ
とができない高電圧部署に用いることができる。
【００１４】第２の発明は、充電用直流電源と、該充電
用直流電源に並列接続されたスイッチ素子と、直列接続
された可飽和リアクトルとコンデンサとを該スイッチ素
子に並列接続し、さらに直列接続された可飽和リアクト
ルとコンデンサと該並列接続されたコンデンサに並列接
続する構成を順次持たせて前記スイッチ素子のオンを契
機としてコンデンサに蓄積されたエネルギーを順次後段
のコンデンサに転送する磁気パルス圧縮回路と、該磁気
パルス圧縮回路の最終段のコンデンサに並列接続された
レーザ放電部とを有するパルスレーザ用電源装置におい
て、前記充電用直流電源からの充電電流が流れる前記磁
気パルス圧縮回路の可飽和リアクトルは、可飽和磁芯
と、前記可飽和磁芯に巻回された主巻線と、前記可飽和
磁芯に巻回された副巻線と、前記副巻線自体で前記可飽
和磁芯を非飽和状態から飽和状態に遷移するときの電流
を前記副巻線に流す電源とを具備し、前記可飽和磁芯
は、前記主巻線に前記副巻線の電流と同方向に電圧を印
加した場合に該電圧を印加した直後から飽和状態を呈
し、前記主巻線に前記副巻線の電流と逆方向に電圧を印
加した場合に非飽和状態の初期状態から所定の電圧時間
積に達した時点で飽和状態に遷移することを特徴とす
る。
用直流電源に並列接続されたスイッチ素子と、直列接続
された可飽和リアクトルとコンデンサとを該スイッチ素
子に並列接続し、さらに直列接続された可飽和リアクト
ルとコンデンサと該並列接続されたコンデンサに並列接
続する構成を順次持たせて前記スイッチ素子のオンを契
機としてコンデンサに蓄積されたエネルギーを順次後段
のコンデンサに転送する磁気パルス圧縮回路と、該磁気
パルス圧縮回路の最終段のコンデンサに並列接続された
レーザ放電部とを有するパルスレーザ用電源装置におい
て、前記充電用直流電源からの充電電流が流れる前記磁
気パルス圧縮回路の可飽和リアクトルは、可飽和磁芯
と、前記可飽和磁芯に巻回された主巻線と、前記可飽和
磁芯に巻回された副巻線と、前記副巻線自体で前記可飽
和磁芯を非飽和状態から飽和状態に遷移するときの電流
を前記副巻線に流す電源とを具備し、前記可飽和磁芯
は、前記主巻線に前記副巻線の電流と同方向に電圧を印
加した場合に該電圧を印加した直後から飽和状態を呈
し、前記主巻線に前記副巻線の電流と逆方向に電圧を印
加した場合に非飽和状態の初期状態から所定の電圧時間
積に達した時点で飽和状態に遷移することを特徴とす
る。
【００１５】第２の発明は、第１の発明である可飽和リ
アクトルをパルスレーザ用電源装置における第１段の可
飽和リアクトルに適用したものである。これにより、第
１段の可飽和リアクトルを用いたパルス圧縮過程を実現
するとともに、第１段の可飽和リアクトルを介して第１
段のコンデンサに電荷を蓄積する際、第１段の可飽和リ
アクトルの充電用直流電源側にサージ電圧が発生せず、
該サージ電圧によるスイッチ素子の破壊を防止すること
ができる。
アクトルをパルスレーザ用電源装置における第１段の可
飽和リアクトルに適用したものである。これにより、第
１段の可飽和リアクトルを用いたパルス圧縮過程を実現
するとともに、第１段の可飽和リアクトルを介して第１
段のコンデンサに電荷を蓄積する際、第１段の可飽和リ
アクトルの充電用直流電源側にサージ電圧が発生せず、
該サージ電圧によるスイッチ素子の破壊を防止すること
ができる。
【００１６】第３の発明は、第２の発明において、前記
磁気パルス圧縮回路の最終段の可飽和リアクトル以外の
可飽和リアクトルは、前記磁気パルス圧縮回路の第１段
の可飽和リアクトルであることを特徴とする。
磁気パルス圧縮回路の最終段の可飽和リアクトル以外の
可飽和リアクトルは、前記磁気パルス圧縮回路の第１段
の可飽和リアクトルであることを特徴とする。
【００１７】これにより、第２の発明と同様な作用効果
を奏する。
を奏する。
【００１８】第４の発明は、第２または第３の発明にお
いて、前記磁気パルス圧縮回路の最終段の可飽和リアク
トルに直列接続され、該磁気パルス圧縮回路によるエネ
ルギー転送方向を導通方向とするダイオードをさらに具
備したことを特徴とする。
いて、前記磁気パルス圧縮回路の最終段の可飽和リアク
トルに直列接続され、該磁気パルス圧縮回路によるエネ
ルギー転送方向を導通方向とするダイオードをさらに具
備したことを特徴とする。
【００１９】これにより、充電中のレーザ放電部にかか
る電圧を小さくし、充電中の不要な放電をなくすことが
できるとともに、レーザ放電部に対するエネルギー供給
後の残余のエネルギーを前段のコンデンサに回生し、次
パルス発振時におけるエネルギー消費効率を格段に向上
することができる。
る電圧を小さくし、充電中の不要な放電をなくすことが
できるとともに、レーザ放電部に対するエネルギー供給
後の残余のエネルギーを前段のコンデンサに回生し、次
パルス発振時におけるエネルギー消費効率を格段に向上
することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００２１】図１は、本発明の実施の形態である可飽和
リアクトルの構成を示す図である。図１において、磁芯
１は、フェライト等の強磁性体で構成される。この磁芯
１には、主巻線２が所定回数巻回されるとともに、副巻
線３も、一定回数巻回される。副巻線３には電流ｉｂを
流す固定電流源としての電流源４が接続される。従っ
て、電流源４が図１に示すように巻回された副巻線３に
電流ｉｂを流すと磁芯１内に磁束が矢印Ａ０の方向に発
生する。また、主巻線２に電流ｉ１を流すと磁芯１内に
は矢印Ａ１の方向に磁束が発生し、電流ｉ２を流すと磁
芯１内には矢印Ａ２の方向に磁束が発生する。この磁芯
１内に発生した磁束の合成は、磁束密度Ｂを用いて表さ
れる。
リアクトルの構成を示す図である。図１において、磁芯
１は、フェライト等の強磁性体で構成される。この磁芯
１には、主巻線２が所定回数巻回されるとともに、副巻
線３も、一定回数巻回される。副巻線３には電流ｉｂを
流す固定電流源としての電流源４が接続される。従っ
て、電流源４が図１に示すように巻回された副巻線３に
電流ｉｂを流すと磁芯１内に磁束が矢印Ａ０の方向に発
生する。また、主巻線２に電流ｉ１を流すと磁芯１内に
は矢印Ａ１の方向に磁束が発生し、電流ｉ２を流すと磁
芯１内には矢印Ａ２の方向に磁束が発生する。この磁芯
１内に発生した磁束の合成は、磁束密度Ｂを用いて表さ
れる。
【００２２】図２は、図１の可飽和リアクトルのＢ−Ｈ
特性を示している。すなわち、横軸に主巻線２に流れる
電流Ｉによって生じる磁界Ｈを示し、縦軸に磁芯１内に
生じた磁束密度Ｂを示している。この場合、電流Ｉは、
電流ｉ１の方向を正にとり、矢印Ａ１の方向を磁束密度
Ｂの正の方向としている。
特性を示している。すなわち、横軸に主巻線２に流れる
電流Ｉによって生じる磁界Ｈを示し、縦軸に磁芯１内に
生じた磁束密度Ｂを示している。この場合、電流Ｉは、
電流ｉ１の方向を正にとり、矢印Ａ１の方向を磁束密度
Ｂの正の方向としている。
【００２３】図２において、副巻線３をもたない場合、
Ｂ−Ｈ特性は、主巻線２を流れる電流Ｉのみによって決
定され、破線５に示すＢ−Ｈ特性を描く。すなわち、電
流Ｉが電流ｉ１の方向に流れると矢印Ａ１の方向に磁束
が発生し、電流ｉ１の増大に伴って磁束密度Ｂが増大
し、磁束密度ＢがＢｂに到達した時点で飽和する。逆
に、電流Ｉが電流ｉ２の方向に流れると矢印Ａ２の方向
に磁束が発生し、電流ｉ２の増大に伴って磁束密度Ｂが
負の方向に増大し、磁束密度Ｂが−Ｂｂに到達した時点
で飽和する。この飽和状態に達するまでの間は高インダ
クタンス状態であり、電流Ｉが流れるのを阻止するが、
飽和状態に達すると電流Ｉの増大にかかわらず、磁束密
度Ｂは一定となり、低インダクタンス状態を呈し、電流
Ｉの導通を許容する。
Ｂ−Ｈ特性は、主巻線２を流れる電流Ｉのみによって決
定され、破線５に示すＢ−Ｈ特性を描く。すなわち、電
流Ｉが電流ｉ１の方向に流れると矢印Ａ１の方向に磁束
が発生し、電流ｉ１の増大に伴って磁束密度Ｂが増大
し、磁束密度ＢがＢｂに到達した時点で飽和する。逆
に、電流Ｉが電流ｉ２の方向に流れると矢印Ａ２の方向
に磁束が発生し、電流ｉ２の増大に伴って磁束密度Ｂが
負の方向に増大し、磁束密度Ｂが−Ｂｂに到達した時点
で飽和する。この飽和状態に達するまでの間は高インダ
クタンス状態であり、電流Ｉが流れるのを阻止するが、
飽和状態に達すると電流Ｉの増大にかかわらず、磁束密
度Ｂは一定となり、低インダクタンス状態を呈し、電流
Ｉの導通を許容する。
【００２４】同様にして、副巻線３を持たせて電流源４
から電流ｉｂを流すと、磁芯１には既に磁束密度Ｂが発
生していることになる。ここで、副巻線３に流す電流ｉ
ｂの値を磁芯１が非飽和状態から飽和状態に遷移する値
となるように設定しておくと、図２の実線６に示すよう
なＢ−Ｈ特性を描き、主巻線２に電流Ｉが流れないとき
は、副巻線３に流れる電流ｉｂによる磁束密度Ｂだけが
磁芯１内に発生しているため、電流Ｉが電流ｉ１方向に
少しでも流れると、非飽和状態となり、一方電流Ｉが電
流ｉ２方向に少しでも流れると、飽和状態となる。この
場合、電流Ｉが電流ｉ１方向に流れている場合、非飽和
状態から飽和状態に遷移させるためには、副巻線３を設
けない場合の２倍の電流量が必要となる。
から電流ｉｂを流すと、磁芯１には既に磁束密度Ｂが発
生していることになる。ここで、副巻線３に流す電流ｉ
ｂの値を磁芯１が非飽和状態から飽和状態に遷移する値
となるように設定しておくと、図２の実線６に示すよう
なＢ−Ｈ特性を描き、主巻線２に電流Ｉが流れないとき
は、副巻線３に流れる電流ｉｂによる磁束密度Ｂだけが
磁芯１内に発生しているため、電流Ｉが電流ｉ１方向に
少しでも流れると、非飽和状態となり、一方電流Ｉが電
流ｉ２方向に少しでも流れると、飽和状態となる。この
場合、電流Ｉが電流ｉ１方向に流れている場合、非飽和
状態から飽和状態に遷移させるためには、副巻線３を設
けない場合の２倍の電流量が必要となる。
【００２５】このようにして、磁芯１に副巻線３を巻回
して磁芯が飽和状態に変化する最小限の電流ｉｂを流し
ておくことにより、主巻線２に対する磁芯１のＢ−Ｈ特
性がシフトし、主巻線２の電流方向が電流ｉ１の方向に
流れる場合、副巻線３を設けない場合と同様な磁気スイ
ッチ効果を呈し、主巻線２の電流方向が電流ｉ２の方向
に流れる場合、常に低インダクタンス状態を呈すること
になる。いわば、片側のみが可飽和リアクトルの機能を
呈する。
して磁芯が飽和状態に変化する最小限の電流ｉｂを流し
ておくことにより、主巻線２に対する磁芯１のＢ−Ｈ特
性がシフトし、主巻線２の電流方向が電流ｉ１の方向に
流れる場合、副巻線３を設けない場合と同様な磁気スイ
ッチ効果を呈し、主巻線２の電流方向が電流ｉ２の方向
に流れる場合、常に低インダクタンス状態を呈すること
になる。いわば、片側のみが可飽和リアクトルの機能を
呈する。
【００２６】従って、図１に示す可飽和リアクトルは、
主巻線２の電流方向によって電流の流れを制限するダイ
オード的な機能を持つことになる。但し、電流の流れが
制限される方向に流れる電流は、可飽和リアクトルが飽
和状態に達することにより、この制限が解除される。
主巻線２の電流方向によって電流の流れを制限するダイ
オード的な機能を持つことになる。但し、電流の流れが
制限される方向に流れる電流は、可飽和リアクトルが飽
和状態に達することにより、この制限が解除される。
【００２７】この図１に示す可飽和リアクトルは、簡単
な構成であるとともに、大電力、大電流特に高電圧に耐
えることができ、しかも高速スイッチングが可能な構造
であるため、大電力用半導体素子ではカバーできない領
域に適用することができる。
な構成であるとともに、大電力、大電流特に高電圧に耐
えることができ、しかも高速スイッチングが可能な構造
であるため、大電力用半導体素子ではカバーできない領
域に適用することができる。
【００２８】この図１に示す可飽和リアクトルを用いた
パルスレーザ用電源装置について図３および図４を参照
して説明する。
パルスレーザ用電源装置について図３および図４を参照
して説明する。
【００２９】図３において、このパルスレーザ用電源装
置は、スイッチ素子ＳＷと、直列接続された可飽和リア
クトルＳＬ１およびコンデンサＣ１とがそれぞれ充電用
直流電源１１に並列接続される。また、直列接続された
可飽和リアクトルＳＬ２、ダイオードＤ１およびピーキ
ングコンデンサＣＰはコンデンサＣ１に並列接続され
る。また、レーザ放電部ＬＤがピーキングコンデンサＣ
Ｐに並列接続される。この場合、ダイオードＤ１はピー
キングコンデンサＣＰから可飽和リアクトルＳＬ３への
方向を導通方向としている。すなわち、ダイオードＤ１
は、パルス圧縮転送時におけるエネルギー転送方向を導
通方向としている。ここで、可飽和リアクトルＳＬ１は
図１に示す可飽和リアクトルを用いている。すなわち、
可飽和リアクトルＳＬ１は、主巻線１２の他に副巻線１
３を磁芯に巻回し、副巻線１３に円流源１４からの電流
を予め流しておく。この電流値は上述したように非飽和
状態から飽和状態に遷移する点の値である。この場合、
充電用直流電源１１からの充電電流Ｉ０が流れる電流方
向に対しては低インダクタンス状態となり、コンデンサ
Ｃ１に蓄積された電荷が電流Ｉ１として流れる電流方向
に対しては磁気スイッチ機能を発揮するように接続され
る。
置は、スイッチ素子ＳＷと、直列接続された可飽和リア
クトルＳＬ１およびコンデンサＣ１とがそれぞれ充電用
直流電源１１に並列接続される。また、直列接続された
可飽和リアクトルＳＬ２、ダイオードＤ１およびピーキ
ングコンデンサＣＰはコンデンサＣ１に並列接続され
る。また、レーザ放電部ＬＤがピーキングコンデンサＣ
Ｐに並列接続される。この場合、ダイオードＤ１はピー
キングコンデンサＣＰから可飽和リアクトルＳＬ３への
方向を導通方向としている。すなわち、ダイオードＤ１
は、パルス圧縮転送時におけるエネルギー転送方向を導
通方向としている。ここで、可飽和リアクトルＳＬ１は
図１に示す可飽和リアクトルを用いている。すなわち、
可飽和リアクトルＳＬ１は、主巻線１２の他に副巻線１
３を磁芯に巻回し、副巻線１３に円流源１４からの電流
を予め流しておく。この電流値は上述したように非飽和
状態から飽和状態に遷移する点の値である。この場合、
充電用直流電源１１からの充電電流Ｉ０が流れる電流方
向に対しては低インダクタンス状態となり、コンデンサ
Ｃ１に蓄積された電荷が電流Ｉ１として流れる電流方向
に対しては磁気スイッチ機能を発揮するように接続され
る。
【００３０】充電用直流電源１１によって印加される直
流高電圧によってコンデンサＣ１が充電される。この
際、可飽和リアクトルＳＬ１は低インダクタンス状態と
なっているので、たとえ充電用直流電源１１からの充電
電流Ｉ０にリップルがある場合にも可飽和リアクトルＳ
Ｌ１の充電用直流電源１１側の点Ｐにはサージ電圧が発
生しない。一方、ピーキングコンデンサＣＰは充電され
ない。ダイオードＤ１によってピーキングコンデンサＣ
Ｐへの電荷移動が阻止されるからである。
流高電圧によってコンデンサＣ１が充電される。この
際、可飽和リアクトルＳＬ１は低インダクタンス状態と
なっているので、たとえ充電用直流電源１１からの充電
電流Ｉ０にリップルがある場合にも可飽和リアクトルＳ
Ｌ１の充電用直流電源１１側の点Ｐにはサージ電圧が発
生しない。一方、ピーキングコンデンサＣＰは充電され
ない。ダイオードＤ１によってピーキングコンデンサＣ
Ｐへの電荷移動が阻止されるからである。
【００３１】従って、図４に示すように、充電が完了し
た段階におけるコンデンサＣ１の端子電圧ＶＣ１は＋Ｅ
ボルト、ピーキングコンデンサＣＰの端子電圧ＶＣＰは
０ボルトとなっている。
た段階におけるコンデンサＣ１の端子電圧ＶＣ１は＋Ｅ
ボルト、ピーキングコンデンサＣＰの端子電圧ＶＣＰは
０ボルトとなっている。
【００３２】その後、ゲートＧ１に所定電圧を印加して
スイッチ素子ＳＷをオンにするとコンデンサＣ１に蓄積
された電荷の転送が開始される。すなわち、スイッチ素
子ＳＷのオンによって可飽和リアクトルＳＬ１の端子電
圧が急激に増大し、可飽和リアクトルＳＬ１の電圧時間
積に達する時間が経過すると飽和し、可飽和リアクトル
ＳＬ１のインダクタンスが急激に減少してオン状態とな
る。この結果、コンデンサＣ１に蓄積された電荷は図３
に示すように、電流Ｉ１として流れ、コンデンサＣ１の
極性が反転する。従って、図４に示すようにコンデンサ
Ｃ１の端子電圧ＶＣ１は＋Ｅボルトから−Ｅボルトに変
化する。このコンデンサＣ１の極性反転の期間Ｔ１にお
いて、ピーキングコンデンサＣＰに蓄積されていた電荷
は、可飽和リアクトルＳＬ２がオフ状態であるにもかか
わらず、可飽和リアクトルＳＬ１を介して漏れ、微小な
電圧降下が生じるが、この漏れはコンデンサＣ１の端子
電圧ＶＣ１が０ボルトに達した以降に生じるので非常に
小さな値である。
スイッチ素子ＳＷをオンにするとコンデンサＣ１に蓄積
された電荷の転送が開始される。すなわち、スイッチ素
子ＳＷのオンによって可飽和リアクトルＳＬ１の端子電
圧が急激に増大し、可飽和リアクトルＳＬ１の電圧時間
積に達する時間が経過すると飽和し、可飽和リアクトル
ＳＬ１のインダクタンスが急激に減少してオン状態とな
る。この結果、コンデンサＣ１に蓄積された電荷は図３
に示すように、電流Ｉ１として流れ、コンデンサＣ１の
極性が反転する。従って、図４に示すようにコンデンサ
Ｃ１の端子電圧ＶＣ１は＋Ｅボルトから−Ｅボルトに変
化する。このコンデンサＣ１の極性反転の期間Ｔ１にお
いて、ピーキングコンデンサＣＰに蓄積されていた電荷
は、可飽和リアクトルＳＬ２がオフ状態であるにもかか
わらず、可飽和リアクトルＳＬ１を介して漏れ、微小な
電圧降下が生じるが、この漏れはコンデンサＣ１の端子
電圧ＶＣ１が０ボルトに達した以降に生じるので非常に
小さな値である。
【００３３】その後、コンデンサＣ１の極性反転による
可飽和リアクトルＳＬ２の電圧時間積の時間経過後に可
飽和リアクトルＳＬ２がオンとなり、極性反転によって
転送されてコンデンサＣ１に蓄積された電荷が電流Ｉ２
として流れ、ピーキングコンデンサＣＰに転送される。
可飽和リアクトルＳＬ２の電圧時間積の時間経過後に可
飽和リアクトルＳＬ２がオンとなり、極性反転によって
転送されてコンデンサＣ１に蓄積された電荷が電流Ｉ２
として流れ、ピーキングコンデンサＣＰに転送される。
【００３４】このピーキングコンデンサＣＰに転送され
た電荷は、電流Ｉ３としてレーザ放電部ＬＤに印加さ
れ、レーザ放電部ＬＤの放電によってレーザ媒質が励起
され、レーザ発振することになる。レーザ放電部ＬＤで
消費された電流以外の残余の電流は、その後レーザ放電
部ＬＤとピーキングコンデンサＣＰとの間で数回共振す
るが、その都度ダイオードＤ１、可飽和リアクトルＳＬ
２を介し、電流Ｉ４としてコンデンサＣ１に回生され
る。しかも、ダイオードＤ１の整流作用によってダイオ
ードＤ１を介してコンデンサＣ１に回生された電荷はピ
ーキングコンデンサＣＰに戻ることが阻止される。これ
により、ピーキングコンデンサＣＰに転送された電荷
は、レーザ放電部ＬＤの放電に寄与するとともに、残余
の電荷は再びコンデンサＣ１に回生され、次の充電エネ
ルギーを削減することができ、エネルギー消費効率を非
常に大きくすることができる。
た電荷は、電流Ｉ３としてレーザ放電部ＬＤに印加さ
れ、レーザ放電部ＬＤの放電によってレーザ媒質が励起
され、レーザ発振することになる。レーザ放電部ＬＤで
消費された電流以外の残余の電流は、その後レーザ放電
部ＬＤとピーキングコンデンサＣＰとの間で数回共振す
るが、その都度ダイオードＤ１、可飽和リアクトルＳＬ
２を介し、電流Ｉ４としてコンデンサＣ１に回生され
る。しかも、ダイオードＤ１の整流作用によってダイオ
ードＤ１を介してコンデンサＣ１に回生された電荷はピ
ーキングコンデンサＣＰに戻ることが阻止される。これ
により、ピーキングコンデンサＣＰに転送された電荷
は、レーザ放電部ＬＤの放電に寄与するとともに、残余
の電荷は再びコンデンサＣ１に回生され、次の充電エネ
ルギーを削減することができ、エネルギー消費効率を非
常に大きくすることができる。
【００３５】なお、可飽和リアクトルＳＬ１，ＳＬ２の
飽和後インダクタンスを設定することにより、期間Ｔ２
は期間Ｔ１に比べて短くなり、転送される電流値が圧縮
されてパルス状のエネルギーがレーザ放電部ＬＤに供給
されることになる。
飽和後インダクタンスを設定することにより、期間Ｔ２
は期間Ｔ１に比べて短くなり、転送される電流値が圧縮
されてパルス状のエネルギーがレーザ放電部ＬＤに供給
されることになる。
【００３６】このようにして、可飽和リアクトルＳＬ１
を図１に示す可飽和リアクトルとすることにより、充電
用直流電源１１からの充電電流をスムーズに導通させ
て、コンデンサＣ１に電荷を蓄積することができるとと
もに、この充電時に可飽和リアクトルＳＬ１の充電用直
流電源１１側にサージ電圧が生じないので、スイッチ素
子ＳＷを壊すことがなく、該スイッチ素子の耐圧を保証
することができる。しかも、コンデンサＣ１に蓄積され
た電荷を転送する場合には、磁気スイッチとして機能す
るため、可飽和リアクトルＳＬ１はダイオード的な一方
向性の可飽和リアクトルとしての機能を提供することに
なる。
を図１に示す可飽和リアクトルとすることにより、充電
用直流電源１１からの充電電流をスムーズに導通させ
て、コンデンサＣ１に電荷を蓄積することができるとと
もに、この充電時に可飽和リアクトルＳＬ１の充電用直
流電源１１側にサージ電圧が生じないので、スイッチ素
子ＳＷを壊すことがなく、該スイッチ素子の耐圧を保証
することができる。しかも、コンデンサＣ１に蓄積され
た電荷を転送する場合には、磁気スイッチとして機能す
るため、可飽和リアクトルＳＬ１はダイオード的な一方
向性の可飽和リアクトルとしての機能を提供することに
なる。
【図１】本発明の実施の形態である可飽和リアクトルの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】図１に示す可飽和リアクトルのＢ−Ｈ特性を示
す図である。
す図である。
【図３】図１に示す可飽和リアクトルを用いたパルスレ
ーザ用電源装置の構成を示す図である。
ーザ用電源装置の構成を示す図である。
【図４】図３に示すパルスレーザ用電源装置のコンデン
サＣ１およびピーキングコンデンサＣＰの電圧変化を示
すタイミングチャートである。
サＣ１およびピーキングコンデンサＣＰの電圧変化を示
すタイミングチャートである。
【図５】従来の可飽和リアクトルのＢ−Ｈ特性を示す図
である。
である。
【図６】従来のパルスレーザ用電源装置の一例を示す図
である。
である。
【図７】従来のパルスレーザ用電源装置の一例を示す図
である。
である。
【符号の説明】 １…磁芯 ２，１２…主巻線 ３，１３…副巻線 ４，
１４…電流源 Ｉ，ｉｂ，ｉ１，ｉ２，Ｉ０，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４
…電流 １１…充電用直流電源 ＳＷ…スイッチ素子 Ｇ１…ゲ
ート ＳＬ１，ＳＬ２…可飽和リアクトル Ｄ１…ダイオード Ｃ１…コンデンサ ＣＰ…ピーキングコンデンサ ＬＤ…レーザ放電部 ＶＣ１，ＶＣＰ…端子電圧
１４…電流源 Ｉ，ｉｂ，ｉ１，ｉ２，Ｉ０，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４
…電流 １１…充電用直流電源 ＳＷ…スイッチ素子 Ｇ１…ゲ
ート ＳＬ１，ＳＬ２…可飽和リアクトル Ｄ１…ダイオード Ｃ１…コンデンサ ＣＰ…ピーキングコンデンサ ＬＤ…レーザ放電部 ＶＣ１，ＶＣＰ…端子電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松木 康彦 神奈川県平塚市四之宮2597 株式会社小松 製作所エレクトロニクス事業本部内 (72)発明者 野村 良雄 神奈川県平塚市四之宮2597 株式会社小松 製作所エレクトロニクス事業本部内 Ｆターム(参考） 5F071 GG05 GG09 HH07 JJ05 5H790 BA02 BB03 BB08 CC01 DD06 EA01 EA03 EA06 EA13 EB01 KK02
Claims (4)
- 【請求項１】 可飽和磁芯と、 前記可飽和磁芯に巻回された主巻線と、 前記可飽和磁芯に巻回された副巻線と、 前記副巻線自体で前記可飽和磁芯を非飽和状態から飽和
状態に遷移するときの電流を前記副巻線に流す電源とを
具備し、前記可飽和磁芯は、前記主巻線に前記副巻線の
電流と同方向に電圧を印加した場合に該電圧を印加した
直後から飽和状態を呈し、前記主巻線に前記副巻線の電
流と逆方向に電圧を印加した場合に非飽和状態の初期状
態から所定の電圧時間積に達した時点で飽和状態に遷移
することを特徴とする可飽和リアクトル。 - 【請求項２】 充電用直流電源と、該充電用直流電源に
並列接続されたスイッチ素子と、直列接続された可飽和
リアクトルとコンデンサとを該スイッチ素子に並列接続
し、さらに直列接続された可飽和リアクトルとコンデン
サとを該並列接続されたコンデンサに並列接続する構成
を順次持たせて前記スイッチ素子のオンを契機としてコ
ンデンサに蓄積されたエネルギーを順次後段のコンデン
サに転送する磁気パルス圧縮回路と、該磁気パルス圧縮
回路の最終段のコンデンサに並列接続されたレーザ放電
部とを有するパルスレーザ用電源装置において、 前記充電用直流電源からの充電電流が流れる前記磁気パ
ルス圧縮回路の可飽和リアクトルは、 可飽和磁芯と、 前記可飽和磁芯に巻回された主巻線と、 前記可飽和磁芯に巻回された副巻線と、 前記副巻線自体で前記可飽和磁芯を非飽和状態から飽和
状態に遷移するときの電流を前記副巻線に流す電源とを
具備し、前記可飽和磁芯は、前記主巻線に前記副巻線の
電流と同方向に電圧を印加した場合に該電圧を印加した
直後から飽和状態を呈し、前記主巻線に前記副巻線の電
流と逆方向に電圧を印加した場合に非飽和状態の初期状
態から所定の電圧時間積に達した時点で飽和状態に遷移
することを特徴とするパルスレーザ用電源装置。 - 【請求項３】 前記磁気パルス圧縮回路の最終段の可飽
和リアクトル以外の可飽和リアクトルは、前記磁気パル
ス圧縮回路の第１段の可飽和リアクトルであることを特
徴とする請求項２に記載のパルスレーザ用電源装置。 - 【請求項４】 前記磁気パルス圧縮回路の最終段の可飽
和リアクトルに直列接続され、該磁気パルス圧縮回路に
よるエネルギー転送方向を導通方向とするダイオードを
さらに具備したことを特徴とする請求項２または３に記
載のパルスレーザ用電源装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19924998A JP3892589B2 (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | 可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレーザ用電源装置 |
| US09/352,610 US6594292B2 (en) | 1998-07-14 | 1999-07-13 | Saturable reactor and power source apparatus for pulse laser utilizing same |
| DE19932594A DE19932594A1 (de) | 1998-07-14 | 1999-07-13 | Sättigungsfähige Drossel und Stromquelleneinrichtung für einen diese Vorrichtungen benutzenden gepulsten Laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19924998A JP3892589B2 (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | 可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレーザ用電源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031569A true JP2000031569A (ja) | 2000-01-28 |
| JP3892589B2 JP3892589B2 (ja) | 2007-03-14 |
Family
ID=16404659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19924998A Expired - Lifetime JP3892589B2 (ja) | 1998-07-14 | 1998-07-14 | 可飽和リアクトルおよびこれを用いたパルスレーザ用電源装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6594292B2 (ja) |
| JP (1) | JP3892589B2 (ja) |
| DE (1) | DE19932594A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023056188A (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-19 | ダイキン工業株式会社 | 放電装置、冷媒評価装置、及び冷媒評価方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2007105035A1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | A method and device for processing frames |
| NZ572826A (en) * | 2008-11-13 | 2010-05-28 | Gallagher Group Ltd | Electric fence energiser |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4257088A (en) * | 1979-04-25 | 1981-03-17 | Nilssen Ole K | High-efficiency single-ended inverter circuit |
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| JPS62108588A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Toshiba Corp | 充放電装置 |
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-
1998
- 1998-07-14 JP JP19924998A patent/JP3892589B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
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