JP2002046726A - 高分子化合物製容器の表面改質方法とその装置 - Google Patents
高分子化合物製容器の表面改質方法とその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 ＰＥＴ容器２を収納室３に収納して蓋体
４で密閉した状態からソレノイドコイル７を励磁した
後、収納室３内に負圧を導入する。次に収納室３内にプ
ラズマを発生させ、次に高圧電源１５から電極５に直流
の高電圧パルスを印加する。これによって、ＰＥＴ容器
２における内方側の表面内部にイオンが注入されて、表
面そのものがＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）に
改質される。 【効果】 ＰＥＴ容器２の内方側の表面そのものをＤＬ
Ｃに改質するので、そのＤＬＣの層が剥離することがな
い。したがって、ビールや炭酸飲料用の容器としても好
適なＰＥＴ容器２を提供できる。
４で密閉した状態からソレノイドコイル７を励磁した
後、収納室３内に負圧を導入する。次に収納室３内にプ
ラズマを発生させ、次に高圧電源１５から電極５に直流
の高電圧パルスを印加する。これによって、ＰＥＴ容器
２における内方側の表面内部にイオンが注入されて、表
面そのものがＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）に
改質される。 【効果】 ＰＥＴ容器２の内方側の表面そのものをＤＬ
Ｃに改質するので、そのＤＬＣの層が剥離することがな
い。したがって、ビールや炭酸飲料用の容器としても好
適なＰＥＴ容器２を提供できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高分子化合物製容器
の表面改質方法とその装置に関し、より詳しくは、例え
ばＰＥＴ容器（ポリエチレンテフレタート容器）の内側
の表面をＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの
ようなガス透過が少ないものに改質する方法および装置
に関する。
の表面改質方法とその装置に関し、より詳しくは、例え
ばＰＥＴ容器（ポリエチレンテフレタート容器）の内側
の表面をＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの
ようなガス透過が少ないものに改質する方法および装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、軽量で耐衝撃性が有り、しかも再
栓性を備えているため、飲料用容器としてＰＥＴ容器が
多数用いられている。上述した特長がある反面、ＰＥＴ
容器は酸素および二酸化炭素を透過するという欠点があ
るため、ビールや炭酸ガス含有飲料を充填する容器とし
ては不適当であり、そのような飲料用の容器として使用
できないという欠点があった。そこで、従来、上述した
ＰＥＴ容器の欠点を解消するために、ＰＥＴ容器の内面
を硬質炭素膜でコーティングする装置および方法が提案
されている（例えば、特許第２７８８４１２号）。上記
特許に開示された装置および方法によれば、ＰＥＴ容器
の内面のみに硬質炭素膜をコーティングできるので、こ
の硬質炭素膜によって酸素や二酸化炭素の透過を阻止す
ることができる。
栓性を備えているため、飲料用容器としてＰＥＴ容器が
多数用いられている。上述した特長がある反面、ＰＥＴ
容器は酸素および二酸化炭素を透過するという欠点があ
るため、ビールや炭酸ガス含有飲料を充填する容器とし
ては不適当であり、そのような飲料用の容器として使用
できないという欠点があった。そこで、従来、上述した
ＰＥＴ容器の欠点を解消するために、ＰＥＴ容器の内面
を硬質炭素膜でコーティングする装置および方法が提案
されている（例えば、特許第２７８８４１２号）。上記
特許に開示された装置および方法によれば、ＰＥＴ容器
の内面のみに硬質炭素膜をコーティングできるので、こ
の硬質炭素膜によって酸素や二酸化炭素の透過を阻止す
ることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
許に開示された装置および方法においては、硬質炭素膜
の原料となる炭素系ガスをＰＥＴ容器内に供給し、これ
にプラズマを発生させてから容器の内側の表面に付着さ
せることで、硬質炭素膜を形成していたものである。換
言すると、上記特許に開示された装置および方法は、あ
くまでも容器の内側の表面に硬質炭素膜をコーティング
する技術であり、容器の内側の表面そのものを改質する
ものではなかった。そのため、上記特許の装置および方
法によって製造されたＰＥＴ容器に飲料を充填した場合
には、コーティングされた硬質炭素膜が剥離して飲料内
に混入する虞があり、飲料用の容器としては信頼性にか
けるという欠点があった。そこで、本発明は、酸素およ
び二酸化炭素の透過を阻止するかあるいは透過しにくく
することができるとともに、飲料等の充填後に容器の内
方側の表面が剥離することがない容器を提供することで
ある。
許に開示された装置および方法においては、硬質炭素膜
の原料となる炭素系ガスをＰＥＴ容器内に供給し、これ
にプラズマを発生させてから容器の内側の表面に付着さ
せることで、硬質炭素膜を形成していたものである。換
言すると、上記特許に開示された装置および方法は、あ
くまでも容器の内側の表面に硬質炭素膜をコーティング
する技術であり、容器の内側の表面そのものを改質する
ものではなかった。そのため、上記特許の装置および方
法によって製造されたＰＥＴ容器に飲料を充填した場合
には、コーティングされた硬質炭素膜が剥離して飲料内
に混入する虞があり、飲料用の容器としては信頼性にか
けるという欠点があった。そこで、本発明は、酸素およ
び二酸化炭素の透過を阻止するかあるいは透過しにくく
することができるとともに、飲料等の充填後に容器の内
方側の表面が剥離することがない容器を提供することで
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、炭
素を含む高分子化合物製容器にイオンを注入して、該容
器の表面層を、炭酸ガスおよび酸素が透過しない材質も
しくは透過しにくい材質に改質させるようにしたもので
ある。また、第２の本発明は、高分子化合物製容器を気
密を保持して収納可能な収納室と、この収納室内に負圧
を導入する負圧源と、収納室内にプラズマを発生させる
プラズマ発生手段と、収納室に収納した容器内に挿入さ
れる電極と、この電極に高電圧パルスを印加する高電圧
電源とを備えて、収納室内に収納した容器の内方側の表
面層を、炭酸ガスおよび酸素を透過しない材質もしくは
透過しにくい材質に改質させる高分子化合物製容器の表
面改質装置を提供するものである。
素を含む高分子化合物製容器にイオンを注入して、該容
器の表面層を、炭酸ガスおよび酸素が透過しない材質も
しくは透過しにくい材質に改質させるようにしたもので
ある。また、第２の本発明は、高分子化合物製容器を気
密を保持して収納可能な収納室と、この収納室内に負圧
を導入する負圧源と、収納室内にプラズマを発生させる
プラズマ発生手段と、収納室に収納した容器内に挿入さ
れる電極と、この電極に高電圧パルスを印加する高電圧
電源とを備えて、収納室内に収納した容器の内方側の表
面層を、炭酸ガスおよび酸素を透過しない材質もしくは
透過しにくい材質に改質させる高分子化合物製容器の表
面改質装置を提供するものである。
【０００５】このような構成によれば、高分子化合物製
容器の表面層を、炭酸ガスおよび酸素を透過しない材質
もしくは透過しにくい材質に改質させることが出来る。
そのため、炭酸ガスや酸素が透過しないかもしくは透過
しにくい高分子化合物製容器を提供することが出来るよ
うになり、しかも、容器の表面層そのものを改質する事
により、該改質された表面層が剥離する事がない。した
がって、ビールや炭酸ガスを含有する飲料用としても好
適な高分子化合物製容器を提供することが出来る。
容器の表面層を、炭酸ガスおよび酸素を透過しない材質
もしくは透過しにくい材質に改質させることが出来る。
そのため、炭酸ガスや酸素が透過しないかもしくは透過
しにくい高分子化合物製容器を提供することが出来るよ
うになり、しかも、容器の表面層そのものを改質する事
により、該改質された表面層が剥離する事がない。した
がって、ビールや炭酸ガスを含有する飲料用としても好
適な高分子化合物製容器を提供することが出来る。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下図示実施例について本発明を
説明すると、図１から図３において、１はＰＥＴ容器２
の内方側の表面を改質させる改質装置である。この改質
装置１は、ＰＥＴ容器２を収納可能なカップ状の収納室
３と、この収納室３の上端開口を閉鎖する蓋体４と、こ
の蓋体４に設けた管状の電極５と、収納室３の内周部に
配置したコイル６と、収納室３およびコイル６を囲繞し
て配置したソレノイドコイル７とを備えている。改質装
置１によって表面を改質されるＰＥＴ容器２は、上端に
開口部２Ａを備えるとともに、上端の外周部に図示しな
いキャップが螺合されるねじ部２Ｂを備えている。ＰＥ
Ｔ容器２は無色透明であり、補強のために胴部の所要個
所に複数の環状突起２Ｃを形成している。つまり、改質
装置１によって表面を改質されるＰＥＴ容器２は、従来
公知の一般的なＰＥＴ容器であり、上記開口部２Ａを介
して内部に飲料などの液体が充填されるようになってい
る。このように構成したＰＥＴ容器２は、開口部２Ａが
上方となるように収納室３内に供給されるようになって
いる。
説明すると、図１から図３において、１はＰＥＴ容器２
の内方側の表面を改質させる改質装置である。この改質
装置１は、ＰＥＴ容器２を収納可能なカップ状の収納室
３と、この収納室３の上端開口を閉鎖する蓋体４と、こ
の蓋体４に設けた管状の電極５と、収納室３の内周部に
配置したコイル６と、収納室３およびコイル６を囲繞し
て配置したソレノイドコイル７とを備えている。改質装
置１によって表面を改質されるＰＥＴ容器２は、上端に
開口部２Ａを備えるとともに、上端の外周部に図示しな
いキャップが螺合されるねじ部２Ｂを備えている。ＰＥ
Ｔ容器２は無色透明であり、補強のために胴部の所要個
所に複数の環状突起２Ｃを形成している。つまり、改質
装置１によって表面を改質されるＰＥＴ容器２は、従来
公知の一般的なＰＥＴ容器であり、上記開口部２Ａを介
して内部に飲料などの液体が充填されるようになってい
る。このように構成したＰＥＴ容器２は、開口部２Ａが
上方となるように収納室３内に供給されるようになって
いる。
【０００７】上記収納室３は導電性の材料によって構成
するとともに上端部側が広口となったカップ状に形成し
てあり、その上端部に近接する位置に吸引口３Ａを形成
している。導管８の一端を上記吸引口３Ａに接続してあ
り、導管８の他端は負圧源１１に接続している。導管８
の途中には常閉の電磁開閉弁１３を設けてあり、この電
磁開閉弁１３の作動は制御装置１４によって制御するよ
うにしている。制御装置１４によって電磁開閉弁１３が
開放されると、導管８と吸引口３Ａを介して収納室３内
に負圧を導入出来るようになっている。なお、導電性材
料からなる収納室３はグランドなど電圧が一定なものに
電気的に接続されている。つぎに、蓋体４は円板状に形
成した導電性材料からなり、図示しない昇降機構によっ
て収納室３の上方側において昇降できるようになってい
る。蓋体４の中央部には貫通孔４Ａを穿設してあり、そ
の貫通孔４Ａに気密を保持して電極５側の支持部５Ａを
摺動自在に貫通させている。上記支持部５Ａは円筒状の
絶縁材料から構成してあり、電極５の所定位置に嵌着し
ている。なお、蓋体４の下面の外周部には環状のシール
部材２９を埋設してあり、蓋体４を収納室３の上端開口
部に載置して、収納室３を閉鎖した際に、収納室３の上
端開口部と蓋体４との間の気密を保持するようにしてい
る。電極５は導電性のパイプからなり、直流の高圧電源
１５に電気的に接続されている。電極５の上端部は蓋体
４の上面よりも上方に突出させてあり、この上端部に導
管１６の一端を接続している。この導管１６の他端はガ
スの供給源１２に接続している。本実施例では、このガ
スの供給源１２にアルゴンガスを貯溜するようにしてい
る。導管１６の途中に常閉の電磁開閉弁２１を設けてあ
り、この電磁開閉弁２１の作動も制御装置１４によって
制御するようにしている。制御装置１４によって電磁開
閉弁２１が開放されると、導管１６を介して供給源１２
から収納室３内にアルゴンガスが供給されるようになっ
ている。このように、本実施例においては、電極５はガ
スの導入管を兼ねている。
するとともに上端部側が広口となったカップ状に形成し
てあり、その上端部に近接する位置に吸引口３Ａを形成
している。導管８の一端を上記吸引口３Ａに接続してあ
り、導管８の他端は負圧源１１に接続している。導管８
の途中には常閉の電磁開閉弁１３を設けてあり、この電
磁開閉弁１３の作動は制御装置１４によって制御するよ
うにしている。制御装置１４によって電磁開閉弁１３が
開放されると、導管８と吸引口３Ａを介して収納室３内
に負圧を導入出来るようになっている。なお、導電性材
料からなる収納室３はグランドなど電圧が一定なものに
電気的に接続されている。つぎに、蓋体４は円板状に形
成した導電性材料からなり、図示しない昇降機構によっ
て収納室３の上方側において昇降できるようになってい
る。蓋体４の中央部には貫通孔４Ａを穿設してあり、そ
の貫通孔４Ａに気密を保持して電極５側の支持部５Ａを
摺動自在に貫通させている。上記支持部５Ａは円筒状の
絶縁材料から構成してあり、電極５の所定位置に嵌着し
ている。なお、蓋体４の下面の外周部には環状のシール
部材２９を埋設してあり、蓋体４を収納室３の上端開口
部に載置して、収納室３を閉鎖した際に、収納室３の上
端開口部と蓋体４との間の気密を保持するようにしてい
る。電極５は導電性のパイプからなり、直流の高圧電源
１５に電気的に接続されている。電極５の上端部は蓋体
４の上面よりも上方に突出させてあり、この上端部に導
管１６の一端を接続している。この導管１６の他端はガ
スの供給源１２に接続している。本実施例では、このガ
スの供給源１２にアルゴンガスを貯溜するようにしてい
る。導管１６の途中に常閉の電磁開閉弁２１を設けてあ
り、この電磁開閉弁２１の作動も制御装置１４によって
制御するようにしている。制御装置１４によって電磁開
閉弁２１が開放されると、導管１６を介して供給源１２
から収納室３内にアルゴンガスが供給されるようになっ
ている。このように、本実施例においては、電極５はガ
スの導入管を兼ねている。
【０００８】後に詳述するが、昇降機構によって蓋体４
を収納室３の上端から離隔した上昇端位置に位置させた
状態において、図示しない搬送機構によって収納室３内
にＰＥＴ容器２が収納されるようになっている。その後
に上記昇降機構によって蓋体４が下降端位置まで下降さ
れるので、上記電極５が収納室３内の容器２内に挿入さ
れ、その後、蓋体４が収納室３の上端部に載置されて収
納室３の上端開口部が密閉されるようになっている。そ
して、この密閉状態において、導管８を介して負圧が導
入された後に、導管１６と電極５を介してＰＥＴ容器２
の内部空間を含めた収納室３の内部空間全域にアルゴン
ガスが供給されるようになっている。また、図２に示す
ように、蓋体４によって収納室３の上端開口を閉鎖した
状態においては、電極５の支持部５ＡがＰＥＴ容器２の
上端口部２Ａおよびねじ部２Ｂの内方側に位置するよう
になっている。そして、この状態から上記昇降機構によ
って、さらに電極５そのものを蓋体４に対して所定寸法
だけ上昇させることが出来るようにしている（図３）。
この図３の状態では、絶縁材からなる支持部５ＡがＰＥ
Ｔ容器２の上端開口部２Ａよりも上方側に位置するよう
になっている。電極５に接続した直流の高圧電源１５
は、制御装置１４によって作動を制御されるようになっ
ており、制御装置１４から高圧電源１５に作動指令が伝
達されると、高圧電源１５は電極５に正の高電圧パルス
で印加するように構成している。
を収納室３の上端から離隔した上昇端位置に位置させた
状態において、図示しない搬送機構によって収納室３内
にＰＥＴ容器２が収納されるようになっている。その後
に上記昇降機構によって蓋体４が下降端位置まで下降さ
れるので、上記電極５が収納室３内の容器２内に挿入さ
れ、その後、蓋体４が収納室３の上端部に載置されて収
納室３の上端開口部が密閉されるようになっている。そ
して、この密閉状態において、導管８を介して負圧が導
入された後に、導管１６と電極５を介してＰＥＴ容器２
の内部空間を含めた収納室３の内部空間全域にアルゴン
ガスが供給されるようになっている。また、図２に示す
ように、蓋体４によって収納室３の上端開口を閉鎖した
状態においては、電極５の支持部５ＡがＰＥＴ容器２の
上端口部２Ａおよびねじ部２Ｂの内方側に位置するよう
になっている。そして、この状態から上記昇降機構によ
って、さらに電極５そのものを蓋体４に対して所定寸法
だけ上昇させることが出来るようにしている（図３）。
この図３の状態では、絶縁材からなる支持部５ＡがＰＥ
Ｔ容器２の上端開口部２Ａよりも上方側に位置するよう
になっている。電極５に接続した直流の高圧電源１５
は、制御装置１４によって作動を制御されるようになっ
ており、制御装置１４から高圧電源１５に作動指令が伝
達されると、高圧電源１５は電極５に正の高電圧パルス
で印加するように構成している。
【０００９】つぎに、収納室３の内周部に設けたコイル
６は、収納室３に対して電気的に絶縁させてあり、この
コイル６は収納室３の外部に配置した整合器１７を介し
て数ＭＨｚ〜数１００ＭＨｚの高周波電源１８に接続し
ている。高周波電源１８の作動も制御装置１４によって
制御するようにしてあり、制御装置１４から高周波電源
１８に作動指令が伝達されると、高周波電源１８は上記
コイル６に数ＭＨｚ〜数１００ＭＨｚの高周波電流を印
加するようになっている。さらに、収納室３を囲繞して
配置したソレノイドコイル７は図示しない電源に接続さ
れており、この電源に制御装置１４から作動指令が伝達
されると、ソレノイドコイル７が励磁され、直流磁界が
発生する。この実施例においては、コイル７、整合器１
７および高周波電源１８によって、プラズマを発生させ
るプラズマ発生手段を構成している。
６は、収納室３に対して電気的に絶縁させてあり、この
コイル６は収納室３の外部に配置した整合器１７を介し
て数ＭＨｚ〜数１００ＭＨｚの高周波電源１８に接続し
ている。高周波電源１８の作動も制御装置１４によって
制御するようにしてあり、制御装置１４から高周波電源
１８に作動指令が伝達されると、高周波電源１８は上記
コイル６に数ＭＨｚ〜数１００ＭＨｚの高周波電流を印
加するようになっている。さらに、収納室３を囲繞して
配置したソレノイドコイル７は図示しない電源に接続さ
れており、この電源に制御装置１４から作動指令が伝達
されると、ソレノイドコイル７が励磁され、直流磁界が
発生する。この実施例においては、コイル７、整合器１
７および高周波電源１８によって、プラズマを発生させ
るプラズマ発生手段を構成している。
【００１０】-----（作動説明） 以上の構成において、上記改質装置１によって次のよう
な工程を経てＰＥＴ容器２の内方側の表面を改質させ
る。すなわち、収納室３内にＰＥＴ容器２が収納される
前の状態においては、蓋体４は図示しない昇降機構によ
って、収納室３の上端部から離隔してその上方側の上昇
端位置に保持されている。この状態において、図示しな
い搬送機構によってＰＥＴ容器２が収納室３の上方位置
まで搬送された後、該ＰＥＴ容器２を収納室３内に収納
する（図１）。次に、昇降機構によって蓋体４が下降端
位置まで下降される。これにより、電極５が開口部２Ａ
を介してＰＥＴ容器２内に挿入されるとともに蓋体４に
よって収納室３の上端開口部が密閉される（図２）。次
に、制御装置１４がソレノイドコイル７の電源を切換え
てソレノイドコイル７に通電するので、ソレノイドコイ
ル７が励磁される。これにより、ＰＥＴ容器２を収納し
た収納室３の内部空間全域に磁場が発生する。次に、制
御装置１４が電磁開閉弁１３を所定時間だけ開放させる
ので、導管８を介して収納室３内に負圧が導入されて、
収納室３の内部空間が大気圧よりも低圧となる。次に、
この状態から制御装置１４が導管１６に設けた電磁開閉
弁２１を所定時間だけ開放させるので、導管１６を介し
てアルゴンガスがＰＥＴ容器２の内部空間に導入され
る。つまり、収納室３内におけるＰＥＴ容器２の内外の
空間にアルゴンガスが介在した状態となる。
な工程を経てＰＥＴ容器２の内方側の表面を改質させ
る。すなわち、収納室３内にＰＥＴ容器２が収納される
前の状態においては、蓋体４は図示しない昇降機構によ
って、収納室３の上端部から離隔してその上方側の上昇
端位置に保持されている。この状態において、図示しな
い搬送機構によってＰＥＴ容器２が収納室３の上方位置
まで搬送された後、該ＰＥＴ容器２を収納室３内に収納
する（図１）。次に、昇降機構によって蓋体４が下降端
位置まで下降される。これにより、電極５が開口部２Ａ
を介してＰＥＴ容器２内に挿入されるとともに蓋体４に
よって収納室３の上端開口部が密閉される（図２）。次
に、制御装置１４がソレノイドコイル７の電源を切換え
てソレノイドコイル７に通電するので、ソレノイドコイ
ル７が励磁される。これにより、ＰＥＴ容器２を収納し
た収納室３の内部空間全域に磁場が発生する。次に、制
御装置１４が電磁開閉弁１３を所定時間だけ開放させる
ので、導管８を介して収納室３内に負圧が導入されて、
収納室３の内部空間が大気圧よりも低圧となる。次に、
この状態から制御装置１４が導管１６に設けた電磁開閉
弁２１を所定時間だけ開放させるので、導管１６を介し
てアルゴンガスがＰＥＴ容器２の内部空間に導入され
る。つまり、収納室３内におけるＰＥＴ容器２の内外の
空間にアルゴンガスが介在した状態となる。
【００１１】このあと、制御装置１４は、高周波電源１
８に作動指令を伝達するので、該高周波電源から数ＭＨ
ｚ〜数１００ＭＨｚの高周波電流がコイル６に印加され
る。これにより、収納室３内にプラズマを発生させる。
さらに、この状態において、制御装置１４から高圧電源
１５に作動指令を伝達して、該高圧電源１５から電極５
に一連の複数の正の高電圧パルスが印加される。これに
より、ＰＥＴ容器２の内方側におけるプラズマ中のイオ
ンがＰＥＴ容器２における内方側の表面の内部に注入さ
れる。ここで、ＰＥＴ容器２は絶縁物であるため、イオ
ン注入時にチャージアップが起こり、表面電位が上昇す
るが、パルス休止時にプラズマに曝されるため中和さ
れ、元の電位に戻る。そして、次のパルスで再度イオン
注入が行なわれる。次に、この状態において、昇降機構
によって電極５を所定の高さだけ、蓋体４に対して上昇
させる（図３）。そして、再度高電圧パルスを印加して
イオン注入を行なう。したがって、電極５の支持部５Ａ
がＰＥＴ容器２の上端部よりも上方側に支持される。そ
のため、それまで支持部５Ａが位置していたねじ部２Ｂ
の内側の表面の内部にも確実にイオンが注入される。本
実施例では、このようにしてＰＥＴ容器２における内方
側の表面全域の内部にイオンを注入する。そのため、本
来、炭素原子を備えたＰＥＴ容器２における内方側の表
面の材質そのものが全域にわたってＤＬＣ（ダイヤモン
ドライクカーボン）に改質される（図４参照）。つま
り、本実施例は、本来のＰＥＴ容器２の表面にＤＬＣを
コーティングするのではなく、ＰＥＴ容器２の表面の材
質そのものをＤＬＣに改質して、図４における右方側に
示すように内方側の表面全域にＤＬＣの層２２を形成す
るようにしている。なお、上記作業工程において、イオ
ンの注入後に、図２の位置か図３の位置まで必ずしも電
極５を上昇させなくとも良い。このようにして、１つの
ＰＥＴ容器２に対する表面の改質作業が終了すると、昇
降機構によって蓋体４が上昇端位置まで上昇されるの
で、収納室３が開放されるとともに、電極５がＰＥＴ容
器２から抜き出される。なお、閉鎖状態から蓋体４を上
昇させる前に、一端導管８を介して収納室３内を大気に
開放した後に上記昇降機構によって蓋体４を上昇させる
方が良い。このあと、処理済のＰＥＴ容器２は図示しな
い取り出し機構によって取り出される一方、新たなＰＥ
Ｔ容器２が収納室３内に収納されて、その後、上述した
工程を経て新たなＰＥＴ容器２の内方側の表面がＤＬＣ
の層２２に改質されるようになっている。
８に作動指令を伝達するので、該高周波電源から数ＭＨ
ｚ〜数１００ＭＨｚの高周波電流がコイル６に印加され
る。これにより、収納室３内にプラズマを発生させる。
さらに、この状態において、制御装置１４から高圧電源
１５に作動指令を伝達して、該高圧電源１５から電極５
に一連の複数の正の高電圧パルスが印加される。これに
より、ＰＥＴ容器２の内方側におけるプラズマ中のイオ
ンがＰＥＴ容器２における内方側の表面の内部に注入さ
れる。ここで、ＰＥＴ容器２は絶縁物であるため、イオ
ン注入時にチャージアップが起こり、表面電位が上昇す
るが、パルス休止時にプラズマに曝されるため中和さ
れ、元の電位に戻る。そして、次のパルスで再度イオン
注入が行なわれる。次に、この状態において、昇降機構
によって電極５を所定の高さだけ、蓋体４に対して上昇
させる（図３）。そして、再度高電圧パルスを印加して
イオン注入を行なう。したがって、電極５の支持部５Ａ
がＰＥＴ容器２の上端部よりも上方側に支持される。そ
のため、それまで支持部５Ａが位置していたねじ部２Ｂ
の内側の表面の内部にも確実にイオンが注入される。本
実施例では、このようにしてＰＥＴ容器２における内方
側の表面全域の内部にイオンを注入する。そのため、本
来、炭素原子を備えたＰＥＴ容器２における内方側の表
面の材質そのものが全域にわたってＤＬＣ（ダイヤモン
ドライクカーボン）に改質される（図４参照）。つま
り、本実施例は、本来のＰＥＴ容器２の表面にＤＬＣを
コーティングするのではなく、ＰＥＴ容器２の表面の材
質そのものをＤＬＣに改質して、図４における右方側に
示すように内方側の表面全域にＤＬＣの層２２を形成す
るようにしている。なお、上記作業工程において、イオ
ンの注入後に、図２の位置か図３の位置まで必ずしも電
極５を上昇させなくとも良い。このようにして、１つの
ＰＥＴ容器２に対する表面の改質作業が終了すると、昇
降機構によって蓋体４が上昇端位置まで上昇されるの
で、収納室３が開放されるとともに、電極５がＰＥＴ容
器２から抜き出される。なお、閉鎖状態から蓋体４を上
昇させる前に、一端導管８を介して収納室３内を大気に
開放した後に上記昇降機構によって蓋体４を上昇させる
方が良い。このあと、処理済のＰＥＴ容器２は図示しな
い取り出し機構によって取り出される一方、新たなＰＥ
Ｔ容器２が収納室３内に収納されて、その後、上述した
工程を経て新たなＰＥＴ容器２の内方側の表面がＤＬＣ
の層２２に改質されるようになっている。
【００１２】以上のように、本実施例は、ＰＥＴ容器２
の内方側の表面全域をＤＬＣの層２２に改質させている
ので、無色透明あるいはわずかに着色するだけでありな
がら、炭酸ガスおよび酸素の透過を阻止することが出来
るもしくは透過しにくいＰＥＴ容器２を提供することが
出来る。したがって、ミネラルウォータ等の一般的な飲
料だけでなく、ビールなどの炭酸ガスを含有した飲料用
の容器としても好適なＰＥＴ容器２を提供することがで
きる。しかも、本実施例は、従来のようにＤＬＣ膜を容
器２の内方側の表面に付着させてコーティングするので
はなく、ＰＥＴ容器２における内方側の表面の材質自体
をＤＬＣに改質しているので、ＤＬＣの層２２が剥離す
ることがない。したがって、ＰＥＴ容器２内に飲料等の
液体を充填した後において、その液体内に剥離したＤＬ
Ｃが混入する虞がなく、飲料などの容器として安全な容
器を提供することができる。さらに、本実施例は、従来
のようにＤＬＣ膜を表面にコーティングする技術と比較
して、ＰＥＴ容器２の内方側の表面にＤＬＣの層２２を
形成するのに要する時間は、従来のコーティングする場
合の数分の１であり、したがって、処理速度が速い改質
装置１および改質方法を提供できる。また、本実施例に
よって内方側の表面を改質したＰＥＴ容器２は、全てリ
サイクルすることが出来る。なお、上記実施例において
はガスの供給源１２にアルゴンガスを貯溜して、収納室
３内に供給していたが、アルゴンガスの代わりに炭化水
素ガスや窒素ガスを用いてもよい。
の内方側の表面全域をＤＬＣの層２２に改質させている
ので、無色透明あるいはわずかに着色するだけでありな
がら、炭酸ガスおよび酸素の透過を阻止することが出来
るもしくは透過しにくいＰＥＴ容器２を提供することが
出来る。したがって、ミネラルウォータ等の一般的な飲
料だけでなく、ビールなどの炭酸ガスを含有した飲料用
の容器としても好適なＰＥＴ容器２を提供することがで
きる。しかも、本実施例は、従来のようにＤＬＣ膜を容
器２の内方側の表面に付着させてコーティングするので
はなく、ＰＥＴ容器２における内方側の表面の材質自体
をＤＬＣに改質しているので、ＤＬＣの層２２が剥離す
ることがない。したがって、ＰＥＴ容器２内に飲料等の
液体を充填した後において、その液体内に剥離したＤＬ
Ｃが混入する虞がなく、飲料などの容器として安全な容
器を提供することができる。さらに、本実施例は、従来
のようにＤＬＣ膜を表面にコーティングする技術と比較
して、ＰＥＴ容器２の内方側の表面にＤＬＣの層２２を
形成するのに要する時間は、従来のコーティングする場
合の数分の１であり、したがって、処理速度が速い改質
装置１および改質方法を提供できる。また、本実施例に
よって内方側の表面を改質したＰＥＴ容器２は、全てリ
サイクルすることが出来る。なお、上記実施例において
はガスの供給源１２にアルゴンガスを貯溜して、収納室
３内に供給していたが、アルゴンガスの代わりに炭化水
素ガスや窒素ガスを用いてもよい。
【００１３】---（第２実施例） つぎに、図面は省略するが、改質装置１の第２実施例と
して次のような構成であっても良い。つまり、上記図１
から図３に示した第１実施例において、ガスの供給源１
２、導管１６および電磁開閉弁２１を省略して、その他
は第１実施例と同様の構成であっても良い。ただし、こ
の第２実施例においては、電極５としてパイプではなく
棒状のものを用いる。この第２実施例では、コイル６、
整合器１7および高周波電源１８によってプラズマを発
生させるプラズマ発生手段を構成している。このような
第２実施例の改質装置１においては、次のような工程で
処理を行なう。すなわち、昇降機構によって蓋体４およ
び電極５を上昇端位置に保持した状態において、図示し
ない搬送機構によってＰＥＴ容器２が収納室３の上方位
置まで搬送した後、該ＰＥＴ容器２を収納室３内に収納
する。次に、昇降機構によって蓋体４が下降端位置まで
下降されるので、電極５がＰＥＴ容器２内に挿入される
とともに蓋体４によって収納室３の上端開口部が密閉さ
れる。これと同時に、制御装置１４がソレノイドコイル
７の電源を切換えてソレノイドコイル７に通電するの
で、ソレノイドコイル７が励磁されて収納室３内に磁場
が発生する。このあと、制御装置１４が電磁開閉弁１３
を所定時間だけ開放させるので、収納室３内に負圧が導
入される。このあと、制御装置１４は、高周波電源１８
に作動指令を伝達するので、該高周波電源から数ＭＨｚ
〜数１００ＭＨｚの高周波電流がコイル６に印加され
る。これにより、収納室３内にプラズマを発生させる。
さらに、この状態において、制御装置１４から高圧電源
１５に作動指令を伝達するので、該高圧電源１５から正
の高電圧パルスが電極５に印加される。これにより、Ｐ
ＥＴ容器２の内方側におけるプラズマ中のイオンがＰＥ
Ｔ容器２における内方側の表面の内部に注入される。し
たがって、ＰＥＴ容器２における内方側の表面全域がＤ
ＬＣの層２２に改質される。このような第２実施例にお
いても、上述した第１実施例と同様の作用効果を得るこ
とが出来る。
して次のような構成であっても良い。つまり、上記図１
から図３に示した第１実施例において、ガスの供給源１
２、導管１６および電磁開閉弁２１を省略して、その他
は第１実施例と同様の構成であっても良い。ただし、こ
の第２実施例においては、電極５としてパイプではなく
棒状のものを用いる。この第２実施例では、コイル６、
整合器１7および高周波電源１８によってプラズマを発
生させるプラズマ発生手段を構成している。このような
第２実施例の改質装置１においては、次のような工程で
処理を行なう。すなわち、昇降機構によって蓋体４およ
び電極５を上昇端位置に保持した状態において、図示し
ない搬送機構によってＰＥＴ容器２が収納室３の上方位
置まで搬送した後、該ＰＥＴ容器２を収納室３内に収納
する。次に、昇降機構によって蓋体４が下降端位置まで
下降されるので、電極５がＰＥＴ容器２内に挿入される
とともに蓋体４によって収納室３の上端開口部が密閉さ
れる。これと同時に、制御装置１４がソレノイドコイル
７の電源を切換えてソレノイドコイル７に通電するの
で、ソレノイドコイル７が励磁されて収納室３内に磁場
が発生する。このあと、制御装置１４が電磁開閉弁１３
を所定時間だけ開放させるので、収納室３内に負圧が導
入される。このあと、制御装置１４は、高周波電源１８
に作動指令を伝達するので、該高周波電源から数ＭＨｚ
〜数１００ＭＨｚの高周波電流がコイル６に印加され
る。これにより、収納室３内にプラズマを発生させる。
さらに、この状態において、制御装置１４から高圧電源
１５に作動指令を伝達するので、該高圧電源１５から正
の高電圧パルスが電極５に印加される。これにより、Ｐ
ＥＴ容器２の内方側におけるプラズマ中のイオンがＰＥ
Ｔ容器２における内方側の表面の内部に注入される。し
たがって、ＰＥＴ容器２における内方側の表面全域がＤ
ＬＣの層２２に改質される。このような第２実施例にお
いても、上述した第１実施例と同様の作用効果を得るこ
とが出来る。
【００１４】--------（第３実施例） 次に、図５ないし図６は本発明の第３実施例を示したも
のであり、端的に言えば、この第３実施例は上記第１実
施例におけるソレノイドコイル７の代わりに複数の永久
磁石２５を用いるとともに、コイル６、整合器１７およ
び高周波電源１８の代わりにマグネトロン２６を用いた
ものである。すなわち、この第３実施例における収納室
３は、円筒状とした本体部の下端外周部にフランジ部３
Ｃを形成してあり、このフランジ部３Ｃの下面に一枚の
石英板を重合させている。この石英板によって収納室３
の底面３Ｂを構成している。そして、この状態の石英板
（底面３Ｂ）およびフランジ部３Ｃの外周部に、導波管
２８側に形成したフランジ状の連結部２７Ａを嵌装して
あり、それによって、収納室３と導波管２７とを連結し
ている。なお、フランジ部３Ｃと底面３Ｂとしての石英
板の間には、環状のシール部材２８を設けてあり、それ
によって、両部材間の気密を保持している。そして、上
記導波管２７の他端にマグネトロン２６を気密を保持し
て連結している。このマグネトロン２６の作動も制御装
置１４によって制御するようにしてあり、制御装置１４
によってマグネトロン２６が作動されると、上記収納室
３内に向けて２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給するよ
うになっている。つぎに、この実施例では、収納室３の
外周部には、円周方向における等ピッチで棒状の永久磁
石２５を配置している。ここで隣り合う永久磁石２５
は、収納室３の外周面と接触する位置の磁極が異なるよ
うに配置されている。したがって、この第３実施例にお
いては、上記複数の永久磁石２５によって、それらに近
接した収納室３の内周部の近くに常時磁場が形成されて
いる。さらに、この実施例においては、蓋体４の下面の
外周部に環状のシール部材２９を取り付けている。蓋体
４によって収納室３の上端開口を閉鎖した際に、上記シ
ール部材２９によって、蓋体４と収納室３の上端開口部
との間の気密を保持するようにしている。この第３実施
例においては、導波管２７、マグネトロン２６によっ
て、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を構成して
いる。その他の構成は、上述した第１実施例のものと同
じであり、それらについて詳細な説明は省略する。
のであり、端的に言えば、この第３実施例は上記第１実
施例におけるソレノイドコイル７の代わりに複数の永久
磁石２５を用いるとともに、コイル６、整合器１７およ
び高周波電源１８の代わりにマグネトロン２６を用いた
ものである。すなわち、この第３実施例における収納室
３は、円筒状とした本体部の下端外周部にフランジ部３
Ｃを形成してあり、このフランジ部３Ｃの下面に一枚の
石英板を重合させている。この石英板によって収納室３
の底面３Ｂを構成している。そして、この状態の石英板
（底面３Ｂ）およびフランジ部３Ｃの外周部に、導波管
２８側に形成したフランジ状の連結部２７Ａを嵌装して
あり、それによって、収納室３と導波管２７とを連結し
ている。なお、フランジ部３Ｃと底面３Ｂとしての石英
板の間には、環状のシール部材２８を設けてあり、それ
によって、両部材間の気密を保持している。そして、上
記導波管２７の他端にマグネトロン２６を気密を保持し
て連結している。このマグネトロン２６の作動も制御装
置１４によって制御するようにしてあり、制御装置１４
によってマグネトロン２６が作動されると、上記収納室
３内に向けて２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給するよ
うになっている。つぎに、この実施例では、収納室３の
外周部には、円周方向における等ピッチで棒状の永久磁
石２５を配置している。ここで隣り合う永久磁石２５
は、収納室３の外周面と接触する位置の磁極が異なるよ
うに配置されている。したがって、この第３実施例にお
いては、上記複数の永久磁石２５によって、それらに近
接した収納室３の内周部の近くに常時磁場が形成されて
いる。さらに、この実施例においては、蓋体４の下面の
外周部に環状のシール部材２９を取り付けている。蓋体
４によって収納室３の上端開口を閉鎖した際に、上記シ
ール部材２９によって、蓋体４と収納室３の上端開口部
との間の気密を保持するようにしている。この第３実施
例においては、導波管２７、マグネトロン２６によっ
て、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を構成して
いる。その他の構成は、上述した第１実施例のものと同
じであり、それらについて詳細な説明は省略する。
【００１５】------（第３実施例の作動説明） 以上のように構成した第３実施例の改質装置１によっ
て、次のようにしてＰＥＴ容器２の表面を改質させる。
すなわち、図示しない昇降機構によって、蓋体４および
電極５が上昇端位置に保持されている状態において、図
示しない搬送機構によって搬送されてきたＰＥＴ容器２
が収納室３内に収納される。次に、昇降機構によって蓋
体４が下降端の位置まで下降される。これにより、電極
５が開口部２Ａを介してＰＥＴ容器２内に挿入されると
ともに蓋体４によって収納室３の上端開口部が密閉され
る（図５）。複数の永久磁石２５によって収納室３の内
周部には磁場が形成されているので、収納室３内に収納
されたＰＥＴ容器２にも、永久磁石２５による磁力が作
用する。次に、制御装置１４が電磁開閉弁１３を所定時
間だけ開放させるので、導管８を介して収納室３内に負
圧が導入されて、収納室３の内部空間が大気圧よりも低
圧となる。次に、この状態から制御装置１４が導管１６
に設けた電磁開閉弁２１を所定時間だけ開放させるの
で、導管１６を介してアルゴンガスがＰＥＴ容器２の内
部空間に導入される。つまり、収納室３内におけるＰＥ
Ｔ容器２の内外の空間にアルゴンガスが介在した状態と
なる。なお、このときの収納室３内の圧力は大気圧以下
となっている。このあと、制御装置１４はマグネトロン
２６を作動させるので、該マグネトロン２６から収納室
３の底面３Ｂにむけて２．４５ＧＨｚのマイクロ波が供
給される。これにより、収納室３内にマイクロ波が供給
されて、収納室３内のアルゴンガスにプラズマを発生さ
せる。さらに、この状態において、制御装置１４から直
流の高圧電源１５に作動指令を伝達するので、該高圧電
源１５から正の高電圧パルスが電極５に印加される。こ
れにより、ＰＥＴ容器２の内方側におけるプラズマ中の
イオンがＰＥＴ容器２における内方側の表面の内部に注
入される。なお、このあと、必要に応じて昇降機構によ
って電極５を所定の高さだけ、蓋体４に対して上昇さ
せ、そのあとに、再度高圧電源１５に作動指令を伝達
し、再度ＰＥＴ容器２の内側の表面にイオンを注入して
も良い。以上のように構成した第３実施例においても、
上記第１実施例と同様の作用効果を得ることが出来る。
て、次のようにしてＰＥＴ容器２の表面を改質させる。
すなわち、図示しない昇降機構によって、蓋体４および
電極５が上昇端位置に保持されている状態において、図
示しない搬送機構によって搬送されてきたＰＥＴ容器２
が収納室３内に収納される。次に、昇降機構によって蓋
体４が下降端の位置まで下降される。これにより、電極
５が開口部２Ａを介してＰＥＴ容器２内に挿入されると
ともに蓋体４によって収納室３の上端開口部が密閉され
る（図５）。複数の永久磁石２５によって収納室３の内
周部には磁場が形成されているので、収納室３内に収納
されたＰＥＴ容器２にも、永久磁石２５による磁力が作
用する。次に、制御装置１４が電磁開閉弁１３を所定時
間だけ開放させるので、導管８を介して収納室３内に負
圧が導入されて、収納室３の内部空間が大気圧よりも低
圧となる。次に、この状態から制御装置１４が導管１６
に設けた電磁開閉弁２１を所定時間だけ開放させるの
で、導管１６を介してアルゴンガスがＰＥＴ容器２の内
部空間に導入される。つまり、収納室３内におけるＰＥ
Ｔ容器２の内外の空間にアルゴンガスが介在した状態と
なる。なお、このときの収納室３内の圧力は大気圧以下
となっている。このあと、制御装置１４はマグネトロン
２６を作動させるので、該マグネトロン２６から収納室
３の底面３Ｂにむけて２．４５ＧＨｚのマイクロ波が供
給される。これにより、収納室３内にマイクロ波が供給
されて、収納室３内のアルゴンガスにプラズマを発生さ
せる。さらに、この状態において、制御装置１４から直
流の高圧電源１５に作動指令を伝達するので、該高圧電
源１５から正の高電圧パルスが電極５に印加される。こ
れにより、ＰＥＴ容器２の内方側におけるプラズマ中の
イオンがＰＥＴ容器２における内方側の表面の内部に注
入される。なお、このあと、必要に応じて昇降機構によ
って電極５を所定の高さだけ、蓋体４に対して上昇さ
せ、そのあとに、再度高圧電源１５に作動指令を伝達
し、再度ＰＥＴ容器２の内側の表面にイオンを注入して
も良い。以上のように構成した第３実施例においても、
上記第１実施例と同様の作用効果を得ることが出来る。
【００１６】-------（第４実施例） 次に、図７は本発明の第４実施例を示したものであり、
端的に言えば、この第４実施例は上記第１実施例におけ
るコイル６、整合器１７および高周波電源１８の代わり
に導波管２７およびマグネトロン２６を用いたものであ
る。すなわち、この第４実施例においては、導波管２７
の一端を導電性材料からなる蓋体４の上面中央部に接続
している。電極５の上端部はこの導波管２７を気密を保
持して貫通させて、上方側に突出させてあり、導管１６
の端部を接続している。導波管２７の他端に上記第３実
施例と同様のマグネトロン２６を気密を保持して連結し
ている。マグネトロン２６の作動も制御装置１４によっ
て制御するようにしてあり、制御装置１４によってマグ
ネトロン２６が作動されると、上記収納室３の底面３Ｂ
に向けてマイクロ波を供給するようになっている。この
第４実施例では、蓋体４に導波管２７の端部を接続して
いるので、図示しない昇降機構は、蓋体４、電極５およ
び導波管２７を昇降させるようになっている。また、こ
の実施例においては、蓋体４の下面の外周部に環状のシ
ール部材２９を取り付けている。蓋体４によって収納室
３の上端開口を閉鎖した際に、上記シール部材２９によ
って、蓋体４と収納室３の上端開口部との間の気密を保
持するようにしている。この第４実施例においては、導
波管２７、マグネトロン２６によってプラズマを発生さ
せるプラズマ発生手段を構成している。その他の構成
は、上述した第１実施例のものと同じであり、それらに
ついて詳細な説明は省略する。
端的に言えば、この第４実施例は上記第１実施例におけ
るコイル６、整合器１７および高周波電源１８の代わり
に導波管２７およびマグネトロン２６を用いたものであ
る。すなわち、この第４実施例においては、導波管２７
の一端を導電性材料からなる蓋体４の上面中央部に接続
している。電極５の上端部はこの導波管２７を気密を保
持して貫通させて、上方側に突出させてあり、導管１６
の端部を接続している。導波管２７の他端に上記第３実
施例と同様のマグネトロン２６を気密を保持して連結し
ている。マグネトロン２６の作動も制御装置１４によっ
て制御するようにしてあり、制御装置１４によってマグ
ネトロン２６が作動されると、上記収納室３の底面３Ｂ
に向けてマイクロ波を供給するようになっている。この
第４実施例では、蓋体４に導波管２７の端部を接続して
いるので、図示しない昇降機構は、蓋体４、電極５およ
び導波管２７を昇降させるようになっている。また、こ
の実施例においては、蓋体４の下面の外周部に環状のシ
ール部材２９を取り付けている。蓋体４によって収納室
３の上端開口を閉鎖した際に、上記シール部材２９によ
って、蓋体４と収納室３の上端開口部との間の気密を保
持するようにしている。この第４実施例においては、導
波管２７、マグネトロン２６によってプラズマを発生さ
せるプラズマ発生手段を構成している。その他の構成
は、上述した第１実施例のものと同じであり、それらに
ついて詳細な説明は省略する。
【００１７】------（第４実施例の作動説明） 以上のように構成した第４実施例の改質装置１によっ
て、次のようにしてＰＥＴ容器２の表面を改質させる。
すなわち、図示しない昇降機構によって、蓋体４、電極
５および導波管２７が上昇端位置に保持されている状態
において、図示しない搬送機構によって搬送されてきた
ＰＥＴ容器２が収納室３内に収納される。次に、昇降機
構によって蓋体４等が下降端の位置まで下降される。こ
れにより、電極５が開口部２Ａを介してＰＥＴ容器２内
に挿入されるとともに蓋体４によって収納室３の上端開
口部が密閉される（図７）。それと同時に、制御装置１
４はソレノイドコイル７の電源を切換えて、ソレノイド
コイル７に通電するので、ソレノイドコイル７が励磁さ
れる。これにより、収納室３内に磁場が形成される。次
に、制御装置１４が電磁開閉弁１３を所定時間だけ開放
させるので、導管８を介して収納室３内に負圧が導入さ
れて、収納室３の内部空間が大気圧よりも低圧となる。
次に、この状態から制御装置１４が導管１６に設けた電
磁開閉弁２１を所定時間だけ開放させるので、導管１６
を介してアルゴンガスがＰＥＴ容器２の内部空間に導入
される。つまり、収納室３内におけるＰＥＴ容器２の内
外の空間にアルゴンガスが介在した状態となる。なお、
このときの収納室３内の圧力は大気圧以下となってい
る。このあと、制御装置１４はマグネトロン２６を作動
させるので、該マグネトロン２６から蓋体４にむけてマ
イクロ波が供給される。これにより、収納室３内のアル
ゴンガスにプラズマを発生させる。さらに、この状態に
おいて、制御装置１４から直流の高圧電源１５に作動指
令を伝達するので、該高圧電源１５から正の高電圧パル
スが電極５に印加される。これにより、ＰＥＴ容器２の
内方側におけるプラズマ中のイオンがＰＥＴ容器２にお
ける内方側の表面の内部に注入される。なお、このあ
と、必要に応じて、昇降機構によって電極５を所定の高
さだけ、蓋体４に対して上昇させ、そのあとに、再度高
圧電源１５に作動指令を伝達し、再度ＰＥＴ容器２の内
側の表面の内部にイオンを注入しても良い。以上のよう
に構成した第４実施例においても、上記第１実施例と同
様の作用効果を得ることが出来る。
て、次のようにしてＰＥＴ容器２の表面を改質させる。
すなわち、図示しない昇降機構によって、蓋体４、電極
５および導波管２７が上昇端位置に保持されている状態
において、図示しない搬送機構によって搬送されてきた
ＰＥＴ容器２が収納室３内に収納される。次に、昇降機
構によって蓋体４等が下降端の位置まで下降される。こ
れにより、電極５が開口部２Ａを介してＰＥＴ容器２内
に挿入されるとともに蓋体４によって収納室３の上端開
口部が密閉される（図７）。それと同時に、制御装置１
４はソレノイドコイル７の電源を切換えて、ソレノイド
コイル７に通電するので、ソレノイドコイル７が励磁さ
れる。これにより、収納室３内に磁場が形成される。次
に、制御装置１４が電磁開閉弁１３を所定時間だけ開放
させるので、導管８を介して収納室３内に負圧が導入さ
れて、収納室３の内部空間が大気圧よりも低圧となる。
次に、この状態から制御装置１４が導管１６に設けた電
磁開閉弁２１を所定時間だけ開放させるので、導管１６
を介してアルゴンガスがＰＥＴ容器２の内部空間に導入
される。つまり、収納室３内におけるＰＥＴ容器２の内
外の空間にアルゴンガスが介在した状態となる。なお、
このときの収納室３内の圧力は大気圧以下となってい
る。このあと、制御装置１４はマグネトロン２６を作動
させるので、該マグネトロン２６から蓋体４にむけてマ
イクロ波が供給される。これにより、収納室３内のアル
ゴンガスにプラズマを発生させる。さらに、この状態に
おいて、制御装置１４から直流の高圧電源１５に作動指
令を伝達するので、該高圧電源１５から正の高電圧パル
スが電極５に印加される。これにより、ＰＥＴ容器２の
内方側におけるプラズマ中のイオンがＰＥＴ容器２にお
ける内方側の表面の内部に注入される。なお、このあ
と、必要に応じて、昇降機構によって電極５を所定の高
さだけ、蓋体４に対して上昇させ、そのあとに、再度高
圧電源１５に作動指令を伝達し、再度ＰＥＴ容器２の内
側の表面の内部にイオンを注入しても良い。以上のよう
に構成した第４実施例においても、上記第１実施例と同
様の作用効果を得ることが出来る。
【００１８】-------（第５実施例） 次に、図８ないし図９は、本発明の第５実施例を示した
ものである。この第５実施例は、上記第１実施例におけ
るコイル６、整合器１７および高周波電源１８を省略し
たものである。その他の構成は、第１実施例のものと同
じであり、詳細な説明は省略する。この第５実施例にお
いては、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を、高
圧電源１５によって兼用している。この第５実施例にお
いては、次のようにしてＰＥＴ容器２の表面を改質させ
る。すなわち、図示しない昇降機構によって、蓋体４、
電極５が上昇端位置に保持されている状態において、図
示しない搬送機構によって搬送されてきたＰＥＴ容器２
が収納室３内に収納される。次に、昇降機構によって蓋
体４が下降端の位置まで下降される。これにより、電極
５が開口部２Ａを介してＰＥＴ容器２内に挿入されると
ともに蓋体４によって収納室３の上端開口部が密閉され
る（図８）。それと同時に、制御装置１４はソレノイド
コイル７の電源を切換えて、ソレノイドコイル７に通電
するので、ソレノイドコイル７が励磁される。これによ
り、収納室３内に磁場が形成される。次に、制御装置１
４が電磁開閉弁１３を所定時間だけ開放させるので、導
管８を介して収納室３内に負圧が導入されて、収納室３
の内部空間が大気圧よりも低圧となる。次に、この状態
から制御装置１４が導管１６に設けた電磁開閉弁２１を
所定時間だけ開放させるので、導管１６を介してアルゴ
ンガスがＰＥＴ容器２の内部空間に導入される。つま
り、収納室３内におけるＰＥＴ容器２の内外の空間にア
ルゴンガスが介在した状態となる。なお、このときの収
納室３内の圧力は大気圧未満になっている。このあと、
制御装置１４から直流の高圧電源１５に作動指令を伝達
するので、該高圧電源１５から正の高電圧パルスが電極
５で印加される。これにより、ＰＥＴ容器２の内方側に
プラズマを発生させると同時に、発生したプラズマ中の
イオンをＰＥＴ容器２における内方側の表面の内部に注
入させる。これにより、ＰＥＴ容器２における内方側の
表面の内部がＤＬＣに改質される。なお、このあと、必
要に応じて、昇降機構によって電極５を所定の高さだ
け、蓋体４に対して上昇させ、そのあとに、再度高圧電
源１５に作動指令を伝達し、再度ＰＥＴ容器２の内側に
プラズマを発生させるとともにＰＥＴ容器２の内方側の
表面にイオンを注入しても良い。以上のように構成した
第５実施例においても、上記第１実施例と同様の作用効
果を得ることが出来る。
ものである。この第５実施例は、上記第１実施例におけ
るコイル６、整合器１７および高周波電源１８を省略し
たものである。その他の構成は、第１実施例のものと同
じであり、詳細な説明は省略する。この第５実施例にお
いては、プラズマを発生させるプラズマ発生手段を、高
圧電源１５によって兼用している。この第５実施例にお
いては、次のようにしてＰＥＴ容器２の表面を改質させ
る。すなわち、図示しない昇降機構によって、蓋体４、
電極５が上昇端位置に保持されている状態において、図
示しない搬送機構によって搬送されてきたＰＥＴ容器２
が収納室３内に収納される。次に、昇降機構によって蓋
体４が下降端の位置まで下降される。これにより、電極
５が開口部２Ａを介してＰＥＴ容器２内に挿入されると
ともに蓋体４によって収納室３の上端開口部が密閉され
る（図８）。それと同時に、制御装置１４はソレノイド
コイル７の電源を切換えて、ソレノイドコイル７に通電
するので、ソレノイドコイル７が励磁される。これによ
り、収納室３内に磁場が形成される。次に、制御装置１
４が電磁開閉弁１３を所定時間だけ開放させるので、導
管８を介して収納室３内に負圧が導入されて、収納室３
の内部空間が大気圧よりも低圧となる。次に、この状態
から制御装置１４が導管１６に設けた電磁開閉弁２１を
所定時間だけ開放させるので、導管１６を介してアルゴ
ンガスがＰＥＴ容器２の内部空間に導入される。つま
り、収納室３内におけるＰＥＴ容器２の内外の空間にア
ルゴンガスが介在した状態となる。なお、このときの収
納室３内の圧力は大気圧未満になっている。このあと、
制御装置１４から直流の高圧電源１５に作動指令を伝達
するので、該高圧電源１５から正の高電圧パルスが電極
５で印加される。これにより、ＰＥＴ容器２の内方側に
プラズマを発生させると同時に、発生したプラズマ中の
イオンをＰＥＴ容器２における内方側の表面の内部に注
入させる。これにより、ＰＥＴ容器２における内方側の
表面の内部がＤＬＣに改質される。なお、このあと、必
要に応じて、昇降機構によって電極５を所定の高さだ
け、蓋体４に対して上昇させ、そのあとに、再度高圧電
源１５に作動指令を伝達し、再度ＰＥＴ容器２の内側に
プラズマを発生させるとともにＰＥＴ容器２の内方側の
表面にイオンを注入しても良い。以上のように構成した
第５実施例においても、上記第１実施例と同様の作用効
果を得ることが出来る。
【００１９】-----（第６実施例） 次に図１０ないし図１１は、本発明の第６実施例を示し
たものであり、この第６実施例は上記図７に示した第４
実施例におけるソレノイドコイル７を省略し、その代わ
りに複数の永久磁石２５を設けたものである。すなわ
ち、この第６実施例では、電極５における支持部５Ａよ
りも下方側の内周面に、円周方向における等ピッチで棒
状の永久磁石２５を配置している。図１１に示すよう
に、隣り合う永久磁石２５は、電極５の内周面と接触す
る位置の磁極が異なるように配置されている。したがっ
て、この第６実施例においては、上記複数の永久磁石２
５によって、電極５そのものに常時磁場が形成されてい
る。この他の構成は、上記図７に示した第４実施例と同
じであり詳細な説明は省略する。 ----（第６実施例の作動説明） 以上のように構成した第６実施例の改質装置１によっ
て、次のようにしてＰＥＴ容器２の表面を改質させる。
すなわち、図示しない昇降機構によって、蓋体４、電極
５および導波管２７が上昇端位置に保持されている状態
において、図示しない搬送機構によって搬送されてきた
ＰＥＴ容器２が収納室３内に収納される。次に、昇降機
構によって蓋体４等が下降端の位置まで下降される。こ
れにより、電極５が開口部２Ａを介してＰＥＴ容器２内
に挿入されるとともに蓋体４によって収納室３の上端開
口部が密閉される（図１０）。収納室３に挿入された電
極５には、複数の永久磁石２５によって磁場が形成され
る。このあと、制御装置１４が電磁開閉弁１３を所定時
間だけ開放させるので、導管８を介して収納室３内に負
圧が導入されて、収納室３の内部空間が大気圧よりも低
圧となる。次に、この状態から制御装置１４が導管１６
に設けた電磁開閉弁２１を所定時間だけ開放させるの
で、導管１６を介してアルゴンガスがＰＥＴ容器２の内
部空間に導入される。つまり、収納室３内におけるＰＥ
Ｔ容器２の内外の空間にアルゴンガスが介在した状態と
なる。なお、このときの収納室３内の圧力は大気圧以下
となっている。このあと、制御装置１４はマグネトロン
２６を作動させるので、該マグネトロン２６から蓋体４
にむけてマイクロ波が供給される。これにより、収納室
３内のアルゴンガスにプラズマを発生させる。さらに、
この状態において、制御装置１４から直流の高圧電源１
５に作動指令を伝達するので、該高圧電源１５から正の
高電圧パルスが電極５に印加される。これにより、ＰＥ
Ｔ容器２の内方側におけるプラズマ中のイオンがＰＥＴ
容器２における内方側の表面の内部に注入される。な
お、このあと、昇降機構によって電極５を支持部５Ａの
上下方向寸法に相当する高さだけ、蓋体４に対して上昇
させ、そのあとに、再度高圧電源１５に作動指令を伝達
し、再度ＰＥＴ容器２における内側の表面の内部にイオ
ンを注入しても良い。以上のように構成した第６実施例
においても、上述した各実施例と同様の作用効果を得る
ことが出来る。
たものであり、この第６実施例は上記図７に示した第４
実施例におけるソレノイドコイル７を省略し、その代わ
りに複数の永久磁石２５を設けたものである。すなわ
ち、この第６実施例では、電極５における支持部５Ａよ
りも下方側の内周面に、円周方向における等ピッチで棒
状の永久磁石２５を配置している。図１１に示すよう
に、隣り合う永久磁石２５は、電極５の内周面と接触す
る位置の磁極が異なるように配置されている。したがっ
て、この第６実施例においては、上記複数の永久磁石２
５によって、電極５そのものに常時磁場が形成されてい
る。この他の構成は、上記図７に示した第４実施例と同
じであり詳細な説明は省略する。 ----（第６実施例の作動説明） 以上のように構成した第６実施例の改質装置１によっ
て、次のようにしてＰＥＴ容器２の表面を改質させる。
すなわち、図示しない昇降機構によって、蓋体４、電極
５および導波管２７が上昇端位置に保持されている状態
において、図示しない搬送機構によって搬送されてきた
ＰＥＴ容器２が収納室３内に収納される。次に、昇降機
構によって蓋体４等が下降端の位置まで下降される。こ
れにより、電極５が開口部２Ａを介してＰＥＴ容器２内
に挿入されるとともに蓋体４によって収納室３の上端開
口部が密閉される（図１０）。収納室３に挿入された電
極５には、複数の永久磁石２５によって磁場が形成され
る。このあと、制御装置１４が電磁開閉弁１３を所定時
間だけ開放させるので、導管８を介して収納室３内に負
圧が導入されて、収納室３の内部空間が大気圧よりも低
圧となる。次に、この状態から制御装置１４が導管１６
に設けた電磁開閉弁２１を所定時間だけ開放させるの
で、導管１６を介してアルゴンガスがＰＥＴ容器２の内
部空間に導入される。つまり、収納室３内におけるＰＥ
Ｔ容器２の内外の空間にアルゴンガスが介在した状態と
なる。なお、このときの収納室３内の圧力は大気圧以下
となっている。このあと、制御装置１４はマグネトロン
２６を作動させるので、該マグネトロン２６から蓋体４
にむけてマイクロ波が供給される。これにより、収納室
３内のアルゴンガスにプラズマを発生させる。さらに、
この状態において、制御装置１４から直流の高圧電源１
５に作動指令を伝達するので、該高圧電源１５から正の
高電圧パルスが電極５に印加される。これにより、ＰＥ
Ｔ容器２の内方側におけるプラズマ中のイオンがＰＥＴ
容器２における内方側の表面の内部に注入される。な
お、このあと、昇降機構によって電極５を支持部５Ａの
上下方向寸法に相当する高さだけ、蓋体４に対して上昇
させ、そのあとに、再度高圧電源１５に作動指令を伝達
し、再度ＰＥＴ容器２における内側の表面の内部にイオ
ンを注入しても良い。以上のように構成した第６実施例
においても、上述した各実施例と同様の作用効果を得る
ことが出来る。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高分子
化合物製容器の表面層を、炭酸ガスおよび酸素を透過し
ない材質もしくは透過しにくい材質に改質させることが
出来るという効果が得られる。
化合物製容器の表面層を、炭酸ガスおよび酸素を透過し
ない材質もしくは透過しにくい材質に改質させることが
出来るという効果が得られる。
【図１】本発明の第１実施例を断面図。
【図２】本発明の第１実施例を示す断面図。
【図３】図２に示した要部の異なる状態を示す端面図。
【図４】図１に示した装置によって表面の改質前と改質
後の状態を示すＰＥＴ容器２の要部の断面図。
後の状態を示すＰＥＴ容器２の要部の断面図。
【図５】本発明の第３実施例を示す断面図。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩに沿う要部の断面図。
【図７】本発明の第４実施例を示す断面図。
【図８】本発明の第５実施例を示す断面図。
【図９】第５実施例の図８とは異なる状態を示す断面
図。
図。
【図１０】本発明の第６実施例を示す断面図。
【図１１】図１０のＸ−Ｘに沿う要部の断面図。
１…改質装置 ２…ＰＥＴ容
器 ３…収納室 ４…蓋体 ５…電極 ６…コイル ７…ソレノイド １１…負圧源 １２…ガスの供給源 １５…高圧電
源 １８…高周波電源 ２２…ＤＬＣ
の層
器 ３…収納室 ４…蓋体 ５…電極 ６…コイル ７…ソレノイド １１…負圧源 １２…ガスの供給源 １５…高圧電
源 １８…高周波電源 ２２…ＤＬＣ
の層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｃ Ｃ０８Ｌ 67:02 // Ｃ０８Ｌ 67:02 Ｂ６５Ｄ 1/00 Ｃ Ｆターム(参考） 3E033 AA01 AA02 BA13 BA18 CA16 DA02 DB01 DC03 EA20 4F073 AA17 BA24 CA04 CA05 CA07 4G075 AA30 BA05 BC08 CA15 CA25 CA26 CA47 DA02 EA01 EB01 EB41 EC21 FB12
Claims (13)
- 【請求項１】 炭素を含む高分子化合物製容器にイオン
を注入して、該容器の表面層を、炭酸ガスおよび酸素が
透過しない材質もしくは透過しにくい材質に改質させる
ことを特徴とする高分子化合物製容器の表面改質方法。 - 【請求項２】 上記容器における内方側にプラズマを発
生させてから、上記容器の内部に配置した電極に高電圧
パルスを印加して、イオンを上記容器の表面層に注入
し、該容器の表面層を炭酸ガスおよび酸素が透過しない
材質もしくは透過しにくい材質に改質させることを特徴
とする請求項１に記載の高分子化合物製容器の表面改質
方法。 - 【請求項３】 上記電極に正の高電圧パルスを印加する
ことを特徴とする請求項２に記載の高分子化合物製容器
の表面改質方法。 - 【請求項４】 上記高分子化合物製容器は、ＰＥＴ（ポ
リエチレンテレフタレート）製容器あるいは、合成樹脂
製の容器であることを特徴とする請求項１から請求項３
のそれぞれに記載の高分子化合物製容器の表面改質方
法。 - 【請求項５】 高分子化合物製容器を気密を保持して収
納可能な収納室と、この収納室内に負圧を導入する負圧
源と、収納室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手
段と、収納室に収納した容器内に挿入される電極と、こ
の電極に高電圧パルスを印加する高電圧電源とを備え
て、収納室内に収納した容器の内方側の表面層を、炭酸
ガスおよび酸素を透過しない材質もしくは透過しにくい
材質に改質させることを特徴とする高分子化合物製容器
の表面改質装置。 - 【請求項６】 上記収納室内に磁場を発生させる磁場発
生手段を備えることを特徴とする請求項５に記載の高分
子化合物製容器の表面改質装置。 - 【請求項７】 上記収納室内にガスを供給するガス供給
源を備えることを特徴とする請求項６に記載の高分子化
合物製容器の表面改質装置。 - 【請求項８】 上記プラズマ発生手段は、収納室の内周
部に設けたコイルと、このコイルに整合器を介して高周
波電流を印加する高周波電源とを備えることを特徴とす
る請求項６あるいは請求項７に記載の高分子化合物製容
器の表面改質装置。 - 【請求項９】 上記プラズマ発生手段は、導波管を介し
て収納室内にマイクロ波を供給するマグネトロンを備え
ることを特徴とする請求項６あるいは請求項７に記載の
高分子化合物製容器の表面改質装置。 - 【請求項１０】 上記高圧電源が上記プラズマ発生手段
を兼ねることを特徴とする請求項６あるいは請求項７に
記載の高分子化合物製容器の表面改質装置。 - 【請求項１１】 上記磁場発生手段は、収納室を囲繞し
て設けたソレノイドコイルあるいは、収納室を囲繞して
配置した複数の永久磁石からなることを特徴とする請求
項６から請求項１０のそれぞれに記載した高分子化合物
製容器の表面改質装置。 - 【請求項１２】 上記高電圧電源は、上記電極に正の高
電圧パルスを印加することを特徴とする請求項５から請
求項１１のそれぞれに記載した高分子化合物製容器の表
面改質装置。 - 【請求項１３】 上記高分子化合物製容器は、ＰＥＴ
（ポリエチレンテレフタレート）容器あるいは、合成樹
脂製の容器からなることを特徴とする請求項５から請求
項１２のそれぞれに記載した高分子化合物製容器の表面
改質装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2001029176A JP3952695B2 (ja) | 2000-05-26 | 2001-02-06 | 高分子化合物製容器の表面改質方法とその装置 |
| EP02002554A EP1229068B1 (en) | 2001-02-06 | 2002-02-04 | Method and apparatus for modifying the inner surface of containers made of polymeric compound |
| DE60206084T DE60206084T2 (de) | 2001-02-06 | 2002-02-04 | Verfahren und Vorrichtung zum Modifizieren der inneren Oberfläche von Behältern aus Kunststoff |
| US10/062,405 US20020117114A1 (en) | 2001-02-06 | 2002-02-05 | Method and apparatus for modifying surface of container made of polymeric compound |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-156572 | 2000-05-26 | ||
| JP2000156572 | 2000-05-26 | ||
| JP2001029176A JP3952695B2 (ja) | 2000-05-26 | 2001-02-06 | 高分子化合物製容器の表面改質方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003053801A1 (fr) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Systeme de formation de revetements de carbone sur la surface interieur de recipients de plastique et procede de production de recipients de plastique a revetement interieur de carbone |
| WO2003085165A1 (fr) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Mitsubishi Shoji Plastics Corporation | Appareil de formation d'un film cvd plasma et procede de fabrication d'un conteneur plastique de revetement de film cvc |
| WO2005035825A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Mitsubishi Shoji Plastics Corporation | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ膜コーティングプラスチック容器の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6940754B2 (ja) | 2017-06-15 | 2021-09-29 | 澁谷工業株式会社 | 樹脂製容器の表面処理装置 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195092A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | Tdk Corp | カ−ボン系薄膜の製造方法および装置 |
| JPS63142038A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチツク成形品の表面改質方法 |
| JPH04342737A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-11-30 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 架橋した表面ゾーンを有するポリマー |
| JPH05101899A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Masahiro Nishikawa | 中性粒子ビーム照射装置 |
| JPH07245549A (ja) * | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Meidensha Corp | 高電圧パルス発生装置 |
| JPH0853116A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Kirin Brewery Co Ltd | 炭素膜コーティングプラスチック容器 |
| JPH09125258A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-13 | Nissin Electric Co Ltd | 物品表面改質処理方法及び装置 |
| JPH10304681A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 正負パルス式高電圧電源 |
| JP2840700B2 (ja) * | 1990-12-31 | 1998-12-24 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 被膜形成装置及び被膜形成方法 |
| JPH1150251A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-23 | Nagasaki Pref Gov | 導電性中空体の内部表面へのイオン注入法 |
| JPH1192935A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Daido Steel Co Ltd | 耐摩耗性硬質炭素被膜 |
| JPH11256331A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-21 | Ulvac Corp | ダイヤモンド状炭素膜形成方法及び製造装置 |
| JP2000143221A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-23 | Hideki Nakamori | パルス放電型ｄｌｃ成膜装置 |
| JP2004043789A (ja) * | 2000-02-24 | 2004-02-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置及び炭素被覆形成プラスチック容器の製造方法 |
-
2001
- 2001-02-06 JP JP2001029176A patent/JP3952695B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195092A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | Tdk Corp | カ−ボン系薄膜の製造方法および装置 |
| JPS63142038A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチツク成形品の表面改質方法 |
| JP2840700B2 (ja) * | 1990-12-31 | 1998-12-24 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 被膜形成装置及び被膜形成方法 |
| JPH04342737A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-11-30 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 架橋した表面ゾーンを有するポリマー |
| JPH05101899A (ja) * | 1991-10-07 | 1993-04-23 | Masahiro Nishikawa | 中性粒子ビーム照射装置 |
| JPH07245549A (ja) * | 1994-03-03 | 1995-09-19 | Meidensha Corp | 高電圧パルス発生装置 |
| JPH0853116A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Kirin Brewery Co Ltd | 炭素膜コーティングプラスチック容器 |
| JPH09125258A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-05-13 | Nissin Electric Co Ltd | 物品表面改質処理方法及び装置 |
| JPH10304681A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-13 | Sekisui Chem Co Ltd | 正負パルス式高電圧電源 |
| JPH1150251A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-23 | Nagasaki Pref Gov | 導電性中空体の内部表面へのイオン注入法 |
| JPH1192935A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Daido Steel Co Ltd | 耐摩耗性硬質炭素被膜 |
| JPH11256331A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-21 | Ulvac Corp | ダイヤモンド状炭素膜形成方法及び製造装置 |
| JP2000143221A (ja) * | 1998-11-10 | 2000-05-23 | Hideki Nakamori | パルス放電型ｄｌｃ成膜装置 |
| JP2004043789A (ja) * | 2000-02-24 | 2004-02-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置及び炭素被覆形成プラスチック容器の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003053801A1 (fr) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Systeme de formation de revetements de carbone sur la surface interieur de recipients de plastique et procede de production de recipients de plastique a revetement interieur de carbone |
| WO2003085165A1 (fr) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Mitsubishi Shoji Plastics Corporation | Appareil de formation d'un film cvd plasma et procede de fabrication d'un conteneur plastique de revetement de film cvc |
| WO2005035825A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Mitsubishi Shoji Plastics Corporation | Ｃｖｄ成膜装置及びｃｖｄ膜コーティングプラスチック容器の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3952695B2 (ja) | 2007-08-01 |
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