JP2000124530A - パルス電源装置 - Google Patents
パルス電源装置Info
- Publication number
- JP2000124530A JP2000124530A JP29643498A JP29643498A JP2000124530A JP 2000124530 A JP2000124530 A JP 2000124530A JP 29643498 A JP29643498 A JP 29643498A JP 29643498 A JP29643498 A JP 29643498A JP 2000124530 A JP2000124530 A JP 2000124530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- capacitor
- current
- load
- reset
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁化リセット巻線を持つ可飽和リアクトルの
磁気スイッチ動作で負荷にパルス電流を供給する場合、
バイポーラパルス電流を高い繰り返しで供給するのが難
しいし、装置構成が複雑、高価になる。 【解決手段】 半導体スイッチＱP，ＱNの交互のオンで
充電器１２で初期充電されるコンデンサＣ0から可飽和
リアクトルＳＩ０を通してパルストランスＰＴの二次巻
線にバイポーラパルス電流を発生させる。コンデンサＣ
1はバイポーラパルス電流で交互に逆極性に充電され、
可飽和リアクトルＳＩ１Ｐ，ＳＩ１Ｎはコンデンサの充
電電圧方向に対して一方が阻止状態から磁気スイッチ動
作し他方が導通動作することで負荷１４にバイポーラパ
ルス電流を供給する。磁化リセット回路１５は、負荷に
パルス電流が供給される毎に、可飽和リアクトルの磁化
リセット巻線の直列回路に同じ極性の磁化リセット電流
を供給する。
磁気スイッチ動作で負荷にパルス電流を供給する場合、
バイポーラパルス電流を高い繰り返しで供給するのが難
しいし、装置構成が複雑、高価になる。 【解決手段】 半導体スイッチＱP，ＱNの交互のオンで
充電器１２で初期充電されるコンデンサＣ0から可飽和
リアクトルＳＩ０を通してパルストランスＰＴの二次巻
線にバイポーラパルス電流を発生させる。コンデンサＣ
1はバイポーラパルス電流で交互に逆極性に充電され、
可飽和リアクトルＳＩ１Ｐ，ＳＩ１Ｎはコンデンサの充
電電圧方向に対して一方が阻止状態から磁気スイッチ動
作し他方が導通動作することで負荷１４にバイポーラパ
ルス電流を供給する。磁化リセット回路１５は、負荷に
パルス電流が供給される毎に、可飽和リアクトルの磁化
リセット巻線の直列回路に同じ極性の磁化リセット電流
を供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エキシマレーザ装
置等の負荷に狭幅で大電流のパルスを高い繰り返しで供
給するパルス電源装置に係り、特にバイポーラのパルス
出力を得るための回路構成に関する。
置等の負荷に狭幅で大電流のパルスを高い繰り返しで供
給するパルス電源装置に係り、特にバイポーラのパルス
出力を得るための回路構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８に従来のパルス電源装置の例を示
す。パルス発生回路１は、電力用の初段コンデンサＣ0
を設け、このコンデンサＣ0を充電器２により初期充電
しておき、半導体スイッチＳＷのオン制御でコンデンサ
Ｃ0から可飽和リアクトルＳＩ０を経て昇圧・磁気パル
ス圧縮回路３の入力段パルストランスＰＴにパルス電流
Ｉ0を供給する。可飽和リアクトルＳＩ０は、半導体ス
イッチＳＷの完全なオン後に飽和することで半導体スイ
ッチＳＷのスイッチングロスを軽減する磁気アシストに
なる。
す。パルス発生回路１は、電力用の初段コンデンサＣ0
を設け、このコンデンサＣ0を充電器２により初期充電
しておき、半導体スイッチＳＷのオン制御でコンデンサ
Ｃ0から可飽和リアクトルＳＩ０を経て昇圧・磁気パル
ス圧縮回路３の入力段パルストランスＰＴにパルス電流
Ｉ0を供給する。可飽和リアクトルＳＩ０は、半導体ス
イッチＳＷの完全なオン後に飽和することで半導体スイ
ッチＳＷのスイッチングロスを軽減する磁気アシストに
なる。
【０００３】昇圧・磁気パルス圧縮回路３は、パルスト
ランスＰＴで昇圧したパルス電流Ｉ1でコンデンサＣ1を
高圧充電し、このコンデンサＣ1の充電電圧で可飽和リ
アクトルＳＩ１が磁気スイッチ動作することによりコン
デンサＣ1からコンデンサＣ2へ磁気パルス圧縮したパル
ス電流Ｉ2を発生させてコンデンサＣ2を高圧充電し、さ
らにコンデンサＣ2の充電電圧で可飽和リアクトルＳＩ
２が磁気スイッチ動作することによりコンデンサＣ2か
らエキシマレーザなどの負荷４に磁気パルス圧縮した高
電圧のパルス電流Ｉ3を供給する。
ランスＰＴで昇圧したパルス電流Ｉ1でコンデンサＣ1を
高圧充電し、このコンデンサＣ1の充電電圧で可飽和リ
アクトルＳＩ１が磁気スイッチ動作することによりコン
デンサＣ1からコンデンサＣ2へ磁気パルス圧縮したパル
ス電流Ｉ2を発生させてコンデンサＣ2を高圧充電し、さ
らにコンデンサＣ2の充電電圧で可飽和リアクトルＳＩ
２が磁気スイッチ動作することによりコンデンサＣ2か
らエキシマレーザなどの負荷４に磁気パルス圧縮した高
電圧のパルス電流Ｉ3を供給する。
【０００４】ここで、負荷４は、エキシマレーザを始め
として、電源出力極性がマイナスの高電圧パルス（１０
数ｋＶ〜数ｋＶ）で駆動されるものが多い。この負荷の
回路例を図９の（ａ）に示し、ピーキングコンデンサＣ
Pと直列に予備電離電極を設け、ピーキングコンデンサ
がパルス電流で高圧充電されてガスを予備電離し、これ
によりピーキングコンデンサＣPから主放電電極に主放
電を得る。
として、電源出力極性がマイナスの高電圧パルス（１０
数ｋＶ〜数ｋＶ）で駆動されるものが多い。この負荷の
回路例を図９の（ａ）に示し、ピーキングコンデンサＣ
Pと直列に予備電離電極を設け、ピーキングコンデンサ
がパルス電流で高圧充電されてガスを予備電離し、これ
によりピーキングコンデンサＣPから主放電電極に主放
電を得る。
【０００５】一方、負荷４として、排気ガスの分解処理
やオゾンの発生などにはギャップ中の放電空間にパルス
が供給されるというものも多くある。この負荷の回路例
を図９の（ｂ）に示し、ピーキングコンデンサＣPと放
電電極の直列回路にされる。
やオゾンの発生などにはギャップ中の放電空間にパルス
が供給されるというものも多くある。この負荷の回路例
を図９の（ｂ）に示し、ピーキングコンデンサＣPと放
電電極の直列回路にされる。
【０００６】なお、パルス電源の回路構成は、種々のも
のがある。例えば、可飽和リアクトルＳＩ１、ＳＩ２と
コンデンサＣ1、Ｃ2の２段縦続回路は、それぞれの段で
磁気パルス圧縮動作によりパルス幅を狭くするもので、
必要に応じて段数を増した構成にされる。また、パルス
トランスＰＴの部分を可飽和トランスとする構成やパル
ストランスと可飽和トランスの２段構成とするものがあ
る。さらに、半導体スイッチＳＷに代えて、放電管を用
いたものもある。しかし、いずれの場合もユニポーラ出
力のものである。
のがある。例えば、可飽和リアクトルＳＩ１、ＳＩ２と
コンデンサＣ1、Ｃ2の２段縦続回路は、それぞれの段で
磁気パルス圧縮動作によりパルス幅を狭くするもので、
必要に応じて段数を増した構成にされる。また、パルス
トランスＰＴの部分を可飽和トランスとする構成やパル
ストランスと可飽和トランスの２段構成とするものがあ
る。さらに、半導体スイッチＳＷに代えて、放電管を用
いたものもある。しかし、いずれの場合もユニポーラ出
力のものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記のようなグロー放
電応用負荷や無声放電応用負荷では無声放電タイプの負
荷形態をとることがあり、この場合、多くは、プラスと
マイナスのバイポーラ極性をもつ高電圧パルスを発生す
るパルス電源を必要とすることが多い。しかし、従来の
パルス電源は、いずれもユニポーラ出力のものである。
この理由を以下に説明する。
電応用負荷や無声放電応用負荷では無声放電タイプの負
荷形態をとることがあり、この場合、多くは、プラスと
マイナスのバイポーラ極性をもつ高電圧パルスを発生す
るパルス電源を必要とすることが多い。しかし、従来の
パルス電源は、いずれもユニポーラ出力のものである。
この理由を以下に説明する。
【０００８】図８に示すパルス電源において、磁気スイ
ッチ動作する可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１，ＳＩ２
自体は、方向性はもたないが、動作時間を一定にしかつ
その磁性体がもつ電圧時間積（オフ動作時間に相当）を
最大限に得るため、磁化方向が一方向に飽和するまで磁
化させておく。このため、可飽和リアクトルＳＩ０，Ｓ
Ｉ１，ＳＩ２にはリセット巻線を設け、この巻線にリセ
ット電流を供給できる磁化リセット回路ＭＲ０〜ＭＲ２
を設け、半導体スイッチＳＷをオンさせる前にリセット
電流を供給して各可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１，Ｓ
Ｉ２を磁化リセットしておく。
ッチ動作する可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１，ＳＩ２
自体は、方向性はもたないが、動作時間を一定にしかつ
その磁性体がもつ電圧時間積（オフ動作時間に相当）を
最大限に得るため、磁化方向が一方向に飽和するまで磁
化させておく。このため、可飽和リアクトルＳＩ０，Ｓ
Ｉ１，ＳＩ２にはリセット巻線を設け、この巻線にリセ
ット電流を供給できる磁化リセット回路ＭＲ０〜ＭＲ２
を設け、半導体スイッチＳＷをオンさせる前にリセット
電流を供給して各可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１，Ｓ
Ｉ２を磁化リセットしておく。
【０００９】ここで、パルス電源をバイポーラ出力とす
るには、パルス発生回路１のパルス出力を交互に反転さ
せ、可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１，ＳＩ２の磁化リ
セット電流の方向を交互に反転させることで、パルス電
流に対して可飽和リアクトルの電圧阻止方向を反転させ
ておき、磁気パルス圧縮したバイポーラ出力を得ること
ができる。
るには、パルス発生回路１のパルス出力を交互に反転さ
せ、可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１，ＳＩ２の磁化リ
セット電流の方向を交互に反転させることで、パルス電
流に対して可飽和リアクトルの電圧阻止方向を反転させ
ておき、磁気パルス圧縮したバイポーラ出力を得ること
ができる。
【００１０】しかしながら、磁化リセット回路ＭＲ０〜
ＭＲ２は、可飽和リアクトルの電圧阻止動作時間中に変
圧器作用によってリセット巻線に誘起される高電圧が印
加されるため、電圧ブロッキング用に大きなインダクタ
ンスをもつコイルを設けるのが一般的である。このコイ
ルの介在により、パルス電源をバイポーラ出力とするの
に、短い周期でリセット電流の方向を交互に反転させる
ことができなくなり、結果的に高い繰り返し動作を制約
してしまう。
ＭＲ２は、可飽和リアクトルの電圧阻止動作時間中に変
圧器作用によってリセット巻線に誘起される高電圧が印
加されるため、電圧ブロッキング用に大きなインダクタ
ンスをもつコイルを設けるのが一般的である。このコイ
ルの介在により、パルス電源をバイポーラ出力とするの
に、短い周期でリセット電流の方向を交互に反転させる
ことができなくなり、結果的に高い繰り返し動作を制約
してしまう。
【００１１】この課題を解消するには、パルス発生回路
１と昇圧・磁気パルス圧縮回路３を２回路設け、この２
回路から負荷４に交互に逆極性のパルス電流を供給する
ことが考えられるが、回路構成が複雑になるし、２倍以
上の高コストの装置構成になる。また、２回路の同期制
御も複雑になる。
１と昇圧・磁気パルス圧縮回路３を２回路設け、この２
回路から負荷４に交互に逆極性のパルス電流を供給する
ことが考えられるが、回路構成が複雑になるし、２倍以
上の高コストの装置構成になる。また、２回路の同期制
御も複雑になる。
【００１２】本発明の目的は、磁化リセット回路をもつ
可飽和リアクトルを磁気スイッチ手段とするパルス電源
において、バイポーラパルス電流を高い繰り返しで発生
でき、しかも比較的簡単な回路構成にできるパルス電源
装置を提供することにある。
可飽和リアクトルを磁気スイッチ手段とするパルス電源
において、バイポーラパルス電流を高い繰り返しで発生
でき、しかも比較的簡単な回路構成にできるパルス電源
装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、パルス発生回路はプッシュプル回路に構
成し、この出力を一次巻線に中間タップをもつパルスト
ランスに供給することでその二次出力にバイポーラパル
ス電流を得る。また、パルストランスの二次側のコンデ
ンサと負荷との間に互いに逆方向に磁化リセットしてお
く一対の可飽和リアクトルを設けることでバイポーラパ
ルス電流に対して一方が磁気スイッチ動作し、他方が導
通動作するようにし、磁化リセット回路では磁化リセッ
ト電流方向を交互に反転させることなく同じ極性のリセ
ット電流を供給して両可飽和リアクトルを互いに逆方向
に磁化リセットしておくようにしたもので、以下の構成
を特徴とする。
解決するため、パルス発生回路はプッシュプル回路に構
成し、この出力を一次巻線に中間タップをもつパルスト
ランスに供給することでその二次出力にバイポーラパル
ス電流を得る。また、パルストランスの二次側のコンデ
ンサと負荷との間に互いに逆方向に磁化リセットしてお
く一対の可飽和リアクトルを設けることでバイポーラパ
ルス電流に対して一方が磁気スイッチ動作し、他方が導
通動作するようにし、磁化リセット回路では磁化リセッ
ト電流方向を交互に反転させることなく同じ極性のリセ
ット電流を供給して両可飽和リアクトルを互いに逆方向
に磁化リセットしておくようにしたもので、以下の構成
を特徴とする。
【００１４】負荷に高い繰り返しでバイポーラパルス電
流を供給するパルス電源装置であって、初期充電される
コンデンサから昇圧・磁気パルス圧縮回路の中間タップ
付きパルストランスの一次巻線を通して一対の半導体ス
イッチに接続し、この一対の半導体スイッチを互いに逆
位相でスイッチ動作させて該パルストランスの二次巻線
にバイポーラパルス電流を発生させるパルス発生回路
と、前記パルストランスの二次巻線のバイポーラパルス
電流出力で交互に逆極性に充電されるコンデンサと、こ
のコンデンサと負荷との間に設けられ、該コンデンサの
充電電圧方向に対して一方が阻止状態から磁気スイッチ
動作し他方が導通動作する方向に磁化リセットされる一
対の可飽和リアクトルを設けた昇圧・磁気パルス圧縮回
路と、前記一対の可飽和リアクトルが磁気スイッチ動作
する毎に該一対の可飽和リアクトルの磁化リセット巻線
に磁化リセット電流を供給し、この磁化リセット電流は
同じ極性にして該一対の可飽和リアクトルを互いに逆方
向に磁化リセットする磁化リセット回路とを備えたこと
を特徴とする。
流を供給するパルス電源装置であって、初期充電される
コンデンサから昇圧・磁気パルス圧縮回路の中間タップ
付きパルストランスの一次巻線を通して一対の半導体ス
イッチに接続し、この一対の半導体スイッチを互いに逆
位相でスイッチ動作させて該パルストランスの二次巻線
にバイポーラパルス電流を発生させるパルス発生回路
と、前記パルストランスの二次巻線のバイポーラパルス
電流出力で交互に逆極性に充電されるコンデンサと、こ
のコンデンサと負荷との間に設けられ、該コンデンサの
充電電圧方向に対して一方が阻止状態から磁気スイッチ
動作し他方が導通動作する方向に磁化リセットされる一
対の可飽和リアクトルを設けた昇圧・磁気パルス圧縮回
路と、前記一対の可飽和リアクトルが磁気スイッチ動作
する毎に該一対の可飽和リアクトルの磁化リセット巻線
に磁化リセット電流を供給し、この磁化リセット電流は
同じ極性にして該一対の可飽和リアクトルを互いに逆方
向に磁化リセットする磁化リセット回路とを備えたこと
を特徴とする。
【００１５】また、前記半導体スイッチは、互いの導通
方向を逆にしたダイオードを並列に設けた構成とし、負
荷の放電後の残留エネルギーを該ダイオードの導通で前
記パルス発生回路のコンデンサの充電電荷として回生す
ることを特徴とする。
方向を逆にしたダイオードを並列に設けた構成とし、負
荷の放電後の残留エネルギーを該ダイオードの導通で前
記パルス発生回路のコンデンサの充電電荷として回生す
ることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態を示す
回路図である。パルス発生回路１１は、プッシュプル回
路に構成され、充電器１２によって初期充電されるコン
デンサＣ0から可飽和リアクトルＳＩ０及び昇圧・磁気
パルス圧縮回路１３のパルストランスＰＴの一次巻線を
通して２つの半導体スイッチＱP，ＱNに接続し、半導体
スイッチＱP，ＱNが互いに逆位相でスイッチ動作するこ
とで昇圧トランスＰＴにはバイポーラパルス電流を発生
させる。半導体スイッチＱP，ＱNにはそれらと逆の導通
方向にしたダイオードＤN，ＤPが並列接続される。
回路図である。パルス発生回路１１は、プッシュプル回
路に構成され、充電器１２によって初期充電されるコン
デンサＣ0から可飽和リアクトルＳＩ０及び昇圧・磁気
パルス圧縮回路１３のパルストランスＰＴの一次巻線を
通して２つの半導体スイッチＱP，ＱNに接続し、半導体
スイッチＱP，ＱNが互いに逆位相でスイッチ動作するこ
とで昇圧トランスＰＴにはバイポーラパルス電流を発生
させる。半導体スイッチＱP，ＱNにはそれらと逆の導通
方向にしたダイオードＤN，ＤPが並列接続される。
【００１７】昇圧・磁気パルス圧縮回路１３のパルスト
ランスＰＴは、一次巻線を同じ巻数Ｎ１をもつ中間タッ
プ付きとし、半導体スイッチＱP，ＱNのスイッチ動作に
対して巻数Ｎ２の二次巻線には同じ電圧レベルの昇圧バ
イポーラパルス出力を得る。パルストランスＰＴの二次
巻線に並列のコンデンサＣ1はバイポーラパルス電流で
交互に逆極性に充電される。
ランスＰＴは、一次巻線を同じ巻数Ｎ１をもつ中間タッ
プ付きとし、半導体スイッチＱP，ＱNのスイッチ動作に
対して巻数Ｎ２の二次巻線には同じ電圧レベルの昇圧バ
イポーラパルス出力を得る。パルストランスＰＴの二次
巻線に並列のコンデンサＣ1はバイポーラパルス電流で
交互に逆極性に充電される。
【００１８】コンデンサＣ1は、その容量と耐電圧は負
荷に対するエネルギー注入効率が高くなるように選定さ
れる。半導体スイッチＱP，ＱNは、概ね次の式を満足す
るように決定される。
荷に対するエネルギー注入効率が高くなるように選定さ
れる。半導体スイッチＱP，ＱNは、概ね次の式を満足す
るように決定される。
【００１９】 ＱP，ＱNの耐電圧≧Ｃ0の最高充電電圧×２ また、コンデンサＣ0とＣ1の関係は、Ｃ0からＣ1への転
送効率が最大になるように、Ｃ0≒（Ｎ２／Ｎ１）2×Ｃ
1の関係を持たせる。
送効率が最大になるように、Ｃ0≒（Ｎ２／Ｎ１）2×Ｃ
1の関係を持たせる。
【００２０】半導体スイッチＱP，ＱNは、コンデンサＣ
0からＣ1への電荷転送終了後、直ちにターンオフさせ
る。その転送時間は、回路定数と部品の幾何学的配置か
ら一意に決定されるが、可飽和リセットＳＩ０が介在す
るため、半導体スイッチＱP，ＱNにオンゲート信号を印
加してからコンデンサＣ0からＣ1への転送が開始される
までの時間がコンデンサＣ0の充電電圧によって変化す
る。このため、オフゲート信号に切り替えるタイミング
を固定することができない。そこで、コンデンサＣ0か
らＣ1への転流電流あるいはその分流電流を電流センサ
で検出し、この検出信号を利用することで、半導体スイ
ッチＱP，ＱNの制御回路ではオンゲート信号からオフゲ
ート信号への切り替えを行うことができる。
0からＣ1への電荷転送終了後、直ちにターンオフさせ
る。その転送時間は、回路定数と部品の幾何学的配置か
ら一意に決定されるが、可飽和リセットＳＩ０が介在す
るため、半導体スイッチＱP，ＱNにオンゲート信号を印
加してからコンデンサＣ0からＣ1への転送が開始される
までの時間がコンデンサＣ0の充電電圧によって変化す
る。このため、オフゲート信号に切り替えるタイミング
を固定することができない。そこで、コンデンサＣ0か
らＣ1への転流電流あるいはその分流電流を電流センサ
で検出し、この検出信号を利用することで、半導体スイ
ッチＱP，ＱNの制御回路ではオンゲート信号からオフゲ
ート信号への切り替えを行うことができる。
【００２１】次に、コンデンサＣ1と負荷１４との間に
は直列接続の一対の可飽和リアクトルＳＩ１Ｎ，ＳＩ１
Ｐを設ける。この可飽和リアクトルＳＩ１Ｎ，ＳＩ１Ｐ
はその磁化リセットの方向が互いに逆にされる。
は直列接続の一対の可飽和リアクトルＳＩ１Ｎ，ＳＩ１
Ｐを設ける。この可飽和リアクトルＳＩ１Ｎ，ＳＩ１Ｐ
はその磁化リセットの方向が互いに逆にされる。
【００２２】磁化リセット回路１５は、直流電源ＥRST
から電流制限用抵抗ＲRST及び電圧ブロッキング用コイ
ルＬRSTを備え、可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１Ｎ，
ＳＩ１Ｐが磁気スイッチ動作する毎に各リセット巻線の
直列回路に磁化リセット電流を常に同じ極性で供給す
る。このとき、可飽和リアクトルＳＩ１Ｎ，ＳＩ１Ｐを
互いに逆方向に磁化リセットする。
から電流制限用抵抗ＲRST及び電圧ブロッキング用コイ
ルＬRSTを備え、可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１Ｎ，
ＳＩ１Ｐが磁気スイッチ動作する毎に各リセット巻線の
直列回路に磁化リセット電流を常に同じ極性で供給す
る。このとき、可飽和リアクトルＳＩ１Ｎ，ＳＩ１Ｐを
互いに逆方向に磁化リセットする。
【００２３】可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１Ｐ，ＳＩ
１Ｎの近傍に記した太線の矢印の方向は、磁化リセット
電流によって磁化される方向を示しており、矢印の方向
は電気的特性で言うと低インピーダンス状態に、反対方
向に対しては高インピーダンス状態になる。
１Ｎの近傍に記した太線の矢印の方向は、磁化リセット
電流によって磁化される方向を示しており、矢印の方向
は電気的特性で言うと低インピーダンス状態に、反対方
向に対しては高インピーダンス状態になる。
【００２４】ここで、負荷１４として次の２種類を考え
る。１つ目はエキシマレーザなどパルス励起レーザに代
表されるグロー放電応用負荷で、回路は図９の（ａ）に
示すようにピーキングコンデンサと予備電離電極および
主放電電極から成る。もう一つの負荷は、図９の（ｂ）
に示すようにガスの分解・合成で用いられる無声放電応
用負荷である。
る。１つ目はエキシマレーザなどパルス励起レーザに代
表されるグロー放電応用負荷で、回路は図９の（ａ）に
示すようにピーキングコンデンサと予備電離電極および
主放電電極から成る。もう一つの負荷は、図９の（ｂ）
に示すようにガスの分解・合成で用いられる無声放電応
用負荷である。
【００２５】どちらのケースの負荷にしても、注入され
たパルスエネルギーの全てが消費されることはなく、残
りは、電源側に戻ってくる。しかし、両者の負荷では戻
るときの電圧の極性が異なる。以下、それぞれの負荷の
場合で本実施形態の動作を個別に説明する。
たパルスエネルギーの全てが消費されることはなく、残
りは、電源側に戻ってくる。しかし、両者の負荷では戻
るときの電圧の極性が異なる。以下、それぞれの負荷の
場合で本実施形態の動作を個別に説明する。
【００２６】（１）グロー放電応用負荷の場合 図１において、コンデンサＣ0は充電器１２によって図
示の状態に初期充電される。この状態で、半導体スイッ
チＱPをオンさせると、可飽和リアクトルＳＩ０が初期
には電流をブロックしているが、やがてコンデンサＣ0
の電圧で反対極性に磁化され飽和すると、磁気スイッチ
動作で低インピーダンス状態に変化する。
示の状態に初期充電される。この状態で、半導体スイッ
チＱPをオンさせると、可飽和リアクトルＳＩ０が初期
には電流をブロックしているが、やがてコンデンサＣ0
の電圧で反対極性に磁化され飽和すると、磁気スイッチ
動作で低インピーダンス状態に変化する。
【００２７】これにより、コンデンサＣ0から可飽和リ
アクトルＳＩ０→パルストランスＰＴの一次巻線→ＰＴ
の二次巻線に電流が流れ、コンデンサＣ0からＣ1へ電荷
が転送される。このとき、コンデンサＣ1の電圧は、Ｐ
Ｔの巻数比Ｎ２／Ｎ１で昇圧され、その極性は上部が正
の方向に充電される。コンデンサＣ1への電荷転送中
は、可飽和リアクトルＳＩ１Ｐが負荷１４に電荷が転送
されるのを阻止する。このとき、コンデンサＣ1からＣ0
への逆転送動作を可飽和リアクトルＳＩ０が阻止する。
アクトルＳＩ０→パルストランスＰＴの一次巻線→ＰＴ
の二次巻線に電流が流れ、コンデンサＣ0からＣ1へ電荷
が転送される。このとき、コンデンサＣ1の電圧は、Ｐ
Ｔの巻数比Ｎ２／Ｎ１で昇圧され、その極性は上部が正
の方向に充電される。コンデンサＣ1への電荷転送中
は、可飽和リアクトルＳＩ１Ｐが負荷１４に電荷が転送
されるのを阻止する。このとき、コンデンサＣ1からＣ0
への逆転送動作を可飽和リアクトルＳＩ０が阻止する。
【００２８】コンデンサＣ1の電圧によって可飽和リア
クトルＳＩ１Ｐが元の矢印の向きと逆方向に磁化され飽
和すると、コンデンサＣ1から可飽和リアクトルＳＩ１
Ｎ，ＳＩ１Ｐを通して負荷１４に電荷（エネルギー）が
転送される。そして、負荷１４の主放電電極で放電を起
こすと、その放電インピーダンスが低いため、負荷電圧
は反転し、電荷はコンデンサＣ1に転送される。当然、
コンデンサＣ1電圧は、最初のときと逆極性になる。
クトルＳＩ１Ｐが元の矢印の向きと逆方向に磁化され飽
和すると、コンデンサＣ1から可飽和リアクトルＳＩ１
Ｎ，ＳＩ１Ｐを通して負荷１４に電荷（エネルギー）が
転送される。そして、負荷１４の主放電電極で放電を起
こすと、その放電インピーダンスが低いため、負荷電圧
は反転し、電荷はコンデンサＣ1に転送される。当然、
コンデンサＣ1電圧は、最初のときと逆極性になる。
【００２９】この時点では半導体スイッチＱPをオフさ
せているので、パルストランスＰＴの一次側には図２に
示すような短絡ループ電流は流れない。そして、コンデ
ンサＣ1の逆極性の電圧でＳＩ０の磁化方向が元の方向
に飽和すると、図３に示すように、パルストランスＰＴ
の一次側の中性点→ＳＩ０→Ｃ0→ダイオードＤNのルー
プで電流が流れ、負荷１４の放電後の残留エネルギーを
コンデンサＣ1からＣ0へ転送され、残留エネルギーの回
生を得る。これで正極性のパルス発生の一連の動作が終
了する。
せているので、パルストランスＰＴの一次側には図２に
示すような短絡ループ電流は流れない。そして、コンデ
ンサＣ1の逆極性の電圧でＳＩ０の磁化方向が元の方向
に飽和すると、図３に示すように、パルストランスＰＴ
の一次側の中性点→ＳＩ０→Ｃ0→ダイオードＤNのルー
プで電流が流れ、負荷１４の放電後の残留エネルギーを
コンデンサＣ1からＣ0へ転送され、残留エネルギーの回
生を得る。これで正極性のパルス発生の一連の動作が終
了する。
【００３０】この後、次のパルス発生に備えて、コンデ
ンサＣ0に不足分の電圧を充電器１２で充電すると同時
に、ＳＩ０，ＳＩ１Ｐ，ＳＩ１Ｎの磁化状態を磁化リセ
ット回路１５で初期状態に戻す。
ンサＣ0に不足分の電圧を充電器１２で充電すると同時
に、ＳＩ０，ＳＩ１Ｐ，ＳＩ１Ｎの磁化状態を磁化リセ
ット回路１５で初期状態に戻す。
【００３１】次に、半導体スイッチＱNをオンさせる
と、正極性のパルス発生時と同様に、可飽和リセットＳ
Ｉ０が初期に電流をブロックしているが、やがてコンデ
ンサＣ0電圧で反対極性に磁化され飽和し、低インピー
ダンス状態に変化し、電流が流れ、コンデンサＣ0から
Ｃ1へ電荷が転送される。このとき、コンデンサＣ1の電
圧の極性は上部が負の方向に充電される。コンデンサＣ
1への転送中は、可飽和リアクトルＳＩ１Ｎが負荷１４
に電荷が転送されるのを阻止する。
と、正極性のパルス発生時と同様に、可飽和リセットＳ
Ｉ０が初期に電流をブロックしているが、やがてコンデ
ンサＣ0電圧で反対極性に磁化され飽和し、低インピー
ダンス状態に変化し、電流が流れ、コンデンサＣ0から
Ｃ1へ電荷が転送される。このとき、コンデンサＣ1の電
圧の極性は上部が負の方向に充電される。コンデンサＣ
1への転送中は、可飽和リアクトルＳＩ１Ｎが負荷１４
に電荷が転送されるのを阻止する。
【００３２】コンデンサＣ0→Ｃ1への電荷転送終了後、
Ｃ1→Ｃ0への逆転送動作は、前記の場合と同じく可飽和
リアクトルＳＩ０が阻止する。コンデンサＣ1の電圧に
よって可飽和リアクトルＳＩ１Ｎが元の矢印の向きと逆
方向に磁化され飽和すると、コンデンサＣ1から負荷に
電荷（エネルギー）が転送される。そして、負荷１４の
主放電電極で放電を起こすと，その放電インピーダンス
が低いため、負荷電圧は反転し、電荷はコンデンサＣ1
に転送される。当然、コンデンサＣ1の電圧は，最初の
ときと逆極性になる。
Ｃ1→Ｃ0への逆転送動作は、前記の場合と同じく可飽和
リアクトルＳＩ０が阻止する。コンデンサＣ1の電圧に
よって可飽和リアクトルＳＩ１Ｎが元の矢印の向きと逆
方向に磁化され飽和すると、コンデンサＣ1から負荷に
電荷（エネルギー）が転送される。そして、負荷１４の
主放電電極で放電を起こすと，その放電インピーダンス
が低いため、負荷電圧は反転し、電荷はコンデンサＣ1
に転送される。当然、コンデンサＣ1の電圧は，最初の
ときと逆極性になる。
【００３３】この時点では半導体スイッチＱNをオフさ
せているので、パルストランスＰＴの一次側には図４に
示すような短絡ループ電流は流れない。そして、可飽和
リアクトルＳＩ０の磁化方向が元の状態に飽和すると、
図５に示すように、パルストランスＰＴの一次側の中性
点→ＳＩ０→Ｃ0→ダイオードＤPのループで電流が流
れ、コンデンサＣ1からＣ0へ残留エネルギーが回生され
る。これで負極性のパルス発生の一連の動作が終了す
る。
せているので、パルストランスＰＴの一次側には図４に
示すような短絡ループ電流は流れない。そして、可飽和
リアクトルＳＩ０の磁化方向が元の状態に飽和すると、
図５に示すように、パルストランスＰＴの一次側の中性
点→ＳＩ０→Ｃ0→ダイオードＤPのループで電流が流
れ、コンデンサＣ1からＣ0へ残留エネルギーが回生され
る。これで負極性のパルス発生の一連の動作が終了す
る。
【００３４】（２）無声放電応用負荷の場合 負荷１４にパルスエネルギーが注入されるまでの動作は
同じなので、そこまでの説明は省略する。無声放電電極
で放電を起こしても，負荷１４では図９の（ｂ）に示す
ように直列にピーキングコンデンサＣPが入っているた
め負荷端の電圧は反転しないで残留電圧となる。この電
圧で、可飽和リアクトルＳＩ１Ｐが反対方向に磁化され
飽和すると、コンデンサＣ1に電荷が転送される。
同じなので、そこまでの説明は省略する。無声放電電極
で放電を起こしても，負荷１４では図９の（ｂ）に示す
ように直列にピーキングコンデンサＣPが入っているた
め負荷端の電圧は反転しないで残留電圧となる。この電
圧で、可飽和リアクトルＳＩ１Ｐが反対方向に磁化され
飽和すると、コンデンサＣ1に電荷が転送される。
【００３５】このとき、半導体スイッチＱNをオフ状態
であるため、パルストランスＰＴの一次側には図４に示
すような短絡ループ電流は流れない。そして、可飽和リ
アクトルＳＩ０の磁化方向が左向きに飽和すると、図５
に示すように、ＰＴの一次側の中性点→ＳＩ０→Ｃ0→
ダイオードＤPのループで電流が流れ、コンデンサＣ１
からＣ０へエネルギーが転送される。これで正極性のパ
ルス発生の一連の動作が終了する。
であるため、パルストランスＰＴの一次側には図４に示
すような短絡ループ電流は流れない。そして、可飽和リ
アクトルＳＩ０の磁化方向が左向きに飽和すると、図５
に示すように、ＰＴの一次側の中性点→ＳＩ０→Ｃ0→
ダイオードＤPのループで電流が流れ、コンデンサＣ１
からＣ０へエネルギーが転送される。これで正極性のパ
ルス発生の一連の動作が終了する。
【００３６】次の負極性パルスを出力する一連の動作
は、これまでの記述から容易に推察されるため、その説
明を省略する。
は、これまでの記述から容易に推察されるため、その説
明を省略する。
【００３７】以上のとおり、本実施形態によれば、半導
体スイッチＱP，ＱNの交互のオンによりパルストランス
ＰＴにバイポーラパルス電流を発生し、グロー放電応用
負荷あるいは無声放電応用負荷にバイポーラパルス電流
を供給することができる。
体スイッチＱP，ＱNの交互のオンによりパルストランス
ＰＴにバイポーラパルス電流を発生し、グロー放電応用
負荷あるいは無声放電応用負荷にバイポーラパルス電流
を供給することができる。
【００３８】そして、可飽和リアクトルＳＩ０，ＳＩ１
Ｎ，ＳＩ１Ｐが磁気スイッチ動作する毎にそれらに供給
する磁化リセット電流は同じ極性で済むため、磁化リセ
ット回路１５には磁化リセット電流を交互に反転するこ
とを必要としない。このため、磁化リセット回路１５で
は電圧ブロッキング用コイルＬRSTには大きいインダク
タンスのものを使用しならが、ｋＨZオーダの高い繰り
返しのバイポーラパルス電流の発生にも高い繰り返しで
確実に磁化リセットができる。
Ｎ，ＳＩ１Ｐが磁気スイッチ動作する毎にそれらに供給
する磁化リセット電流は同じ極性で済むため、磁化リセ
ット回路１５には磁化リセット電流を交互に反転するこ
とを必要としない。このため、磁化リセット回路１５で
は電圧ブロッキング用コイルＬRSTには大きいインダク
タンスのものを使用しならが、ｋＨZオーダの高い繰り
返しのバイポーラパルス電流の発生にも高い繰り返しで
確実に磁化リセットができる。
【００３９】また、半導体スイッチＱP，ＱNには、互い
の導通方向を逆にしたダイオードＤP，ＤNを並列に設け
ることにより、負荷の放電後の残留エネルギーを該ダイ
オードの導通でコンデンサＣ0の充電電荷として回生す
ることができる。
の導通方向を逆にしたダイオードＤP，ＤNを並列に設け
ることにより、負荷の放電後の残留エネルギーを該ダイ
オードの導通でコンデンサＣ0の充電電荷として回生す
ることができる。
【００４０】また、装置構成としては、バイポーラパル
ス電流を発生するために２つのパルス電源を用意するも
のに比べて、必要回路素子数を低減することができる
し、半導体スイッチや磁化リセット回路の制御も簡単に
なる。
ス電流を発生するために２つのパルス電源を用意するも
のに比べて、必要回路素子数を低減することができる
し、半導体スイッチや磁化リセット回路の制御も簡単に
なる。
【００４１】図６は、本発明の他の実施形態を示す回路
図である。同図が図１と異なる部分は、コンデンサＣ1
の両端と負荷１４との間に可飽和リアクトルＳＩ１Ｐ，
ＳＩ１Ｎを設け、パルストランスＰＴからのプッシュプ
ル出力によりコンデンサＣ1の充電極性が交互に変化す
るのに対して、可飽和リアクトルＳＩ１Ｐ，ＳＩ１Ｎの
一方が阻止方向で他方が低インピーダンス方向に磁化リ
セットされる。
図である。同図が図１と異なる部分は、コンデンサＣ1
の両端と負荷１４との間に可飽和リアクトルＳＩ１Ｐ，
ＳＩ１Ｎを設け、パルストランスＰＴからのプッシュプ
ル出力によりコンデンサＣ1の充電極性が交互に変化す
るのに対して、可飽和リアクトルＳＩ１Ｐ，ＳＩ１Ｎの
一方が阻止方向で他方が低インピーダンス方向に磁化リ
セットされる。
【００４２】図１の場合は、出力の一端を接地する負荷
に適した回路であるが、本実施形態では負荷１４が浮い
た状態の出力に適する回路となっている。本実施形態の
動作については、これまでの記述と同等になりその説明
を省略する。
に適した回路であるが、本実施形態では負荷１４が浮い
た状態の出力に適する回路となっている。本実施形態の
動作については、これまでの記述と同等になりその説明
を省略する。
【００４３】また、図１又は図６に示す回路では、共に
磁気パルス圧縮段が１段の場合を示すが、図７に示すよ
うに、必要な出力エネルギーや出力パルス幅に応じて、
コイルＣ1〜Ｃｎと可飽和リアクトルＳＩ１Ｐ〜ＳＩｎ
Ｎによる複数段の磁気パルス圧縮回路を設けたパルス電
源装置に適用して同等の作用効果を得ることができる。
同図では磁化リセット回路を省略して示す。
磁気パルス圧縮段が１段の場合を示すが、図７に示すよ
うに、必要な出力エネルギーや出力パルス幅に応じて、
コイルＣ1〜Ｃｎと可飽和リアクトルＳＩ１Ｐ〜ＳＩｎ
Ｎによる複数段の磁気パルス圧縮回路を設けたパルス電
源装置に適用して同等の作用効果を得ることができる。
同図では磁化リセット回路を省略して示す。
【００４４】また、磁化リセット回路は、コンデンサＣ
0専用の回路と、一対の可飽和リアクトルＳＩ１Ｎ，Ｓ
Ｉ１Ｐ又は磁気パルス圧縮回路の全部の可飽和リアクト
ルＳＩ１Ｐ〜ＳＩｎＮに一括して磁化リセット電流を同
じ方向で供給する回路とに分離構成することができる
し、磁気アシスト用の可飽和リアクトルＳＩ０を省略し
た構成のものに適用できる。また、一対の可飽和リアク
トルＳＩ１Ｎ，ＳＩ１Ｐの磁化リセット巻線は直列接続
するに限らず、磁化リセット回路から個別に逆極性のリ
セット電流を供給する接続構成にできる。
0専用の回路と、一対の可飽和リアクトルＳＩ１Ｎ，Ｓ
Ｉ１Ｐ又は磁気パルス圧縮回路の全部の可飽和リアクト
ルＳＩ１Ｐ〜ＳＩｎＮに一括して磁化リセット電流を同
じ方向で供給する回路とに分離構成することができる
し、磁気アシスト用の可飽和リアクトルＳＩ０を省略し
た構成のものに適用できる。また、一対の可飽和リアク
トルＳＩ１Ｎ，ＳＩ１Ｐの磁化リセット巻線は直列接続
するに限らず、磁化リセット回路から個別に逆極性のリ
セット電流を供給する接続構成にできる。
【００４５】このような構成においても、電圧ブロッキ
ング用コイルを大きいインダクタンスにして高い繰り返
しのバイポーラパルス電流を発生させることができる。
ング用コイルを大きいインダクタンスにして高い繰り返
しのバイポーラパルス電流を発生させることができる。
【００４６】なお、各実施形態において、例えば、一対
の可飽和リセットＳＩ１Ｎ，ＳＩ１Ｐの磁化リセット巻
線を直列接続して互いに逆方向の磁化を行う構成では、
変圧器作用によって磁化リセット巻線に発生する高い電
圧を両巻線間で相殺することができ、コイルＬRSTのイ
ンダクタンスを小さくした電圧ブロッキングができ、結
果的にバイポーラパルス電流周期を一層高めることがで
きる。
の可飽和リセットＳＩ１Ｎ，ＳＩ１Ｐの磁化リセット巻
線を直列接続して互いに逆方向の磁化を行う構成では、
変圧器作用によって磁化リセット巻線に発生する高い電
圧を両巻線間で相殺することができ、コイルＬRSTのイ
ンダクタンスを小さくした電圧ブロッキングができ、結
果的にバイポーラパルス電流周期を一層高めることがで
きる。
【００４７】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、パルス
発生回路はプッシュプル回路に構成してパルストランス
にバイポーラパルス電流を得、パルストランスの二次側
のコンデンサと負荷との間に互いに逆方向に磁化リセッ
トしておく一対の可飽和リアクトルを設けることでバイ
ポーラパルス電流に対して一方が磁気スイッチ動作し、
他方が導通動作するようにし、磁化リセット回路では同
じ極性の磁化リセット電流を供給して両可飽和リアクト
ルを互いに逆方向に磁化リセットしておくようにしたた
め、磁化リセットに高速動作を得ることでバイポーラパ
ルス電流を高い繰り返しで発生でき、しかも比較的簡単
な回路構成にできる。
発生回路はプッシュプル回路に構成してパルストランス
にバイポーラパルス電流を得、パルストランスの二次側
のコンデンサと負荷との間に互いに逆方向に磁化リセッ
トしておく一対の可飽和リアクトルを設けることでバイ
ポーラパルス電流に対して一方が磁気スイッチ動作し、
他方が導通動作するようにし、磁化リセット回路では同
じ極性の磁化リセット電流を供給して両可飽和リアクト
ルを互いに逆方向に磁化リセットしておくようにしたた
め、磁化リセットに高速動作を得ることでバイポーラパ
ルス電流を高い繰り返しで発生でき、しかも比較的簡単
な回路構成にできる。
【００４８】また、半導体スイッチＱP，ＱNには、互い
の導通方向を逆にしたダイオードＤP，ＤNを並列に設け
ることにより、グロー放電応用負荷あるいは無声放電応
用負荷の放電後の残留エネルギーをパルス発生回路のコ
ンデンサＣ0の充電電荷として回生することができる。
の導通方向を逆にしたダイオードＤP，ＤNを並列に設け
ることにより、グロー放電応用負荷あるいは無声放電応
用負荷の放電後の残留エネルギーをパルス発生回路のコ
ンデンサＣ0の充電電荷として回生することができる。
【図１】本発明の実施形態を示すパルス電源回路図。
【図２】実施形態において半導体スイッチＱPがループ
電流の発生を阻止する状態。
電流の発生を阻止する状態。
【図３】実施形態における余剰エネルギーの回生状態。
【図４】実施形態において半導体スイッチＱNがループ
電流の発生を阻止する状態。
電流の発生を阻止する状態。
【図５】実施形態における余剰エネルギーの回生状態。
【図６】本発明の他の実施形態を示すパルス電源回路
図。
図。
【図７】本発明の他の実施形態を示すパルス電源回路
図。
図。
【図８】従来のパルス電源例。
【図９】負荷の回路例。
１、１１…パルス発生回路 ２…充電器 ３、１３…昇圧・磁気パルス圧縮回路 ４、１４…負荷 ＭＲ０〜ＭＲ２、１５…磁化リセット回路 ＱP，ＱN…半導体スイッチ ＳＩ０，ＳＩ１，ＳＩ２、ＳＩ１Ｐ〜ＳＩｎＮ…可飽和
リアクトル Ｃ0、Ｃ１〜Ｃｎ…コンデンサ ＬRST…電圧ブロッキング用コイル
リアクトル Ｃ0、Ｃ１〜Ｃｎ…コンデンサ ＬRST…電圧ブロッキング用コイル
Claims (2)
- 【請求項１】 負荷に高い繰り返しでバイポーラパルス
電流を供給するパルス電源装置であって、 初期充電されるコンデンサから昇圧・磁気パルス圧縮回
路の中間タップ付きパルストランスの一次巻線を通して
一対の半導体スイッチに接続し、この一対の半導体スイ
ッチを互いに逆位相でスイッチ動作させて該パルストラ
ンスの二次巻線にバイポーラパルス電流を発生させるパ
ルス発生回路と、 前記パルストランスの二次巻線のバイポーラパルス電流
出力で交互に逆極性に充電されるコンデンサと、このコ
ンデンサと負荷との間に設けられ、該コンデンサの充電
電圧方向に対して一方が阻止状態から磁気スイッチ動作
し他方が導通動作する方向に磁化リセットされる一対の
可飽和リアクトルを設けた昇圧・磁気パルス圧縮回路
と、 前記一対の可飽和リアクトルが磁気スイッチ動作する毎
に該一対の可飽和リアクトルの磁化リセット巻線に磁化
リセット電流を供給し、この磁化リセット電流は同じ極
性にして該一対の可飽和リアクトルを互いに逆方向に磁
化リセットする磁化リセット回路とを備えたことを特徴
とするパルス電源装置。 - 【請求項２】 前記半導体スイッチは、互いの導通方向
を逆にしたダイオードを並列に設けた構成とし、負荷の
放電後の残留エネルギーを該ダイオードの導通で前記パ
ルス発生回路のコンデンサの充電電荷として回生するこ
とを特徴とする請求項１に記載のパルス電源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29643498A JP2000124530A (ja) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | パルス電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29643498A JP2000124530A (ja) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | パルス電源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000124530A true JP2000124530A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17833497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29643498A Pending JP2000124530A (ja) | 1998-10-19 | 1998-10-19 | パルス電源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000124530A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280648A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Gigaphoton Inc | 高電圧パルス発生装置及び露光用放電励起ガスレーザ装置 |
| JP2010272902A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Meidensha Corp | パルス電源 |
| CN117792142A (zh) * | 2024-02-28 | 2024-03-29 | 中国空气动力研究与发展中心高速空气动力研究所 | 一种大功率高频脉冲等离子体电源及其充放电方法 |
-
1998
- 1998-10-19 JP JP29643498A patent/JP2000124530A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280648A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Gigaphoton Inc | 高電圧パルス発生装置及び露光用放電励起ガスレーザ装置 |
| JP4573455B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2010-11-04 | ギガフォトン株式会社 | 高電圧パルス発生装置及び露光用放電励起ガスレーザ装置 |
| JP2010272902A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Meidensha Corp | パルス電源 |
| CN117792142A (zh) * | 2024-02-28 | 2024-03-29 | 中国空气动力研究与发展中心高速空气动力研究所 | 一种大功率高频脉冲等离子体电源及其充放电方法 |
| CN117792142B (zh) * | 2024-02-28 | 2024-05-14 | 中国空气动力研究与发展中心高速空气动力研究所 | 一种大功率高频脉冲等离子体电源及其充放电方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2186899C (en) | Pulse power generating circuit with energy recovery | |
| US5138622A (en) | Apparatus and method for generating high-power, high-voltage pulses, particularly for te gas lasers | |
| WO2006071886A9 (en) | High voltage pulse generator | |
| WO2006057365A1 (ja) | 高電圧パルス発生回路 | |
| JP2000124530A (ja) | パルス電源装置 | |
| JP2000323772A (ja) | パルス電源装置 | |
| JPH07245549A (ja) | 高電圧パルス発生装置 | |
| JP2005295654A (ja) | パルス電源装置 | |
| JP3803482B2 (ja) | パルス電源装置 | |
| US20070242492A1 (en) | Pulse generator circuit | |
| EP1693945A1 (en) | Pulse generator circuit | |
| JP3687424B2 (ja) | パルス電源装置 | |
| JPH08107245A (ja) | パルス電源 | |
| JP2000050653A (ja) | パルス電源装置 | |
| JP4038927B2 (ja) | パルス電源 | |
| JP2001274492A (ja) | パルスレーザ電源 | |
| JP4013634B2 (ja) | パルス電源装置 | |
| JP2007104797A (ja) | パルス電源装置 | |
| JPH06237153A (ja) | パルス電源 | |
| JP3847460B2 (ja) | パルス電源装置 | |
| JP4612234B2 (ja) | パルス電源 | |
| JP2000209876A (ja) | パルス電源装置 | |
| JP3078118B2 (ja) | パルス電源回路 | |
| JPH08186476A (ja) | パルス電源 | |
| JPH11145794A (ja) | パルス電源 |