JPS63142038A - プラスチツク成形品の表面改質方法 - Google Patents
プラスチツク成形品の表面改質方法Info
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- JPS63142038A JPS63142038A JP28780486A JP28780486A JPS63142038A JP S63142038 A JPS63142038 A JP S63142038A JP 28780486 A JP28780486 A JP 28780486A JP 28780486 A JP28780486 A JP 28780486A JP S63142038 A JPS63142038 A JP S63142038A
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Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、プラスチック成形品の表面改質方法に関する
ものであり、特に表面改質手段としてプラズマ処理に関
するものである0表面改質すべき性質としては、水ぬれ
性・接着性・帯電防止性・印刷性・生体親和性・バリヤ
ー性等の分野がある。
ものであり、特に表面改質手段としてプラズマ処理に関
するものである0表面改質すべき性質としては、水ぬれ
性・接着性・帯電防止性・印刷性・生体親和性・バリヤ
ー性等の分野がある。
〈従来技術〉
プラスチック成形品に、非重合性無機ガスを用いてプラ
ズマ処理する表面改質方法は、乾式で散機い易< ?f
f潔であり、成形品の表面層がエツチング・架橋・極性
基の導入等の化学変化を生じその結果プラスチック成形
品のぬれ性・接着性・印刷性等の改良・生体親和性・バ
リヤー性等の機能が付与されるため、近年盛んに研究が
進められ実用化もされている。しかしながらプラズマ処
理は反応が複雑であり、プラスチック成形品は、組成が
概ね単一でないことと分子運動が容易なことのため、プ
ラズマ処理をプラスチック成形品に適用すると、処理効
果の再現性・処理後の経時変化の点が問題とされ、この
点についての対策も、例えばプラズマ処理に次いで後処
理をする等、いろいろな検討が進められているが、後処
理の検討の曲にプラズマ処理そのものを確実かつ十分に
しておくことが必要である。プラズマ処理そのもので上
記問題点を解決する方法として、プラスチック成形品の
表面を酸素ガスの低温プラズマにさらした後非重合性プ
ラズマ処理する2段階処理方法が知られている、(特公
昭58−14453号公報)この方法では最初の酸素ガ
スプラズマ処理は、プラスチック成形品の表面に存在す
る不純物をクリーニングする役割を果し、次に行う非重
合性ガスプラズマ処理が本来のプラズマ処理である。し
かし文献の実施例にも見られるようにこの方法では成形
品表面のクリーニングに10分間以上もの長い処理時間
を要することが問題であった。
ズマ処理する表面改質方法は、乾式で散機い易< ?f
f潔であり、成形品の表面層がエツチング・架橋・極性
基の導入等の化学変化を生じその結果プラスチック成形
品のぬれ性・接着性・印刷性等の改良・生体親和性・バ
リヤー性等の機能が付与されるため、近年盛んに研究が
進められ実用化もされている。しかしながらプラズマ処
理は反応が複雑であり、プラスチック成形品は、組成が
概ね単一でないことと分子運動が容易なことのため、プ
ラズマ処理をプラスチック成形品に適用すると、処理効
果の再現性・処理後の経時変化の点が問題とされ、この
点についての対策も、例えばプラズマ処理に次いで後処
理をする等、いろいろな検討が進められているが、後処
理の検討の曲にプラズマ処理そのものを確実かつ十分に
しておくことが必要である。プラズマ処理そのもので上
記問題点を解決する方法として、プラスチック成形品の
表面を酸素ガスの低温プラズマにさらした後非重合性プ
ラズマ処理する2段階処理方法が知られている、(特公
昭58−14453号公報)この方法では最初の酸素ガ
スプラズマ処理は、プラスチック成形品の表面に存在す
る不純物をクリーニングする役割を果し、次に行う非重
合性ガスプラズマ処理が本来のプラズマ処理である。し
かし文献の実施例にも見られるようにこの方法では成形
品表面のクリーニングに10分間以上もの長い処理時間
を要することが問題であった。
〈発明の目的〉
本発明の目的は、プラスチック成形品をプラズマ処理に
より表面改質するに際し、処理を短時間で生産性良く行
うことと、高い処理効果とこの効果を持続させることを
併立させることである。
より表面改質するに際し、処理を短時間で生産性良く行
うことと、高い処理効果とこの効果を持続させることを
併立させることである。
〈発明の構成〉
本発明はプラスチック成形品を電圧印加側電極と接地側
電極とが処理容器内に存在する内部電極方式のプラズマ
処理装置で電圧印加側電極に接触させ乍ら6W・秒/d
以上220W・秒/cd以下照射密度プラズマ処理し、
次に内部電極方式の接地側電極に接触させるか又は、電
圧印加側電極と接地側電極との中間の位置でプラズマ処
理することを特徴とする0本発明は2段階処理方法であ
り1段めは、内部電極方式のプラズマ処理装置で電圧印
加側電極に接触させ乍らプラズマ処理するもので、スパ
ッタエツチングも呼ばれている。これはプラズマ処理待
発生するプラスイオンが電圧印加側電極上の試料に衝突
し、試料を構成する分子又は原子がたたき出されるため
である。2段めの処理は、内部電極方式の接地側電極に
接触させるか、又は電圧印加側電極と接地側電極との中
間の位置で処理するもので通常のプラズマ処理と変わら
ない、以降1段めの処理を「スパッタエツチング」2段
めの処理を「プラズマ処理」と呼称する。
電極とが処理容器内に存在する内部電極方式のプラズマ
処理装置で電圧印加側電極に接触させ乍ら6W・秒/d
以上220W・秒/cd以下照射密度プラズマ処理し、
次に内部電極方式の接地側電極に接触させるか又は、電
圧印加側電極と接地側電極との中間の位置でプラズマ処
理することを特徴とする0本発明は2段階処理方法であ
り1段めは、内部電極方式のプラズマ処理装置で電圧印
加側電極に接触させ乍らプラズマ処理するもので、スパ
ッタエツチングも呼ばれている。これはプラズマ処理待
発生するプラスイオンが電圧印加側電極上の試料に衝突
し、試料を構成する分子又は原子がたたき出されるため
である。2段めの処理は、内部電極方式の接地側電極に
接触させるか、又は電圧印加側電極と接地側電極との中
間の位置で処理するもので通常のプラズマ処理と変わら
ない、以降1段めの処理を「スパッタエツチング」2段
めの処理を「プラズマ処理」と呼称する。
「スパッタエツチング」 「プラズマ処理」共に0.0
1−1トルの真空度で非重合性ガスを流しながら電極間
に電磁場を形成しプラズマを発生させる通常の方法で処
理する。ガスの種類は、2段の処理いずれも非重合性ガ
スであれば良く限定しない。
1−1トルの真空度で非重合性ガスを流しながら電極間
に電磁場を形成しプラズマを発生させる通常の方法で処
理する。ガスの種類は、2段の処理いずれも非重合性ガ
スであれば良く限定しない。
同一処理室で処理する場合は、一度処理を打切って試料
取付位置を変更する。処理室が2室の場合には、1室で
「スパッタエツチングb ラズマ処理」を行うと能率的である。この時、2段処理
は、連続でも不連続でも良いが1段めの処理の目的がク
リーニングであるから不連続の場合1段め処理と2段め
の処理の間で再汚染しない様に注意する必要があり、処
理の間の時間は短かい方が良い。
取付位置を変更する。処理室が2室の場合には、1室で
「スパッタエツチングb ラズマ処理」を行うと能率的である。この時、2段処理
は、連続でも不連続でも良いが1段めの処理の目的がク
リーニングであるから不連続の場合1段め処理と2段め
の処理の間で再汚染しない様に注意する必要があり、処
理の間の時間は短かい方が良い。
「スパッタエツチング」の処理条件としては、例えば3
60W・秒/cm3以上も行う必要がなり220は効果
がなく220W・秒/cm3以上ではエツチングが進み
逆効果になったり、試料が着色したりする。
60W・秒/cm3以上も行う必要がなり220は効果
がなく220W・秒/cm3以上ではエツチングが進み
逆効果になったり、試料が着色したりする。
「プラズマ処理」の処理条件としては、特に限定しない
。
。
〈発明の効果〉
本発明の方法によれば、1段めの処理を電圧印加側電極
に接触させて処理しプラスチック表面を「スパッタエツ
チングコしているため、表面の汚れを短時間例えば20
秒〜1分で能率良くクリーニングすることができる。そ
して表面のクリーニングが良好であるため、2段めの処
理の処理効果が大きく、その持続効果も良好である。
に接触させて処理しプラスチック表面を「スパッタエツ
チングコしているため、表面の汚れを短時間例えば20
秒〜1分で能率良くクリーニングすることができる。そ
して表面のクリーニングが良好であるため、2段めの処
理の処理効果が大きく、その持続効果も良好である。
実施例1
試料:
ポリイミド樹脂フィルム「カプトン・50011J丸正
産業側製、厚さ150 μ、巾25■−2長さ100m
+1、水の接触角は74°。
産業側製、厚さ150 μ、巾25■−2長さ100m
+1、水の接触角は74°。
プラズマ処理:
内部平行平板電極方式 ペルジャー径33cn。
高さ24C!l、電極形状:133角、電極間隔: 6
備、電源周波数; 13.56 MHz 。
備、電源周波数; 13.56 MHz 。
処理条件:
1段めの処理;試料を電圧印加側電極にクリップで取付
けた。ガスOt、真空度 0.081−ル、照射密度24W−秒/(J!。
けた。ガスOt、真空度 0.081−ル、照射密度24W−秒/(J!。
(照射時間20秒)
2段めの処理;試料を接地側電極に取付けた。
ガスAr、真空度0.05 )ル、照射密度24W・秒
/LljI。
/LljI。
(照射時間20秒)
評価:
純水の接触角をエルマ光学■製測定装置でn=6の測定
を行い平均値を算出する。
を行い平均値を算出する。
初期値:
2段めの処理を終了後大気圧にリークし、10分以内に
測定。
測定。
保管条件:
温度;−6〜6℃の範囲で温度調節している冷蔵庫内。
湿度;シリカゲル20gを入れた厚さ50μ、縦25C
IDX横15c11のポリ袋中に試料を入れた後装をヒ
ートシールした。
IDX横15c11のポリ袋中に試料を入れた後装をヒ
ートシールした。
測定1時間前に23℃の室内に放置し、測定直前に袋を
開封した。
開封した。
比較例■
1段めの処理が試料を接地側電極に取付けた以外は、実
施例1と変わらない。
施例1と変わらない。
比較例2
1段めの処理を実施しない他は実施例1と変わらない。
比較例2
1段めの処理ガスが空気であり、真空度が0.06トル
である以外は実施例1と変わらない。
である以外は実施例1と変わらない。
比較例3
1段めの処理が試料を接地側電極に取付けた以外は実施
例2と変わらない。
例2と変わらない。
実施例3
試料:ポリエステルスルポン樹脂フィルムFS−530
0住友ベークライト■製、厚さ100 μ、巾25龍、
長さ200龍・水の接触角は80°。
0住友ベークライト■製、厚さ100 μ、巾25龍、
長さ200龍・水の接触角は80°。
処理条件のうち、1段め・2段めの処理の照射時間1分
、照射密度70W・秒/dであり2段めの処理の設置場
所が接地側と電圧印加側との中間である以外は実施例1
と変らない。
、照射密度70W・秒/dであり2段めの処理の設置場
所が接地側と電圧印加側との中間である以外は実施例1
と変らない。
実施例4
1段めの処理が接地側電極に取付けた以外は、実施例3
と変らない。
と変らない。
実施例5
1段めの処理を実施しない他は、実施例3と変らない。
実施例1〜3.比較例1〜5の接触角測定結果を第1表
に示す。
に示す。
以下余白
Claims (1)
- プラスチック成形品を、電圧印加側電極と接地側電極と
が処理容器内に存在する内部電極方式のプラズマ処理装
置で電圧印加側電極に接触させ乍ら6W・秒/cm^3
以上220W・秒/cm^3以下の照射密度でプラズマ
処理し、次に内部電極方式の接地側電極に接触させるか
、又は電圧印加側電極と接地側電極との中間の位置でプ
ラズマ処理することを特徴とするプラスチック成形品の
表面改質方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28780486A JPS63142038A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | プラスチツク成形品の表面改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28780486A JPS63142038A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | プラスチツク成形品の表面改質方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63142038A true JPS63142038A (ja) | 1988-06-14 |
Family
ID=17721963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28780486A Pending JPS63142038A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | プラスチツク成形品の表面改質方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63142038A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002046726A (ja) * | 2000-05-26 | 2002-02-12 | Kanazawa Inst Of Technology | 高分子化合物製容器の表面改質方法とその装置 |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP28780486A patent/JPS63142038A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002046726A (ja) * | 2000-05-26 | 2002-02-12 | Kanazawa Inst Of Technology | 高分子化合物製容器の表面改質方法とその装置 |
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